中継基板および中継基板の製造方法、ならびに中継基板を用いた検査装置、さらには検査装置を用いた回路基板の検査方法
【課題】 検査対象の回路基板が微細ピッチの電極を有するものであっても信頼性の高い電気検査を行うことができる回路基板の検査装置および回路基板の検査方法を提供する。
【解決手段】 中継ピンユニット３１が、中間保持板３６と、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間に配置された第１の支持ピン３３と、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間に配置された第２の支持ピン３７とを備えるとともに、第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。また、基板に形成された複数の貫通孔に、弾性高分子物質からなる絶縁部６２と、導電性粒子を含有する弾性高分子物質からなり絶縁部６２を厚み方向へ貫通する導電路形成部６１とが形成された中継基板２９を設置し、ピッチ変換用基板２３と被検査回路基板１との電気的接続を中継するようにした。
【解決手段】 中継ピンユニット３１が、中間保持板３６と、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間に配置された第１の支持ピン３３と、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間に配置された第２の支持ピン３７とを備えるとともに、第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。また、基板に形成された複数の貫通孔に、弾性高分子物質からなる絶縁部６２と、導電性粒子を含有する弾性高分子物質からなり絶縁部６２を厚み方向へ貫通する導電路形成部６１とが形成された中継基板２９を設置し、ピッチ変換用基板２３と被検査回路基板１との電気的接続を中継するようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気検査を行う検査対象である回路基板（以下、「被検査回路基板」という。）の両側に配置されて、回路基板の端子の導通を外部に導く中継基板、およびこの中継基板の製造方法、ならびにこの中継基板を用いた検査装置、さらには、この検査装置を用いた回路基板の検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集積回路などを実装するためのプリント回路基板は、集積回路などを実装する前に、回路基板の配線パターンが所定の性能を有することを確認するために電気的特性が検査される。
【０００３】
この電気検査では、例えば、回路基板の搬送機構を備えた検査用テスターに検査ヘッドを組み込み、検査ヘッド部分を交換することにより異なる回路基板の検査を行っている。
例えば、特許文献１に開示されているように、被検査回路基板の被検査電極に接して電気的に導通する金属の検査ピンを基板に植設した構造の検査治具を用いる方法が提案されている。
【０００４】
また、特許文献２に開示されているように、導電ピンを有する検査ヘッドと、オフグリットアダプターと呼ばれるピッチ変換用の回路基板と、異方導電性シートとを組み合わせた検査治具を用いる方法が知られている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１のように、金属検査ピンを直接に被検査回路基板の被検査電極に接触させる検査治具を用いる方法では、金属からなる導電ピンとの接触により被検査回路基板の電極が損傷する可能性がある。
【０００６】
特に、近年では回路基板における回路の微細化、高密度化が進み、このようなプリント回路基板を検査する場合、多数の導電ピンを被検査回路基板の被検査電極に同時に導通接触させるためには、高い圧力で検査治具を加圧することが必要となり、被検査電極が損傷し易くなる。
【０００７】
そして、このような微細化、高密度化されたプリント回路基板を検査するための検査治具では、高密度で多数の金属ピンを基板に植設することが技術的に困難になりつつある。また、その製造コストも高価となり、さらに、一部の金属ピンが損傷した場合に、修理、交換することが困難である。
【０００８】
一方、特許文献２のように、異方導電性シートを使用する検査治具では、被検査回路基板の被検査電極が、異方導電性シートを介してピッチ変換用基板の電極と接触することになるため、被検査回路基板の被検査電極が損傷しにくいという利点がある。また、ピッチ変換を行う基板を使用しているため、基板に植設する検査ピンを、被検査回路基板の被検査電極のピッチよりも広いピッチで植設することができるため、微細ピッチで検査ピンを植設する必要がなく、検査治具の製造コストを節約できるという利点もある。
【０００９】
しかしながら、この検査治具では、検査対象である被検査回路基板ごとに、ピッチ変換用基板と、検査ピンを植設する検査治具とを作成する必要があるため、検査される被検査回路基板であるプリント回路基板と同数の検査治具が必要となる。
【００１０】
このため、複数のプリント回路基板を生産している場合では、それに対応して複数の検査治具を保有しなければならないという問題がある。特に、近年では電子機器の製品サイクルが短縮し、製品に使用されるプリント回路基板の生産期間の短縮化が進んでいるが、これに伴って検査治具を長期間使用することができなくなり、プリント回路基板の生産が切り替わる度に検査治具を生産しなければならないという問題が生じている。
【００１１】
このような問題への対策として、例えば、特許文献３〜５のような、中継ピンユニットを用いる、いわゆるユニバーサルタイプの検査治具を用いた検査装置が提案されている。
図３０は、このようなユニバーサルタイプの検査治具を用いた検査装置の断面図である。この検査装置は、一対の第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂとを備え、これらの検査治具は、回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂと、中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂと、テスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂとを備えている。
【００１２】
回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂは、ピッチ変換用基板１２３ａ、１２３ｂと、その両面側に配置される中継基板（第１の異方導電性シート）１２２ａ、１２２ｂと、第２の異方導電性シート１２６ａ、１２６ｂとを有している。
【００１３】
中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂは、一定ピッチ（例えば２．５４ｍｍピッチ）で格子点上に多数（例えば５０００ピン）配置された導電ピン１３２ａ、１３２ｂと、この導電ピン１３２ａ、１３２ｂを上下へ移動可能に支持する一対の絶縁板１３４ａ、１３４ｂとを有している。
【００１４】
テスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂは、被検査回路基板１０１を検査治具１１１ａ、１１１ｂで挟圧した際に、テスターと導電ピン１３２ａ、１３２ｂとを電気的に接続するコネクタ基板１４３ａ、１４３ｂと、コネクタ基板１４３ａ、１４３ｂの導電ピン１３２ａ、１３２ｂ側に配置される第３の異方導電性シート１４２ａ、１４２ｂと、ベース板１４６ａ、１４６ｂとを有している。
【００１５】
この中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂを使用した検査治具は、異なる被検査対象であるプリント回路基板を検査する際に、回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂを被検査回路基板１０１に対応するものに交換するだけでよく、中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂとテスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂは共通で使用できる。
【００１６】
ところで、被検査回路基板１０１であるプリント配線基板は、多層高密度化してきており、実際には厚み方向に、例えば、ＢＧＡなどのハンダボール電極などの被検査電極１０２、１０３による高さバラツキや基板自体の反りが生じている。そのため、被検査回路基板１０１上の検査点である被検査電極１０２、１０３に電気的接続を達成するためには、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂとを高い圧力で加圧して、被検査回路基板１０１を平坦に変形する必要がある。また、被検査電極１０２、１０３の高さバラツキに対しては、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂの被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性が必要となる。
【００１７】
従来のこのようなユニバーサルタイプの検査治具では、被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性を確保するために、導電ピン１３２ａ、１３２ｂの軸方向移動により追従していたが、この導電ピン１３２ａ、１３２ｂの軸方向移動量にも限界があるため、このような被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性が良好でない場合があり、導通不良が発生して正確な検査ができないことになる。
【００１８】
また、このようなユニバーサルタイプの検査治具では、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂによって、被検査回路基板１０１を挟圧した際のプレス圧力は、その
上下の中継基板１２２ａ、１２２ｂ、異方導電性シート１２６ａ、１２６ｂ、１４２ａ、１４２ｂにて吸収している。
【００１９】
そのため、このようなユニバーサルタイプの検査治具では、ピッチ変換用基板１２３ａ、１２３ｂを支持しプレス圧を分散させるために、一定間隔で導電ピン１３２ａ、１３２ｂを配置する必要がある。
【００２０】
また、従来のユニバーサルタイプの検査治具では、プレス圧力は導電ピン１３２ａ、１３２ｂで受けるようになっているため、一定間隔で多数の導電ピン１３２ａ、１３２ｂを配置する必要がある。
【００２１】
このため、被検査回路基板１０１の電極の微細化に対応して、例えば、０．７５ｍｍピッチで１万以上の貫通孔を有する絶縁板１３４ａ、１３４ｂを形成する場合、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの基板の厚さが薄いと強度が低くなり、曲げた時に割れることもあるので、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの厚さは厚めにする必要があった。
【００２２】
しかしながら、形成する貫通孔の径が例えば直径０．５ｍｍ程度と微細になり、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの厚さが５ｍｍ以上になると、一回のドリル加工で貫通孔を形成しようとする場合に、ドリルの刃の強度の関係で、ドリルの刃の欠損、折れが生じて絶縁板の加工に失敗する場合が多くなる。
【００２３】
このため、絶縁板の片面から厚みの半分程度までドリル加工し、さらに他面側から同一部分にドリル加工を行うことにより貫通孔を形成することによって絶縁板の加工を行っているが、この場合、絶縁板に形成する貫通孔数の２倍のドリル加工作業が必要となり、加工工程が煩雑となるという問題があった。
【００２４】
また、従来のこうしたユニバーサルタイプの検査治具では、回路基板側コネクタを構成する中継基板１２２ａ、１２２ｂとして、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有されて面方向に不均一に分散され、シート片面側に導電路形成部が突出した偏在型の異方導電性シートを使用していた。この異方導電性シートは検査での繰り返し使用により導電路形成部が劣化（抵抗値の上昇）し、異方導電性シートを交換する場合、交換の度に異方導電性シートとピッチ変換用基板との位置合わせ、および回路基板側コネクタと中継ピンユニットとの位置合わせが必要であり、この位置合わせ作業が煩雑で検査効率の低下の要因となっていた。
【００２５】
一方、図３１に示したように、支持体７３の貫通孔内に配置された弾性高分子物質からなる絶縁部６２内に、複数の導電路形成部６１を形成した中継基板が本出願人により提供されている（特許文献６）。図３１に示した特許文献６の中継基板では、導電路形成部６１内に磁性を示す導電性粒子が、絶縁部６２の厚み方向に配向されている。また、導電路形成部６１の突出部６１ａが絶縁部６２の表面から突出され、さらに導電路形成部６１の両端面に金属膜６４が具備されている。
【００２６】
このように導電路形成部６１の端面に金属膜６４が具備されることにより、導電路形成部６１の加圧変形が容易なものとされ、導電路形成部６１において導電性粒子間に十分な電気的接触を得ることができる。
【特許文献１】特開平６−９４７６８号公報
【特許文献２】特開平５−１５９８２１号公報
【特許文献３】特開平７−２４８３５０号公報
【特許文献４】特開平８−２７１５６９号公報
【特許文献５】特開平８−３３８８５８号公報
【特許文献６】特願２００５−２０５６８４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
しかしながら、図３１の特許文献６に開示されているように、絶縁部６２から導電路形成部６１が突出され、その突出部６１ａの端面に金属膜６４が具備されている中継基板が、回路基板の検査装置に使用されていると、以下のような問題があった。
【００２８】
すなわち、回路基板の検査には、何万回も繰り返して同じ押圧動作が行なわれるため、金属膜６４が場合によっては導電路形成部６１の端面から脱落してしまうことがあった。
したがって、このように脱落が生じてしまった場合には、新たな中継基板を用意するとともに、金属膜６４の脱落を定期的に確認し、脱落が生じてしまった場合に新たな中継基板と交換しなければならないという問題があった。
【００２９】
本発明は、このような実情に鑑み、中継基板の導電路形成部に設置された金属膜の脱落を可及的に防止し、繰り返し使用による耐久性を向上させることができる中継基板を提供することを目的としている。
【００３０】
また、本発明は、このように耐久性を十分に向上させることもできる中継基板を容易に製造することができる中継基板の製造方法を提供することを目的としている。
さらに、本発明は、このような中継基板を用いて繰り返し使用による耐久性を向上させ、しかも回路基板を検査するのに好適な回路基板の検査装置を提供することを目的としている。
【００３１】
また、本発明は、このような検査装置を用いた回路基板の検査方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本発明に係る中継基板は、
検査対象となる被検査回路基板と、一面側と他面側との間で電極のピッチを変換するピッチ変換用基板との間の電気的接続を中継するとともに、
磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に含有された複数の導電路形成部が、支持体に形成された貫通孔内に絶縁性のシリコン被膜を介して相互に絶縁された状態で支持され、さらに、前記導電路形成部の厚み方向端部に金属からなる接点部材が一体的に具備され、さらに、当該接点部材の頂部が前記絶縁性のシリコン被膜から厚み方向外方に突出して配置されてなることを特徴としている。
【００３３】
このような構成の中継基板であれば、被検査回路基板とピッチ変換用基板との間の電気的接続を確実にすることができる。
また、本発明では、前記接点部材と前記導電路形成部との間は、
前記接点部材の側周面を囲繞するように塗布された接点部材側の液状シリコンゴムが加熱加圧硬化されるときに、前記支持体側に予め塗布されている支持体側の液状シリコンゴムとともに硬化されて一体化されていることを特徴としている。
【００３４】
係る構成の中継基板によれば、接点部材の周囲に液状シリコンゴムが塗布され、この液状シリコンゴムが硬化されるときに、予め支持体側に塗布された液状シリコンゴムと一体になって硬化されるので、接点部材すなわち特許文献６の金属膜に相当する部材と、導電路形成部との接着が確実なものとされる。
【００３５】
また、本発明では、前記接点部材の側周面に予め塗布された液状シリコンゴムと前記支持体側に予め塗布された液状シリコンゴムとは、加圧されることにより前記支持体に形成された貫通孔の外側領域にまで延展されていることが好ましい。
【００３６】
このような構成であれば、接点部材の接着力を極力向上させることができる。
さらに、本発明では、前記支持体側に予め塗布されている液状シリコンゴムは、塗布時において前記支持体の表面および前記導電路形成部の表面に対して液面が外方に盛り上がるように塗布されていることが好ましい。
【００３７】
このような構成であれば、液状シリコンゴムが十分に確保されるので、接着効果が向上する。
また、本発明では、前記接点部材は、加圧時に前記導電路形成部を内方に押圧して、当該接点部材の先端面が前記導電路形成部の内方に入り込んだ状態で前記液状シリコンゴムが硬化されていることが好ましい。
【００３８】
このような構成であれば、接点部材が導電部形成部を押圧して内方に入り込んだ状態で硬化されるので、導電路形成部と接点部材との接触が確実なものとされる。これにより、検査対象の導通を良好にすることができる。
【００３９】
さらに、本発明に係る中継基板の製造方法は、導電性ペーストが内部に塗布されるべき貫通孔が予め形成された支持体の下面側に、金属層とレジスト層との複合フィルムのレジスト層内に該レジスト層の厚さと略同じ厚さで磁性金属が予めメッキされた複合フィルムを当該複合フィルムの前記金属層側を前記支持体側に対向させた向きで配置する第１の複合フィルム配置工程と、
前記支持体に形成された前記貫通孔内に導電性ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、
前記貫通孔内に前記導電性ペーストが塗布された前記支持体の上面側に、前記第１の複合フィルム配置工程で使用された複合フィルムと同一構造の他の複合フィルムを、当該複合フィルムのレジスト層側を前記支持体側に対向させた向きで配置する第２の複合フィルム配置工程と、
前記支持体の上下両面に前記複合フィルムがそれぞれ配置され、前記貫通孔内に前記導電性ペーストが塗布された前記支持体に対し、前記導電性ペーストの厚み方向に磁場を作用させることにより、前記導電性ペースト内の磁性粒子を配向し、これにより磁性粒子による導電路形成部を形成する磁場配向工程と、
磁場配向された前記支持体にレーザー加工を施すことにより、前記導電路形成部の周囲に液状シリコンゴムを塗布するための凹所を形成する液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程と、
予め、金属層の一方面に金属接点用のメッキ金属が具備され、このメッキ金属の周囲に液状シリコンゴムが塗布されてなる金属接点用のメッキ金属保持板を用意するメッキ金属保持体準備工程と、
前記液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程で得られた支持体ユニット内に液状シリコンゴムを塗布する液状シリコンゴム塗布工程と、
前記メッキ金属保持体準備工程で得られたメッキ金属保持体と、前記液状シリコンゴム塗布工程で得られた前記支持体ユニットとを、互いの液状シリコンゴム同士が密接しあうように加圧し重ね合わせて積層するとともに、加圧下の積層状態で加熱により前記液状シリコンゴム同士の界面を無くした状態で前記液状シリコンゴムを硬化させる液状シリコンゴム硬化工程と、
前記液状シリコンゴム硬化工程で前記液状シリコンゴムが硬化した後に、前記支持体ユニットの両側の金属層を剥離することにより、前記導電路形成部の頂部に前記メッキ金属を一体的に具備させる工程と、を備えたことを特徴としている。
【００４０】
このような各工程を備えた中継基板の製造方法によれば、上記の中継基板を製造することができる。
また、本発明に係る回路基板の検査装置は、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う回路基板の検査装置であって、
前記第１の検査治具と第２の検査治具がそれぞれ、
一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板、および、
前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置され、基板に形成された複数の貫通孔に、弾性高分子物質からなる絶縁部と導電性粒子を含有する弾性高分子物質とからなり前記絶縁部を厚み方向へ貫通する導電路形成部とが形成され、該導電路形成部によって前記ピッチ変換用基板と前記被検査回路基板との電気的接続を中継する中継基板、および、
前記ピッチ変換用基板の前記中継基板とは反対側に配置される第２の異方導電性シートを備えた回路基板側コネクタと、
所定のピッチで配置された複数の導電ピン、および、
前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第１の絶縁板、第２の絶縁板、を備えた中継ピンユニットと、
テスターと前記中継ピンユニットとの間を電気的に接続するコネクタ基板、および、
前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第３の異方導電性シート、および、
前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板を備えたテスター側コネクタ、を備え、
前記中継ピンユニットは、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に配置された中間保持板、および、
前記第１の絶縁板と中間保持板との間に配置された第１の支持ピン、および、
前記第２の絶縁板と中間保持板との間に配置された第２の支持ピン、を備えるとともに、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されており、
前記中継基板は、
磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に含有された複数の導電路形成部が、支持体に形成された貫通孔内に絶縁性のシリコン被膜を介して相互に絶縁された状態で支持され、さらに、前記導電路形成部の厚み方向端部に金属からなる接点部材が一体的に具備され、さらに、当該接点部材の頂部が前記絶縁性のシリコン被膜から厚み方向外方に突出して配置され、
前記接点部材と前記導電路形成部との間は、
前記接点部材の側周面を囲繞するように塗布された接点部材側の液状シリコンゴムが加熱加圧硬化されるときに、前記支持体側に予め塗布されている液状シリコンゴムとともに硬化され、これら液状シリコンゴムが界面を無くして硬化されるときの接着力により一体化されていることを特徴としている。
【００４１】
このように構成することによって、第１の検査治具と第２の検査治具との間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階では、中継ピンユニットの導電ピンによる厚み方向への移動と、中継基板の弾性部分と、第２の異方導電性シートと、第３の異方導電性シートのゴム弾性圧縮にて圧力を吸収して、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収することができる。
【００４２】
そして、第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中
間保持板投影面において、異なる位置に配置されているので、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際に、中継基板の弾性部分と、第２の異方導電性シートと、第３の異方導電性シートのゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニットの第１の絶縁板と、第２の絶縁板と、第１の絶縁板と第２の絶縁板の間に配置された中間保持板のバネ弾性により、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することができる。
【００４３】
これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板の被検査電極の各々に対しても、安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００４４】
また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がないので、導電ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することができる。
さらに本発明では、導電路形成部とその周囲の絶縁部とからなる弾性部分が基板に形成された複数の貫通孔のそれぞれに設けられた中継基板を配置しているので、検査治具の押圧による加圧力や衝撃がこの弾性部分で吸収され、被検査回路基板の電極などを破損損傷することがない。
【００４５】
さらに、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、被検査回路基板について所要の電気的検査を確実に実行することができ、被検査回路基板の被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、被検査回路基板について所要の電気的検査を確実に実施することができる。
【００４６】
本発明の回路基板の検査装置は、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧した際に、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第２の絶縁板の方向に撓むとともに、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第１の絶縁板の方向に撓むことが好ましい。
【００４７】
このように構成することによって、中間保持板が、第１の当接支持位置、第２の当接支持位置を中心として、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際に、中間保持板のバネ弾性力がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて局部的な応力集中を回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００４８】
さらに、本発明に係る回路基板の検査装置は、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置され、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置されており、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第１の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第２の当接支持位置が配置されるとともに、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第２の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第１の当接支持位置が配置されていることが好ましい。
【００４９】
このように構成することによって、第１の当接支持位置と第２の当接支持位置が格子状に配置され、しかも、第１の当接支持位置と第２の当接支持位置の格子点位置が全てずれた位置に配置されることになる。
【００５０】
従って、中間保持板が、第１の当接支持位置、第２の当接支持位置を中心として、相互に反対方向により撓むことになり、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板を加圧した際に、中間保持板のバネ弾性力がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができる。よって、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制され、その結果、異方導電性シートの繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００５１】
また、本発明の回路基板の検査装置は、
前記中継ピンユニットが、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に所定間隔離間して配置された複数個の中間保持板と、
隣接する中間保持板同士の間に配置された保持板支持ピンと、
を備えるとともに、
少なくとも１つの中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることが好ましい。
【００５２】
このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板によってバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００５３】
また、本発明の回路基板の検査装置は、
全ての前記中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることが好ましい。
これによって、隣接する中間保持板の間で、保持板支持ピンの中間保持板との当接支持位置がずれた位置に配置されるので、これらの複数個の中間保持板のバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００５４】
また、本発明の回路基板の検査装置は、
前記第２の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることが好ましい。
【００５５】
また、本発明の回路基板の検査装置は、
前記第３の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることが好ましい。
【００５６】
このように、第２の異方導電性シートおよび第３の異方導電性シートとして、導電路形成部と絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有されて面方向に不均一に分散され、シート片面側に導電路形成部が突出した偏在型の異方導電性シートを使用することにより、検査治具の押圧による加圧力や衝撃がこれらのシートで吸収され、これにより中継基板の弾性部分の劣化が抑制される。
【００５７】
本発明における一つの態様では、
前記複数の導電ピンは、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間の間隔よりも短い棒状の中央部と、該中央部の両端側に形成され該中央部よりも径が小さい一対の端部とからなり、
