可変抵抗絶縁層を用いたメモリ素子及びそれを有するプロセッサシステム
【課題】可変抵抗材料を用いて形成されるランダムアクセスメモリ装置を提供する。
【解決手段】可変抵抗メモリ装置301において、望ましい円錐状に形造された下部電極308は、下部電極308の頂点のところにおける絶縁材料312の厚さが最も薄く、下部電極308の頂点のところにおける電界が最大であることを確保する。電極308、310の配置およびメモリ素子の構造はメモリ装置内に安定で確実に導電路を作り出し、かつ、スイッチングとメモリ特性を再生可能にする。
【解決手段】可変抵抗メモリ装置301において、望ましい円錐状に形造された下部電極308は、下部電極308の頂点のところにおける絶縁材料312の厚さが最も薄く、下部電極308の頂点のところにおける電界が最大であることを確保する。電極308、310の配置およびメモリ素子の構造はメモリ装置内に安定で確実に導電路を作り出し、かつ、スイッチングとメモリ特性を再生可能にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は可変抵抗材料を用いて形成されるランダムアクセスメモリ(RAM)装置の分野に関し、および特に、可変抵抗メモリ素子のための改善された構造に関する。
【背景技術】
【0002】
可変抵抗(値)(resistance)メモリは外部影響によって変化させることが可能の電気的抵抗特性を有するRAMである。可変抵抗メモリセルの基本構成要素は可変抵抗器(または抵抗:resistor)である。可変抵抗器は(2つ状態のメモリ回路において)高抵抗または低抵抗を有するようにまたは(多状態のメモリ回路において)いずれかの中間抵抗値を有するようにプログラムされることが可能である。可変抵抗メモリセルの異なる抵抗値は可変抵抗メモリ回路内に格納されている情報を表す。可変抵抗メモリの利点は、回路の簡単さであり、これにより、より小さい装置に導き、さらに、メモリセルの不揮発特性、およびメモリ状態の安定性である。
【0003】
図1は従来の可変抵抗メモリ装置の断面を示す。この可変抵抗メモリ装置はGRAD型(1つの抵抗、1つのダイオード)である。それは、基板100内のワード線(N型領域)102、複数のP+領域104とN+領域106を含み、ワード線102とP+領域104はダイオードを構成する。誘電体層114は基板100上に形成される。複数のメモリ部107は誘電体層114内に配置され、各メモリ部107は平板下部電極108、平板上部電極110、および平板下部電極108と平板上部電極110との間に1つまたはそれ以上の層で形成される抵抗膜112を含む。ワード線接続(またはコンタクト)ビア116は誘電体層114内に形成される。ワード線接続ビア116の1つの端部はN+領域106に電気的に接続され、他の端部は誘電体層114の表面上の導電線120に接続され、その結果ワード線102は外部回路と電気的に接続することが可能となる。さらに、メモリ部107の上部電極110と電気的に接続するために誘電体層114上に形成されたビット線118がある。
【0004】
従来の可変抵抗メモリ装置の第二例は図2に説明される1R1T型(1つの抵抗器、1つのトランジスタ)メモリ装置である。この装置は基板200内の複数のN+領域202および204を含む。誘電体層220は基板200上に形成される。誘電体層220は複数のメモリ部207、複数のゲート構造(ワード線)212および複数の接続ビア214と216を含む。各メモリ部207は平板下部電極206、平板上部電極208、および1つまたはそれ以上の材料層で形成される抵抗膜210を含み、各メモリ部はそれぞれのN+領域の表面上に配置される。ゲート構造212およびN+領域202と204はトランジスタを構成する。接続ビア214および216はそれぞれゲート構造212および共通線204に電気的に接続され、そのようにゲート構造212および共通線204は外部回路との接続が可能となる。さらに、メモリ部207の平板上部電極208と電気的に接続するために誘電体層220上に形成されるビット線218がある。
【0005】
残念ながら、図1および図2に開示されるように2つ金属電極平板間に挟まれる抵抗膜または絶縁酸化物を有する金属−絶縁体−金属(MIM)構造は安定かつ再生可能なスイッチングを提供せず、そして素子間の導電路が上部および下部電極間の抵抗膜または絶縁酸化物内のどこでも発生できるので、制御可能な態様のメモリ特性を提供しない。素子間のランダムかつ予測不可能な導電路は、堆積される膜内のランダムかつ予測不可能な欠陥場所によって作り出されると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】国際公開第2005/041303号
