リソグラフィ装置及び汚染物を除去する方法
【課題】リソグラフィ装置の表面を効果的に洗浄できるシステム及び方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、洗浄する表面に洗浄流体を提供する流体供給システムを含む。洗浄流体は、２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む。
【解決手段】リソグラフィ装置は、洗浄する表面に洗浄流体を提供する流体供給システムを含む。洗浄流体は、２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本発明は、リソグラフィ装置とリソグラフィ装置内の汚染物を除去する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003] 例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体にリソグラフィ投影装置内の基板を浸漬させて投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、その他の液体も使用することができる。液体に関して本発明のある実施形態について説明する。しかし、別の流体、特に湿潤流体、非圧縮性流体、及び／又は空気より屈折率が大きい流体、望ましくは水より屈折率が大きい流体が適している。ガスを除く流体が特に望ましい。このポイントは、液体内の方が露光放射の波長が短いためより小さいフィーチャの結像が可能であるということである。（また、液体の効果はシステムの実効開口数（ＮＡ）と焦点深度を増加させることである。）固体微粒子（例えば、石英）を内部に懸濁させた水、又はナノ微粒子（最大１０ｎｍの寸法の微粒子）の懸濁液を含むその他の液浸液も提案されている。懸濁微粒子は、それを懸濁させる液体と屈折率が類似していても、類似していなくても又は同じであってもよい。適している他の液体は、芳香族炭化水素、フッ化炭化水素などの炭化水素及び／又は水溶液等である。
【０００４】
[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005] 液浸装置内では、液浸液は、流体ハンドリングシステム又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給でき、従って、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体を閉じ込めることができ、従って、流体閉じ込めシステムである。閉じ込められた流体が液体の場合、流体閉じ込めシステムは液体閉じ込め構造を有する。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体へのバリアを提供でき、従って、バリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体（ガスなどの）のフローを生成又は使用して、例えば、非接触ガスシールとして液体を閉じ込めるといった液体ハンドリングを助けることができる。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用されてもよい。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングである。提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に出口を持つ４組の入口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。液体フローの方向は、図２及び図３の矢印で示されていることに留意されたい。
【０００６】
[0006] 局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組み合わせの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組み合わせの入口及び出口は動作しない）。液体フロー及び基板Ｗの方向は、図４の矢印で示されていることに留意されたい。
【０００７】
[0007] 提案されている別の構成は、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め部材を液体供給システムに設ける。このような構成が図５に図示されている。液体閉じ込め部材は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。液体閉じ込め構造と基板の表面の間にシールが形成される。実施形態では、シールは液体閉じ込め構造と基板の表面の間に形成され、ガスシールなどの非接触シールとすることができる。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示され、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
【０００８】
[0008] それぞれが参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備える。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、１つのテーブルのみを有する。
【０００９】
[0009] ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、実質的に基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を提供する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／１１９８０９号に記載されている。全ての位置で基板Ｗを覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。
【００１０】
[0010] リソグラフィマシンで遭遇する可能性のある１つの問題は、システム内及び基板表面の汚染微粒子の発生である。システム内に微粒子があることで、例えば、微粒子が投影システムと露光中の基板との間にある場合、露光工程で障害が発生することがある。汚染は、例えば、流体封じ込めシステムの性能に有害な影響を及ぼすことがある。従って、汚染微粒子の存在を低減させることが望ましい。それ故、リソグラフィマシン内の洗浄システムが望ましい。洗浄流体によっては、レンズ及びその他の光学コーティングと不適合であるため、洗浄には問題がある。
【００１１】
[0011] 従来、リソグラフィ装置内の表面の洗浄は、超純水（ＵＰＷ）、ＴＬＤＲ−Ａ０００１などの洗剤、又は過酸化水素などの物質を用いて行われてきた。しかし、これらの薬剤は必ずしも所望の程度まで効果的に洗浄するとは限らない。本発明の実施形態は、リソグラフィ装置の表面を効果的に洗浄できる洗浄流体を提供する。
【発明の概要】
【００１２】
[0012] リソグラフィ装置内の表面を洗浄するシステムを提供することが望ましい。
【００１３】
[0013] 本発明のある態様によれば、洗浄する表面に洗浄流体を提供するように構成された流体供給システムを備えるリソグラフィ装置が提供される。洗浄流体は、２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む。
【００１４】
[0014] 本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置内の表面を洗浄する方法が提供される。この方法は、洗浄する表面に洗浄流体を供給するステップを含む。洗浄流体は、２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む。
【００１５】
[0015] 本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置を洗浄する洗浄流体の使用法が提供される。
【００１６】
[0016] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の図面を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】[0017]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムとしての流体ハンドリング構造を示す図である。
【図３】[0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムとしての流体ハンドリング構造を示す図である。
【図４】[0019]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。
【図５】[0020]本発明のある実施形態で液体供給システムとして使用することができるバリア部材の断面図である。
【図６】[0021]本発明のある実施形態で使用することができる別のバリア部材の断面図である。
【図７】[0022]液浸フード内のストリーム挙動を模倣するための実験構成を示す図である。
【図８Ａ】[0023]さまざまな溶媒内に２４時間液浸した後の軟質ポリウレタン（ＰＵＲ）チューブの重量変化を示すグラフである。
【図８Ｂ】[0024]さまざまな溶媒内に２４時間液浸した後のバイトンＯリングの重量変化を示すグラフである。
【図９Ａ】[0025]さまざまな溶媒にさらされた軟質ポリウレタンの経時的な吸収及び脱着を示す図である。
【図９Ｂ】[0026]さまざまな溶媒にさらされたバイトンの経時的な吸収及び脱着を示す図である。
【図１０】[0027]洗浄流体にさらされその後すすぎ処理されたＰＦＡ及びＦｌｕｒａｎチューブのＴＯＣレベルを示す図である。
【図１１】[0028]各種レンズコーティングの以下のＳＥＭ顕微鏡写真を示す図である。実験開始時のポリウレタンベースのコーティング（上段左）、ＵＰＷにさらしたポリウレタンベースのコーティング（中段左）、ＤＥＧＢＥにさらしたポリウレタンベースのコーティング（下段左）、実験開始時のＳｉＯｘＣｙＨｚコーティング（上段右）、ＵＰＷにさらしたＳｉＯｘＣｙＨｚコーティング（中段右）、ＤＥＧＢＥにさらしたＳｉＯｘＣｙＨｚコーティング（下段右）。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0029] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
[0030]− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0031]− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0032]− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0033]− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１９】
[0036] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２０】
[0037] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２１】
[0038] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２２】
[0039] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２３】
[0040] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２４】
[0041] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２５】
[0042] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２６】
[0043] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２７】
[0044] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＭを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２８】
[0045] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２９】
[0046] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３０】
[0047] ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３１】
[0048] スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３２】
[0049] 別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３３】
[0050] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３４】
[0051] 投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する装置は、いわゆる局所液浸システムである。このシステムでは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体ハンドリングシステム（図１にＩＨで表される）が使用される。液体によって充填される空間は、基板の上面より平面視で小さく、液体によって充填される領域は、その領域の下を基板Ｗが移動している間、投影システムＰＳに対して実質的に静止している、図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所化された液体供給システムが示されている。図２〜図４に開示する液体供給システムについては上に説明した。
【００３５】
[0052] 図５は、バリア部材１２を備えた局所液体供給システムの概略図を示す。バリア部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）バリア部材１２は投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、バリア部材と基板Ｗの表面との間には封止が形成される。封止は流体封止などの非接触封止でよく、望ましくはガスシールである。
【００３６】
[0053] バリア部材１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間内に閉じ込められるように、基板Ｗへの非接触封止１６を投影システムのイメージフィールドの周囲に形成できる。空間は、投影システムＰＳの最終要素の下方に位置し、それを取り囲むバリア部材１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムの下方の空間、さらに液体入口１３を通してバリア部材１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去できる。バリア部材１２は、投影システムの最終要素から上に少し延在させることができる。液体のバッファが提供されるように液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、バリア部材１２は、上端で投影システム又はその最終要素の形状にぴったりと一致する例えば円形の内周を有する。底部で、内周はイメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。
【００３７】
[0054] ある実施形態では、液体は、使用時にバリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ２又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール内のガスは入口１５を介してバリア部材１２と基板Ｗとの間の空隙に加圧下で提供される。ガスは、出口１４を介して取り出される。液体を内側に閉じ込める高速のガスフロー１６が存在するように、ガス入口１５上の過剰圧力、出口１４上の真空レベル及び空隙の幾何構造が配置される。バリア部材１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的又は不連続的であってよい。ガスフロー１６の流れは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムが米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００３８】
[0055] その他の構成も可能であり、以下の説明から明らかになるように、本発明の実施形態は、液体供給システムとして任意のタイプの局所液体供給システムを使用することができる。
【００３９】
[0056] １つ又は複数の局所液体供給システムは、液体供給システムの一部と基板Ｗとの間を封止する。封止は、液体供給システムの一部と基板Ｗとの間の液体のメニスカスによって画定できる。液体供給システムの一部と基板Ｗとの相対的な動きによって封止、例えばメニスカスが破壊され、液体の漏れが生じることがある。高いスキャン速度で問題はより顕著になり得る。増大したスキャン速度はスループットの向上の故に望ましい。
【００４０】