前記一対の端部がそれぞれ、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板とに形成された前記中央部よりも径が小さく前記一対の端部よりも径が大きい貫通孔に挿通され、これにより前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持される。
【００５８】
このように構成することで、導電ピンが、第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に、軸方向に移動可能に、且つ脱落しないように保持することができる。
本発明における他の態様では、
前記第１の絶縁板と中間保持板との間、前記第２の絶縁板と中間保持板との間、または中間保持板同士の間に、前記導電ピンが挿通される貫通孔が形成された屈曲保持板が設けられ、
前記複数の導電ピンは、前記第１および第２の絶縁板に形成された貫通孔と、前記屈曲保持板に形成された貫通孔とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて前記屈曲保持板の貫通孔の位置で屈曲され、これにより前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持される。
【００５９】
このように構成することで、導電ピンが、第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に、軸方向に移動可能に、且つ脱落しないように保持することができる。さらに、導電ピンとして円柱状である簡易な構造のピンを使用できるため、導電ピンおよびそれを保持する部材の全体としてのコストを抑えることができる。
【００６０】
本発明の回路基板の検査方法は、前述した回路基板の検査装置を用いた回路基板の検査方法であって、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行うことを特徴としている。
【発明の効果】
【００６１】
本発明に係る中継基板によれば、金属からなる接点部材が、その周囲に塗布された液状シリコンゴムが加熱により硬化されることにより、導電路形成部側に塗布された液状シリコンゴムと一体化されるので、接点部材の導電路形成部に対する接着力を強固にすることができる。これにより、中継基板の脱落が防止され、繰り返し耐久性を向上させることができる。
【００６２】
さらに、本発明に係る中継基板では、液状シリコンゴムが加圧された際に、支持体の外側領域にまで延展されていれば、接点部材の接着力をより向上させることができる。
また、本発明に係る中継基板では、金属からなる接点部材が導電路形成部の内方に入り込んだ状態で液状シリコンゴムが硬化されていれば、より一層接点部材の接着力を向上させることができる。
【００６３】
また、本発明に係る回路基板の検査装置によれば、検査対象である被検査回路基板が、例えば被検査電極の離間距離が５０μｍ以下であるような、微細ピッチの微小電極を有するものであっても、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことが可能である。
【００６４】
また、本発明に係る回路基板の検査装置によれば、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対する追従性が良好で、導通不良が発生せず、正確な検査を実施することが可能である。
【００６５】
また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がないので、導電ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することができる。
また、高分解能で検査が可能であり、且つ、被検査回路基板の被検査電極による段差を良好に吸収できる。
【００６６】
さらに、本発明に係る回路基板の検査方法によれば、回路基板の検査を繰り返し良好に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。なお、以下の説明において、第１の検査治具と第２の検査治具における一対の同一構成要素（例えば回路基板側コネクタ２１ａと回路基板側コネクタ２１ｂなど）を総称する場合には、記号「ａ」、「ｂ」を省略し、例えば、回路基板側コネクタ２１ａと回路基板側コネクタ２１ｂとを総称して「回路基板側コネクタ２１」と記述することがある。
【００６８】
図１は、本発明の一実施例による検査装置の分解組立断面図、図２は、図１に示した検査装置の検査時における使用状態を示した断面図である。
この検査装置は、集積回路などを実装するためのプリント回路基板などの検査対象である被検査回路基板１において、被検査電極間の電気抵抗を測定することにより被検査回路基板の電気検査を行うものである。この検査装置には、本発明の一実施例に係る中継基板２９ａ、２９ｂが組み込まれており、その中継基板２９ａ、２９ｂは、図６に詳細に示されている。
【００６９】
そして、この検査装置には、図１および図２に示したように、被検査回路基板１の上面側に配置される第１の検査治具１１ａと、下面側に配置される第２の検査治具１１ｂとが、上下に互いに対向するように配置されている。
【００７０】
第１の検査治具１１ａは、その両側に本発明の主要素である中継基板２９ａおよび第２の異方導電性シート２６ａを備えた回路基板側コネクタ２１ａと、中継ピンユニット３１ａを備えている。また、第１の検査治具１１ａは、その中継ピンユニット３１ａ側に第３の異方導電性シート４２ａが配置されるコネクタ基板４３ａと、ベース板４６ａとを備えたテスター側コネクタ４１ａを備えている。
【００７１】
第２の検査治具１１ｂも、第１の検査治具１１ａと同様に構成され、その両側に中継基板２９ｂおよび第２の異方導電性シート２６ｂを備えた回路基板側コネクタ２１ｂと、中継ピンユニット３１ｂを備えている。また、第２の検査治具１１ｂは、その中継ピンユニット３１ｂ側に第３の異方導電性シート４２ｂが配置されるコネクタ基板４３ｂと、ベース板４６ｂとを備えたテスター側コネクタ４１ｂを備えている。
【００７２】
被検査回路基板１の上面には、被検査用の電極２が形成され、その下面にも被検査用の電極３が形成されており、これらは互いに電気的に接続されている。
回路基板側コネクタ２１ａ，２１ｂは、ピッチ変換用基板２３ａ，２３ｂと、その一方の面に配置される中継基板２９ａ，２９ｂと、他方の面に配置される第２の異方導電性シート２６ａ，２６ｂを有している。
【００７３】
図３は、ピッチ変換用基板の被検査回路基板側の表面を示した図、図４は、ピッチ変換用基板の中継ピンユニット側の表面を示した図、図５は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を積層した状態の断面図である。
【００７４】
ピッチ変換用基板２３の一方の表面、すなわち、被検査回路基板１側には、図３に示したように、被検査回路基板１の電極２、３に電気的に接続される複数の接続用電極２５が形成されている。これらの接続電極２５は、被検査回路基板１の被検査電極２，３のパターンに対応するように配置されている。
【００７５】
一方、ピッチ変換用基板２３の他方の表面、すなわち、被検査回路基板１と反対側には、図４に示したように、中継ピンユニット３１の導電ピン３２ａ、３２ｂに電気的に接続される複数の端子電極２４が形成されている。これらの端子電極２４は、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍである一定ピッチの格子点上に配置されており、そのピッチは中継ピンユニットの導電ピン３２ａ、３２ｂの配置ピッチと同一である。
【００７６】
図３のそれぞれの接続電極２５は、配線５２および絶縁基板５１の厚み方向に貫通する内部配線５３（図５を参照）によって、対応する図４の端子電極２４に電気的に接続されている。
【００７７】
ピッチ変換用基板２３の表面における絶縁部は、例えば、図５に示したように、絶縁基板５１の表面に、それぞれの接続電極２５が露出するように形成された絶縁層５４で構成される。この絶縁層５４の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜６０μｍである。この厚みが過小である場合、表面粗さが小さい絶縁層を形成することが困難となることがある。一方、この厚みが過大である場合、接続電極２５と中継基板２９の導電路形成部との電気的接続が困難となることがある。
【００７８】
ピッチ変換用基板の絶縁基板５１を形成する材料としては、一般にプリント回路基板の基材として使用されるものを用いることができる。具体的には、例えばポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミド・トリアジン樹脂などを挙げることができる。
【００７９】
図５の絶縁層５４、５５の形成材料としては、薄膜状に成形可能な高分子材料を用いることができる。その具体例としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、これらの混合物、レジスト材料などを挙げることができる。
【００８０】
ピッチ変換用基板２３は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、平板状の絶縁基板の両面に金属薄層を積層した積層材料を用意し、この積層材料に対して、形成すべき端子電極のパターンに対応し、積層材料の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、数値制御型ドリリング装置、フォトエッチング処理、レーザー加工処理などにより形成する。
【００８１】
次いで、積層材料に形成された貫通孔内に無電解メッキおよび電解メッキを施すことによって、基板両面の金属薄層に連結されたバイアホールを形成する。その後、金属薄層に対してフォトエッチング処理を施すことにより、絶縁基板の表面に配線パターンおよび接続電極を形成するとともに、反対側の表面に端子電極を形成する。
【００８２】
そして、図５に示したように、絶縁基板５１の表面に、それぞれの接続電極２５が露出するように絶縁層５４を形成するとともに、反対側の表面に、それぞれの端子電極２４が露出するように絶縁層５５を形成することにより、ピッチ変換用基板２３が得られる。なお、絶縁層５５の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜６０μｍである。
【００８３】
図６（ａ）は、本実施例の中継基板の断面図、図６（ｂ）は、その部分拡大断面図である。この中継基板２９の基材となる支持体７３には、ピッチ変換用基板２３の電極パターンに従って導電路形成部６１が配置される貫通孔７３ｃが形成されている。この貫通孔７３ｃ内には、弾性高分子物質を埋設することにより絶縁部６２が形成され、導電路形成部６１が、この絶縁部６２に囲まれるように配置されている。
【００８４】
導電路形成部６１には、絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されている。
図６（ｂ）に示したように、中継基板２９は、２種類のシリコンゴムから形成されている。すなわち、支持体７３の貫通孔７３ｃの最外方に位置する弾性高分子物質からなる絶縁部６２を構成する最初に硬化したシリコンゴムと、このシリコンゴムとは別の工程で塗布され後から硬化した液状シリコンゴムＧ、Ｈとから構成されている。液状シリコンゴムＧは、図６（ｂ）に示したように、最初に硬化した絶縁部６２をレーザー加工することで導電路形成部６１の周囲に貫通孔６２ｃが形成され、この貫通孔６２ｃ内に塗布されたものである。また、この液状シリコンゴムＧは、導電路形成部６１の端面に後から接点部材１５を取り付ける際に、接点部材１５側に塗布された液状シリコンゴムＨと一体的に硬化している。そして、本実施例では、これらの液状シリコンゴムＧ、Ｈが加熱により一体的に硬化されることにより、金属製の接点部材１５が導電路形成部６１の端面に強固に接着されている。
【００８５】
支持体７３の貫通孔７３ｃ内に厚さ方向に形成された導電路形成部６１には、絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されている。
【００８６】
これに対し、絶縁部６２は、導電性粒子を含有しない弾性高分子物質により形成されている。導電路形成部６１を構成する弾性高分子物質と絶縁部６２を構成する弾性高分子物質とは、互いに同じ種類のものであっても異なる種類のものであってもよい。
【００８７】
中継基板の支持体７３を形成する材料としては、具体的には、例えばガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミド・トリアジン樹脂、等の複合樹脂材料、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアラミド樹脂、ポリアミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、液晶ポリマー等の機械的強度の高い樹脂材料、ステンレス等の金属材料、フッ素樹脂繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、ポリアリレート繊維、ナイロン繊維、ポリエステル繊維、液晶ポリマー繊維等の有機繊維よりなるメッシュ、不織布、金属メッシュなどを挙げることができる。支持体７３の厚みは、形成材料にもよるが、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは３０〜１００μｍである。
【００８８】
この支持体７３に形成された多数の貫通孔７３ｃのそれぞれに、接続用電極２５に対応した導電路形成部６１が配置される。すなわち、図５に示したように、例えば、４端子検査における電圧供給用電極２７と電圧測定用電極２８に対応した導電路形成部６１の対が貫通孔のそれぞれに配置される。一つの貫通孔７３ｃに配置される導電路形成部６１の数は、特に限定されないが、好ましくは１〜４個であり、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応して、支持体７３の各貫通孔毎に導電路形成部６１の数が異なっていてもよい。
【００８９】
図６（ａ）、（ｂ）の例では、中継基板２９の下面において、導電路形成部６１が絶縁部６２の表面から突出して形成され、ここに突出部６１ａが形成されているが、中継基板２９の上面側には、金属からなら接点部材１５の下面側が導電路形成部６１の内方に押し込まれた状態で、後から塗布された液状シリコンゴムＧ，Ｈが硬化されている。したがって、中継基板２９の上面側では、接点部材１５の頂部が突出部６１ａに相当し、絶縁部６２の表面から外方に突出されている。
【００９０】
このように、本実施例の中継基板２９では、導電路形成部６１に突出部６１ａを形成し、さらに金属製の接点部材１５を上面側に配置することによって、導電路形成部６１に対する加圧による圧縮の程度が絶縁部６２に対するそれよりも大きくなるため、導電路形成部６１には充分に抵抗値の低い導電路が確実に形成され、加圧力の変化に対する抵抗値の変化を小さくすることができる。その結果、中継基板２９のそれぞれの導電路形成部６１に作用する加圧力が不均一であっても、各導電路形成部６１間における導電性のバラツキを防止することができる。
【００９１】
導電路形成部６１および絶縁部６２を構成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好ましい。このような弾性高分子物質を得るために用いることのできる硬化性の高分子物質形成材料の具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、シリコンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。
【００９２】
中継基板２９に耐候性が要求される場合には、共役ジエン系ゴム以外のものを用いることが好ましく、特に、成形加工性および電気特性の観点からシリコンゴムを用いることが好ましい。シリコンゴムとしては、液状シリコンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコンゴムは、その粘度が歪速度１０-1ｓｅｃで１０5ポアズ以下であること
が好ましく、縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、例えばジメチルシリコン生ゴム、メチルビニルシリコン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコン生ゴムなどを挙げることができる。
【００９３】
また、シリコンゴムは、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。）が１００００〜４００００であることが好ましい。また、耐熱性の点から、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。）が２以下であることが好ましい。
【００９４】
導電路形成部６１に含有される導電性粒子Ｐとしては、後述する方法により導電性粒子を容易に厚み方向に並ぶよう配向させることができることから、磁性を示す導電性粒子が用いられる。
【００９５】
このような導電性粒子の具体例としては、鉄、コバルト、ニッケルなどの磁性を有する金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性金属のメッキを施したものなどが挙げられる。
【００９６】
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に導電性の良好な金のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する方法としては、例えば化学メッキ、電解メッキなどを挙げることができる。
【００９７】
導電性粒子として芯粒子の表面に導電性金属を被覆したものを用いる場合には、良好な導電性が得られる点から、粒子表面における導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
【００９８】
導電性金属の被覆量は、芯粒子の０．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜３０質量％、さらに好ましくは３〜２５質量％、特に好ましくは４〜２０質量％である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の０．５〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜２０質量％、さらに好ましくは３〜１５質量％である。
【００９９】
導電性粒子の粒子径は、１〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜５０μｍ、さらに好ましくは３〜３０μｍ、特に好ましくは４〜２０μｍである。
導電性粒子Ｐの粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１．０１〜７、さらに好ましくは１．０５〜５、特に好ましくは１．１〜４である。
【０１００】
このような条件を満足する導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる導電路形成部６１は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電路形成部６１において導電性粒子間に十分な電気的接触が得られる。
【０１０１】
導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子であることが好ましい。
【０１０２】
また、導電性粒子として、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤や潤滑剤で処理されたものを適宜用いることができる。カップリング剤や潤滑剤で粒子表面を処理することにより、異方導電性シートの耐久性が向上する。
【０１０３】
このような導電性粒子は、導電路形成部中に体積分率で好ましくは１５〜４５％、より好ましくは２０〜４０％となる割合で含有される。この割合が過小である場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部６１が得られないことがある。一方、この割合が過大である場合には、得られる導電路形成部６１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部６１として必要な弾性が得られないことがある。
【０１０４】
導電路形成部６１の厚みは、好ましくは２０〜２５０μｍ、より好ましくは３０〜２００μｍである。この厚み過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低くなる。一方、この厚み過大である場合、良好な導電性が得られないことがある。
【０１０５】
導電路形成部６１における突出部６１ａの突出高さは、導電路形成部６１の厚みの５〜７０％であることが好ましく、より好ましくは１０〜６０％である。
以下に、本実施例に係る中継基板２９の製造方法の一例について、図７〜図１４を参照しながら説明する。
【０１０６】
本実施例により中継基板２９の製造方法は、第１の複合フィルム配置工程と、導電性ペースト塗布工程と、第２の複合フィルム配置工程と、磁場配向工程と、液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程と、メッキ金属保持体準備工程と、液状シリコンゴム塗布工程と、液状シリコンゴム硬化工程と、導電路形成部の頂部にメッキ金属を一体的に具備させる工程とを備えている。
【０１０７】
先ず、第１の複合フィルム配置工程について説明する。
図７（ａ）に示したように、第１の複合フィルム配置工程では、一対の複合フィルム１７、１７と支持体７３とが用意される。
【０１０８】
一対の複合フィルム１７、１７は、同一の構成を有するもので、金属層１９とレジスト層６７とから構成されている。そして、この複合フィルム１７では、金属層１９の一方面に、フォトリソグラフィーの手法により、形成すべき導電路形成部のパターン、すなわち接続すべき電極のパターンに対応する所定のパターンに従って複数の開口６７ａが形成されたレジスト層６７が形成されている。
【０１０９】
そして、複合フィルム１７では、金属層１９をメッキ電極として、金属層１９におけるレジスト層６７の開口６７ａから露出した部分に電解メッキ処理を施すことにより、レジスト層６７の開口６７ａ内に磁性金属メッキ６８が形成されている。
【０１１０】
このように金属層１９とレジスト層６７とから構成される一対の複合フィルム１７、１７を用意した後、図７（ｂ）に示したように、支持体７３の下面側に、一方の複合フィルム１７を、当該複合フィルム１７の金属層１９側を支持体７３に対向させた向きで配置する。これにより、第１の複合フィルム配置工程が完了する。次に、導電性ペースト塗布工程となる。
【０１１１】
導電性ペースト塗布工程では、図８（ａ）に示したように、支持体７３に形成された貫通孔７３ｃ内に導電性ペースト（導電性エラストマ−用材料層）６１Ａが塗布される。この導電性ペースト６１Ａ内には、磁性を示す導電性粒子Ｐがランダムで分散された状態で含有されている。次いで、図８（ｂ）に示したように、支持体７３の上面側にも複合フィルム１７を配置する。これにより、第２の複合フィルム配置工程が完了する。次いで、磁場配向工程となる。
【０１１２】
磁場配向工程では、図９に示したように、導電性ペースト６１Ａに対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性ペースト６１Ａ内に分散されていた導電性粒子Ｐを、導電性ペースト６１Ａの厚み方向に並ぶように配向させる。そして、導電性ペースト６１Ａに対して磁場の作用を継続しながら、または、磁場の作用を停止した後に、導電性ペースト６１Ａの硬化処理を行なうことにより、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶように配向した状態で含有された導電性エラストマ−層６１Ｂが、支持板７３に支持されることになる。なお、支持体７３としては、金属、セラミックス、樹脂およびこれらの複合材などを用いることができる。
【０１１３】
図８（ａ）に示した導電性ペースト（導電性エラストマー用材料層）６１Ａを塗布する方法としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロー塗布法、ブレード塗布法などを利用す
ることができる。
【０１１４】
導電性エラストマー用材料層６１Ａの厚みは、形成すべき導電路形成部の厚みに応じて設定される。
導電性エラストマー用材料層６１Ａに磁場を作用させる手段としては、電磁石、永久磁石などを用いることができる。
【０１１５】
導電性エラストマー用材料層６１Ａに作用させる磁場の強度は、０．２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
導電性エラストマー用材料層６１Ａの硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性エラストマー用材料層６１Ａを構成するエラストマー用材料の種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜設定される。
【０１１６】
次に、この導電性エラストマ−層６１Ｂから、以下のようにして、ピッチ変換用基板２３ａ、２３ｂの接続用電極２５ａ、２５ｂに対応したパターンにしたがって導電路形成部６１が形成される。
【０１１７】
すなわち、図９に示した状態から、先ず上側の複合フィルム１７が剥離される。そして、図１０に示したように、上面側の複合フィルム１７が剥離された状態から、支持体７３上の導電性エラストマ−層６１Ｂにレーザー加工を施すことにより、導電路形成部６１の周辺のエラストマ−層６１Ｂを除去する。これにより、周囲に液状シリコンゴムを塗布するための凹所４７を形成する。
【０１１８】
なお、レーザー加工を行なう順序は上記に限定されない。例えば、上側の複合フィルム１７を除去する前に、すなわち図１１（ａ）、（ｂ）に示したように、一対の複合フィルム１７、１７が両側に配置された状態からレーザー加工を施すこともできる。この場合には、図１１（ａ）に示したように上側の複合フィルム１７を構成する金属層１９を直接レーザー加工で除去するため、銅、金、アルミニウム、ロジウムなどからなる金属層１９の厚みは、０．０５〜２μｍであることが好ましく、より好ましくは、０．１〜１μｍである。さらに、レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものが好ましい。そして、両側の複合フィルム１７が配置された状態からレーザー加工を施して、その後、図１１（ｂ）に示したように、上側の一方の複合フィルム１７を剥がすようにしても良い。
【０１１９】
いずれにしても、このようにして導電路形成部６１の周囲に液状シリコンゴム塗布用凹所４７を形成する。これにより、液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程が完了する。
このような液状シリコンゴムを塗布するための凹所４７を支持体７３側に形成する一方で、予め、図１２に示したように、金属接点用のメッキ金属保持板５７を用意する。このメッキ金属保持板５７は、金属層５９の一方面に金属接点用のメッキ金属７７を形成したもので、これらのメッキ金属７７は、導電路形成部６１に対応した位置に形成されている。
【０１２０】
そして、液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程に続いて行なわれる図１２に示したメッキ金属保持体準備工程では、予め用意されたメッキ金属保持板５７におけるメッキ金属７７の周囲に、液状シリコンゴム７９が塗布される。なお、この液状シリコンゴム７９は塗布時の温度では未硬化である。
【０１２１】
次いで、このようなメッキ金属保持板５７の下方に、図１０あるいは図１１（ｂ）に示した液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程で得られた支持体ユニット８７が配置される。そして、この支持体ユニット８７の導電路形成部６１の周囲に形成された液状シリコンゴ
ム塗布用凹所４７内に、液状シリコンゴム７９が塗布される。なお、この凹所４７内に塗布される液状シリコンゴム７９は、液面が周囲の表面より外方に盛り上がるように塗布されている。
【０１２２】
これにより、液状シリコンゴム塗布工程が完了する。
次に、メッキ金属保持体準備工程で得られたメッキ金属保持板５７と、液状シリコンゴム塗布工程で得られた支持体ユニット８７とを、図１２に示した態様で向かい合わせるとともに、互いの液状シリコンゴム７９、７９同士が密接しあうように重ね合わせる。このように互いに重ね合わせれば、接点部材７７側の液状シリコンゴム７９と支持体７３側の液状シリコンゴム７９とが界面を無くした状態で互いに混ざり合わされるとともに、その加圧力により一部の液状シリコンゴム７９ａが、図１３に示したように、支持体７３の貫通孔７３ｃの外側領域にまで延在される。また、メッキ金属保持板５７側の接点部材としてのメッキ金属７７が、導電路形成部６１を内方に押圧する。これにより、メッキ金属７７が導電路形成部６１の内方に入り込んだ状態となる。この加圧した状態で加熱すると、未硬化の液状シリコンゴム７９、７９が一体となって、図１３に示した姿勢で硬化する。
【０１２３】
そして、図１３に示したように液状シリコンゴム７９が硬化した後、図１４に示したように、上側の金属層５９を剥離する。また、下側の複合フィルム１７を剥離する。これにより、導電路形成部６１の頂部にメッキ金属７７が一体的に具備される。なお、下面側では、複合フィルム１７を剥離することにより、これまで内方に押圧されていた導電路形成部６１が外方に突出される。これにより、下方に突出部６１ａが形成される。メッキ金属７７を一体的に具備させる工程が完了する。
【０１２４】
このようにメッキ金属７７を一体的に具備させる工程が完了すると、界面を無くした状態で一体となった液状シリコンゴム７９が既に硬化している導電性エラストマ−層６１Ｂ（絶縁部６２）および支持板７３の表面と一体化される。これにより、メッキ金属７７が導電路形成部６１の表面に強固に固定される。すなわち、本実施例によれば、メッキ金属７７の接着効果が増大して固定される。このとき、メッキ金属７７の頂部は、加圧され厚みが薄くなって硬化した液状シリコンゴム７９の表面から外部に突出されている。
【０１２５】
このようにして、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部６１が支持体７３上に支持された状態で形成される。
以上に説明した中継基板の製造方法によれば、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で分散された導電性エラストマー層６１Ｂに対してレーザー加工を施してその一部を除去することによって目的とする形状の導電路形成部６１を形成している。
【０１２６】
従って、所要の量の導電性粒子Ｐが充填され、所期の導電性を有する導電路形成部６１が形成された中継基板２９を確実に得ることができる。
また、磁性を示す金属からなる磁性金属メッキ６８（金属マスク）を用いて導電性エラストマー用材料層６１Ａに対して磁場配向を行う方法を適用することにより、金属マスクが形成されていない部分の導電性粒子の密度が小さくなる。そのため、レーザー加工による導電路形成部の形成が容易になる。さらに、厚みの大きい導電性エラストマー層６１Ｂのレーザー加工が容易となるため、厚みの大きい導電路形成部６１を確実に得ることができる。
