光フィルター、光フィルターモジュール、および分析機器
【課題】一対の基板の対向する面に設けられた電極の配線を確実に基板の外部に引き出し、接続信頼性を向上させることが可能な光フィルター、光フィルターモジュール、および分析機器を提供すること。
【解決手段】エタロン５は、平面正方形状の板状の光学部材であり、第１基板５１および第２基板５２を備えている。第１基板５１は、第２基板５２に対向しない第１突出部５１３を有しており、この第１突出部５１３に第１電極パッド５４１Ｂが形成されている。また、第２基板５２は、第１基板５１に対向しない第２突出部５２４を有しており、この第２突出部５２４に第２電極パッド５４２Ｂが形成されている。
【解決手段】エタロン５は、平面正方形状の板状の光学部材であり、第１基板５１および第２基板５２を備えている。第１基板５１は、第２基板５２に対向しない第１突出部５１３を有しており、この第１突出部５１３に第１電極パッド５４１Ｂが形成されている。また、第２基板５２は、第１基板５１に対向しない第２突出部５２４を有しており、この第２突出部５２４に第２電極パッド５４２Ｂが形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射光から所望の目的波長の光を選択して射出する光フィルター、この光フィルターを備えた光フィルターモジュール、およびこの光フィルターモジュールを備えた分析機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の基板の互いに対向する面にそれぞれ高反射ミラーを対向配置し、この一対のミラー間で光を反射させ、特定波長の光のみを透過させる光フィルターが知られている。特定波長の光のみを透過させるには、ミラー間のギャップを変更すればよく、具体的には、一方の基板に可動部を形成し、この可動部と他方の基板の可動部に対向する面にそれぞれミラーを形成する。そして、各基板にそれぞれ電極を形成し、電極間に電圧を印加することで、静電引力により可動部を引っ張り、ミラー間ギャップを変更している。
【０００３】
各基板に形成された電極には、各基板の半径方向外方に延設された配線が接続され、この配線は、各基板の外周縁に沿って設けられた電極パッドに接続している。電極パッドは、対向する一対の基板間に位置しているため、電極パッドに対向する基板との間の小さな隙間に導電性のペーストを流し込み、導電性のペーストに外部配線を接続させることで導通させている。
【０００４】
また、対向する一対の基板間に形成された電極に接続する方法として、対向する基板にそれぞれ設けられた電極を各基板に形成された引出電極にそれぞれ接続させ、これら２つの引出電極を一方の基板に形成した２つの開口部（孔）からそれぞれ取り出す構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１３４０２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、電極パッドと対向する基板との間の隙間に導電性のペーストを流し込む方法では、対向する基板間の隙間は非常に小さく形成されるものである（例えば０．５μｍ〜１μｍ）ため、導電性ペーストを流し込むことが困難な場合があり、接続の信頼性が低下するという課題がある。
【０００７】
また、特許文献１の方法では、一対の基板間に引出電極が設けられているため、引出電極の厚みと接合膜の厚みとを合わせないと、配線不良が起こるおそれがある。例えば、接合膜の厚みが引出電極の厚みより厚くなってしまうと、一方の基板に２つの開口部が形成されているため、一方の基板に形成された引出電極はこの開口部において浮いた状態となる。このような浮いた状態で引出電極の接合面側から外部配線を接続させるため、接続が不安定となり、接続信頼性に課題がある。
【０００８】
本発明は、一対の基板の対向する面に設けられた電極の配線を確実に基板の外部に引き出し、接続の信頼性を向上させることが可能な光フィルター、光フィルターモジュール、および分析機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光フィルターは、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板に設けられた第１反射膜と、前記第２基板に設けられ、前記第１反射膜に対向する第２反射膜と、前記第１基板に設けられた第１電極と、前記第２基板に設けられ、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１基板に設けられ、前記第１電極に接続された第１引出配線と、前記第１基板に設けられ、前記第１引出配線に接続された第１電極パッドと、前記第２基板に設けられ、前記第２電極に接続された第２引出配線と、前記第２基板に設けられ、前記第２引出配線に接続された第２電極パッドと、を備え、厚み方向から見た平面視において、前記第１電極パッドの少なくとも一部は前記第２基板と重なっておらず、前記平面視において、前記第２電極パッドの少なくとも一部は前記第１基板とは重なっていないことを特徴とする。
【００１０】
この発明では、対向配置された第１基板と第２基板において、第１基板に設けられた第１電極パッドの少なくとも一部は、平面視において第２基板とは重なっていない。すなわち、第１基板には、第２基板と対向しない領域があり、この領域に第１電極パッドが設けられている。同様に、第２基板に設けられた第２電極パッドの少なくとも一部は、平面視において第１基板とは重なっていない。すなわち、第２基板には、第１基板と対向しない領域があり、この領域に第２電極パッドが設けられている。
このため、第１電極パッドは、第２基板に邪魔されずに露出するので、例えば、光フィルターの第２基板側から第１基板の第１電極パッドに接続端子を接触させることで、確実に外部配線を接続させることができる。同様に、第２電極パッドは、第１基板に邪魔されずに露出するので、例えば、光フィルターの第１基板側から第２基板の第２電極パッドに接続端子を接触させることで、確実に外部の導線を接続させることができる。したがって、配線の接続の信頼性を向上させることができる。
また、光フィルターの製造時、第１電極パッドおよび第２電極パッドに配線を接続する配線作業の作業効率を向上させることができる。
【００１１】
また、この発明では、第１基板に設けられた第１電極パッドには、対向配置された第２基板側から外部配線が接続され、第２基板に設けられた第２電極パッドには、対向配置された第２基板側から外部配線が接続されることになる。すなわち、第１電極パッド全体が第１基板に支持された状態で外部配線に接続され、第２電極パッド全体が第２基板に支持された状態で外部配線に接続される。このため、接続時に第１電極パッドおよび第２電極パッドに余計な力が加わることがないので、第１電極パッドおよび第２電極パッドが破壊されるおそれがない。例えば、第１電極パッドに対して第２基板側から接続端子を押しつけた場合でも、第１電極パッドが第１基板に支持されているため破損しない。すなわち、品質の安定した光フィルターを提供することができる。
【００１２】
本発明の光フィルターにおいて、前記第１基板は、前記平面視において、前記第２基板と重なる第１重畳領域とこの第１重畳領域から前記第１基板の面方向に向かって突出する第１突出部とを有し、前記第２基板は、前記平面視において、前記第１基板と重なる第２重畳領域とこの第２重畳領域から前記第２基板の面方向に向かって突出する第２突出部とを有し、前記第１突出部に前記第１電極パッドが設けられ、前記第２突出部に前記第２電極パッドが設けられていることが好ましい。
【００１３】
この発明では、対向配置された第１基板および第２基板が互いに重なる領域をそれぞれの基板の第１重畳領域および第２重畳領域とすると、第１基板は第１重畳領域から面方向に沿って突出する第１突出部を有し、第２基板は第２重畳領域から面方向に沿って突出する第２突出部を有している。このような構成では、第１突出部は第２基板に対向せず、第２突出部は第２基板に対向しない。したがって、第１突出部に設けられた第１電極パッドは、平面視において第２基板と重ならず、第２突出部に設けられた第２電極パッドは平面視において第１基板と重ならない。
このため、上述したように、第１電極パッドは、第２基板に邪魔されずに露出するので、例えば、光フィルターの第２基板側から第１基板の第１電極パッドに接続端子を接触させることで、確実に外部配線を接続させることができる。同様に、第２電極パッドは、第１基板に邪魔されずに露出するので、例えば、光フィルターの第１基板側から第２基板の第２電極パッドに接続端子を接触させることで、確実に外部の導線を接続させることができる。したがって、配線の接続の信頼性を向上させることができる。
また、光フィルターの製造時、第１電極パッドおよび第２電極パッドに配線を接続する配線作業の作業効率を向上させることができる。
【００１４】
本発明の光フィルターにおいて、前記第１基板は、第１辺と前記第１辺に平行な第２辺とを有し、前記第２基板は、第３辺と前記第３辺に平行な第４辺とを有し、前記第１辺から前記第２辺に向かう方向と前記第３辺から前記第４辺に向かう方向とは同一の方向であり、前記第１基板は、前記第２基板に対して、前記第１辺から前記第２辺に向かう方向にオフセットして配置され、前記第１突出部は、前記平面視において、前記第２辺と前記第４辺との間に位置する前記第１基板の領域を有し、前記第２突出部は、前記平面視において、前記第１辺と前記第３辺との間に位置する前記第２基板の領域を有していることが好ましい。
【００１５】
この発明では、第１辺および第２辺が平行に配置された第１基板と第３辺および第４辺が平行に配置された第２基板とが対向配置される。第１基板の第１辺から第２辺に向かう方向と、第２基板の第３辺から第４辺に向かう方向とは同一の方向となっており、第１基板は、この方向にオフセットして配置されている。すなわち、平面視において、第３辺、第１辺、第４辺、第２辺の順に各辺が対向配置されることになる。第１基板において、第２辺から第２基板の第４辺と重なる位置までの領域は第１突出部に設けられ、第２基板と対向していない。同様に、第２基板において、第３辺から第１基板の第２辺と重なる位置までの領域は第２突出部に設けられ、第１基板と対向していない。そして、第１基板では、上述のような第２辺を含み第２基板と対向しない領域に第１電極パッドが設けられ、第２基板では、上述のような第３辺を含み第１基板と対向しない領域に第２電極パッドが設けられる。
これによれば、各基板の端部に設けられた各電極パッドに対して、対向する基板に邪魔されることなく、より簡単かつ確実に外部配線を接続させることができる。すなわち、接続の信頼性を向上させることができる。
特に、第１電極パッドおよび第２電極パッドの接続面側に空間（以降、電極取出空間ということもある。）が形成されるため、配線作業が容易となり、確実に配線を接続させることができる。
【００１６】
本発明の光フィルターモジュールは、上述した光フィルターと、前記光フィルターにより取り出された検査対象光を受光する受光手段と、を備えることを特徴とする
ここで、光フィルターモジュールとしては、例えば、光フィルターにより取り出された光を受光し、その受光量を電気信号として出力する光フィルターモジュールなどが例示できる。
【００１７】
上述したように、光フィルターは、第１基板に設けられる第１電極パッドが第２基板に対向していないため、第２基板に邪魔されることなく第１電極パッドと外部配線との接続を確実に行うことができる。同様に、第２基板に設けられる第２電極パッドが第１基板に対向していないため、第１基板に邪魔されることなく第２電極パッドと外部配線との接続を確実に行うことができる。すなわち、配線の接続の信頼性を向上させることができる。このため、光フィルターの製造時、第１電極パッドおよび第２電極パッドに導線を接続する配線作業の作業効率を向上させることができる。
したがって、光フィルターを備えた光フィルターモジュールにおいても、同様に、配線の接続の信頼性を向上させることができるとともに、配線作業の作業効率を向上させることができる。
【００１８】
本発明の分析機器は、上述した光フィルターモジュールを具備したことを特徴とする。
ここで、分析機器としては、上記のような光フィルターモジュールから出力される電気信号に基づいて、光フィルターモジュールに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。
【００１９】
この発明では、上述したように、光フィルターモジュールにより、配線の接続信頼性の向上を図ることができるため、このような光フィルターモジュールを備えた分析機器においても、接続の信頼性を向上させることができ、安定した品質を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る第１実施形態の分析機器の概略構成を示す図である。
【図２】前記第１実施形態の光フィルターを構成するエタロンの概略構成を示す平面図である。
【図３】前記第１実施形態のエタロンの概略構成を示す斜視図である。
【図４】前記第１実施形態のエタロンの概略構成を示す断面図である。