[0057] 図６は、液体供給システムの一部であるバリア部材１２を示す。バリア部材１２は、バリア部材（封止部材と呼ばれることもある）が、例えば、全体として実質的に環状になるように、投影システムＰＳの最終要素の周囲（例えば、円周）を囲んで延在する。投影システムＰＳは円形でなくてもよく、バリア部材１２の外縁も円形でなくてもよく、従って、バリア部材はリング状である必要はない。投影ビームが投影システムＰＳの最終要素から外に出るための開口を有している限り、バリアは他の形状であってもよい。開口は中央にあってもよい。従って、露光の間、投影ビームは、バリア部材の開口内に封じ込められた液体を通過して基板Ｗに達することができる。バリア部材１２は、例えば、実質的に矩形であってもよく、バリア部材１２の高さの位置の投影システムＰＳの最終要素と必ずしも同じ形状でなくてもよい。
【００４１】
[0058] バリア部材１２の機能は、投影ビームが液体を通過できるように、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間に液体を少なくとも部分的に保持するか又は封じ込めることである。液体の液面は、バリア部材１２があることだけで封じ込められている。空間内の液面は、液体がバリア部材１２の上面からあふれないように維持されている。
【００４２】
[0059] 液浸液は、バリア部材１２によって空間１１に提供される（従って、バリア部材は流体ハンドリング構造と考えられる）。液浸液の通路又は流路は、バリア部材１２を通過する。流路の一部は、チャンバ２６によって構成される。チャンバ２６は、２つの側壁２８、２２を有する。液体は、第１の側壁２８を通過してチャンバ２６に流れ込み、次に第２の側壁２２を通過して空間１１に流れ込む。複数の出口２０が液体を空間１１に提供する。液体は、板２８、２２の貫通穴２９、２０を通過して空間１１に侵入する。貫通穴２０、２９の場所は任意でよい。
【００４３】
[0060] バリア部材１２の底部と基板Ｗとの間に封止が提供される（この機能はバリア部材が流体ハンドリング構造でもあることを示す）。図６で、封止デバイスは無接触シールを提供するように構成され、いくつかのコンポーネントからできている。投影システムＰＳの光軸から半径方向外方に、空間内に（投影ビームの経路には達しないが）延在する（オプションの）フロー板５０が提供され、出口２０を出て空間を通過する液浸液の実質的に平行の流れを維持するのを助ける。フロー制御板は、バリア部材１２の光軸の投影システムＰＳ及び／又は基板Ｗに対する方向の動きへの抵抗を低減させる貫通穴５５を有する。フロー制御板は、投影システムのＰＳ及び／又は基板Ｗに対するバリア部材１２の光軸の方向の動きへの抵抗を低減させる貫通穴を備える。
【００４４】
[0061] バリア部材１２の底面のフロー制御板５０から半径方向外方に入口１８０がある。入口１８０は、基板へ向かう方向に液体を提供できる。結像の間、これは、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の空隙を液体で充填することで液浸液内の気泡の形成を防止する役に立つ。
【００４５】
[0062] 入口１８０から半径方向外方に、バリア部材１２ならびに基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間から液体を抽出する抽出器アセンブリ７０がある。抽出器７０は、以下に詳述するが、バリア部材１２と基板Ｗとの間に形成された非接触封止の一部を形成する。抽出器は、単相又は２相抽出器として動作できる。
【００４６】
[0063] 抽出器アセンブリ７０から半径方向外方に凹部８０がある。凹部は、入口８２を通して大気に接続されている。凹部は、出口８４を通して低圧力源に接続されている。入口８２は、出口８４に対して半径方向外方に位置していてよい。凹部８０から半径方向外方にガスナイフ９０がある。抽出器、凹部及びガスナイフの一構成が、米国特許出願公開第ＵＳ２００６／０１５８６２７号に詳細に開示されている。しかし、この文書では抽出器アセンブリの構成は異なる。
【００４７】
[0064] 抽出器アセンブリ７０は、米国特許出願公開第ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示された抽出器アセンブリのような液体除去デバイス又は抽出器又は入口を備える。その内容は、参照により全体を本明細書に組み込むものとする。任意のタイプの液体抽出器を使用することができる。ある実施形態では、液体除去デバイス７０は、単一液相の液体抽出を可能にするためにガスから液体を分離するための多孔質の材料１１０で覆われた入口を備える。多孔質の材料１１０の下流にあるチャンバ１２０は、わずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で満たされている。チャンバ１２０内の加圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスが液体除去デバイス７０のチャンバ１２０内に引き込まれることが防止される程度の大きさである。しかし、多孔質の表面１１０が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体は液体除去デバイス１００のチャンバ１２０内に自由に流入できる。多孔質の表面１１０は、バリア部材１２に沿って（また空間の周囲に）半径方向に内方に延在する。多孔質の表面１１０を通る抽出速度は、多孔質の材料１１０のうちどの程度が液体によって覆われているかによって変わる。
【００４８】
[0065] 多孔質の材料１１０は、各々が例えば５〜５０μｍの範囲の直径ｄｈｏｌｅなどの幅のような寸法を備えた多数の小さい孔を有する。多孔質の材料は、液体を除去する表面、例えば、基板Ｗの表面上の５０〜３００μｍの範囲の高さに維持できる。ある実施形態では、多孔質の材料１１０は、少なくともわずかに親液体性であり、すなわち、水などの液浸液に対して９０°未満、望ましくは８５°未満、又は望ましくは８０°未満の接触角を有する。
【００４９】
[0066] ガスが液体除去デバイス内に引き込まれることを防止することは常に可能ではないかもしれないが、多孔質の材料１１０は、振動を引き起こす可能性がある大量の不均一なフローを防止する。電気鋳造、フォトエッチング、及び／又はレーザカッティングで形成されるマイクロふるいを多孔質の材料１１０として使用することができる。適したふるいは、オランダ、EerbeekのStork Veco B.V.製である。孔のサイズが使用時に受ける差圧をメニスカスに与えるのに適している限り、その他の多孔質の板又は多孔質の材料の中実のブロックも使用することができる。
【００５０】
[0067] 基板Ｗのスキャン中（その間、基板はバリア部材１２と投影システムＰＳの下で移動する）、基板Ｗとバリア部材１２との間に延在するメニスカス１１５は、移動する基板によって印加される抗力によって光軸に向かって、又は光軸と逆方向に引かれる。その結果、液体が失われ、液体は蒸発し、基板は冷却され、その結果、上記の収縮及びオーバレイエラーが発生する。液滴とレジストの光化学との相互作用によって液体の汚れが追加的に又は代替的に残されることがある。
【００５１】
[0068] 図６には具体的には示されていないが、液体供給システムは、液面の変動を処理する構成を有する。これは、投影システムＰＳとバリア部材１２との間に滞留する液体が処理され、こぼれないためである。そのような液体の滞留は、下記のバリア部材１２と投影システムＰＳとの間の相対的な動きの最中に発生することがある。この液体を処理する１つの方法は、極めて大きいために、バリア部材１２と投影システムＰＳとの間の相対的な動きの間にバリア部材１２の周辺部（例えば、周縁）でほとんど圧力勾配がないようなバリア部材１２を提供することである。代替又は追加の構成では、例えば、抽出器７０のような単相抽出器などの抽出器を用いてバリア部材１２の最上部から液体を除去することができる。代替又は追加のフィーチャは、疎液性又は疎水性コーティングである。このコーティングは、開口を取り囲むバリア部材１２の最上部の周囲及び／又は投影システムＰＳの最終光学要素の周囲にバンドを形成することがある。コーティングは、投影システムの光軸の半径方向外側であってよい。疎液性又は疎水性コーティングは、液浸液を空間内に保持するのを助ける。
【００５２】
[0069] 例えば、各々が基板を搬送する２つの基板テーブル又はステージが提供された装置では、投影システムの下の基板テーブルの投影システムの下の別の基板テーブルとの交換は困難である。これは、液体供給システムからの液体がテーブルの交換の前に除去されると、投影システムの最終要素上に乾燥汚染が発生することがあるからである。この問題の提案されている考えられる解決策は、基板テーブルの交換中に投影システムの下に配置可能なダミー基板などのシャッター部材を提供することである。こうして、液体供給システムは、基板の交換中に稼働状態を保ち、乾燥汚染も形成されない。そのようなダミー基板は、例えば、欧州特許出願公開第ＥＰ−１，４２０，２９９号に記載されている。別の形態のシャッター部材では、第２の基板テーブルが第１の基板テーブルに近付けられる。２つの基板テーブルは、投影システムの下で同時に移動する。２つの基板テーブル間の空隙が小さい（又は少なくともその下にドレンを有する）場合、液体の損失は最小限になるはずである。場合によっては、基板テーブルＷＴは、橋の形態のように回転可能又は引き込み式の突起によって上面が延在する。橋は、シャッター部材と考えられる。そのような構成が米国特許出願公開第ＵＳ２００７−０２１６８８１号に記載されている。このシャッター部材の形態の変形例では、第２のテーブルは、第２の基板テーブルではなく、その表面が基板交換時にシャッター部材として機能する。そのようなテーブルは測定に使用することができ、測定テーブルと呼ぶことができる。第１又は第２の基板テーブルは、基板が例えば露光に利用可能になると、投影システムの下に戻される。投影システムＰＳを例えば基板テーブル上の基板の交換中に液体と接触させておくために、シャッター部材を、追加的に又は代替的に、単一の基板テーブル装置で使用することができることを理解されたい。
【００５３】
[0070] 図５及び図６に示すような液体ハンドリングシステムの課題は、液浸システム、特にバリア部材１２の下の液浸システムは、汚染される可能性があるということである。その結果、多孔質の部材１１０の表面に対する液浸液の表面接触角の変化（増加）及び／又は多孔質の部材１１０の孔の閉塞が起こることがある。多孔質の部材の性質が親水性から疎水性へ変化する結果、抽出器７０の性能の低下が起こることがある。例えば、普段よりも大量のガスが抽出されることがある。抽出器７０の性能が低下すると、液体が空間１１から漏れて基板表面に残ることがある。これは望ましくない。追加的に又は代替的に、基板Ｗの上面又は基板テーブルＷＴの上面に汚染物が残ることがある。そのような汚染物は液浸液に混入するので、これはやはり望ましくない。以下に、このタイプの汚染物を洗浄するいくつかの方法について説明する。
【００５４】
[0071] 微粒子汚染物は、主としてフォトレジスト及び／又はトップコート材料を含むが、その他の材料があってもよい。
【００５５】
[0072] 液浸フード又は液体閉じ込めシステム又は液体供給システム内で単相抽出器を使用する方法の別の例は、例えば、欧州特許出願公開ＥＰ１，６２８，１６３号又は米国特許出願公開ＵＳ２００６−０１５８６２７号に記載されている。大半の用途では、多孔質の部材は液体供給システムの下側にあり、基板Ｗが投影システムＰＳの下を移動できる最大速度は多孔質の部材１１０からの液体の除去の効率によって少なくとも一部が決定される。
【００５６】
[0073] 単相抽出器は、液体とガスの両方が抽出される（例えば、５０％ガス、５０％液体）２相モードでも使用することができる。単相抽出器という用語は、本明細書では１つの相を抽出する抽出器というだけでなく、より一般的に、ガス及び／又は液体が抽出される多孔質の部材を含む抽出器として解釈されることを企図している。ある実施形態では、開口に多孔質の部材を被せることなく、２相抽出を実行することができる。ある実施形態では、ガスナイフ（すなわち、ガス供給リング３３）はなくてもよい。
【００５７】
[0074] 上記の単相抽出器は、基板の上面の局所領域にのみ液体を供給する液体供給システムで使用することができる。さらに、そのような抽出器は、別のタイプの液浸装置でも使用することができる。抽出器は、水以外の液浸液に使用することができる。抽出器は、いわゆる「リーキーシール」(“leaky seal”)液体供給システムで使用することができる。そのような液体供給システムでは、液体は投影システムの最終要素と基板との間の空間に提供される。その液体は、その空間から半径方向外方に漏れることが可能である。例えば、場合によっては、液浸フード、流体閉じ込めシステム又は液体供給システムが使用され、それらは、基板又は基板テーブルの上面との間にシールを形成しない。液浸液は、「リーキーシール」装置においては、基板の半径方向外方にのみ取り出すことができる。単相抽出器に関するコメントは、例えば、多孔質の部材を有さない抽出器のような他の種類の抽出器に適用されてもよい。そのような抽出器は、液体とガスの両方を抽出するための２相抽出器として使用されてもよい。
【００５８】
[0075] リソグラフィ装置内では、１つ又は複数の表面、例えば、液浸フード及び／又は基板テーブルＷＴの表面などの液浸空間の表面の汚染物は除去しないと、時間の経過とともに堆積することがある。そのような汚染物は、トップコート微粒子の薄片及び／又はレジストの薄片からなる。薄片は、一般にフッ化ポリメタクリル酸メチル樹脂などの置換アクリルポリマーを含む。存在する汚染物を除去するために、洗浄流体を表面に供給できる。
【００５９】
[0076] ある実施形態では、リソグラフィ装置は液浸タイプのリソグラフィ装置である。ある実施形態では、流体供給システムは洗浄流体供給システムである。
【００６０】
[0077] 本発明の実施形態は、洗浄する表面に洗浄流体を提供するように構成された流体供給システムを備えるリソグラフィ装置に関する。本発明のある実施形態による洗浄流体は、２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む。
【００６１】
[0078] ある実施形態では、洗浄流体内に、水は、２５〜９８．９９重量％、例えば、５０〜８５重量％又は６５〜８０重量％、例えば、約７５％の量だけ存在する。ある実施形態では、水は清浄であり、例えば、水は超純水である。
【００６２】
[0079] ある実施形態では、洗浄流体内に、溶媒は、１〜７４．９９重量％、例えば、１５〜５０重量％又は２０〜３５重量％、例えば、約２５重量％の量で存在する。溶媒は、除去する汚染物と合理的に一致するように選択しなければならない。これは、例えば、ハンセンの理論（例えば、Hansen Solubility Parameters, Charles M. Hansen, 2nd edition, CRC Press, ISBN 0-8493-7248を参照）を用いて決定できる。通常、溶媒は、ハンセン理論を用いて、少なくとも５０％の一致を示す（すなわち、溶媒はハンセンの溶解度パラメータの球の中心付近に位置する）。また、使用する溶媒は、一般に水と完全に混合できる。ある実施形態では、溶媒は、水への１０重量％を超える溶解度を有する。ある実施形態では、溶媒は、３８℃を超える、例えば、７０℃を超える、又は９３℃を超える引火点を有する。
【００６３】
[0080] 洗浄流体で使用するグリコールエーテルは、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ジプロピレングリコールメチルエーテル（ＤＰＧＭＥ）、トリプロピレングリコールメチルエーテル（ＴＰＧＭＥ）、プロピレングリコールエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、プロピレングリコールノルマルプロピルエーテル（ＰＧＰＥ）、ジプロピレングリコールノルマルプロピルエーテル（ＤＰＧＰＥ）、プロピレングリコールノルマルブチルエーテル（ＰＧＢＥ）、ジプロピレングリコールノルマルブチルエーテル（ＤＰＧＢＥ）、トリプロピレングリコールノルマルブチルエーテル（ＴＰＧＢＥ）及びプロピレングリコールターシャリブチルエーテル（ＰＧＴＢＥ）などのプロピレングリコールエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル（ＤＥＧＭＥ）、ジエチレングリコールエチルエーテル（ＤＥＧＥＥ）、ジエチレングリコプロピルエーテル（ＤＥＧＰＥ）、エチレングリコールブチルエーテル（ＥＧＢＥ）及びジエチレングリコールブチルエーテル（ＤＥＧＢＥ）などのエチレングリコールエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）及びジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＤＰＧＭＥＡ）などのプロピレングリコールエーテルアセテート、及びエチレングリコールブチルエーテルアセテート（ＥＧＢＥＡ）及びジエチレングリコールブチルエーテルアセテート（ＤＥＧＥＡ）などのエチレングリコールエーテルアセテートを含むことができる。ある実施形態では、グリコールエーテルは、ＤＥＧＢＥ、ＤＥＧＰＥ、ＰＧＭＥ及びＤＰＧＭＥから選択できる。ある実施形態では、グリコールエーテルはＤＥＧＢＥである。
【００６４】
[0081] 洗浄流体で使用するエステルは、エステル機能性を有する化合物を含むことができる。適した化合物は、メチルラクテート、エチルラクテート、プロピルラクテート、ブチルラクテート、ガンマブチロラクテート、メチルアセテート、エチルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、ｔ−ブチルアセテート及びガンマブチロールアセテートを含む。ある実施形態では、エステルはジベーシックエステルである。ある実施形態では、エステルは、エチルラクテート又はブチロラクテートである。
