説明

印刷回路基板の製造方法

【課題】低い表面粗さにシード層を薄く形成しても充分な剥離強度(peel strength)を確保して超薄型微細回路が形成できる印刷回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による印刷回路基板の製造方法は、表面が滑らかになるようにプリプレグを硬化する工程と、プリプレグに孔を形成する工程と、プリプレグ表面及び孔の内壁にイオンビーム表面処理を施し、シード層を形成する工程と、シード層に回路パターンに対応する開口部が形成されたメッキレジスト層を形成する工程と、開口部に回路パターンを形成する工程と、メッキレジスト層を除去する工程と、表面に露出されたシード層をフラッシュエッチングする工程と、を含む。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、印刷回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
最近、電子産業分野では、電子機器の小型化及び薄型化のために、部品実装時に高密度化、高集積化が可能な印刷回路基板を用いた実装技術を採用している。このような印刷回路基板が用いられる分野として、ファクトリーオートメーション機器、オフィスオートメーション機器、通信機器、放送機器、携帯型コンピュータなどがある。特に、電子製品が小型化、高密度化などのように軽薄短小化になる傾向から、印刷回路基板も小型化及び高密度化になっている。また、近来のBGA(Ball Grid Array)、TCP(Tape Carrier Package)などのCSP(Chip Size Package)技術の発達に伴い、チップの実装できる高密度印刷回路基板に対する関心もますます高まっている。
【0003】
パッケージ印刷回路基板の回路を形成する工法には、サブトラクティブ(Subtractive)法及びセミアディティブ(SAP;Semi Additive Process)法がある。サブトラクティブ法は、銅張積層板(CCL、Copper Clad Laminate)の銅箔上に電気銅メッキでパネルメッキをするため、銅箔全体の厚が厚くなる。このような厚い銅箔をエッチングする場合には、エッチングファクターのために微細な回路を形成することができない。よって、微細回路を形成するためには、セミアディティブ法により回路を形成する必要があるが、この場合には、絶縁材と導体層との接着力を確保しなければならないという問題点があった。
【0004】
絶縁資材に粗さ(roughness)を形成する方法として、半硬化状態のプリプレグに、銅箔の粗さのないつるつるした面(shiny side)と粗さのあるざらざらした面(mat side)のうち、ざらざらした面が接するように積層することで、絶縁資材に粗さを転写する方法がある。しかし、回路の幅が狭くなるほど、絶縁資材と導体層との間に要求される接着力は強くなり、一定以上の接着力を確保するためには粗さが数十μm以上にならなければならない。絶縁資材に形成された数十μm以上の凹凸を化学銅メッキで充填するためには、一定厚さ以上の銅を蒸着することになり、また、蒸着された銅を除去するためには、過エッチングをしなければならないという問題点があった。さらに、数十μm以上の粗さ上に微細回路を形成することは困難であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
こういう従来技術の問題点に鑑み、本発明は、低い表面粗さにシード層を薄く形成しても充分な剥離強度(peel strength)を確保して超薄型微細回路を形成できる印刷回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一実施形態によれば、表面が滑らかになるようにプリプレグを硬化する工程と、プリプレグに孔を形成する工程と、プリプレグ表面及び孔の内壁にイオンビーム表面処理を施し、シード層を形成する工程と、シード層に回路パターンに対応する開口部が形成されたメッキレジスト層を形成する工程と、開口部に回路パターンを形成する工程と、メッキレジスト層を除去する工程と、表面に露出されたシード層をフラッシュエッチングする工程と、を含む印刷回路基板の製造方法が提供される。
【0007】
プリプレグを硬化する工程の前に、コア基板を提供する工程と、コア基板にプリプレグをレイアップ(lay-up)する工程と、をさらに含むことができる。
【0008】
プリプレグを硬化する工程は、プリプレグの表面に金属箔のつるつるした面を当てて加圧する工程と、金属箔を除去する工程により行われることができる。
【0009】
シード層を形成する工程は、ニッケル結合層(Ni tie-layer)を形成する工程及び銅シード層(Cu Seed layer)を形成する工程を含むことができ、真空蒸着法により行われることができる。
【0010】
フラッシュエッチング工程の後に、表面にソルダレジスト層を形成する工程をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【0011】
本発明の実施の形態によれば、イオンビームの表面処理及びニッケル結合層の蒸着により、低い粗さを有する表面でもプリプレグと回路パターンとの密着力を確保でき、表面粗さがほとんどないことから、シード層の除去が容易であり、残渣が残らないため、製品信頼性を向上させることができ、高周波における表皮効果(skin effect)による信号損失を低減することができる。
【0012】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す順序図である。
【図2】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図3】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図4】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図5】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図6】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図7】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図8】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図9】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図10】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図11】本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す順序図である。