【図５】前記一実施形態のエタロンを構成する第１基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】前記一実施形態の第１基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】前記一実施形態のエタロンを構成する第２基板の製造工程を示す断面図である。
【図８】前記一実施形態の第２基板の製造工程を示す断面図である。
【図９】前記一実施形態のエタロンの製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る第１実施形態の分析機器について、図面を参照して説明する。
〔１．分析機器の全体構成〕
分析機器１は、図１に示すように、被検査対象Ａに光を射出する光源装置２と、本発明の光フィルターモジュール３と、分析機器１の全体動作を制御する制御装置４とを備えている。そして、この分析機器１は、光源装置２から射出される光を被検査対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を光フィルターモジュール３にて受光し、光フィルターモジュール３から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち被検査対象Ａの色を分析して測定する。
【００２２】
〔２．光源装置の構成〕
光源装置２は、光源２１、複数のレンズ２２（図１には１つのみ記載）を備え、被検査対象Ａに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ２２には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置２は、光源２１から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから被検査対象Ａに向かって射出する。
【００２３】
〔３．光フィルターモジュールの構成〕
光フィルターモジュール３は、本発明の光フィルターを構成するエタロン５と、エタロン５を透過する光を受光する受光手段としての受光素子３１と、エタロン５で透過させる光の波長を可変する電圧制御手段６と、を備えている。また、光フィルターモジュール３は、エタロン５に対向する位置に、被検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この光フィルターモジュール３は、エタロン５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を受光素子３１にて受光する。
受光素子３１は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子３１は、制御装置４に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置４に出力する。
【００２４】
（３−１．エタロンの構成）
以下、エタロン５の構成を図２から図４に基づいて説明する。なお、図１では、エタロン５に検査対象光が図中下側から入射しているが、図３および図４では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。
エタロン５は、図２に示すように、平面視正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば１０ｍｍに形成されている。このエタロン５は、第１基板５１、および第２基板５２を備えている。これらの２枚の基板５１，５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。
そして、第１基板５１および第２基板５２は、後述の接合面５１４，５２５が接合されることで、一体的に構成されている。なお、図２に示すようなエタロン５を厚み方向から見た平面視（以降、エタロン平面視と称す）において、第１基板５１が第２基板５２と重なる領域、すなわち第１辺５１Ａと第２基板の第４辺５２Ｂとの間の第１基板の領域を第１重畳領域ＦＡとし、第２基板５２が第１基板５１と重なる領域、すなわち第１基板５１の第１辺５１Ａと第４辺５２Ｂとの第２基板の間の領域を第２重畳領域ＦＢとする。
【００２５】
また、図３、図４に示すように、第１基板５１と、第２基板５２との間には、固定ミラー５６および可動ミラー５７が設けられる。ここで、固定ミラー５６は、第１基板５１の第２基板５２に対向する面に固定され、可動ミラー５７は、第２基板５２の第１基板５１に対向する面に固定されている。また、これらの固定ミラー５６および可動ミラー５７は、ミラー間ギャップＧを介して対向配置されている。
さらに、第１基板５１と第２基板５２との間には、固定ミラー５６および可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの寸法を調整するための静電アクチュエーター５４が設けられている。
【００２６】
（３−１−１．第１基板の構成）
第１基板５１は、エタロン平面視において、対向する第１辺５１Ａおよび第２辺５１Ｂと、これらの辺に直交して互いに対向する他の２辺により平面視略正方形状に形成されている。第１基板５１は、厚みが例えば５００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図３、図４に示すように、第１基板５１には、エッチングにより電極形成溝５１１、ミラー固定部５１２および第１突出部５１３が形成される。
電極形成溝５１１は、エタロン平面視において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。ミラー固定部５１２は、前記平面視において、電極形成溝５１１の中心部から第２基板５２側に突出して形成される。
【００２７】
電極形成溝５１１は、ミラー固定部５１２の外周縁から、当該電極形成溝５１１の内周壁面までの間に、リング状の電極固定面５１１Ａが形成され、この電極固定面５１１Ａに第１電極５４１が形成される。この第１電極５４１は、導電性を有し、後述する第２基板５２の第２電極５４２との間で電圧を印加することで、第１電極５４１および第２電極５４２間に静電引力を発生させることが可能なものであれば、特に限定されないが、本実施形態では、ＩＴＯ膜を用いる。
また、第１電極５４１の上には、絶縁膜５４３が形成されている。絶縁膜５４３としては、ＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈｏｘｙＳｉｌａｎｅ）が用いられる。
【００２８】
ミラー固定部５１２は、上述したように、電極形成溝５１１と同軸上で、電極形成溝５１１よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図４に示すように、ミラー固定部５１２の第２基板５２に対向するミラー固定面５１２Ａが、電極固定面５１１Ａよりも第２基板５２に近接して形成される例を示すが、これに限らない。電極固定面５１１Ａおよびミラー固定面５１２Ａの高さ位置は、ミラー固定面５１２Ａに固定される固定ミラー５６、および第２基板５２に形成される可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの寸法、第１電極５４１および第２基板５２に形成される後述の第２電極５４２の間の寸法、固定ミラー５６や可動ミラー５７の厚み寸法により適宜設定されるものであり、上記のような構成に限られない。例えばミラー５６，５７として、誘電体多層膜ミラーを用い、その厚み寸法が増大する場合、電極固定面５１１Ａとミラー固定面５１２Ａとが同一面に形成される構成や、電極固定面５１１Ａの中心部に、円柱凹溝上のミラー固定溝が形成され、このミラー固定溝の底面にミラー固定面５１２Ａが形成される構成などとしてもよい。
【００２９】
また、ミラー固定部５１２のミラー固定面５１２Ａは、エタロン５を透過させる波長域をも考慮して、溝深さが設計されることが好ましい。例えば、本実施形態では、固定ミラー５６および可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの初期値（第１電極５４１および第２電極５４２間に電圧が印加されていない状態のミラー間ギャップＧの寸法）が４５０ｎｍに設定され、第１電極５４１および第２電極５４２間に電圧を印加することにより、ミラー間ギャップＧが例えば２５０ｎｍになるまで可動ミラー５７を変位させることが可能となっており、これにより、第１電極５４１および第２電極５４２間の電圧を可変することで、可視光全域の波長の光を選択的に分光させて透過させることが可能となる。この場合、固定ミラー５６および可動ミラー５７の膜厚およびミラー固定面５１２Ａや電極固定面５１１Ａの高さ寸法は、ミラー間ギャップＧを２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの間で変位可能な値に設定されていればよい。
【００３０】
そして、ミラー固定面５１２Ａには、直径が約３ｍｍの円形状に形成される固定ミラー５６が固定されている。この固定ミラー５６は、Ａｇ合金単層により形成されるミラーであり、スパッタリングなどの手法によりミラー固定面５１２Ａに形成される。
なお、本実施形態では、固定ミラー５６として、エタロン５で分光可能な波長域として可視光全域をカバーできるＡｇ合金単層のミラーを用いる例を示すが、これに限定されず、例えば、エタロン５で分光可能な波長域が狭いが、ＡｇＣ単層ミラーよりも、分光された光の透過率が大きく、透過率の半値幅も狭く分解能が良好な、例えばＴｉＯ２−ＳｉＯ２系誘電体多層膜ミラーを用いる構成としてもよい。ただし、この場合、上述したように、第１基板５１のミラー固定面５１２Ａや電極固定面５１１Ａの高さ位置を、固定ミラー５６や可動ミラー５７、分光させる光の波長選択域などにより、適宜設定する必要がある。
【００３１】
第１突出部５１３は、第１基板５１の第１重畳領域ＦＡから面方向に突出して形成され、第１基板５１の第２辺５１Ｂおよび第１基板５１の隣接する２つの頂点を含んで形成されている。また、第１突出部５１３は、電極固定面５１１Ａと同一平面となる第１パッド固定面５１３Ａを有している。第１基板５１と第２基板５２とが重ね合わされると、第１突出部５１３には第２基板５２が対向しないため、第１パッド固定面５１３Ａの第２基板５２側には空間が形成される。
そして、第１パッド固定面５１３Ａにおける第１基板５１の一方の頂点付近には、第１電極パッド５４１Ｂが形成されている。なお、第１電極パッド５４１Ｂは、全体が第１パッド固定面５１３Ａに露出された状態であってもよいし、一部が第１パッド固定面５１３Ａに露出された状態であってもよい。
また、第１基板５１には、第１パッド固定面５１３Ａにおける第１基板５１の一方の頂点付近から電極固定面５１１Ａに亘って、これら電極固定面５１１Ａおよび第１パッド固定面５１３Ａと同一平面となる底面を有する第１電極導入溝５１１Ｃが形成されている。
そして、これらの第１電極導入溝５１１Ｃの底面には、第１電極５４１の外周縁の一部から延出し、第１電極パッド５４１Ｂに接続する第１電極引出部５４１Ａが形成される。これにより、第１電極５４１、第１電極引出部５４１Ａ、および第１電極パッド５４１Ｂは導通され、第１電極５４１に所定の電圧を印加することができる。これらの第１電極５４１、第１電極引出部５４１Ａ、および第１電極パッド５４１Ｂは、ＩＴＯ膜により一体形成される電極であり、第１基板５１上にスパッタリングなどの手法により膜状に形成される。
【００３２】
ここで、第１基板５１において、溝および第１突出部５１３が形成されていない部分が第１基板５１の接合面５１４となる。接合面５１４は、第１突出部５１３の第２辺５１Ｂに対向する辺、平面視において第１辺５１Ａおよび第２辺５１Ｂに直交する他の２辺のうちいずれか１辺、および電極固定面５１１Ａにより囲われる領域である。
そして、接合面５１４には、それぞれ、図３、図４に示すように、接合用の第１接合膜５８１が膜状に形成されている。この第１接合膜５８１には、主材料としてポリオルガノシロキサンが用いられる。
【００３３】
さらに、第１基板５１は、第２基板５２に対向する上面とは反対側の下面において、固定ミラー５６に対応する位置に図示略の反射防止膜（ＡＲ）が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、第１基板５１の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
【００３４】
（３−１−２．第２基板の構成）
第２基板５２は、対向する第３辺５２Ａおよび第４辺５２Ｂと、これらの辺に直交して互いに対向する他の２辺により平面視長方形状に形成されている。なお、第１基板５１と第２基板５２とが貼り合わされたエタロン５が、平面視略正方形状となるように、各基板の大きさが調整される。第２基板５２は、厚みが例えば２００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、第２基板５２には、図２に示すようなエタロン平面視において、平面中心点を中心とした円形の変位部５２１が形成される。この変位部５２１は、円柱状の可動部５２２と、可動部５２２と同軸であり可動部５２２を保持する連結保持部５２３と、を備えている。