【００６５】
[0082] 洗浄流体で使用するケトンは、シクロヘキサノン又はジアセトンアルコールを含むことができる。
【００６６】
[0083] 洗浄流体で使用するアルコールは、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのプロパノール、ｔ−ブチルアルコール、４−メチル−２ペンタノール及びシクロヘキサノールを含むことができる。一般に、洗浄流体内にアルコールが存在する場合、アルコールは、１〜３０重量％の量だけ使用することができる。
【００６７】
[0084] ある実施形態では、溶媒は、１種又は数種のグリコールエーテル又はエステルから選択される。一実施形態では、溶媒は、１種又は数種のグリコールエーテルから選択される。
【００６８】
[0085] ある実施形態では、溶媒は、ＤＥＧＢＥ又は乳酸エチルから選択される。ある実施形態では、溶媒は、ＤＥＧＢＥである。
【００６９】
[0086] ある実施形態では、溶媒は、ハズマットインデクスの定義１又は２に準拠する。
【００７０】
[0087] ある実施形態では、溶媒は、カルシノゲンのカリフォルニア州リストには記載されていない（State of California Environmental Protection Agency, Office of Environmental Health Hazard Assessment Safe Drinking Water and Toxic Enforcement Act of 1986 Chemicals known to the State to cause Cancer or Reproductive Toxicity、例えば、www.oehha.ca.gov/prop65/prop65_list/files/060107LST.pdf.のサイトにある２００７年６月１日付けリストを参照）。
【００７１】
[0088] ある実施形態では、溶媒は、半導体工業の安全性に関するUS National Fire Protection Association （ＮＦＰＡ）の要求事項に準拠する。ＮＦＰＡのレーティングは、通常ＭＳＤＳシートで報告される。
【００７２】
[0089] ある実施形態では、溶媒は、オゾン破壊のカリフォルニア州リストに準拠する。
【００７３】
[0090] ある実施形態では、界面活性剤は、０．０１〜５重量％、例えば、０．０１〜２重量％又は０．１〜０．５重量％、例えば、約０．３重量％の量で存在する。
【００７４】
[0091] ある実施形態では、界面活性剤は、疎水性の界面活性剤である。疎水性の界面活性剤は、一般に疎水性の汚染物を除去するのに使用される。非イオン系界面活性剤の疎水性ＰＥＯ基の割合は、疎水性を決定できる。疎水性は、界面活性剤の親水性−親油性バランス（ＨＬＢ）を測定することで定量化できる。ＨＬＢが低い界面活性剤は、より疎水性で、水滴油中型エマルジョンを形成する傾向がある。ＨＬＢが高い界面活性剤は、より親水性で、油滴水中型エマルジョンを形成する傾向がある。例えば、Ｆ６８のＨＬＢ値は２４より大きいが、Ｌ６１のＨＬＢ値は１〜７である。従って、Ｌ６１は、Ｆ６８よりもより疎水性の界面活性剤である。界面活性剤のＨＬＢ値は、界面活性剤の特性の分析によって決定される。共通の界面活性剤のＨＬＢ値は、医薬賦形剤ハンドブック第３版(Handbook of Pharmaceutical Excipients, 3rd Edition)などの適した文献に掲載されている。
【００７５】
[0092] ある実施形態では、界面活性剤は、２４より低い、望ましくは１０より低いＨＬＢ値を有する。
【００７６】
[0093] ある実施形態では、界面活性剤は、優れた湿潤性を有する。界面活性剤の湿潤性は、標準の湿潤試験、例えばＥＮ１７７２によって決定できる。ある実施形態では、湿潤性が優れた界面活性剤は、ＥＮ１７７２試験で１００秒より少ない、例えば、８０秒より少ない値を有する。
【００７７】
[0094] ある実施形態では、界面活性剤は、優れたすすぎ性を有する。界面活性剤のすすぎ性は、例えば、すすぎ水の出口での残存ＴＯＣ（総有機炭素）レベルを測定することで決定できる。ある実施形態では、すすぎ牲が優れた界面活性剤では、本発明の実施形態に従って使用する時のすすぎ水１ｍｌ当たりの有機化合物の含有率が５ｐｐｂ以下、望ましくは１ｐｐｂ以下で、及び／又は５０ｎｍ以上の寸法を有する微粒子の含有率が２微粒子以下である。そのような有機化合物の含有率及び／又は粒子の含有率は、例えば、超純粋ですすぎを３０分実行したときのすすぎ工程の最後に測定される。
【００７８】
[0095] ある実施形態では、界面活性剤は、低い発泡性を有する。界面活性剤の発泡は、例えば、ロスマイルス試験［ＡＳＴＭ Ｄ１１７３］によって決定できる。ある実施形態では、発泡性が低い界面活性剤は、ロスマイルス試験で泡の高さの値が３６．５ｃｍ未満、例えば、１５ｃｍ未満又は５ｃｍ未満である。
【００７９】
[0096] ある実施形態では、「界面活性剤」(“surfactant”)という用語は、界面活性剤の混合物を指す。ある実施形態では、界面活性剤の混合物は、界面活性剤が適した湿潤性、すすぎ性、及び発泡特性を有するように使用される。
【００８０】
[0097] ある実施形態では、界面活性剤は、１種又は数種の非イオン、陽イオン又は陰イオン界面活性剤から選択される。ある実施形態では、界面活性剤は、１種又は数種の非イオン界面活性剤から選択される。ある実施形態では、界面活性剤は、分子量が１０００〜３０００の酸化エチレン／酸化プロピレンブロック共重合体の非イオン界面活性剤を含む。そのような適した界面活性剤は、ＢＡＳＦ製のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１である。ある実施形態では、界面活性剤は、Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ製のＥｎｖｉｒｏｇｅｎ（登録商標）ＡＤ０１などの消泡湿潤剤を含む。
【００８１】
[0098] ある実施形態では、界面活性剤は、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１とＥｎｖｉｒｏｇｅｎ（登録商標）ＡＤ０１との混合物、例えば、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１が０．２重量％、Ｅｎｖｉｒｏｇｅｎ（登録商標）ＡＤ０１が０．１重量％の混合物を含む。
【００８２】
[0099] ある実施形態では、洗浄流体は、ｐＨ調整化学物質をさらに含む。ｐＨ調整は（実行する場合）、洗浄流体のｐＨが７〜１０、例えば、８〜１０又は９〜１０に確実になるように使用される。適したｐＨ調整化学物質は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、又は燐酸緩衝液などの非有機塩基を含んでいてもよい。溶液のｐＨを増やしていくと、汚染物と表面との間の接着力が低下し、その結果、洗浄がより効率的になる。しかし、リソグラフィ装置の部品、例えばレンズを損傷する可能性があるため、１０を超えてｐＨを増やすことは一般に回避すべきである。
【００８３】
[00100] ある実施形態では、洗浄流体は、化合物を含む窒素を含まない。ある実施形態では、洗浄流体は、アンモニア及びアミンを含まない。これらの化合物は、揮発アルカリ性で、フォトレジストの処理に悪影響を及ぼすことがある。
【００８４】
[00101] ある実施形態では、洗浄流体は、２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５％の界面活性剤と、任意選択として、ｐＨ調整化学物質とからなる。そのような実施形態では、そのような洗浄流体のｐＨは通常７〜１０である。
【００８５】
[00102] ある実施形態では、洗浄流体は、６５〜８０重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される２０〜３５重量％の溶媒と、０．０１〜５％の界面活性剤と、任意選択として、ｐＨ調整化学物質とからなる。
【００８６】
[00103] ある実施形態では、洗浄流体は、７４．７重量％の水と、２５重量％のＤＥＧＢＥと、０．２重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１と、０．１重量％のＥｎｖｉｒｏｇｅｎ（登録商標）ＡＤ０１とからなる。
【００８７】
[00104] ある実施形態では、洗浄流体は、８４．９重量％の水と、１５重量％のエチルラクテートと、０．１重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１とからなる。
【００８８】
[00105] 一般に、界面活性剤は、表面から汚染物を除去することで洗浄作用を及ぼす。界面活性剤は、普通、親水性の部分と疎水性の部分を含む。親水性の部分が水に向かって延在するのに対して、疎水性の部分は、有機微粒子及び／又は表面に固着することができる。界面活性剤は、疎水性の表面の湿潤を支援する、表面電荷を変化させて微粒子と表面との間に斥力を生成する、微粒子と表面との間を移動する（次に立体障害が微粒子を表面から押し出してワンデルワールス及び静電力を生成する）、及び／又は懸濁した汚染微粒子を封入し、有効に微粒子が再堆積しないようにする、以上の方法の１つ又は複数の方法で洗浄を支持することができる。
【００８９】
[00106] 溶媒は、一般に、汚染物を主として化学的溶解によって除去すると考えられる。しかし、純溶媒は、リソグラフィ装置に損傷を与えるように作用するため、その使用は不利である。本発明のある態様では、洗浄流体がリソグラフィ装置に許容できないレベルの損傷を与えないことが望ましい。通常、本発明の実施形態の洗浄流体は、装置に最小の損傷しか与えない。そのようなリソグラフィ装置で使用することができ、特に溶媒による損傷を受けやすい材料は、液浸液（通常は超純水）用の可撓ホースとして使用することができる軟質ポリウレタンホースとバイトンＯリングである。しかし、これらの材料は、すべてのリソグラフィ装置で使用されているわけではない。リソグラフィ装置がポリウレタン又はバイトン（フッ化ポリマー）を含む場合、そのような材料を損傷する作用がない溶媒を選択することが有利であろう。当業者であれば、特に洗浄流体の構成要素による損傷を受けやすい材料の存否に基づいて適した洗浄流体を選択できるだろう。例えば、溶媒は、そのような材料を損傷しないように選択される。通常の使用では、洗浄流体は、洗浄流体が接触する材料の１０％未満の重量変化、例えば、５％未満の重量変化又は１％未満の重量変化をもたらす。ある実施形態では、損傷を受けやすい材料が洗浄流体内に浸漬される２４時間、又は１２時間又は６時間実行される液浸試験で、通常、浸漬された材料の１０％未満の重量変化、例えば、５％未満の液浸材料の重量変化が観察される。そのような材料の損傷は、また目視検査又は機能特性の変化を測定することで評価できる。また、洗浄流体は、レンズのコーティングに最小限の損傷だけを与えるものでなければならない。通常、疎水性のコーティングがレンズを通る光路の外側のレンズ要素上にある。コーティングは、レンズの水／空気の界面の正確な接触角を提供するために施される。そのようなコーティングの例は、プラズマ工程によって塗布される（テフロン（登録商標）と同様に作用する）ＳｉＯｘＣｙＨｚコーティングとポリウレタンベースのコーティングである。本発明の洗浄流体は、通常、そのような材料に最小限の損傷しか与えない。例えば、コーティング／レンズの接触角は、洗浄流体の使用によって、通常、１０％未満、例えば、５％未満変化する。
【００９０】
[00107] ある実施形態では、リソグラフィ装置内にバイトンがある場合、洗浄流体内にＰＧＭＥＡが存在するならば通常２％未満の量のＰＧＭＥＡが存在する。そのような実施形態では、ＰＧＭＥＡは、通常、洗浄流体で使用されない。
【００９１】
[00108] ある実施形態では、リソグラフィ装置内にバイトンがある場合、洗浄流体内にブチルラクトンが存在するならば通常１０％未満の量のブチルラクトンが存在する。そのような実施形態では、ブチルラクトンは、通常、洗浄流体で使用されない。
【００９２】
[00109] ある実施形態では、リソグラフィ装置内にポリウレタンがある場合、洗浄流体内にＰＧＭＥＡが存在するならば通常２０％未満の量のＰＧＭＥＡが存在する。そのような実施形態では、ＰＧＭＥＡは、通常、洗浄流体で使用されない。
【００９３】
[00110] ある実施形態では、レンズコーティングがポリウレタン様のコーティングの場合、洗浄流体内にＤＧＭＥＡが存在するならば通常１５％未満の量のＤＧＭＥＡ、より典型的には、５％未満の量のＤＧＭＥＡが存在する。そのような実施形態では、ＤＧＭＥＡは、通常、洗浄流体で使用されない。
【００９４】
[00111] 本発明の洗浄流体は、水、溶媒、界面活性剤、及び任意選択として、ｐＨ調整剤の混合物からなり、効果的な汚染物除去特性を示す。本発明の実施形態のある態様では、洗浄流体は、リソグラフィ装置に最小限の損傷しか与えない。
【００９５】
[00112] 洗浄流体は、洗浄流体を表面上で流すことによって洗浄する表面に供給できる。洗浄流体のフローは、任意の所望の期間継続できるが、例えば最大３０分間、例えば最大５分間、最大１０分間、又は最大１５分間で洗浄効果を得るには十分であろう。追加的に又は代替的に、洗浄流体を表面に供給してある期間（例えば、最大１５分間、１０分間又は５分間）保持してから流すか又は排出することができる。この工程は、１回又は複数回繰り返すことができる。
【００９６】
[00113] 洗浄の後に、表面は一般に超純水ですすがれる。すすぎは、例えば、半時間、例えば、最大１５分間の期間実行することができる。すすぎは、洗浄流体をくまなく除去することを意図している。すすぎの後、システム内の汚染物のレベルは、有機化合物の含有率が５ｐｐｂ以下、望ましくは１ｐｐｂ以下、及び／又は５０ｎｍ以上の寸法を有する微粒子の含有率が、液浸液１ｍｌ当たり２微粒子以下、望ましくは液浸液１ｍｌ当たり０．５微粒子以下である。
【００９７】
[00114] 洗浄工程は、一般にインラインで実行され、装置の稼働に最小限の混乱しか与えない。全洗浄工程は、わずか１時間の最大システム停止時間で完了する。従って、洗浄は、比較的頻繁に、例えば、各バッチの終了時に、又は週に１回、又は代替的に洗浄が望まれるたびに実行することができる。頻繁な洗浄は、汚染物のレベルを常に低いレベルに保つことができるという利点を有する。所望であれば、本明細書に記載する洗浄工程を、機械的噴霧又はメガソニック洗浄技術などのオフラインの１つ又は複数のそれほど頻繁ではない洗浄工程と組み合わせて実行することができる。しかし、本明細書に記載する洗浄工程及び／又は洗浄液の使用の潜在的な利点は、そのようなオフライン洗浄方法を実行する頻度が低減でき、又はそのようなオフライン技術を完全に解消できるという点である。
【００９８】
[00115] ある実施形態では、全洗浄工程は、室温、例えば、２５℃前後で実行される。
【００９９】
[00116] 本発明の洗浄流体は、洗浄するリソグラフィ装置を損傷しないことが望ましい。しかし、いかなる損傷も発生させないため、リソグラフィ装置の特定の部品を洗浄流体から隔離することができる。これは、例えば、２００８年７月２５日出願の米国特許出願第６１／１２９，８７１号に記載された方法を用いて実行することができる。
【０１００】
[00117] ある実施形態では、損傷を防ぐため、リソグラフィ装置の特定の部品は洗浄流体から隔離されている。
【０１０１】
実施例
洗浄試験
[00118] 液浸フード（ＩＨ）の洗浄手順の間、洗浄流体は、ダンパ材料の表面を通ってＳＰＥ（単相抽出）材料を通過する。液浸フードのその他の部品に洗浄流体は届かない。この挙動を模倣するために、フローを表面に平行に向けるか又はＳＰＥ材料シートを通過させることができるフローセルが設計された。実験構成を図７に示す。
【０１０２】
[00119] ２つの代表的な汚染物は、トップコート（ＪＳＲ Ｍｉｃｒｏ製のＴＣＸ０４１）及びレジスト（ＴＯＫ製のＴＡＲＦ６２３９）である。レジスト及びトップコート材料は、電子噴霧方法を用いてサンプルに噴霧された。サンプルは、次に、フローセル内でさまざまな洗剤／溶媒の混合物を用いて洗浄された。その結果を以下の表に示す。
【表１】
【０１０３】
[00120] 上の表から、以下の結論が引き出された。
・水を用いた対照実験では微粒子の除去は見られなかった。
・トップコート洗浄実験では、洗浄後の透明な残留物が測定された。洗浄効率（除去物質）は、残留物を補正して計算された。
・ＴＡＲＦモデルの汚染物では、残留物はわずかであった。補正は計算されなかった。
・基準洗剤ＴＯＫ ＴＬＤＲ００１は、３０分の暴露時間後にトップコート（ＴＣＸ０４１）で５０〜７５％のＰＲＥ（微粒子除去効率）を示した。ＴＡＲＦ６２３９のＰＲＥは、ＳＳが３９％、ＬＰＳが４４％であった。これらの材料の差は決定精度の範囲内であった。これは、洗浄力の影響が基板の影響より優勢であることを示す。従って、ＬＰＳに対する限定された数の試験が望ましい。
・その他の市販の洗剤混合物は、ＴＬＤＲ Ａ００１と比較して向上していない。
【表２】
【０１０４】
[00121] 上の表から、以下の結論が引き出された。
・最良のＰＲＥが５０％ＵＰＷを含む溶液に５０％ＤＥＧＢＥを入れて３０分間暴露した結果得られた。ＰＲＥは、ダンパ材料とＳＰＥ材料共に、トップコート（ＴＣＸ０４１）及びレジスト（ＴａｒＦ６２３９）で１００％であった。残留物は観察されなかった。