【０１２７】
また、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応する所定のパターンに従って複数の導電路形成部６１を形成し、これらの導電路形成部６１の間に、未硬化状態の液状シリコンゴム（エラストマー用材料層）７９を形成して硬化処理している。
【０１２８】
これにより、導電路形成部６１の周囲には導電性粒子Ｐが全く存在しない絶縁部を配置
することができる。
しかも、従来のように、多数の強磁性体部が配列された高価な金型が不要である。
【０１２９】
従って、このような方法によって得られる中継基板２９によれば、検査対象である被検査回路基板１の検査電極の配置パターンに関わらず、被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができる。
【０１３０】
また、被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができ、しかも、製造コストの低減化を図ることができ、さらに高い耐久性が得られる。
【０１３１】
図５は、ピッチ変換用基板２３と、本実施例に係る中継基板２９と被検査回路基板１を積層した状態を示した断面図である。同図では、４端子検査を行う場合の例を示している。図示したように、被検査回路基板１とピッチ変換用基板２３との間に本発明に係る中継基板２９が配置されている。
【０１３２】
ピッチ変換用基板２３の表面には、それぞれ同一の被検査電極に電気的に接続される互いに離間して配置された電流供給用の電流供給用電極２７および電圧測定用の電圧測定用電極２８からなる接続用電極２５が形成されている。
【０１３３】
ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８に対応して、中継基板２９の１つの貫通孔内には、一対の導電路形成部６１が形成されている。この一対の導電路形成部６１，６１は、その一端側で電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と電気的に接続され、他端側で被検査回路基板１の被検査電極２と電気的に接続され、この状態で電気検査が行われる。
【０１３４】
中継基板２９の片面側もしくは両面側には、分散型異方導電性シートを配置するようにしてもよい。本発明では中継基板２９を備えているので、分解能を損なわない薄い分散型異方導電性シートを用いても、被検査回路基板１の電極による局部的な応力集中が充分に緩和される。図１５は、分散型異方導電性シートを配置した例を示した断面図であり、図１５（ａ）では、ピッチ変換用基板２３と中継基板２９との間に分散型異方導電性シートである異方導電性シート２２を配置し、ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続している。
【０１３５】
図１５（ｂ）では、中継基板２９の両面側に分散型異方導電性シートである異方導電性シート２２，２２を配置し、ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続するとともに、被検査回路基板１の被検査電極２と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続している。
【０１３６】
回路基板側コネクタ２１を構成し、中継基板２９に隣接して配置される第１の異方導電性シート２２は、図１６に示したように、絶縁性の弾性高分子物質からなるシート基材６３中に多数の導電性粒子Ｐが面方向に分散されるとともに厚み方向に配列した状態で含有されている。
【０１３７】
第１の異方導電性シート２２の厚みは、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは３０〜１００μｍである。この最小厚みが２０μｍ未満である場合には、第１の異方導電性シート２２の機械的強度が低くなり易く、必要な耐久性が得られないことがある。一方
、この第１の異方導電性シート２２の厚みが２００μｍを超える場合には、厚み方向の電気抵抗が大きくなり易く、また、接続すべき電極のピッチが小さい場合には、加圧により形成される導電路間において所要の絶縁性が得られず、被検査電極間で電気的な短絡が生じて検査対象回路基板の電気的検査が困難となることがある。
【０１３８】
第１の異方導電性シート２２のシート基材６３を構成する弾性高分子物質は、そのデュロメータ硬さが好ましくは３０〜９０であり、より好ましくは３５〜８０、さらに好ましくは４０〜７０である。なお、ここで「デュロメータ硬さ」とは、ＪＩＳ Ｋ６２５３の
デュロメータ硬さ試験に基づいてタイプＡデュロメータによって測定されたものをいう。
【０１３９】
弾性高分子物質のデュロメータ硬さが３０未満である場合、厚み方向に押圧された際に、異方導電性シートの圧縮、変形が大きく、大きな永久歪みが生じるため、異方導電性シートが早期に劣化して検査使用が困難となり耐久性が低くなり易い。
【０１４０】
一方、弾性高分子物質のデュロメータ硬さが９０を超える場合、異方導電性シートが厚み方向に押圧された際に、厚み方向の変形量が不十分となるため、良好な接続信頼性が得られず、接続不良が発生し易くなる。
【０１４１】
第１の異方導電性シート２２の基材を構成する弾性高分子物質としては、上記のデュロメータ硬さを示すものであれば特に限定されないが、形成加工性および電気特性の観点から、シリコンゴムを用いることが好ましい。
【０１４２】
第１の異方導電性シート２２は、その厚みＷ1（μｍ）と、磁性導電性粒子の数平均粒
子径Ｄ1（μｍ）との比率Ｗ1／Ｄ1が１．１〜１０であることが好ましい。ここで、「磁
性導電性粒子の数平均粒子径」とは、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。比率Ｗ1／Ｄ1が１．１未満である場合、異方導電性シートの厚みに対して磁性導電性粒子の直径が同等あるいはそれよりも大きくなるため、この異方導電性シートはその弾性が低くなり、このため、この異方導電性シートを被検査回路基板側に配置する際に被検査回路基板が傷つきやすくなる。
【０１４３】
一方、比率Ｗ1／Ｄ1が１０を超える場合には、厚み方向に多数の導電性粒子が配列して連鎖が形成されるので、多数の導電性粒子同士の接点が存在し、電気的抵抗値が高くなり易い。
【０１４４】
磁性導電性粒子としては、異方導電性シートを形成するためのシート成形材料中において、磁性導電性粒子を磁場の作用によって容易に移動させることができる点から、その飽和磁化が好ましくは０．１Ｗｂ／ｍ2 以上、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ2 以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ2 以上のものが使用される。
【０１４５】
飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であることにより、その製造工程において磁性導電性粒子を磁場の作用によって確実に移動させて所望の配向状態とすることができるため、異方導電性シートを使用する際に磁性導電性粒子の連鎖を形成することができる。
【０１４６】
磁性導電性粒子の具体例としては、鉄、ニッケル、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子もしくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、あるいはこれらの粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に高導電性金属を被覆した複合粒子、あるいは非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に、高導電性金属のメッキを施した複合粒子、あるいは芯粒子に、フェライト、金属間化合物などの導電性磁性体および高導電性金属の両方を被覆した複合粒子などが挙げられる。
【０１４７】
ここで、「高導電性金属」とは、０℃における導電率が５×１０6 Ω-1ｍ-1以上の金属をいう。このような高導電性金属としては、具体的には、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いることが好ましい。
【０１４８】
上記の磁性導電性粒子の中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの高導電性金属のメッキを施した複合粒子が好ましい。
芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する手段として、例えば、無電解メッキ法を用いることができる。
【０１４９】
磁性導電性粒子は、その数平均粒子径の変動係数が５０％以下であることが好ましく、より好ましくは４０％以下、さらに好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下である。ここで、「数平均粒子径の変動係数」とは、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。
【０１５０】
磁性導電性粒子の数平均粒子径の変動係数が５０％以下であることにより、粒子径の不揃いの程度が小さくなるため、得られる異方導電性シートにおける部分的な導電性のバラツキを小さくすることができる。
【０１５１】
このような磁性導電性粒子は、金属材料を常法により粒子化し、あるいは市販の金属粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより得ることができる。粒子の分級処理は、例えば、空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。分級処理の具体的な条件は、目的とする導電性金属粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
【０１５２】
磁性導電性粒子の具体的な形状は、特に限定されないが、例えば複数の球形の一次粒子が一体的に連結された二次粒子が好ましく用いられる。
磁性導電性粒子として、芯粒子の表面に高導電性金属が被覆された複合粒子（導電性複合金属粒子）を用いる場合、良好な導電性が得られる点から、導電性複合金属粒子の表面における高導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する高導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
【０１５３】
また、高導電性金属の被覆量は、芯粒子の重量の２．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは３〜４５質量％、さらに好ましくは３．５〜４０質量％、特に好ましくは５〜３０質量％である。
【０１５４】
このような、絶縁性の弾性高分子物質中に多数の導電性粒子が面方向に分散し厚み方向に配列した状態で含有された異方導電性シートは、例えば特開２００３−７７５６０号公報に示されるように、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に、磁性を示す導電性粒子が含有された流動性の成形材料を調製し、この成形材料からなる成形材料層を、当該成形材料層における一面に接する一面側成形部材と、当該成形材料層における他面に接する他面側成形部材との間に形成し、この成形材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させると共に、当該成形材料層を硬化処理する方法等により製造することができる。
【０１５５】
ピッチ変換用基板２３の中継ピンユニット３１側に配置される第２の異方導電性シート２６は、図１７に示したように、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子Ｐが厚み
方向に配列して形成された導電路形成部７１と、それぞれの導電路形成部７１を離間する絶縁部７２から構成されている。このように、導電性粒子Ｐは導電路形成部７１中にのみ、面方向に不均一に分散されている。
【０１５６】
導電路形成部７１の厚みは、好ましくは０．１〜２ｍｍ、より好ましくは０．２〜１．５ｍｍである。この厚みが過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低く、検査時において検査治具による加圧力の吸収が小さくなり、回路基板側コネクタ２１への衝撃を緩和する効果が減少する。このため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として被検査回路基板１の繰り返し検査時における中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下する。一方、この厚みが過大である場合、厚み方向の電気抵抗が大きくなり易く電気検査が困難となることがある。
【０１５７】
絶縁部７２の厚みは、導電路形成部７１の厚みと実質的に同一か、それよりも小さいことが好ましい。図１７に示したように、絶縁部７２の厚みを導電路形成部７１の厚みよりも小さくして導電路形成部７１が絶縁部７２より突出した突出部７１ａを形成することにより、厚み方向の加圧に対して導電路形成部７２の変形が容易になり、加圧力の吸収能力が増大するため、検査時において検査治具の加圧力を吸収し、回路基板側コネクタへ２１の衝撃を緩和することができる。
【０１５８】
第２の異方導電性シート２６を構成する導電性粒子Ｐに、磁性導電性粒子を使用する場合、その数平均粒子径は好ましくは５〜２００μｍ、より好ましくは５〜１５０μｍ、さらに好ましくは１０〜１００μｍである。ここで、「磁性導電性粒子の数平均粒子径」とは、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。磁性導電性粒子の数平均粒子径が５μｍ以上であると、異方導電性シートの導電路形成部の加圧変形が容易になる。また、その製造工程において磁場配向処理によって磁性導電性粒子を配向させる場合、磁性導電性粒子の配向が容易である。磁性導電性粒子の数平均粒子径が２００μｍ以下であると、異方導電性シートの導電路形成部７１の弾性が良好で加圧変形が容易になる。
【０１５９】
導電路形成部７１の厚みＷ2（μｍ）と、磁性導電性粒子Ｐの数平均粒子径Ｄ2（μｍ）との比率Ｗ2／Ｄ2は１．１〜１０であることが好ましい。
比率Ｗ2／Ｄ2が１．１未満である場合、導電路形成部７１の厚みに対して磁性導電性粒子の直径が同等あるいはそれよりも大きくなるため、導電路形成部７１の弾性が低くなり、その厚み方向の加圧力の吸収能力が小さくなる。検査時における検査治具の加圧圧力を吸収が小さくなり、回路基板側コネクタ２１への衝撃を緩和する効果が減少するため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として、被検査回路基板１の繰り返し検査時において中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下し易くなる。
【０１６０】
一方、比率Ｗ2／Ｄ2が１０を超える場合、導電路形成部７１に多数の導電性粒子が配列して連鎖を形成することとなり、導電性粒子同士の接点が多数存在することになるため、電気的抵抗値が高くなり易い。
【０１６１】
導電路形成部７１の基材である弾性高分子物質は、そのタイプＡデュロメータによって測定されたデュロメータ硬さが好ましくは１５〜６０、より好ましくは２０〜５０、さらに好ましくは２５〜４５である。
【０１６２】
弾性高分子のデュロメータ硬さが１５よりも小さい場合、厚み方向に押圧された際のシートの圧縮、変形が大きく、大きな永久歪が生じるためシート形状が早期に変形して検査時の電気的接続が困難となり易い。弾性高分子のデュロメータ硬さが６０よりも大きい場合、厚み方向に押圧された際の変形が小さくなるため、その厚み方向の加圧力の吸収能力
が小さくなる。このため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として、被検査回路基板１の繰り返し検査時において中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下しやすくなる。
【０１６３】
導電路形成部７１の基材となる弾性高分子としては、上記のデュロメータ硬さを示すものであれば特に限定されないが、加工性および電気特性の点から、シリコンゴムを用いることが好ましい。
【０１６４】
第２の異方導電性シート２６の絶縁部７２は、実質的に導電性粒子を含有しない絶縁材料により形成される。絶縁材料としては、例えば、絶縁性の高分子材料、無機材料、表面を絶縁化処理した金属材料などを用いることができるが、導電路形成部に使用した弾性高分子と同一の材料を用いると生産が容易である。絶縁部の材料として弾性高分子を使用する場合、デュロメータ硬さが上記の範囲であるものを使用することが好ましい。
【０１６５】
磁性導電性粒子としては、前述した中継基板２９の導電路形成部に用いられる導電性粒子を用いることができる。
第２の異方導電性シート２６は、例えば、以下のようにして製造することができる。先ず、それぞれ全体の形状が略平板状であって、互いに対応する上型と下型とよりなり、上型と下型との間の成形空間内に充填された材料層に磁場を作用させながら材料層を加熱硬化することができる構成の異方導電性シート成形用金型を用意する。
【０１６６】
この異方導電性シート成形用金型は、材料層に磁場を作用させて適正な位置に導電性を有する部分を形成するために、上型および下型の両方は、鉄、ニッケルなどの強磁性体からなる基板上に、金型内の磁場に強度分布を生じさせるための鉄、ニッケルなどよりなる強磁性体部分と、銅などの非磁性金属若しくは樹脂よりなる非磁性体部分とが互いに隣接するよう交互に配置されたモザイク状の層を有する構成のものであり、強磁性体部分は、形成すべき導電路形成部に対応するパターンに従って配列されている。
【０１６７】
ここで、上型の成形面は平坦であり、下型の成形面は形成すべき異方導電性シートの導電路形成部に対応してわずかに凹凸を有するものである。
そして、上記の異方導電性シート成形用金型を用いて、以下のようにして異方導電性シートが製造される。先ず、異方導電性シート成形用金型の成形空間内に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる成形材料を注入して成形材料層を形成する。
【０１６８】
次に、上型および下型の各々における強磁性体部分および非磁性体部分を利用し、形成された成形材料層に対してその厚み方向に強度分布を有する磁場を作用させることにより、その磁力の作用によって、導電性粒子を、上型における強磁性体部分と、その直下に位置する下型における強磁性体部分との間に集合させ、更には導電性粒子を厚み方向に並ぶように配向させる。そして、その状態で成形材料層を硬化処理することにより、複数の柱状の導電路形成部が、絶縁部によって互い絶縁されてなる構成を有する異方導電性シートが製造される。
【０１６９】
一方、テスター側コネクタ４１ａ，４１ｂは、図１に示したように、第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂと、コネクタ基板４３ａ，４３ｂと、ベース板４６ａ，４６ｂと、を備えている。第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂには、前述した第２の異方導電性シート２６と同様のものが使用される。すなわち、図１７に示したような、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子が厚み方向に配列して形成された導電路形成部と、それぞれの導電路形成部を離間する絶縁部とから構成された異方導電性シートが使用される。
【０１７０】
コネクタ基板４３ａ，４３ｂは、絶縁基板を備えており、その表面の中継ピンユニット３１側に、図１および図２に示したようにピン側電極４５ａ，４５ｂが形成されている。
これらのピン側電極４５は、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍの一定ピッチの格子点上に配置されており、その配置ピッチは中継ピンユニット３１の導電ピン３２の配置ピッチと同一である。
【０１７１】
それぞれのピン側電極４５は、絶縁基板の表面に形成された配線パターンおよびその内部に形成された内部配線によって、テスター側電極４４ａ，４４ｂへ電気的に接続されている。
【０１７２】
中継ピンユニット３１は、図１、図２、図１８（図１８は、説明の便宜上、中継ピンユニット３１ａについて示している）、および図２４〜図２７に示したように、上下方向を向くように並列に、所定のピッチで設けられた多数の導電ピン３２ａ，３２ｂを備えている。また、中継ピンユニット３１は、これらの導電ピン３２ａ，３２ｂの両端側に設けられ、導電ピン３２ａ，３２ｂを挿通支持する被検査回路基板１側に配置された第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと、被検査回路基板１側とは反対側に配置された第２の絶縁板３５ａ，３５ｂの２枚の絶縁板を備えている。
【０１７３】
導電ピン３２は、例えば、図１９に示したように、直径の大きい中央部８２と、これよりも直径の小さい端部８１ａ，８１ｂとからなる。第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５には、導電ピン３２の端部８１が挿入される貫通孔８３が形成されている。そして、貫通孔８３の直径が、導電ピン３２の端部８１ａ，８１ｂの直径よりも大きく、且つ中央部８２の直径よりも小さく形成され、これにより導電ピン３２が脱落しないように保持されている。
【０１７４】
第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５は、図１の第１の支持ピン３３および第２の支持ピン３７によって、これらの間隔が導電ピン３２の中央部８２の長さよりも長くなるように固定され、これにより導電ピン３２が上下へ移動可能に保持されている。導電ピン３２の端部８１の長さは、絶縁板３４の厚みよりも長くなるように形成され、これにより、少なくとも一方の絶縁板３４から導電ピン３２が突出するようになっている。
【０１７５】
中継ピンユニットは、多数の導電ピンが、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍのピッチの格子点上に配置されている。
【０１７６】
中継ピンユニット３１の導電ピン３２の配置ピッチと、ピッチ変換用基板２３に設けられた端子電極２４の配置ピッチとを同一とすることにより、導電ピン３２を介してピッチ変換用基板２３がテスター側に電気的に接続されるようになっている。
【０１７７】
また、図１および図１８に示したように、中継ピンユニット３１には、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂとの間に、中間保持板３６ａ、３６ｂが配置されている。
【０１７８】
そして、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間には、第１の支持ピン３３ａ，３３ｂが配置され、これによって、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間を固定している。
【０１７９】
同様に、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間には、第２の支持ピン３７ａ，３７ｂが配置され、これによって、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂと中間
保持板３６ａ，３６ｂとの間を固定している。
【０１８０】
第１の支持ピン３３と、第２の支持ピン３７の材質としては、例えば、真鍮、ステンレスなどの金属が使用される。
なお、図１８における第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間の距離Ｌ１と、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間の距離Ｌ２としては、特に限定されるものではないが、後述するように、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の弾性による、被検査回路基板１の被検査電極２，３の高さバラツキの吸収性を考慮すれば、２ｍｍ以上が好ましく、より好ましくは２．５ｍｍ以上である。
【０１８１】
そして、図１８に示したように、第１の支持ピン３３の中間保持板３６に対する第１の当接支持位置３８Ａと、第２の支持ピン３７の中間保持板３６に対する第２の当接支持位置３８Ｂとは、検査装置を中間保持板の厚さ方向に（図１において上方から下方に向かって）投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されている。
【０１８２】
この場合、異なる位置としては、特に限定されるものではないが、第１の当接支持位置３８Ａと、第２の当接支持位置３８Ｂは、図２３に示したように、中間保持板投影面Ａ上において格子上に形成されていることが好ましい。
【０１８３】
具体的には、図２３に示したように、中間保持板投影面Ａ上において、隣接する４個の第１の当接支持位置３８Ａからなる単位格子領域Ｒ１に、１個の第２の当接支持位置３８Ｂが配置される。また、中間保持板投影面Ａにおいて、隣接する４個の第２の当接支持位置３８Ｂからなる単位格子領域Ｒ２に、１個の第１の当接支持位置３８Ａが配置される。なお、図２３では、第１の当接支持位置３８Ａを黒丸、第２の当接支持位置群３８Ｂを白丸で示している。
【０１８４】
なお、ここでは、第１の当接支持位置３８Ａの単位格子領域Ｒ１の対角線Ｑ１の中央に、１個の第２の当接支持位置３８Ｂを配置するとともに、第２の当接支持位置３８Ｂの単位格子領域Ｒ２の対角線Ｑ２の中央に、１個の第１の当接支持位置３８Ａを配置している。しかしながら、これらの相対的な位置は、特に限定されるものではなく、上記のように、検査装置を中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されていればよい。すなわち、格子状に配置されない場合には、このような相対位置関係に拘束されるものではなく、上記のように、検査装置を中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されていればよい。
【０１８５】
また、この場合、互いに隣接する第１の当接支持位置３８Ａの間の離間距離、第２の当接支持位置３８Ｂの間の離間距離は、好ましくは１０〜１００ｍｍ、より好ましくは１２〜７０ｍｍ、特に好ましくは１５〜５０ｍｍである。
【０１８６】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の形成材料には、可撓性を有するものが用いられる。これらの板の可撓性は、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の両端部を、それぞれ１０ｃｍ間隔で支持した状態で水平に配置した場合において、上方から５０ｋｇｆの圧力で加圧することによって生ずる撓みが、これらの絶縁板の幅の０．０２％以下であり、かつ上方から２００ｋｇｆの圧力で加圧することによっても破壊および永久変形が生じない程度であることが好ましい。
【０１８７】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の材料としては、具体的には、固有抵抗が１×１０10Ω・ｃｍ以上の絶縁性材料、例えばポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポチエチレンテレフタレート樹脂、シンジオタクチック・ポリスチレン樹脂、
ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエチルケトン樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の機械的強度の高い樹脂材料、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリエステル樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強フェノール樹脂、ガラス繊維補強型フッ素樹脂等のガラス繊維型複合樹脂材料、カーボン繊維補強型エポキシ樹脂、カーボン繊維補強型ポリエステル樹脂、カーボン繊維補強型ポリイミド樹脂、カーボン繊維補強型フェノール樹脂、カーボン繊維補強型フッ素樹脂等のカーボン繊維型複合樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等にシリカ、アルミナ、ボロンナイトライド等の無機材料を充填した複合樹脂材料、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等にメッシュを含有した複合樹脂材料などが挙げられる。また、これらの材料からなる板材を複数積層して構成された複合板材等も用いることができる。
【０１８８】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、および第２の絶縁板３５の厚みは、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５を構成する材料の種類に応じて適宜選択されるが、好ましくは１〜１０ｍｍである。例えば、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂からなり、その厚みが２〜５ｍｍであるものを使用することができる。
【０１８９】
第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５に導電ピン３２を移動可能に支持する方法としては、図１８に示した方法の他に、図２０〜図２２に示した方法を挙げることができる。この例では、導電ピン３２として図示したように、この例では第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、屈曲保持板８４が設けられている。
【０１９０】
また、導電ピン３２として、円柱形状である金属ピンを用いている。
図２０に示したように、屈曲保持板８４には導電ピン３２が挿通される貫通孔８５が形成されている。導電ピン３２は、第１の絶縁板３４に形成された貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４に形成された貫通孔８５とを支点として、互いに逆方向に横方向へ押圧されて、屈曲保持板８４の貫通孔８５の位置で屈曲され、これにより導電ピン３２が軸方向へ移動可能に支持されている。
【０１９１】
なお、中間保持板３６には、導電ピン３２と接触しない程度に径を大きくした貫通孔８６が形成され、この貫通孔８６に導電ピン３２が挿通されている。
導電ピン３２は、図２１（ａ）〜図２１（ｃ）に示した手順で第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５に支持される。図２１（ａ）に示したように、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４の貫通孔８５とが軸方向に位置合わせされた位置に屈曲保持板８４を配置する。