このような変位部５２１は、図３および図４に示すように、第２基板５２の形成素材である平板状のガラス基材に対してエッチングを施すことにより溝を形成することで形成される。すなわち、変位部５２１は、第２基板５２の第１基板５１に対向しない入射側面に、連結保持部５２３を形成するための円環状の凹溝をエッチング形成することで、形成されている。
【００３５】
可動部５２２は、連結保持部５２３よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第２基板５２の厚み寸法と同一寸法である２００μｍに形成されている。また、可動部５２２は、ミラー固定部５１２に平行な可動面５２２Ａを備え、この可動面５２２Ａに可動ミラー５７が固定されている。
ここで、この可動ミラー５７は、上述した固定ミラー５６と同一の構成のミラーが用いられ、本実施形態では、Ａｇ合金単層ミラーが用いられる。また、Ａｇ合金単層ミラーの膜厚寸法は、例えば０．０３μｍに形成されている。
【００３６】
また、可動部５２２には、可動面５２２Ａとは反対側の上面において、可動ミラー５７に対応する位置に図示略の反射防止膜（ＡＲ）が形成されている。この反射防止膜は、第１基板５１に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。
【００３７】
連結保持部５２３は、可動部５２２の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が５０μｍに形成されている。この連結保持部５２３の第１基板５１に対向する第２電極固定面５２３Ａには、第１電極５４１に約１μｍの電磁ギャップを介して対向する、リング状の第２電極５４２が形成されている。ここで、この第２電極５４２および前述した第１電極５４１により、静電アクチュエーター５４が構成される。この第２電極５４２は、第１基板５１に形成される各電極や接合膜と同様に、ＩＴＯ膜により形成される。
【００３８】
また、第２基板５２は、第２基板５２の第２重畳領域ＦＢから面方向に突出して形成され、第３辺５２Ａおよび第２基板５２の隣接する２つの頂点を含んで形成された第２突出部５２４を有している。第２突出部５２４は、第２電極固定面５２３Ａと同一平面となる第２パッド固定面５２４Ａを有している。第１基板５１と第２基板５２とが重ね合わされると、第２突出部５２４には第１基板５１が対向しないため、第２パッド固定面５２４Ａの第１基板５１側には電極取出空間が形成される。
そして、第２パッド固定面５２４Ａにおける第２基板５２の一方の頂点付近には、第２電極パッド５４２Ｂが形成されている。
また、第２電極５４２の外周縁の一部から延出し、第２電極パッド５４２Ｂに接続する第２電極引出部５４２Ａが形成される。これにより、第２電極５４２、第２電極引出部５４２Ａ、および第２電極パッド５４２Ｂは導通され、第２電極５４２に所定の電圧を印加することができる。これらの第２電極５４２、第２電極引出部５４２Ａ、および第２電極パッド５４２Ｂは、ＩＴＯ膜により一体形成される電極であり、第２基板５２上にスパッタリングなどの手法により膜状に形成される。
【００３９】
また、第２基板５２では、第１基板５１に対向する面において、第１基板５１の接合面５１４と対向する領域が、第２基板５２における接合面５２５となる。この接合面５２５には、第１基板５１の接合面５１４と同様に、主材料としてポリオルガノシロキサンを用いた第２接合膜５８２が設けられている。
【００４０】
（３−１−３．第１基板および第２基板の接合構成）
エタロン５では、上述したような第１基板５１の接合面５１４および第２基板５２の接合面５２５を接合することにより一体的に形成される。このようなエタロン５は、第１重畳領域ＦＡと第２重畳領域ＦＢとが対向して接合され、第１突出部５１３および第２突出部５２４がこれらの重畳領域から面方向に突出している。この構成を言い換えると、第１基板５１の第１辺５１Ａと第２基板５２の第３辺５２Ａ、および第１基板５１の第２辺５１Ｂと第２基板５２の第４辺５２Ｂが重なる状態から、第１基板５１を、第２基板５２に対して第１辺５１Ａから第２辺５２Ｂに向かう方向（図２中、矢印の方向）にオフセットした状態で接合された構成である。
したがって、図２に示すように、第１基板５１において、第２基板５２の第４辺５２Ｂと第１基板５１の第２辺５１Ｂとで囲われた部分が上述の第１突出部５１３となり、第２基板５２の第４辺５２Ｂと第１基板５１の第１辺５１Ａとで囲われた領域のうち溝の形成されない領域が第１接合面５１４となる。また、第２基板５２において、第１基板５１の第１辺５１Ａと第２基板５２の第３辺５２Ａとで囲われた部分が上述の第２突出部５２４となり、第１基板５１の第１辺５１Ａと第２基板の第４辺５２Ｂとで囲われた領域のうち第１基板５１の第１接合面５１４と対向する領域が第２接合面５２５となる。
【００４１】
ここで、第１電極５４１は、第１電極引出部５４１Ａを介して第１電極パッド５４１Ｂと導通される。また、第２電極５４２は、第２電極引出部５４２Ａを介して第２電極パッド５４２Ｂと導通される。
このため、第１電極パッド５４１Ｂおよび第２電極パッド５４２Ｂに、それぞれ電圧制御手段６に接続される導線を接続することで、静電アクチュエーター５４を制御することが可能となる。
なお、本実施形態では、１つの第１電極パッド５４１Ｂおよび１つの第２電極パッド５４２Ｂが設けられるが、２つの第１電極パッド５４１Ｂおよび２つの第２電極パッド５４２Ｂを設けた構成としてもよい。この場合は、静電アクチュエーター５４の駆動時には、２つの第１電極パッド５４１Ｂのうちいずれか一方、および２つの第２電極パッド５４２Ｂのうちのいずれか一方にのみに電圧が印加される。そして、他方の第１電極パッド５４１Ｂおよび第２電極パッド５４２Ｂは、第１電極５４１および第２電極５４２の電荷保持量を検出するための検出端子として用いられる。
【００４２】
（３−１−４．エタロンと電圧制御手段との接続）
上述のようなエタロン５と電圧制御手段６との接続では、第１電極パッド５４１Ｂおよび第２電極パッド５４２Ｂに、それぞれ、電圧制御手段６に接続された導線をフレキシブル基板などにより接続する。
ここで、エタロン５の第１基板５１の第１突出部５１３には第２基板５２が対向しておらず、第２基板５２の第２突出部５２４には第１基板５１が対向していない。このため、エタロン５に導線を接続する際には、第１突出部５１３の第１パッド固定面５１３Ａに形成された第１電極パッド５４１Ｂおよび第２突出部５２４の第２パッド固定面５２４Ａに形成された第２電極パッド５４２Ｂにフレキシブル基板を重ねて接続させるだけでよい。すなわち、対向する基板間に導電性のペーストを流し込むなどの煩雑な作業が不要となり、第１電極パッド５４１Ｂや第２電極パッド５４２Ｂに直接接続することが可能となる。また、第１突出部５１３および第２突出部５２４には、対向する基板がないため作業スペースを大きく取ることができ、エタロン５への配線作業を容易に実施することができる。
【００４３】
（３−２．電圧制御手段の構成）
電圧制御手段６は、上記エタロン５とともに、本発明の光フィルターを構成する。この電圧制御手段６は、制御装置４からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５４の第１電極５４１および第２電極５４２に印加する電圧を制御する。
【００４４】
〔４．制御装置の構成〕
制御装置４は、分析機器１の全体動作を制御する。
この制御装置４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置４は、図１に示すように、光源制御部４１、光フィルターモジュール制御部４２、および光処理部４３などを備えて構成されている。
光源制御部４１は、光源装置２に接続されている。そして、光源制御部４１は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置２に所定の制御信号を出力し、光源装置２から所定の明るさの白色光を射出させる。
光フィルターモジュール制御部４２は、光フィルターモジュール３に接続されている。そして、光フィルターモジュール制御部４２は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光フィルターモジュール３にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を光フィルターモジュール３に出力する。これにより、光フィルターモジュール３の電圧制御手段６は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター５４への印加電圧を設定する。
【００４５】
〔５．エタロンの製造方法〕
次に、上記エタロン５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
エタロン５を製造するためには、第１基板５１および第２基板５２をそれぞれ形成し、形成された第１基板５１と第２基板５２とを貼り合わせる。
（５−１．第１基板形成工程）
図５（Ａ）に示す第１基板５１の製造素材である石英ガラス基板５０（表面粗さＲａ＝１ｎｍ以下、厚み５００μｍ）の両面を鏡面研磨し、石英ガラス基板５０の両面にレジストを形成する（図示しない）。
【００４６】
まず、第２基板５２と対向する側の面５０Ａの接合面５１４およびミラー固定部５１２以外の部分を、フッ酸水溶液を用いてエッチングすることで、図５（Ｂ）に示すように、深さ１μｍの電極形成溝５１１および第１突出部５１３を形成する。ここで、電極形成溝５１１の電極固定面５１１Ａと第１突出部５１３の第１パッド固定面５１３Ａとは同一面内に位置している。そして、第２基板５２と対向する側の面に残ったレジストを剥離する。
次に、同じく第２基板５２と対向する側の面５０Ａに、ミラー固定部５１２のパターンのレジストを形成し（図示しない）、フッ酸水溶液を用いてエッチングを実施する。これにより、図５（Ｃ）に示すように、電極固定面５１１Ａより高い位置にあるミラー固定面５１２Ａを有するミラー固定部５１２が形成される。そして、第２基板５２と対向する側の面５０Ａに残ったレジストを剥離する。
【００４７】
そして、第２基板５２と対向する側とは反対側の面５０Ｂには、電極取出空間を形成するためのパターンのレジストが形成されており（図示しない）、フッ酸水溶液を用いて約４５０ｎｍエッチングする。これにより、図５（Ｄ）に示すように、第１薄片５０Ｃが形成される。なお、第１薄片５０Ｃは、第２基板５２の第２突出部５２４の第２パッド固定面５２４Ａに対向する薄片であり、製造工程においてスパッタリングやレジストの塗布等による影響を避けるために一時的に設けているものである。したがって、第２基板５２と接合された際には除去される。そして、第２基板５２と対向する側とは反対側の面５０Ｂに残ったレジストを剥離する。
【００４８】
次に、石英ガラス基板５０の第２基板５２と対向する側の面５０Ａに、電極を形成するためのＩＴＯ膜（厚み０．１μｍ）をスパッタリングにより成膜する（図示しない）。そして、ＩＴＯ膜の上に、所望の電極パターンとなるレジストを形成し、硝酸と塩酸の混合液を用いてＩＴＯ膜のエッチングを行う。これにより、図６（Ａ）に示すにように、第１電極５４１が形成される。そして、第２基板５２と対向する側の面５０Ａに残ったレジストを剥離する。
そして、同じく第２基板５２と対向する側の面５０Ａに、第１電極５４１だけが露出するパターンのレジストを形成し（図示しない）、厚み０．１μｍのＴＥＯＳ（TetraEthOxySilane）膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。そして、レジストを剥離することで、図６（Ｂ）に示すように、第１電極５４１の上に絶縁膜５４３が形成される。
【００４９】
次に、同じく第２基板５２と対向する側の面５０Ａに、ミラー固定面５１２Ａの固定ミラー５６が形成される領域のみが露出するパターンのレジストを形成し（図示しない）、ミラー材料をスパッタリングまたは蒸着法により成膜する。例えば、ミラー固定面５１２Ａ側から順に、厚み５０ｎｍのＳｉＯ２、厚み５０ｎｍのＴｉＯ２、厚み５０ｎｍのＡｇを積層する。そして、レジストを剥離することで、図６（Ｃ）に示すように、ミラー固定面５１２Ａの上に固定ミラー５６が形成される。
【００５０】
次に、同じく第２基板５２と対向する側の面５０Ａに、第１接合膜５８１が形成される領域だけが露出するパターンのレジストを形成し（図示しない）、厚み３０ｎｍのプラズマ重合膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。プラズマ重合膜としては、主材料にポリオルガノシロキサンを用いることが好ましい。そして、レジストを剥離することで、図６（Ｄ）に示すように、接合面５１４の上に第１接合膜５８１が形成される。
このようにして、第１基板５１に第１薄片５０Ｃが形成された基板が完成する。
【００５１】
（５−２．第２基板製造工程）
図７（Ａ）に示すように、第２基板５２の製造素材である石英ガラス基板（表面粗さＲａ＝１ｎｍ以下）の両面を鏡面研磨して、厚み２００μｍの石英ガラス基板６０を作製する。
