レジスト膜乾燥装置およびレジスト膜乾燥方法
【課題】周囲の環境を損なうことなく、レジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制するレジスト膜乾燥装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜乾燥装置は、基板９に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜１０を加熱する加熱プレート２を有している。また、レジスト膜乾燥装置は、レジスト膜１０の表面に近接するように、下面がレジスト膜１０の表面に対向する位置に配置された対流抑制板３と、対流抑制板３の下面の外周の外側上方に排気口５ａが形成された外装排気カバー５と、を有している。
【解決手段】レジスト膜乾燥装置は、基板９に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜１０を加熱する加熱プレート２を有している。また、レジスト膜乾燥装置は、レジスト膜１０の表面に近接するように、下面がレジスト膜１０の表面に対向する位置に配置された対流抑制板３と、対流抑制板３の下面の外周の外側上方に排気口５ａが形成された外装排気カバー５と、を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト膜乾燥装置およびレジスト膜乾燥方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット記録ヘッドなどの電子デバイス等の製造工程には、基板にレジスト膜を形成する工程が含まれていることが多い。レジスト膜形成工程は、通常、基板にレジストを塗布する塗布工程と、塗布工程で基板に塗布したレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、を有している。
【０００３】
塗布工程では、スピンコートなどの方式により基板にレジストを塗布する。スピンコート方式は、基板面の中央部に液状のレジストを滴下し、基板を高速回転させることで生じる遠心力によってレジストを基板面の外周部へ向けて広げることにより、レジストを基板面全体に均一に塗布する方式である。
【０００４】
乾燥工程では、塗布工程で基板に塗布したレジスト膜を、加熱プレート（ホットプレート）や熱風循環炉（オーブン）などで加熱して、レジスト膜に含まれている溶媒成分を除去することにより、レジスト膜を硬化する。その後、基板およびレジスト膜を冷却プレート（コールドプレート）で冷却して、乾燥工程が終了する。
【０００５】
従来から用いられている乾燥工程では、レジスト膜を加熱プレートによって基板の下側のみから加熱するため、レジスト膜の上方の空間には熱対流が生じやすい。そのため、乾燥工程において、レジスト膜に乾燥ムラや温度ムラが生じることがある。
【０００６】
レジスト膜は、乾燥工程において、乾燥前のレジスト膜に含まれている溶媒成分が蒸発して、レジスト膜の樹脂成分の密度が高くなることにより粘性が高くなっていき、最終的に溶媒成分が除去されて硬化する。一方、それと同時に、加熱によりレジスト膜の樹脂成分の粘性が低下することによる軟化作用も生じる。したがって、乾燥工程において、レジスト膜に乾燥ムラや温度ムラが生じると、レジスト膜には硬さのばらつきが発生する。
【０００７】
乾燥工程において、レジスト膜に硬さのばらつきが発生すると、乾燥工程終了後に風紋や吹かれムラと呼ばれる膜厚のばらつきが発生することがある。この膜厚のばらつきは、膜厚が厚いレジスト膜ほど顕著に発生し、３０μｍ以上のレジスト膜が形成される場合に特に顕著に発生する。
【０００８】
特許文献１にはレジスト膜の膜厚のばらつきの発生が抑制されるように構成されたレジスト膜乾燥装置が記載されている。このレジスト膜乾燥装置では、対流抑制板が、加熱プレート上の基板に塗布されたレジスト膜の表面に近接するように、対流抑制板の下面がレジスト膜の表面に対向する位置に配置されている。
【０００９】
このレジスト膜乾燥装置では、レジスト膜の表面と対流抑制板の下面との間の空間が狭く、乾燥工程中、この空間内に大きな温度差が発生しないため、レジスト膜の表面近傍には熱対流が発生しにくい。また、対流抑制板より上方の空間に熱対流が発生しても、レジスト膜の表面近傍は対流抑制板に覆われているため、レジスト膜はこの熱対流の影響を受けにくい。このように、このレジスト膜乾燥装置では、対流抑制板が配置されていることにより、レジスト膜が熱対流の影響を受けることを抑制できる。
【特許文献１】特開２００３−３０５３９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献１に記載されたレジスト膜乾燥装置は、大気中で使用されるため、乾燥工程中に蒸発したレジスト膜の溶媒成分が周囲に充満することが考えられる。また、レジスト膜と対流抑制板との隙間にゴミ等が混入してレジスト膜の表面に付着することによりレジスト膜の品質が低下することがありうる。
【００１１】
これらを抑制するために、レジスト膜乾燥装置の周囲を覆う外装および排気機構を設けることが考えられる。しかし、外装および排気機構を設けると、外装の内部には排気による強制的な空気の流れが発生する。そのため、乾燥工程において、対流抑制板を配置させることでレジスト膜が熱対流の影響を受けることを抑制できても、レジスト膜が排気による空気の流れの影響を受けることで膜厚のばらつきが発生することが考えられる。
【００１２】
そこで、本発明は、周囲の環境を損なうことなく、レジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制するレジスト膜乾燥装置およびレジスト膜乾燥方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明のレジスト膜乾燥装置は、基板に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜を加熱する加熱手段を有するレジスト膜乾燥装置において、前記レジスト膜の表面に近接するように、下面が前記レジスト膜の表面に対向する位置に配置された板部材と、該板部材の下面の外周の外側上方から排気を行う排気手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、周囲の環境を損なうことなく、レジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制するレジスト膜乾燥装置およびレジスト膜乾燥方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係るレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。このレジスト膜塗布乾燥装置は、基板９を搬入するセンダ６と、基板９にレジストを塗布するスピンコータ７と、基板９に塗布されたレジスト膜を乾燥させるレジスト膜乾燥装置１と、レジスト膜が形成された基板９が搬送されるレシーバ８と、を有している。レジスト膜乾燥装置１は、レジスト膜を加熱して乾燥させる３つの加熱プレート２と、レジスト膜が形成された基板９を冷却する冷却プレート４と、を有している。