・より低い濃度２５％でＤＥＧＢＥも試験した。最良の結果の界面活性剤混合物は、０．２％のＰｌｕｒｏｎｉｃ界面活性剤と、０．１％のＥｎｖｉｒｏｇｅｍ ＡＤ０１とを含む。
・ＴａｒＦ６２３９の低いＰＲＥのために、溶媒ＧＢＬは望ましかった。
・エチルラクテート（ＥＬ）では、比較的大量の残留物が見つかった。これは溶媒が原因と考えられ、ｐＨを７〜１０に増やすことで除去できた。
結論として、以下の洗浄混合物は、（潜在的に）最良の溶媒洗浄結果を示す。１）ＤＥＧＢＥ２５％０．２％Ｌ６１＋ＡＤ０１及び２）１５％エチルラクテート＋０．１％Ｌ６１。洗浄混合物は、より高いｐＨとより高い洗浄力を備えた界面活性剤混合物を用いて改良できる。
【０１０５】
[00122] 洗浄及びすすぎシーケンスを調整して残留物を低減させる／解消することができる。洗浄及びすすぎシーケンスで除去できないほどこびりついた残留物は、装置の動作に悪影響を与えないこともある。
【０１０６】
損傷試験
[00123] 本発明の洗浄流体の場合、流体によってリソグラフィ装置に加えられる損傷を制限することが望ましい。そのような装置で使用することができる最も損傷しやすい２つの材料は、軟質ポリウレタン（ＰＵＲ）ホース、及び例えばＯリングの製造に用いるフルオロエラストマーであるバイトンである。さまざまな濃度の溶媒を用いてこれらの材料について２４時間液浸試験を実行した。一般に、洗浄のための接触時間は約３０分である。それ故、２４時間液浸試験は、ワーストケースシナリオを表す。
【０１０７】
[00124] 結果を図８Ａ及び図８Ｂに示す。
【０１０８】
[00125] これらの実験から、以下の結論が可能である。
・２４時間液浸試験での損傷を受けやすい材料が使用するにはあまりにもアグレッシブである場合、１０％を超える重量増加を示した溶媒（混合物）。ＤＭＳＯでは、希釈した濃度でもこれが観察された。
・４−メチル−２−ペンタノールのような比較的弱い溶媒は、１０％に近い重量変化を示した。一般に他の高濃度溶媒（４−メチル−２−ペンタノールより高濃度）は、水を添加せずに使用することができないと考えられる。それ故、洗浄流体内の適当な水の濃度が決定された。
【０１０９】
[00126] 軟質ＰＵＲチューブ及びバイトンに関し、２４時間吸収及び脱着曲線も決定された。その結果を図９Ａ及び図９Ｂに示す。さらに、洗浄流体の接触時間は、一般に約３０分であるため、２４時間曲線はワーストケースシナリオを表す。
【０１１０】
[00127] レンズ下部のＴＯＣレベルでは、レンズの上流の材料が重要である。暴露領域と脱着速度（毎時ｍｇ／ｃｍ２）の組合せを用いて洗浄後の実際のｐｐｂレベル（脱着のみに起因する）の予想をすることができる。これを以下の表に示す。
【表３】
【０１１１】
[00128] これらの結果から、以下の結論が出た。
・材料の吸収がこの方法の使用された検出限度を下回るため（重量変化＜０．００１％／時）、ＰＦＡチューブの影響は予想できなかった。しかし、供給ラインは、一般にＰＦＡチューブを２５メート以上（約２５００ｃｍ２）含む。従って、低い脱着速度でもＴＯＣレベルに影響がある。
・バイトンは、供給ライン内の損傷を受けやすい（脱着値が比較的大きい）材料であるが、表面領域が制限され（＜１ｃｍ２）、従って、ＴＯＣレベルにとって重要性が低い。
・Ｆｌｕｒａｎホースは中間脱着速度を示す。これは、ＴＯＣレベルの重要な決定因子である。
・ＰＵＲチューブは、一般に液浸フードの出口に装着されているため、レンズ下のＵＰＷには影響しない。排水のＴＯＣレベルには影響する。普通、排水のＴＯＣレベルの要件は、重要度が低いが、排水の廃棄の地方法令によって変わる。
【０１１２】
脱着による洗浄後のＴＯＣレベルの測定
[00129] すすぎ実験で、２５ｍのＰＦＡと１ｍのＦｌｕｒａｎチューブが以下の洗浄流体にさらされた。０．２％のＬ６１と、０．１％のＡＤ０１とを含む２５％のＤＥＧＢＥ。３０分間の暴露の後で、チューブは空にされ、Ｓｉｅｖｅｒｓ ｐｐｔ ＴＯＣモニタに接続された。
【０１１３】
[00130] 試験の検出限度を高めるため、ＵＰＷフローは、０．２ｌ／ｍという低い値に抑えられていた。こうして、少量の脱着した有機物が存在し、より高い濃度が予想される。標準の条件下では、ＵＰＷ供給ラインの流速は、約１．５リットル／分である。チューブ長は、実際の値（ＰＦＡが２５ｍ）になるように選択され、Ｆｌｕｒａｎでは延長され（０．２ｍでなく１ｍ）、検出限度は高くなった。
【０１１４】
[00131] 全測定ＴＯＣレベルは、１．５リットル／分の流速とチューブの実際の長さに合わせて補正された。その結果を図１０に示す。
【０１１５】
[00132] この結果から、以下の結論が引き出される。
・基準混合物の濃度は、３０分後のＴＯＣレベルが７〜１０ｐｐｂであることを示す（ＰＦＡホースの場合）。
・ＰＦＡ試験ホースの完全なすすぎ（ＴＯＣ＜１ｐｐｂ）には、約３時間かかる。
・２５％のＤＥＧＢＥ混合物は、３０分のすすぎ後に２〜３ｐｐｂのレベルを示す。
・すすぎで＜１ｐｐｂのレベルに達するのに１．５時間かかる。この値は、ＴＯＫ ＴＬＤＲ Ａ００１基準混合物と比較して優れている。
・Ｆｌｕｒａｎホース（０．２５時間後に、＜１ｐｐｂ）は、洗浄後のＴＯＣレベルに限定的な影響を与える。
【０１１６】
[00133] 実際の条件下の全ＴＯＣレベルも、リンス工程に大幅な影響を与える以下に述べる因子に依存する。
・供給ライン、ＩＬＣＣ及びＩＨの３次元設計の影響：Ｏリング、弁など。
・洗浄流体（表面張力が小さい）と表面張力が大きいＵＰＷとの間の湿潤表面領域の差。
・供給ラインを空にする可能性（ウェットトウドライサイクル(wet to dry cycle)）。これは、化学物質のすすぎの効率を高める。
【０１１７】
チューブの機械的損傷の測定
[00134] Ｆｌｕｒａｎ（入力側）及び軟質ＰＵＲホース（出力側）の機械的特性が溶媒の吸収によって変化するか否かを決定するために、液浸試験を実行した。１時間及び２４時間の液浸の後、チューブの重量増加とせん断弾性係数が測定された。試験の結果を下記の表に示す。
【表４】
【０１１８】
[00135] せん断弾性係数Ｇ’と弾性係数Ｅとの関係が以下の式で与えられる（Ｇ−係数の変化は、Ｅ−係数の変化に直接正比例することを意味する）。
【数１】
【０１１９】
[00136] 上の表から以下の結論となった。
・Ｆｌｕｒａｎ Ｇ−係数の変化は、２４時間のワーストケースで１０％未満である。
・バイトンＧ−係数の変化は、２４時間のワーストケースで３０％である。
短い暴露（３０分）だとごく小さい変化しか生じないと予想される。
【０１２０】
レンズコーティングの試験
[00137] 化学式ＳｉＯｘＣｙＨｚのポリウレタン様のコーティングとシリコーン様のコーティングのコーティングを有する試験サンプルが２５％ＤＥＧＢＥ混合物洗浄流体内に２４時間又はＵＰＷ内に２４時間浸漬された。サンプルは、光学顕微鏡検査法及びＳＥＭを用いて評価され、未浸漬状態のサンプルと比較された。
【０１２１】
[00138] 以下の側面シールコーティングサンプルが試験された。
・石英上のポリウレタン様の側面シールコーティング。
・石英上のシリコーン様の／Ｔａ２Ｏ５コーティング。
撮影されたＳＥＭ画像を図１１に示す。
【０１２２】
[00139] ポリウレタン様のコーティングサンプルは、薄い曇ったコーティングで部分的に覆われていた。サンプル上のいくつかの場所は、ひび割れたＴｉＯ２の下塗りと厚さが均等でない粘着性の（コーティング）材料とを示した。
【０１２３】
[00140] ＳＥＭの写真は、コーティングの粘着性の大きな変化を示した。コーティングの一部ははがれ始めている。以下の結論が得られた。
・ＤＥＧＢＥを用いた２４時間液浸試験の後、コーティングの劣化が示された。しかし、この試験はワーストケースシナリオである。また、劣化は、一部は試験したサンプルの品質による可能性がある。
【０１２４】
[00141] シリコーンコート材料は、均質にコーティングされた直径が２５ｍｍの石英基板の片側から構成された。コーティングの構造の変化は、ＳＥＭの液浸の前後にＳＥＭを測定することで検出された。
・ＤＥＧＢＥ溶液のシリコーンコートに与える影響は検出されなかった。従って、２４時間ＤＥＧＢＥ試験は省略された。
【０１２５】
[00142] ある態様では、洗浄する表面に洗浄流体を提供するように構成された流体供給システムを備えるリソグラフィ装置であって、洗浄流体が２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む、リソグラフィ装置が提供される。任意選択として、界面活性剤は、疎水性の界面活性剤である。任意選択として、洗浄流体中に水は、５０〜８５重量％の量で存在する。任意選択として、洗浄流体中に水は、６５〜８０重量％の量で存在する。任意選択として、洗浄流体中に溶媒は、１５〜５０重量％の量で存在する。任意選択として、洗浄流体中に溶媒は、２０〜３５重量％の量で存在する。任意選択として、溶媒は、１種又は数種のグリコールエーテル又はエステルから選択される。任意選択として、溶媒は、ＤＥＧＢＥである。任意選択として、界面活性剤は、０．０１〜２重量％の量で存在する。任意選択として、界面活性剤は、１種又は数種の非イオン界面活性剤から選択される。任意選択として、界面活性剤は、分子量が１０００〜３０００の酸化エチレン／酸化プロピレンブロック共重合体を含む非イオン界面活性剤を含む。任意選択として、洗浄流体は、６５〜７９．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される２０〜３４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤と、任意選択として、ｐＨ調整化学物質とを含む。任意選択として、洗浄流体は、ｐＨ調整化学物質をさらに含む。任意選択として、洗浄流体のｐＨは７〜１０である。任意選択として、洗浄流体のｐＨは８〜１０である。任意選択として、洗浄流体のｐＨは９〜１０である。任意選択として、洗浄流体は、基本的に７４．７重量％の水と、２５重量％のＤＥＧＢＥと、０．２重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１と、０．１重量％のＥｎｖｉｒｏｇｅｍ（登録商標）ＡＤ０１とからなる。任意選択として、洗浄流体は、基本的に８４．９重量％の水と、１５重量％のエチルラクテートと、０．１重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１とからなる。任意選択として、リソグラフィ装置は、液浸タイプのリソグラフィ装置である。任意選択として、流体供給システムは、洗浄流体供給システムである。
【０１２６】
[00143] ある態様では、リソグラフィ装置内の表面を洗浄する方法であって、洗浄する表面に洗浄流体を供給するステップを含み、洗浄流体が２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む、方法が提供される。任意選択として、洗浄流体は上記の通りである。
【０１２７】
[00144] ある態様では、リソグラフィ装置を洗浄する上記の洗浄流体の使用法が提供される。
【０１２８】
[00145] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１２９】
[00146] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明はその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、文脈によっては、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内の微細構成(topography)が基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスの微細構成は、基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスは、レジストから取り除かれ、レジストが硬化すると内部にパターンが残される。
【０１３０】
[00147] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【０１３１】
[00148] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【０１３２】
[00149] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【０１３３】
[00150] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を改修できることが当業者には明白である。
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本発明は、リソグラフィ装置とリソグラフィ装置内の汚染物を除去する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003] 例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体にリソグラフィ投影装置内の基板を浸漬させて投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、その他の液体も使用することができる。液体に関して本発明のある実施形態について説明する。しかし、別の流体、特に湿潤流体、非圧縮性流体、及び／又は空気より屈折率が大きい流体、望ましくは水より屈折率が大きい流体が適している。ガスを除く流体が特に望ましい。このポイントは、液体内の方が露光放射の波長が短いためより小さいフィーチャの結像が可能であるということである。（また、液体の効果はシステムの実効開口数（ＮＡ）と焦点深度を増加させることである。）固体微粒子（例えば、石英）を内部に懸濁させた水、又はナノ微粒子（最大１０ｎｍの寸法の微粒子）の懸濁液を含むその他の液浸液も提案されている。懸濁微粒子は、それを懸濁させる液体と屈折率が類似していても、類似していなくても又は同じであってもよい。適している他の液体は、芳香族炭化水素、フッ化炭化水素などの炭化水素及び／又は水溶液等である。
【０００４】
[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005] 液浸装置内では、液浸液は、流体ハンドリングシステム又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給でき、従って、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体を閉じ込めることができ、従って、流体閉じ込めシステムである。閉じ込められた流体が液体の場合、流体閉じ込めシステムは液体閉じ込め構造を有する。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体へのバリアを提供でき、従って、バリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは流体（ガスなどの）のフローを生成又は使用して、例えば、非接触ガスシールとして液体を閉じ込めるといった液体ハンドリングを助けることができる。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用されてもよい。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングである。提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に出口を持つ４組の入口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。液体フローの方向は、図２及び図３の矢印で示されていることに留意されたい。
【０００６】
[0006] 局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組み合わせの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組み合わせの入口及び出口は動作しない）。液体フロー及び基板Ｗの方向は、図４の矢印で示されていることに留意されたい。
【０００７】
[0007] 提案されている別の構成は、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め部材を液体供給システムに設ける。このような構成が図５に図示されている。液体閉じ込め部材は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。液体閉じ込め構造と基板の表面の間にシールが形成される。実施形態では、シールは液体閉じ込め構造と基板の表面の間に形成され、ガスシールなどの非接触シールとすることができる。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示され、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
【０００８】
[0008] それぞれが参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備える。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、１つのテーブルのみを有する。
【０００９】
