【課題】レジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、含窒素有機化合物成分（Ｄ）とを含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物成分（Ｄ）は、一般式（ｄ１）で表される化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、含窒素有機化合物成分（Ｄ）とを含有するレジスト組成物であって、
前記含窒素有機化合物成分（Ｄ）は、下記一般式（ｄ１）で表される化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒ^２０はメチレン基、エチレン基、酸素原子又はＣ（ＣＨ_３）_２であり；Ｒ^２１は水素原子又は有機基であり；Ｒ^２２はアルコキシ基、アルコカルボニルオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^２３、Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−Ｒ^２３又はカルボキシ基である。ただし、Ｒ^２３は炭素数１〜１５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、不飽和炭化水素基、脂肪族環式基又は芳香族炭化水素基である。ａは０〜２の整数である。］
【請求項２】
前記含窒素有機化合物成分（Ｄ）が、下記一般式（ｄ１−１）で表される化合物である請求項１記載のレジスト組成物。
【化２】

［式中、Ｒ^２０、Ｒ^２２及びａはそれぞれ前記と同じである。Ｒ^２４は置換基を有していてもよい炭素数１〜５のアルキレン基であり、ｂは０又は１である。Ｒ^２５はＣ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＳＯ_３、又はＣ（＝Ｏ）−Ｏであり、ｃは０又は１である。Ｒ^２６は水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、ビニル基又はアリル基であってエーテル結合を含んでいてもよい。］
【請求項３】
前記基材成分（Ａ）が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分である請求項１又は２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
前記基材成分（Ａ）が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する請求項３記載のレジスト組成物。
【請求項５】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項４記載のレジスト組成物。
【請求項６】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有する請求項４又は５記載のレジスト組成物。
【請求項７】
支持体上に、請求項１〜６のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程及び前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開２０１１−５３５６８（Ｐ２０１１−５３５６８Ａ）
【公開日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２０４１３２（Ｐ２００９−２０４１３２）
【出願日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】