【００１７】
レジスト膜乾燥装置１では、３つの加熱プレート２が並べて配置されており、各々の加熱プレート２は個別に温度条件の設定が可能である。よって、レジスト膜乾燥装置１では、レジストが塗布された基板９を、段階的に温度条件が変更された各々の加熱プレート２に連続して搬送させて、レジスト膜をより安定して乾燥させることによりレジスト膜の高品質化が図れる。なお、レジスト膜乾燥装置は、加熱プレートを複数有していることが望ましいが、少なくとも１つ有していればよい。
【００１８】
このレジスト膜塗布乾燥装置では、まず、センダ６にセットされた基板９が、スピンコータ７のカップに搬送され、バキュームチャックされる。その後、液状のレジストが基板９の中央部に滴下され、スピンコータ７のカップが高速回転させられることにより、レジストが基板９の全面に均一に広げられる。そして基板９が、各加熱プレート２に搬送され、加熱されることによりレジスト膜が乾燥させられた後に、冷却プレート４に搬送され基板９およびレジスト膜が冷却される。その後、レジスト膜が形成された基板９がレシーバ８に搬送され、レジスト膜形成工程が終了する。
【００１９】
次に、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置の詳細について図２を参照して説明する。
【００２０】
図２（Ａ）は本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図で、図２（Ｂ）はそのレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向に直交する側断面図である。図２（Ａ），（Ｂ）は、レジスト膜乾燥装置１の、基板９上に塗布されたレジスト膜１０が加熱プレート２に加熱されて乾燥させられる乾燥工程中の状態を示している。
【００２１】
レジスト膜乾燥装置１は、内部にヒータ（不図示）を備えた加熱プレート２と、板部材である対流抑制板３と、加熱プレート２を収容した加熱プレートボックス２ａと、対流抑制板３の上面の全体を覆った外装排気カバー５と、を有している。
【００２２】
加熱プレート２上には基板９を支持する少なくとも３つのプロキシピン２ｂが設けられており、レジストが塗布された基板９が、搬送ハンド（不図示）等によりスピンコータ７のカップから加熱プレート２のプロキシピン２ｂ上に搬送される。加熱プレート２によって基板９およびレジスト膜１０が加熱されると、基板９に塗布されたレジスト膜１０の温度が上昇し、レジスト膜１０に含まれている溶媒成分が蒸発する。
【００２３】
なお、プロキシピン２ｂの高さを変更することによって、加熱プレート２と基板９との距離を調整することができる。これにより、基板９の昇温速度を変更することで、レジスト膜１０の溶媒成分を蒸発させる速度を調整して、レジスト膜１０の高品質化を図ることができる。レジスト膜乾燥装置１ではプロキシピン２ｂの高さは０．２ｍｍに設定している。
【００２４】
レジスト膜乾燥装置１では、対流抑制板３が、レジスト膜１０の表面に近接するように、対流抑制板３の下面がレジスト膜１０の表面に対向する位置に配置されている。対流抑制板３は、厚さ１ｍｍの円盤状に、レジスト膜１０の表面よりも表面の面積が大きくなるように形成され、下面がレジスト膜１０の表面の全体を覆うように配置されている。
【００２５】
レジスト膜乾燥装置１では、レジスト膜１０の表面に近接するように対流抑制板３が配置されていることにより、乾燥工程においてレジスト膜１０の表面近傍に熱対流が生じにくく、レジスト膜１０の膜厚のばらつきの発生が抑制される。また、対流抑制板３がレジスト膜１０の表面の全体を覆っていることにより、レジスト膜１０は、より外周に近接する部分まで膜厚のばらつきの発生が抑制される。
【００２６】
また、レジスト膜乾燥装置１では、加熱プレート２が加熱プレートボックス２ａに収容されている。加熱プレートボックス２ａは、側壁となる壁部材が対流抑制板３の下面よりも高く形成されており、上部が開口されている。これにより、レジスト膜乾燥装置１では、レジスト膜１０と対流抑制板３とのとの間に形成された隙間空間が、加熱プレートボックス２ａの側壁に囲まれているため、レジスト膜１０の表面にゴミ等が付着することを抑制できる。
【００２７】
また、レジスト膜乾燥装置１には、対流抑制板３の上面の全体を覆うように対流抑制板３の上面に対して対向配置されたカバー部材である外装排気カバー５が設けられている。これにより、加熱プレートボックス２ａの開口された上部からゴミ等が混入することを防止できる。
【００２８】
また、外装排気カバー５には、対流抑制板３の外周に対向する部分よりも外側の領域に排気口５ａが形成されており、レジスト膜１０から蒸発した溶媒成分が排気口５ａから吸引されて排気管（不図示）等を介して屋外に排出される。外装排気カバー５による排気は、遅くともレジスト膜１０が加熱プレート２によって加熱される以前に開始される。これにより、レジスト膜１０から蒸発した溶媒成分が周囲に充満することが抑制される。
【００２９】
また、レジスト膜乾燥装置１では、排気口５ａが、加熱されて蒸発したレジスト膜１０の溶媒成分が向かおうとする、対流抑制板３の外周の外側上方に配置されていることにより、強制的な空気の流れを作らずにレジスト膜１０の溶媒成分が排気される。また、加熱プレートボックス２ａと外装排気カバー５とが互いに離間して配置されており、加熱プレートボックス２ａの内部は密閉されていないため、排気による空気の流れによって加熱プレートボックス２ａの内部に対流が発生しにくい。
【００３０】
さらに、外装排気カバー５の下面には、中央領域から排気口５ａへ向けて上方に傾斜する傾斜面が形成されている。これにより、上方へ向かおうとする加熱されて蒸発した溶媒成分が効率良く、強制的な空気の流れを作ることなく排気される。
【００３１】
以上述べたように、レジスト膜乾燥装置１では、加熱プレートボックス２ａ内に排気による空気の流れが発生しにくいため、レジスト膜１０に膜厚のばらつきが発生することを抑制できる。
【００３２】
レジスト膜１０の加熱プレート２による乾燥が終了すると、対流抑制板３を支持している対流抑制板支持アーム３ａが対流抑制板昇降シリンダ３ｂにより上昇させられ、レジスト膜１０が形成された基板９が搬送ハンド等により冷却プレート４に搬送される。
【００３３】
本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１と比較するために、図３および図４に示すレジスト膜乾燥装置を用意した。
【００３４】
図３（Ａ）は比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図で、図３（Ｂ）はそのレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向に直交する側断面図である。レジスト膜乾燥装置１１の加熱プレート１２は加熱プレートボックス１２ａに収容されている。また、加熱プレートボックス１２ａの、加熱プレート１２の上方の中央領域には排気口１２ｂが形成されており、レジスト膜２０から蒸発した溶媒成分が排気口１２ｂから吸引されて排気管等を介して屋外に排出される。なお、加熱プレートボックス１２ａの排気口１２ｂ以外の部分は密閉されている。