[0009] ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、実質的に基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を提供する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／１１９８０９号に記載されている。全ての位置で基板Ｗを覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。
【００１０】
[0010] リソグラフィマシンで遭遇する可能性のある１つの問題は、システム内及び基板表面の汚染微粒子の発生である。システム内に微粒子があることで、例えば、微粒子が投影システムと露光中の基板との間にある場合、露光工程で障害が発生することがある。汚染は、例えば、流体封じ込めシステムの性能に有害な影響を及ぼすことがある。従って、汚染微粒子の存在を低減させることが望ましい。それ故、リソグラフィマシン内の洗浄システムが望ましい。洗浄流体によっては、レンズ及びその他の光学コーティングと不適合であるため、洗浄には問題がある。
【００１１】
[0011] 従来、リソグラフィ装置内の表面の洗浄は、超純水（ＵＰＷ）、ＴＬＤＲ−Ａ０００１などの洗剤、又は過酸化水素などの物質を用いて行われてきた。しかし、これらの薬剤は必ずしも所望の程度まで効果的に洗浄するとは限らない。本発明の実施形態は、リソグラフィ装置の表面を効果的に洗浄できる洗浄流体を提供する。
【発明の概要】
【００１２】
[0012] リソグラフィ装置内の表面を洗浄するシステムを提供することが望ましい。
【００１３】
[0013] 本発明のある態様によれば、洗浄する表面に洗浄流体を提供するように構成された流体供給システムを備えるリソグラフィ装置が提供される。洗浄流体は、２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む。
【００１４】
[0014] 本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置内の表面を洗浄する方法が提供される。この方法は、洗浄する表面に洗浄流体を供給するステップを含む。洗浄流体は、２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む。
【００１５】
[0015] 本発明のある態様によれば、リソグラフィ装置を洗浄する洗浄流体の使用法が提供される。
【００１６】
[0016] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の図面を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】[0017]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムとしての流体ハンドリング構造を示す図である。
【図３】[0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムとしての流体ハンドリング構造を示す図である。
【図４】[0019]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。
【図５】[0020]本発明のある実施形態で液体供給システムとして使用することができるバリア部材の断面図である。
【図６】[0021]本発明のある実施形態で使用することができる別のバリア部材の断面図である。
【図７】[0022]液浸フード内のストリーム挙動を模倣するための実験構成を示す図である。
【図８Ａ】[0023]さまざまな溶媒内に２４時間液浸した後の軟質ポリウレタン（ＰＵＲ）チューブの重量変化を示すグラフである。
【図８Ｂ】[0024]さまざまな溶媒内に２４時間液浸した後のバイトンＯリングの重量変化を示すグラフである。
【図９Ａ】[0025]さまざまな溶媒にさらされた軟質ポリウレタンの経時的な吸収及び脱着を示す図である。
【図９Ｂ】[0026]さまざまな溶媒にさらされたバイトンの経時的な吸収及び脱着を示す図である。
【図１０】[0027]洗浄流体にさらされその後すすぎ処理されたＰＦＡ及びＦｌｕｒａｎチューブのＴＯＣレベルを示す図である。
【図１１】[0028]各種レンズコーティングの以下のＳＥＭ顕微鏡写真を示す図である。実験開始時のポリウレタンベースのコーティング（上段左）、ＵＰＷにさらしたポリウレタンベースのコーティング（中段左）、ＤＥＧＢＥにさらしたポリウレタンベースのコーティング（下段左）、実験開始時のＳｉＯｘＣｙＨｚコーティング（上段右）、ＵＰＷにさらしたＳｉＯｘＣｙＨｚコーティング（中段右）、ＤＥＧＢＥにさらしたＳｉＯｘＣｙＨｚコーティング（下段右）。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0029] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
[0030]− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0031]− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0032]− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0033]− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１９】
[0036] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２０】
[0037] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２１】
[0038] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２２】
[0039] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２３】
[0040] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２４】
[0041] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２５】
[0042] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２６】
[0043] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２７】
[0044] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＭを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２８】
[0045] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過し、これは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２９】
[0046] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３０】
[0047] ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３１】
[0048] スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３２】
[0049] 別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３３】
[0050] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３４】
[0051] 投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する装置は、いわゆる局所液浸システムである。このシステムでは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体ハンドリングシステム（図１にＩＨで表される）が使用される。液体によって充填される空間は、基板の上面より平面視で小さく、液体によって充填される領域は、その領域の下を基板Ｗが移動している間、投影システムＰＳに対して実質的に静止している、図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所化された液体供給システムが示されている。図２〜図４に開示する液体供給システムについては上に説明した。
【００３５】
[0052] 図５は、バリア部材１２を備えた局所液体供給システムの概略図を示す。バリア部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）バリア部材１２は投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、バリア部材と基板Ｗの表面との間には封止が形成される。封止は流体封止などの非接触封止でよく、望ましくはガスシールである。
【００３６】
[0053] バリア部材１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間内に閉じ込められるように、基板Ｗへの非接触封止１６を投影システムのイメージフィールドの周囲に形成できる。空間は、投影システムＰＳの最終要素の下方に位置し、それを取り囲むバリア部材１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムの下方の空間、さらに液体入口１３を通してバリア部材１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去できる。バリア部材１２は、投影システムの最終要素から上に少し延在させることができる。液体のバッファが提供されるように液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、バリア部材１２は、上端で投影システム又はその最終要素の形状にぴったりと一致する例えば円形の内周を有する。底部で、内周はイメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。
【００３７】
[0054] ある実施形態では、液体は、使用時にバリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ２又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール内のガスは入口１５を介してバリア部材１２と基板Ｗとの間の空隙に加圧下で提供される。ガスは、出口１４を介して取り出される。液体を内側に閉じ込める高速のガスフロー１６が存在するように、ガス入口１５上の過剰圧力、出口１４上の真空レベル及び空隙の幾何構造が配置される。バリア部材１２と基板Ｗとの間の液体上のガスの力で液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的又は不連続的であってよい。ガスフロー１６の流れは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムが米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００３８】
[0055] その他の構成も可能であり、以下の説明から明らかになるように、本発明の実施形態は、液体供給システムとして任意のタイプの局所液体供給システムを使用することができる。
【００３９】
[0056] １つ又は複数の局所液体供給システムは、液体供給システムの一部と基板Ｗとの間を封止する。封止は、液体供給システムの一部と基板Ｗとの間の液体のメニスカスによって画定できる。液体供給システムの一部と基板Ｗとの相対的な動きによって封止、例えばメニスカスが破壊され、液体の漏れが生じることがある。高いスキャン速度で問題はより顕著になり得る。増大したスキャン速度はスループットの向上の故に望ましい。
【００４０】
[0057] 図６は、液体供給システムの一部であるバリア部材１２を示す。バリア部材１２は、バリア部材（封止部材と呼ばれることもある）が、例えば、全体として実質的に環状になるように、投影システムＰＳの最終要素の周囲（例えば、円周）を囲んで延在する。投影システムＰＳは円形でなくてもよく、バリア部材１２の外縁も円形でなくてもよく、従って、バリア部材はリング状である必要はない。投影ビームが投影システムＰＳの最終要素から外に出るための開口を有している限り、バリアは他の形状であってもよい。開口は中央にあってもよい。従って、露光の間、投影ビームは、バリア部材の開口内に封じ込められた液体を通過して基板Ｗに達することができる。バリア部材１２は、例えば、実質的に矩形であってもよく、バリア部材１２の高さの位置の投影システムＰＳの最終要素と必ずしも同じ形状でなくてもよい。
【００４１】
[0058] バリア部材１２の機能は、投影ビームが液体を通過できるように、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間に液体を少なくとも部分的に保持するか又は封じ込めることである。液体の液面は、バリア部材１２があることだけで封じ込められている。空間内の液面は、液体がバリア部材１２の上面からあふれないように維持されている。
【００４２】
[0059] 液浸液は、バリア部材１２によって空間１１に提供される（従って、バリア部材は流体ハンドリング構造と考えられる）。液浸液の通路又は流路は、バリア部材１２を通過する。流路の一部は、チャンバ２６によって構成される。チャンバ２６は、２つの側壁２８、２２を有する。液体は、第１の側壁２８を通過してチャンバ２６に流れ込み、次に第２の側壁２２を通過して空間１１に流れ込む。複数の出口２０が液体を空間１１に提供する。液体は、板２８、２２の貫通穴２９、２０を通過して空間１１に侵入する。貫通穴２０、２９の場所は任意でよい。
【００４３】
[0060] バリア部材１２の底部と基板Ｗとの間に封止が提供される（この機能はバリア部材が流体ハンドリング構造でもあることを示す）。図６で、封止デバイスは無接触シールを提供するように構成され、いくつかのコンポーネントからできている。投影システムＰＳの光軸から半径方向外方に、空間内に（投影ビームの経路には達しないが）延在する（オプションの）フロー板５０が提供され、出口２０を出て空間を通過する液浸液の実質的に平行の流れを維持するのを助ける。フロー制御板は、バリア部材１２の光軸の投影システムＰＳ及び／又は基板Ｗに対する方向の動きへの抵抗を低減させる貫通穴５５を有する。フロー制御板は、投影システムのＰＳ及び／又は基板Ｗに対するバリア部材１２の光軸の方向の動きへの抵抗を低減させる貫通穴を備える。
【００４４】
[0061] バリア部材１２の底面のフロー制御板５０から半径方向外方に入口１８０がある。入口１８０は、基板へ向かう方向に液体を提供できる。結像の間、これは、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の空隙を液体で充填することで液浸液内の気泡の形成を防止する役に立つ。
【００４５】
[0062] 入口１８０から半径方向外方に、バリア部材１２ならびに基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間から液体を抽出する抽出器アセンブリ７０がある。抽出器７０は、以下に詳述するが、バリア部材１２と基板Ｗとの間に形成された非接触封止の一部を形成する。抽出器は、単相又は２相抽出器として動作できる。
【００４６】
[0063] 抽出器アセンブリ７０から半径方向外方に凹部８０がある。凹部は、入口８２を通して大気に接続されている。凹部は、出口８４を通して低圧力源に接続されている。入口８２は、出口８４に対して半径方向外方に位置していてよい。凹部８０から半径方向外方にガスナイフ９０がある。抽出器、凹部及びガスナイフの一構成が、米国特許出願公開第ＵＳ２００６／０１５８６２７号に詳細に開示されている。しかし、この文書では抽出器アセンブリの構成は異なる。
【００４７】
[0064] 抽出器アセンブリ７０は、米国特許出願公開第ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示された抽出器アセンブリのような液体除去デバイス又は抽出器又は入口を備える。その内容は、参照により全体を本明細書に組み込むものとする。任意のタイプの液体抽出器を使用することができる。ある実施形態では、液体除去デバイス７０は、単一液相の液体抽出を可能にするためにガスから液体を分離するための多孔質の材料１１０で覆われた入口を備える。多孔質の材料１１０の下流にあるチャンバ１２０は、わずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で満たされている。チャンバ１２０内の加圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスが液体除去デバイス７０のチャンバ１２０内に引き込まれることが防止される程度の大きさである。しかし、多孔質の表面１１０が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体は液体除去デバイス１００のチャンバ１２０内に自由に流入できる。多孔質の表面１１０は、バリア部材１２に沿って（また空間の周囲に）半径方向に内方に延在する。多孔質の表面１１０を通る抽出速度は、多孔質の材料１１０のうちどの程度が液体によって覆われているかによって変わる。
【００４８】
