半導体装置
【課題】はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供する。
【解決手段】マウント面１２１を有する実装部材１２０と、はんだによりマウント面１２１に接合された半導体チップ１４０と、を備え、マウント面１２１の半導体チップ１４０の周囲には、第１の領域１４１と、半導体チップ１４０を囲み、前記はんだに対する濡れ性が第１の領域４１よりも低い第２の領域１６０と、が設けられている。
【解決手段】マウント面１２１を有する実装部材１２０と、はんだによりマウント面１２１に接合された半導体チップ１４０と、を備え、マウント面１２１の半導体チップ１４０の周囲には、第１の領域１４１と、半導体チップ１４０を囲み、前記はんだに対する濡れ性が第１の領域４１よりも低い第２の領域１６０と、が設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを、はんだによってリードフレーム（ベッド）などの実装部材に接合して形成した半導体装置がある。
このような半導体装置を製造する際の、実装部材のマウント面に半導体チップをはんだ接合するダイボンディング工程は、使用されるはんだによって、大きく分けて２種に分かれる。１つは、ワイヤーはんだやシートはんだを用いる方法であり、還元ガス中で行われる。もう１つは、はんだペーストを用いる方法であり、大気中または窒素雰囲気中で行われる。
【０００３】
ワイヤーはんだやシートはんだを用いる方法は、はんだペーストを用いる方法に比べて、ダイボンディング後にフラックス残渣除去が不要であり、ダイボンディングの位置精度に優れる。
一方、はんだペーストを用いる方法は、常温でチップマウントができるため、生産効率が優れている。すなわち、ダイボンディングのインデックスアップが可能である。
【０００４】
生産効率を優先し、はんだペーストを用いた場合、ダイボンディングの位置精度、すなわち半導体チップのθ回転を含む位置ずれの制御が困難なことが問題である。
チップの位置ずれを防止するには、はんだペーストの量を減らしたり、実装部材のマウント面上に刻印（溝）を設け余分なはんだを刻印に流れ込ませる手法などが考えられる。しかし、これらの対策では、チップ下のはんだの量が減少するため、はんだ厚の確保が困難である。すなわち、チップ位置ずれ対策とはんだ厚の確保とは、トレードオフの関係があり、両立が難しかった。
【０００５】
一方、特許文献１には、支持板の上の銅被膜の表面を選択的に加熱して、半導体チップが固着される領域を残して銅酸化膜を形成し、銅被膜が露出する領域に半導体チップをはんだ付けする方法が開示されている。しかし、チップ搭載部の周囲を酸化させるこの方法を用いた場合、チップ端と銅酸化膜とが近すぎる場合は、ダイボンディング時にはんだが溶融した際、溶融したはんだが銅酸化膜でせき止められ、はんだボールが発生し、はんだの飛散などを引き起こす。逆に、チップ端と銅酸化膜とを遠ざけた場合は、チップのθ回転を含むチップ位置ずれが発生してしまう。すなわち、特許文献１の方法では、はんだボールの発生の防止とチップ位置ずれの防止の両方を同時に実現できなかった。
【特許文献１】特開平８−３１８４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、マウント面を有する実装部材と、はんだにより前記マウント面に接合された半導体チップと、を備え、前記マウント面の前記半導体チップの周囲には、第１の領域と、前記半導体チップを囲み、前記はんだに対する濡れ性が前記第１の領域よりも低い第２の領域と、が設けられていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
なお、本願明細書及び以下の各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
同図（ａ）は斜視図であり、同図（ｂ）は平面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、同図（ｄ）は、要部を例示する平面図である。
図１に表したように、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１０は、リードフレーム（実装部材）１２０と、リードフレーム１２０の主面（マウント面）１２１に、はんだ層１５０によって接合された半導体チップ１４０と、を備えている。リードフレーム１２０の主面１２１の半導体チップ１４０の周囲には、第１の領域１４１と、第２の領域１６０とが設けられている。第２の領域１６０は、半導体チップ１４０を囲むように設けられる。そして第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性は、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性より低い。すなわち、第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性は、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性より悪い。
【００１０】
すなわち、半導体装置１０は、半導体チップ１４０を、はんだ層１５０によって、リードフレーム１２０に接合した構造を有する。なお、半導体装置１０には、インナーリード１１０が適宜設けられ、インナーリード１１０と半導体チップ１４０とを、内部配線１３０などで接続するようにしても良い。これらインナーリード１１０と内部配線１３０は、図１（ｂ）〜（ｄ）では省略されている。また、リードフレーム１２０の周りに図示しないモールド樹脂を設けても良い。また、図１には、実装部材の一例としてリードフレーム１２０を表したが、本発明はこれには限定されず、半導体チップ１４０をマウントする実装部材としては、基板やカップなど、マウント面を有する各種のものを用いることができる。
【００１１】
図１に例示したリードフレーム１２０は、例えば、銅からなる内部層１２２と、その周囲を被覆した例えばニッケルメッキ層１２３と、を有する。ニッケルメッキ層１２３の厚さは、例えば０．５μｍ〜１．５μｍである。ただし、本発明は、これには制限されず、リードフレーム１２０の構造や用いられる材料は任意である。
【００１２】
図１（ｄ）は、はんだ層１５０と半導体チップ１４０を取り除いた状態（または、はんだ層１５０と半導体チップ１４０を搭載する前の状態）を例示している。図１（ｄ）に表したように、半導体チップ１４０の周りに、第１の領域１４１と第２の領域１６０が設けられている。
【００１３】
図１に例示する半導体装置１０においては、第２の領域１６０は、互いに離間した複数の要素領域１６９を有す。このように、第２の領域１６０が、互いに離間した要素領域１６９からなる場合も、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０を囲っている。
すなわち、本願明細書において、「囲う」とは、特定の領域の周囲を連続して囲う場合の他、特定の領域の周囲の一部を露出して囲う場合も含み、さらには、互いに離間した複数の要素領域によって、特定の領域を囲う場合も含める。また、囲われる特定の領域の外周の内側に、囲うモノの一部が入る場合も、囲うモノは、囲われる特定の領域を囲っており、この場合も「囲う」に含む。
そして、この例では、第１の領域１４１は、第２の領域１６０の要素領域１６９同士の間に設けられている。これにより、後述するように、第１の領域１４１の部分が流出路１６２となり、この流出路１６２にはんだ層１５０のはんだが流出可能とされている。
【００１４】
第２の領域１６０は、例えば、第２の領域１６０の表面に凹凸を形成したり、表面処理層を形成したりすることで、第１の領域１４１の表面よりもはんだに対する濡れ性を相対的に低く（悪く）することで設けられる。
例えば、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等をリードフレーム１２０のマウント面１２１の所定の領域に照射することにより、その照射領域の表面に凹凸を形成し、第２の領域１６０を形成することができる。
また、リードフレーム１２０のマウント面１２１の所定の領域に各種の表面処理を施して酸化膜等を形成し、それによって、他の領域（第１の領域１４１）よりもはんだに対する濡れ性を低くすることによっても、第２の領域１６０を形成できる。なお、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等を照射することによっても、その照射領域の表面に酸化膜等の表面処理層を設けることができ、これにより第２の領域１６０を設けることもできる。
また、第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性が、第１の領域１４１よりも相対的に低くなるように、第１の領域１４１となる面に濡れ性を高める各種の処理を施したり、各種の層を設けても良い。
すなわち、第１の領域１４１となる面、及び、第２の領域１６０となる面の少なくともいずれかに表面処理を施したり、各種の表面特性の異なる層を設けても良い。例えば、レジストなどからなるマスクを形成した後に、リードフレーム１２０の表面の所定の領域に、酸等の各種薬品処理や、プラズマ処理等のような気相による表面処理を施したり、各種カップリング剤層等の層を設けることによって、第１の領域１４１と第２の領域１６０とで、はんだに対する濡れ性に差異を設けても良い。
【００１５】
なお、第１の領域１４１の表面は、半導体チップ１４０が搭載されるマウント領域１９０の表面と実質的に同じ特性とすることができる。例えば、実装部材１２０のマウント面１２１の第２の領域１６０となる部分に、レーザ照射等の特定の処理を施すことにより、第２の領域１６０を設けた場合は、第１の領域１４１は、マウント領域１９０と実質的に同じ表面状態とすることができる。
【００１６】
以下では、第２の領域１６０をＹＡＧレーザの照射により形成した場合を例に挙げて説明する。そして、この場合、第１の領域１４１の表面は、マウント領域１９０の表面と同じ表面状態である。
【００１７】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示する走査型電子顕微鏡写真図である。
すなわち、図２（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ図１（ｄ）に例示した領域２１１〜２１３に対応する領域のリードフレーム１２０の主面１２１の表面の走査型電子顕微鏡写真である。
なお、これらの図は、リードフレーム１２０の主面１２１に対して斜め４５°の角度から撮影した走査型電子顕微鏡写真である。
図２（ａ）は、第１の領域１４１と第２の領域１６０の表面状態を例示している。同図に表したように、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１０の第２の領域１６０の表面は、第１の領域１４１に比べて粗い。
なお、図２（ｂ）、（ｃ）では、第２の領域１６０とマウント領域１９０の表面状態を例示している。図２（ａ）〜（ｃ）に表したように、マウント領域１９０の表面状態は、第１の領域１４１の表面状態と同様である。
このように、第２の領域１６０の表面は、第１の領域１４１より粗く、また、この例では、マウント領域１９０よりも粗い。
【００１８】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示するグラフ図である。
すなわち、同図（ａ）〜（ｅ）は、第２の領域１６０の表面粗さを例示し、同図（ｆ）〜（ｈ）は、第１の領域１４１の表面粗さを例示している。横軸は、リードフレーム１２０の主面１２１に平行な面内の水平位置（距離）を表し、縦軸は垂直位置（表面の凹凸）を表している。
【００１９】
図３に表したように、第１の領域１４１の表面は実質的に平滑であり、表面凹凸（高さの振幅）は例えば１μｍ〜２μｍ程度以下であるのに対して、第２の領域１６０の表面は粗い凹凸を有しており、表面凹凸（高さの振幅）は、例えば、４μｍ〜５μｍ程度である。
例えば、第２の領域１６０の算術平均粗さＲａは、例えば０．３〜０．４μｍ程度である。また、最大高さＲｙは、例えば、４μｍ〜５μｍ程度である。また、十点平均粗さＲｚは、例えば２．５μｍ〜３．３μｍ程度である。
【００２０】
一方、第１の領域１４１の表面は平滑であり、第１の領域１４１の算術平均粗さＲａは、例えば０．１２〜０．１３μｍ程度である。また、最大高さＲｙは、例えば、１．３μｍ〜２．２μｍ程度である。また、十点平均粗さＲｚは、例えば０．９μｍ〜１．１μｍ程度である。
このように、第１の領域１４１における算術平均粗さＲａ、最大高さＲｙ、十点平均粗さＲｚは、それぞれ上記の第２の領域１６０の各値の半分以下である。
ただし、本発明は上記に限らず、第２の領域１６０の表面粗さが、第１の領域１４１の表面粗さより相対的に粗ければ良い。
【００２１】
これにより、第２の領域１６０におけるはんだの濡れ性を、第１の領域１４１におけるはんだの濡れ性より低くすることができる。すなわち、第２の領域１６０は、第１の領域１４１に比べて、はんだをはじき易い。
【００２２】
これにより、マウント領域１９０の上に設けられたはんだ層１５０のはんだが、マウント領域１９０から流れ出る場合、第１の領域１４１に流れ出す。すなわち、制御された状態で流れ出させることができる。
すなわち、本実施形態の半導体装置１０では、第２の領域１６０が、互いに離間した複数の要素領域１６９を有しており、要素領域１６９同士の間に第１の領域１４１が設けられている。そして、この第１の領域１４１に、余分なはんだが流出可能とされている。
【００２３】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。すなわち、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
図４に表したように、本実施形態に係る半導体装置１０においては、第２の領域１６０が、互いに離間した複数の要素領域１６９を有している。そして、要素領域１６９同士の間の第１の領域１４１が流出路１６２となり、この流出路１６２から、余分なはんだ１５１が連続して流出できるようにされている。
【００２４】