【００３５】
レジスト膜乾燥装置１１と本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１とは、２つの点において異なる。まず１点目は、レジスト膜乾燥装置１ではレジスト膜の表面の全体を覆うように対流抑制板３が配置されているのに対し、レジスト膜乾燥装置１１では対流抑制板が配置されていない点である。２点目は、レジスト膜乾燥装置１では、外装排気カバー５に形成された排気口５ａから排気が行われるのに対し、レジスト膜乾燥装置１１では、密閉された加熱プレートボックス１２ａの中央領域に形成された排気口１２ｂから排気が行われる点である。
【００３６】
図４（Ａ）は比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図で、図４（Ｂ）はそのレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向に直交する側断面図である。レジスト膜乾燥装置１１ａは、図３に示したレジスト膜乾燥装置１１に、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１の対流抑制板３と同様の対流抑制板１３を取り付けたものである。対流抑制板１３は、レジスト膜２０ａの表面に近接するように、対流抑制板１３の下面がレジスト膜２０ａの表面に対向する位置に配置されている。
【００３７】
レジスト膜乾燥装置１１ａと本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１とは、１つの点において異なる。すなわち、レジスト膜乾燥装置１では、外装排気カバー５に形成された排気口５ａから排気を行っているのに対し、レジスト膜乾燥装置１１ａでは、密閉された加熱プレートボックス１２ａの中央領域に形成された排気口１２ｂから排気を行っている点である。
【００３８】
図５は、比較用のレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。このレジスト膜塗布乾燥装置では、図１に示したレジスト膜塗布乾燥装置と同様に、基板が、センダ１６から、スピンコータ１７、加熱プレート１２、冷却プレート１４、レシーバ１８へと連続して搬送されて、レジスト膜が形成される。
【００３９】
次に、比較用のレジスト膜乾燥装置１１，１１ａを用いて乾燥させたレジスト膜と、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて乾燥させたレジスト膜とを比較した結果について説明する。なお、いずれのサンプルも、レジストには同等の成分を有するものを用い、以下に特に示す条件以外は同様の条件で、乾燥後のレジスト膜の平均膜厚が７５μｍになるように処理した。また、いずれのサンプルでも、基板には厚さ０．６２５ｍｍの６インチＳｉ基板を使用し、乾燥工程では、加熱プレートを１つのみ用いて基板の温度を９０℃で１５分間保持することにより基板に塗布されたレジスト膜を乾燥させた。また、膜厚分布は、基板外周部５ｍｍを除き２ｍｍピッチで測定した約３８００ポイントを評価の対象とした。
【００４０】
図６は、図３に示した比較用のレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。レジスト膜２０の表面には目視で確認できる風紋が発生しており、乾燥工程において、レジスト膜２０が熱対流の影響を受けていることが確認された。また、最大膜厚と最小膜厚との差は１５μｍであり、膜厚分布は平均膜厚に対して２０％の幅を有しており不均一であることがわかった。
【００４１】
図７は、図４に示した比較用のレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。レジスト膜乾燥装置１１ａにおいて基板１９ａに塗布されたレジスト膜２０ａの表面と対流抑制板１３の下面との間隔はｄ＝６ｍｍとした。レジスト膜２０ａの表面には、レジスト膜２０よりは抑制されてはいるものの風紋が見られた。また、最大膜厚と最小膜厚との差は１０μｍ以上あり不均一であることがわかった。
【００４２】
レジスト膜乾燥装置１１ａでは、対流抑制板１３が配置されているにもかかわらず、レジスト膜２０ａに風紋が見られたことから、レジスト膜２０ａが熱対流以外の空気の流れの影響を受けていることがわかる。すなわち、レジスト膜乾燥装置１１ａでは、排気口１２ｂから排気されることにより、排気口１２ｂへ向かう空気の流れが発生することによって、密閉された加熱プレートボックス１２ａ内に対流が発生したことが考えられる。
【００４３】
図８は、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。基板に塗布されたレジスト膜の表面と対流抑制板３の下面との間隔はｄ＝６ｍｍとした。レジスト膜の表面には風紋等の乱れは確認されなかった。また、最大膜厚と最小膜厚との差は７〜８μｍであり、膜厚分布は平均膜厚に対して１０％程度の幅に収まっており均一であることがわかった。
【００４４】
これは、レジスト膜乾燥装置１では、対流抑制板３によってレジスト膜の表面近傍での熱対流の発生が抑制され、かつ、外装排気カバー５によって加熱プレートボックス２ａ内での排気による空気の流れの発生が抑制されたことの効果であると考えられる。
【００４５】
また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて、レジスト膜の表面と対流抑制板３の下面との間隔をｄ＝８ｍｍとして基板に形成されたレジスト膜も、膜厚分布は平均膜厚に対して１０％程度の幅に収まっており均一であることがわかった。
【００４６】
また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて、レジスト膜の表面と対流抑制板３の下面との間隔をｄ＝１０ｍｍとして基板に形成されたレジスト膜には、若干の風紋が見られた。また、最大膜厚と最小膜厚との差は１０μｍ以上あり不均一であった。これは、レジスト膜の表面と対流抑制板３の下面との間隔を大きくしたことにより、対流抑制板３の熱対流を抑制する効果が弱まり、レジスト膜の表面近傍に熱対流が発生したためであると考えられる。
【００４７】
図９は、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて、レジスト膜の表面と対流抑制板３の下面との間隔をｄ＝４ｍｍとして基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。レジスト膜の表面には風紋等の乱れは確認されず、対流抑制板３および外装排気カバー５を設置したことの効果が確認できた。しかし、最大膜厚と最小膜厚との差は１０μｍ以上あり膜厚が不均一であった。この結果は、レジスト膜の表面と対流抑制板３の下面とをより近接させた場合には、温度条件等をさらに検討する必要があることを示唆していると考えられる。