【図12】本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図13】本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図14】本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図15】本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図16】本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図17】本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図18】本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図19】本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図20】イオンビーム処理をしたかの可否及びニッケル結合層を形成したかの可否による銅シード層の剥離強度を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0014】
本発明は多様な変換を加えることができ、様々な実施例を有することができるため、本願では特定実施例を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。各図面には類似した参照符号を類似している構成要素に使用した。本発明を説明するに当たって、係る公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
【0015】
本願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明らかに表現しない限り、複数の表現を含む。本願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、工程、動作、構成要素、部品、またはこれらを組合せたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、工程、動作、構成要素、部品、またはこれらを組合せたものの存在または付加可能性を予め排除するものではないと理解しなくてはならない。
【0016】
以下、本発明による印刷回路基板の好ましい実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素は同一の図面番号を付し、これに対する重複説明は省略する。
【0017】
図1は、本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す順序図であり、図2から図10は本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。図2から図10を参照すると、コア基板10、プリプレグ20、金属箔25、孔22、シード層28、メッキレジスト層30、回路パターン35、ビア36、ソルダレジスト層40が示されている。
【0018】
先ず、ステップS110で、コア基板10を提供する。コア基板は、さらに、表面に回路パターンを含む層を形成できる基板のことで、図2に、既に内層回路パターンが形成されたコア基板10が示されている。
【0019】
次に、ステップS115で、図4に示すように、コア基板にプリプレグをレイアップする。プリプレグ20は半硬化状態の絶縁物質であって、半硬化状態のプリプレグ20は接着力に優れ、レイアップする際に、半硬化状態であるため、次の硬化工程にてコア基板10側に加圧すれば、コア基板10の間に絶縁物質が充填されることができる。ここで、レイアップとは、コア基板10に付着され分離されない積層状態ではなく、硬化前にコア基板10の表面にプリプレグ20を配置した状態を意味する。
【0020】
コア基板10にプリプレグ20をレイアップした後、ステップS120で、プリプレグ20の表面が滑らかになるようにプリプレグ20を硬化する。表面がざらざらするとシード層28の形成には有利であるが、表面粗さのために突出部分までシード層28で覆わなければならないため、シード層28の厚さが厚くなる。結果的に、シード層28の形成工程や除去工程にかかる作業時間が長くなり、エッチング時間も長くなるため、微細回路の形成には限界がある。このような問題を防ぐために、表面が滑らかになるようにプリプレグ20を硬化することである。
【0021】
このような半硬化状態のプリプレグ20を硬化するためには、圧力及び熱を加えることになるため、表面にフィルムや金属箔25などを載せて加圧する。ステップS123で、図3に示すように、金属箔25のつるつるした面25bをプリプレグ20の表面に当ててコア基板10側に加圧し、ステップS126で、図4に示すように、金属箔25を除去することで、プリプレグ20の表面を滑らかに硬化することができる。
【0022】
通常、プリプレグ20の表面に積層する金属箔25は、粗さがほとんどないつるつるした面25bと、粗さ(凹凸)が形成されたざらざらした面25aを含む。 通常、金属箔25のざらざらした面25aをプリプレグ20に当てて加圧してプリプレグ20に粗さを形成したが、本実施例では、図3に示すように、既存の方式とは逆に、つるつるした面25bをプリプレグ20に当てて加圧してプリプレグ20を硬化する。硬化されたプリプレグ20は、コア基板10に密着され分離されない状態となり、硬化されたプリプレグ20から金属箔25を除去すると、図4に示すように、表面は、粗さのほとんどない滑らかな面となる。
【0023】
次に、ステップS130で、図5に示すように、孔22を形成する。この孔22は、内層回路との層間電気的接続のためのものであって、レーザドリルや、CNCドリル(Computer Numerical Control Drill)を用いて形成することができる。CNCドリルを用いる方式は、両面印刷回路基板のビアホールや多層印刷回路基板の導通孔を形成する場合に好適であり、レーザを用いる方式は、多層印刷回路基板のマイクロビアホールを形成する場合に好適である。ここで、レーザとしては、YAGレーザ(Yttrium Aluminum Garnet Laser)や二酸化炭素レーザ(CO Laser)が用いられる。
【0024】
次に、ステップS140で、図6に示すように、プリプレグ20の表面及び孔22の内壁にイオンビーム表面処理を施し、シード層28を形成する。表面に粗さが形成されていない場合には表面に接着力がないため、直接シード層28を形成することは困難である。このような問題点を解決するために、プリプレグ20の表面にイオンビーム処理を施す。
【0025】
イオンビーム表面処理とは、高分子表面にエネルギーを持つ不活性または反応性イオンを照射して励起させて、一次的に高分子に不安定な環を形成させ、その状態で雰囲気ガスとして酸素を供給すると、不安定な環と酸素ガスとの化学的反応により表面に親水性官能基が形成されて高分子表面が親水性に変わることをいう。この際、親水性表面には粗さがほとんどないため、微細回路の形成に有利であり、半永久的に銅(Cu)と強力な結合力を有する。
【0026】
このようなイオンビーム表面処理は、Ar、O、N、Xe、CF、H、Ne、Kr、及びこれらの混合ガスからなる不活性ガスの何れか一つの不活性ガスの存在下で行われる。