[0065] 多孔質の材料１１０は、各々が例えば５〜５０μｍの範囲の直径ｄｈｏｌｅなどの幅のような寸法を備えた多数の小さい孔を有する。多孔質の材料は、液体を除去する表面、例えば、基板Ｗの表面上の５０〜３００μｍの範囲の高さに維持できる。ある実施形態では、多孔質の材料１１０は、少なくともわずかに親液体性であり、すなわち、水などの液浸液に対して９０°未満、望ましくは８５°未満、又は望ましくは８０°未満の接触角を有する。
【００４９】
[0066] ガスが液体除去デバイス内に引き込まれることを防止することは常に可能ではないかもしれないが、多孔質の材料１１０は、振動を引き起こす可能性がある大量の不均一なフローを防止する。電気鋳造、フォトエッチング、及び／又はレーザカッティングで形成されるマイクロふるいを多孔質の材料１１０として使用することができる。適したふるいは、オランダ、EerbeekのStork Veco B.V.製である。孔のサイズが使用時に受ける差圧をメニスカスに与えるのに適している限り、その他の多孔質の板又は多孔質の材料の中実のブロックも使用することができる。
【００５０】
[0067] 基板Ｗのスキャン中（その間、基板はバリア部材１２と投影システムＰＳの下で移動する）、基板Ｗとバリア部材１２との間に延在するメニスカス１１５は、移動する基板によって印加される抗力によって光軸に向かって、又は光軸と逆方向に引かれる。その結果、液体が失われ、液体は蒸発し、基板は冷却され、その結果、上記の収縮及びオーバレイエラーが発生する。液滴とレジストの光化学との相互作用によって液体の汚れが追加的に又は代替的に残されることがある。
【００５１】
[0068] 図６には具体的には示されていないが、液体供給システムは、液面の変動を処理する構成を有する。これは、投影システムＰＳとバリア部材１２との間に滞留する液体が処理され、こぼれないためである。そのような液体の滞留は、下記のバリア部材１２と投影システムＰＳとの間の相対的な動きの最中に発生することがある。この液体を処理する１つの方法は、極めて大きいために、バリア部材１２と投影システムＰＳとの間の相対的な動きの間にバリア部材１２の周辺部（例えば、周縁）でほとんど圧力勾配がないようなバリア部材１２を提供することである。代替又は追加の構成では、例えば、抽出器７０のような単相抽出器などの抽出器を用いてバリア部材１２の最上部から液体を除去することができる。代替又は追加のフィーチャは、疎液性又は疎水性コーティングである。このコーティングは、開口を取り囲むバリア部材１２の最上部の周囲及び／又は投影システムＰＳの最終光学要素の周囲にバンドを形成することがある。コーティングは、投影システムの光軸の半径方向外側であってよい。疎液性又は疎水性コーティングは、液浸液を空間内に保持するのを助ける。
【００５２】
[0069] 例えば、各々が基板を搬送する２つの基板テーブル又はステージが提供された装置では、投影システムの下の基板テーブルの投影システムの下の別の基板テーブルとの交換は困難である。これは、液体供給システムからの液体がテーブルの交換の前に除去されると、投影システムの最終要素上に乾燥汚染が発生することがあるからである。この問題の提案されている考えられる解決策は、基板テーブルの交換中に投影システムの下に配置可能なダミー基板などのシャッター部材を提供することである。こうして、液体供給システムは、基板の交換中に稼働状態を保ち、乾燥汚染も形成されない。そのようなダミー基板は、例えば、欧州特許出願公開第ＥＰ−１，４２０，２９９号に記載されている。別の形態のシャッター部材では、第２の基板テーブルが第１の基板テーブルに近付けられる。２つの基板テーブルは、投影システムの下で同時に移動する。２つの基板テーブル間の空隙が小さい（又は少なくともその下にドレンを有する）場合、液体の損失は最小限になるはずである。場合によっては、基板テーブルＷＴは、橋の形態のように回転可能又は引き込み式の突起によって上面が延在する。橋は、シャッター部材と考えられる。そのような構成が米国特許出願公開第ＵＳ２００７−０２１６８８１号に記載されている。このシャッター部材の形態の変形例では、第２のテーブルは、第２の基板テーブルではなく、その表面が基板交換時にシャッター部材として機能する。そのようなテーブルは測定に使用することができ、測定テーブルと呼ぶことができる。第１又は第２の基板テーブルは、基板が例えば露光に利用可能になると、投影システムの下に戻される。投影システムＰＳを例えば基板テーブル上の基板の交換中に液体と接触させておくために、シャッター部材を、追加的に又は代替的に、単一の基板テーブル装置で使用することができることを理解されたい。
【００５３】
[0070] 図５及び図６に示すような液体ハンドリングシステムの課題は、液浸システム、特にバリア部材１２の下の液浸システムは、汚染される可能性があるということである。その結果、多孔質の部材１１０の表面に対する液浸液の表面接触角の変化（増加）及び／又は多孔質の部材１１０の孔の閉塞が起こることがある。多孔質の部材の性質が親水性から疎水性へ変化する結果、抽出器７０の性能の低下が起こることがある。例えば、普段よりも大量のガスが抽出されることがある。抽出器７０の性能が低下すると、液体が空間１１から漏れて基板表面に残ることがある。これは望ましくない。追加的に又は代替的に、基板Ｗの上面又は基板テーブルＷＴの上面に汚染物が残ることがある。そのような汚染物は液浸液に混入するので、これはやはり望ましくない。以下に、このタイプの汚染物を洗浄するいくつかの方法について説明する。
【００５４】
[0071] 微粒子汚染物は、主としてフォトレジスト及び／又はトップコート材料を含むが、その他の材料があってもよい。
【００５５】
[0072] 液浸フード又は液体閉じ込めシステム又は液体供給システム内で単相抽出器を使用する方法の別の例は、例えば、欧州特許出願公開ＥＰ１，６２８，１６３号又は米国特許出願公開ＵＳ２００６−０１５８６２７号に記載されている。大半の用途では、多孔質の部材は液体供給システムの下側にあり、基板Ｗが投影システムＰＳの下を移動できる最大速度は多孔質の部材１１０からの液体の除去の効率によって少なくとも一部が決定される。
【００５６】
[0073] 単相抽出器は、液体とガスの両方が抽出される（例えば、５０％ガス、５０％液体）２相モードでも使用することができる。単相抽出器という用語は、本明細書では１つの相を抽出する抽出器というだけでなく、より一般的に、ガス及び／又は液体が抽出される多孔質の部材を含む抽出器として解釈されることを企図している。ある実施形態では、開口に多孔質の部材を被せることなく、２相抽出を実行することができる。ある実施形態では、ガスナイフ（すなわち、ガス供給リング３３）はなくてもよい。
【００５７】
[0074] 上記の単相抽出器は、基板の上面の局所領域にのみ液体を供給する液体供給システムで使用することができる。さらに、そのような抽出器は、別のタイプの液浸装置でも使用することができる。抽出器は、水以外の液浸液に使用することができる。抽出器は、いわゆる「リーキーシール」(“leaky seal”)液体供給システムで使用することができる。そのような液体供給システムでは、液体は投影システムの最終要素と基板との間の空間に提供される。その液体は、その空間から半径方向外方に漏れることが可能である。例えば、場合によっては、液浸フード、流体閉じ込めシステム又は液体供給システムが使用され、それらは、基板又は基板テーブルの上面との間にシールを形成しない。液浸液は、「リーキーシール」装置においては、基板の半径方向外方にのみ取り出すことができる。単相抽出器に関するコメントは、例えば、多孔質の部材を有さない抽出器のような他の種類の抽出器に適用されてもよい。そのような抽出器は、液体とガスの両方を抽出するための２相抽出器として使用されてもよい。
【００５８】
[0075] リソグラフィ装置内では、１つ又は複数の表面、例えば、液浸フード及び／又は基板テーブルＷＴの表面などの液浸空間の表面の汚染物は除去しないと、時間の経過とともに堆積することがある。そのような汚染物は、トップコート微粒子の薄片及び／又はレジストの薄片からなる。薄片は、一般にフッ化ポリメタクリル酸メチル樹脂などの置換アクリルポリマーを含む。存在する汚染物を除去するために、洗浄流体を表面に供給できる。
【００５９】
[0076] ある実施形態では、リソグラフィ装置は液浸タイプのリソグラフィ装置である。ある実施形態では、流体供給システムは洗浄流体供給システムである。
【００６０】
[0077] 本発明の実施形態は、洗浄する表面に洗浄流体を提供するように構成された流体供給システムを備えるリソグラフィ装置に関する。本発明のある実施形態による洗浄流体は、２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む。
【００６１】
[0078] ある実施形態では、洗浄流体内に、水は、２５〜９８．９９重量％、例えば、５０〜８５重量％又は６５〜８０重量％、例えば、約７５％の量だけ存在する。ある実施形態では、水は清浄であり、例えば、水は超純水である。
【００６２】
[0079] ある実施形態では、洗浄流体内に、溶媒は、１〜７４．９９重量％、例えば、１５〜５０重量％又は２０〜３５重量％、例えば、約２５重量％の量で存在する。溶媒は、除去する汚染物と合理的に一致するように選択しなければならない。これは、例えば、ハンセンの理論（例えば、Hansen Solubility Parameters, Charles M. Hansen, 2nd edition, CRC Press, ISBN 0-8493-7248を参照）を用いて決定できる。通常、溶媒は、ハンセン理論を用いて、少なくとも５０％の一致を示す（すなわち、溶媒はハンセンの溶解度パラメータの球の中心付近に位置する）。また、使用する溶媒は、一般に水と完全に混合できる。ある実施形態では、溶媒は、水への１０重量％を超える溶解度を有する。ある実施形態では、溶媒は、３８℃を超える、例えば、７０℃を超える、又は９３℃を超える引火点を有する。
【００６３】
[0080] 洗浄流体で使用するグリコールエーテルは、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ジプロピレングリコールメチルエーテル（ＤＰＧＭＥ）、トリプロピレングリコールメチルエーテル（ＴＰＧＭＥ）、プロピレングリコールエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、プロピレングリコールノルマルプロピルエーテル（ＰＧＰＥ）、ジプロピレングリコールノルマルプロピルエーテル（ＤＰＧＰＥ）、プロピレングリコールノルマルブチルエーテル（ＰＧＢＥ）、ジプロピレングリコールノルマルブチルエーテル（ＤＰＧＢＥ）、トリプロピレングリコールノルマルブチルエーテル（ＴＰＧＢＥ）及びプロピレングリコールターシャリブチルエーテル（ＰＧＴＢＥ）などのプロピレングリコールエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル（ＤＥＧＭＥ）、ジエチレングリコールエチルエーテル（ＤＥＧＥＥ）、ジエチレングリコプロピルエーテル（ＤＥＧＰＥ）、エチレングリコールブチルエーテル（ＥＧＢＥ）及びジエチレングリコールブチルエーテル（ＤＥＧＢＥ）などのエチレングリコールエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）及びジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＤＰＧＭＥＡ）などのプロピレングリコールエーテルアセテート、及びエチレングリコールブチルエーテルアセテート（ＥＧＢＥＡ）及びジエチレングリコールブチルエーテルアセテート（ＤＥＧＥＡ）などのエチレングリコールエーテルアセテートを含むことができる。ある実施形態では、グリコールエーテルは、ＤＥＧＢＥ、ＤＥＧＰＥ、ＰＧＭＥ及びＤＰＧＭＥから選択できる。ある実施形態では、グリコールエーテルはＤＥＧＢＥである。
【００６４】
[0081] 洗浄流体で使用するエステルは、エステル機能性を有する化合物を含むことができる。適した化合物は、メチルラクテート、エチルラクテート、プロピルラクテート、ブチルラクテート、ガンマブチロラクテート、メチルアセテート、エチルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、ｔ−ブチルアセテート及びガンマブチロールアセテートを含む。ある実施形態では、エステルはジベーシックエステルである。ある実施形態では、エステルは、エチルラクテート又はブチロラクテートである。
【００６５】
[0082] 洗浄流体で使用するケトンは、シクロヘキサノン又はジアセトンアルコールを含むことができる。
【００６６】
[0083] 洗浄流体で使用するアルコールは、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのプロパノール、ｔ−ブチルアルコール、４−メチル−２ペンタノール及びシクロヘキサノールを含むことができる。一般に、洗浄流体内にアルコールが存在する場合、アルコールは、１〜３０重量％の量だけ使用することができる。
【００６７】
[0084] ある実施形態では、溶媒は、１種又は数種のグリコールエーテル又はエステルから選択される。一実施形態では、溶媒は、１種又は数種のグリコールエーテルから選択される。
【００６８】
[0085] ある実施形態では、溶媒は、ＤＥＧＢＥ又は乳酸エチルから選択される。ある実施形態では、溶媒は、ＤＥＧＢＥである。
【００６９】
[0086] ある実施形態では、溶媒は、ハズマットインデクスの定義１又は２に準拠する。
【００７０】
[0087] ある実施形態では、溶媒は、カルシノゲンのカリフォルニア州リストには記載されていない（State of California Environmental Protection Agency, Office of Environmental Health Hazard Assessment Safe Drinking Water and Toxic Enforcement Act of 1986 Chemicals known to the State to cause Cancer or Reproductive Toxicity、例えば、www.oehha.ca.gov/prop65/prop65_list/files/060107LST.pdf.のサイトにある２００７年６月１日付けリストを参照）。
【００７１】
[0088] ある実施形態では、溶媒は、半導体工業の安全性に関するUS National Fire Protection Association （ＮＦＰＡ）の要求事項に準拠する。ＮＦＰＡのレーティングは、通常ＭＳＤＳシートで報告される。
【００７２】
[0089] ある実施形態では、溶媒は、オゾン破壊のカリフォルニア州リストに準拠する。
【００７３】
[0090] ある実施形態では、界面活性剤は、０．０１〜５重量％、例えば、０．０１〜２重量％又は０．１〜０．５重量％、例えば、約０．３重量％の量で存在する。
【００７４】
[0091] ある実施形態では、界面活性剤は、疎水性の界面活性剤である。疎水性の界面活性剤は、一般に疎水性の汚染物を除去するのに使用される。非イオン系界面活性剤の疎水性ＰＥＯ基の割合は、疎水性を決定できる。疎水性は、界面活性剤の親水性−親油性バランス（ＨＬＢ）を測定することで定量化できる。ＨＬＢが低い界面活性剤は、より疎水性で、水滴油中型エマルジョンを形成する傾向がある。ＨＬＢが高い界面活性剤は、より親水性で、油滴水中型エマルジョンを形成する傾向がある。例えば、Ｆ６８のＨＬＢ値は２４より大きいが、Ｌ６１のＨＬＢ値は１〜７である。従って、Ｌ６１は、Ｆ６８よりもより疎水性の界面活性剤である。界面活性剤のＨＬＢ値は、界面活性剤の特性の分析によって決定される。共通の界面活性剤のＨＬＢ値は、医薬賦形剤ハンドブック第３版(Handbook of Pharmaceutical Excipients, 3rd Edition)などの適した文献に掲載されている。
【００７５】
[0092] ある実施形態では、界面活性剤は、２４より低い、望ましくは１０より低いＨＬＢ値を有する。
【００７６】
[0093] ある実施形態では、界面活性剤は、優れた湿潤性を有する。界面活性剤の湿潤性は、標準の湿潤試験、例えばＥＮ１７７２によって決定できる。ある実施形態では、湿潤性が優れた界面活性剤は、ＥＮ１７７２試験で１００秒より少ない、例えば、８０秒より少ない値を有する。
【００７７】
[0094] ある実施形態では、界面活性剤は、優れたすすぎ性を有する。界面活性剤のすすぎ性は、例えば、すすぎ水の出口での残存ＴＯＣ（総有機炭素）レベルを測定することで決定できる。ある実施形態では、すすぎ牲が優れた界面活性剤では、本発明の実施形態に従って使用する時のすすぎ水１ｍｌ当たりの有機化合物の含有率が５ｐｐｂ以下、望ましくは１ｐｐｂ以下で、及び／又は５０ｎｍ以上の寸法を有する微粒子の含有率が２微粒子以下である。そのような有機化合物の含有率及び／又は粒子の含有率は、例えば、超純粋ですすぎを３０分実行したときのすすぎ工程の最後に測定される。
【００７８】
[0095] ある実施形態では、界面活性剤は、低い発泡性を有する。界面活性剤の発泡は、例えば、ロスマイルス試験［ＡＳＴＭ Ｄ１１７３］によって決定できる。ある実施形態では、発泡性が低い界面活性剤は、ロスマイルス試験で泡の高さの値が３６．５ｃｍ未満、例えば、１５ｃｍ未満又は５ｃｍ未満である。
【００７９】
[0096] ある実施形態では、「界面活性剤」(“surfactant”)という用語は、界面活性剤の混合物を指す。ある実施形態では、界面活性剤の混合物は、界面活性剤が適した湿潤性、すすぎ性、及び発泡特性を有するように使用される。
【００８０】