【００４８】
以上の結果をまとめたものを表１に示す。
【００４９】
【表１】
【００５０】
◎：良好であった。
○：風紋等の乱れは見られなかったが、最大膜厚と最小膜厚との差が１０μｍ以上であった。
△：風紋が若干見られた。
×：風紋が多く見られた。
【００５１】
この結果から、レジスト膜乾燥装置１において、対流抑制板３および外装排気カバー５を設置したことの効果が確認できた。また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１では、レジスト膜の表面と対流抑制板との間隔を６ｍｍ以上８ｍｍ以下にした場合に、特にレジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制できることがわかった。
【００５２】
また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて、同様の方法で、膜厚を変更して基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を評価した。その結果、乾燥後の平均膜厚が１００μｍ以下のレジスト膜において、膜厚分布が平均膜厚の１０％程度の幅に収まっており、均一な膜厚が得られることが確認できた。よって、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置によれば、３０μｍ以上１００μｍ以下のレジスト膜を形成する場合に、特に効果的にレジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制できる。
【００５３】
以上述べたように、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置によれば、周囲の環境を損なうことなく、レジスト膜に、風紋等の乱れが発生することや膜厚のばらつきが発生することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図および基板搬送方向に直交する側断面図である。
【図３】比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図および基板搬送方向に直交する側断面図である。
【図４】比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図および基板搬送方向に直交する側断面図である。
【図５】比較用のレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。
【図６】図３に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。
【図７】図４に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。
【図８】図２に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。
【図９】図２に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。
【符号の説明】
【００５５】
１ レジスト膜乾燥装置
２ 加熱プレート
２ａ 加熱プレートボックス
２ｂ プロキシピン２ｂ
３ 対流抑制板
３ａ 対流抑制板支持アーム
３ｂ 対流抑制板昇降シリンダ
４ 冷却プレート
５ 外装排気カバー
５ａ 排気口
６ センダ
７ スピンコータ
８ レシーバ
９ 基板
１０ レジスト膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト膜乾燥装置およびレジスト膜乾燥方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット記録ヘッドなどの電子デバイス等の製造工程には、基板にレジスト膜を形成する工程が含まれていることが多い。レジスト膜形成工程は、通常、基板にレジストを塗布する塗布工程と、塗布工程で基板に塗布したレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、を有している。
【０００３】
塗布工程では、スピンコートなどの方式により基板にレジストを塗布する。スピンコート方式は、基板面の中央部に液状のレジストを滴下し、基板を高速回転させることで生じる遠心力によってレジストを基板面の外周部へ向けて広げることにより、レジストを基板面全体に均一に塗布する方式である。
【０００４】
乾燥工程では、塗布工程で基板に塗布したレジスト膜を、加熱プレート（ホットプレート）や熱風循環炉（オーブン）などで加熱して、レジスト膜に含まれている溶媒成分を除去することにより、レジスト膜を硬化する。その後、基板およびレジスト膜を冷却プレート（コールドプレート）で冷却して、乾燥工程が終了する。
【０００５】
従来から用いられている乾燥工程では、レジスト膜を加熱プレートによって基板の下側のみから加熱するため、レジスト膜の上方の空間には熱対流が生じやすい。そのため、乾燥工程において、レジスト膜に乾燥ムラや温度ムラが生じることがある。
【０００６】
レジスト膜は、乾燥工程において、乾燥前のレジスト膜に含まれている溶媒成分が蒸発して、レジスト膜の樹脂成分の密度が高くなることにより粘性が高くなっていき、最終的に溶媒成分が除去されて硬化する。一方、それと同時に、加熱によりレジスト膜の樹脂成分の粘性が低下することによる軟化作用も生じる。したがって、乾燥工程において、レジスト膜に乾燥ムラや温度ムラが生じると、レジスト膜には硬さのばらつきが発生する。
【０００７】
乾燥工程において、レジスト膜に硬さのばらつきが発生すると、乾燥工程終了後に風紋や吹かれムラと呼ばれる膜厚のばらつきが発生することがある。この膜厚のばらつきは、膜厚が厚いレジスト膜ほど顕著に発生し、３０μｍ以上のレジスト膜が形成される場合に特に顕著に発生する。
【０００８】
特許文献１にはレジスト膜の膜厚のばらつきの発生が抑制されるように構成されたレジスト膜乾燥装置が記載されている。このレジスト膜乾燥装置では、対流抑制板が、加熱プレート上の基板に塗布されたレジスト膜の表面に近接するように、対流抑制板の下面がレジスト膜の表面に対向する位置に配置されている。
【０００９】
このレジスト膜乾燥装置では、レジスト膜の表面と対流抑制板の下面との間の空間が狭く、乾燥工程中、この空間内に大きな温度差が発生しないため、レジスト膜の表面近傍には熱対流が発生しにくい。また、対流抑制板より上方の空間に熱対流が発生しても、レジスト膜の表面近傍は対流抑制板に覆われているため、レジスト膜はこの熱対流の影響を受けにくい。このように、このレジスト膜乾燥装置では、対流抑制板が配置されていることにより、レジスト膜が熱対流の影響を受けることを抑制できる。