そして、はんだが溶融した際、はんだ内のフラックスが突沸した場合においても、はんだは、半導体チップ１４０の外側に位置する流出路１６２にはみ出すことができる。その結果として、はんだが狭い領域に閉じ込められた状態で突沸した時に生ずるはんだボールの発生を抑制できる。
すなわち、はんだが溶融した際、余分なはんだを流出路１６２から制御した状態で流出可能とすることで、はんだボールが発生しない。これにより、第２の領域１６０の内側境界（境界）１６８（半導体チップ１４０側の境界）を、半導体チップ１４０に近接させることができ、半導体チップ１４０の面内のθ回転を含むチップ位置ずれを低減できる。
【００２５】
すなわち、本実施形態によれば、はんだボールの発生を抑制しつつ、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００２６】
（第１の比較例）
図５は、第１の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
図５に表したように、第１の比較例の半導体装置９０においては、第２の領域１６０が、半導体チップ１４０を取り囲む連続した枠状の形状である。そして、本比較例では、半導体チップ１４０の位置ずれを防止することを重視し、第２の領域１６０の内側境界１６８は、半導体チップ１４０の外形と実質的に同一とされている。そして、第１の領域１４１は設けられていない。
【００２７】
この場合、はんだが溶融して流れ出す余分なはんだは、第２の領域１６０によってせき止められ、はんだ内のフラックスが突沸した時、はんだが逃げる経路がないため、はんだボール１５２が発生し、周囲に飛散する。このように飛散したはんだボール１５２は、他の電気回路などに付着し、電気的短絡や回路の誤動作を引き起こす原因となる。
【００２８】
（第２の比較例）
図６は、第２の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
図６に表したように、第２の比較例の半導体装置９１においては、第２の領域１６０が、半導体チップ１４０を取り囲む連続した枠状の形状である。そして、本比較例では、はんだが溶融した際にはんだボール１５２が発生しないように、第２の領域１６０の内側境界１６８は、半導体チップ１４０に対して外側に配置されている。例えば、第２の領域１６０の内側境界１６８は、例えば半導体チップ１４０の一辺が５ｍｍである時、半導体チップ１４０の端面から０．８ｍｍの外側に配置されている。
【００２９】
この場合、はんだが溶融して流れ出した余分なはんだを溜めておけるだけの容積が、第２の領域１６０の内側境界１６８の内側に確保できるので、余分なはんだは、半導体チップ１４０と第２の領域１６０との間に連続的に流出することができ、はんだボール１５２が発生し難い。
【００３０】
しかしながら、図６に例示したように、半導体チップ１４０は、第２の領域１６０の内側で、面内で回転したり、面内に平行移動し、結果としてチップのθ回転を含む位置ずれが大きくなる。
【００３１】
すなわち、はんだが溶融した時、はんだ中のフラックスとはんだ成分とで比重の差異があるため、フラックスとはんだ成分が分離することがある。そして、フラックスが、はんだ層１５０の半導体チップ１４０側に偏在し、このフラックスによって半導体チップ１４０が容易に移動可能な状態となる。そして、はんだのリフローの後に半導体チップ１４０の位置は、所望の位置から移動し、または、面内角度が所定の角度からずれてしまい、高精度の半導体装置は得られない。
【００３２】
なお、これら比較例の半導体装置９０、９１において、はんだ層１５０の厚みを薄くすることによって、余分なはんだの量も減少させ、これにより、はんだボール１５２が発生し難くし、また、これにより、第２の領域１６０の内側境界１６８を半導体チップ１４０に近づけ、半導体チップの位置ずれを減少させることが考えられる。しかしながら、この場合、はんだ層１５０の厚みが所定の厚さより薄くなる不良が発生し問題となる。すなわち、フラックスの特性のばらつき、リードフレーム１２０の濡れ性のばらつき、半導体チップ１４０の濡れ性のばらつき、及び、はんだ塗布量のばらつき等のために、はんだ層１５０の厚みがばらつき、所定の厚さ以下になる場合が発生し、安定した高品位の半導体装置は得られにくい。
【００３３】
これに対して、本実施形態に係る半導体装置１０では、第２の領域１６０が、互いに離間した複数の要素領域１６９を有しており、要素領域１６９同士の間の第１の領域１４１が流出路１６２となる。そして、この流出路１６２から、余分なはんだが制御された状態で流出可能とされている。これにより、はんだが溶融した際、余分なはんだは流出路１６２に流れ出すことかできるので、はんだボールが発生することがなく、第２の領域１６０の内側境界１６８を、半導体チップ１４０に近接させることができ、半導体チップ１４０の面内のθ回転を含むチップ位置ずれを低減できる。
【００３４】
これにより、本実施形態に係る半導体装置１０によって、はんだボールの発生を抑制しつつチップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００３５】
図７は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
図７に表したように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、実装部材１２０（例えばリードフレーム）の半導体チップ１４０が搭載されるマウント領域の周囲に、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性より低い濡れ性を有する第２の領域１６０を形成する（ステップＳ１１０）。
すなわち、例えば、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等をリードフレーム１２０に照射することにより、その照射領域の表面に凹凸を形成する。また、レジストなどにより適当なマスクを形成した後に、リードフレーム１２０の表面を各種の表面処理することによっても、他の部分（第１の領域１４１）に比べてはんだに対する濡れ性が低い表面を形成しても良い。なお、上記のようにレーザを用いる方法は、レジスト等を設けないで処理できるので簡便であり、便利である。
【００３６】
そして、実装部材１２０（例えばリードフレーム）のマウント領域に、はんだ層１５０となるはんだを設置する（ステップＳ１２０）。例えば、ディスペンサにより、はんだペーストを適量塗出して、マウント領域に塗布する。
そして、半導体チップ１４０をマウント領域の上に設置する（ステップＳ１３０）。
そして、はんだ層１５０となるはんだを溶融して、半導体チップ１４０をリードフレーム１２０のマウント面１２１に接合する（ステップＳ１４０）。
【００３７】
これにより、第１の領域１４１が流出路１６２となり、この流出路１６２から余分なはんだが連続して流出でき、はんだボールが発生することがない。そして、第２の領域１６０の内側境界１６８は、半導体チップ１４０に近接させることができ、第２の領域１６０によって、半導体チップ１４０の位置を制御し、半導体チップ１４０の面内のθ回転を含むチップ位置ずれを低減できる。
なお、上記において、ステップＳ１２０のはんだの設置は、例えばステップＳ１１０の前に行っても良い。また、ステップＳ１１０の第２の領域１６０の形成は、例えば、ステップＳ１３０の後に実施することもできる。すなわち、上記のステップＳ１１０〜ステップＳ１４０は、技術的に可能な範囲で、順序を入れ替えることが可能であり、また、同時に実施したり、省略することも可能である。
【００３８】
このように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によって、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００３９】
このように、本実施形態に係る半導体装置においては、第１の領域１４１は、余分なはんだを流出させる機能を有し、第２の領域１６０は、第１の領域１４１よりもはんだを弾き易いことで、はんだの端面を制御することができ、半導体チップ１４０の位置を制御する。この第１の領域１４１と第２の領域１６０の形状や配置は、以下説明するように各種変形することができる。
【００４０】
図８〜図１１は、本発明の第１の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
図８（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１１では、第２の領域１６０が、半導体チップ１４０を取り囲むように設けられ、第２の領域１６０の一部に隙間があり、その隙間の部分が第１の領域１４１である。そして、この第１の領域１４１が、はんだの流出路１６２となる。このように、第１の領域１４１は、半導体チップ１４０の周りに少なくとも１つ設けられれば良い。
【００４１】
また、図８（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１２では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の図の紙面での上部と下部に、半導体チップ１４０の横方向の辺と平行な部分と、その部分の左右の端に接続され、半導体チップ１４０の縦の辺に平行な部分とを有する要素領域１６９がそれぞれ設けられ、この要素領域１６９は互いに離間している。そして、この要素領域１６９の間に２つの第１の領域１４１が設けられ、この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。このように、第１の領域１４１を、半導体チップ１４０の周りに複数設けても良い。
【００４２】
また、図８（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１３では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に３つずつの円形状の要素領域１６９が設けられている。そして、これら要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられ、これが、はんだの流出路１６２となる。
【００４３】
また、図８（ｄ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１４では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺側に凸形状を有する略半円形状の要素領域１６９が設けられ、そして、これら要素領域１６９の間に、第１の領域１４１が設けられ、この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。このように、要素領域１６９の間の幅が、半導体チップ１４０から離れるに従って狭くなる形状にすると、マウント領域からはんだが流れ出した時に、その流量や流速を制限することができ、これにより、余分なはんだの量が多い時にも所定領域外にはんだが流れ出にくくすることができる。
【００４４】
また、図８（ｅ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１５では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０のコーナー部に、略半円形状の要素領域１６９が設けられている。半導体チップ１４０が搭載されるマウント領域のコーナー部のみに、要素領域１６９を設けることによっても、半導体チップ１４０の位置の制御が可能である。第２の領域１６０を例えばレーザの走査照射等によって設ける場合、半導体チップ１４０のコーナー部のみに第２の領域１６０を設けた半導体装置１５は、半導体チップ１４０の辺の中央部にも第２の領域１６０を設けた半導体装置１４よりも、レーザの走査照射時間が短縮でき、生産性の点で有利である。
【００４５】
また、図８（ｆ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１６では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に、各辺側に凸形状を向けた略半円形状の要素領域１６９が４つずつ設けられている。各要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられ、この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。そして、半導体チップ１４０のコーナー部に設けられた要素領域１６９ａは、半導体チップ１４０にほぼ接して設けられている。これにより、半導体チップ１４０の設置位置の高精度な制御が可能である。そして、半導体チップ１４０の各辺の中央付近に設けられた要素領域１６９ｂは、半導体チップ１４０より外側に離間して設けられている。要素領域１６９ｂは、はみ出した余分なはんだをせき止める機能を果たすものであり、半導体チップ１４０と離れていても良く、すなわち、要素領域１６９ｂと半導体チップ１４０の外周との距離は任意である。このように、要素領域１６９の内の一部を半導体チップ１４０と実質的に接して設け、その他の一部を半導体チップ１４０と離間して設けても良い。
【００４６】
また、図９（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１７では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各コーナー部にＬ字形状の要素領域１６９が設けられ、そして、これら要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられ、この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。そして、さらに、要素領域１６９の間に、小さい要素領域１６３が設けられている。この小さい要素領域１６３は、マウント領域からはんだが流れ出した時に、その流量や流速を制限する機能を持ち、これにより、余分なはんだの量が多い時にも所定領域外にはんだが流れ出さないようにすることができる。
【００４７】