次に、図７（Ｂ）に示すように、石英ガラス基板６０の両面６０Ａ、６０Ｂに、Ｃｒ／Ａｕ膜６１および６２をスパッタリングにより成膜する。このときの各膜の厚みは、Ｃｒ膜５０ｎｍ、Ａｕ膜５００ｎｍである。
【００５２】
次に、図７（Ｃ）に示すように、ダイヤフラムを形成する側の面６０ＡのＣｒ／Ａｕ膜６１に対して、連結保持部５２３（ダイヤフラム）および第１基板５１の電極取出空間を形成するためのパターンを形成し、これらに対応する領域のＣｒ／Ａｕ膜を除去する。このとき、Ａｕ膜をヨウ素とヨウ化カリウムとの混合液によりエッチングし、Ｃｒ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングする。
次に、石英ガラス基板６０をフッ酸水溶液に浸すことで、１５０μｍエッチングする。これにより、図７（Ｄ）に示すように、厚さ５０μｍの連結保持部５２３および第２薄片６０Ｃが形成される。
そして、図８（Ａ）に示すように、石英ガラス基板６０の両面に残ったＣｒ／Ａｕ膜６１、６２を剥離する。
【００５３】
次に、電極を形成する側の面６０Ｂに、電極を形成するためのＩＴＯ膜（厚み０．１μｍ）をスパッタリングにより成膜する（図示しない）。そして、ＩＴＯ膜の上に、所望の電極パターンとなるレジストを形成し、硝酸と塩酸の混合液を用いてＩＴＯ膜のエッチングを行う。これにより、図８（Ｂ）に示すにように、第２電極５４２が形成される。そして、電極を形成する側の面６０Ｂに残ったレジストを剥離する。
【００５４】
次に、同じく電極を形成した側の面６０Ｂに、可動ミラー５７が形成される領域のみが露出するパターンのレジストを形成し（図示しない）、ミラー材料をスパッタリングまたは蒸着法により成膜する。例えば、基板側から順に、厚み５０ｎｍのＳｉＯ２、厚み５０ｎｍのＴｉＯ２、厚み５０ｎｍのＡｇを積層する。そして、レジストを剥離することで、図８（Ｃ）に示すように、電極を形成する側の面６０Ｂに可動ミラー５７が形成される。
【００５５】
次に、同じく電極を形成した側の面６０Ｂに、第２接合膜５８２が形成される領域だけが露出するパターンのレジストを形成し（図示しない）、厚み３０ｎｍのプラズマ重合膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。プラズマ重合膜としては、主材料にポリオルガノシロキサンを用いることが好ましい。そして、レジストを剥離することで、図８（Ｄ）に示すように、接合面５２５の上に第２接合膜５８２が形成される。
このようにして、第２基板５２に第２薄片６０Ｃが形成された基板が完成する。
【００５６】
（５−３．貼合工程）
次に、図９（Ａ）に示すように、上述の第１基板形成工程および第２基板形成工程で形成された各基板を貼り合わせる。具体的には、各基板に形成された第１接合膜５８１および第２接合膜５８２を構成するプラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与するために、Ｏ２プラズマ処理またはＵＶ処理を行う。Ｏ２プラズマ処理は、Ｏ２流量３０ｃｃ／分、圧力２７Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて３分間処理を行う。プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、２つの基板のアライメントを行い、第１接合膜５８１および第２接合膜５８２を重ね合わせて荷重をかけることにより、基板同士を接合させる。
【００５７】
次に、第１基板５１に形成されている第１薄片５０Ｃと、第２基板５２に形成されている第２薄片６０Ｃと、を除去する。除去方法としては、切断等の機械的処理でもエッチング等の化学的処理でもよい。これにより、エタロン５が製造される。
【００５８】
〔６．本実施形態の作用効果〕
以上の実施形態によれば、以下の作用効果を奏することができる。
第１基板５１の第１電極パッド５４１Ｂは、第２基板５２に対向していない第１突出部５１３に設けられている。このため、エタロン平面視において、第１電極パッド５４１Ｂは第２基板５２に重ならない。すなわち、第１電極パッド５４１Ｂが露出するとともに、第１電極パッド５４１Ｂの第２基板５２側に電極取出空間が形成される。これによれば、第１電極パッド５４１Ｂが第２基板５２に邪魔されることなく露出するので、第１電極パッド５４１Ｂに外部配線となるフレキシブル基板を簡単に接続させることができる。
同様に、第２基板５２の第２電極パッド５４２Ｂは、第１基板５１に対向していない第２突出部５２４に設けられている。このため、エタロン平面視において、第２電極パッド５４２Ｂは第１基板５１に重ならない。すなわち、第２電極パッド５４２Ｂが露出するとともに、第２電極パッド５４２Ｂの第１基板５１側に電極取出空間が形成される。これによれば、第２電極パッド５４２Ｂが第１基板５１に邪魔されることなく露出するので、第２電極パッド５４２Ｂに外部配線となるフレキシブル基板を簡単に接続させることができる。
したがって、接続を確実にすることができ、接続の信頼性を向上させることができる。
【００５９】
特に、第１突出部５１３は第１基板５１の端縁（第２辺５１Ｂ）に沿って形成されているため、この第１突出部５１３に設けられた第１電極パッド５４１Ｂに対する配線作業を容易に行うことができる。同様に、第２突出部５２４は第２基板５２の端縁（第３辺５２Ａ）に沿って形成されているため、この第２突出部５２４に設けられた第２電極パッド５４２Ｂに対する配線作業を容易に行うことができる。
このように、対向する基板に邪魔されることなく配線作業を容易に行うことができるため、配線を確実に接続させることができ、接続の信頼性がより向上する。
【００６０】
そして、第１基板５１を製造する際には、第２基板５２と貼り合わせた際に第２突出部５２４に対向する位置に第１薄片５０Ｃを形成し、第２基板５２を製造する際には、第１基板と貼り合わせた際に第１突出部５１３に対向する位置に第２薄片６０Ｃを形成する。そして、第１基板５１と第２基板５２とを貼り合わせた後で、第１薄片５０Ｃおよび第２薄片６０Ｃを除去している。
これによれば、エタロン５の第１突出部５１３に設けられた第１電極パッド５４１Ｂおよび第２突出部５２４に設けられた第２電極パッド５４２Ｂは露出しているので、レジストのパターニングの処理が複雑になり作業性が低下するおそれがある。したがって、エタロン５が完成するまでは、第１薄片５０Ｃおよび第２薄片６０Ｃにより、露出している第１電極パッド５４１Ｂおよび第２電極パッド５４２Ｂを覆うことで、これらを考慮する必要がなく、容易に各処理を実施することができ、作業効率に優れる。
【００６１】
〔７．変形例〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００６２】
例えば、上記実施形態では、第１電極５４１、第１電極引出部５４１Ａ、第１電極パッド５４１Ｂ、第２電極５４２、第２電極引出部５４２Ａ、第２電極パッド５４２ＢをＩＴＯ膜により形成する構成としたが、これに限られない。例えば、Ａｕ／Ｃｒ合金、Ａｕ／Ｓｎ合金等で形成するなど、他の素材により形成される構成としてもよい。
【００６３】
また、上記実施形態において、各基板の端縁を含んで構成された第１突出部５１３および第２突出部５２４を設ける構成を例示したが、これに限定されず、例えば、第１基板５１の第１電極パッド５４１Ｂに対向する位置に、基板の厚み方向に沿って第２基板５２を貫通する貫通孔が形成される構成などとしてもよい。同様に、第２基板５２の第２電極パッド５４２Ｂに対向する位置に、基板の厚み方向に沿って第１基板５１を貫通する貫通孔が形成される構成などとしてもよい。
【００６４】
さらに、上記実施形態では、第１基板５１を第２基板５２に対してオフセットさせる方向は、第１辺５１Ａから第２辺５１Ｂに向かう方向にオフセットして配置した構成を示したが、オフセットする方向はこれに限られない。第１基板５１が第２基板５２と重ならない領域を形成できればいずれの方向にオフセットして配置してもよい。この場合は、第１基板５１と第２基板５２とが重ならない領域に第１電極パッドまたは第２電極パッドが設けられる。
【００６５】
また、上記実施形態の製造工程では、第１基板５１の第２基板５２の第２突出部５２４と対向する位置に第１薄片５０Ｃを形成し、貼り合わせた後にこの第１薄片５０Ｃを除去し、同様に、第２基板５２の第１基板５１の第１突出部５１３と対向する位置に第２薄片６０Ｃを形成し、貼り合わせた後にこの第２薄片６０Ｃを除去するようにしたが、本発明のエタロン５を製造する方法はこれに限られない。例えば、上記実施形態における第１薄片５０Ｃが形成されていない第１基板５１を予め作製し、第２薄片６０Ｃが形成されていない第２基板５２を予め作製し、これらの第１基板５１および第２基板５２をオフセットした状態で接合させる。これによれば、第１薄片５０Ｃや第２薄片６０Ｃ形成および除去する手間を省くことができ、製造効率に優れる。
【００６６】
また、上記実施形態において、接合面５１４，５２５では、第１接合膜５８１および第２接合膜５８２により接合されるとしたが、これに限られない。例えば、第１接合膜５８１および第２接合膜５８２が形成されず、接合面５１４，５２５を活性化し、活性化された接合面５１４，５２５を重ね合わせて加圧することにより接合する、いわゆる常温活性化接合により接合させる構成などとしてもよく、いかなる接合方法を用いてもよい。
【００６７】
また、エタロン５と電圧制御手段６との接続において、第１電極パッド５４１Ｂおよび第２電極パッド５４２Ｂにフレキシブル基板を接続する例を示したが、接続方法はこれに限られない。例えば、導線をワイヤボンディングにより接続する構成などとしてもよい。第１突出部５１３および第２突出部５２４が形成されることにより配線のための作業スペースを確保することができるため、どのような配線方法を用いたとしても、配線作業を効率よく実施することができる。
【００６８】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【符号の説明】
【００６９】
１…分析機器、３…光フィルターモジュール、４…制御装置、５…光フィルターを構成するエタロン、６…光フィルターを構成する電圧制御手段、３１…受光手段である受光素子、４３…光処理部、５１…第１基板、５２…第２基板、５４…可変手段である静電アクチュエーター、５６…固定ミラー、５７…可動ミラー、５１３…第１突出部、５１３Ａ…第１パッド固定面、５１４…接合面、５２４…第２突出部、５２４Ａ…第２パッド固定面、５２５…接合面、５４１…第１電極、５４１Ａ…第１電極引出部、５４１Ｂ…第１電極パッド、５４２…第２電極、５４２Ａ…第２電極引出部、５４２Ｂ…第２電極パッド、５８１…第１接合膜、５８２…第２接合膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射光から所望の目的波長の光を選択して射出する光フィルター、この光フィルターを備えた光フィルターモジュール、およびこの光フィルターモジュールを備えた分析機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の基板の互いに対向する面にそれぞれ高反射ミラーを対向配置し、この一対のミラー間で光を反射させ、特定波長の光のみを透過させる光フィルターが知られている。特定波長の光のみを透過させるには、ミラー間のギャップを変更すればよく、具体的には、一方の基板に可動部を形成し、この可動部と他方の基板の可動部に対向する面にそれぞれミラーを形成する。そして、各基板にそれぞれ電極を形成し、電極間に電圧を印加することで、静電引力により可動部を引っ張り、ミラー間ギャップを変更している。
【０００３】
各基板に形成された電極には、各基板の半径方向外方に延設された配線が接続され、この配線は、各基板の外周縁に沿って設けられた電極パッドに接続している。電極パッドは、対向する一対の基板間に位置しているため、電極パッドに対向する基板との間の小さな隙間に導電性のペーストを流し込み、導電性のペーストに外部配線を接続させることで導通させている。
【０００４】
また、対向する一対の基板間に形成された電極に接続する方法として、対向する基板にそれぞれ設けられた電極を各基板に形成された引出電極にそれぞれ接続させ、これら２つの引出電極を一方の基板に形成した２つの開口部（孔）からそれぞれ取り出す構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１３４０２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、電極パッドと対向する基板との間の隙間に導電性のペーストを流し込む方法では、対向する基板間の隙間は非常に小さく形成されるものである（例えば０．５μｍ〜１μｍ）ため、導電性ペーストを流し込むことが困難な場合があり、接続の信頼性が低下するという課題がある。
【０００７】
また、特許文献１の方法では、一対の基板間に引出電極が設けられているため、引出電極の厚みと接合膜の厚みとを合わせないと、配線不良が起こるおそれがある。例えば、接合膜の厚みが引出電極の厚みより厚くなってしまうと、一方の基板に２つの開口部が形成されているため、一方の基板に形成された引出電極はこの開口部において浮いた状態となる。このような浮いた状態で引出電極の接合面側から外部配線を接続させるため、接続が不安定となり、接続信頼性に課題がある。