【特許文献１】特開２００３−３０５３９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献１に記載されたレジスト膜乾燥装置は、大気中で使用されるため、乾燥工程中に蒸発したレジスト膜の溶媒成分が周囲に充満することが考えられる。また、レジスト膜と対流抑制板との隙間にゴミ等が混入してレジスト膜の表面に付着することによりレジスト膜の品質が低下することがありうる。
【００１１】
これらを抑制するために、レジスト膜乾燥装置の周囲を覆う外装および排気機構を設けることが考えられる。しかし、外装および排気機構を設けると、外装の内部には排気による強制的な空気の流れが発生する。そのため、乾燥工程において、対流抑制板を配置させることでレジスト膜が熱対流の影響を受けることを抑制できても、レジスト膜が排気による空気の流れの影響を受けることで膜厚のばらつきが発生することが考えられる。
【００１２】
そこで、本発明は、周囲の環境を損なうことなく、レジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制するレジスト膜乾燥装置およびレジスト膜乾燥方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明のレジスト膜乾燥装置は、基板に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜を加熱する加熱手段を有するレジスト膜乾燥装置において、前記レジスト膜の表面に近接するように、下面が前記レジスト膜の表面に対向する位置に配置された板部材と、該板部材の下面の外周の外側上方から排気を行う排気手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、周囲の環境を損なうことなく、レジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制するレジスト膜乾燥装置およびレジスト膜乾燥方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係るレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。このレジスト膜塗布乾燥装置は、基板９を搬入するセンダ６と、基板９にレジストを塗布するスピンコータ７と、基板９に塗布されたレジスト膜を乾燥させるレジスト膜乾燥装置１と、レジスト膜が形成された基板９が搬送されるレシーバ８と、を有している。レジスト膜乾燥装置１は、レジスト膜を加熱して乾燥させる３つの加熱プレート２と、レジスト膜が形成された基板９を冷却する冷却プレート４と、を有している。
【００１７】
レジスト膜乾燥装置１では、３つの加熱プレート２が並べて配置されており、各々の加熱プレート２は個別に温度条件の設定が可能である。よって、レジスト膜乾燥装置１では、レジストが塗布された基板９を、段階的に温度条件が変更された各々の加熱プレート２に連続して搬送させて、レジスト膜をより安定して乾燥させることによりレジスト膜の高品質化が図れる。なお、レジスト膜乾燥装置は、加熱プレートを複数有していることが望ましいが、少なくとも１つ有していればよい。
【００１８】
このレジスト膜塗布乾燥装置では、まず、センダ６にセットされた基板９が、スピンコータ７のカップに搬送され、バキュームチャックされる。その後、液状のレジストが基板９の中央部に滴下され、スピンコータ７のカップが高速回転させられることにより、レジストが基板９の全面に均一に広げられる。そして基板９が、各加熱プレート２に搬送され、加熱されることによりレジスト膜が乾燥させられた後に、冷却プレート４に搬送され基板９およびレジスト膜が冷却される。その後、レジスト膜が形成された基板９がレシーバ８に搬送され、レジスト膜形成工程が終了する。
【００１９】
次に、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置の詳細について図２を参照して説明する。
【００２０】
図２（Ａ）は本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図で、図２（Ｂ）はそのレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向に直交する側断面図である。図２（Ａ），（Ｂ）は、レジスト膜乾燥装置１の、基板９上に塗布されたレジスト膜１０が加熱プレート２に加熱されて乾燥させられる乾燥工程中の状態を示している。
【００２１】
レジスト膜乾燥装置１は、内部にヒータ（不図示）を備えた加熱プレート２と、板部材である対流抑制板３と、加熱プレート２を収容した加熱プレートボックス２ａと、対流抑制板３の上面の全体を覆った外装排気カバー５と、を有している。
【００２２】
加熱プレート２上には基板９を支持する少なくとも３つのプロキシピン２ｂが設けられており、レジストが塗布された基板９が、搬送ハンド（不図示）等によりスピンコータ７のカップから加熱プレート２のプロキシピン２ｂ上に搬送される。加熱プレート２によって基板９およびレジスト膜１０が加熱されると、基板９に塗布されたレジスト膜１０の温度が上昇し、レジスト膜１０に含まれている溶媒成分が蒸発する。
【００２３】
なお、プロキシピン２ｂの高さを変更することによって、加熱プレート２と基板９との距離を調整することができる。これにより、基板９の昇温速度を変更することで、レジスト膜１０の溶媒成分を蒸発させる速度を調整して、レジスト膜１０の高品質化を図ることができる。レジスト膜乾燥装置１ではプロキシピン２ｂの高さは０．２ｍｍに設定している。
【００２４】
レジスト膜乾燥装置１では、対流抑制板３が、レジスト膜１０の表面に近接するように、対流抑制板３の下面がレジスト膜１０の表面に対向する位置に配置されている。対流抑制板３は、厚さ１ｍｍの円盤状に、レジスト膜１０の表面よりも表面の面積が大きくなるように形成され、下面がレジスト膜１０の表面の全体を覆うように配置されている。
【００２５】
レジスト膜乾燥装置１では、レジスト膜１０の表面に近接するように対流抑制板３が配置されていることにより、乾燥工程においてレジスト膜１０の表面近傍に熱対流が生じにくく、レジスト膜１０の膜厚のばらつきの発生が抑制される。また、対流抑制板３がレジスト膜１０の表面の全体を覆っていることにより、レジスト膜１０は、より外周に近接する部分まで膜厚のばらつきの発生が抑制される。
【００２６】
また、レジスト膜乾燥装置１では、加熱プレート２が加熱プレートボックス２ａに収容されている。加熱プレートボックス２ａは、側壁となる壁部材が対流抑制板３の下面よりも高く形成されており、上部が開口されている。これにより、レジスト膜乾燥装置１では、レジスト膜１０と対流抑制板３とのとの間に形成された隙間空間が、加熱プレートボックス２ａの側壁に囲まれているため、レジスト膜１０の表面にゴミ等が付着することを抑制できる。
【００２７】
また、レジスト膜乾燥装置１には、対流抑制板３の上面の全体を覆うように対流抑制板３の上面に対して対向配置されたカバー部材である外装排気カバー５が設けられている。これにより、加熱プレートボックス２ａの開口された上部からゴミ等が混入することを防止できる。