【０１９２】
次に、図２１（ｂ）に示したように、導電ピン３２を、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａから屈曲保持板８４の貫通孔８５を通して第２の絶縁板３５の貫通孔８３ｂまで挿入する。
【０１９３】
次に、図２１（ｃ）に示したように、屈曲保持板８４を、導電ピン３２の軸方向と垂直な横方向（水平方向）に移動し、適宜の手段によって屈曲保持板８４の位置を固定する。これによって、導電ピン３２は、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４の貫通孔８５とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて、屈曲保持板８４の貫通孔８５の位置で屈曲され、これにより導電ピン３２が軸方向に移動可能に支持される。
【０１９４】
このように構成することで、導電ピン３２が、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、軸方向へ移動可能に、且つ脱落しないように保持することができるとともに、導電ピン３２として円柱状である簡易な構造のピンを使用できるため、導電ピン３２および
それを保持する部材の全体としてのコストを抑えることができる。
【０１９５】
なお、屈曲保持板８４が配置される位置は、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間であってもよい。
このように構成された本実施形態の検査装置では、図２に示したように、被検査回路基板１の電極２および電極３が、中継基板２９ａ，２９ｂ、ピッチ変換用基板２３ａ，２３ｂ、第２の異方導電性シート２６ａ，２６ｂ、導電ピン３２ａ，３２ｂ、第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂ、コネクタ基板４３ａ，４３ｂを介して、最外側に配置されたベース板４６ａ，４６ｂをテスターの加圧機構により規定の圧力で押圧することによってテスター（図示せず）に電気的に接続され、被検査回路基板１の電極間における電気抵抗測定などの電気検査が行われる。
【０１９６】
測定時に被検査回路基板に対して上側および下側の第１の検査治具１１ａ，第２の検査治具１１ｂから押圧する圧力は、例えば、１００〜２５０ｋｇｆである。
以下、図２４〜図２７を参照しながら（便宜的に、第２の検査治具１１ｂのみ示す）、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で被検査回路基板１の両面を挟圧した際における圧力吸収作用および圧力分散作用について説明する。
【０１９７】
図２５に示したように、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階では、中継ピンユニット３１の導電ピン３２の厚み方向への移動と、中継基板２９の弾性部と、第２の異方導電性シート２６と、第３の異方導電性シート４２のゴム弾性圧縮により圧力を吸収して、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収することができる。
【０１９８】
そして、第１の支持ピンと中間保持板との第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピンと中間保持板との第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されているので、図２６の矢印で示したように、上下方向に力が作用し、図２７に示したように、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、中継基板２９の弾性部と、第２の異方導電性シート２６と、第３の異方導電性シート４２のゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニット３１の第１の絶縁板３４と、第２の絶縁板３５と、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５の間に配置された中間保持板３６のバネ弾性により、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することができる。
【０１９９】
すなわち、図２６および図２７に示したように、第１の支持ピン３３と中間保持板３６に対する第１の当接支持位置３８Ａを中心として、中間保持板３６が、第２の絶縁板３５の方向に撓むとともに（図２７の一点鎖線で囲んだＥの部分参照）、第２の支持ピン３７と中間保持板３６との第２の当接支持位置３８Ｂを中心として、中間保持板３６が、第１の絶縁板３４の方向に撓むことになる（図２７の一点鎖線で囲んだＤの部分参照）。なお、ここで「撓む」および「撓み方向」とは中間保持板３６が凸状になる方向に突出するように撓むことおよびその突出方向を言う。
【０２００】
このように、中間保持板３６が、第１の当接支持位置３８Ａ、第２の当接支持位置３８Ｂを中心として、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、中間保持板３６のバネ弾性力が発揮されることになる。
【０２０１】
また、図２７の一点鎖線で囲んだＢ部分で示したように、第２の異方導電性シート２６
の導電路形成部の突出部の圧縮によって、導電ピン３２ｂの高さが吸収されるが、この突出部の圧縮よって吸収しきれない圧力が、第１の絶縁板３４ｂに加わることになる。
【０２０２】
したがって、図２７の一点鎖線で囲んだＣ部分で示したように、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５も、第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７との当接位置で、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５のバネ弾性力が発揮されることになる。
【０２０３】
これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板１の被検査電極のそれぞれに対して安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、中継基板２９の弾性部の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板２９の繰り返し使用耐久性が向上するので、その交換回数が減り、検査作業効率が向上することになる。
【０２０４】
図２８は、本発明の検査装置の他の実施形態を説明する図２４と同様な断面図（便宜的に第２の検査治具のみ示している）、図２９は、その中継ピンユニットの拡大断面図である。この検査装置は、図１に示した検査装置と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付している。この検査装置では、図２８および図２９に示したように、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、複数個（本実施形態では３個）の中間保持板３６が所定間隔離間して配置されるとともに、これらの隣接する中間保持板３６同士の間に、保持板支持ピン３９が配置されている。
【０２０５】
この場合、少なくとも１つの中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置と、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂ、第２の支持ピン３７ｂ、または保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置とが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることが必要である。
【０２０６】
最も好ましくは、全ての中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置と、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂ、第２の支持ピン３７ｂ、または保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置とが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置される。
【０２０７】
この場合、詳述しないが、「異なる位置」とは、前述した実施形態において、第１の支持ピン３３と中間保持板３６との第１の当接支持位置３８Ａと、第２の支持ピン３７と中間保持板３６との第２の当接支持位置３８Ｂとの間の関係で説明した相対位置と同様な配置とすることが可能である。
【０２０８】
本実施形態では、３つの中間保持板３６ｂのうち上側の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３８Ａとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２０９】
また、３つの中間保持板３６ｂのうち中央の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投
影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２１０】
また、３つの中間保持板３６ｂのうち下側の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第２の支持ピン３７ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３８Ｂとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２１１】
このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板３６によってバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板２９の弾性部の局部的な破損が抑制され、その結果、中継基板２９の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板２９の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【０２１２】
なお、中間保持板３６の個数としては、複数個であればよく、特に限定されるものではない。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形、変更が可能である。
【０２１３】
例えば、被検査回路基板１は、プリント回路基板以外に、パッケージＩＣ、ＭＣＭ、ＣＳＰなどの半導体集積回路装置、ウェハに形成された回路装置であってもよい。また、プリント回路基板は、両面プリント回路基板だけではなく片面プリント回路基板であってもよい。
【０２１４】
第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂは、使用材料、部材構造などにおいて必ずしも同一である必要はなく、これらが異なるものであってもよい。
テスター側コネクタは、コネクタ基板のような回路基板と異方導電性シートを複数積層して構成してもよい。
【０２１５】
上記の実施形態では、第２の異方導電性シート２６および第３の異方導電性シート４２として、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出しているものを用いたが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【０２１６】
また、図１、図２、図２４、図２５、図２７および図２８に示したように、テスター側コネクタ４１におけるコネクタ基板４３とベース板４６との間に、支持ピン４９を配置してもよい。これらの支持ピン４９によって、第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７（図２８では第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７および保持板支持ピン３９）が与える作用と同様にして、面圧を分散させる作用を与えることも可能である。この面圧分散作用を与えるためには、支持ピン４９の位置と、第２の支持ピン３７の位置とが面方向において互いに異なるようにこれらを配置することが好ましい。
【０２１７】
以上説明したように、本発明に係る回路基板の検査装置によれば、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で信頼性の高い回路基板の電気的検査を行なうことができる。また、検査対象である被検査回路基板１の被検査電極のバラツキに対する追従性が良好で、導通不良が発生せず、正確な検査を実施することが可能である。
【０２１８】
また、一定間隔で導通ピンを配置する必要がないので、導通ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することができる。
さらに、高分解能で検査が可能であり、且つ、被検査回路基板の被検査基板の被検査電極による段差を良好に吸収できる。また、中継基板に使用された接点部材の接着力が高いので、この接点部材の脱落が防止され、繰り返し耐久性が高い。
【図面の簡単な説明】
【０２１９】
【図１】図１は、本発明の一実施例による検査装置の分解組立断面図である。
【図２】図２は、図１に示した検査装置の検査時における使用状態を示した断面図である。
【図３】図３は、図１の検査装置に組み込まれたピッチ変換用基板の回路基板側の表面を示した図である。
【図４】図４は、図３に示したピッチ変換用基板の中継ピンユニット側表面を示した図である。
【図５】図５は、図１の検査装置に組み込まれているピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板が積層された状態の断面図である。
【図６】図６（ａ）は、中継基板の部分断面図、図６（ｂ）は、その拡大図である。
【図７】図７は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法を示したもので、図７（ａ）は支持体と複合フィルムを組付け態様を示した分解断面図、図７（ｂ）は、その製造方法における第１の複合フィルム配置工程の断面図である。
【図８】図８は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法を示したもので、図８（ａ）は導電性ペースト塗布工程の断面図、図８（ｂ）は第２の複合フィルム配置工程を示した断面図である。
【図９】図９は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法による磁場配向工程を示した断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法による液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程を示した断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法を示したもので、図１１（ａ）は液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程の準備段階として複合フィルムの上面からレーザー加工するときの断面図、図１１（ｂ）は液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程において複合フィルムを剥離した状態を示した断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法による液状シリコンゴム塗布工程の断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法による液状シリコンゴム硬化工程の断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法においてメッキ金属を一体的に具備させる工程の断面図である。
【図１５】図１５は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を、第１の異方導電性シートを介して積層した状態を示した部分断面図で、図１５（ａ）は中継基板とピッチ変換用基板との間に異方導電性シートを介装した他の例を示した部分断面図、図１５（ｂ）は中継基板とピッチ変換用基板との間、および中継基板と被検査回路基板との間に、それぞれ異方導電性シートを介装したときの部分断面図である。
【図１６】図１６は、第１の異方導電性シートの部分断面図である。
【図１７】図１７は、第２の異方導電性シートの断面図である。
【図１８】図１８は、中継ピンユニットの断面図である。
【図１９】図１９は、中継ピンユニットの導電ピン、中間保持板および絶縁板の一部を示した断面図である。
【図２０】図２０は、中継ピンユニットにおける他の例を示した図１９と同様の断面図である。
【図２１】図２１は、図２０の構成において第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に導電ピンを配置するまでの工程を示した断面図である。
【図２２】図２２は、屈曲保持板を配置した中継ピンユニットの断面図である。
【図２３】図２３は、中継ピンユニットの中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面の部分拡大図である。
【図２４】図２４は、本発明の検査装置の実施形態を示した一部断面図である。
【図２５】図２５は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の検査装置における中継ピンユニットの使用状態を説明する断面図である。
【図２７】図２７は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。
【図２８】図２８は、本発明の検査装置における他の実施形態を示した図２４同様の一部断面図である。
【図２９】図２９は、図２８の実施形態における中継ピンユニットの断面図である。
【図３０】図３０は、従来における回路基板の検査装置の断面図である。
【図３１】図３１は、特願２００５−２０５６８４号で使用されている中継基板の断面図である。
【符号の説明】
【０２２０】
１ 被検査回路基板
２、３ 電極
１１ａ 第１の検査治具
１１ｂ 第２の検査治具
２１ａ、２１ｂ 回路基板側コネクタ
２２ａ、２２ｂ 第１の異方導電性シート
２３ａ、２３ｂ ピッチ変換用基板
２４ 端子電極
２５ 接続用電極
２６ａ、２６ｂ 第２の異方導電性シート
２９ａ，２９ｂ 中継基板
３１ａ，３１ｂ 中継ピンユニット
３２ａ，３２ｂ 導電ピン
３３ａ，３３ｂ 第１の支持ピン
３４ａ，３４ｂ 第１の絶縁板
３５ａ，３５ｂ 第２の絶縁板
３６ａ，３６ｂ 中間保持板
３７ａ，３７ｂ 第２の支持ピン
３８Ａ 第１の当接支持位置
３８Ｂ 第２の当接支持位置
３９ 保持板支持ピン
３９Ａ 当接支持位置
４１ａ，４１ｂ テスター側コネクタ
４２ａ，４２ｂ 第３の異方導電性シート
４３ａ，４３ｂ コネクタ基板
４４ａ，４４ｂ テスター側電極
４５ａ，４５ｂ ピン側電極
４６ａ，４６ｂ ベース板
４７ 液状シリコンゴム塗布用凹所
４９ａ,４９ｂ 支持ピン
５１ 絶縁基板
５２ 配線
５３ 内部配線
５４ 絶縁層
５５ 絶縁層
５７ メッキ金属保持板
５９ 金属層
６１ 導電路形成部
６１ａ 突出部
６１Ａ 導電性エラストマー用材料層
６１Ｂ 導電性エラストマー層
６２ 絶縁部
６３ シート基材
６４ 金属膜
６７ レジスト層
６７ａ 開口
６８ 磁性金属メッキ
７１ 導電路形成部
７２ 絶縁部
７２ａ 突出部
７３ 支持体
７３ｃ 貫通孔
７７ 接点部材（メッキ金属）
７９ 液状シリコンゴム
８１ａ，８１ｂ 端部
８２ 中央部
８３，８３ａ，８３ｂ 貫通孔
８４ 屈曲保持板
８５ 貫通孔
８６ 貫通孔
１０１ 被検査回路基板
１０２ 被検査電極
１０３ 被検査電極
１１１ａ 第１の検査治具
１１１ｂ 第２の検査治具
１２１ａ、１２１ｂ 回路基板側コネクタ
１２２ａ，１２２ｂ 第１の異方導電性シート（中継基板）
１２３ａ，１２３ｂ ピッチ変換用基板
１２６ａ，１２６ｂ 第２の異方導電性シート
１３１ａ，１３１ｂ 中継ピンユニット
１３２ａ，１３２ｂ 導電ピン
１３４ａ，１３４ｂ 絶縁板
１４１ａ，１４１ｂ テスター側コネクタ
１４２ａ，１４２ｂ 第３の異方導電性シート
１４３ａ，１４３ｂ コネクタ基板
１４６ａ，１４６ｂ ベース板
Ａ 中間保持板投影面
Ｐ 導電性粒子
Ｌ１ 距離
Ｌ２ 距離
Ｑ１ 対角線
Ｑ２ 対角線
Ｒ１ 単位格子領域
Ｒ２ 単位格子領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気検査を行う検査対象である回路基板（以下、「被検査回路基板」という。）の両側に配置されて、回路基板の端子の導通を外部に導く中継基板、およびこの中継基板の製造方法、ならびにこの中継基板を用いた検査装置、さらには、この検査装置を用いた回路基板の検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集積回路などを実装するためのプリント回路基板は、集積回路などを実装する前に、回路基板の配線パターンが所定の性能を有することを確認するために電気的特性が検査される。
【０００３】
この電気検査では、例えば、回路基板の搬送機構を備えた検査用テスターに検査ヘッドを組み込み、検査ヘッド部分を交換することにより異なる回路基板の検査を行っている。
例えば、特許文献１に開示されているように、被検査回路基板の被検査電極に接して電気的に導通する金属の検査ピンを基板に植設した構造の検査治具を用いる方法が提案されている。
【０００４】
また、特許文献２に開示されているように、導電ピンを有する検査ヘッドと、オフグリットアダプターと呼ばれるピッチ変換用の回路基板と、異方導電性シートとを組み合わせた検査治具を用いる方法が知られている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１のように、金属検査ピンを直接に被検査回路基板の被検査電極に接触させる検査治具を用いる方法では、金属からなる導電ピンとの接触により被検査回路基板の電極が損傷する可能性がある。
【０００６】
特に、近年では回路基板における回路の微細化、高密度化が進み、このようなプリント回路基板を検査する場合、多数の導電ピンを被検査回路基板の被検査電極に同時に導通接触させるためには、高い圧力で検査治具を加圧することが必要となり、被検査電極が損傷し易くなる。
【０００７】
そして、このような微細化、高密度化されたプリント回路基板を検査するための検査治具では、高密度で多数の金属ピンを基板に植設することが技術的に困難になりつつある。また、その製造コストも高価となり、さらに、一部の金属ピンが損傷した場合に、修理、交換することが困難である。
【０００８】
一方、特許文献２のように、異方導電性シートを使用する検査治具では、被検査回路基板の被検査電極が、異方導電性シートを介してピッチ変換用基板の電極と接触することになるため、被検査回路基板の被検査電極が損傷しにくいという利点がある。また、ピッチ変換を行う基板を使用しているため、基板に植設する検査ピンを、被検査回路基板の被検査電極のピッチよりも広いピッチで植設することができるため、微細ピッチで検査ピンを植設する必要がなく、検査治具の製造コストを節約できるという利点もある。
【０００９】
しかしながら、この検査治具では、検査対象である被検査回路基板ごとに、ピッチ変換用基板と、検査ピンを植設する検査治具とを作成する必要があるため、検査される被検査回路基板であるプリント回路基板と同数の検査治具が必要となる。
【００１０】
このため、複数のプリント回路基板を生産している場合では、それに対応して複数の検査治具を保有しなければならないという問題がある。特に、近年では電子機器の製品サイクルが短縮し、製品に使用されるプリント回路基板の生産期間の短縮化が進んでいるが、これに伴って検査治具を長期間使用することができなくなり、プリント回路基板の生産が切り替わる度に検査治具を生産しなければならないという問題が生じている。
【００１１】
このような問題への対策として、例えば、特許文献３〜５のような、中継ピンユニットを用いる、いわゆるユニバーサルタイプの検査治具を用いた検査装置が提案されている。
図３０は、このようなユニバーサルタイプの検査治具を用いた検査装置の断面図である。この検査装置は、一対の第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂとを備え、これらの検査治具は、回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂと、中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂと、テスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂとを備えている。
【００１２】
回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂは、ピッチ変換用基板１２３ａ、１２３ｂと、その両面側に配置される中継基板（第１の異方導電性シート）１２２ａ、１２２ｂと、第２の異方導電性シート１２６ａ、１２６ｂとを有している。
【００１３】
中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂは、一定ピッチ（例えば２．５４ｍｍピッチ）で格子点上に多数（例えば５０００ピン）配置された導電ピン１３２ａ、１３２ｂと、この導電ピン１３２ａ、１３２ｂを上下へ移動可能に支持する一対の絶縁板１３４ａ、１３４ｂとを有している。
【００１４】
テスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂは、被検査回路基板１０１を検査治具１１１ａ、１１１ｂで挟圧した際に、テスターと導電ピン１３２ａ、１３２ｂとを電気的に接続するコネクタ基板１４３ａ、１４３ｂと、コネクタ基板１４３ａ、１４３ｂの導電ピン１３２ａ、１３２ｂ側に配置される第３の異方導電性シート１４２ａ、１４２ｂと、ベース板１４６ａ、１４６ｂとを有している。
【００１５】
この中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂを使用した検査治具は、異なる被検査対象であるプリント回路基板を検査する際に、回路基板側コネクタ１２１ａ、１２１ｂを被検査回路基板１０１に対応するものに交換するだけでよく、中継ピンユニット１３１ａ、１３１ｂとテスター側コネクタ１４１ａ、１４１ｂは共通で使用できる。
【００１６】
ところで、被検査回路基板１０１であるプリント配線基板は、多層高密度化してきており、実際には厚み方向に、例えば、ＢＧＡなどのハンダボール電極などの被検査電極１０２、１０３による高さバラツキや基板自体の反りが生じている。そのため、被検査回路基板１０１上の検査点である被検査電極１０２、１０３に電気的接続を達成するためには、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂとを高い圧力で加圧して、被検査回路基板１０１を平坦に変形する必要がある。また、被検査電極１０２、１０３の高さバラツキに対しては、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂの被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性が必要となる。
【００１７】
従来のこのようなユニバーサルタイプの検査治具では、被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性を確保するために、導電ピン１３２ａ、１３２ｂの軸方向移動により追従していたが、この導電ピン１３２ａ、１３２ｂの軸方向移動量にも限界があるため、このような被検査電極１０２、１０３の高さに対する追従性が良好でない場合があり、導通不良が発生して正確な検査ができないことになる。
【００１８】
また、このようなユニバーサルタイプの検査治具では、第１の検査治具１１１ａと第２の検査治具１１１ｂによって、被検査回路基板１０１を挟圧した際のプレス圧力は、その
上下の中継基板１２２ａ、１２２ｂ、異方導電性シート１２６ａ、１２６ｂ、１４２ａ、１４２ｂにて吸収している。
【００１９】
そのため、このようなユニバーサルタイプの検査治具では、ピッチ変換用基板１２３ａ、１２３ｂを支持しプレス圧を分散させるために、一定間隔で導電ピン１３２ａ、１３２ｂを配置する必要がある。
【００２０】
また、従来のユニバーサルタイプの検査治具では、プレス圧力は導電ピン１３２ａ、１３２ｂで受けるようになっているため、一定間隔で多数の導電ピン１３２ａ、１３２ｂを配置する必要がある。
【００２１】
このため、被検査回路基板１０１の電極の微細化に対応して、例えば、０．７５ｍｍピッチで１万以上の貫通孔を有する絶縁板１３４ａ、１３４ｂを形成する場合、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの基板の厚さが薄いと強度が低くなり、曲げた時に割れることもあるので、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの厚さは厚めにする必要があった。
【００２２】
しかしながら、形成する貫通孔の径が例えば直径０．５ｍｍ程度と微細になり、絶縁板１３４ａ、１３４ｂの厚さが５ｍｍ以上になると、一回のドリル加工で貫通孔を形成しようとする場合に、ドリルの刃の強度の関係で、ドリルの刃の欠損、折れが生じて絶縁板の加工に失敗する場合が多くなる。
【００２３】
このため、絶縁板の片面から厚みの半分程度までドリル加工し、さらに他面側から同一部分にドリル加工を行うことにより貫通孔を形成することによって絶縁板の加工を行っているが、この場合、絶縁板に形成する貫通孔数の２倍のドリル加工作業が必要となり、加工工程が煩雑となるという問題があった。
【００２４】
また、従来のこうしたユニバーサルタイプの検査治具では、回路基板側コネクタを構成する中継基板１２２ａ、１２２ｂとして、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有されて面方向に不均一に分散され、シート片面側に導電路形成部が突出した偏在型の異方導電性シートを使用していた。この異方導電性シートは検査での繰り返し使用により導電路形成部が劣化（抵抗値の上昇）し、異方導電性シートを交換する場合、交換の度に異方導電性シートとピッチ変換用基板との位置合わせ、および回路基板側コネクタと中継ピンユニットとの位置合わせが必要であり、この位置合わせ作業が煩雑で検査効率の低下の要因となっていた。
【００２５】
一方、図３１に示したように、支持体７３の貫通孔内に配置された弾性高分子物質からなる絶縁部６２内に、複数の導電路形成部６１を形成した中継基板が本出願人により提供されている（特許文献６）。図３１に示した特許文献６の中継基板では、導電路形成部６１内に磁性を示す導電性粒子が、絶縁部６２の厚み方向に配向されている。また、導電路形成部６１の突出部６１ａが絶縁部６２の表面から突出され、さらに導電路形成部６１の両端面に金属膜６４が具備されている。