【０００８】
本発明は、一対の基板の対向する面に設けられた電極の配線を確実に基板の外部に引き出し、接続の信頼性を向上させることが可能な光フィルター、光フィルターモジュール、および分析機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光フィルターは、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板に設けられた第１反射膜と、前記第２基板に設けられ、前記第１反射膜に対向する第２反射膜と、前記第１基板に設けられた第１電極と、前記第２基板に設けられ、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１基板に設けられ、前記第１電極に接続された第１引出配線と、前記第１基板に設けられ、前記第１引出配線に接続された第１電極パッドと、前記第２基板に設けられ、前記第２電極に接続された第２引出配線と、前記第２基板に設けられ、前記第２引出配線に接続された第２電極パッドと、を備え、厚み方向から見た平面視において、前記第１電極パッドの少なくとも一部は前記第２基板と重なっておらず、前記平面視において、前記第２電極パッドの少なくとも一部は前記第１基板とは重なっていないことを特徴とする。
【００１０】
この発明では、対向配置された第１基板と第２基板において、第１基板に設けられた第１電極パッドの少なくとも一部は、平面視において第２基板とは重なっていない。すなわち、第１基板には、第２基板と対向しない領域があり、この領域に第１電極パッドが設けられている。同様に、第２基板に設けられた第２電極パッドの少なくとも一部は、平面視において第１基板とは重なっていない。すなわち、第２基板には、第１基板と対向しない領域があり、この領域に第２電極パッドが設けられている。
このため、第１電極パッドは、第２基板に邪魔されずに露出するので、例えば、光フィルターの第２基板側から第１基板の第１電極パッドに接続端子を接触させることで、確実に外部配線を接続させることができる。同様に、第２電極パッドは、第１基板に邪魔されずに露出するので、例えば、光フィルターの第１基板側から第２基板の第２電極パッドに接続端子を接触させることで、確実に外部の導線を接続させることができる。したがって、配線の接続の信頼性を向上させることができる。
また、光フィルターの製造時、第１電極パッドおよび第２電極パッドに配線を接続する配線作業の作業効率を向上させることができる。
【００１１】
また、この発明では、第１基板に設けられた第１電極パッドには、対向配置された第２基板側から外部配線が接続され、第２基板に設けられた第２電極パッドには、対向配置された第２基板側から外部配線が接続されることになる。すなわち、第１電極パッド全体が第１基板に支持された状態で外部配線に接続され、第２電極パッド全体が第２基板に支持された状態で外部配線に接続される。このため、接続時に第１電極パッドおよび第２電極パッドに余計な力が加わることがないので、第１電極パッドおよび第２電極パッドが破壊されるおそれがない。例えば、第１電極パッドに対して第２基板側から接続端子を押しつけた場合でも、第１電極パッドが第１基板に支持されているため破損しない。すなわち、品質の安定した光フィルターを提供することができる。
【００１２】
本発明の光フィルターにおいて、前記第１基板は、前記平面視において、前記第２基板と重なる第１重畳領域とこの第１重畳領域から前記第１基板の面方向に向かって突出する第１突出部とを有し、前記第２基板は、前記平面視において、前記第１基板と重なる第２重畳領域とこの第２重畳領域から前記第２基板の面方向に向かって突出する第２突出部とを有し、前記第１突出部に前記第１電極パッドが設けられ、前記第２突出部に前記第２電極パッドが設けられていることが好ましい。
【００１３】
この発明では、対向配置された第１基板および第２基板が互いに重なる領域をそれぞれの基板の第１重畳領域および第２重畳領域とすると、第１基板は第１重畳領域から面方向に沿って突出する第１突出部を有し、第２基板は第２重畳領域から面方向に沿って突出する第２突出部を有している。このような構成では、第１突出部は第２基板に対向せず、第２突出部は第２基板に対向しない。したがって、第１突出部に設けられた第１電極パッドは、平面視において第２基板と重ならず、第２突出部に設けられた第２電極パッドは平面視において第１基板と重ならない。
このため、上述したように、第１電極パッドは、第２基板に邪魔されずに露出するので、例えば、光フィルターの第２基板側から第１基板の第１電極パッドに接続端子を接触させることで、確実に外部配線を接続させることができる。同様に、第２電極パッドは、第１基板に邪魔されずに露出するので、例えば、光フィルターの第１基板側から第２基板の第２電極パッドに接続端子を接触させることで、確実に外部の導線を接続させることができる。したがって、配線の接続の信頼性を向上させることができる。
また、光フィルターの製造時、第１電極パッドおよび第２電極パッドに配線を接続する配線作業の作業効率を向上させることができる。
【００１４】
本発明の光フィルターにおいて、前記第１基板は、第１辺と前記第１辺に平行な第２辺とを有し、前記第２基板は、第３辺と前記第３辺に平行な第４辺とを有し、前記第１辺から前記第２辺に向かう方向と前記第３辺から前記第４辺に向かう方向とは同一の方向であり、前記第１基板は、前記第２基板に対して、前記第１辺から前記第２辺に向かう方向にオフセットして配置され、前記第１突出部は、前記平面視において、前記第２辺と前記第４辺との間に位置する前記第１基板の領域を有し、前記第２突出部は、前記平面視において、前記第１辺と前記第３辺との間に位置する前記第２基板の領域を有していることが好ましい。
【００１５】
この発明では、第１辺および第２辺が平行に配置された第１基板と第３辺および第４辺が平行に配置された第２基板とが対向配置される。第１基板の第１辺から第２辺に向かう方向と、第２基板の第３辺から第４辺に向かう方向とは同一の方向となっており、第１基板は、この方向にオフセットして配置されている。すなわち、平面視において、第３辺、第１辺、第４辺、第２辺の順に各辺が対向配置されることになる。第１基板において、第２辺から第２基板の第４辺と重なる位置までの領域は第１突出部に設けられ、第２基板と対向していない。同様に、第２基板において、第３辺から第１基板の第２辺と重なる位置までの領域は第２突出部に設けられ、第１基板と対向していない。そして、第１基板では、上述のような第２辺を含み第２基板と対向しない領域に第１電極パッドが設けられ、第２基板では、上述のような第３辺を含み第１基板と対向しない領域に第２電極パッドが設けられる。
これによれば、各基板の端部に設けられた各電極パッドに対して、対向する基板に邪魔されることなく、より簡単かつ確実に外部配線を接続させることができる。すなわち、接続の信頼性を向上させることができる。
特に、第１電極パッドおよび第２電極パッドの接続面側に空間（以降、電極取出空間ということもある。）が形成されるため、配線作業が容易となり、確実に配線を接続させることができる。
【００１６】
本発明の光フィルターモジュールは、上述した光フィルターと、前記光フィルターにより取り出された検査対象光を受光する受光手段と、を備えることを特徴とする
ここで、光フィルターモジュールとしては、例えば、光フィルターにより取り出された光を受光し、その受光量を電気信号として出力する光フィルターモジュールなどが例示できる。
【００１７】
上述したように、光フィルターは、第１基板に設けられる第１電極パッドが第２基板に対向していないため、第２基板に邪魔されることなく第１電極パッドと外部配線との接続を確実に行うことができる。同様に、第２基板に設けられる第２電極パッドが第１基板に対向していないため、第１基板に邪魔されることなく第２電極パッドと外部配線との接続を確実に行うことができる。すなわち、配線の接続の信頼性を向上させることができる。このため、光フィルターの製造時、第１電極パッドおよび第２電極パッドに導線を接続する配線作業の作業効率を向上させることができる。
したがって、光フィルターを備えた光フィルターモジュールにおいても、同様に、配線の接続の信頼性を向上させることができるとともに、配線作業の作業効率を向上させることができる。
【００１８】
本発明の分析機器は、上述した光フィルターモジュールを具備したことを特徴とする。
ここで、分析機器としては、上記のような光フィルターモジュールから出力される電気信号に基づいて、光フィルターモジュールに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。
【００１９】
この発明では、上述したように、光フィルターモジュールにより、配線の接続信頼性の向上を図ることができるため、このような光フィルターモジュールを備えた分析機器においても、接続の信頼性を向上させることができ、安定した品質を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る第１実施形態の分析機器の概略構成を示す図である。
【図２】前記第１実施形態の光フィルターを構成するエタロンの概略構成を示す平面図である。
【図３】前記第１実施形態のエタロンの概略構成を示す斜視図である。
【図４】前記第１実施形態のエタロンの概略構成を示す断面図である。
【図５】前記一実施形態のエタロンを構成する第１基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】前記一実施形態の第１基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】前記一実施形態のエタロンを構成する第２基板の製造工程を示す断面図である。
【図８】前記一実施形態の第２基板の製造工程を示す断面図である。
【図９】前記一実施形態のエタロンの製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る第１実施形態の分析機器について、図面を参照して説明する。
〔１．分析機器の全体構成〕
分析機器１は、図１に示すように、被検査対象Ａに光を射出する光源装置２と、本発明の光フィルターモジュール３と、分析機器１の全体動作を制御する制御装置４とを備えている。そして、この分析機器１は、光源装置２から射出される光を被検査対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を光フィルターモジュール３にて受光し、光フィルターモジュール３から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち被検査対象Ａの色を分析して測定する。
【００２２】
〔２．光源装置の構成〕
光源装置２は、光源２１、複数のレンズ２２（図１には１つのみ記載）を備え、被検査対象Ａに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ２２には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置２は、光源２１から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから被検査対象Ａに向かって射出する。
【００２３】
〔３．光フィルターモジュールの構成〕
光フィルターモジュール３は、本発明の光フィルターを構成するエタロン５と、エタロン５を透過する光を受光する受光手段としての受光素子３１と、エタロン５で透過させる光の波長を可変する電圧制御手段６と、を備えている。また、光フィルターモジュール３は、エタロン５に対向する位置に、被検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この光フィルターモジュール３は、エタロン５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を受光素子３１にて受光する。
受光素子３１は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子３１は、制御装置４に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置４に出力する。
【００２４】
（３−１．エタロンの構成）
以下、エタロン５の構成を図２から図４に基づいて説明する。なお、図１では、エタロン５に検査対象光が図中下側から入射しているが、図３および図４では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。
エタロン５は、図２に示すように、平面視正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば１０ｍｍに形成されている。このエタロン５は、第１基板５１、および第２基板５２を備えている。これらの２枚の基板５１，５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。