【特許文献2】特表2000−509204号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ゆえに、抵抗スイッチング現象に基づくメモリ装置の大きいアレイを形成するために、可変抵抗メモリ装置内の電極間の導電路の改善および制御のための代替装置が必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は可変抵抗メモリ装置における形造(shaped)された下部電極の使用に関する。形造された下部電極は下部電極の頂点(またはチップ:tip)のところにおける絶縁材料の厚さが最も薄く、ゆえに下部電極の頂点のところにおける電界が最大であることを確実にする。電極頂点の小さい曲率はまた局部電界を強める。電極の配置およびメモリ素子の構造はメモリ装置内に安定かつ確実かつ再生可能なスイッチングとメモリ特性を有する導電路を作り出す。
【0009】
本発明のさらなる効果および特徴は本発明の好適実施例を説明する後続の詳細説明および図面から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】従来の抵抗ランダムアクセスメモリ装置の断面を示す。
【図2】従来の他の抵抗ランダムアクセスメモリ装置の断面を示す。
【図3】本発明の例示的な実施例に従うメモリ装置の部分断面を示す。
【図4】本発明の第二の例示的な実施例に従うメモリ装置の部分断面を示す。
【図5】本発明の第三の例示的な実施例に従うメモリ装置の部分断面を示す。
【図6】本発明の例示的な実施例に従うメモリ装置を形成するための処理を受ける半導体ウェハの断面図を示す。
【図7】図6に示す処理のその後続処理の段階における図6の半導体を示す。
【図8】は図7に示す処理のその後続処理の段階における図6の半導体を示す。
【図9】図8に示す処理のその後続処理の段階における図6の半導体ウェハを示す。
【図10】図9に示す処理のその後続処理の段階における図6の半導体ウェハを示す。
【図11】図10に示す処理のその後続処理の段階における図6の半導体ウェハを示す。
【図12】本発明の例示的な実施例に従うメモリ装置を形成するための第二処理を受ける半導体ウェハの断面図を示す。
【図13】図12に示す処理のその後続処理の段階における図12の半導体を示す。
【図14】本発明の第二の例示的な実施例に従うメモリ装置を形成するための処理を受ける半導体ウェハの断面図を示す。
【図15】図14に示す処理のその後続処理の段階における図14の半導体を示す。
【図16】図15に示す処理のその後続処理の段階における図14の半導体を示す。
【図17】本発明に従って形成されたメモリ素子を有するプロセッサベースのシステムを示す。
【発明を実施するための形態】
【0011】
後続の詳細記述において、添付図が参照され、この図は明細書の一部を構成し、そして本発明が実施される特定の例示的な実施例を一例として示す。当業者によって実施することを可能にするためにこれらの実施例が十分に詳細に記載され、そして本発明の精神と範囲から離脱せずに構造的に、論理的及び電気的変更がなされることが可能であると理解されたい。述べられる処理工程の進行は本発明の例示的な実施例であり、しかしながら、工程の順序はここに記載されるものに限定されずそして従来において知られているように一定順序内に必然的に発生する工程を除いて変更されうるであろう。
【0012】
後続の記述に用いられる“基板”(substrate)はプラスチック(plastic)、セラミック(seramic)、半導体(semiconductor)、または露出基板表面を有する他の基板を含むいずれかの支持構造も含むがこれに限定しない。半導体基板はシリコン、シリコン−オン−インシュレーター(SOI:silicon−on−insulator)、シリコン−オン−サファイヤ(SOS:silicon−on−sapphire)、ドープされるまたはドープされない半導体、基礎半導体土台によって支えられるシリコンのエピタキシャル(epitaxial)層、そして他の半導体材料構造であることを理解されたい。後続の記述に半導体基板またはウェファーが参照されるとき、基礎半導体または土台内または上に領域または接合を形成するために従来の処理工程が用いられる。
【0013】
本発明は典型的な実施例を説明する図を参照して説明され、そして同様の参照番号は同様の特徴を示す。
【0014】
本発明の実施例に従うメモリ装置301は図3に図式的に説明される。装置301は形造された下部電極308、上部電極310、誘電体層314、および形造された下部電極308と上部電極310間の可変抵抗絶縁材料312を含む。本発明の好まれる実施例において、可変抵抗絶縁材料312は、例えばPCMO薄膜(つまり、Pr0.7Ca0.3MnO3)などの巨大磁気抵抗(colossalmagnet resistive)薄膜;例えばドープ(doped)または非ドープ(undoped)BaTiO3、SrTiO3、またはSrZrO3などのペロブスカイト(Perovskite)構造を有する酸化膜;または、例えばNb2O5、TiO2、TaO5、およびNiOなどの酸化膜などの可逆抵抗(resistance−reversible)材料から形成される。好ましい可変抵抗絶縁材料312はSrTiO3である。形造された下部電極308および上部電極310は、例えば白金、チタンまたは金などの金属、または例えばSrRuO3などの他の適切な材料から形成される。
【0015】