【００２８】
また、外装排気カバー５には、対流抑制板３の外周に対向する部分よりも外側の領域に排気口５ａが形成されており、レジスト膜１０から蒸発した溶媒成分が排気口５ａから吸引されて排気管（不図示）等を介して屋外に排出される。外装排気カバー５による排気は、遅くともレジスト膜１０が加熱プレート２によって加熱される以前に開始される。これにより、レジスト膜１０から蒸発した溶媒成分が周囲に充満することが抑制される。
【００２９】
また、レジスト膜乾燥装置１では、排気口５ａが、加熱されて蒸発したレジスト膜１０の溶媒成分が向かおうとする、対流抑制板３の外周の外側上方に配置されていることにより、強制的な空気の流れを作らずにレジスト膜１０の溶媒成分が排気される。また、加熱プレートボックス２ａと外装排気カバー５とが互いに離間して配置されており、加熱プレートボックス２ａの内部は密閉されていないため、排気による空気の流れによって加熱プレートボックス２ａの内部に対流が発生しにくい。
【００３０】
さらに、外装排気カバー５の下面には、中央領域から排気口５ａへ向けて上方に傾斜する傾斜面が形成されている。これにより、上方へ向かおうとする加熱されて蒸発した溶媒成分が効率良く、強制的な空気の流れを作ることなく排気される。
【００３１】
以上述べたように、レジスト膜乾燥装置１では、加熱プレートボックス２ａ内に排気による空気の流れが発生しにくいため、レジスト膜１０に膜厚のばらつきが発生することを抑制できる。
【００３２】
レジスト膜１０の加熱プレート２による乾燥が終了すると、対流抑制板３を支持している対流抑制板支持アーム３ａが対流抑制板昇降シリンダ３ｂにより上昇させられ、レジスト膜１０が形成された基板９が搬送ハンド等により冷却プレート４に搬送される。
【００３３】
本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１と比較するために、図３および図４に示すレジスト膜乾燥装置を用意した。
【００３４】
図３（Ａ）は比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図で、図３（Ｂ）はそのレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向に直交する側断面図である。レジスト膜乾燥装置１１の加熱プレート１２は加熱プレートボックス１２ａに収容されている。また、加熱プレートボックス１２ａの、加熱プレート１２の上方の中央領域には排気口１２ｂが形成されており、レジスト膜２０から蒸発した溶媒成分が排気口１２ｂから吸引されて排気管等を介して屋外に排出される。なお、加熱プレートボックス１２ａの排気口１２ｂ以外の部分は密閉されている。
【００３５】
レジスト膜乾燥装置１１と本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１とは、２つの点において異なる。まず１点目は、レジスト膜乾燥装置１ではレジスト膜の表面の全体を覆うように対流抑制板３が配置されているのに対し、レジスト膜乾燥装置１１では対流抑制板が配置されていない点である。２点目は、レジスト膜乾燥装置１では、外装排気カバー５に形成された排気口５ａから排気が行われるのに対し、レジスト膜乾燥装置１１では、密閉された加熱プレートボックス１２ａの中央領域に形成された排気口１２ｂから排気が行われる点である。
【００３６】
図４（Ａ）は比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図で、図４（Ｂ）はそのレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向に直交する側断面図である。レジスト膜乾燥装置１１ａは、図３に示したレジスト膜乾燥装置１１に、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１の対流抑制板３と同様の対流抑制板１３を取り付けたものである。対流抑制板１３は、レジスト膜２０ａの表面に近接するように、対流抑制板１３の下面がレジスト膜２０ａの表面に対向する位置に配置されている。
【００３７】
レジスト膜乾燥装置１１ａと本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１とは、１つの点において異なる。すなわち、レジスト膜乾燥装置１では、外装排気カバー５に形成された排気口５ａから排気を行っているのに対し、レジスト膜乾燥装置１１ａでは、密閉された加熱プレートボックス１２ａの中央領域に形成された排気口１２ｂから排気を行っている点である。
【００３８】
図５は、比較用のレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。このレジスト膜塗布乾燥装置では、図１に示したレジスト膜塗布乾燥装置と同様に、基板が、センダ１６から、スピンコータ１７、加熱プレート１２、冷却プレート１４、レシーバ１８へと連続して搬送されて、レジスト膜が形成される。
【００３９】
次に、比較用のレジスト膜乾燥装置１１，１１ａを用いて乾燥させたレジスト膜と、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて乾燥させたレジスト膜とを比較した結果について説明する。なお、いずれのサンプルも、レジストには同等の成分を有するものを用い、以下に特に示す条件以外は同様の条件で、乾燥後のレジスト膜の平均膜厚が７５μｍになるように処理した。また、いずれのサンプルでも、基板には厚さ０．６２５ｍｍの６インチＳｉ基板を使用し、乾燥工程では、加熱プレートを１つのみ用いて基板の温度を９０℃で１５分間保持することにより基板に塗布されたレジスト膜を乾燥させた。また、膜厚分布は、基板外周部５ｍｍを除き２ｍｍピッチで測定した約３８００ポイントを評価の対象とした。
【００４０】
図６は、図３に示した比較用のレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。レジスト膜２０の表面には目視で確認できる風紋が発生しており、乾燥工程において、レジスト膜２０が熱対流の影響を受けていることが確認された。また、最大膜厚と最小膜厚との差は１５μｍであり、膜厚分布は平均膜厚に対して２０％の幅を有しており不均一であることがわかった。
【００４１】
図７は、図４に示した比較用のレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。レジスト膜乾燥装置１１ａにおいて基板１９ａに塗布されたレジスト膜２０ａの表面と対流抑制板１３の下面との間隔はｄ＝６ｍｍとした。レジスト膜２０ａの表面には、レジスト膜２０よりは抑制されてはいるものの風紋が見られた。また、最大膜厚と最小膜厚との差は１０μｍ以上あり不均一であることがわかった。
【００４２】