【００２６】
このように導電路形成部６１の端面に金属膜６４が具備されることにより、導電路形成部６１の加圧変形が容易なものとされ、導電路形成部６１において導電性粒子間に十分な電気的接触を得ることができる。
【特許文献１】特開平６−９４７６８号公報
【特許文献２】特開平５−１５９８２１号公報
【特許文献３】特開平７−２４８３５０号公報
【特許文献４】特開平８−２７１５６９号公報
【特許文献５】特開平８−３３８８５８号公報
【特許文献６】特願２００５−２０５６８４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
しかしながら、図３１の特許文献６に開示されているように、絶縁部６２から導電路形成部６１が突出され、その突出部６１ａの端面に金属膜６４が具備されている中継基板が、回路基板の検査装置に使用されていると、以下のような問題があった。
【００２８】
すなわち、回路基板の検査には、何万回も繰り返して同じ押圧動作が行なわれるため、金属膜６４が場合によっては導電路形成部６１の端面から脱落してしまうことがあった。
したがって、このように脱落が生じてしまった場合には、新たな中継基板を用意するとともに、金属膜６４の脱落を定期的に確認し、脱落が生じてしまった場合に新たな中継基板と交換しなければならないという問題があった。
【００２９】
本発明は、このような実情に鑑み、中継基板の導電路形成部に設置された金属膜の脱落を可及的に防止し、繰り返し使用による耐久性を向上させることができる中継基板を提供することを目的としている。
【００３０】
また、本発明は、このように耐久性を十分に向上させることもできる中継基板を容易に製造することができる中継基板の製造方法を提供することを目的としている。
さらに、本発明は、このような中継基板を用いて繰り返し使用による耐久性を向上させ、しかも回路基板を検査するのに好適な回路基板の検査装置を提供することを目的としている。
【００３１】
また、本発明は、このような検査装置を用いた回路基板の検査方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本発明に係る中継基板は、
検査対象となる被検査回路基板と、一面側と他面側との間で電極のピッチを変換するピッチ変換用基板との間の電気的接続を中継するとともに、
磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に含有された複数の導電路形成部が、支持体に形成された貫通孔内に絶縁性のシリコン被膜を介して相互に絶縁された状態で支持され、さらに、前記導電路形成部の厚み方向端部に金属からなる接点部材が一体的に具備され、さらに、当該接点部材の頂部が前記絶縁性のシリコン被膜から厚み方向外方に突出して配置されてなることを特徴としている。
【００３３】
このような構成の中継基板であれば、被検査回路基板とピッチ変換用基板との間の電気的接続を確実にすることができる。
また、本発明では、前記接点部材と前記導電路形成部との間は、
前記接点部材の側周面を囲繞するように塗布された接点部材側の液状シリコンゴムが加熱加圧硬化されるときに、前記支持体側に予め塗布されている支持体側の液状シリコンゴムとともに硬化されて一体化されていることを特徴としている。
【００３４】
係る構成の中継基板によれば、接点部材の周囲に液状シリコンゴムが塗布され、この液状シリコンゴムが硬化されるときに、予め支持体側に塗布された液状シリコンゴムと一体になって硬化されるので、接点部材すなわち特許文献６の金属膜に相当する部材と、導電路形成部との接着が確実なものとされる。
【００３５】
また、本発明では、前記接点部材の側周面に予め塗布された液状シリコンゴムと前記支持体側に予め塗布された液状シリコンゴムとは、加圧されることにより前記支持体に形成された貫通孔の外側領域にまで延展されていることが好ましい。
【００３６】
このような構成であれば、接点部材の接着力を極力向上させることができる。
さらに、本発明では、前記支持体側に予め塗布されている液状シリコンゴムは、塗布時において前記支持体の表面および前記導電路形成部の表面に対して液面が外方に盛り上がるように塗布されていることが好ましい。
【００３７】
このような構成であれば、液状シリコンゴムが十分に確保されるので、接着効果が向上する。
また、本発明では、前記接点部材は、加圧時に前記導電路形成部を内方に押圧して、当該接点部材の先端面が前記導電路形成部の内方に入り込んだ状態で前記液状シリコンゴムが硬化されていることが好ましい。
【００３８】
このような構成であれば、接点部材が導電部形成部を押圧して内方に入り込んだ状態で硬化されるので、導電路形成部と接点部材との接触が確実なものとされる。これにより、検査対象の導通を良好にすることができる。
【００３９】
さらに、本発明に係る中継基板の製造方法は、導電性ペーストが内部に塗布されるべき貫通孔が予め形成された支持体の下面側に、金属層とレジスト層との複合フィルムのレジスト層内に該レジスト層の厚さと略同じ厚さで磁性金属が予めメッキされた複合フィルムを当該複合フィルムの前記金属層側を前記支持体側に対向させた向きで配置する第１の複合フィルム配置工程と、
前記支持体に形成された前記貫通孔内に導電性ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、
前記貫通孔内に前記導電性ペーストが塗布された前記支持体の上面側に、前記第１の複合フィルム配置工程で使用された複合フィルムと同一構造の他の複合フィルムを、当該複合フィルムのレジスト層側を前記支持体側に対向させた向きで配置する第２の複合フィルム配置工程と、
前記支持体の上下両面に前記複合フィルムがそれぞれ配置され、前記貫通孔内に前記導電性ペーストが塗布された前記支持体に対し、前記導電性ペーストの厚み方向に磁場を作用させることにより、前記導電性ペースト内の磁性粒子を配向し、これにより磁性粒子による導電路形成部を形成する磁場配向工程と、
磁場配向された前記支持体にレーザー加工を施すことにより、前記導電路形成部の周囲に液状シリコンゴムを塗布するための凹所を形成する液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程と、
予め、金属層の一方面に金属接点用のメッキ金属が具備され、このメッキ金属の周囲に液状シリコンゴムが塗布されてなる金属接点用のメッキ金属保持板を用意するメッキ金属保持体準備工程と、
前記液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程で得られた支持体ユニット内に液状シリコンゴムを塗布する液状シリコンゴム塗布工程と、
前記メッキ金属保持体準備工程で得られたメッキ金属保持体と、前記液状シリコンゴム塗布工程で得られた前記支持体ユニットとを、互いの液状シリコンゴム同士が密接しあうように加圧し重ね合わせて積層するとともに、加圧下の積層状態で加熱により前記液状シリコンゴム同士の界面を無くした状態で前記液状シリコンゴムを硬化させる液状シリコンゴム硬化工程と、
前記液状シリコンゴム硬化工程で前記液状シリコンゴムが硬化した後に、前記支持体ユニットの両側の金属層を剥離することにより、前記導電路形成部の頂部に前記メッキ金属を一体的に具備させる工程と、を備えたことを特徴としている。
【００４０】
このような各工程を備えた中継基板の製造方法によれば、上記の中継基板を製造することができる。
また、本発明に係る回路基板の検査装置は、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う回路基板の検査装置であって、
前記第１の検査治具と第２の検査治具がそれぞれ、
一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板、および、
前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置され、基板に形成された複数の貫通孔に、弾性高分子物質からなる絶縁部と導電性粒子を含有する弾性高分子物質とからなり前記絶縁部を厚み方向へ貫通する導電路形成部とが形成され、該導電路形成部によって前記ピッチ変換用基板と前記被検査回路基板との電気的接続を中継する中継基板、および、
前記ピッチ変換用基板の前記中継基板とは反対側に配置される第２の異方導電性シートを備えた回路基板側コネクタと、
所定のピッチで配置された複数の導電ピン、および、
前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第１の絶縁板、第２の絶縁板、を備えた中継ピンユニットと、
テスターと前記中継ピンユニットとの間を電気的に接続するコネクタ基板、および、
前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第３の異方導電性シート、および、
前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板を備えたテスター側コネクタ、を備え、
前記中継ピンユニットは、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に配置された中間保持板、および、
前記第１の絶縁板と中間保持板との間に配置された第１の支持ピン、および、
前記第２の絶縁板と中間保持板との間に配置された第２の支持ピン、を備えるとともに、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されており、
前記中継基板は、
磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に含有された複数の導電路形成部が、支持体に形成された貫通孔内に絶縁性のシリコン被膜を介して相互に絶縁された状態で支持され、さらに、前記導電路形成部の厚み方向端部に金属からなる接点部材が一体的に具備され、さらに、当該接点部材の頂部が前記絶縁性のシリコン被膜から厚み方向外方に突出して配置され、
前記接点部材と前記導電路形成部との間は、
前記接点部材の側周面を囲繞するように塗布された接点部材側の液状シリコンゴムが加熱加圧硬化されるときに、前記支持体側に予め塗布されている液状シリコンゴムとともに硬化され、これら液状シリコンゴムが界面を無くして硬化されるときの接着力により一体化されていることを特徴としている。
【００４１】
このように構成することによって、第１の検査治具と第２の検査治具との間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階では、中継ピンユニットの導電ピンによる厚み方向への移動と、中継基板の弾性部分と、第２の異方導電性シートと、第３の異方導電性シートのゴム弾性圧縮にて圧力を吸収して、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収することができる。
【００４２】
そして、第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中
間保持板投影面において、異なる位置に配置されているので、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際に、中継基板の弾性部分と、第２の異方導電性シートと、第３の異方導電性シートのゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニットの第１の絶縁板と、第２の絶縁板と、第１の絶縁板と第２の絶縁板の間に配置された中間保持板のバネ弾性により、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することができる。
【００４３】
これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板の被検査電極の各々に対しても、安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００４４】
また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がないので、導電ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することができる。
さらに本発明では、導電路形成部とその周囲の絶縁部とからなる弾性部分が基板に形成された複数の貫通孔のそれぞれに設けられた中継基板を配置しているので、検査治具の押圧による加圧力や衝撃がこの弾性部分で吸収され、被検査回路基板の電極などを破損損傷することがない。
【００４５】
さらに、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の配置パターンに関わらず、被検査回路基板について所要の電気的検査を確実に実行することができ、被検査回路基板の被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、被検査回路基板について所要の電気的検査を確実に実施することができる。
【００４６】
本発明の回路基板の検査装置は、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧した際に、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第２の絶縁板の方向に撓むとともに、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第１の絶縁板の方向に撓むことが好ましい。
【００４７】
このように構成することによって、中間保持板が、第１の当接支持位置、第２の当接支持位置を中心として、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板をさらに加圧した際に、中間保持板のバネ弾性力がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて局部的な応力集中を回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００４８】
さらに、本発明に係る回路基板の検査装置は、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置され、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置されており、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第１の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第２の当接支持位置が配置されるとともに、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第２の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第１の当接支持位置が配置されていることが好ましい。
【００４９】
このように構成することによって、第１の当接支持位置と第２の当接支持位置が格子状に配置され、しかも、第１の当接支持位置と第２の当接支持位置の格子点位置が全てずれた位置に配置されることになる。
【００５０】
従って、中間保持板が、第１の当接支持位置、第２の当接支持位置を中心として、相互に反対方向により撓むことになり、第１の検査治具と第２の検査治具の間で検査対象である被検査回路基板を加圧した際に、中間保持板のバネ弾性力がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができる。よって、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制され、その結果、異方導電性シートの繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００５１】
また、本発明の回路基板の検査装置は、
前記中継ピンユニットが、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に所定間隔離間して配置された複数個の中間保持板と、
隣接する中間保持板同士の間に配置された保持板支持ピンと、
を備えるとともに、
少なくとも１つの中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることが好ましい。
【００５２】
このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板によってバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００５３】
また、本発明の回路基板の検査装置は、
全ての前記中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることが好ましい。
これによって、隣接する中間保持板の間で、保持板支持ピンの中間保持板との当接支持位置がずれた位置に配置されるので、これらの複数個の中間保持板のバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対して圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板の弾性部分の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【００５４】
また、本発明の回路基板の検査装置は、
前記第２の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることが好ましい。
【００５５】
また、本発明の回路基板の検査装置は、
前記第３の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることが好ましい。
【００５６】
このように、第２の異方導電性シートおよび第３の異方導電性シートとして、導電路形成部と絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有されて面方向に不均一に分散され、シート片面側に導電路形成部が突出した偏在型の異方導電性シートを使用することにより、検査治具の押圧による加圧力や衝撃がこれらのシートで吸収され、これにより中継基板の弾性部分の劣化が抑制される。
【００５７】
本発明における一つの態様では、
前記複数の導電ピンは、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間の間隔よりも短い棒状の中央部と、該中央部の両端側に形成され該中央部よりも径が小さい一対の端部とからなり、
前記一対の端部がそれぞれ、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板とに形成された前記中央部よりも径が小さく前記一対の端部よりも径が大きい貫通孔に挿通され、これにより前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持される。
【００５８】
このように構成することで、導電ピンが、第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に、軸方向に移動可能に、且つ脱落しないように保持することができる。
本発明における他の態様では、
前記第１の絶縁板と中間保持板との間、前記第２の絶縁板と中間保持板との間、または中間保持板同士の間に、前記導電ピンが挿通される貫通孔が形成された屈曲保持板が設けられ、
前記複数の導電ピンは、前記第１および第２の絶縁板に形成された貫通孔と、前記屈曲保持板に形成された貫通孔とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて前記屈曲保持板の貫通孔の位置で屈曲され、これにより前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持される。
【００５９】
このように構成することで、導電ピンが、第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に、軸方向に移動可能に、且つ脱落しないように保持することができる。さらに、導電ピンとして円柱状である簡易な構造のピンを使用できるため、導電ピンおよびそれを保持する部材の全体としてのコストを抑えることができる。
【００６０】
本発明の回路基板の検査方法は、前述した回路基板の検査装置を用いた回路基板の検査方法であって、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行うことを特徴としている。
【発明の効果】
【００６１】
本発明に係る中継基板によれば、金属からなる接点部材が、その周囲に塗布された液状シリコンゴムが加熱により硬化されることにより、導電路形成部側に塗布された液状シリコンゴムと一体化されるので、接点部材の導電路形成部に対する接着力を強固にすることができる。これにより、中継基板の脱落が防止され、繰り返し耐久性を向上させることができる。
【００６２】
さらに、本発明に係る中継基板では、液状シリコンゴムが加圧された際に、支持体の外側領域にまで延展されていれば、接点部材の接着力をより向上させることができる。
また、本発明に係る中継基板では、金属からなる接点部材が導電路形成部の内方に入り込んだ状態で液状シリコンゴムが硬化されていれば、より一層接点部材の接着力を向上させることができる。
【００６３】
また、本発明に係る回路基板の検査装置によれば、検査対象である被検査回路基板が、例えば被検査電極の離間距離が５０μｍ以下であるような、微細ピッチの微小電極を有するものであっても、信頼性の高い回路基板の電気的検査を行うことが可能である。
【００６４】
また、本発明に係る回路基板の検査装置によれば、検査対象である被検査回路基板の被検査電極の高さバラツキに対する追従性が良好で、導通不良が発生せず、正確な検査を実施することが可能である。
【００６５】
また、一定間隔で導電ピンを配置する必要がないので、導電ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することができる。
また、高分解能で検査が可能であり、且つ、被検査回路基板の被検査電極による段差を良好に吸収できる。
【００６６】
さらに、本発明に係る回路基板の検査方法によれば、回路基板の検査を繰り返し良好に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。なお、以下の説明において、第１の検査治具と第２の検査治具における一対の同一構成要素（例えば回路基板側コネクタ２１ａと回路基板側コネクタ２１ｂなど）を総称する場合には、記号「ａ」、「ｂ」を省略し、例えば、回路基板側コネクタ２１ａと回路基板側コネクタ２１ｂとを総称して「回路基板側コネクタ２１」と記述することがある。
【００６８】
図１は、本発明の一実施例による検査装置の分解組立断面図、図２は、図１に示した検査装置の検査時における使用状態を示した断面図である。
この検査装置は、集積回路などを実装するためのプリント回路基板などの検査対象である被検査回路基板１において、被検査電極間の電気抵抗を測定することにより被検査回路基板の電気検査を行うものである。この検査装置には、本発明の一実施例に係る中継基板２９ａ、２９ｂが組み込まれており、その中継基板２９ａ、２９ｂは、図６に詳細に示されている。
【００６９】
そして、この検査装置には、図１および図２に示したように、被検査回路基板１の上面側に配置される第１の検査治具１１ａと、下面側に配置される第２の検査治具１１ｂとが、上下に互いに対向するように配置されている。
【００７０】
第１の検査治具１１ａは、その両側に本発明の主要素である中継基板２９ａおよび第２の異方導電性シート２６ａを備えた回路基板側コネクタ２１ａと、中継ピンユニット３１ａを備えている。また、第１の検査治具１１ａは、その中継ピンユニット３１ａ側に第３の異方導電性シート４２ａが配置されるコネクタ基板４３ａと、ベース板４６ａとを備えたテスター側コネクタ４１ａを備えている。
【００７１】
第２の検査治具１１ｂも、第１の検査治具１１ａと同様に構成され、その両側に中継基板２９ｂおよび第２の異方導電性シート２６ｂを備えた回路基板側コネクタ２１ｂと、中継ピンユニット３１ｂを備えている。また、第２の検査治具１１ｂは、その中継ピンユニット３１ｂ側に第３の異方導電性シート４２ｂが配置されるコネクタ基板４３ｂと、ベース板４６ｂとを備えたテスター側コネクタ４１ｂを備えている。
【００７２】
被検査回路基板１の上面には、被検査用の電極２が形成され、その下面にも被検査用の電極３が形成されており、これらは互いに電気的に接続されている。
回路基板側コネクタ２１ａ，２１ｂは、ピッチ変換用基板２３ａ，２３ｂと、その一方の面に配置される中継基板２９ａ，２９ｂと、他方の面に配置される第２の異方導電性シート２６ａ，２６ｂを有している。
【００７３】
図３は、ピッチ変換用基板の被検査回路基板側の表面を示した図、図４は、ピッチ変換用基板の中継ピンユニット側の表面を示した図、図５は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を積層した状態の断面図である。
【００７４】
ピッチ変換用基板２３の一方の表面、すなわち、被検査回路基板１側には、図３に示したように、被検査回路基板１の電極２、３に電気的に接続される複数の接続用電極２５が形成されている。これらの接続電極２５は、被検査回路基板１の被検査電極２，３のパターンに対応するように配置されている。
【００７５】
一方、ピッチ変換用基板２３の他方の表面、すなわち、被検査回路基板１と反対側には、図４に示したように、中継ピンユニット３１の導電ピン３２ａ、３２ｂに電気的に接続される複数の端子電極２４が形成されている。これらの端子電極２４は、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍである一定ピッチの格子点上に配置されており、そのピッチは中継ピンユニットの導電ピン３２ａ、３２ｂの配置ピッチと同一である。
【００７６】
図３のそれぞれの接続電極２５は、配線５２および絶縁基板５１の厚み方向に貫通する内部配線５３（図５を参照）によって、対応する図４の端子電極２４に電気的に接続されている。
【００７７】
ピッチ変換用基板２３の表面における絶縁部は、例えば、図５に示したように、絶縁基板５１の表面に、それぞれの接続電極２５が露出するように形成された絶縁層５４で構成される。この絶縁層５４の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜６０μｍである。この厚みが過小である場合、表面粗さが小さい絶縁層を形成することが困難となることがある。一方、この厚みが過大である場合、接続電極２５と中継基板２９の導電路形成部との電気的接続が困難となることがある。
【００７８】
ピッチ変換用基板の絶縁基板５１を形成する材料としては、一般にプリント回路基板の基材として使用されるものを用いることができる。具体的には、例えばポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミド・トリアジン樹脂などを挙げることができる。
【００７９】
図５の絶縁層５４、５５の形成材料としては、薄膜状に成形可能な高分子材料を用いることができる。その具体例としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、これらの混合物、レジスト材料などを挙げることができる。
【００８０】
ピッチ変換用基板２３は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、平板状の絶縁基板の両面に金属薄層を積層した積層材料を用意し、この積層材料に対して、形成すべき端子電極のパターンに対応し、積層材料の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、数値制御型ドリリング装置、フォトエッチング処理、レーザー加工処理などにより形成する。
【００８１】
次いで、積層材料に形成された貫通孔内に無電解メッキおよび電解メッキを施すことによって、基板両面の金属薄層に連結されたバイアホールを形成する。その後、金属薄層に対してフォトエッチング処理を施すことにより、絶縁基板の表面に配線パターンおよび接続電極を形成するとともに、反対側の表面に端子電極を形成する。
【００８２】
そして、図５に示したように、絶縁基板５１の表面に、それぞれの接続電極２５が露出するように絶縁層５４を形成するとともに、反対側の表面に、それぞれの端子電極２４が露出するように絶縁層５５を形成することにより、ピッチ変換用基板２３が得られる。なお、絶縁層５５の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜６０μｍである。
【００８３】
図６（ａ）は、本実施例の中継基板の断面図、図６（ｂ）は、その部分拡大断面図である。この中継基板２９の基材となる支持体７３には、ピッチ変換用基板２３の電極パターンに従って導電路形成部６１が配置される貫通孔７３ｃが形成されている。この貫通孔７３ｃ内には、弾性高分子物質を埋設することにより絶縁部６２が形成され、導電路形成部６１が、この絶縁部６２に囲まれるように配置されている。
【００８４】
導電路形成部６１には、絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されている。
図６（ｂ）に示したように、中継基板２９は、２種類のシリコンゴムから形成されている。すなわち、支持体７３の貫通孔７３ｃの最外方に位置する弾性高分子物質からなる絶縁部６２を構成する最初に硬化したシリコンゴムと、このシリコンゴムとは別の工程で塗布され後から硬化した液状シリコンゴムＧ、Ｈとから構成されている。液状シリコンゴムＧは、図６（ｂ）に示したように、最初に硬化した絶縁部６２をレーザー加工することで導電路形成部６１の周囲に貫通孔６２ｃが形成され、この貫通孔６２ｃ内に塗布されたものである。また、この液状シリコンゴムＧは、導電路形成部６１の端面に後から接点部材１５を取り付ける際に、接点部材１５側に塗布された液状シリコンゴムＨと一体的に硬化している。そして、本実施例では、これらの液状シリコンゴムＧ、Ｈが加熱により一体的に硬化されることにより、金属製の接点部材１５が導電路形成部６１の端面に強固に接着されている。
【００８５】
支持体７３の貫通孔７３ｃ内に厚さ方向に形成された導電路形成部６１には、絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されている。
【００８６】
これに対し、絶縁部６２は、導電性粒子を含有しない弾性高分子物質により形成されている。導電路形成部６１を構成する弾性高分子物質と絶縁部６２を構成する弾性高分子物質とは、互いに同じ種類のものであっても異なる種類のものであってもよい。
【００８７】