図4を参照する。図4は図3に類似しそして基板300上に上部電極310が形成される前に可変抵抗絶縁材料312が平坦化されるメモリ装置303を説明する。
【0016】
図5を参照する。図5は図3および4に類似しそして導電プラグ322上に下部電極308が形成される本発明の第3実施例に従うメモリ装置304を説明する。図3と共に上述されているように、基板300上に上部電極310が形成される前に可変抵抗絶縁材料312が平坦化される。図3と共に上述されているように、可変抵抗絶縁材料312が単純に堆積された後、この可変抵抗絶縁材料312上に上部電極310が形成されることを理解されたい。
【0017】
図6〜11は本発明の典型的な実施例に従うメモリ装置の形成を示す。前ステップの結果が論理上必要とされる場合を除き、ここに述べられるいずれかの動作のためにも特定の順序が要求されない。従って、以下の動作が一般的な順序で実行されるものとして述べられ、順序は例示的だけでありそして要望されれば代替されることができる。
【0018】
図6は基板300上に形成された誘電体層314を説明する。誘電体層314は、化学的気相成長(CVD:chemicalvapor deposition)によるスパッタリング、プラズマ強化(plasmaenhanced)CVD(PVCVD)または物理気相成長(PVD:physical vapor deposition)などの知られているいずれかの成長法によっても形成される。誘電体層314は、二酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(Si3N4)などの一般的な絶縁酸化物、とりわけ低誘電率材料、から形成される。
【0019】
マスク316が誘電体層314上に形成される。説明されている実施例において、マスク316はフォトレジスト(photoresist)マスクであり、しかしながら、マスク316は、例えば、金属(metal)などのいずれかの他の適切な材料でも代替できる。基板300へと延びる開口部313が、誘電体層314およびマスク316内に形成される。開口部313は、この技術分野での既知の方法、例えば一般的なパターンニングおよびエッチング処理、によって形成される。好ましくは、開口部313は、実質的に垂直な側壁を有するように、ドライエッチング(dryetch)ビアプロセスによって形成される。
【0020】
図7に示されるように、開口部313が拡幅されて、誘電体層314中に開口部315が形成される。この開口部315は、マスク316を通る開口部313が誘電体層314を通る開口部315よりも小さくなるように、マスク316の下に拡張する。好ましくは、開口部315はウェットエッチングプロセスを用いて形成される。
【0021】
図8は形造された下部電極308の形成を示す。円錐状に形造された下部電極308およびマスク316上に導電層341を形成するよう、導電材料がマスク316上にそして開口部313、315を通して基板300上に堆積される。形造された下部電極308は、例えば、白金、チタンまたは金のいずれかの導電性材料、または例えばSrRuO3などの他の適切な材料を含む。導電性材料は、蒸発または平行スパッタリング(collimatedsputtering)などの物理気相成長(PVD)処理によって堆積され、しかしいずれかの適切な技術も用いられる。矢印351に示されるように、基板300は導電性材料の堆積中に回転される。そのうえに、矢印350に示されるように、導電性材料は単一方向に堆積される。好ましくは、矢印350の角度によって図8に示されるように、導電性材料は基板300の上部表面に関しておおよそ75度よりも小さな角度で堆積され、しかし要望されれば導電性材料はおおよそ75度の角度で堆積されることもできる。
【0022】
PVD処理を用いて形造された下部電極308を形成することによって、一般的な化学的気相成長(CVD)プラグ処理における電極が形成されるときに発生する割れ目またはギャップが避けられる。そのうえ、PVD堆積される材料はCVD堆積される材料より滑らかな表面を有する傾向がある。従って形造された下部電極308は従来の電極より滑らかな表面を有することになる。
【0023】
図9に説明されているように、導電性層341およびマスク316は除去される。これはいずれかの適切な技術によって成し遂げることができる。例えば、化学機械研磨(CMP:chemicalmechanical polish)ステップが実施されることができまたは知られている技術に応じて溶剤リフトオフ(solventlift−off)処理が用いられる。
【0024】
図10を参照すると、可変抵抗絶縁材料層312が、開口部315内部に、形造された下部電極308を包囲するように形成される。可変抵抗絶縁材料層312は、例えばPCMO薄膜(つまり、Pr0.7Ca0.3MnO3)などの巨大磁気抵抗(colossalmagnet resistive)薄膜;例えばドープ(doped)または非ドープ(undoped)のBaTiO3、SrTiO3、またはSrZrO3などのペロブスカイト(Perovskite)構造を有する酸化膜;または、例えばNb2O5、TiO2、TaO5、およびNiOなどの酸化膜などの可逆抵抗(resistance−reversible)材料から形成される。好ましい可変抵抗絶縁材料312はSrTiO3である。可変抵抗絶縁材料層312は、例えば、パルスレーザー(plusedlaser)堆積(PLD)、PVD、スパッタリング、またはCVDなどの知られている方法によって形成される。