【0027】
イオンビーム処理を施した後に、真空蒸着法を用いてシード層28を形成する。シード層は電解メッキのために金属層を薄く形成することであって、銅シード層が代表的に用いられる。真空蒸着法には、スパッタ(sputter)、熱蒸着(thermal evaporation)、e−ビーム(e-beam)法の何れか一つの方法が使用されるが、当業界に公知された方法であれば、特に限定されない。このようにして形成された銅シード層28の厚さは、0.5μm以下、好ましくは10nm〜0.5μmである。
【0028】
このようなイオンビーム表面処理工程及びスパッタ工程は乾式工程であって、 従来の湿式工程であるデスミア処理後に化学銅でシード層を形成する方法に比べて、廃液などが発生されないため環境に優しい。
【0029】
また、絶縁物質とシード層28との接着力を向上させるために、ニッケル結合層のスパッタ後に、銅シード層を形成することができる。イオンビーム処理せずにニッケル結合層を形成し銅シード層を形成する場合には、図20に示すように、剥離強度は0.5N/cm未満であり、イオンビーム処理を施した後に、銅シード層を形成する場合には、剥離強度は3.0N/cm以上であり、イオンビーム表面処理後に、ニッケル結合層(tie layer)を形成し銅シード層を形成する場合には、剥離強度が7.0N/cm以上である。
【0030】
すなわち、滑らかな面にイオンビーム処理とニッケル結合層を共に適用すると、真空蒸着によりシード層28を数百nm以下に形成しても厚さのばらつきがないため、シード層28上に回路を形成するのに問題はない。また、シード層28が薄いため、シード層28の除去の際にエッチング時間が短くなり、数μmの回路形成も可能となる。
【0031】
また、プリプレグ20の表面に粗さがほとんどないことから、高周波における表皮効果(skin effect)による信号損失がないため、高周波用基板にも適用することができる。ここで、表皮効果とは、高周波電流が導体を流れる時、電流が導体の表面に集中して流れる現象のことである。
【0032】
次に、ステップS150で、図7に示すように、シード層28に回路パターン35に対応する開口部が形成されたメッキレジスト層30を形成する。通常、メッキレジスト層30はドライフィルムを用いて露光現像により回路パターン35が形成される部分を除去することにより形成できる。
【0033】
次に、ステップS160で、図8に示すように、開口部に回路パターン35を形成する。回路パターン35は、シード層28に電解メッキ装置の陰極を連結して電解メッキ法により開口部に金属を充填することにより形成できる。
【0034】
次に、ステップS170で、図9に示すように、メッキレジスト層30を除去し、ステップS180で、メッキレジスト層30の除去により表面に露出されたシード層28をフラッシュエッチングする。回路パターン35は、シード層28と電解メッキにより形成されたメッキ層とで構成され、表面粗さのあるプリプレグ20を用いる場合よりも、短い時間内にシード層28の残渣を残さずにシード層28を除去することができる。
【0035】
次に、ステップS190で、図10に示すように、ソルダレジスト層40をさらに形成することができる。ソルダレジスト層40は、完成された基板の表面に露出する回路パターン35を損傷から保護する機能を行い、ソルダのためのソルダパッド以外の部分を覆ってソルダリングの際にソルダが流れてショートなど電気的なトラブルが発生することを防止する。上述した工程を経て最外郭層が形成された場合に、本工程を適用する。
【0036】
図11は本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す順序図であり、図12から図19は本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。図12から図19を参照すると、プリプレグ70、金属箔75、孔72、シード層78、メッキレジスト層80、回路パターン85、ビア86、ソルダレジスト層90が示されている。
【0037】
本実施例は2層の印刷回路基板を製造する方法であって、上述した実施例との相違点を中心に説明する。
【0038】
先ず、ステップS220で、表面が滑らかになるようにプリプレグ70を硬化する。上述したように、半硬化状態のプリプレグ70を硬化するための加圧工程は、ステップS223で、図12に示すように、プリプレグ70の表面に金属箔75のつるつるした面75bを当てて加圧し、ステップS226で、図13に示すように、金属箔75を除去することにより行われる。プリプレグ70及び金属箔75としては、上述した実施例のプリプレグ(図3の20参照)及び金属箔(図3の25参照)と同じ素材を用いることができる。
【0039】
次に、ステップS230で、図14に示すように、孔72を加工する。2層の印刷回路基板であるため、孔は貫通孔の形状である。孔72を形成する方法は上述したので、具体的な説明は省略する。
【0040】
次に、上述した実施例と同様に、ステップS240で、図15に示すように、プリプレグ70の表面及び孔72の内壁にイオンビーム表面処理を施して、シード層78を形成し、ステップS250で、図16に示すように、シード層78に回路パターン85に対応する開口部が形成されたメッキレジスト層80を形成する。次に、ステップS260で、図17に示すように、開口部に回路パターン85を形成し、ステップ270で、図18に示すように、メッキレジスト層80を除去し、ステップS280で、表面に露出されたシード層78をフラッシュエッチングする。次に、ステップS290で、図19に示すように、表面に露出する回路パターン85を保護するためにソルダレジスト層90を形成すれば、基板が完成される。
【0041】
ステップS240からステップS290は、上述した実施例のステップS140からステップS190と同様であるため、具体的な説明は省略する。
【0042】
上述したように、本発明の好ましい実施例によれば、イオンビーム表面処理及びニッケル結合層の蒸着により、低い粗さを有する表面でもプリプレグと回路パターンとの密着力を確保でき、表面粗さがほとんどないことから、シード層の除去が容易であり、残渣が残らないため、製品の信頼性を向上させることができ、高周波における表皮効果による信号損失を低減することができる。
【0043】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0044】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した方法における動作、手順、ステップ、および工程等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「先ず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【0045】
10 コア基板
20,70 プリプレグ
25,75 金属箔
22,72 孔
28,78 シード層
30,80 メッキレジスト層
35,85 回路パターン
36,86 ビア
40,90 ソルダレジスト層