レジスト膜乾燥装置１１ａでは、対流抑制板１３が配置されているにもかかわらず、レジスト膜２０ａに風紋が見られたことから、レジスト膜２０ａが熱対流以外の空気の流れの影響を受けていることがわかる。すなわち、レジスト膜乾燥装置１１ａでは、排気口１２ｂから排気されることにより、排気口１２ｂへ向かう空気の流れが発生することによって、密閉された加熱プレートボックス１２ａ内に対流が発生したことが考えられる。
【００４３】
図８は、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。基板に塗布されたレジスト膜の表面と対流抑制板３の下面との間隔はｄ＝６ｍｍとした。レジスト膜の表面には風紋等の乱れは確認されなかった。また、最大膜厚と最小膜厚との差は７〜８μｍであり、膜厚分布は平均膜厚に対して１０％程度の幅に収まっており均一であることがわかった。
【００４４】
これは、レジスト膜乾燥装置１では、対流抑制板３によってレジスト膜の表面近傍での熱対流の発生が抑制され、かつ、外装排気カバー５によって加熱プレートボックス２ａ内での排気による空気の流れの発生が抑制されたことの効果であると考えられる。
【００４５】
また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて、レジスト膜の表面と対流抑制板３の下面との間隔をｄ＝８ｍｍとして基板に形成されたレジスト膜も、膜厚分布は平均膜厚に対して１０％程度の幅に収まっており均一であることがわかった。
【００４６】
また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて、レジスト膜の表面と対流抑制板３の下面との間隔をｄ＝１０ｍｍとして基板に形成されたレジスト膜には、若干の風紋が見られた。また、最大膜厚と最小膜厚との差は１０μｍ以上あり不均一であった。これは、レジスト膜の表面と対流抑制板３の下面との間隔を大きくしたことにより、対流抑制板３の熱対流を抑制する効果が弱まり、レジスト膜の表面近傍に熱対流が発生したためであると考えられる。
【００４７】
図９は、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて、レジスト膜の表面と対流抑制板３の下面との間隔をｄ＝４ｍｍとして基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。レジスト膜の表面には風紋等の乱れは確認されず、対流抑制板３および外装排気カバー５を設置したことの効果が確認できた。しかし、最大膜厚と最小膜厚との差は１０μｍ以上あり膜厚が不均一であった。この結果は、レジスト膜の表面と対流抑制板３の下面とをより近接させた場合には、温度条件等をさらに検討する必要があることを示唆していると考えられる。
【００４８】
以上の結果をまとめたものを表１に示す。
【００４９】
【表１】
【００５０】
◎：良好であった。
○：風紋等の乱れは見られなかったが、最大膜厚と最小膜厚との差が１０μｍ以上であった。
△：風紋が若干見られた。
×：風紋が多く見られた。
【００５１】
この結果から、レジスト膜乾燥装置１において、対流抑制板３および外装排気カバー５を設置したことの効果が確認できた。また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１では、レジスト膜の表面と対流抑制板との間隔を６ｍｍ以上８ｍｍ以下にした場合に、特にレジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制できることがわかった。
【００５２】
また、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置１を用いて、同様の方法で、膜厚を変更して基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を評価した。その結果、乾燥後の平均膜厚が１００μｍ以下のレジスト膜において、膜厚分布が平均膜厚の１０％程度の幅に収まっており、均一な膜厚が得られることが確認できた。よって、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置によれば、３０μｍ以上１００μｍ以下のレジスト膜を形成する場合に、特に効果的にレジスト膜の膜厚のばらつきが発生することを抑制できる。
【００５３】
以上述べたように、本実施形態に係るレジスト膜乾燥装置によれば、周囲の環境を損なうことなく、レジスト膜に、風紋等の乱れが発生することや膜厚のばらつきが発生することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図および基板搬送方向に直交する側断面図である。
【図３】比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図および基板搬送方向に直交する側断面図である。
【図４】比較用のレジスト膜乾燥装置の加熱プレート部分の基板搬送方向の側断面図および基板搬送方向に直交する側断面図である。
【図５】比較用のレジスト膜乾燥装置を備えたレジスト膜塗布乾燥装置の内部を示した上面図である。
【図６】図３に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。
【図７】図４に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。
【図８】図２に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。
【図９】図２に示したレジスト膜乾燥装置を用いて基板に形成されたレジスト膜の膜厚分布を示した図である。
【符号の説明】
【００５５】
１ レジスト膜乾燥装置
２ 加熱プレート
２ａ 加熱プレートボックス
２ｂ プロキシピン２ｂ
３ 対流抑制板
３ａ 対流抑制板支持アーム
３ｂ 対流抑制板昇降シリンダ
４ 冷却プレート
５ 外装排気カバー
５ａ 排気口
６ センダ
７ スピンコータ
８ レシーバ
９ 基板
１０ レジスト膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜を加熱する加熱手段を有するレジスト膜乾燥装置において、
前記レジスト膜の表面に近接するように、下面が前記レジスト膜の表面に対向する位置に配置された板部材と、該板部材の下面の外周の外側上方から排気を行う排気手段と、を有することを特徴とするレジスト膜乾燥装置。
【請求項２】
前記レジスト膜の表面と前記板部材の下面との間に形成された隙間空間の周囲を囲む壁部材をさらに有する、請求項１に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項３】
前記排気手段は、前記板部材の上面の全体を覆うように前記上面に対して対向配置されたカバー部材を有し、前記カバー部材の、前記板部材の外周に対向する部分よりも外側の領域には排気口が形成されている、請求項１または２に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項４】