また、図９（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１８では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各コーナー部にＬ字形状の要素領域１６９が設けられ、そして、これら要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられている。この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。そして、要素領域１６９の間の第１の領域１４１の流出路１６２の部分に、交互に突出した要素領域１６４が要素領域１６９から突出するように連続して設けられている。そして、突出した要素領域１６４の間も第１の領域１４１であり、ここにクランプ状の流出路１６２が形成される。この突出した要素領域１６４は、マウント領域からはんだが流れ出した際に、はんだの流量や流速を制限する機能を持ち、これにより、余分なはんだの量が多い時にも所定領域外にはんだが流れ出さないようにすることができる。
【００４８】
また、図９（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１９では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に長方形状の要素領域１６９が設けられ、要素領域１６９は、半導体チップ１４０の４つのコーナー部で互いに離間している。そして、これら要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられており、この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。
【００４９】
また、図９（ｄ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置２０では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各コーナー部にＬ字形状の要素領域１６９が、各辺に２つずつ、ずれた位置に設けられている。これにより、これら要素領域１６９の間に、細長い形状の第１の領域１４１が設けられ、この第１の領域１４１が、はんだの流出路１６２となる。このはんだの流出路１６２は、細長い経路であり、はんだの流量と流速を制御できる。
【００５０】
また、図９（ｅ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置２１では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に６個ずつの円形の要素領域１６９が設けられ、要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられている。そして、第２の領域１６０の外側に、第１の領域１４１よりも粗い表面粗さを有する（第１の領域１４１よりもはんだに対する濡れ性が低い）第３の領域２６０が、さらに設けられている。この第３の領域２６０によって、第２の領域１６０の間に設けられた流出路１６２から流れ出したはんだを、第３の領域２６０の外に流出させないようにできる。
【００５１】
また、図９（ｆ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置２２では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に１つずつ、半導体チップ１４０の各コーナーで離間した、長方形の要素領域１６９が設けられ、要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられている。そして、第２の領域１６０の外側に、第１の領域１４１よりも粗い表面粗さを有する第３の領域２６０が、さらに設けられている。この第３の領域２６０によって、第２の領域１６０の間に設けられた流出路１６２から流れ出したはんだを、第３の領域２６０の外に流出させないようにできる。
【００５２】
なお、半導体装置２１、２２において、第３の領域２６０が連続した枠状の形状を有しているが、これに限らず、第３の領域２６０は、一部に隙間がある形状でも良く、また、互いに離間した独立形状の複数の要素領域に分離されていても良い。
【００５３】
また、上記の半導体装置１１〜２２において、第２の領域１６０の半導体チップ１４０側の内側境界１６８は、半導体チップ１４０に接して設けることができる。これにより、はんだの広がりによる半導体チップ１４０の位置ずれを可及的に抑制することが可能となる。
【００５４】
さらに、本実施形態に係る半導体装置においては、第２の領域１６０の半導体チップ１４０側の内側境界１６８は、半導体チップ１４０の外周より内側に設定することもできる。
図１０（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置３１では、第２の領域１６０として、要素領域１６９の一部が、半導体チップ１４０の外周よりも内側に配置されるように、要素領域１６９が設けられている。このような構造の場合も、要素領域１６９の間の第１の領域１４１による流出路１６２から、余分なはんだが流出可能であり、はんだボールやはんだの飛散が防止できる。そして、要素領域１６９の内側境界１６８が、半導体チップ１４０の外周よりも内側にあっても、溶融した時のはんだの表面張力によって、半導体チップ１４０は、要素領域１６９で囲まれた領域に、高精度で位置制御される。
【００５５】
また、図１０（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置３２では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各コーナー部において、要素領域１６９の一部が、半導体チップ１４０の外周よりも内側に配置されるように、要素領域１６９が設けられている。
【００５６】
また、図１０（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置３３では、半導体チップ１４０のコーナー部に設けられた要素領域１６９ａの一部が、半導体チップ１４０の外周より内側に設けられている。そして、半導体チップ１４０の各辺の中央部の要素領域１６９ｂは、半導体チップ１４０に実質的に接して設けられている。なお、要素領域１６９ｂは、半導体チップ１４０の外周よりも外側に設けられていても良い。
【００５７】
また、図１０（ｄ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置３４では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各コーナー部に要素領域１６９ｃと１６９ｄとが設けられている。そして、半導体チップ１４０の図面中の縦方向の辺に近接する要素領域１６９ｃは、実質的に半導体チップ１４０と接して設けられている。一方、半導体チップ１４０の横方向の辺に近接する要素領域１６９ｄは、半導体チップ１４０の外周よりも内側にその一部が設けられている。このように半導体チップ１４０の上下辺と左右辺とで、第２の領域１６０と半導体チップ１４０との位置関係を変えることにより、例えば、高精度で位置制御したい辺と、相対的に位置精度の許容が大きい辺とを、独立して制御することができ、実用上有利である。
【００５８】
これら、半導体装置３１〜３４のように、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０の外周よりも内側にあっても、はんだボールの発生を抑制しつつチップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００５９】
さらに、図１０（ｅ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置３５では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に、長方形の要素領域１６９が設けられている。この要素領域１６９は、半導体チップ１４０の外周よりも外側に設けられている。はんだが溶融した場合、はんだ中に含まれるフラックスが溶け出すが、要素領域１６９の間の第１の領域１４１による流出路１６２において、フラックスはこの流出路１６２に流出し易い。このため、流出路１６２が設けられた場合は、半導体チップ１４０が搭載されるマウント領域においては、フラックスの量が減少する。
【００６０】
一方、例えば、先に説明した第２の比較例の半導体装置９１のように、第２の領域１６０が連続した枠状の形状の場合は、流出路１６２が設けられていないため、マウント領域におけるフラックスの量が相対的に多く、その上に配置される半導体チップ１４０はこのフラックスによって容易に滑り、半導体チップ１４０の位置はずれ易い。
【００６１】
これに対し、本実施形態に係る半導体装置３５は、要素領域１６９の間に流出路１６２が設けられるので、流出路１６２にフラックスが溶け出せるため、マウント領域におけるフラックス量が相対的に減少し、第２の比較例よりも半導体チップ１４０は動き難くなる。これにより、第２の領域１６０と半導体チップ１４０との距離が同じ場合には、本実施形態に係る半導体装置３５においては、比較例の半導体装置９１に比べて、半導体チップ１４０の位置精度が向上する。
【００６２】
すなわち、本実施形態の半導体装置３５のように、第２の領域１６０の間にはんだを流出可能とする第１の領域１４１を設けることにより、第２の領域１６０が連続して設けられ第１の領域１４１を有さない場合よりも、半導体チップ１４０が動き難くなり、半導体チップ１４０の位置精度が向上する効果がある。これにより、第２の領域１６０の内側境界１６８と半導体チップ１４０との距離の制約が緩和され、第２の領域１６０の内側境界１６８の設置位置の自由度が拡大する。
ただし、内側境界１６８が半導体チップ１４０の外周に近接（内側でも外側でも）している場合、半導体チップ１４０の位置精度はより精密に制御できるので、内側境界１６８は半導体チップ１４０の外周に近接していることがより望ましい。なお、ここでいう「近接」は、接している場合も含む。
【００６３】
また、図１１（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置４１では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に、円周の一部の形状を有する要素領域１６９が３つずつ設けられている。第２の領域１６０（要素領域１６９）の半導体チップ１４０側の内側境界１６８によって、半導体チップ１４０の位置が制御されるので、同図に例示したように幅が狭い要素領域１６９を有する半導体装置４１によっても、例えば図８（ｄ）に例示した半導体装置１４と同等の精度で半導体チップ１４０の位置制御が可能である。
【００６４】
また、図１１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置４２では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０のコーナー部に、円周の一部の形状を有する要素領域１６９が設けられている。この場合も、第２の領域１６０の内側境界１６８によって半導体チップ１４０の位置が制御できるため、例えば図８（ｅ）に例示した半導体装置１５と同等の精度で半導体チップ１４０の位置制御が可能である。
【００６５】
なお、第２の領域１６０を例えばレーザ照射によって形成する等の場合、図１１（ａ）、（ｂ）に例示した、幅が狭く面積が小さい要素領域１６９は、図８（ｄ）、（ｅ）に例示した、面状に広がった広い面積の要素領域１６９に比べて、レーザ照射の時間が短縮でき生産性の点で有利である。また、第２の領域１６０を半導体チップ１４０のコーナー部のみに設けた半導体装置４２は、第２の領域１６０を半導体チップ１４０の辺の中央部にも設けた半導体装置４１に比べて、レーザ照射の時間が短縮でき、生産性の点でより有利である。なお、図１１（ａ）、（ｂ）に例示した要素領域１６９の幅１７０は、例えば、０．０５ｍｍ〜１．０ｍｍとすることができる。ただし、本発明はこれには限定されず、はんだをせき止めることができることができれば、幅１７０の太さは任意である。
【００６６】
（第２の実施の形態）
図１２〜図１５は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
図１２（ａ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置５１においては、第２の領域１６０の半導体チップ１４０側の内側境界（境界）１６８（の平面形状）は、半導体チップ１４０に近接した部分と、半導体チップ１４０と離間した部分とを有している。この場合、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０を取り囲むように連続して設けられている。そして、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０と離間した部分における、第２の領域１６０と半導体チップ１４０との間に、第１の領域１４１が設けられている。そして、第２の領域１６０の表面粗さは、第１の領域１４１の表面粗さより粗い。すなわち、第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性は、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性よりも低い（悪い）。なお、第１の領域１４１の表面は、マウント領域の表面と実質的に同じとすることができる。
【００６７】
これにより、半導体装置５１においては、半導体チップ１４０の下のはんだ層１５０の余分なはんだが、半導体チップ１４０の外周よりも外側の第１の領域１４１に流れ出すことができ、実質的にはんだボール１５２が発生しない。
【００６８】
一方、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０と近接する部分があるために、半導体チップ１４０は、第２の領域１６０の内側境界１６８によって位置が制御される。これにより、半導体チップ１４０の位置ずれは発生しない。
【００６９】
これにより、本実施形態に係る半導体装置５１によって、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００７０】