中継基板の支持体７３を形成する材料としては、具体的には、例えばガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミド・トリアジン樹脂、等の複合樹脂材料、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアラミド樹脂、ポリアミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、液晶ポリマー等の機械的強度の高い樹脂材料、ステンレス等の金属材料、フッ素樹脂繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、ポリアリレート繊維、ナイロン繊維、ポリエステル繊維、液晶ポリマー繊維等の有機繊維よりなるメッシュ、不織布、金属メッシュなどを挙げることができる。支持体７３の厚みは、形成材料にもよるが、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは３０〜１００μｍである。
【００８８】
この支持体７３に形成された多数の貫通孔７３ｃのそれぞれに、接続用電極２５に対応した導電路形成部６１が配置される。すなわち、図５に示したように、例えば、４端子検査における電圧供給用電極２７と電圧測定用電極２８に対応した導電路形成部６１の対が貫通孔のそれぞれに配置される。一つの貫通孔７３ｃに配置される導電路形成部６１の数は、特に限定されないが、好ましくは１〜４個であり、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応して、支持体７３の各貫通孔毎に導電路形成部６１の数が異なっていてもよい。
【００８９】
図６（ａ）、（ｂ）の例では、中継基板２９の下面において、導電路形成部６１が絶縁部６２の表面から突出して形成され、ここに突出部６１ａが形成されているが、中継基板２９の上面側には、金属からなら接点部材１５の下面側が導電路形成部６１の内方に押し込まれた状態で、後から塗布された液状シリコンゴムＧ，Ｈが硬化されている。したがって、中継基板２９の上面側では、接点部材１５の頂部が突出部６１ａに相当し、絶縁部６２の表面から外方に突出されている。
【００９０】
このように、本実施例の中継基板２９では、導電路形成部６１に突出部６１ａを形成し、さらに金属製の接点部材１５を上面側に配置することによって、導電路形成部６１に対する加圧による圧縮の程度が絶縁部６２に対するそれよりも大きくなるため、導電路形成部６１には充分に抵抗値の低い導電路が確実に形成され、加圧力の変化に対する抵抗値の変化を小さくすることができる。その結果、中継基板２９のそれぞれの導電路形成部６１に作用する加圧力が不均一であっても、各導電路形成部６１間における導電性のバラツキを防止することができる。
【００９１】
導電路形成部６１および絶縁部６２を構成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好ましい。このような弾性高分子物質を得るために用いることのできる硬化性の高分子物質形成材料の具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、シリコンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。
【００９２】
中継基板２９に耐候性が要求される場合には、共役ジエン系ゴム以外のものを用いることが好ましく、特に、成形加工性および電気特性の観点からシリコンゴムを用いることが好ましい。シリコンゴムとしては、液状シリコンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコンゴムは、その粘度が歪速度１０-1ｓｅｃで１０5ポアズ以下であること
が好ましく、縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、例えばジメチルシリコン生ゴム、メチルビニルシリコン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコン生ゴムなどを挙げることができる。
【００９３】
また、シリコンゴムは、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。）が１００００〜４００００であることが好ましい。また、耐熱性の点から、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。）が２以下であることが好ましい。
【００９４】
導電路形成部６１に含有される導電性粒子Ｐとしては、後述する方法により導電性粒子を容易に厚み方向に並ぶよう配向させることができることから、磁性を示す導電性粒子が用いられる。
【００９５】
このような導電性粒子の具体例としては、鉄、コバルト、ニッケルなどの磁性を有する金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性金属のメッキを施したものなどが挙げられる。
【００９６】
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に導電性の良好な金のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する方法としては、例えば化学メッキ、電解メッキなどを挙げることができる。
【００９７】
導電性粒子として芯粒子の表面に導電性金属を被覆したものを用いる場合には、良好な導電性が得られる点から、粒子表面における導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
【００９８】
導電性金属の被覆量は、芯粒子の０．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜３０質量％、さらに好ましくは３〜２５質量％、特に好ましくは４〜２０質量％である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の０．５〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜２０質量％、さらに好ましくは３〜１５質量％である。
【００９９】
導電性粒子の粒子径は、１〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜５０μｍ、さらに好ましくは３〜３０μｍ、特に好ましくは４〜２０μｍである。
導電性粒子Ｐの粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１．０１〜７、さらに好ましくは１．０５〜５、特に好ましくは１．１〜４である。
【０１００】
このような条件を満足する導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる導電路形成部６１は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電路形成部６１において導電性粒子間に十分な電気的接触が得られる。
【０１０１】
導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子であることが好ましい。
【０１０２】
また、導電性粒子として、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤や潤滑剤で処理されたものを適宜用いることができる。カップリング剤や潤滑剤で粒子表面を処理することにより、異方導電性シートの耐久性が向上する。
【０１０３】
このような導電性粒子は、導電路形成部中に体積分率で好ましくは１５〜４５％、より好ましくは２０〜４０％となる割合で含有される。この割合が過小である場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部６１が得られないことがある。一方、この割合が過大である場合には、得られる導電路形成部６１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部６１として必要な弾性が得られないことがある。
【０１０４】
導電路形成部６１の厚みは、好ましくは２０〜２５０μｍ、より好ましくは３０〜２００μｍである。この厚み過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低くなる。一方、この厚み過大である場合、良好な導電性が得られないことがある。
【０１０５】
導電路形成部６１における突出部６１ａの突出高さは、導電路形成部６１の厚みの５〜７０％であることが好ましく、より好ましくは１０〜６０％である。
以下に、本実施例に係る中継基板２９の製造方法の一例について、図７〜図１４を参照しながら説明する。
【０１０６】
本実施例により中継基板２９の製造方法は、第１の複合フィルム配置工程と、導電性ペースト塗布工程と、第２の複合フィルム配置工程と、磁場配向工程と、液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程と、メッキ金属保持体準備工程と、液状シリコンゴム塗布工程と、液状シリコンゴム硬化工程と、導電路形成部の頂部にメッキ金属を一体的に具備させる工程とを備えている。
【０１０７】
先ず、第１の複合フィルム配置工程について説明する。
図７（ａ）に示したように、第１の複合フィルム配置工程では、一対の複合フィルム１７、１７と支持体７３とが用意される。
【０１０８】
一対の複合フィルム１７、１７は、同一の構成を有するもので、金属層１９とレジスト層６７とから構成されている。そして、この複合フィルム１７では、金属層１９の一方面に、フォトリソグラフィーの手法により、形成すべき導電路形成部のパターン、すなわち接続すべき電極のパターンに対応する所定のパターンに従って複数の開口６７ａが形成されたレジスト層６７が形成されている。
【０１０９】
そして、複合フィルム１７では、金属層１９をメッキ電極として、金属層１９におけるレジスト層６７の開口６７ａから露出した部分に電解メッキ処理を施すことにより、レジスト層６７の開口６７ａ内に磁性金属メッキ６８が形成されている。
【０１１０】
このように金属層１９とレジスト層６７とから構成される一対の複合フィルム１７、１７を用意した後、図７（ｂ）に示したように、支持体７３の下面側に、一方の複合フィルム１７を、当該複合フィルム１７の金属層１９側を支持体７３に対向させた向きで配置する。これにより、第１の複合フィルム配置工程が完了する。次に、導電性ペースト塗布工程となる。
【０１１１】
導電性ペースト塗布工程では、図８（ａ）に示したように、支持体７３に形成された貫通孔７３ｃ内に導電性ペースト（導電性エラストマ−用材料層）６１Ａが塗布される。この導電性ペースト６１Ａ内には、磁性を示す導電性粒子Ｐがランダムで分散された状態で含有されている。次いで、図８（ｂ）に示したように、支持体７３の上面側にも複合フィルム１７を配置する。これにより、第２の複合フィルム配置工程が完了する。次いで、磁場配向工程となる。
【０１１２】
磁場配向工程では、図９に示したように、導電性ペースト６１Ａに対してその厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性ペースト６１Ａ内に分散されていた導電性粒子Ｐを、導電性ペースト６１Ａの厚み方向に並ぶように配向させる。そして、導電性ペースト６１Ａに対して磁場の作用を継続しながら、または、磁場の作用を停止した後に、導電性ペースト６１Ａの硬化処理を行なうことにより、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶように配向した状態で含有された導電性エラストマ−層６１Ｂが、支持板７３に支持されることになる。なお、支持体７３としては、金属、セラミックス、樹脂およびこれらの複合材などを用いることができる。
【０１１３】
図８（ａ）に示した導電性ペースト（導電性エラストマー用材料層）６１Ａを塗布する方法としては、スクリーン印刷などの印刷法、ロー塗布法、ブレード塗布法などを利用す
ることができる。
【０１１４】
導電性エラストマー用材料層６１Ａの厚みは、形成すべき導電路形成部の厚みに応じて設定される。
導電性エラストマー用材料層６１Ａに磁場を作用させる手段としては、電磁石、永久磁石などを用いることができる。
【０１１５】
導電性エラストマー用材料層６１Ａに作用させる磁場の強度は、０．２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
導電性エラストマー用材料層６１Ａの硬化処理は、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性エラストマー用材料層６１Ａを構成するエラストマー用材料の種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜設定される。
【０１１６】
次に、この導電性エラストマ−層６１Ｂから、以下のようにして、ピッチ変換用基板２３ａ、２３ｂの接続用電極２５ａ、２５ｂに対応したパターンにしたがって導電路形成部６１が形成される。
【０１１７】
すなわち、図９に示した状態から、先ず上側の複合フィルム１７が剥離される。そして、図１０に示したように、上面側の複合フィルム１７が剥離された状態から、支持体７３上の導電性エラストマ−層６１Ｂにレーザー加工を施すことにより、導電路形成部６１の周辺のエラストマ−層６１Ｂを除去する。これにより、周囲に液状シリコンゴムを塗布するための凹所４７を形成する。
【０１１８】
なお、レーザー加工を行なう順序は上記に限定されない。例えば、上側の複合フィルム１７を除去する前に、すなわち図１１（ａ）、（ｂ）に示したように、一対の複合フィルム１７、１７が両側に配置された状態からレーザー加工を施すこともできる。この場合には、図１１（ａ）に示したように上側の複合フィルム１７を構成する金属層１９を直接レーザー加工で除去するため、銅、金、アルミニウム、ロジウムなどからなる金属層１９の厚みは、０．０５〜２μｍであることが好ましく、より好ましくは、０．１〜１μｍである。さらに、レーザー加工は、炭酸ガスレーザーまたは紫外線レーザーによるものが好ましい。そして、両側の複合フィルム１７が配置された状態からレーザー加工を施して、その後、図１１（ｂ）に示したように、上側の一方の複合フィルム１７を剥がすようにしても良い。
【０１１９】
いずれにしても、このようにして導電路形成部６１の周囲に液状シリコンゴム塗布用凹所４７を形成する。これにより、液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程が完了する。
このような液状シリコンゴムを塗布するための凹所４７を支持体７３側に形成する一方で、予め、図１２に示したように、金属接点用のメッキ金属保持板５７を用意する。このメッキ金属保持板５７は、金属層５９の一方面に金属接点用のメッキ金属７７を形成したもので、これらのメッキ金属７７は、導電路形成部６１に対応した位置に形成されている。
【０１２０】
そして、液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程に続いて行なわれる図１２に示したメッキ金属保持体準備工程では、予め用意されたメッキ金属保持板５７におけるメッキ金属７７の周囲に、液状シリコンゴム７９が塗布される。なお、この液状シリコンゴム７９は塗布時の温度では未硬化である。
【０１２１】
次いで、このようなメッキ金属保持板５７の下方に、図１０あるいは図１１（ｂ）に示した液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程で得られた支持体ユニット８７が配置される。そして、この支持体ユニット８７の導電路形成部６１の周囲に形成された液状シリコンゴ
ム塗布用凹所４７内に、液状シリコンゴム７９が塗布される。なお、この凹所４７内に塗布される液状シリコンゴム７９は、液面が周囲の表面より外方に盛り上がるように塗布されている。
【０１２２】
これにより、液状シリコンゴム塗布工程が完了する。
次に、メッキ金属保持体準備工程で得られたメッキ金属保持板５７と、液状シリコンゴム塗布工程で得られた支持体ユニット８７とを、図１２に示した態様で向かい合わせるとともに、互いの液状シリコンゴム７９、７９同士が密接しあうように重ね合わせる。このように互いに重ね合わせれば、接点部材７７側の液状シリコンゴム７９と支持体７３側の液状シリコンゴム７９とが界面を無くした状態で互いに混ざり合わされるとともに、その加圧力により一部の液状シリコンゴム７９ａが、図１３に示したように、支持体７３の貫通孔７３ｃの外側領域にまで延在される。また、メッキ金属保持板５７側の接点部材としてのメッキ金属７７が、導電路形成部６１を内方に押圧する。これにより、メッキ金属７７が導電路形成部６１の内方に入り込んだ状態となる。この加圧した状態で加熱すると、未硬化の液状シリコンゴム７９、７９が一体となって、図１３に示した姿勢で硬化する。
【０１２３】
そして、図１３に示したように液状シリコンゴム７９が硬化した後、図１４に示したように、上側の金属層５９を剥離する。また、下側の複合フィルム１７を剥離する。これにより、導電路形成部６１の頂部にメッキ金属７７が一体的に具備される。なお、下面側では、複合フィルム１７を剥離することにより、これまで内方に押圧されていた導電路形成部６１が外方に突出される。これにより、下方に突出部６１ａが形成される。メッキ金属７７を一体的に具備させる工程が完了する。
【０１２４】
このようにメッキ金属７７を一体的に具備させる工程が完了すると、界面を無くした状態で一体となった液状シリコンゴム７９が既に硬化している導電性エラストマ−層６１Ｂ（絶縁部６２）および支持板７３の表面と一体化される。これにより、メッキ金属７７が導電路形成部６１の表面に強固に固定される。すなわち、本実施例によれば、メッキ金属７７の接着効果が増大して固定される。このとき、メッキ金属７７の頂部は、加圧され厚みが薄くなって硬化した液状シリコンゴム７９の表面から外部に突出されている。
【０１２５】
このようにして、所定のパターンに従って配置された複数の導電路形成部６１が支持体７３上に支持された状態で形成される。
以上に説明した中継基板の製造方法によれば、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で分散された導電性エラストマー層６１Ｂに対してレーザー加工を施してその一部を除去することによって目的とする形状の導電路形成部６１を形成している。
【０１２６】
従って、所要の量の導電性粒子Ｐが充填され、所期の導電性を有する導電路形成部６１が形成された中継基板２９を確実に得ることができる。
また、磁性を示す金属からなる磁性金属メッキ６８（金属マスク）を用いて導電性エラストマー用材料層６１Ａに対して磁場配向を行う方法を適用することにより、金属マスクが形成されていない部分の導電性粒子の密度が小さくなる。そのため、レーザー加工による導電路形成部の形成が容易になる。さらに、厚みの大きい導電性エラストマー層６１Ｂのレーザー加工が容易となるため、厚みの大きい導電路形成部６１を確実に得ることができる。
【０１２７】
また、ピッチ変換用基板２３の接続用電極２５に対応する所定のパターンに従って複数の導電路形成部６１を形成し、これらの導電路形成部６１の間に、未硬化状態の液状シリコンゴム（エラストマー用材料層）７９を形成して硬化処理している。
【０１２８】
これにより、導電路形成部６１の周囲には導電性粒子Ｐが全く存在しない絶縁部を配置
することができる。
しかも、従来のように、多数の強磁性体部が配列された高価な金型が不要である。
【０１２９】
従って、このような方法によって得られる中継基板２９によれば、検査対象である被検査回路基板１の検査電極の配置パターンに関わらず、被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができる。
【０１３０】
また、被検査電極が、そのピッチが微小で高密度に配置されている場合であっても、被検査電極の各々に対して所要の電気的接続を確実に達成することができ、しかも、製造コストの低減化を図ることができ、さらに高い耐久性が得られる。
【０１３１】
図５は、ピッチ変換用基板２３と、本実施例に係る中継基板２９と被検査回路基板１を積層した状態を示した断面図である。同図では、４端子検査を行う場合の例を示している。図示したように、被検査回路基板１とピッチ変換用基板２３との間に本発明に係る中継基板２９が配置されている。
【０１３２】
ピッチ変換用基板２３の表面には、それぞれ同一の被検査電極に電気的に接続される互いに離間して配置された電流供給用の電流供給用電極２７および電圧測定用の電圧測定用電極２８からなる接続用電極２５が形成されている。
【０１３３】
ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８に対応して、中継基板２９の１つの貫通孔内には、一対の導電路形成部６１が形成されている。この一対の導電路形成部６１，６１は、その一端側で電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と電気的に接続され、他端側で被検査回路基板１の被検査電極２と電気的に接続され、この状態で電気検査が行われる。
【０１３４】
中継基板２９の片面側もしくは両面側には、分散型異方導電性シートを配置するようにしてもよい。本発明では中継基板２９を備えているので、分解能を損なわない薄い分散型異方導電性シートを用いても、被検査回路基板１の電極による局部的な応力集中が充分に緩和される。図１５は、分散型異方導電性シートを配置した例を示した断面図であり、図１５（ａ）では、ピッチ変換用基板２３と中継基板２９との間に分散型異方導電性シートである異方導電性シート２２を配置し、ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続している。
【０１３５】
図１５（ｂ）では、中継基板２９の両面側に分散型異方導電性シートである異方導電性シート２２，２２を配置し、ピッチ変換用基板２３の電流供給用電極２７および電圧測定用電極２８と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続するとともに、被検査回路基板１の被検査電極２と、中継基板２９の一対の導電路形成部６１，６１とを、第１の異方導電性シート２２を介して電気的に接続している。
【０１３６】
回路基板側コネクタ２１を構成し、中継基板２９に隣接して配置される第１の異方導電性シート２２は、図１６に示したように、絶縁性の弾性高分子物質からなるシート基材６３中に多数の導電性粒子Ｐが面方向に分散されるとともに厚み方向に配列した状態で含有されている。
【０１３７】
第１の異方導電性シート２２の厚みは、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは３０〜１００μｍである。この最小厚みが２０μｍ未満である場合には、第１の異方導電性シート２２の機械的強度が低くなり易く、必要な耐久性が得られないことがある。一方
、この第１の異方導電性シート２２の厚みが２００μｍを超える場合には、厚み方向の電気抵抗が大きくなり易く、また、接続すべき電極のピッチが小さい場合には、加圧により形成される導電路間において所要の絶縁性が得られず、被検査電極間で電気的な短絡が生じて検査対象回路基板の電気的検査が困難となることがある。
【０１３８】
第１の異方導電性シート２２のシート基材６３を構成する弾性高分子物質は、そのデュロメータ硬さが好ましくは３０〜９０であり、より好ましくは３５〜８０、さらに好ましくは４０〜７０である。なお、ここで「デュロメータ硬さ」とは、ＪＩＳ Ｋ６２５３の
デュロメータ硬さ試験に基づいてタイプＡデュロメータによって測定されたものをいう。
【０１３９】
弾性高分子物質のデュロメータ硬さが３０未満である場合、厚み方向に押圧された際に、異方導電性シートの圧縮、変形が大きく、大きな永久歪みが生じるため、異方導電性シートが早期に劣化して検査使用が困難となり耐久性が低くなり易い。
【０１４０】
一方、弾性高分子物質のデュロメータ硬さが９０を超える場合、異方導電性シートが厚み方向に押圧された際に、厚み方向の変形量が不十分となるため、良好な接続信頼性が得られず、接続不良が発生し易くなる。
【０１４１】
第１の異方導電性シート２２の基材を構成する弾性高分子物質としては、上記のデュロメータ硬さを示すものであれば特に限定されないが、形成加工性および電気特性の観点から、シリコンゴムを用いることが好ましい。
【０１４２】
第１の異方導電性シート２２は、その厚みＷ1（μｍ）と、磁性導電性粒子の数平均粒
子径Ｄ1（μｍ）との比率Ｗ1／Ｄ1が１．１〜１０であることが好ましい。ここで、「磁
性導電性粒子の数平均粒子径」とは、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。比率Ｗ1／Ｄ1が１．１未満である場合、異方導電性シートの厚みに対して磁性導電性粒子の直径が同等あるいはそれよりも大きくなるため、この異方導電性シートはその弾性が低くなり、このため、この異方導電性シートを被検査回路基板側に配置する際に被検査回路基板が傷つきやすくなる。
【０１４３】
一方、比率Ｗ1／Ｄ1が１０を超える場合には、厚み方向に多数の導電性粒子が配列して連鎖が形成されるので、多数の導電性粒子同士の接点が存在し、電気的抵抗値が高くなり易い。
【０１４４】
磁性導電性粒子としては、異方導電性シートを形成するためのシート成形材料中において、磁性導電性粒子を磁場の作用によって容易に移動させることができる点から、その飽和磁化が好ましくは０．１Ｗｂ／ｍ2 以上、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ2 以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ2 以上のものが使用される。
【０１４５】
飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2 以上であることにより、その製造工程において磁性導電性粒子を磁場の作用によって確実に移動させて所望の配向状態とすることができるため、異方導電性シートを使用する際に磁性導電性粒子の連鎖を形成することができる。
【０１４６】
磁性導電性粒子の具体例としては、鉄、ニッケル、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子もしくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、あるいはこれらの粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に高導電性金属を被覆した複合粒子、あるいは非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に、高導電性金属のメッキを施した複合粒子、あるいは芯粒子に、フェライト、金属間化合物などの導電性磁性体および高導電性金属の両方を被覆した複合粒子などが挙げられる。
【０１４７】
ここで、「高導電性金属」とは、０℃における導電率が５×１０6 Ω-1ｍ-1以上の金属をいう。このような高導電性金属としては、具体的には、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いることが好ましい。
【０１４８】
上記の磁性導電性粒子の中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの高導電性金属のメッキを施した複合粒子が好ましい。
芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する手段として、例えば、無電解メッキ法を用いることができる。
【０１４９】
磁性導電性粒子は、その数平均粒子径の変動係数が５０％以下であることが好ましく、より好ましくは４０％以下、さらに好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下である。ここで、「数平均粒子径の変動係数」とは、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。
【０１５０】
磁性導電性粒子の数平均粒子径の変動係数が５０％以下であることにより、粒子径の不揃いの程度が小さくなるため、得られる異方導電性シートにおける部分的な導電性のバラツキを小さくすることができる。
【０１５１】
このような磁性導電性粒子は、金属材料を常法により粒子化し、あるいは市販の金属粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより得ることができる。粒子の分級処理は、例えば、空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。分級処理の具体的な条件は、目的とする導電性金属粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
【０１５２】
磁性導電性粒子の具体的な形状は、特に限定されないが、例えば複数の球形の一次粒子が一体的に連結された二次粒子が好ましく用いられる。
磁性導電性粒子として、芯粒子の表面に高導電性金属が被覆された複合粒子（導電性複合金属粒子）を用いる場合、良好な導電性が得られる点から、導電性複合金属粒子の表面における高導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する高導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
【０１５３】
また、高導電性金属の被覆量は、芯粒子の重量の２．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは３〜４５質量％、さらに好ましくは３．５〜４０質量％、特に好ましくは５〜３０質量％である。
【０１５４】
このような、絶縁性の弾性高分子物質中に多数の導電性粒子が面方向に分散し厚み方向に配列した状態で含有された異方導電性シートは、例えば特開２００３−７７５６０号公報に示されるように、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に、磁性を示す導電性粒子が含有された流動性の成形材料を調製し、この成形材料からなる成形材料層を、当該成形材料層における一面に接する一面側成形部材と、当該成形材料層における他面に接する他面側成形部材との間に形成し、この成形材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させると共に、当該成形材料層を硬化処理する方法等により製造することができる。
【０１５５】
ピッチ変換用基板２３の中継ピンユニット３１側に配置される第２の異方導電性シート２６は、図１７に示したように、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子Ｐが厚み
方向に配列して形成された導電路形成部７１と、それぞれの導電路形成部７１を離間する絶縁部７２から構成されている。このように、導電性粒子Ｐは導電路形成部７１中にのみ、面方向に不均一に分散されている。
【０１５６】
導電路形成部７１の厚みは、好ましくは０．１〜２ｍｍ、より好ましくは０．２〜１．５ｍｍである。この厚みが過小である場合、厚み方向の加圧に対する吸収能力が低く、検査時において検査治具による加圧力の吸収が小さくなり、回路基板側コネクタ２１への衝撃を緩和する効果が減少する。このため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として被検査回路基板１の繰り返し検査時における中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下する。一方、この厚みが過大である場合、厚み方向の電気抵抗が大きくなり易く電気検査が困難となることがある。
【０１５７】