[0097] ある実施形態では、界面活性剤は、１種又は数種の非イオン、陽イオン又は陰イオン界面活性剤から選択される。ある実施形態では、界面活性剤は、１種又は数種の非イオン界面活性剤から選択される。ある実施形態では、界面活性剤は、分子量が１０００〜３０００の酸化エチレン／酸化プロピレンブロック共重合体の非イオン界面活性剤を含む。そのような適した界面活性剤は、ＢＡＳＦ製のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１である。ある実施形態では、界面活性剤は、Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ製のＥｎｖｉｒｏｇｅｎ（登録商標）ＡＤ０１などの消泡湿潤剤を含む。
【００８１】
[0098] ある実施形態では、界面活性剤は、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１とＥｎｖｉｒｏｇｅｎ（登録商標）ＡＤ０１との混合物、例えば、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１が０．２重量％、Ｅｎｖｉｒｏｇｅｎ（登録商標）ＡＤ０１が０．１重量％の混合物を含む。
【００８２】
[0099] ある実施形態では、洗浄流体は、ｐＨ調整化学物質をさらに含む。ｐＨ調整は（実行する場合）、洗浄流体のｐＨが７〜１０、例えば、８〜１０又は９〜１０に確実になるように使用される。適したｐＨ調整化学物質は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、又は燐酸緩衝液などの非有機塩基を含んでいてもよい。溶液のｐＨを増やしていくと、汚染物と表面との間の接着力が低下し、その結果、洗浄がより効率的になる。しかし、リソグラフィ装置の部品、例えばレンズを損傷する可能性があるため、１０を超えてｐＨを増やすことは一般に回避すべきである。
【００８３】
[00100] ある実施形態では、洗浄流体は、化合物を含む窒素を含まない。ある実施形態では、洗浄流体は、アンモニア及びアミンを含まない。これらの化合物は、揮発アルカリ性で、フォトレジストの処理に悪影響を及ぼすことがある。
【００８４】
[00101] ある実施形態では、洗浄流体は、２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５％の界面活性剤と、任意選択として、ｐＨ調整化学物質とからなる。そのような実施形態では、そのような洗浄流体のｐＨは通常７〜１０である。
【００８５】
[00102] ある実施形態では、洗浄流体は、６５〜８０重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される２０〜３５重量％の溶媒と、０．０１〜５％の界面活性剤と、任意選択として、ｐＨ調整化学物質とからなる。
【００８６】
[00103] ある実施形態では、洗浄流体は、７４．７重量％の水と、２５重量％のＤＥＧＢＥと、０．２重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１と、０．１重量％のＥｎｖｉｒｏｇｅｎ（登録商標）ＡＤ０１とからなる。
【００８７】
[00104] ある実施形態では、洗浄流体は、８４．９重量％の水と、１５重量％のエチルラクテートと、０．１重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１とからなる。
【００８８】
[00105] 一般に、界面活性剤は、表面から汚染物を除去することで洗浄作用を及ぼす。界面活性剤は、普通、親水性の部分と疎水性の部分を含む。親水性の部分が水に向かって延在するのに対して、疎水性の部分は、有機微粒子及び／又は表面に固着することができる。界面活性剤は、疎水性の表面の湿潤を支援する、表面電荷を変化させて微粒子と表面との間に斥力を生成する、微粒子と表面との間を移動する（次に立体障害が微粒子を表面から押し出してワンデルワールス及び静電力を生成する）、及び／又は懸濁した汚染微粒子を封入し、有効に微粒子が再堆積しないようにする、以上の方法の１つ又は複数の方法で洗浄を支持することができる。
【００８９】
[00106] 溶媒は、一般に、汚染物を主として化学的溶解によって除去すると考えられる。しかし、純溶媒は、リソグラフィ装置に損傷を与えるように作用するため、その使用は不利である。本発明のある態様では、洗浄流体がリソグラフィ装置に許容できないレベルの損傷を与えないことが望ましい。通常、本発明の実施形態の洗浄流体は、装置に最小の損傷しか与えない。そのようなリソグラフィ装置で使用することができ、特に溶媒による損傷を受けやすい材料は、液浸液（通常は超純水）用の可撓ホースとして使用することができる軟質ポリウレタンホースとバイトンＯリングである。しかし、これらの材料は、すべてのリソグラフィ装置で使用されているわけではない。リソグラフィ装置がポリウレタン又はバイトン（フッ化ポリマー）を含む場合、そのような材料を損傷する作用がない溶媒を選択することが有利であろう。当業者であれば、特に洗浄流体の構成要素による損傷を受けやすい材料の存否に基づいて適した洗浄流体を選択できるだろう。例えば、溶媒は、そのような材料を損傷しないように選択される。通常の使用では、洗浄流体は、洗浄流体が接触する材料の１０％未満の重量変化、例えば、５％未満の重量変化又は１％未満の重量変化をもたらす。ある実施形態では、損傷を受けやすい材料が洗浄流体内に浸漬される２４時間、又は１２時間又は６時間実行される液浸試験で、通常、浸漬された材料の１０％未満の重量変化、例えば、５％未満の液浸材料の重量変化が観察される。そのような材料の損傷は、また目視検査又は機能特性の変化を測定することで評価できる。また、洗浄流体は、レンズのコーティングに最小限の損傷だけを与えるものでなければならない。通常、疎水性のコーティングがレンズを通る光路の外側のレンズ要素上にある。コーティングは、レンズの水／空気の界面の正確な接触角を提供するために施される。そのようなコーティングの例は、プラズマ工程によって塗布される（テフロン（登録商標）と同様に作用する）ＳｉＯｘＣｙＨｚコーティングとポリウレタンベースのコーティングである。本発明の洗浄流体は、通常、そのような材料に最小限の損傷しか与えない。例えば、コーティング／レンズの接触角は、洗浄流体の使用によって、通常、１０％未満、例えば、５％未満変化する。
【００９０】
[00107] ある実施形態では、リソグラフィ装置内にバイトンがある場合、洗浄流体内にＰＧＭＥＡが存在するならば通常２％未満の量のＰＧＭＥＡが存在する。そのような実施形態では、ＰＧＭＥＡは、通常、洗浄流体で使用されない。
【００９１】
[00108] ある実施形態では、リソグラフィ装置内にバイトンがある場合、洗浄流体内にブチルラクトンが存在するならば通常１０％未満の量のブチルラクトンが存在する。そのような実施形態では、ブチルラクトンは、通常、洗浄流体で使用されない。
【００９２】
[00109] ある実施形態では、リソグラフィ装置内にポリウレタンがある場合、洗浄流体内にＰＧＭＥＡが存在するならば通常２０％未満の量のＰＧＭＥＡが存在する。そのような実施形態では、ＰＧＭＥＡは、通常、洗浄流体で使用されない。
【００９３】
[00110] ある実施形態では、レンズコーティングがポリウレタン様のコーティングの場合、洗浄流体内にＤＧＭＥＡが存在するならば通常１５％未満の量のＤＧＭＥＡ、より典型的には、５％未満の量のＤＧＭＥＡが存在する。そのような実施形態では、ＤＧＭＥＡは、通常、洗浄流体で使用されない。
【００９４】
[00111] 本発明の洗浄流体は、水、溶媒、界面活性剤、及び任意選択として、ｐＨ調整剤の混合物からなり、効果的な汚染物除去特性を示す。本発明の実施形態のある態様では、洗浄流体は、リソグラフィ装置に最小限の損傷しか与えない。
【００９５】
[00112] 洗浄流体は、洗浄流体を表面上で流すことによって洗浄する表面に供給できる。洗浄流体のフローは、任意の所望の期間継続できるが、例えば最大３０分間、例えば最大５分間、最大１０分間、又は最大１５分間で洗浄効果を得るには十分であろう。追加的に又は代替的に、洗浄流体を表面に供給してある期間（例えば、最大１５分間、１０分間又は５分間）保持してから流すか又は排出することができる。この工程は、１回又は複数回繰り返すことができる。
【００９６】
[00113] 洗浄の後に、表面は一般に超純水ですすがれる。すすぎは、例えば、半時間、例えば、最大１５分間の期間実行することができる。すすぎは、洗浄流体をくまなく除去することを意図している。すすぎの後、システム内の汚染物のレベルは、有機化合物の含有率が５ｐｐｂ以下、望ましくは１ｐｐｂ以下、及び／又は５０ｎｍ以上の寸法を有する微粒子の含有率が、液浸液１ｍｌ当たり２微粒子以下、望ましくは液浸液１ｍｌ当たり０．５微粒子以下である。
【００９７】
[00114] 洗浄工程は、一般にインラインで実行され、装置の稼働に最小限の混乱しか与えない。全洗浄工程は、わずか１時間の最大システム停止時間で完了する。従って、洗浄は、比較的頻繁に、例えば、各バッチの終了時に、又は週に１回、又は代替的に洗浄が望まれるたびに実行することができる。頻繁な洗浄は、汚染物のレベルを常に低いレベルに保つことができるという利点を有する。所望であれば、本明細書に記載する洗浄工程を、機械的噴霧又はメガソニック洗浄技術などのオフラインの１つ又は複数のそれほど頻繁ではない洗浄工程と組み合わせて実行することができる。しかし、本明細書に記載する洗浄工程及び／又は洗浄液の使用の潜在的な利点は、そのようなオフライン洗浄方法を実行する頻度が低減でき、又はそのようなオフライン技術を完全に解消できるという点である。
【００９８】
[00115] ある実施形態では、全洗浄工程は、室温、例えば、２５℃前後で実行される。
【００９９】
[00116] 本発明の洗浄流体は、洗浄するリソグラフィ装置を損傷しないことが望ましい。しかし、いかなる損傷も発生させないため、リソグラフィ装置の特定の部品を洗浄流体から隔離することができる。これは、例えば、２００８年７月２５日出願の米国特許出願第６１／１２９，８７１号に記載された方法を用いて実行することができる。
【０１００】
[00117] ある実施形態では、損傷を防ぐため、リソグラフィ装置の特定の部品は洗浄流体から隔離されている。
【０１０１】
実施例
洗浄試験
[00118] 液浸フード（ＩＨ）の洗浄手順の間、洗浄流体は、ダンパ材料の表面を通ってＳＰＥ（単相抽出）材料を通過する。液浸フードのその他の部品に洗浄流体は届かない。この挙動を模倣するために、フローを表面に平行に向けるか又はＳＰＥ材料シートを通過させることができるフローセルが設計された。実験構成を図７に示す。
【０１０２】
[00119] ２つの代表的な汚染物は、トップコート（ＪＳＲ Ｍｉｃｒｏ製のＴＣＸ０４１）及びレジスト（ＴＯＫ製のＴＡＲＦ６２３９）である。レジスト及びトップコート材料は、電子噴霧方法を用いてサンプルに噴霧された。サンプルは、次に、フローセル内でさまざまな洗剤／溶媒の混合物を用いて洗浄された。その結果を以下の表に示す。
【表１】
【０１０３】
[00120] 上の表から、以下の結論が引き出された。
・水を用いた対照実験では微粒子の除去は見られなかった。
・トップコート洗浄実験では、洗浄後の透明な残留物が測定された。洗浄効率（除去物質）は、残留物を補正して計算された。
・ＴＡＲＦモデルの汚染物では、残留物はわずかであった。補正は計算されなかった。
・基準洗剤ＴＯＫ ＴＬＤＲ００１は、３０分の暴露時間後にトップコート（ＴＣＸ０４１）で５０〜７５％のＰＲＥ（微粒子除去効率）を示した。ＴＡＲＦ６２３９のＰＲＥは、ＳＳが３９％、ＬＰＳが４４％であった。これらの材料の差は決定精度の範囲内であった。これは、洗浄力の影響が基板の影響より優勢であることを示す。従って、ＬＰＳに対する限定された数の試験が望ましい。
・その他の市販の洗剤混合物は、ＴＬＤＲ Ａ００１と比較して向上していない。
【表２】
【０１０４】
[00121] 上の表から、以下の結論が引き出された。
・最良のＰＲＥが５０％ＵＰＷを含む溶液に５０％ＤＥＧＢＥを入れて３０分間暴露した結果得られた。ＰＲＥは、ダンパ材料とＳＰＥ材料共に、トップコート（ＴＣＸ０４１）及びレジスト（ＴａｒＦ６２３９）で１００％であった。残留物は観察されなかった。
・より低い濃度２５％でＤＥＧＢＥも試験した。最良の結果の界面活性剤混合物は、０．２％のＰｌｕｒｏｎｉｃ界面活性剤と、０．１％のＥｎｖｉｒｏｇｅｍ ＡＤ０１とを含む。
・ＴａｒＦ６２３９の低いＰＲＥのために、溶媒ＧＢＬは望ましかった。
・エチルラクテート（ＥＬ）では、比較的大量の残留物が見つかった。これは溶媒が原因と考えられ、ｐＨを７〜１０に増やすことで除去できた。
結論として、以下の洗浄混合物は、（潜在的に）最良の溶媒洗浄結果を示す。１）ＤＥＧＢＥ２５％０．２％Ｌ６１＋ＡＤ０１及び２）１５％エチルラクテート＋０．１％Ｌ６１。洗浄混合物は、より高いｐＨとより高い洗浄力を備えた界面活性剤混合物を用いて改良できる。
【０１０５】
[00122] 洗浄及びすすぎシーケンスを調整して残留物を低減させる／解消することができる。洗浄及びすすぎシーケンスで除去できないほどこびりついた残留物は、装置の動作に悪影響を与えないこともある。
【０１０６】
損傷試験
[00123] 本発明の洗浄流体の場合、流体によってリソグラフィ装置に加えられる損傷を制限することが望ましい。そのような装置で使用することができる最も損傷しやすい２つの材料は、軟質ポリウレタン（ＰＵＲ）ホース、及び例えばＯリングの製造に用いるフルオロエラストマーであるバイトンである。さまざまな濃度の溶媒を用いてこれらの材料について２４時間液浸試験を実行した。一般に、洗浄のための接触時間は約３０分である。それ故、２４時間液浸試験は、ワーストケースシナリオを表す。
【０１０７】
[00124] 結果を図８Ａ及び図８Ｂに示す。
【０１０８】
[00125] これらの実験から、以下の結論が可能である。
・２４時間液浸試験での損傷を受けやすい材料が使用するにはあまりにもアグレッシブである場合、１０％を超える重量増加を示した溶媒（混合物）。ＤＭＳＯでは、希釈した濃度でもこれが観察された。
・４−メチル−２−ペンタノールのような比較的弱い溶媒は、１０％に近い重量変化を示した。一般に他の高濃度溶媒（４−メチル−２−ペンタノールより高濃度）は、水を添加せずに使用することができないと考えられる。それ故、洗浄流体内の適当な水の濃度が決定された。
【０１０９】
[00126] 軟質ＰＵＲチューブ及びバイトンに関し、２４時間吸収及び脱着曲線も決定された。その結果を図９Ａ及び図９Ｂに示す。さらに、洗浄流体の接触時間は、一般に約３０分であるため、２４時間曲線はワーストケースシナリオを表す。
【０１１０】
[00127] レンズ下部のＴＯＣレベルでは、レンズの上流の材料が重要である。暴露領域と脱着速度（毎時ｍｇ／ｃｍ２）の組合せを用いて洗浄後の実際のｐｐｂレベル（脱着のみに起因する）の予想をすることができる。これを以下の表に示す。
【表３】
【０１１１】
[00128] これらの結果から、以下の結論が出た。
・材料の吸収がこの方法の使用された検出限度を下回るため（重量変化＜０．００１％／時）、ＰＦＡチューブの影響は予想できなかった。しかし、供給ラインは、一般にＰＦＡチューブを２５メート以上（約２５００ｃｍ２）含む。従って、低い脱着速度でもＴＯＣレベルに影響がある。
・バイトンは、供給ライン内の損傷を受けやすい（脱着値が比較的大きい）材料であるが、表面領域が制限され（＜１ｃｍ２）、従って、ＴＯＣレベルにとって重要性が低い。
・Ｆｌｕｒａｎホースは中間脱着速度を示す。これは、ＴＯＣレベルの重要な決定因子である。
・ＰＵＲチューブは、一般に液浸フードの出口に装着されているため、レンズ下のＵＰＷには影響しない。排水のＴＯＣレベルには影響する。普通、排水のＴＯＣレベルの要件は、重要度が低いが、排水の廃棄の地方法令によって変わる。
【０１１２】
脱着による洗浄後のＴＯＣレベルの測定
[00129] すすぎ実験で、２５ｍのＰＦＡと１ｍのＦｌｕｒａｎチューブが以下の洗浄流体にさらされた。０．２％のＬ６１と、０．１％のＡＤ０１とを含む２５％のＤＥＧＢＥ。３０分間の暴露の後で、チューブは空にされ、Ｓｉｅｖｅｒｓ ｐｐｔ ＴＯＣモニタに接続された。
【０１１３】
[00130] 試験の検出限度を高めるため、ＵＰＷフローは、０．２ｌ／ｍという低い値に抑えられていた。こうして、少量の脱着した有機物が存在し、より高い濃度が予想される。標準の条件下では、ＵＰＷ供給ラインの流速は、約１．５リットル／分である。チューブ長は、実際の値（ＰＦＡが２５ｍ）になるように選択され、Ｆｌｕｒａｎでは延長され（０．２ｍでなく１ｍ）、検出限度は高くなった。
【０１１４】
[00131] 全測定ＴＯＣレベルは、１．５リットル／分の流速とチューブの実際の長さに合わせて補正された。その結果を図１０に示す。
【０１１５】
[00132] この結果から、以下の結論が引き出される。
・基準混合物の濃度は、３０分後のＴＯＣレベルが７〜１０ｐｐｂであることを示す（ＰＦＡホースの場合）。
・ＰＦＡ試験ホースの完全なすすぎ（ＴＯＣ＜１ｐｐｂ）には、約３時間かかる。
・２５％のＤＥＧＢＥ混合物は、３０分のすすぎ後に２〜３ｐｐｂのレベルを示す。
・すすぎで＜１ｐｐｂのレベルに達するのに１．５時間かかる。この値は、ＴＯＫ ＴＬＤＲ Ａ００１基準混合物と比較して優れている。
・Ｆｌｕｒａｎホース（０．２５時間後に、＜１ｐｐｂ）は、洗浄後のＴＯＣレベルに限定的な影響を与える。
【０１１６】
[00133] 実際の条件下の全ＴＯＣレベルも、リンス工程に大幅な影響を与える以下に述べる因子に依存する。
・供給ライン、ＩＬＣＣ及びＩＨの３次元設計の影響：Ｏリング、弁など。
・洗浄流体（表面張力が小さい）と表面張力が大きいＵＰＷとの間の湿潤表面領域の差。
・供給ラインを空にする可能性（ウェットトウドライサイクル(wet to dry cycle)）。これは、化学物質のすすぎの効率を高める。