なお、図２に例示したように、第２の領域１６０を、例えばレーザを走査して照射することによって形成した場合、第２の領域１６０の境界の平面形状は、レーザのスポット径に応じた微視的な凹凸を持つことがある。すなわち、図２に例示した例では、レーザのスポット径は、約４０μｍであり、これに対応するように、図２では、直径４０μｍの円を微小距離ずつずらせた形状の凹凸を有する境界線が観察される。本実施形態に係る半導体装置２０においては、このようなレーザのスポットの径に対応した平面形状の凹凸より大きな振幅を持つ凹凸形状を、第２の領域１６０の内側境界１６８に形成する。これにより、半導体チップ１４０の設置位置を精度良く制御できる。
【００７１】
また、図１２（ｂ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５２では、第２の領域１６０の内側境界１６８の平面形状に合わせて、第２の領域１６０の外側の境界も変形させ、第２の領域１６０の幅１７０は狭い。第２の領域１６０の幅１７０が狭い形状でも、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００７２】
また、図１２（ｃ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５３においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に実質的に接する、３個ずつの小さい半円形状の内側に突出した突出部１６１を有している。
【００７３】
また、図１２（ｄ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５４においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各コーナー部に設けられた小さい半円形状の突出部１６１を有している。この例では、突出部１６１は、半導体チップ１４０と実質的に接している。このように突出部１６１を半導体チップ１４０のコーナー部に設けることで、半導体チップ１４０の位置の制御が可能なので、突出部１６１をレーザ照射によって設ける場合、半導体装置５４は、突出部１６１を半導体チップ１４０の辺の中央部にも設けた半導体装置５３に比べレーザ照射の時間が短縮でき、生産性の点でより有利である。
【００７４】
また、図１２（ｅ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５５においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に実質的に接する、３個ずつの大きい半円形状の内側に突出した突出部１６１を有している。
【００７５】
また、図１２（ｆ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５６においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の外周の各コーナー部に設けられた大きい半円形状の突出部１６１を有している。この例では、突出部１６１は、半導体チップ１４０と実質的に接している。
【００７６】
また、図１３（ａ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５７においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に実質的に接する、６個ずつの小さい円形状の内側に突出した突出部１６１を有している。
【００７７】
また、図１３（ｂ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５８においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に実質的に接する、長方形の突出部１６１を有している。そして、突出部１６１は、半導体チップ１４０の４つのコーナー部分で離間しており、この４つのコーナー部では、第２の領域１６０の内側境界１６８は、半導体チップ１４０より外側である。
【００７８】
図１２（ｃ）〜（ｆ）及び図１３に例示したように、突出部１６１の大きさと位置によって、突出部１６１同士の間の第１の領域１４１の面積と形状を変えることができ、半導体チップ１４０の位置精度を制御しつつ、はんだの溶出量に合わせた最適の大きさと形状の第１の領域１４１を形成することができる。
【００７９】
これら、半導体装置５１〜５８においては、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０と離間した部分における、第２の領域１６０と半導体チップ１４０との間に、第１の領域１４１が設けられている。そして、この第１の領域１４１にはんだが流出でき、はんだボールの発生がない。また、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０に近接した部分（突出部１６１）を有していることで、半導体チップ１４０の位置を高精度に制御できる。
【００８０】
これらの構造を有する半導体装置５１〜５８においても、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００８１】
また、上記の半導体装置５１〜５８において、第２の領域１６０の内側境界１６８は、半導体チップ１４０と接する部分を有するが、厳密に接した状態の他、内側境界１６８は、半導体チップ１４０と近接していれば良い。
【００８２】
さらに、第２の領域１６０の内側境界１６８の一部は、半導体チップ１４０の外周より内側に設定されていても良い。
【００８３】
図１４（ａ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置６１においては、第２の領域１６０の内側境界１６８の平面形状は、半導体チップ１４０の外周よりも内側の部分と、半導体チップ１４０よりも外側の部分とを有している。そして、半導体チップ１４０と第２の領域１６０の内側境界１６８との間に、第１の領域１４１が設けられている。
この場合も、内側境界１６８が半導体チップ１４０よりも外側の部分の第１の領域１４１に、半導体チップ１４０の下の余分なはんだが、流れ出すことができ、実質的にはんだボール１５２が発生せず、はんだボールの飛散もない。
また、内側境界１６８が、半導体チップ１４０の外周よりも内側の部分においては、はんだの表面張力によって、半導体チップ１４０の位置が制御される。これにより、半導体チップ１４０の位置ずれは実質的に発生しない。
このように、第２の領域１６０の内側境界１６８の一部が、半導体チップ１４０の外周の内側にあり、他の一部が半導体チップ１４０の外周の外側にある半導体装置６１によっても、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００８４】
また、図１４（ｂ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置６２では、第２の領域１６０の内側境界１６８の形状に合わせて、第２の領域１６０の外側の境界も変形させ、第２の領域１６０は幅１７０が狭い形状を有している。この場合も、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００８５】
また、図１４（ｃ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置６３においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に対応して設けられた３個ずつの半円形状の内側に突出した突出部１６１を有している。この突出部１６１の一部は、半導体チップ１４０の外周より内側に入っている。
【００８６】
また、図１４（ｄ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置６４においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各コーナー部に設けられた半円形状の突出部１６１を有している。そして、この突出部１６１の一部は、半導体チップ１４０の外周より内側に入っている。
【００８７】
上記の本実施形態に係る別の半導体装置６１〜６４のように、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０の外周よりも内側の部分と、半導体チップ１４０の外周よりも外側の部分とを有している場合も、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
このように、本実施形態において、内側境界１６８は、半導体チップ１４０に近接する部分と、半導体チップ１４０の外周と離間した部分を有するが、半導体チップ１４０と近接する部分は、内側境界１６８が半導体チップ１４０の外周の内側に入っていても良い。
【００８８】
また、図１５（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置７１では、第２の領域１６０は、幅の狭い線状であり、そして、半導体チップ１４０の各辺に、円周の一部の形状を有する突出部１６１が３つずつ設けられている。この場合も、第２の領域１６０の内側境界１６８によって、半導体チップ１４０の位置が制御されるので、例えば、図１２（ｃ）に例示した半導体装置５３と同等の精度で半導体チップ１４０の位置制御が可能である。
【００８９】
また、図１５（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置７２では、第２の領域１６０は、幅の狭い線状であり、そして、半導体チップ１４０のコーナー部に、円周の一部の形状を有する突出部１６１が設けられている。この場合も、第２の領域１６０の内側境界１６８によって半導体チップ１４０の位置が制御できるため、例えば、図１２（ｄ）に例示した半導体装置５４と同等の精度で半導体チップ１４０の位置制御が可能である。
【００９０】
なお、第２の領域１６０を例えばレーザ照射によって形成する等の場合、図１５（ａ）、（ｂ）に例示した、幅が狭く面積が小さい第２の領域１６０は、図１２（ｃ）、（ｄ）に例示した、面状に広がった広い面積の第２の領域１６０に比べて、レーザ照射の時間が短縮でき有利である。この幅が狭い第２の領域１６０の幅１７０は、例えば、０．０５ｍｍ〜１．０ｍｍとすることができる。ただし、本発明はこれには限定されず、はんだをせき止めることができることができれば、幅１７０の太さは任意である。
【００９１】
なお、本実施形態に係る半導体装置５１〜５８、半導体装置６１〜６４及び半導体装置７１、７２において、内側境界１６８が、半導体チップ１４０の外周より外側の部分は、半導体チップ１４０の位置制御への寄与が小さい部分なので、この部分における内側境界１６８と外周との距離は任意である。
【００９２】
また、上記の各実施形態において、第２の領域１６０の表面粗さが、第１の領域１４１の表面粗さよりも粗い例を示したが、本発明はこれに限らず、第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性が、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性よりも低くければ良い。
【００９３】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置を構成する各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示する走査型電子顕微鏡写真図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示するグラフ図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図５】第１の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図６】第２の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図７】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１５】本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０〜２２、３１〜３５、４１、４２、５１〜５８、６１〜６４、７１、７２、９０、９１ 半導体装置
１１０ インナーリード
１２０ リードフレーム
１２１ 主面（マウント面）
１２２ 内部層
１２３ ニッケルメッキ層
１３０ 内部配線
１４０ 半導体チップ
１４１ 第１の領域
１４５ 辺（端面）
１５０ はんだ層
１５１ 余分なはんだ
１５２ はんだボール
１６０ 第２の領域
１６１ 突出部
１６２ 流出路
１６３ 小さい要素領域
１６４ 突出した要素領域
１６８ 内側境界（境界）
１６９、１６９ａ、１６９ｂ、１６９ｃ、１６９ｄ 要素領域
１７０ 幅
１９０ マウント領域
２１１〜２１３ 領域
２６０ 第３の領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを、はんだによってリードフレーム（ベッド）などの実装部材に接合して形成した半導体装置がある。
このような半導体装置を製造する際の、実装部材のマウント面に半導体チップをはんだ接合するダイボンディング工程は、使用されるはんだによって、大きく分けて２種に分かれる。１つは、ワイヤーはんだやシートはんだを用いる方法であり、還元ガス中で行われる。もう１つは、はんだペーストを用いる方法であり、大気中または窒素雰囲気中で行われる。
【０００３】
ワイヤーはんだやシートはんだを用いる方法は、はんだペーストを用いる方法に比べて、ダイボンディング後にフラックス残渣除去が不要であり、ダイボンディングの位置精度に優れる。
一方、はんだペーストを用いる方法は、常温でチップマウントができるため、生産効率が優れている。すなわち、ダイボンディングのインデックスアップが可能である。
【０００４】
生産効率を優先し、はんだペーストを用いた場合、ダイボンディングの位置精度、すなわち半導体チップのθ回転を含む位置ずれの制御が困難なことが問題である。