そして、第１基板５１および第２基板５２は、後述の接合面５１４，５２５が接合されることで、一体的に構成されている。なお、図２に示すようなエタロン５を厚み方向から見た平面視（以降、エタロン平面視と称す）において、第１基板５１が第２基板５２と重なる領域、すなわち第１辺５１Ａと第２基板の第４辺５２Ｂとの間の第１基板の領域を第１重畳領域ＦＡとし、第２基板５２が第１基板５１と重なる領域、すなわち第１基板５１の第１辺５１Ａと第４辺５２Ｂとの第２基板の間の領域を第２重畳領域ＦＢとする。
【００２５】
また、図３、図４に示すように、第１基板５１と、第２基板５２との間には、固定ミラー５６および可動ミラー５７が設けられる。ここで、固定ミラー５６は、第１基板５１の第２基板５２に対向する面に固定され、可動ミラー５７は、第２基板５２の第１基板５１に対向する面に固定されている。また、これらの固定ミラー５６および可動ミラー５７は、ミラー間ギャップＧを介して対向配置されている。
さらに、第１基板５１と第２基板５２との間には、固定ミラー５６および可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの寸法を調整するための静電アクチュエーター５４が設けられている。
【００２６】
（３−１−１．第１基板の構成）
第１基板５１は、エタロン平面視において、対向する第１辺５１Ａおよび第２辺５１Ｂと、これらの辺に直交して互いに対向する他の２辺により平面視略正方形状に形成されている。第１基板５１は、厚みが例えば５００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図３、図４に示すように、第１基板５１には、エッチングにより電極形成溝５１１、ミラー固定部５１２および第１突出部５１３が形成される。
電極形成溝５１１は、エタロン平面視において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。ミラー固定部５１２は、前記平面視において、電極形成溝５１１の中心部から第２基板５２側に突出して形成される。
【００２７】
電極形成溝５１１は、ミラー固定部５１２の外周縁から、当該電極形成溝５１１の内周壁面までの間に、リング状の電極固定面５１１Ａが形成され、この電極固定面５１１Ａに第１電極５４１が形成される。この第１電極５４１は、導電性を有し、後述する第２基板５２の第２電極５４２との間で電圧を印加することで、第１電極５４１および第２電極５４２間に静電引力を発生させることが可能なものであれば、特に限定されないが、本実施形態では、ＩＴＯ膜を用いる。
また、第１電極５４１の上には、絶縁膜５４３が形成されている。絶縁膜５４３としては、ＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈｏｘｙＳｉｌａｎｅ）が用いられる。
【００２８】
ミラー固定部５１２は、上述したように、電極形成溝５１１と同軸上で、電極形成溝５１１よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図４に示すように、ミラー固定部５１２の第２基板５２に対向するミラー固定面５１２Ａが、電極固定面５１１Ａよりも第２基板５２に近接して形成される例を示すが、これに限らない。電極固定面５１１Ａおよびミラー固定面５１２Ａの高さ位置は、ミラー固定面５１２Ａに固定される固定ミラー５６、および第２基板５２に形成される可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの寸法、第１電極５４１および第２基板５２に形成される後述の第２電極５４２の間の寸法、固定ミラー５６や可動ミラー５７の厚み寸法により適宜設定されるものであり、上記のような構成に限られない。例えばミラー５６，５７として、誘電体多層膜ミラーを用い、その厚み寸法が増大する場合、電極固定面５１１Ａとミラー固定面５１２Ａとが同一面に形成される構成や、電極固定面５１１Ａの中心部に、円柱凹溝上のミラー固定溝が形成され、このミラー固定溝の底面にミラー固定面５１２Ａが形成される構成などとしてもよい。
【００２９】
また、ミラー固定部５１２のミラー固定面５１２Ａは、エタロン５を透過させる波長域をも考慮して、溝深さが設計されることが好ましい。例えば、本実施形態では、固定ミラー５６および可動ミラー５７の間のミラー間ギャップＧの初期値（第１電極５４１および第２電極５４２間に電圧が印加されていない状態のミラー間ギャップＧの寸法）が４５０ｎｍに設定され、第１電極５４１および第２電極５４２間に電圧を印加することにより、ミラー間ギャップＧが例えば２５０ｎｍになるまで可動ミラー５７を変位させることが可能となっており、これにより、第１電極５４１および第２電極５４２間の電圧を可変することで、可視光全域の波長の光を選択的に分光させて透過させることが可能となる。この場合、固定ミラー５６および可動ミラー５７の膜厚およびミラー固定面５１２Ａや電極固定面５１１Ａの高さ寸法は、ミラー間ギャップＧを２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの間で変位可能な値に設定されていればよい。
【００３０】
そして、ミラー固定面５１２Ａには、直径が約３ｍｍの円形状に形成される固定ミラー５６が固定されている。この固定ミラー５６は、Ａｇ合金単層により形成されるミラーであり、スパッタリングなどの手法によりミラー固定面５１２Ａに形成される。
なお、本実施形態では、固定ミラー５６として、エタロン５で分光可能な波長域として可視光全域をカバーできるＡｇ合金単層のミラーを用いる例を示すが、これに限定されず、例えば、エタロン５で分光可能な波長域が狭いが、ＡｇＣ単層ミラーよりも、分光された光の透過率が大きく、透過率の半値幅も狭く分解能が良好な、例えばＴｉＯ２−ＳｉＯ２系誘電体多層膜ミラーを用いる構成としてもよい。ただし、この場合、上述したように、第１基板５１のミラー固定面５１２Ａや電極固定面５１１Ａの高さ位置を、固定ミラー５６や可動ミラー５７、分光させる光の波長選択域などにより、適宜設定する必要がある。
【００３１】
第１突出部５１３は、第１基板５１の第１重畳領域ＦＡから面方向に突出して形成され、第１基板５１の第２辺５１Ｂおよび第１基板５１の隣接する２つの頂点を含んで形成されている。また、第１突出部５１３は、電極固定面５１１Ａと同一平面となる第１パッド固定面５１３Ａを有している。第１基板５１と第２基板５２とが重ね合わされると、第１突出部５１３には第２基板５２が対向しないため、第１パッド固定面５１３Ａの第２基板５２側には空間が形成される。
そして、第１パッド固定面５１３Ａにおける第１基板５１の一方の頂点付近には、第１電極パッド５４１Ｂが形成されている。なお、第１電極パッド５４１Ｂは、全体が第１パッド固定面５１３Ａに露出された状態であってもよいし、一部が第１パッド固定面５１３Ａに露出された状態であってもよい。
また、第１基板５１には、第１パッド固定面５１３Ａにおける第１基板５１の一方の頂点付近から電極固定面５１１Ａに亘って、これら電極固定面５１１Ａおよび第１パッド固定面５１３Ａと同一平面となる底面を有する第１電極導入溝５１１Ｃが形成されている。
そして、これらの第１電極導入溝５１１Ｃの底面には、第１電極５４１の外周縁の一部から延出し、第１電極パッド５４１Ｂに接続する第１電極引出部５４１Ａが形成される。これにより、第１電極５４１、第１電極引出部５４１Ａ、および第１電極パッド５４１Ｂは導通され、第１電極５４１に所定の電圧を印加することができる。これらの第１電極５４１、第１電極引出部５４１Ａ、および第１電極パッド５４１Ｂは、ＩＴＯ膜により一体形成される電極であり、第１基板５１上にスパッタリングなどの手法により膜状に形成される。
【００３２】
ここで、第１基板５１において、溝および第１突出部５１３が形成されていない部分が第１基板５１の接合面５１４となる。接合面５１４は、第１突出部５１３の第２辺５１Ｂに対向する辺、平面視において第１辺５１Ａおよび第２辺５１Ｂに直交する他の２辺のうちいずれか１辺、および電極固定面５１１Ａにより囲われる領域である。
そして、接合面５１４には、それぞれ、図３、図４に示すように、接合用の第１接合膜５８１が膜状に形成されている。この第１接合膜５８１には、主材料としてポリオルガノシロキサンが用いられる。
【００３３】
さらに、第１基板５１は、第２基板５２に対向する上面とは反対側の下面において、固定ミラー５６に対応する位置に図示略の反射防止膜（ＡＲ）が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、第１基板５１の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
【００３４】
（３−１−２．第２基板の構成）
第２基板５２は、対向する第３辺５２Ａおよび第４辺５２Ｂと、これらの辺に直交して互いに対向する他の２辺により平面視長方形状に形成されている。なお、第１基板５１と第２基板５２とが貼り合わされたエタロン５が、平面視略正方形状となるように、各基板の大きさが調整される。第２基板５２は、厚みが例えば２００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、第２基板５２には、図２に示すようなエタロン平面視において、平面中心点を中心とした円形の変位部５２１が形成される。この変位部５２１は、円柱状の可動部５２２と、可動部５２２と同軸であり可動部５２２を保持する連結保持部５２３と、を備えている。
このような変位部５２１は、図３および図４に示すように、第２基板５２の形成素材である平板状のガラス基材に対してエッチングを施すことにより溝を形成することで形成される。すなわち、変位部５２１は、第２基板５２の第１基板５１に対向しない入射側面に、連結保持部５２３を形成するための円環状の凹溝をエッチング形成することで、形成されている。
【００３５】
可動部５２２は、連結保持部５２３よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第２基板５２の厚み寸法と同一寸法である２００μｍに形成されている。また、可動部５２２は、ミラー固定部５１２に平行な可動面５２２Ａを備え、この可動面５２２Ａに可動ミラー５７が固定されている。
ここで、この可動ミラー５７は、上述した固定ミラー５６と同一の構成のミラーが用いられ、本実施形態では、Ａｇ合金単層ミラーが用いられる。また、Ａｇ合金単層ミラーの膜厚寸法は、例えば０．０３μｍに形成されている。
【００３６】
また、可動部５２２には、可動面５２２Ａとは反対側の上面において、可動ミラー５７に対応する位置に図示略の反射防止膜（ＡＲ）が形成されている。この反射防止膜は、第１基板５１に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。
【００３７】
連結保持部５２３は、可動部５２２の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が５０μｍに形成されている。この連結保持部５２３の第１基板５１に対向する第２電極固定面５２３Ａには、第１電極５４１に約１μｍの電磁ギャップを介して対向する、リング状の第２電極５４２が形成されている。ここで、この第２電極５４２および前述した第１電極５４１により、静電アクチュエーター５４が構成される。この第２電極５４２は、第１基板５１に形成される各電極や接合膜と同様に、ＩＴＯ膜により形成される。
【００３８】
また、第２基板５２は、第２基板５２の第２重畳領域ＦＢから面方向に突出して形成され、第３辺５２Ａおよび第２基板５２の隣接する２つの頂点を含んで形成された第２突出部５２４を有している。第２突出部５２４は、第２電極固定面５２３Ａと同一平面となる第２パッド固定面５２４Ａを有している。第１基板５１と第２基板５２とが重ね合わされると、第２突出部５２４には第１基板５１が対向しないため、第２パッド固定面５２４Ａの第１基板５１側には電極取出空間が形成される。
そして、第２パッド固定面５２４Ａにおける第２基板５２の一方の頂点付近には、第２電極パッド５４２Ｂが形成されている。
また、第２電極５４２の外周縁の一部から延出し、第２電極パッド５４２Ｂに接続する第２電極引出部５４２Ａが形成される。これにより、第２電極５４２、第２電極引出部５４２Ａ、および第２電極パッド５４２Ｂは導通され、第２電極５４２に所定の電圧を印加することができる。これらの第２電極５４２、第２電極引出部５４２Ａ、および第２電極パッド５４２Ｂは、ＩＴＯ膜により一体形成される電極であり、第２基板５２上にスパッタリングなどの手法により膜状に形成される。
【００３９】
また、第２基板５２では、第１基板５１に対向する面において、第１基板５１の接合面５１４と対向する領域が、第２基板５２における接合面５２５となる。この接合面５２５には、第１基板５１の接合面５１４と同様に、主材料としてポリオルガノシロキサンを用いた第２接合膜５８２が設けられている。
【００４０】
（３−１−３．第１基板および第２基板の接合構成）