【０１１７】
チューブの機械的損傷の測定
[00134] Ｆｌｕｒａｎ（入力側）及び軟質ＰＵＲホース（出力側）の機械的特性が溶媒の吸収によって変化するか否かを決定するために、液浸試験を実行した。１時間及び２４時間の液浸の後、チューブの重量増加とせん断弾性係数が測定された。試験の結果を下記の表に示す。
【表４】
【０１１８】
[00135] せん断弾性係数Ｇ’と弾性係数Ｅとの関係が以下の式で与えられる（Ｇ−係数の変化は、Ｅ−係数の変化に直接正比例することを意味する）。
【数１】
【０１１９】
[00136] 上の表から以下の結論となった。
・Ｆｌｕｒａｎ Ｇ−係数の変化は、２４時間のワーストケースで１０％未満である。
・バイトンＧ−係数の変化は、２４時間のワーストケースで３０％である。
短い暴露（３０分）だとごく小さい変化しか生じないと予想される。
【０１２０】
レンズコーティングの試験
[00137] 化学式ＳｉＯｘＣｙＨｚのポリウレタン様のコーティングとシリコーン様のコーティングのコーティングを有する試験サンプルが２５％ＤＥＧＢＥ混合物洗浄流体内に２４時間又はＵＰＷ内に２４時間浸漬された。サンプルは、光学顕微鏡検査法及びＳＥＭを用いて評価され、未浸漬状態のサンプルと比較された。
【０１２１】
[00138] 以下の側面シールコーティングサンプルが試験された。
・石英上のポリウレタン様の側面シールコーティング。
・石英上のシリコーン様の／Ｔａ２Ｏ５コーティング。
撮影されたＳＥＭ画像を図１１に示す。
【０１２２】
[00139] ポリウレタン様のコーティングサンプルは、薄い曇ったコーティングで部分的に覆われていた。サンプル上のいくつかの場所は、ひび割れたＴｉＯ２の下塗りと厚さが均等でない粘着性の（コーティング）材料とを示した。
【０１２３】
[00140] ＳＥＭの写真は、コーティングの粘着性の大きな変化を示した。コーティングの一部ははがれ始めている。以下の結論が得られた。
・ＤＥＧＢＥを用いた２４時間液浸試験の後、コーティングの劣化が示された。しかし、この試験はワーストケースシナリオである。また、劣化は、一部は試験したサンプルの品質による可能性がある。
【０１２４】
[00141] シリコーンコート材料は、均質にコーティングされた直径が２５ｍｍの石英基板の片側から構成された。コーティングの構造の変化は、ＳＥＭの液浸の前後にＳＥＭを測定することで検出された。
・ＤＥＧＢＥ溶液のシリコーンコートに与える影響は検出されなかった。従って、２４時間ＤＥＧＢＥ試験は省略された。
【０１２５】
[00142] ある態様では、洗浄する表面に洗浄流体を提供するように構成された流体供給システムを備えるリソグラフィ装置であって、洗浄流体が２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む、リソグラフィ装置が提供される。任意選択として、界面活性剤は、疎水性の界面活性剤である。任意選択として、洗浄流体中に水は、５０〜８５重量％の量で存在する。任意選択として、洗浄流体中に水は、６５〜８０重量％の量で存在する。任意選択として、洗浄流体中に溶媒は、１５〜５０重量％の量で存在する。任意選択として、洗浄流体中に溶媒は、２０〜３５重量％の量で存在する。任意選択として、溶媒は、１種又は数種のグリコールエーテル又はエステルから選択される。任意選択として、溶媒は、ＤＥＧＢＥである。任意選択として、界面活性剤は、０．０１〜２重量％の量で存在する。任意選択として、界面活性剤は、１種又は数種の非イオン界面活性剤から選択される。任意選択として、界面活性剤は、分子量が１０００〜３０００の酸化エチレン／酸化プロピレンブロック共重合体を含む非イオン界面活性剤を含む。任意選択として、洗浄流体は、６５〜７９．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される２０〜３４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤と、任意選択として、ｐＨ調整化学物質とを含む。任意選択として、洗浄流体は、ｐＨ調整化学物質をさらに含む。任意選択として、洗浄流体のｐＨは７〜１０である。任意選択として、洗浄流体のｐＨは８〜１０である。任意選択として、洗浄流体のｐＨは９〜１０である。任意選択として、洗浄流体は、基本的に７４．７重量％の水と、２５重量％のＤＥＧＢＥと、０．２重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１と、０．１重量％のＥｎｖｉｒｏｇｅｍ（登録商標）ＡＤ０１とからなる。任意選択として、洗浄流体は、基本的に８４．９重量％の水と、１５重量％のエチルラクテートと、０．１重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１とからなる。任意選択として、リソグラフィ装置は、液浸タイプのリソグラフィ装置である。任意選択として、流体供給システムは、洗浄流体供給システムである。
【０１２６】
[00143] ある態様では、リソグラフィ装置内の表面を洗浄する方法であって、洗浄する表面に洗浄流体を供給するステップを含み、洗浄流体が２５〜９８．９９重量％の水と、１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む、方法が提供される。任意選択として、洗浄流体は上記の通りである。
【０１２７】
[00144] ある態様では、リソグラフィ装置を洗浄する上記の洗浄流体の使用法が提供される。
【０１２８】
[00145] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１２９】
[00146] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明はその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、文脈によっては、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内の微細構成(topography)が基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスの微細構成は、基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスは、レジストから取り除かれ、レジストが硬化すると内部にパターンが残される。
【０１３０】
[00147] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【０１３１】
[00148] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【０１３２】
[00149] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【０１３３】
[00150] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を改修できることが当業者には明白である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄する表面に洗浄流体を提供する流体供給システムを備えるリソグラフィ装置であって、洗浄流体が、
２５〜９８．９９重量％の水と、
１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、
０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記界面活性剤が、疎水性の界面活性剤である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記洗浄流体内に前記水が５０〜８５重量％又は６５〜８０重量％の量で存在する請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記洗浄流体内に前記溶媒が１５〜５０重量％又は２０〜３５重量％の量で存在する、請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記溶媒が１種又は数種のグリコールエーテル又はエステルから選択される、あるいは前記溶媒がＤＥＧＢＥである、請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記界面活性剤が、０．０１〜２重量％の量で存在する、請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記界面活性剤が、１種又は数種の非イオン界面活性剤から選択される、請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記界面活性剤が、分子量が１０００〜３０００の酸化エチレン／酸化プロピレンブロック共重合体を含む非イオン界面活性剤を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記洗浄流体が、
６５〜７９．９９重量％の水と、
１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される２０〜３４．９９重量％の溶媒と、
０．０１〜５重量％の界面活性剤と、任意選択として、
ｐＨ調整化学物質とを含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記洗浄流体が、ｐＨ調整化学物質をさらに含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記洗浄流体のｐＨが、７〜１０又は８〜１０又は９〜１０である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記洗浄流体が、基本的に、
７４．７重量％の水と、
２５重量％のＤＥＧＢＥと、
０．２重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃＬ６１と、
０．１重量％のＥｎｖｉｒｏｇｅｍＡＤ０１とからなる、請求項１から９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記洗浄流体が、基本的に、
８４．９重量％の水と、
１５重量％のエチルラクテートと、
０．１重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃＬ６１とからなる、請求項１から９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記リソグラフィ装置が、液浸タイプのリソグラフィ装置である、請求項１から１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記流体供給システムが、洗浄流体供給システムである、請求項１から１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
リソグラフィ装置内の表面を洗浄する方法であって、洗浄する表面に洗浄流体を供給するステップを含み、前記洗浄流体が、
２５〜９８．９９重量％の水と、
１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、
０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む、方法。
【請求項１７】
前記洗浄流体が、請求項２から１３のいずれか１項に記載されている、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１から１３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を洗浄する洗浄流体の使用法。
【請求項１】
洗浄する表面に洗浄流体を提供する流体供給システムを備えるリソグラフィ装置であって、洗浄流体が、
２５〜９８．９９重量％の水と、
１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、
０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記界面活性剤が、疎水性の界面活性剤である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記洗浄流体内に前記水が５０〜８５重量％又は６５〜８０重量％の量で存在する請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記洗浄流体内に前記溶媒が１５〜５０重量％又は２０〜３５重量％の量で存在する、請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記溶媒が１種又は数種のグリコールエーテル又はエステルから選択される、あるいは前記溶媒がＤＥＧＢＥである、請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記界面活性剤が、０．０１〜２重量％の量で存在する、請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記界面活性剤が、１種又は数種の非イオン界面活性剤から選択される、請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記界面活性剤が、分子量が１０００〜３０００の酸化エチレン／酸化プロピレンブロック共重合体を含む非イオン界面活性剤を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記洗浄流体が、
６５〜７９．９９重量％の水と、
１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される２０〜３４．９９重量％の溶媒と、
０．０１〜５重量％の界面活性剤と、任意選択として、
ｐＨ調整化学物質とを含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記洗浄流体が、ｐＨ調整化学物質をさらに含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記洗浄流体のｐＨが、７〜１０又は８〜１０又は９〜１０である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記洗浄流体が、基本的に、
７４．７重量％の水と、
２５重量％のＤＥＧＢＥと、
０．２重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃＬ６１と、
０．１重量％のＥｎｖｉｒｏｇｅｍＡＤ０１とからなる、請求項１から９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記洗浄流体が、基本的に、
８４．９重量％の水と、
１５重量％のエチルラクテートと、
０．１重量％のＰｌｕｒｏｎｉｃＬ６１とからなる、請求項１から９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記リソグラフィ装置が、液浸タイプのリソグラフィ装置である、請求項１から１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記流体供給システムが、洗浄流体供給システムである、請求項１から１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
リソグラフィ装置内の表面を洗浄する方法であって、洗浄する表面に洗浄流体を供給するステップを含み、前記洗浄流体が、
２５〜９８．９９重量％の水と、
１種又は数種のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択される１〜７４．９９重量％の溶媒と、
０．０１〜５重量％の界面活性剤とを含む、方法。
【請求項１７】
前記洗浄流体が、請求項２から１３のいずれか１項に記載されている、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１から１３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を洗浄する洗浄流体の使用法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１０−１０３５３０（Ｐ２０１０−１０３５３０Ａ）
【公開日】平成２２年５月６日（２０１０．５．６）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００９−２３６９９４（Ｐ２００９−２３６９９４）
【出願日】平成２１年１０月１４日（２００９．１０．１４）
【出願人】（５０４１５１８０４）エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． (1,856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月６日（２０１０．５．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２３６９９４（Ｐ２００９−２３６９９４）
【出願日】平成２１年１０月１４日（２００９．１０．１４）
【出願人】（５０４１５１８０４）エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． (1,856)
【Ｆターム（参考）】
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