チップの位置ずれを防止するには、はんだペーストの量を減らしたり、実装部材のマウント面上に刻印（溝）を設け余分なはんだを刻印に流れ込ませる手法などが考えられる。しかし、これらの対策では、チップ下のはんだの量が減少するため、はんだ厚の確保が困難である。すなわち、チップ位置ずれ対策とはんだ厚の確保とは、トレードオフの関係があり、両立が難しかった。
【０００５】
一方、特許文献１には、支持板の上の銅被膜の表面を選択的に加熱して、半導体チップが固着される領域を残して銅酸化膜を形成し、銅被膜が露出する領域に半導体チップをはんだ付けする方法が開示されている。しかし、チップ搭載部の周囲を酸化させるこの方法を用いた場合、チップ端と銅酸化膜とが近すぎる場合は、ダイボンディング時にはんだが溶融した際、溶融したはんだが銅酸化膜でせき止められ、はんだボールが発生し、はんだの飛散などを引き起こす。逆に、チップ端と銅酸化膜とを遠ざけた場合は、チップのθ回転を含むチップ位置ずれが発生してしまう。すなわち、特許文献１の方法では、はんだボールの発生の防止とチップ位置ずれの防止の両方を同時に実現できなかった。
【特許文献１】特開平８−３１８４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、マウント面を有する実装部材と、はんだにより前記マウント面に接合された半導体チップと、を備え、前記マウント面の前記半導体チップの周囲には、第１の領域と、前記半導体チップを囲み、前記はんだに対する濡れ性が前記第１の領域よりも低い第２の領域と、が設けられていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
なお、本願明細書及び以下の各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
同図（ａ）は斜視図であり、同図（ｂ）は平面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、同図（ｄ）は、要部を例示する平面図である。
図１に表したように、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１０は、リードフレーム（実装部材）１２０と、リードフレーム１２０の主面（マウント面）１２１に、はんだ層１５０によって接合された半導体チップ１４０と、を備えている。リードフレーム１２０の主面１２１の半導体チップ１４０の周囲には、第１の領域１４１と、第２の領域１６０とが設けられている。第２の領域１６０は、半導体チップ１４０を囲むように設けられる。そして第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性は、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性より低い。すなわち、第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性は、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性より悪い。
【００１０】
すなわち、半導体装置１０は、半導体チップ１４０を、はんだ層１５０によって、リードフレーム１２０に接合した構造を有する。なお、半導体装置１０には、インナーリード１１０が適宜設けられ、インナーリード１１０と半導体チップ１４０とを、内部配線１３０などで接続するようにしても良い。これらインナーリード１１０と内部配線１３０は、図１（ｂ）〜（ｄ）では省略されている。また、リードフレーム１２０の周りに図示しないモールド樹脂を設けても良い。また、図１には、実装部材の一例としてリードフレーム１２０を表したが、本発明はこれには限定されず、半導体チップ１４０をマウントする実装部材としては、基板やカップなど、マウント面を有する各種のものを用いることができる。
【００１１】
図１に例示したリードフレーム１２０は、例えば、銅からなる内部層１２２と、その周囲を被覆した例えばニッケルメッキ層１２３と、を有する。ニッケルメッキ層１２３の厚さは、例えば０．５μｍ〜１．５μｍである。ただし、本発明は、これには制限されず、リードフレーム１２０の構造や用いられる材料は任意である。
【００１２】
図１（ｄ）は、はんだ層１５０と半導体チップ１４０を取り除いた状態（または、はんだ層１５０と半導体チップ１４０を搭載する前の状態）を例示している。図１（ｄ）に表したように、半導体チップ１４０の周りに、第１の領域１４１と第２の領域１６０が設けられている。
【００１３】
図１に例示する半導体装置１０においては、第２の領域１６０は、互いに離間した複数の要素領域１６９を有す。このように、第２の領域１６０が、互いに離間した要素領域１６９からなる場合も、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０を囲っている。
すなわち、本願明細書において、「囲う」とは、特定の領域の周囲を連続して囲う場合の他、特定の領域の周囲の一部を露出して囲う場合も含み、さらには、互いに離間した複数の要素領域によって、特定の領域を囲う場合も含める。また、囲われる特定の領域の外周の内側に、囲うモノの一部が入る場合も、囲うモノは、囲われる特定の領域を囲っており、この場合も「囲う」に含む。
そして、この例では、第１の領域１４１は、第２の領域１６０の要素領域１６９同士の間に設けられている。これにより、後述するように、第１の領域１４１の部分が流出路１６２となり、この流出路１６２にはんだ層１５０のはんだが流出可能とされている。
【００１４】
第２の領域１６０は、例えば、第２の領域１６０の表面に凹凸を形成したり、表面処理層を形成したりすることで、第１の領域１４１の表面よりもはんだに対する濡れ性を相対的に低く（悪く）することで設けられる。
例えば、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等をリードフレーム１２０のマウント面１２１の所定の領域に照射することにより、その照射領域の表面に凹凸を形成し、第２の領域１６０を形成することができる。
また、リードフレーム１２０のマウント面１２１の所定の領域に各種の表面処理を施して酸化膜等を形成し、それによって、他の領域（第１の領域１４１）よりもはんだに対する濡れ性を低くすることによっても、第２の領域１６０を形成できる。なお、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等を照射することによっても、その照射領域の表面に酸化膜等の表面処理層を設けることができ、これにより第２の領域１６０を設けることもできる。
また、第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性が、第１の領域１４１よりも相対的に低くなるように、第１の領域１４１となる面に濡れ性を高める各種の処理を施したり、各種の層を設けても良い。
すなわち、第１の領域１４１となる面、及び、第２の領域１６０となる面の少なくともいずれかに表面処理を施したり、各種の表面特性の異なる層を設けても良い。例えば、レジストなどからなるマスクを形成した後に、リードフレーム１２０の表面の所定の領域に、酸等の各種薬品処理や、プラズマ処理等のような気相による表面処理を施したり、各種カップリング剤層等の層を設けることによって、第１の領域１４１と第２の領域１６０とで、はんだに対する濡れ性に差異を設けても良い。
【００１５】
なお、第１の領域１４１の表面は、半導体チップ１４０が搭載されるマウント領域１９０の表面と実質的に同じ特性とすることができる。例えば、実装部材１２０のマウント面１２１の第２の領域１６０となる部分に、レーザ照射等の特定の処理を施すことにより、第２の領域１６０を設けた場合は、第１の領域１４１は、マウント領域１９０と実質的に同じ表面状態とすることができる。
【００１６】
以下では、第２の領域１６０をＹＡＧレーザの照射により形成した場合を例に挙げて説明する。そして、この場合、第１の領域１４１の表面は、マウント領域１９０の表面と同じ表面状態である。
【００１７】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示する走査型電子顕微鏡写真図である。
すなわち、図２（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ図１（ｄ）に例示した領域２１１〜２１３に対応する領域のリードフレーム１２０の主面１２１の表面の走査型電子顕微鏡写真である。
なお、これらの図は、リードフレーム１２０の主面１２１に対して斜め４５°の角度から撮影した走査型電子顕微鏡写真である。
図２（ａ）は、第１の領域１４１と第２の領域１６０の表面状態を例示している。同図に表したように、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１０の第２の領域１６０の表面は、第１の領域１４１に比べて粗い。
なお、図２（ｂ）、（ｃ）では、第２の領域１６０とマウント領域１９０の表面状態を例示している。図２（ａ）〜（ｃ）に表したように、マウント領域１９０の表面状態は、第１の領域１４１の表面状態と同様である。
このように、第２の領域１６０の表面は、第１の領域１４１より粗く、また、この例では、マウント領域１９０よりも粗い。
【００１８】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示するグラフ図である。
すなわち、同図（ａ）〜（ｅ）は、第２の領域１６０の表面粗さを例示し、同図（ｆ）〜（ｈ）は、第１の領域１４１の表面粗さを例示している。横軸は、リードフレーム１２０の主面１２１に平行な面内の水平位置（距離）を表し、縦軸は垂直位置（表面の凹凸）を表している。
【００１９】
図３に表したように、第１の領域１４１の表面は実質的に平滑であり、表面凹凸（高さの振幅）は例えば１μｍ〜２μｍ程度以下であるのに対して、第２の領域１６０の表面は粗い凹凸を有しており、表面凹凸（高さの振幅）は、例えば、４μｍ〜５μｍ程度である。
例えば、第２の領域１６０の算術平均粗さＲａは、例えば０．３〜０．４μｍ程度である。また、最大高さＲｙは、例えば、４μｍ〜５μｍ程度である。また、十点平均粗さＲｚは、例えば２．５μｍ〜３．３μｍ程度である。
【００２０】
一方、第１の領域１４１の表面は平滑であり、第１の領域１４１の算術平均粗さＲａは、例えば０．１２〜０．１３μｍ程度である。また、最大高さＲｙは、例えば、１．３μｍ〜２．２μｍ程度である。また、十点平均粗さＲｚは、例えば０．９μｍ〜１．１μｍ程度である。
このように、第１の領域１４１における算術平均粗さＲａ、最大高さＲｙ、十点平均粗さＲｚは、それぞれ上記の第２の領域１６０の各値の半分以下である。
ただし、本発明は上記に限らず、第２の領域１６０の表面粗さが、第１の領域１４１の表面粗さより相対的に粗ければ良い。
【００２１】
これにより、第２の領域１６０におけるはんだの濡れ性を、第１の領域１４１におけるはんだの濡れ性より低くすることができる。すなわち、第２の領域１６０は、第１の領域１４１に比べて、はんだをはじき易い。
【００２２】
これにより、マウント領域１９０の上に設けられたはんだ層１５０のはんだが、マウント領域１９０から流れ出る場合、第１の領域１４１に流れ出す。すなわち、制御された状態で流れ出させることができる。
すなわち、本実施形態の半導体装置１０では、第２の領域１６０が、互いに離間した複数の要素領域１６９を有しており、要素領域１６９同士の間に第１の領域１４１が設けられている。そして、この第１の領域１４１に、余分なはんだが流出可能とされている。
【００２３】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。すなわち、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
図４に表したように、本実施形態に係る半導体装置１０においては、第２の領域１６０が、互いに離間した複数の要素領域１６９を有している。そして、要素領域１６９同士の間の第１の領域１４１が流出路１６２となり、この流出路１６２から、余分なはんだ１５１が連続して流出できるようにされている。
【００２４】
そして、はんだが溶融した際、はんだ内のフラックスが突沸した場合においても、はんだは、半導体チップ１４０の外側に位置する流出路１６２にはみ出すことができる。その結果として、はんだが狭い領域に閉じ込められた状態で突沸した時に生ずるはんだボールの発生を抑制できる。
すなわち、はんだが溶融した際、余分なはんだを流出路１６２から制御した状態で流出可能とすることで、はんだボールが発生しない。これにより、第２の領域１６０の内側境界（境界）１６８（半導体チップ１４０側の境界）を、半導体チップ１４０に近接させることができ、半導体チップ１４０の面内のθ回転を含むチップ位置ずれを低減できる。
【００２５】
すなわち、本実施形態によれば、はんだボールの発生を抑制しつつ、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００２６】
（第１の比較例）
図５は、第１の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
図５に表したように、第１の比較例の半導体装置９０においては、第２の領域１６０が、半導体チップ１４０を取り囲む連続した枠状の形状である。そして、本比較例では、半導体チップ１４０の位置ずれを防止することを重視し、第２の領域１６０の内側境界１６８は、半導体チップ１４０の外形と実質的に同一とされている。そして、第１の領域１４１は設けられていない。
【００２７】
この場合、はんだが溶融して流れ出す余分なはんだは、第２の領域１６０によってせき止められ、はんだ内のフラックスが突沸した時、はんだが逃げる経路がないため、はんだボール１５２が発生し、周囲に飛散する。このように飛散したはんだボール１５２は、他の電気回路などに付着し、電気的短絡や回路の誤動作を引き起こす原因となる。
【００２８】
（第２の比較例）
図６は、第２の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