エタロン５では、上述したような第１基板５１の接合面５１４および第２基板５２の接合面５２５を接合することにより一体的に形成される。このようなエタロン５は、第１重畳領域ＦＡと第２重畳領域ＦＢとが対向して接合され、第１突出部５１３および第２突出部５２４がこれらの重畳領域から面方向に突出している。この構成を言い換えると、第１基板５１の第１辺５１Ａと第２基板５２の第３辺５２Ａ、および第１基板５１の第２辺５１Ｂと第２基板５２の第４辺５２Ｂが重なる状態から、第１基板５１を、第２基板５２に対して第１辺５１Ａから第２辺５２Ｂに向かう方向（図２中、矢印の方向）にオフセットした状態で接合された構成である。
したがって、図２に示すように、第１基板５１において、第２基板５２の第４辺５２Ｂと第１基板５１の第２辺５１Ｂとで囲われた部分が上述の第１突出部５１３となり、第２基板５２の第４辺５２Ｂと第１基板５１の第１辺５１Ａとで囲われた領域のうち溝の形成されない領域が第１接合面５１４となる。また、第２基板５２において、第１基板５１の第１辺５１Ａと第２基板５２の第３辺５２Ａとで囲われた部分が上述の第２突出部５２４となり、第１基板５１の第１辺５１Ａと第２基板の第４辺５２Ｂとで囲われた領域のうち第１基板５１の第１接合面５１４と対向する領域が第２接合面５２５となる。
【００４１】
ここで、第１電極５４１は、第１電極引出部５４１Ａを介して第１電極パッド５４１Ｂと導通される。また、第２電極５４２は、第２電極引出部５４２Ａを介して第２電極パッド５４２Ｂと導通される。
このため、第１電極パッド５４１Ｂおよび第２電極パッド５４２Ｂに、それぞれ電圧制御手段６に接続される導線を接続することで、静電アクチュエーター５４を制御することが可能となる。
なお、本実施形態では、１つの第１電極パッド５４１Ｂおよび１つの第２電極パッド５４２Ｂが設けられるが、２つの第１電極パッド５４１Ｂおよび２つの第２電極パッド５４２Ｂを設けた構成としてもよい。この場合は、静電アクチュエーター５４の駆動時には、２つの第１電極パッド５４１Ｂのうちいずれか一方、および２つの第２電極パッド５４２Ｂのうちのいずれか一方にのみに電圧が印加される。そして、他方の第１電極パッド５４１Ｂおよび第２電極パッド５４２Ｂは、第１電極５４１および第２電極５４２の電荷保持量を検出するための検出端子として用いられる。
【００４２】
（３−１−４．エタロンと電圧制御手段との接続）
上述のようなエタロン５と電圧制御手段６との接続では、第１電極パッド５４１Ｂおよび第２電極パッド５４２Ｂに、それぞれ、電圧制御手段６に接続された導線をフレキシブル基板などにより接続する。
ここで、エタロン５の第１基板５１の第１突出部５１３には第２基板５２が対向しておらず、第２基板５２の第２突出部５２４には第１基板５１が対向していない。このため、エタロン５に導線を接続する際には、第１突出部５１３の第１パッド固定面５１３Ａに形成された第１電極パッド５４１Ｂおよび第２突出部５２４の第２パッド固定面５２４Ａに形成された第２電極パッド５４２Ｂにフレキシブル基板を重ねて接続させるだけでよい。すなわち、対向する基板間に導電性のペーストを流し込むなどの煩雑な作業が不要となり、第１電極パッド５４１Ｂや第２電極パッド５４２Ｂに直接接続することが可能となる。また、第１突出部５１３および第２突出部５２４には、対向する基板がないため作業スペースを大きく取ることができ、エタロン５への配線作業を容易に実施することができる。
【００４３】
（３−２．電圧制御手段の構成）
電圧制御手段６は、上記エタロン５とともに、本発明の光フィルターを構成する。この電圧制御手段６は、制御装置４からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５４の第１電極５４１および第２電極５４２に印加する電圧を制御する。
【００４４】
〔４．制御装置の構成〕
制御装置４は、分析機器１の全体動作を制御する。
この制御装置４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置４は、図１に示すように、光源制御部４１、光フィルターモジュール制御部４２、および光処理部４３などを備えて構成されている。
光源制御部４１は、光源装置２に接続されている。そして、光源制御部４１は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置２に所定の制御信号を出力し、光源装置２から所定の明るさの白色光を射出させる。
光フィルターモジュール制御部４２は、光フィルターモジュール３に接続されている。そして、光フィルターモジュール制御部４２は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光フィルターモジュール３にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を光フィルターモジュール３に出力する。これにより、光フィルターモジュール３の電圧制御手段６は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター５４への印加電圧を設定する。
【００４５】
〔５．エタロンの製造方法〕
次に、上記エタロン５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
エタロン５を製造するためには、第１基板５１および第２基板５２をそれぞれ形成し、形成された第１基板５１と第２基板５２とを貼り合わせる。
（５−１．第１基板形成工程）
図５（Ａ）に示す第１基板５１の製造素材である石英ガラス基板５０（表面粗さＲａ＝１ｎｍ以下、厚み５００μｍ）の両面を鏡面研磨し、石英ガラス基板５０の両面にレジストを形成する（図示しない）。
【００４６】
まず、第２基板５２と対向する側の面５０Ａの接合面５１４およびミラー固定部５１２以外の部分を、フッ酸水溶液を用いてエッチングすることで、図５（Ｂ）に示すように、深さ１μｍの電極形成溝５１１および第１突出部５１３を形成する。ここで、電極形成溝５１１の電極固定面５１１Ａと第１突出部５１３の第１パッド固定面５１３Ａとは同一面内に位置している。そして、第２基板５２と対向する側の面に残ったレジストを剥離する。
次に、同じく第２基板５２と対向する側の面５０Ａに、ミラー固定部５１２のパターンのレジストを形成し（図示しない）、フッ酸水溶液を用いてエッチングを実施する。これにより、図５（Ｃ）に示すように、電極固定面５１１Ａより高い位置にあるミラー固定面５１２Ａを有するミラー固定部５１２が形成される。そして、第２基板５２と対向する側の面５０Ａに残ったレジストを剥離する。
【００４７】
そして、第２基板５２と対向する側とは反対側の面５０Ｂには、電極取出空間を形成するためのパターンのレジストが形成されており（図示しない）、フッ酸水溶液を用いて約４５０ｎｍエッチングする。これにより、図５（Ｄ）に示すように、第１薄片５０Ｃが形成される。なお、第１薄片５０Ｃは、第２基板５２の第２突出部５２４の第２パッド固定面５２４Ａに対向する薄片であり、製造工程においてスパッタリングやレジストの塗布等による影響を避けるために一時的に設けているものである。したがって、第２基板５２と接合された際には除去される。そして、第２基板５２と対向する側とは反対側の面５０Ｂに残ったレジストを剥離する。
【００４８】
次に、石英ガラス基板５０の第２基板５２と対向する側の面５０Ａに、電極を形成するためのＩＴＯ膜（厚み０．１μｍ）をスパッタリングにより成膜する（図示しない）。そして、ＩＴＯ膜の上に、所望の電極パターンとなるレジストを形成し、硝酸と塩酸の混合液を用いてＩＴＯ膜のエッチングを行う。これにより、図６（Ａ）に示すにように、第１電極５４１が形成される。そして、第２基板５２と対向する側の面５０Ａに残ったレジストを剥離する。
そして、同じく第２基板５２と対向する側の面５０Ａに、第１電極５４１だけが露出するパターンのレジストを形成し（図示しない）、厚み０．１μｍのＴＥＯＳ（TetraEthOxySilane）膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。そして、レジストを剥離することで、図６（Ｂ）に示すように、第１電極５４１の上に絶縁膜５４３が形成される。
【００４９】
次に、同じく第２基板５２と対向する側の面５０Ａに、ミラー固定面５１２Ａの固定ミラー５６が形成される領域のみが露出するパターンのレジストを形成し（図示しない）、ミラー材料をスパッタリングまたは蒸着法により成膜する。例えば、ミラー固定面５１２Ａ側から順に、厚み５０ｎｍのＳｉＯ２、厚み５０ｎｍのＴｉＯ２、厚み５０ｎｍのＡｇを積層する。そして、レジストを剥離することで、図６（Ｃ）に示すように、ミラー固定面５１２Ａの上に固定ミラー５６が形成される。
【００５０】
次に、同じく第２基板５２と対向する側の面５０Ａに、第１接合膜５８１が形成される領域だけが露出するパターンのレジストを形成し（図示しない）、厚み３０ｎｍのプラズマ重合膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。プラズマ重合膜としては、主材料にポリオルガノシロキサンを用いることが好ましい。そして、レジストを剥離することで、図６（Ｄ）に示すように、接合面５１４の上に第１接合膜５８１が形成される。
このようにして、第１基板５１に第１薄片５０Ｃが形成された基板が完成する。
【００５１】
（５−２．第２基板製造工程）
図７（Ａ）に示すように、第２基板５２の製造素材である石英ガラス基板（表面粗さＲａ＝１ｎｍ以下）の両面を鏡面研磨して、厚み２００μｍの石英ガラス基板６０を作製する。
次に、図７（Ｂ）に示すように、石英ガラス基板６０の両面６０Ａ、６０Ｂに、Ｃｒ／Ａｕ膜６１および６２をスパッタリングにより成膜する。このときの各膜の厚みは、Ｃｒ膜５０ｎｍ、Ａｕ膜５００ｎｍである。
【００５２】
次に、図７（Ｃ）に示すように、ダイヤフラムを形成する側の面６０ＡのＣｒ／Ａｕ膜６１に対して、連結保持部５２３（ダイヤフラム）および第１基板５１の電極取出空間を形成するためのパターンを形成し、これらに対応する領域のＣｒ／Ａｕ膜を除去する。このとき、Ａｕ膜をヨウ素とヨウ化カリウムとの混合液によりエッチングし、Ｃｒ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングする。
次に、石英ガラス基板６０をフッ酸水溶液に浸すことで、１５０μｍエッチングする。これにより、図７（Ｄ）に示すように、厚さ５０μｍの連結保持部５２３および第２薄片６０Ｃが形成される。
そして、図８（Ａ）に示すように、石英ガラス基板６０の両面に残ったＣｒ／Ａｕ膜６１、６２を剥離する。
【００５３】
次に、電極を形成する側の面６０Ｂに、電極を形成するためのＩＴＯ膜（厚み０．１μｍ）をスパッタリングにより成膜する（図示しない）。そして、ＩＴＯ膜の上に、所望の電極パターンとなるレジストを形成し、硝酸と塩酸の混合液を用いてＩＴＯ膜のエッチングを行う。これにより、図８（Ｂ）に示すにように、第２電極５４２が形成される。そして、電極を形成する側の面６０Ｂに残ったレジストを剥離する。
【００５４】
次に、同じく電極を形成した側の面６０Ｂに、可動ミラー５７が形成される領域のみが露出するパターンのレジストを形成し（図示しない）、ミラー材料をスパッタリングまたは蒸着法により成膜する。例えば、基板側から順に、厚み５０ｎｍのＳｉＯ２、厚み５０ｎｍのＴｉＯ２、厚み５０ｎｍのＡｇを積層する。そして、レジストを剥離することで、図８（Ｃ）に示すように、電極を形成する側の面６０Ｂに可動ミラー５７が形成される。
【００５５】
次に、同じく電極を形成した側の面６０Ｂに、第２接合膜５８２が形成される領域だけが露出するパターンのレジストを形成し（図示しない）、厚み３０ｎｍのプラズマ重合膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する。プラズマ重合膜としては、主材料にポリオルガノシロキサンを用いることが好ましい。そして、レジストを剥離することで、図８（Ｄ）に示すように、接合面５２５の上に第２接合膜５８２が形成される。
このようにして、第２基板５２に第２薄片６０Ｃが形成された基板が完成する。
【００５６】
（５−３．貼合工程）
次に、図９（Ａ）に示すように、上述の第１基板形成工程および第２基板形成工程で形成された各基板を貼り合わせる。具体的には、各基板に形成された第１接合膜５８１および第２接合膜５８２を構成するプラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与するために、Ｏ２プラズマ処理またはＵＶ処理を行う。Ｏ２プラズマ処理は、Ｏ２流量３０ｃｃ／分、圧力２７Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて３分間処理を行う。プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、２つの基板のアライメントを行い、第１接合膜５８１および第２接合膜５８２を重ね合わせて荷重をかけることにより、基板同士を接合させる。
【００５７】
次に、第１基板５１に形成されている第１薄片５０Ｃと、第２基板５２に形成されている第２薄片６０Ｃと、を除去する。除去方法としては、切断等の機械的処理でもエッチング等の化学的処理でもよい。これにより、エタロン５が製造される。