前記カバー部材の下面には、前記カバー部材の中央領域から前記排気口へ向けて上方に傾斜する傾斜面が形成されている、請求項３に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項５】
前記カバー部材と前記壁部材とが互いに離間して配置されている、請求項３または４に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項６】
前記板部材の下面は、前記レジスト膜の表面の全体を覆っている、請求項１から５のいずれか１項に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項７】
前記レジスト膜の表面と前記板部材の下面との間隔が６ｍｍ以上８ｍｍ以下である、請求項１から６のいずれか１項に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項８】
基板に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜を加熱して前記溶媒成分を蒸発させる蒸発工程を有するレジスト膜乾燥方法において、
前記レジスト膜の表面に近接するように、板部材を、該板部材の下面が前記レジスト膜の表面に対向する位置に配置する配置工程と、前記板部材の下面の外周の外側上方から排気を行う排気工程と、を有しており、
遅くとも前記蒸発工程を開始する以前に前記配置工程および前記排気工程を開始することを特徴とするレジスト膜乾燥方法。
【請求項９】
前記配置工程は、前記板部材を、前記板部材の下面が前記レジスト膜の表面の全体を覆うように配置することを含む、請求項８に記載のレジスト膜乾燥方法。
【請求項１０】
前記配置工程は、前記レジスト膜の表面と前記板部材の下面との間隔が６ｍｍ以上８ｍｍ以下になるように前記板部材を配置することを含む、請求項８または９に記載のレジスト膜乾燥方法。
【請求項１１】
前記蒸発工程は、前記レジスト膜の乾燥後の平均膜厚を３０μｍ以上１００μｍ以下とすることを含む、請求項８から１０のいずれか１項に記載のレジスト膜乾燥方法。
【請求項１２】
前記レジスト膜と前記板部材との間に形成された隙間空間の周囲を壁部材で囲んだ状態で前記蒸発工程を行う、請求項８から１１のいずれか１項に記載のレジスト膜乾燥方法。
【請求項１３】
前記板部材の上面に対して対向配置されたカバー部材によって前記上面の全体を覆った状態で前記蒸発工程を行う、請求項８から１２のいずれか１項に記載のレジスト膜乾燥方法。
【請求項１】
基板に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜を加熱する加熱手段を有するレジスト膜乾燥装置において、
前記レジスト膜の表面に近接するように、下面が前記レジスト膜の表面に対向する位置に配置された板部材と、該板部材の下面の外周の外側上方から排気を行う排気手段と、を有することを特徴とするレジスト膜乾燥装置。
【請求項２】
前記レジスト膜の表面と前記板部材の下面との間に形成された隙間空間の周囲を囲む壁部材をさらに有する、請求項１に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項３】
前記排気手段は、前記板部材の上面の全体を覆うように前記上面に対して対向配置されたカバー部材を有し、前記カバー部材の、前記板部材の外周に対向する部分よりも外側の領域には排気口が形成されている、請求項１または２に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項４】
前記カバー部材の下面には、前記カバー部材の中央領域から前記排気口へ向けて上方に傾斜する傾斜面が形成されている、請求項３に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項５】
前記カバー部材と前記壁部材とが互いに離間して配置されている、請求項３または４に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項６】
前記板部材の下面は、前記レジスト膜の表面の全体を覆っている、請求項１から５のいずれか１項に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項７】
前記レジスト膜の表面と前記板部材の下面との間隔が６ｍｍ以上８ｍｍ以下である、請求項１から６のいずれか１項に記載のレジスト膜乾燥装置。
【請求項８】
基板に塗布された溶媒成分を含むレジスト膜を加熱して前記溶媒成分を蒸発させる蒸発工程を有するレジスト膜乾燥方法において、
前記レジスト膜の表面に近接するように、板部材を、該板部材の下面が前記レジスト膜の表面に対向する位置に配置する配置工程と、前記板部材の下面の外周の外側上方から排気を行う排気工程と、を有しており、
遅くとも前記蒸発工程を開始する以前に前記配置工程および前記排気工程を開始することを特徴とするレジスト膜乾燥方法。
【請求項９】
前記配置工程は、前記板部材を、前記板部材の下面が前記レジスト膜の表面の全体を覆うように配置することを含む、請求項８に記載のレジスト膜乾燥方法。
【請求項１０】
前記配置工程は、前記レジスト膜の表面と前記板部材の下面との間隔が６ｍｍ以上８ｍｍ以下になるように前記板部材を配置することを含む、請求項８または９に記載のレジスト膜乾燥方法。
【請求項１１】
前記蒸発工程は、前記レジスト膜の乾燥後の平均膜厚を３０μｍ以上１００μｍ以下とすることを含む、請求項８から１０のいずれか１項に記載のレジスト膜乾燥方法。
【請求項１２】
前記レジスト膜と前記板部材との間に形成された隙間空間の周囲を壁部材で囲んだ状態で前記蒸発工程を行う、請求項８から１１のいずれか１項に記載のレジスト膜乾燥方法。
【請求項１３】
前記板部材の上面に対して対向配置されたカバー部材によって前記上面の全体を覆った状態で前記蒸発工程を行う、請求項８から１２のいずれか１項に記載のレジスト膜乾燥方法。
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図１】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図３】
【図４】
【図５】
【図１】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−２６００１０（Ｐ２００９−２６００１０Ａ）
【公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１０６７８６（Ｐ２００８−１０６７８６）
【出願日】平成２０年４月１６日（２００８．４．１６）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月１６日（２００８．４．１６）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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