図６に表したように、第２の比較例の半導体装置９１においては、第２の領域１６０が、半導体チップ１４０を取り囲む連続した枠状の形状である。そして、本比較例では、はんだが溶融した際にはんだボール１５２が発生しないように、第２の領域１６０の内側境界１６８は、半導体チップ１４０に対して外側に配置されている。例えば、第２の領域１６０の内側境界１６８は、例えば半導体チップ１４０の一辺が５ｍｍである時、半導体チップ１４０の端面から０．８ｍｍの外側に配置されている。
【００２９】
この場合、はんだが溶融して流れ出した余分なはんだを溜めておけるだけの容積が、第２の領域１６０の内側境界１６８の内側に確保できるので、余分なはんだは、半導体チップ１４０と第２の領域１６０との間に連続的に流出することができ、はんだボール１５２が発生し難い。
【００３０】
しかしながら、図６に例示したように、半導体チップ１４０は、第２の領域１６０の内側で、面内で回転したり、面内に平行移動し、結果としてチップのθ回転を含む位置ずれが大きくなる。
【００３１】
すなわち、はんだが溶融した時、はんだ中のフラックスとはんだ成分とで比重の差異があるため、フラックスとはんだ成分が分離することがある。そして、フラックスが、はんだ層１５０の半導体チップ１４０側に偏在し、このフラックスによって半導体チップ１４０が容易に移動可能な状態となる。そして、はんだのリフローの後に半導体チップ１４０の位置は、所望の位置から移動し、または、面内角度が所定の角度からずれてしまい、高精度の半導体装置は得られない。
【００３２】
なお、これら比較例の半導体装置９０、９１において、はんだ層１５０の厚みを薄くすることによって、余分なはんだの量も減少させ、これにより、はんだボール１５２が発生し難くし、また、これにより、第２の領域１６０の内側境界１６８を半導体チップ１４０に近づけ、半導体チップの位置ずれを減少させることが考えられる。しかしながら、この場合、はんだ層１５０の厚みが所定の厚さより薄くなる不良が発生し問題となる。すなわち、フラックスの特性のばらつき、リードフレーム１２０の濡れ性のばらつき、半導体チップ１４０の濡れ性のばらつき、及び、はんだ塗布量のばらつき等のために、はんだ層１５０の厚みがばらつき、所定の厚さ以下になる場合が発生し、安定した高品位の半導体装置は得られにくい。
【００３３】
これに対して、本実施形態に係る半導体装置１０では、第２の領域１６０が、互いに離間した複数の要素領域１６９を有しており、要素領域１６９同士の間の第１の領域１４１が流出路１６２となる。そして、この流出路１６２から、余分なはんだが制御された状態で流出可能とされている。これにより、はんだが溶融した際、余分なはんだは流出路１６２に流れ出すことかできるので、はんだボールが発生することがなく、第２の領域１６０の内側境界１６８を、半導体チップ１４０に近接させることができ、半導体チップ１４０の面内のθ回転を含むチップ位置ずれを低減できる。
【００３４】
これにより、本実施形態に係る半導体装置１０によって、はんだボールの発生を抑制しつつチップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００３５】
図７は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
図７に表したように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、実装部材１２０（例えばリードフレーム）の半導体チップ１４０が搭載されるマウント領域の周囲に、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性より低い濡れ性を有する第２の領域１６０を形成する（ステップＳ１１０）。
すなわち、例えば、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等をリードフレーム１２０に照射することにより、その照射領域の表面に凹凸を形成する。また、レジストなどにより適当なマスクを形成した後に、リードフレーム１２０の表面を各種の表面処理することによっても、他の部分（第１の領域１４１）に比べてはんだに対する濡れ性が低い表面を形成しても良い。なお、上記のようにレーザを用いる方法は、レジスト等を設けないで処理できるので簡便であり、便利である。
【００３６】
そして、実装部材１２０（例えばリードフレーム）のマウント領域に、はんだ層１５０となるはんだを設置する（ステップＳ１２０）。例えば、ディスペンサにより、はんだペーストを適量塗出して、マウント領域に塗布する。
そして、半導体チップ１４０をマウント領域の上に設置する（ステップＳ１３０）。
そして、はんだ層１５０となるはんだを溶融して、半導体チップ１４０をリードフレーム１２０のマウント面１２１に接合する（ステップＳ１４０）。
【００３７】
これにより、第１の領域１４１が流出路１６２となり、この流出路１６２から余分なはんだが連続して流出でき、はんだボールが発生することがない。そして、第２の領域１６０の内側境界１６８は、半導体チップ１４０に近接させることができ、第２の領域１６０によって、半導体チップ１４０の位置を制御し、半導体チップ１４０の面内のθ回転を含むチップ位置ずれを低減できる。
なお、上記において、ステップＳ１２０のはんだの設置は、例えばステップＳ１１０の前に行っても良い。また、ステップＳ１１０の第２の領域１６０の形成は、例えば、ステップＳ１３０の後に実施することもできる。すなわち、上記のステップＳ１１０〜ステップＳ１４０は、技術的に可能な範囲で、順序を入れ替えることが可能であり、また、同時に実施したり、省略することも可能である。
【００３８】
このように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によって、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００３９】
このように、本実施形態に係る半導体装置においては、第１の領域１４１は、余分なはんだを流出させる機能を有し、第２の領域１６０は、第１の領域１４１よりもはんだを弾き易いことで、はんだの端面を制御することができ、半導体チップ１４０の位置を制御する。この第１の領域１４１と第２の領域１６０の形状や配置は、以下説明するように各種変形することができる。
【００４０】
図８〜図１１は、本発明の第１の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
図８（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１１では、第２の領域１６０が、半導体チップ１４０を取り囲むように設けられ、第２の領域１６０の一部に隙間があり、その隙間の部分が第１の領域１４１である。そして、この第１の領域１４１が、はんだの流出路１６２となる。このように、第１の領域１４１は、半導体チップ１４０の周りに少なくとも１つ設けられれば良い。
【００４１】
また、図８（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１２では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の図の紙面での上部と下部に、半導体チップ１４０の横方向の辺と平行な部分と、その部分の左右の端に接続され、半導体チップ１４０の縦の辺に平行な部分とを有する要素領域１６９がそれぞれ設けられ、この要素領域１６９は互いに離間している。そして、この要素領域１６９の間に２つの第１の領域１４１が設けられ、この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。このように、第１の領域１４１を、半導体チップ１４０の周りに複数設けても良い。
【００４２】
また、図８（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１３では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に３つずつの円形状の要素領域１６９が設けられている。そして、これら要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられ、これが、はんだの流出路１６２となる。
【００４３】
また、図８（ｄ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１４では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺側に凸形状を有する略半円形状の要素領域１６９が設けられ、そして、これら要素領域１６９の間に、第１の領域１４１が設けられ、この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。このように、要素領域１６９の間の幅が、半導体チップ１４０から離れるに従って狭くなる形状にすると、マウント領域からはんだが流れ出した時に、その流量や流速を制限することができ、これにより、余分なはんだの量が多い時にも所定領域外にはんだが流れ出にくくすることができる。
【００４４】
また、図８（ｅ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１５では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０のコーナー部に、略半円形状の要素領域１６９が設けられている。半導体チップ１４０が搭載されるマウント領域のコーナー部のみに、要素領域１６９を設けることによっても、半導体チップ１４０の位置の制御が可能である。第２の領域１６０を例えばレーザの走査照射等によって設ける場合、半導体チップ１４０のコーナー部のみに第２の領域１６０を設けた半導体装置１５は、半導体チップ１４０の辺の中央部にも第２の領域１６０を設けた半導体装置１４よりも、レーザの走査照射時間が短縮でき、生産性の点で有利である。
【００４５】
また、図８（ｆ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１６では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に、各辺側に凸形状を向けた略半円形状の要素領域１６９が４つずつ設けられている。各要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられ、この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。そして、半導体チップ１４０のコーナー部に設けられた要素領域１６９ａは、半導体チップ１４０にほぼ接して設けられている。これにより、半導体チップ１４０の設置位置の高精度な制御が可能である。そして、半導体チップ１４０の各辺の中央付近に設けられた要素領域１６９ｂは、半導体チップ１４０より外側に離間して設けられている。要素領域１６９ｂは、はみ出した余分なはんだをせき止める機能を果たすものであり、半導体チップ１４０と離れていても良く、すなわち、要素領域１６９ｂと半導体チップ１４０の外周との距離は任意である。このように、要素領域１６９の内の一部を半導体チップ１４０と実質的に接して設け、その他の一部を半導体チップ１４０と離間して設けても良い。
【００４６】
また、図９（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１７では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各コーナー部にＬ字形状の要素領域１６９が設けられ、そして、これら要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられ、この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。そして、さらに、要素領域１６９の間に、小さい要素領域１６３が設けられている。この小さい要素領域１６３は、マウント領域からはんだが流れ出した時に、その流量や流速を制限する機能を持ち、これにより、余分なはんだの量が多い時にも所定領域外にはんだが流れ出さないようにすることができる。
【００４７】
また、図９（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１８では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各コーナー部にＬ字形状の要素領域１６９が設けられ、そして、これら要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられている。この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。そして、要素領域１６９の間の第１の領域１４１の流出路１６２の部分に、交互に突出した要素領域１６４が要素領域１６９から突出するように連続して設けられている。そして、突出した要素領域１６４の間も第１の領域１４１であり、ここにクランプ状の流出路１６２が形成される。この突出した要素領域１６４は、マウント領域からはんだが流れ出した際に、はんだの流量や流速を制限する機能を持ち、これにより、余分なはんだの量が多い時にも所定領域外にはんだが流れ出さないようにすることができる。
【００４８】
また、図９（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置１９では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に長方形状の要素領域１６９が設けられ、要素領域１６９は、半導体チップ１４０の４つのコーナー部で互いに離間している。そして、これら要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられており、この第１の領域１４１がはんだの流出路１６２となる。
【００４９】
また、図９（ｄ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置２０では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各コーナー部にＬ字形状の要素領域１６９が、各辺に２つずつ、ずれた位置に設けられている。これにより、これら要素領域１６９の間に、細長い形状の第１の領域１４１が設けられ、この第１の領域１４１が、はんだの流出路１６２となる。このはんだの流出路１６２は、細長い経路であり、はんだの流量と流速を制御できる。