【００５８】
〔６．本実施形態の作用効果〕
以上の実施形態によれば、以下の作用効果を奏することができる。
第１基板５１の第１電極パッド５４１Ｂは、第２基板５２に対向していない第１突出部５１３に設けられている。このため、エタロン平面視において、第１電極パッド５４１Ｂは第２基板５２に重ならない。すなわち、第１電極パッド５４１Ｂが露出するとともに、第１電極パッド５４１Ｂの第２基板５２側に電極取出空間が形成される。これによれば、第１電極パッド５４１Ｂが第２基板５２に邪魔されることなく露出するので、第１電極パッド５４１Ｂに外部配線となるフレキシブル基板を簡単に接続させることができる。
同様に、第２基板５２の第２電極パッド５４２Ｂは、第１基板５１に対向していない第２突出部５２４に設けられている。このため、エタロン平面視において、第２電極パッド５４２Ｂは第１基板５１に重ならない。すなわち、第２電極パッド５４２Ｂが露出するとともに、第２電極パッド５４２Ｂの第１基板５１側に電極取出空間が形成される。これによれば、第２電極パッド５４２Ｂが第１基板５１に邪魔されることなく露出するので、第２電極パッド５４２Ｂに外部配線となるフレキシブル基板を簡単に接続させることができる。
したがって、接続を確実にすることができ、接続の信頼性を向上させることができる。
【００５９】
特に、第１突出部５１３は第１基板５１の端縁（第２辺５１Ｂ）に沿って形成されているため、この第１突出部５１３に設けられた第１電極パッド５４１Ｂに対する配線作業を容易に行うことができる。同様に、第２突出部５２４は第２基板５２の端縁（第３辺５２Ａ）に沿って形成されているため、この第２突出部５２４に設けられた第２電極パッド５４２Ｂに対する配線作業を容易に行うことができる。
このように、対向する基板に邪魔されることなく配線作業を容易に行うことができるため、配線を確実に接続させることができ、接続の信頼性がより向上する。
【００６０】
そして、第１基板５１を製造する際には、第２基板５２と貼り合わせた際に第２突出部５２４に対向する位置に第１薄片５０Ｃを形成し、第２基板５２を製造する際には、第１基板と貼り合わせた際に第１突出部５１３に対向する位置に第２薄片６０Ｃを形成する。そして、第１基板５１と第２基板５２とを貼り合わせた後で、第１薄片５０Ｃおよび第２薄片６０Ｃを除去している。
これによれば、エタロン５の第１突出部５１３に設けられた第１電極パッド５４１Ｂおよび第２突出部５２４に設けられた第２電極パッド５４２Ｂは露出しているので、レジストのパターニングの処理が複雑になり作業性が低下するおそれがある。したがって、エタロン５が完成するまでは、第１薄片５０Ｃおよび第２薄片６０Ｃにより、露出している第１電極パッド５４１Ｂおよび第２電極パッド５４２Ｂを覆うことで、これらを考慮する必要がなく、容易に各処理を実施することができ、作業効率に優れる。
【００６１】
〔７．変形例〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００６２】
例えば、上記実施形態では、第１電極５４１、第１電極引出部５４１Ａ、第１電極パッド５４１Ｂ、第２電極５４２、第２電極引出部５４２Ａ、第２電極パッド５４２ＢをＩＴＯ膜により形成する構成としたが、これに限られない。例えば、Ａｕ／Ｃｒ合金、Ａｕ／Ｓｎ合金等で形成するなど、他の素材により形成される構成としてもよい。
【００６３】
また、上記実施形態において、各基板の端縁を含んで構成された第１突出部５１３および第２突出部５２４を設ける構成を例示したが、これに限定されず、例えば、第１基板５１の第１電極パッド５４１Ｂに対向する位置に、基板の厚み方向に沿って第２基板５２を貫通する貫通孔が形成される構成などとしてもよい。同様に、第２基板５２の第２電極パッド５４２Ｂに対向する位置に、基板の厚み方向に沿って第１基板５１を貫通する貫通孔が形成される構成などとしてもよい。
【００６４】
さらに、上記実施形態では、第１基板５１を第２基板５２に対してオフセットさせる方向は、第１辺５１Ａから第２辺５１Ｂに向かう方向にオフセットして配置した構成を示したが、オフセットする方向はこれに限られない。第１基板５１が第２基板５２と重ならない領域を形成できればいずれの方向にオフセットして配置してもよい。この場合は、第１基板５１と第２基板５２とが重ならない領域に第１電極パッドまたは第２電極パッドが設けられる。
【００６５】
また、上記実施形態の製造工程では、第１基板５１の第２基板５２の第２突出部５２４と対向する位置に第１薄片５０Ｃを形成し、貼り合わせた後にこの第１薄片５０Ｃを除去し、同様に、第２基板５２の第１基板５１の第１突出部５１３と対向する位置に第２薄片６０Ｃを形成し、貼り合わせた後にこの第２薄片６０Ｃを除去するようにしたが、本発明のエタロン５を製造する方法はこれに限られない。例えば、上記実施形態における第１薄片５０Ｃが形成されていない第１基板５１を予め作製し、第２薄片６０Ｃが形成されていない第２基板５２を予め作製し、これらの第１基板５１および第２基板５２をオフセットした状態で接合させる。これによれば、第１薄片５０Ｃや第２薄片６０Ｃ形成および除去する手間を省くことができ、製造効率に優れる。
【００６６】
また、上記実施形態において、接合面５１４，５２５では、第１接合膜５８１および第２接合膜５８２により接合されるとしたが、これに限られない。例えば、第１接合膜５８１および第２接合膜５８２が形成されず、接合面５１４，５２５を活性化し、活性化された接合面５１４，５２５を重ね合わせて加圧することにより接合する、いわゆる常温活性化接合により接合させる構成などとしてもよく、いかなる接合方法を用いてもよい。
【００６７】
また、エタロン５と電圧制御手段６との接続において、第１電極パッド５４１Ｂおよび第２電極パッド５４２Ｂにフレキシブル基板を接続する例を示したが、接続方法はこれに限られない。例えば、導線をワイヤボンディングにより接続する構成などとしてもよい。第１突出部５１３および第２突出部５２４が形成されることにより配線のための作業スペースを確保することができるため、どのような配線方法を用いたとしても、配線作業を効率よく実施することができる。
【００６８】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【符号の説明】
【００６９】
１…分析機器、３…光フィルターモジュール、４…制御装置、５…光フィルターを構成するエタロン、６…光フィルターを構成する電圧制御手段、３１…受光手段である受光素子、４３…光処理部、５１…第１基板、５２…第２基板、５４…可変手段である静電アクチュエーター、５６…固定ミラー、５７…可動ミラー、５１３…第１突出部、５１３Ａ…第１パッド固定面、５１４…接合面、５２４…第２突出部、５２４Ａ…第２パッド固定面、５２５…接合面、５４１…第１電極、５４１Ａ…第１電極引出部、５４１Ｂ…第１電極パッド、５４２…第２電極、５４２Ａ…第２電極引出部、５４２Ｂ…第２電極パッド、５８１…第１接合膜、５８２…第２接合膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板に設けられた第１反射膜と、
前記第２基板に設けられ、前記第１反射膜に対向する第２反射膜と、
前記第１基板に設けられた第１電極と、
前記第２基板に設けられ、前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１基板に設けられ、前記第１電極に接続された第１引出配線と、
前記第１基板に設けられ、前記第１引出配線に接続された第１電極パッドと、
前記第２基板に設けられ、前記第２電極に接続された第２引出配線と、
前記第２基板に設けられ、前記第２引出配線に接続された第２電極パッドと、を備え、
厚み方向から見た平面視において、前記第１電極パッドの少なくとも一部は前記第２基板と重なっておらず、
前記平面視において、前記第２電極パッドの少なくとも一部は前記第１基板とは重なっていない
ことを特徴とする光フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の光フィルターにおいて、
前記第１基板は、前記平面視において、前記第２基板と重なる第１重畳領域とこの第１重畳領域から前記第１基板の面方向に向かって突出する第１突出部とを有し、
前記第２基板は、前記平面視において、前記第１基板と重なる第２重畳領域とこの第２重畳領域から前記第２基板の面方向に向かって突出する第２突出部とを有し、
前記第１突出部に前記第１電極パッドが設けられ、
前記第２突出部に前記第２電極パッドが設けられている
ことを特徴とする光フィルター。
【請求項３】
請求項２に記載の光フィルターにおいて、
前記第１基板は、第１辺と前記第１辺に平行な第２辺とを有し、
前記第２基板は、第３辺と前記第３辺に平行な第４辺とを有し、
前記第１辺から前記第２辺に向かう方向と前記第３辺から前記第４辺に向かう方向とは同一の方向であり、
前記第１基板は、前記第２基板に対して、前記第１辺から前記第２辺に向かう方向にオフセットして配置され、
前記第１突出部は、前記平面視において、前記第２辺と前記第４辺との間に位置する前記第１基板の領域を有し、
前記第２突出部は、前記平面視において、前記第１辺と前記第３辺との間に位置する前記第２基板の領域を有している
ことを特徴とする光フィルター。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の光フィルターと、
前記光フィルターにより取り出された検査対象光を受光する受光手段と、
を備えることを特徴とする光フィルターモジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の光フィルターモジュールを具備したことを特徴とする分析機器。
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板に設けられた第１反射膜と、
前記第２基板に設けられ、前記第１反射膜に対向する第２反射膜と、
前記第１基板に設けられた第１電極と、
前記第２基板に設けられ、前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１基板に設けられ、前記第１電極に接続された第１引出配線と、
前記第１基板に設けられ、前記第１引出配線に接続された第１電極パッドと、
前記第２基板に設けられ、前記第２電極に接続された第２引出配線と、
前記第２基板に設けられ、前記第２引出配線に接続された第２電極パッドと、を備え、
厚み方向から見た平面視において、前記第１電極パッドの少なくとも一部は前記第２基板と重なっておらず、
前記平面視において、前記第２電極パッドの少なくとも一部は前記第１基板とは重なっていない
ことを特徴とする光フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の光フィルターにおいて、
前記第１基板は、前記平面視において、前記第２基板と重なる第１重畳領域とこの第１重畳領域から前記第１基板の面方向に向かって突出する第１突出部とを有し、
前記第２基板は、前記平面視において、前記第１基板と重なる第２重畳領域とこの第２重畳領域から前記第２基板の面方向に向かって突出する第２突出部とを有し、
前記第１突出部に前記第１電極パッドが設けられ、
前記第２突出部に前記第２電極パッドが設けられている
ことを特徴とする光フィルター。
【請求項３】
請求項２に記載の光フィルターにおいて、
前記第１基板は、第１辺と前記第１辺に平行な第２辺とを有し、
前記第２基板は、第３辺と前記第３辺に平行な第４辺とを有し、
前記第１辺から前記第２辺に向かう方向と前記第３辺から前記第４辺に向かう方向とは同一の方向であり、
前記第１基板は、前記第２基板に対して、前記第１辺から前記第２辺に向かう方向にオフセットして配置され、
前記第１突出部は、前記平面視において、前記第２辺と前記第４辺との間に位置する前記第１基板の領域を有し、
前記第２突出部は、前記平面視において、前記第１辺と前記第３辺との間に位置する前記第２基板の領域を有している
ことを特徴とする光フィルター。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の光フィルターと、
前記光フィルターにより取り出された検査対象光を受光する受光手段と、
を備えることを特徴とする光フィルターモジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の光フィルターモジュールを具備したことを特徴とする分析機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−２３２４４７（Ｐ２０１１−２３２４４７Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１０１０９２（Ｐ２０１０−１０１０９２）
【出願日】平成２２年４月２６日（２０１０．４．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月２６日（２０１０．４．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]