絶縁部７２の厚みは、導電路形成部７１の厚みと実質的に同一か、それよりも小さいことが好ましい。図１７に示したように、絶縁部７２の厚みを導電路形成部７１の厚みよりも小さくして導電路形成部７１が絶縁部７２より突出した突出部７１ａを形成することにより、厚み方向の加圧に対して導電路形成部７２の変形が容易になり、加圧力の吸収能力が増大するため、検査時において検査治具の加圧力を吸収し、回路基板側コネクタへ２１の衝撃を緩和することができる。
【０１５８】
第２の異方導電性シート２６を構成する導電性粒子Ｐに、磁性導電性粒子を使用する場合、その数平均粒子径は好ましくは５〜２００μｍ、より好ましくは５〜１５０μｍ、さらに好ましくは１０〜１００μｍである。ここで、「磁性導電性粒子の数平均粒子径」とは、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。磁性導電性粒子の数平均粒子径が５μｍ以上であると、異方導電性シートの導電路形成部の加圧変形が容易になる。また、その製造工程において磁場配向処理によって磁性導電性粒子を配向させる場合、磁性導電性粒子の配向が容易である。磁性導電性粒子の数平均粒子径が２００μｍ以下であると、異方導電性シートの導電路形成部７１の弾性が良好で加圧変形が容易になる。
【０１５９】
導電路形成部７１の厚みＷ2（μｍ）と、磁性導電性粒子Ｐの数平均粒子径Ｄ2（μｍ）との比率Ｗ2／Ｄ2は１．１〜１０であることが好ましい。
比率Ｗ2／Ｄ2が１．１未満である場合、導電路形成部７１の厚みに対して磁性導電性粒子の直径が同等あるいはそれよりも大きくなるため、導電路形成部７１の弾性が低くなり、その厚み方向の加圧力の吸収能力が小さくなる。検査時における検査治具の加圧圧力を吸収が小さくなり、回路基板側コネクタ２１への衝撃を緩和する効果が減少するため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として、被検査回路基板１の繰り返し検査時において中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下し易くなる。
【０１６０】
一方、比率Ｗ2／Ｄ2が１０を超える場合、導電路形成部７１に多数の導電性粒子が配列して連鎖を形成することとなり、導電性粒子同士の接点が多数存在することになるため、電気的抵抗値が高くなり易い。
【０１６１】
導電路形成部７１の基材である弾性高分子物質は、そのタイプＡデュロメータによって測定されたデュロメータ硬さが好ましくは１５〜６０、より好ましくは２０〜５０、さらに好ましくは２５〜４５である。
【０１６２】
弾性高分子のデュロメータ硬さが１５よりも小さい場合、厚み方向に押圧された際のシートの圧縮、変形が大きく、大きな永久歪が生じるためシート形状が早期に変形して検査時の電気的接続が困難となり易い。弾性高分子のデュロメータ硬さが６０よりも大きい場合、厚み方向に押圧された際の変形が小さくなるため、その厚み方向の加圧力の吸収能力
が小さくなる。このため、中継基板２９における弾性部の劣化を抑制しにくくなり、結果として、被検査回路基板１の繰り返し検査時において中継基板２９の交換回数が増加して、検査の効率が低下しやすくなる。
【０１６３】
導電路形成部７１の基材となる弾性高分子としては、上記のデュロメータ硬さを示すものであれば特に限定されないが、加工性および電気特性の点から、シリコンゴムを用いることが好ましい。
【０１６４】
第２の異方導電性シート２６の絶縁部７２は、実質的に導電性粒子を含有しない絶縁材料により形成される。絶縁材料としては、例えば、絶縁性の高分子材料、無機材料、表面を絶縁化処理した金属材料などを用いることができるが、導電路形成部に使用した弾性高分子と同一の材料を用いると生産が容易である。絶縁部の材料として弾性高分子を使用する場合、デュロメータ硬さが上記の範囲であるものを使用することが好ましい。
【０１６５】
磁性導電性粒子としては、前述した中継基板２９の導電路形成部に用いられる導電性粒子を用いることができる。
第２の異方導電性シート２６は、例えば、以下のようにして製造することができる。先ず、それぞれ全体の形状が略平板状であって、互いに対応する上型と下型とよりなり、上型と下型との間の成形空間内に充填された材料層に磁場を作用させながら材料層を加熱硬化することができる構成の異方導電性シート成形用金型を用意する。
【０１６６】
この異方導電性シート成形用金型は、材料層に磁場を作用させて適正な位置に導電性を有する部分を形成するために、上型および下型の両方は、鉄、ニッケルなどの強磁性体からなる基板上に、金型内の磁場に強度分布を生じさせるための鉄、ニッケルなどよりなる強磁性体部分と、銅などの非磁性金属若しくは樹脂よりなる非磁性体部分とが互いに隣接するよう交互に配置されたモザイク状の層を有する構成のものであり、強磁性体部分は、形成すべき導電路形成部に対応するパターンに従って配列されている。
【０１６７】
ここで、上型の成形面は平坦であり、下型の成形面は形成すべき異方導電性シートの導電路形成部に対応してわずかに凹凸を有するものである。
そして、上記の異方導電性シート成形用金型を用いて、以下のようにして異方導電性シートが製造される。先ず、異方導電性シート成形用金型の成形空間内に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる成形材料を注入して成形材料層を形成する。
【０１６８】
次に、上型および下型の各々における強磁性体部分および非磁性体部分を利用し、形成された成形材料層に対してその厚み方向に強度分布を有する磁場を作用させることにより、その磁力の作用によって、導電性粒子を、上型における強磁性体部分と、その直下に位置する下型における強磁性体部分との間に集合させ、更には導電性粒子を厚み方向に並ぶように配向させる。そして、その状態で成形材料層を硬化処理することにより、複数の柱状の導電路形成部が、絶縁部によって互い絶縁されてなる構成を有する異方導電性シートが製造される。
【０１６９】
一方、テスター側コネクタ４１ａ，４１ｂは、図１に示したように、第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂと、コネクタ基板４３ａ，４３ｂと、ベース板４６ａ，４６ｂと、を備えている。第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂには、前述した第２の異方導電性シート２６と同様のものが使用される。すなわち、図１７に示したような、絶縁性の弾性高分子材料中に多数の導電性粒子が厚み方向に配列して形成された導電路形成部と、それぞれの導電路形成部を離間する絶縁部とから構成された異方導電性シートが使用される。
【０１７０】
コネクタ基板４３ａ，４３ｂは、絶縁基板を備えており、その表面の中継ピンユニット３１側に、図１および図２に示したようにピン側電極４５ａ，４５ｂが形成されている。
これらのピン側電極４５は、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍの一定ピッチの格子点上に配置されており、その配置ピッチは中継ピンユニット３１の導電ピン３２の配置ピッチと同一である。
【０１７１】
それぞれのピン側電極４５は、絶縁基板の表面に形成された配線パターンおよびその内部に形成された内部配線によって、テスター側電極４４ａ，４４ｂへ電気的に接続されている。
【０１７２】
中継ピンユニット３１は、図１、図２、図１８（図１８は、説明の便宜上、中継ピンユニット３１ａについて示している）、および図２４〜図２７に示したように、上下方向を向くように並列に、所定のピッチで設けられた多数の導電ピン３２ａ，３２ｂを備えている。また、中継ピンユニット３１は、これらの導電ピン３２ａ，３２ｂの両端側に設けられ、導電ピン３２ａ，３２ｂを挿通支持する被検査回路基板１側に配置された第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと、被検査回路基板１側とは反対側に配置された第２の絶縁板３５ａ，３５ｂの２枚の絶縁板を備えている。
【０１７３】
導電ピン３２は、例えば、図１９に示したように、直径の大きい中央部８２と、これよりも直径の小さい端部８１ａ，８１ｂとからなる。第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５には、導電ピン３２の端部８１が挿入される貫通孔８３が形成されている。そして、貫通孔８３の直径が、導電ピン３２の端部８１ａ，８１ｂの直径よりも大きく、且つ中央部８２の直径よりも小さく形成され、これにより導電ピン３２が脱落しないように保持されている。
【０１７４】
第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５は、図１の第１の支持ピン３３および第２の支持ピン３７によって、これらの間隔が導電ピン３２の中央部８２の長さよりも長くなるように固定され、これにより導電ピン３２が上下へ移動可能に保持されている。導電ピン３２の端部８１の長さは、絶縁板３４の厚みよりも長くなるように形成され、これにより、少なくとも一方の絶縁板３４から導電ピン３２が突出するようになっている。
【０１７５】
中継ピンユニットは、多数の導電ピンが、例えば、２．５４ｍｍ、１．８ｍｍ、１．２７ｍｍ、１．０６ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．３ｍｍまたは０．２ｍｍのピッチの格子点上に配置されている。
【０１７６】
中継ピンユニット３１の導電ピン３２の配置ピッチと、ピッチ変換用基板２３に設けられた端子電極２４の配置ピッチとを同一とすることにより、導電ピン３２を介してピッチ変換用基板２３がテスター側に電気的に接続されるようになっている。
【０１７７】
また、図１および図１８に示したように、中継ピンユニット３１には、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂとの間に、中間保持板３６ａ、３６ｂが配置されている。
【０１７８】
そして、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間には、第１の支持ピン３３ａ，３３ｂが配置され、これによって、第１の絶縁板３４ａ，３４ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間を固定している。
【０１７９】
同様に、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂと中間保持板３６ａ，３６ｂとの間には、第２の支持ピン３７ａ，３７ｂが配置され、これによって、第２の絶縁板３５ａ，３５ｂと中間
保持板３６ａ，３６ｂとの間を固定している。
【０１８０】
第１の支持ピン３３と、第２の支持ピン３７の材質としては、例えば、真鍮、ステンレスなどの金属が使用される。
なお、図１８における第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間の距離Ｌ１と、第２の絶縁板３５と中間保持板３６との間の距離Ｌ２としては、特に限定されるものではないが、後述するように、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の弾性による、被検査回路基板１の被検査電極２，３の高さバラツキの吸収性を考慮すれば、２ｍｍ以上が好ましく、より好ましくは２．５ｍｍ以上である。
【０１８１】
そして、図１８に示したように、第１の支持ピン３３の中間保持板３６に対する第１の当接支持位置３８Ａと、第２の支持ピン３７の中間保持板３６に対する第２の当接支持位置３８Ｂとは、検査装置を中間保持板の厚さ方向に（図１において上方から下方に向かって）投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されている。
【０１８２】
この場合、異なる位置としては、特に限定されるものではないが、第１の当接支持位置３８Ａと、第２の当接支持位置３８Ｂは、図２３に示したように、中間保持板投影面Ａ上において格子上に形成されていることが好ましい。
【０１８３】
具体的には、図２３に示したように、中間保持板投影面Ａ上において、隣接する４個の第１の当接支持位置３８Ａからなる単位格子領域Ｒ１に、１個の第２の当接支持位置３８Ｂが配置される。また、中間保持板投影面Ａにおいて、隣接する４個の第２の当接支持位置３８Ｂからなる単位格子領域Ｒ２に、１個の第１の当接支持位置３８Ａが配置される。なお、図２３では、第１の当接支持位置３８Ａを黒丸、第２の当接支持位置群３８Ｂを白丸で示している。
【０１８４】
なお、ここでは、第１の当接支持位置３８Ａの単位格子領域Ｒ１の対角線Ｑ１の中央に、１個の第２の当接支持位置３８Ｂを配置するとともに、第２の当接支持位置３８Ｂの単位格子領域Ｒ２の対角線Ｑ２の中央に、１個の第１の当接支持位置３８Ａを配置している。しかしながら、これらの相対的な位置は、特に限定されるものではなく、上記のように、検査装置を中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されていればよい。すなわち、格子状に配置されない場合には、このような相対位置関係に拘束されるものではなく、上記のように、検査装置を中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面Ａ上において異なる位置に配置されていればよい。
【０１８５】
また、この場合、互いに隣接する第１の当接支持位置３８Ａの間の離間距離、第２の当接支持位置３８Ｂの間の離間距離は、好ましくは１０〜１００ｍｍ、より好ましくは１２〜７０ｍｍ、特に好ましくは１５〜５０ｍｍである。
【０１８６】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の形成材料には、可撓性を有するものが用いられる。これらの板の可撓性は、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の両端部を、それぞれ１０ｃｍ間隔で支持した状態で水平に配置した場合において、上方から５０ｋｇｆの圧力で加圧することによって生ずる撓みが、これらの絶縁板の幅の０．０２％以下であり、かつ上方から２００ｋｇｆの圧力で加圧することによっても破壊および永久変形が生じない程度であることが好ましい。
【０１８７】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５の材料としては、具体的には、固有抵抗が１×１０10Ω・ｃｍ以上の絶縁性材料、例えばポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポチエチレンテレフタレート樹脂、シンジオタクチック・ポリスチレン樹脂、
ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエチルケトン樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の機械的強度の高い樹脂材料、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリエステル樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強フェノール樹脂、ガラス繊維補強型フッ素樹脂等のガラス繊維型複合樹脂材料、カーボン繊維補強型エポキシ樹脂、カーボン繊維補強型ポリエステル樹脂、カーボン繊維補強型ポリイミド樹脂、カーボン繊維補強型フェノール樹脂、カーボン繊維補強型フッ素樹脂等のカーボン繊維型複合樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等にシリカ、アルミナ、ボロンナイトライド等の無機材料を充填した複合樹脂材料、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等にメッシュを含有した複合樹脂材料などが挙げられる。また、これらの材料からなる板材を複数積層して構成された複合板材等も用いることができる。
【０１８８】
第１の絶縁板３４、中間保持板３６、および第２の絶縁板３５の厚みは、第１の絶縁板３４、中間保持板３６、第２の絶縁板３５を構成する材料の種類に応じて適宜選択されるが、好ましくは１〜１０ｍｍである。例えば、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂からなり、その厚みが２〜５ｍｍであるものを使用することができる。
【０１８９】
第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５に導電ピン３２を移動可能に支持する方法としては、図１８に示した方法の他に、図２０〜図２２に示した方法を挙げることができる。この例では、導電ピン３２として図示したように、この例では第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、屈曲保持板８４が設けられている。
【０１９０】
また、導電ピン３２として、円柱形状である金属ピンを用いている。
図２０に示したように、屈曲保持板８４には導電ピン３２が挿通される貫通孔８５が形成されている。導電ピン３２は、第１の絶縁板３４に形成された貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４に形成された貫通孔８５とを支点として、互いに逆方向に横方向へ押圧されて、屈曲保持板８４の貫通孔８５の位置で屈曲され、これにより導電ピン３２が軸方向へ移動可能に支持されている。
【０１９１】
なお、中間保持板３６には、導電ピン３２と接触しない程度に径を大きくした貫通孔８６が形成され、この貫通孔８６に導電ピン３２が挿通されている。
導電ピン３２は、図２１（ａ）〜図２１（ｃ）に示した手順で第１の絶縁板３４および第２の絶縁板３５に支持される。図２１（ａ）に示したように、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４の貫通孔８５とが軸方向に位置合わせされた位置に屈曲保持板８４を配置する。
【０１９２】
次に、図２１（ｂ）に示したように、導電ピン３２を、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａから屈曲保持板８４の貫通孔８５を通して第２の絶縁板３５の貫通孔８３ｂまで挿入する。
【０１９３】
次に、図２１（ｃ）に示したように、屈曲保持板８４を、導電ピン３２の軸方向と垂直な横方向（水平方向）に移動し、適宜の手段によって屈曲保持板８４の位置を固定する。これによって、導電ピン３２は、第１の絶縁板３４の貫通孔８３ａおよび第２の絶縁板３５に形成された貫通孔８３ｂと、屈曲保持板８４の貫通孔８５とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて、屈曲保持板８４の貫通孔８５の位置で屈曲され、これにより導電ピン３２が軸方向に移動可能に支持される。
【０１９４】
このように構成することで、導電ピン３２が、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、軸方向へ移動可能に、且つ脱落しないように保持することができるとともに、導電ピン３２として円柱状である簡易な構造のピンを使用できるため、導電ピン３２および
それを保持する部材の全体としてのコストを抑えることができる。
【０１９５】
なお、屈曲保持板８４が配置される位置は、第１の絶縁板３４と中間保持板３６との間であってもよい。
このように構成された本実施形態の検査装置では、図２に示したように、被検査回路基板１の電極２および電極３が、中継基板２９ａ，２９ｂ、ピッチ変換用基板２３ａ，２３ｂ、第２の異方導電性シート２６ａ，２６ｂ、導電ピン３２ａ，３２ｂ、第３の異方導電性シート４２ａ，４２ｂ、コネクタ基板４３ａ，４３ｂを介して、最外側に配置されたベース板４６ａ，４６ｂをテスターの加圧機構により規定の圧力で押圧することによってテスター（図示せず）に電気的に接続され、被検査回路基板１の電極間における電気抵抗測定などの電気検査が行われる。
【０１９６】
測定時に被検査回路基板に対して上側および下側の第１の検査治具１１ａ，第２の検査治具１１ｂから押圧する圧力は、例えば、１００〜２５０ｋｇｆである。
以下、図２４〜図２７を参照しながら（便宜的に、第２の検査治具１１ｂのみ示す）、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で被検査回路基板１の両面を挟圧した際における圧力吸収作用および圧力分散作用について説明する。
【０１９７】
図２５に示したように、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１の両面を挟圧して電気検査を行う際に、加圧の初期段階では、中継ピンユニット３１の導電ピン３２の厚み方向への移動と、中継基板２９の弾性部と、第２の異方導電性シート２６と、第３の異方導電性シート４２のゴム弾性圧縮により圧力を吸収して、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキをある程度吸収することができる。
【０１９８】
そして、第１の支持ピンと中間保持板との第１の当接支持位置と、前記第２の支持ピンと中間保持板との第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されているので、図２６の矢印で示したように、上下方向に力が作用し、図２７に示したように、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、中継基板２９の弾性部と、第２の異方導電性シート２６と、第３の異方導電性シート４２のゴム弾性圧縮に加えて、中継ピンユニット３１の第１の絶縁板３４と、第２の絶縁板３５と、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５の間に配置された中間保持板３６のバネ弾性により、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキ、例えば、ハンダボール電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中を回避することができる。
【０１９９】
すなわち、図２６および図２７に示したように、第１の支持ピン３３と中間保持板３６に対する第１の当接支持位置３８Ａを中心として、中間保持板３６が、第２の絶縁板３５の方向に撓むとともに（図２７の一点鎖線で囲んだＥの部分参照）、第２の支持ピン３７と中間保持板３６との第２の当接支持位置３８Ｂを中心として、中間保持板３６が、第１の絶縁板３４の方向に撓むことになる（図２７の一点鎖線で囲んだＤの部分参照）。なお、ここで「撓む」および「撓み方向」とは中間保持板３６が凸状になる方向に突出するように撓むことおよびその突出方向を言う。
【０２００】
このように、中間保持板３６が、第１の当接支持位置３８Ａ、第２の当接支持位置３８Ｂを中心として、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、中間保持板３６のバネ弾性力が発揮されることになる。
【０２０１】
また、図２７の一点鎖線で囲んだＢ部分で示したように、第２の異方導電性シート２６
の導電路形成部の突出部の圧縮によって、導電ピン３２ｂの高さが吸収されるが、この突出部の圧縮よって吸収しきれない圧力が、第１の絶縁板３４ｂに加わることになる。
【０２０２】
したがって、図２７の一点鎖線で囲んだＣ部分で示したように、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５も、第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７との当接位置で、相互に反対方向に撓むので、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で検査対象である被検査回路基板１をさらに加圧した際に、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５のバネ弾性力が発揮されることになる。
【０２０３】
これにより、高さバラツキを有する被検査回路基板１の被検査電極のそれぞれに対して安定的な電気的接触が確保され、さらに応力集中が低減されるので、中継基板２９の弾性部の局部的な破損が抑制される。その結果、中継基板２９の繰り返し使用耐久性が向上するので、その交換回数が減り、検査作業効率が向上することになる。
【０２０４】
図２８は、本発明の検査装置の他の実施形態を説明する図２４と同様な断面図（便宜的に第２の検査治具のみ示している）、図２９は、その中継ピンユニットの拡大断面図である。この検査装置は、図１に示した検査装置と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付している。この検査装置では、図２８および図２９に示したように、第１の絶縁板３４と第２の絶縁板３５との間に、複数個（本実施形態では３個）の中間保持板３６が所定間隔離間して配置されるとともに、これらの隣接する中間保持板３６同士の間に、保持板支持ピン３９が配置されている。
【０２０５】
この場合、少なくとも１つの中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置と、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂ、第２の支持ピン３７ｂ、または保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置とが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることが必要である。
【０２０６】
最も好ましくは、全ての中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置と、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂ、第２の支持ピン３７ｂ、または保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置とが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置される。
【０２０７】
この場合、詳述しないが、「異なる位置」とは、前述した実施形態において、第１の支持ピン３３と中間保持板３６との第１の当接支持位置３８Ａと、第２の支持ピン３７と中間保持板３６との第２の当接支持位置３８Ｂとの間の関係で説明した相対位置と同様な配置とすることが可能である。
【０２０８】
本実施形態では、３つの中間保持板３６ｂのうち上側の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第１の支持ピン３３ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３８Ａとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２０９】
また、３つの中間保持板３６ｂのうち中央の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投
影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２１０】
また、３つの中間保持板３６ｂのうち下側の中間保持板３６ｂにおいて、中間保持板３６ｂに対して一面側から当接する保持板支持ピン３９ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３９Ａと、中間保持板３６ｂに対して他面側から当接する第２の支持ピン３７ｂの中間保持板３６ｂに対する当接支持位置３８Ｂとが、中間保持板３６ｂの厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されている。
【０２１１】
このように構成することによって、これらの複数個の中間保持板３６によってバネ弾性がさらに発揮されることになり、被検査回路基板１の被検査電極の高さバラツキに対して、圧力集中を分散させて、局部的な応力集中をさらに回避することができ、中継基板２９の弾性部の局部的な破損が抑制され、その結果、中継基板２９の繰り返し使用耐久性が向上するので、中継基板２９の交換回数が減り、検査作業効率が向上する。
【０２１２】
なお、中間保持板３６の個数としては、複数個であればよく、特に限定されるものではない。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形、変更が可能である。
【０２１３】
例えば、被検査回路基板１は、プリント回路基板以外に、パッケージＩＣ、ＭＣＭ、ＣＳＰなどの半導体集積回路装置、ウェハに形成された回路装置であってもよい。また、プリント回路基板は、両面プリント回路基板だけではなく片面プリント回路基板であってもよい。
【０２１４】
第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂは、使用材料、部材構造などにおいて必ずしも同一である必要はなく、これらが異なるものであってもよい。
テスター側コネクタは、コネクタ基板のような回路基板と異方導電性シートを複数積層して構成してもよい。
【０２１５】
上記の実施形態では、第２の異方導電性シート２６および第３の異方導電性シート４２として、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出しているものを用いたが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【０２１６】
また、図１、図２、図２４、図２５、図２７および図２８に示したように、テスター側コネクタ４１におけるコネクタ基板４３とベース板４６との間に、支持ピン４９を配置してもよい。これらの支持ピン４９によって、第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７（図２８では第１の支持ピン３３、第２の支持ピン３７および保持板支持ピン３９）が与える作用と同様にして、面圧を分散させる作用を与えることも可能である。この面圧分散作用を与えるためには、支持ピン４９の位置と、第２の支持ピン３７の位置とが面方向において互いに異なるようにこれらを配置することが好ましい。
【０２１７】
以上説明したように、本発明に係る回路基板の検査装置によれば、第１の検査治具１１ａと第２の検査治具１１ｂとの間で信頼性の高い回路基板の電気的検査を行なうことができる。また、検査対象である被検査回路基板１の被検査電極のバラツキに対する追従性が良好で、導通不良が発生せず、正確な検査を実施することが可能である。
【０２１８】
また、一定間隔で導通ピンを配置する必要がないので、導通ピンを保持する絶縁板への貫通孔のドリル加工による穿設作業が少なく、コストを低減することができる。
さらに、高分解能で検査が可能であり、且つ、被検査回路基板の被検査基板の被検査電極による段差を良好に吸収できる。また、中継基板に使用された接点部材の接着力が高いので、この接点部材の脱落が防止され、繰り返し耐久性が高い。
【図面の簡単な説明】
【０２１９】
【図１】図１は、本発明の一実施例による検査装置の分解組立断面図である。
【図２】図２は、図１に示した検査装置の検査時における使用状態を示した断面図である。
【図３】図３は、図１の検査装置に組み込まれたピッチ変換用基板の回路基板側の表面を示した図である。