【特許請求の範囲】
【請求項1】
表面が滑らかになるようにプリプレグを硬化する工程と、
前記プリプレグに孔を形成する工程と、
前記プリプレグの前記表面及び前記孔の内壁にイオンビーム表面処理を施し、シード層を形成する工程と、
前記シード層に回路パターンに対応する開口部が形成されたメッキレジスト層を形成する工程と、
前記開口部に前記回路パターンを形成する工程と、
前記メッキレジスト層を除去する工程と、
表面に露出された前記シード層をフラッシュエッチングする工程と、
を含む印刷回路基板の製造方法。
【請求項2】
前記プリプレグを硬化する工程の前に、
コア基板を提供する工程と、
前記コア基板に前記プリプレグをレイアップする工程と、
をさらに含む請求項1に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項3】
前記プリプレグを硬化する工程が、
前記プリプレグの前記表面に金属箔を当てて前記表面が滑らかになるように加圧する工程と、
前記金属箔を除去する工程と、
を含む請求項1または2に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項4】
前記シード層を形成する工程が、
ニッケル結合層を形成する工程及び銅シード層を形成する工程を含む請求項1から3のいずれかに記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項5】
前記シード層を形成する工程が、
真空蒸着法で行われることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項6】
前記フラッシュエッチングする工程の後に、
表面にソルダレジスト層を形成する工程をさらに含む請求項1から5のいずれかに記載の印刷回路基板の製造方法。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate

【図6】
image rotate

【図7】
image rotate

【図8】
image rotate

【図9】
image rotate

【図10】
image rotate

【図11】
image rotate

【図12】
image rotate

【図13】
image rotate

【図14】
image rotate

【図15】
image rotate

【図16】
image rotate

【図17】
image rotate

【図18】
image rotate

【図19】
image rotate

【図20】
image rotate


【公開番号】特開2010−135734(P2010−135734A)
【公開日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−144666(P2009−144666)
【出願日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【出願人】(594023722)サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. (1,585)
【Fターム(参考)】