【００５０】
また、図９（ｅ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置２１では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に６個ずつの円形の要素領域１６９が設けられ、要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられている。そして、第２の領域１６０の外側に、第１の領域１４１よりも粗い表面粗さを有する（第１の領域１４１よりもはんだに対する濡れ性が低い）第３の領域２６０が、さらに設けられている。この第３の領域２６０によって、第２の領域１６０の間に設けられた流出路１６２から流れ出したはんだを、第３の領域２６０の外に流出させないようにできる。
【００５１】
また、図９（ｆ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置２２では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に１つずつ、半導体チップ１４０の各コーナーで離間した、長方形の要素領域１６９が設けられ、要素領域１６９の間に第１の領域１４１が設けられている。そして、第２の領域１６０の外側に、第１の領域１４１よりも粗い表面粗さを有する第３の領域２６０が、さらに設けられている。この第３の領域２６０によって、第２の領域１６０の間に設けられた流出路１６２から流れ出したはんだを、第３の領域２６０の外に流出させないようにできる。
【００５２】
なお、半導体装置２１、２２において、第３の領域２６０が連続した枠状の形状を有しているが、これに限らず、第３の領域２６０は、一部に隙間がある形状でも良く、また、互いに離間した独立形状の複数の要素領域に分離されていても良い。
【００５３】
また、上記の半導体装置１１〜２２において、第２の領域１６０の半導体チップ１４０側の内側境界１６８は、半導体チップ１４０に接して設けることができる。これにより、はんだの広がりによる半導体チップ１４０の位置ずれを可及的に抑制することが可能となる。
【００５４】
さらに、本実施形態に係る半導体装置においては、第２の領域１６０の半導体チップ１４０側の内側境界１６８は、半導体チップ１４０の外周より内側に設定することもできる。
図１０（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置３１では、第２の領域１６０として、要素領域１６９の一部が、半導体チップ１４０の外周よりも内側に配置されるように、要素領域１６９が設けられている。このような構造の場合も、要素領域１６９の間の第１の領域１４１による流出路１６２から、余分なはんだが流出可能であり、はんだボールやはんだの飛散が防止できる。そして、要素領域１６９の内側境界１６８が、半導体チップ１４０の外周よりも内側にあっても、溶融した時のはんだの表面張力によって、半導体チップ１４０は、要素領域１６９で囲まれた領域に、高精度で位置制御される。
【００５５】
また、図１０（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置３２では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各コーナー部において、要素領域１６９の一部が、半導体チップ１４０の外周よりも内側に配置されるように、要素領域１６９が設けられている。
【００５６】
また、図１０（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置３３では、半導体チップ１４０のコーナー部に設けられた要素領域１６９ａの一部が、半導体チップ１４０の外周より内側に設けられている。そして、半導体チップ１４０の各辺の中央部の要素領域１６９ｂは、半導体チップ１４０に実質的に接して設けられている。なお、要素領域１６９ｂは、半導体チップ１４０の外周よりも外側に設けられていても良い。
【００５７】
また、図１０（ｄ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置３４では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各コーナー部に要素領域１６９ｃと１６９ｄとが設けられている。そして、半導体チップ１４０の図面中の縦方向の辺に近接する要素領域１６９ｃは、実質的に半導体チップ１４０と接して設けられている。一方、半導体チップ１４０の横方向の辺に近接する要素領域１６９ｄは、半導体チップ１４０の外周よりも内側にその一部が設けられている。このように半導体チップ１４０の上下辺と左右辺とで、第２の領域１６０と半導体チップ１４０との位置関係を変えることにより、例えば、高精度で位置制御したい辺と、相対的に位置精度の許容が大きい辺とを、独立して制御することができ、実用上有利である。
【００５８】
これら、半導体装置３１〜３４のように、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０の外周よりも内側にあっても、はんだボールの発生を抑制しつつチップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００５９】
さらに、図１０（ｅ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置３５では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に、長方形の要素領域１６９が設けられている。この要素領域１６９は、半導体チップ１４０の外周よりも外側に設けられている。はんだが溶融した場合、はんだ中に含まれるフラックスが溶け出すが、要素領域１６９の間の第１の領域１４１による流出路１６２において、フラックスはこの流出路１６２に流出し易い。このため、流出路１６２が設けられた場合は、半導体チップ１４０が搭載されるマウント領域においては、フラックスの量が減少する。
【００６０】
一方、例えば、先に説明した第２の比較例の半導体装置９１のように、第２の領域１６０が連続した枠状の形状の場合は、流出路１６２が設けられていないため、マウント領域におけるフラックスの量が相対的に多く、その上に配置される半導体チップ１４０はこのフラックスによって容易に滑り、半導体チップ１４０の位置はずれ易い。
【００６１】
これに対し、本実施形態に係る半導体装置３５は、要素領域１６９の間に流出路１６２が設けられるので、流出路１６２にフラックスが溶け出せるため、マウント領域におけるフラックス量が相対的に減少し、第２の比較例よりも半導体チップ１４０は動き難くなる。これにより、第２の領域１６０と半導体チップ１４０との距離が同じ場合には、本実施形態に係る半導体装置３５においては、比較例の半導体装置９１に比べて、半導体チップ１４０の位置精度が向上する。
【００６２】
すなわち、本実施形態の半導体装置３５のように、第２の領域１６０の間にはんだを流出可能とする第１の領域１４１を設けることにより、第２の領域１６０が連続して設けられ第１の領域１４１を有さない場合よりも、半導体チップ１４０が動き難くなり、半導体チップ１４０の位置精度が向上する効果がある。これにより、第２の領域１６０の内側境界１６８と半導体チップ１４０との距離の制約が緩和され、第２の領域１６０の内側境界１６８の設置位置の自由度が拡大する。
ただし、内側境界１６８が半導体チップ１４０の外周に近接（内側でも外側でも）している場合、半導体チップ１４０の位置精度はより精密に制御できるので、内側境界１６８は半導体チップ１４０の外周に近接していることがより望ましい。なお、ここでいう「近接」は、接している場合も含む。
【００６３】
また、図１１（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置４１では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０の各辺に、円周の一部の形状を有する要素領域１６９が３つずつ設けられている。第２の領域１６０（要素領域１６９）の半導体チップ１４０側の内側境界１６８によって、半導体チップ１４０の位置が制御されるので、同図に例示したように幅が狭い要素領域１６９を有する半導体装置４１によっても、例えば図８（ｄ）に例示した半導体装置１４と同等の精度で半導体チップ１４０の位置制御が可能である。
【００６４】
また、図１１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置４２では、第２の領域１６０として、半導体チップ１４０のコーナー部に、円周の一部の形状を有する要素領域１６９が設けられている。この場合も、第２の領域１６０の内側境界１６８によって半導体チップ１４０の位置が制御できるため、例えば図８（ｅ）に例示した半導体装置１５と同等の精度で半導体チップ１４０の位置制御が可能である。
【００６５】
なお、第２の領域１６０を例えばレーザ照射によって形成する等の場合、図１１（ａ）、（ｂ）に例示した、幅が狭く面積が小さい要素領域１６９は、図８（ｄ）、（ｅ）に例示した、面状に広がった広い面積の要素領域１６９に比べて、レーザ照射の時間が短縮でき生産性の点で有利である。また、第２の領域１６０を半導体チップ１４０のコーナー部のみに設けた半導体装置４２は、第２の領域１６０を半導体チップ１４０の辺の中央部にも設けた半導体装置４１に比べて、レーザ照射の時間が短縮でき、生産性の点でより有利である。なお、図１１（ａ）、（ｂ）に例示した要素領域１６９の幅１７０は、例えば、０．０５ｍｍ〜１．０ｍｍとすることができる。ただし、本発明はこれには限定されず、はんだをせき止めることができることができれば、幅１７０の太さは任意である。
【００６６】
（第２の実施の形態）
図１２〜図１５は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
図１２（ａ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置５１においては、第２の領域１６０の半導体チップ１４０側の内側境界（境界）１６８（の平面形状）は、半導体チップ１４０に近接した部分と、半導体チップ１４０と離間した部分とを有している。この場合、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０を取り囲むように連続して設けられている。そして、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０と離間した部分における、第２の領域１６０と半導体チップ１４０との間に、第１の領域１４１が設けられている。そして、第２の領域１６０の表面粗さは、第１の領域１４１の表面粗さより粗い。すなわち、第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性は、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性よりも低い（悪い）。なお、第１の領域１４１の表面は、マウント領域の表面と実質的に同じとすることができる。
【００６７】
これにより、半導体装置５１においては、半導体チップ１４０の下のはんだ層１５０の余分なはんだが、半導体チップ１４０の外周よりも外側の第１の領域１４１に流れ出すことができ、実質的にはんだボール１５２が発生しない。
【００６８】
一方、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０と近接する部分があるために、半導体チップ１４０は、第２の領域１６０の内側境界１６８によって位置が制御される。これにより、半導体チップ１４０の位置ずれは発生しない。
【００６９】
これにより、本実施形態に係る半導体装置５１によって、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００７０】
なお、図２に例示したように、第２の領域１６０を、例えばレーザを走査して照射することによって形成した場合、第２の領域１６０の境界の平面形状は、レーザのスポット径に応じた微視的な凹凸を持つことがある。すなわち、図２に例示した例では、レーザのスポット径は、約４０μｍであり、これに対応するように、図２では、直径４０μｍの円を微小距離ずつずらせた形状の凹凸を有する境界線が観察される。本実施形態に係る半導体装置２０においては、このようなレーザのスポットの径に対応した平面形状の凹凸より大きな振幅を持つ凹凸形状を、第２の領域１６０の内側境界１６８に形成する。これにより、半導体チップ１４０の設置位置を精度良く制御できる。
【００７１】
また、図１２（ｂ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５２では、第２の領域１６０の内側境界１６８の平面形状に合わせて、第２の領域１６０の外側の境界も変形させ、第２の領域１６０の幅１７０は狭い。第２の領域１６０の幅１７０が狭い形状でも、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００７２】
また、図１２（ｃ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５３においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に実質的に接する、３個ずつの小さい半円形状の内側に突出した突出部１６１を有している。
【００７３】
また、図１２（ｄ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５４においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各コーナー部に設けられた小さい半円形状の突出部１６１を有している。この例では、突出部１６１は、半導体チップ１４０と実質的に接している。このように突出部１６１を半導体チップ１４０のコーナー部に設けることで、半導体チップ１４０の位置の制御が可能なので、突出部１６１をレーザ照射によって設ける場合、半導体装置５４は、突出部１６１を半導体チップ１４０の辺の中央部にも設けた半導体装置５３に比べレーザ照射の時間が短縮でき、生産性の点でより有利である。