【図４】図４は、図３に示したピッチ変換用基板の中継ピンユニット側表面を示した図である。
【図５】図５は、図１の検査装置に組み込まれているピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板が積層された状態の断面図である。
【図６】図６（ａ）は、中継基板の部分断面図、図６（ｂ）は、その拡大図である。
【図７】図７は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法を示したもので、図７（ａ）は支持体と複合フィルムを組付け態様を示した分解断面図、図７（ｂ）は、その製造方法における第１の複合フィルム配置工程の断面図である。
【図８】図８は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法を示したもので、図８（ａ）は導電性ペースト塗布工程の断面図、図８（ｂ）は第２の複合フィルム配置工程を示した断面図である。
【図９】図９は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法による磁場配向工程を示した断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法による液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程を示した断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法を示したもので、図１１（ａ）は液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程の準備段階として複合フィルムの上面からレーザー加工するときの断面図、図１１（ｂ）は液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程において複合フィルムを剥離した状態を示した断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法による液状シリコンゴム塗布工程の断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法による液状シリコンゴム硬化工程の断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の一実施例による中継基板の製造方法においてメッキ金属を一体的に具備させる工程の断面図である。
【図１５】図１５は、ピッチ変換用基板、中継基板および被検査回路基板を、第１の異方導電性シートを介して積層した状態を示した部分断面図で、図１５（ａ）は中継基板とピッチ変換用基板との間に異方導電性シートを介装した他の例を示した部分断面図、図１５（ｂ）は中継基板とピッチ変換用基板との間、および中継基板と被検査回路基板との間に、それぞれ異方導電性シートを介装したときの部分断面図である。
【図１６】図１６は、第１の異方導電性シートの部分断面図である。
【図１７】図１７は、第２の異方導電性シートの断面図である。
【図１８】図１８は、中継ピンユニットの断面図である。
【図１９】図１９は、中継ピンユニットの導電ピン、中間保持板および絶縁板の一部を示した断面図である。
【図２０】図２０は、中継ピンユニットにおける他の例を示した図１９と同様の断面図である。
【図２１】図２１は、図２０の構成において第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に導電ピンを配置するまでの工程を示した断面図である。
【図２２】図２２は、屈曲保持板を配置した中継ピンユニットの断面図である。
【図２３】図２３は、中継ピンユニットの中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面の部分拡大図である。
【図２４】図２４は、本発明の検査装置の実施形態を示した一部断面図である。
【図２５】図２５は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の検査装置における中継ピンユニットの使用状態を説明する断面図である。
【図２７】図２７は、本発明の検査装置の使用状態を説明する断面図である。
【図２８】図２８は、本発明の検査装置における他の実施形態を示した図２４同様の一部断面図である。
【図２９】図２９は、図２８の実施形態における中継ピンユニットの断面図である。
【図３０】図３０は、従来における回路基板の検査装置の断面図である。
【図３１】図３１は、特願２００５−２０５６８４号で使用されている中継基板の断面図である。
【符号の説明】
【０２２０】
１ 被検査回路基板
２、３ 電極
１１ａ 第１の検査治具
１１ｂ 第２の検査治具
２１ａ、２１ｂ 回路基板側コネクタ
２２ａ、２２ｂ 第１の異方導電性シート
２３ａ、２３ｂ ピッチ変換用基板
２４ 端子電極
２５ 接続用電極
２６ａ、２６ｂ 第２の異方導電性シート
２９ａ，２９ｂ 中継基板
３１ａ，３１ｂ 中継ピンユニット
３２ａ，３２ｂ 導電ピン
３３ａ，３３ｂ 第１の支持ピン
３４ａ，３４ｂ 第１の絶縁板
３５ａ，３５ｂ 第２の絶縁板
３６ａ，３６ｂ 中間保持板
３７ａ，３７ｂ 第２の支持ピン
３８Ａ 第１の当接支持位置
３８Ｂ 第２の当接支持位置
３９ 保持板支持ピン
３９Ａ 当接支持位置
４１ａ，４１ｂ テスター側コネクタ
４２ａ，４２ｂ 第３の異方導電性シート
４３ａ，４３ｂ コネクタ基板
４４ａ，４４ｂ テスター側電極
４５ａ，４５ｂ ピン側電極
４６ａ，４６ｂ ベース板
４７ 液状シリコンゴム塗布用凹所
４９ａ,４９ｂ 支持ピン
５１ 絶縁基板
５２ 配線
５３ 内部配線
５４ 絶縁層
５５ 絶縁層
５７ メッキ金属保持板
５９ 金属層
６１ 導電路形成部
６１ａ 突出部
６１Ａ 導電性エラストマー用材料層
６１Ｂ 導電性エラストマー層
６２ 絶縁部
６３ シート基材
６４ 金属膜
６７ レジスト層
６７ａ 開口
６８ 磁性金属メッキ
７１ 導電路形成部
７２ 絶縁部
７２ａ 突出部
７３ 支持体
７３ｃ 貫通孔
７７ 接点部材（メッキ金属）
７９ 液状シリコンゴム
８１ａ，８１ｂ 端部
８２ 中央部
８３，８３ａ，８３ｂ 貫通孔
８４ 屈曲保持板
８５ 貫通孔
８６ 貫通孔
１０１ 被検査回路基板
１０２ 被検査電極
１０３ 被検査電極
１１１ａ 第１の検査治具
１１１ｂ 第２の検査治具
１２１ａ、１２１ｂ 回路基板側コネクタ
１２２ａ，１２２ｂ 第１の異方導電性シート（中継基板）
１２３ａ，１２３ｂ ピッチ変換用基板
１２６ａ，１２６ｂ 第２の異方導電性シート
１３１ａ，１３１ｂ 中継ピンユニット
１３２ａ，１３２ｂ 導電ピン
１３４ａ，１３４ｂ 絶縁板
１４１ａ，１４１ｂ テスター側コネクタ
１４２ａ，１４２ｂ 第３の異方導電性シート
１４３ａ，１４３ｂ コネクタ基板
１４６ａ，１４６ｂ ベース板
Ａ 中間保持板投影面
Ｐ 導電性粒子
Ｌ１ 距離
Ｌ２ 距離
Ｑ１ 対角線
Ｑ２ 対角線
Ｒ１ 単位格子領域
Ｒ２ 単位格子領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象となる被検査回路基板と、一面側と他面側との間で電極のピッチを変換するピッチ変換用基板との間の電気的接続を中継するとともに、
磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に含有された複数の導電路形成部が、支持体に形成された貫通孔内に絶縁性のシリコン被膜を介して相互に絶縁された状態で支持され、さらに、前記導電路形成部の厚み方向端部に金属からなる接点部材が一体的に具備され、さらに、当該接点部材の頂部が前記絶縁性のシリコン被膜から厚み方向外方に突出して配置されてなることを特徴とする中継基板。
【請求項２】
前記接点部材と前記導電路形成部との間は、
前記接点部材の側周面を囲繞するように塗布された接点部材側の液状シリコンゴムが加熱加圧硬化されるときに、前記支持体側に予め塗布されている支持体側の液状シリコンゴムとともに硬化されて一体化されていることを特徴とする請求項１に記載の中継基板。
【請求項３】
前記接点部材の側周面に予め塗布された液状シリコンゴムと前記支持体側に予め塗布された液状シリコンゴムとは、加圧されることにより前記支持体に形成された貫通孔の外側領域にまで延展されていることを特徴とする請求項２に記載の中継基板。
【請求項４】
前記支持体側に予め塗布されている液状シリコンゴムは、塗布時において前記支持体の表面および前記導電路形成部の表面に対して液面が外方に盛り上がるように塗布されていることを特徴とする請求項２または３に記載の中継基板。
【請求項５】
前記接点部材は、加圧時に前記導電路形成部を内方に押圧して、当該接点部材の先端面が前記導電路形成部の内方に入り込んだ状態で前記液状シリコンゴムが硬化されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の中継基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の中継基板を製造する中継基板の製造方法であって、
導電性ペーストが内部に塗布されるべき貫通孔が予め形成された支持体の下面側に、金属層とレジスト層との複合フィルムのレジスト層内に該レジスト層の厚さと略同じ厚さで磁性金属が予めメッキされた複合フィルムを当該複合フィルムの前記金属層側を前記支持体側に対向させた向きで配置する第１の複合フィルム配置工程と、
前記支持体に形成された前記貫通孔内に導電性ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、
前記貫通孔内に前記導電性ペーストが塗布された前記支持体の上面側に、前記第１の複合フィルム配置工程で使用された複合フィルムと同一構造の他の複合フィルムを、当該複合フィルムのレジスト層側を前記支持体側に対向させた向きで配置する第２の複合フィルム配置工程と、
前記支持体の上下両面に前記複合フィルムがそれぞれ配置され、前記貫通孔内に前記導電性ペーストが塗布された前記支持体に対し、前記導電性ペーストの厚み方向に磁場を作用させることにより、前記導電性ペースト内の磁性粒子を配向し、これにより磁性粒子による導電路形成部を形成する磁場配向工程と、
磁場配向された前記支持体にレーザー加工を施すことにより、前記導電路形成部の周囲に液状シリコンゴムを塗布するための凹所を形成する液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程と、
予め、金属層の一方面に金属接点用のメッキ金属が具備され、このメッキ金属の周囲に液状シリコンゴムが塗布されてなる金属接点用のメッキ金属保持板を用意するメッキ金属保持体準備工程と、
前記液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程で得られた支持体ユニット内に液状シリコンゴムを塗布する液状シリコンゴム塗布工程と、
前記メッキ金属保持体準備工程で得られたメッキ金属保持板と、前記液状シリコンゴム塗布工程で得られた前記支持体ユニットとを、互いの液状シリコンゴム同士が密接しあうように加圧し重ね合わせて積層するとともに、加圧下の積層状態で加熱により前記液状シリコンゴム同士の界面を無くした状態で前記液状シリコンゴムを硬化させる液状シリコンゴム硬化工程と、
前記液状シリコンゴム硬化工程で前記液状シリコンゴムが硬化した後に、前記支持体ユニットの両側の金属層を剥離することにより、前記導電路形成部の頂部に前記メッキ金属を一体的に具備させる工程と、を備えたことを特徴とする中継基板の製造方法。
【請求項７】
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う回路基板の検査装置であって、
前記第１の検査治具と第２の検査治具がそれぞれ、
一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板、および、
前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置され、基板に形成された複数の貫通孔に、弾性高分子物質からなる絶縁部と導電性粒子を含有する弾性高分子物質とからなり前記絶縁部を厚み方向へ貫通する導電路形成部とが形成され、該導電路形成部によって前記ピッチ変換用基板と前記被検査回路基板との電気的接続を中継する中継基板、および、
前記ピッチ変換用基板の前記中継基板とは反対側に配置される第２の異方導電性シートを備えた回路基板側コネクタと、
所定のピッチで配置された複数の導電ピン、および、
前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第１の絶縁板、第２の絶縁板、を備えた中継ピンユニットと、
テスターと前記中継ピンユニットとの間を電気的に接続するコネクタ基板、および、
前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第３の異方導電性シート、および、
前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板を備えたテスター側コネクタ、を備え、
前記中継ピンユニットは、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に配置された中間保持板、および、
前記第１の絶縁板と中間保持板との間に配置された第１の支持ピン、および、
前記第２の絶縁板と中間保持板との間に配置された第２の支持ピン、を備えるとともに、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されており、
前記中継基板は、
磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に含有された複数の導電路形成部が、支持体に形成された貫通孔内に絶縁性のシリコン被膜を介して相互に絶縁された状態で支持され、さらに、前記導電路形成部の厚み方向端部に金属からなる接点部材が一体的に具備され、さらに、当該接点部材の頂部が前記絶縁性のシリコン被膜から厚み方向外方に突出して配置され、
前記接点部材と前記導電路形成部との間は、
前記接点部材の側周面を囲繞するように塗布された接点部材側の液状シリコンゴムが加熱加圧硬化されるときに、前記支持体側に予め塗布されている液状シリコンゴムとともに硬化され、これら液状シリコンゴムが界面を無くして硬化されるときの接着力により一体化されていることを特徴とする回路基板の検査装置。
【請求項８】
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧した際に、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置を中心として、前記中間
保持板が、前記第２の絶縁板の方向に撓むとともに、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第１の絶縁板の方向に撓むことを特徴とする請求項７に記載の回路基板の検査装置。
【請求項９】
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置され、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置されており、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第１の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第２の当接支持位置が配置されるとともに、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第２の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第１の当接支持位置が配置されていることを特徴とする請求項７または８に記載の回路基板の検査装置。
【請求項１０】
前記中継ピンユニットが、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に所定間隔離間して配置された複数個の中間保持板と、
隣接する中間保持板同士の間に配置された保持板支持ピンと、
を備えるとともに、
少なくとも１つの中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１１】
全ての前記中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の回路基板の検査装置。
【請求項１２】
前記第２の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１３】
前記第３の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする請求項７〜１２のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１４】
前記複数の導電ピンは、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間の間隔よりも短い棒状の中央部と、該中央部の両端側に形成され該中央部よりも径が小さい一対の端部とからなり、
前記一対の端部がそれぞれ、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板とに形成された前記中央部よりも径が小さく前記一対の端部よりも径が大きい貫通孔に挿通され、これにより前記
導電ピンが軸方向へ移動可能に支持されていることを特徴とする請求項７〜１３のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１５】
前記第１の絶縁板と中間保持板との間、前記第２の絶縁板と中間保持板との間、または中間保持板同士の間に、前記導電ピンが挿通される貫通孔が形成された屈曲保持板が設けられ、
前記複数の導電ピンは、前記第１および第２の絶縁板に形成された貫通孔と、前記屈曲保持板に形成された貫通孔とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて前記屈曲保持板の貫通孔の位置で屈曲され、これにより前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持されていることを特徴とする請求項７〜１４のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１６】
請求項７〜１５のいずれかに記載の回路基板の検査装置を用いた回路基板の検査方法であって、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行うことを特徴とする回路基板の検査方法。
【請求項１】
検査対象となる被検査回路基板と、一面側と他面側との間で電極のピッチを変換するピッチ変換用基板との間の電気的接続を中継するとともに、
磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に含有された複数の導電路形成部が、支持体に形成された貫通孔内に絶縁性のシリコン被膜を介して相互に絶縁された状態で支持され、さらに、前記導電路形成部の厚み方向端部に金属からなる接点部材が一体的に具備され、さらに、当該接点部材の頂部が前記絶縁性のシリコン被膜から厚み方向外方に突出して配置されてなることを特徴とする中継基板。
【請求項２】
前記接点部材と前記導電路形成部との間は、
前記接点部材の側周面を囲繞するように塗布された接点部材側の液状シリコンゴムが加熱加圧硬化されるときに、前記支持体側に予め塗布されている支持体側の液状シリコンゴムとともに硬化されて一体化されていることを特徴とする請求項１に記載の中継基板。
【請求項３】
前記接点部材の側周面に予め塗布された液状シリコンゴムと前記支持体側に予め塗布された液状シリコンゴムとは、加圧されることにより前記支持体に形成された貫通孔の外側領域にまで延展されていることを特徴とする請求項２に記載の中継基板。
【請求項４】
前記支持体側に予め塗布されている液状シリコンゴムは、塗布時において前記支持体の表面および前記導電路形成部の表面に対して液面が外方に盛り上がるように塗布されていることを特徴とする請求項２または３に記載の中継基板。
【請求項５】
前記接点部材は、加圧時に前記導電路形成部を内方に押圧して、当該接点部材の先端面が前記導電路形成部の内方に入り込んだ状態で前記液状シリコンゴムが硬化されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の中継基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の中継基板を製造する中継基板の製造方法であって、
導電性ペーストが内部に塗布されるべき貫通孔が予め形成された支持体の下面側に、金属層とレジスト層との複合フィルムのレジスト層内に該レジスト層の厚さと略同じ厚さで磁性金属が予めメッキされた複合フィルムを当該複合フィルムの前記金属層側を前記支持体側に対向させた向きで配置する第１の複合フィルム配置工程と、
前記支持体に形成された前記貫通孔内に導電性ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、
前記貫通孔内に前記導電性ペーストが塗布された前記支持体の上面側に、前記第１の複合フィルム配置工程で使用された複合フィルムと同一構造の他の複合フィルムを、当該複合フィルムのレジスト層側を前記支持体側に対向させた向きで配置する第２の複合フィルム配置工程と、
前記支持体の上下両面に前記複合フィルムがそれぞれ配置され、前記貫通孔内に前記導電性ペーストが塗布された前記支持体に対し、前記導電性ペーストの厚み方向に磁場を作用させることにより、前記導電性ペースト内の磁性粒子を配向し、これにより磁性粒子による導電路形成部を形成する磁場配向工程と、
磁場配向された前記支持体にレーザー加工を施すことにより、前記導電路形成部の周囲に液状シリコンゴムを塗布するための凹所を形成する液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程と、
予め、金属層の一方面に金属接点用のメッキ金属が具備され、このメッキ金属の周囲に液状シリコンゴムが塗布されてなる金属接点用のメッキ金属保持板を用意するメッキ金属保持体準備工程と、
前記液状シリコンゴム塗布用凹所形成工程で得られた支持体ユニット内に液状シリコンゴムを塗布する液状シリコンゴム塗布工程と、
前記メッキ金属保持体準備工程で得られたメッキ金属保持板と、前記液状シリコンゴム塗布工程で得られた前記支持体ユニットとを、互いの液状シリコンゴム同士が密接しあうように加圧し重ね合わせて積層するとともに、加圧下の積層状態で加熱により前記液状シリコンゴム同士の界面を無くした状態で前記液状シリコンゴムを硬化させる液状シリコンゴム硬化工程と、
前記液状シリコンゴム硬化工程で前記液状シリコンゴムが硬化した後に、前記支持体ユニットの両側の金属層を剥離することにより、前記導電路形成部の頂部に前記メッキ金属を一体的に具備させる工程と、を備えたことを特徴とする中継基板の製造方法。
【請求項７】
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行う回路基板の検査装置であって、
前記第１の検査治具と第２の検査治具がそれぞれ、
一面側と他面側との間で電極ピッチを変換するピッチ変換用基板、および、
前記ピッチ変換用基板の被検査回路基板側に配置され、基板に形成された複数の貫通孔に、弾性高分子物質からなる絶縁部と導電性粒子を含有する弾性高分子物質とからなり前記絶縁部を厚み方向へ貫通する導電路形成部とが形成され、該導電路形成部によって前記ピッチ変換用基板と前記被検査回路基板との電気的接続を中継する中継基板、および、
前記ピッチ変換用基板の前記中継基板とは反対側に配置される第２の異方導電性シートを備えた回路基板側コネクタと、
所定のピッチで配置された複数の導電ピン、および、
前記導電ピンを軸方向へ移動可能に支持する、一対の離間した第１の絶縁板、第２の絶縁板、を備えた中継ピンユニットと、
テスターと前記中継ピンユニットとの間を電気的に接続するコネクタ基板、および、
前記コネクタ基板の中継ピンユニット側に配置される第３の異方導電性シート、および、
前記コネクタ基板の中継ピンユニットとは逆側に配置されるベース板を備えたテスター側コネクタ、を備え、
前記中継ピンユニットは、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に配置された中間保持板、および、
前記第１の絶縁板と中間保持板との間に配置された第１の支持ピン、および、
前記第２の絶縁板と中間保持板との間に配置された第２の支持ピン、を備えるとともに、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置と前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置とが、中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されており、
前記中継基板は、
磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で弾性高分子物質中に含有された複数の導電路形成部が、支持体に形成された貫通孔内に絶縁性のシリコン被膜を介して相互に絶縁された状態で支持され、さらに、前記導電路形成部の厚み方向端部に金属からなる接点部材が一体的に具備され、さらに、当該接点部材の頂部が前記絶縁性のシリコン被膜から厚み方向外方に突出して配置され、
前記接点部材と前記導電路形成部との間は、
前記接点部材の側周面を囲繞するように塗布された接点部材側の液状シリコンゴムが加熱加圧硬化されるときに、前記支持体側に予め塗布されている液状シリコンゴムとともに硬化され、これら液状シリコンゴムが界面を無くして硬化されるときの接着力により一体化されていることを特徴とする回路基板の検査装置。
【請求項８】
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧した際に、
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置を中心として、前記中間
保持板が、前記第２の絶縁板の方向に撓むとともに、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置を中心として、前記中間保持板が、前記第１の絶縁板の方向に撓むことを特徴とする請求項７に記載の回路基板の検査装置。
【請求項９】
前記第１の支持ピンの中間保持板に対する第１の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置され、
前記第２の支持ピンの中間保持板に対する第２の当接支持位置が、前記中間保持板投影面において格子状に配置されており、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第１の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第２の当接支持位置が配置されるとともに、
前記中間保持板投影面において、隣接する４個の第２の当接支持位置からなる単位格子領域に、１個の第１の当接支持位置が配置されていることを特徴とする請求項７または８に記載の回路基板の検査装置。
【請求項１０】
前記中継ピンユニットが、
前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間に所定間隔離間して配置された複数個の中間保持板と、
隣接する中間保持板同士の間に配置された保持板支持ピンと、
を備えるとともに、
少なくとも１つの中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１１】
全ての前記中間保持板において、該中間保持板に対して一面側から当接する保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置と、該中間保持板に対して他面側から当接する第１の支持ピン、第２の支持ピン、または保持板支持ピンの該中間保持板に対する当接支持位置とが、該中間保持板の厚さ方向に投影した中間保持板投影面において異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の回路基板の検査装置。
【請求項１２】
前記第２の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１３】
前記第３の異方導電性シートが、厚み方向に延びる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を互いに絶縁する絶縁部とからなり、導電性粒子が導電路形成部中にのみ含有され、これにより該導電性粒子は面方向に不均一に分散されるとともに、シート片面側に導電路形成部が突出していることを特徴とする請求項７〜１２のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１４】
前記複数の導電ピンは、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板との間の間隔よりも短い棒状の中央部と、該中央部の両端側に形成され該中央部よりも径が小さい一対の端部とからなり、
前記一対の端部がそれぞれ、前記第１の絶縁板と第２の絶縁板とに形成された前記中央部よりも径が小さく前記一対の端部よりも径が大きい貫通孔に挿通され、これにより前記
導電ピンが軸方向へ移動可能に支持されていることを特徴とする請求項７〜１３のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１５】
前記第１の絶縁板と中間保持板との間、前記第２の絶縁板と中間保持板との間、または中間保持板同士の間に、前記導電ピンが挿通される貫通孔が形成された屈曲保持板が設けられ、
前記複数の導電ピンは、前記第１および第２の絶縁板に形成された貫通孔と、前記屈曲保持板に形成された貫通孔とを支点として互いに逆方向に横方向へ押圧されて前記屈曲保持板の貫通孔の位置で屈曲され、これにより前記導電ピンが軸方向へ移動可能に支持されていることを特徴とする請求項７〜１４のいずれかに記載の回路基板の検査装置。
【請求項１６】
請求項７〜１５のいずれかに記載の回路基板の検査装置を用いた回路基板の検査方法であって、
一対の第１の検査治具と第２の検査治具によって、両検査治具の間で検査対象である被検査回路基板の両面を挟圧して電気検査を行うことを特徴とする回路基板の検査方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【公開番号】特開２００７−６４９３４（Ｐ２００７−６４９３４Ａ）
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５４９６８（Ｐ２００５−２５４９６８）
【出願日】平成１７年９月２日（２００５．９．２）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月２日（２００５．９．２）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
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