【００７４】
また、図１２（ｅ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５５においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に実質的に接する、３個ずつの大きい半円形状の内側に突出した突出部１６１を有している。
【００７５】
また、図１２（ｆ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５６においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の外周の各コーナー部に設けられた大きい半円形状の突出部１６１を有している。この例では、突出部１６１は、半導体チップ１４０と実質的に接している。
【００７６】
また、図１３（ａ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５７においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に実質的に接する、６個ずつの小さい円形状の内側に突出した突出部１６１を有している。
【００７７】
また、図１３（ｂ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５８においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に実質的に接する、長方形の突出部１６１を有している。そして、突出部１６１は、半導体チップ１４０の４つのコーナー部分で離間しており、この４つのコーナー部では、第２の領域１６０の内側境界１６８は、半導体チップ１４０より外側である。
【００７８】
図１２（ｃ）〜（ｆ）及び図１３に例示したように、突出部１６１の大きさと位置によって、突出部１６１同士の間の第１の領域１４１の面積と形状を変えることができ、半導体チップ１４０の位置精度を制御しつつ、はんだの溶出量に合わせた最適の大きさと形状の第１の領域１４１を形成することができる。
【００７９】
これら、半導体装置５１〜５８においては、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０と離間した部分における、第２の領域１６０と半導体チップ１４０との間に、第１の領域１４１が設けられている。そして、この第１の領域１４１にはんだが流出でき、はんだボールの発生がない。また、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０に近接した部分（突出部１６１）を有していることで、半導体チップ１４０の位置を高精度に制御できる。
【００８０】
これらの構造を有する半導体装置５１〜５８においても、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００８１】
また、上記の半導体装置５１〜５８において、第２の領域１６０の内側境界１６８は、半導体チップ１４０と接する部分を有するが、厳密に接した状態の他、内側境界１６８は、半導体チップ１４０と近接していれば良い。
【００８２】
さらに、第２の領域１６０の内側境界１６８の一部は、半導体チップ１４０の外周より内側に設定されていても良い。
【００８３】
図１４（ａ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置６１においては、第２の領域１６０の内側境界１６８の平面形状は、半導体チップ１４０の外周よりも内側の部分と、半導体チップ１４０よりも外側の部分とを有している。そして、半導体チップ１４０と第２の領域１６０の内側境界１６８との間に、第１の領域１４１が設けられている。
この場合も、内側境界１６８が半導体チップ１４０よりも外側の部分の第１の領域１４１に、半導体チップ１４０の下の余分なはんだが、流れ出すことができ、実質的にはんだボール１５２が発生せず、はんだボールの飛散もない。
また、内側境界１６８が、半導体チップ１４０の外周よりも内側の部分においては、はんだの表面張力によって、半導体チップ１４０の位置が制御される。これにより、半導体チップ１４０の位置ずれは実質的に発生しない。
このように、第２の領域１６０の内側境界１６８の一部が、半導体チップ１４０の外周の内側にあり、他の一部が半導体チップ１４０の外周の外側にある半導体装置６１によっても、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００８４】
また、図１４（ｂ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置６２では、第２の領域１６０の内側境界１６８の形状に合わせて、第２の領域１６０の外側の境界も変形させ、第２の領域１６０は幅１７０が狭い形状を有している。この場合も、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
【００８５】
また、図１４（ｃ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置６３においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に対応して設けられた３個ずつの半円形状の内側に突出した突出部１６１を有している。この突出部１６１の一部は、半導体チップ１４０の外周より内側に入っている。
【００８６】
また、図１４（ｄ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置６４においては、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各コーナー部に設けられた半円形状の突出部１６１を有している。そして、この突出部１６１の一部は、半導体チップ１４０の外周より内側に入っている。
【００８７】
上記の本実施形態に係る別の半導体装置６１〜６４のように、第２の領域１６０の内側境界１６８が、半導体チップ１４０の外周よりも内側の部分と、半導体チップ１４０の外周よりも外側の部分とを有している場合も、はんだボールの発生がなく、チップのθ回転を含む位置ずれを低減した高精度の半導体装置を提供できる。
このように、本実施形態において、内側境界１６８は、半導体チップ１４０に近接する部分と、半導体チップ１４０の外周と離間した部分を有するが、半導体チップ１４０と近接する部分は、内側境界１６８が半導体チップ１４０の外周の内側に入っていても良い。
【００８８】
また、図１５（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置７１では、第２の領域１６０は、幅の狭い線状であり、そして、半導体チップ１４０の各辺に、円周の一部の形状を有する突出部１６１が３つずつ設けられている。この場合も、第２の領域１６０の内側境界１６８によって、半導体チップ１４０の位置が制御されるので、例えば、図１２（ｃ）に例示した半導体装置５３と同等の精度で半導体チップ１４０の位置制御が可能である。
【００８９】
また、図１５（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の半導体装置７２では、第２の領域１６０は、幅の狭い線状であり、そして、半導体チップ１４０のコーナー部に、円周の一部の形状を有する突出部１６１が設けられている。この場合も、第２の領域１６０の内側境界１６８によって半導体チップ１４０の位置が制御できるため、例えば、図１２（ｄ）に例示した半導体装置５４と同等の精度で半導体チップ１４０の位置制御が可能である。
【００９０】
なお、第２の領域１６０を例えばレーザ照射によって形成する等の場合、図１５（ａ）、（ｂ）に例示した、幅が狭く面積が小さい第２の領域１６０は、図１２（ｃ）、（ｄ）に例示した、面状に広がった広い面積の第２の領域１６０に比べて、レーザ照射の時間が短縮でき有利である。この幅が狭い第２の領域１６０の幅１７０は、例えば、０．０５ｍｍ〜１．０ｍｍとすることができる。ただし、本発明はこれには限定されず、はんだをせき止めることができることができれば、幅１７０の太さは任意である。
【００９１】
なお、本実施形態に係る半導体装置５１〜５８、半導体装置６１〜６４及び半導体装置７１、７２において、内側境界１６８が、半導体チップ１４０の外周より外側の部分は、半導体チップ１４０の位置制御への寄与が小さい部分なので、この部分における内側境界１６８と外周との距離は任意である。
【００９２】
また、上記の各実施形態において、第２の領域１６０の表面粗さが、第１の領域１４１の表面粗さよりも粗い例を示したが、本発明はこれに限らず、第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性が、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性よりも低くければ良い。
【００９３】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置を構成する各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示する走査型電子顕微鏡写真図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示するグラフ図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図５】第１の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図６】第２の比較例の半導体装置の構造を例示する模式図である。
【図７】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【図１５】本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置の要部の構造を例示する模式的平面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０〜２２、３１〜３５、４１、４２、５１〜５８、６１〜６４、７１、７２、９０、９１ 半導体装置
１１０ インナーリード
１２０ リードフレーム
１２１ 主面（マウント面）
１２２ 内部層
１２３ ニッケルメッキ層
１３０ 内部配線
１４０ 半導体チップ
１４１ 第１の領域
１４５ 辺（端面）
１５０ はんだ層
１５１ 余分なはんだ
１５２ はんだボール
１６０ 第２の領域
１６１ 突出部
１６２ 流出路
１６３ 小さい要素領域
１６４ 突出した要素領域
１６８ 内側境界（境界）
１６９、１６９ａ、１６９ｂ、１６９ｃ、１６９ｄ 要素領域
１７０ 幅
１９０ マウント領域
２１１〜２１３ 領域
２６０ 第３の領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マウント面を有する実装部材と、
はんだにより前記マウント面に接合された半導体チップと、
を備え、
前記マウント面の前記半導体チップの周囲には、
第１の領域と、
前記半導体チップを囲み、前記はんだに対する濡れ性が前記第１の領域よりも低い第２の領域と、
が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の領域の表面粗さは、前記第１の領域よりも粗いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の領域は、互いに離間した複数の要素領域からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の領域の前記半導体チップ側の境界は、前記半導体チップに近接した部分と、前記半導体チップと離間した部分とを有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の領域は、前記実装部材の前記マウント面をレーザ照射することによって形成されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１】
マウント面を有する実装部材と、
はんだにより前記マウント面に接合された半導体チップと、
を備え、
前記マウント面の前記半導体チップの周囲には、
第１の領域と、
前記半導体チップを囲み、前記はんだに対する濡れ性が前記第１の領域よりも低い第２の領域と、
が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の領域の表面粗さは、前記第１の領域よりも粗いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の領域は、互いに離間した複数の要素領域からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の領域の前記半導体チップ側の境界は、前記半導体チップに近接した部分と、前記半導体チップと離間した部分とを有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の領域は、前記実装部材の前記マウント面をレーザ照射することによって形成されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【図１】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【公開番号】特開２００９−２１８２８０（Ｐ２００９−２１８２８０Ａ）
【公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５８１９７（Ｐ２００８−５８１９７）
【出願日】平成２０年３月７日（２００８．３．７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月７日（２００８．３．７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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