【0025】
図11を参照すると、第二電極310が可変抵抗絶縁材料層312上に形成される。第二電極310は、例えば白金、チタンまたは金のいずれかの電気的導電性材料、または例えばSrRuO3などの他の適切な材料から形成される。
【0026】
メモリ装置301をメモリアレイの様々な回路に電気的に接続するために一般的な処理ステップが次に実施されることができる。
【0027】
図12〜13は本発明に従うメモリ素子301の形成のための他の例示的な実施例を説明する。第二開口部315(図7)が形成される必要がない点を除いて、図12〜13に説明される実施例は図6〜11に説明される実施例と類似する。
【0028】
図12に示されているように、フォトレジストマスクであるマスク316が誘電体層314および基板300上に適用される。基板300へと延びる開口部313が、誘電体層314およびマスク316内に形成される。
【0029】
図8と関連して上述されているように、形造された下部電極308が形成されることができる。図13に説明されているように、形造された下部電極308およびマスク316上に導電層341を形成するために、導電材料が、マスク316上と、開口部313を通って基板300上とに堆積される。矢印351に示されるように、基板300は導電性材料の堆積中に回転される。そのうえに、矢印350によって示されるように、導電性材料は単一方向に堆積される。好ましくは、矢印350の角度によって図13に示されるように、導電性材料は基板300の上部表面に関しておおよそ75度未満の角度で堆積され、しかし導電性材料はおおよそ75度の角度で堆積されることもできる。
【0030】
メモリ装置301は、次に、図9〜11を参照して上述したように処理される。メモリ装置301をメモリアレイの様々な回路に電気的に接続するために一般的な処理ステップが次に実施されることができる。
【0031】
図14〜16は本発明の第二の例示的実施例に従うメモリ素子301の形成を説明する。図14は、図6〜10または図12〜13を参照して上述したように処理されたメモリ装置を示す。
【0032】
図15に示される構造を獲得するためにCMPステップが実施され、可変抵抗絶縁材料層312を平坦化する。図16に説明されるように第二電極310が可変抵抗絶縁材料層312上に形成される。上述のように、第二電極310は、例えば白金、チタンまたは金のいずれかの電気的導電性材料、または例えばSrRuO3などの他の適切な材料から形成される。メモリ装置301をメモリアレイの様々な回路に電気的に接続するために一般的な処理ステップが次に実施されることができる。
【0033】
上述の実施例はメモリアレイの一部である本発明に従ういくつかの可能な可変抵抗メモリ素子構造のみの形成に関する。しかしながら、本発明は、メモリアレイとして製造されそしてメモリ素子アクセス回路と共に動作することが可能な、本発明の趣旨内の他のメモリ構造の形成をも意図するものであることを理解されたい。
【0034】
図17は、例えば、本発明に従う可変抵抗メモリ素子(例えば、素子301および/または303(それぞれ、図3および4))を用いるメモリ装置のメモリ回路748を含むプロセッサシステム700を説明する。プロセッサシステム700は、例えば、コンピュータシステムであり、一般的にマイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、または他のプルグラム可能なデジタル論理装置などの中央演算部(CPU)744を含み、これらはバス752を通じて入力/出力(I/O)装置746と通信する。メモリ回路748は、典型的にはメモリ制御装置を介し、バス752を通じてCPU744と通信する。
【0035】
コンピュータシステムの場合、プロセッサシステム700は、バス752を通じてCPU744と通信するフロッピディスクドライブ754およびコンパクトディスク(CD)ROMドライブ756などの周辺装置を含むことになる。メモリ回路748は、1つまたはそれ以上の可変抵抗メモリ素子、例えば、素子200および/または600を含む集積回路として好ましくは構成される。要望されれば、メモリ回路748はプロセッサ、例えばCPU744、と共に単一集積回路内に組み合わされることになる。
【0036】
現在知られている典型的な実施例に従って本発明は詳細に述べられているが、本発明はそのような開示されている実施例に限定されないことを直ちに理解されたい。それより、本発明の趣旨および範囲と同等のいずれかのここに述べられていない変形、代替、入れ替え、または均等な構成も含むために本発明は修正されることができる。したがって、本発明は前述の開示によって限定されるとして見られるべきではなく、添付の特許請求の範囲のみによって限定される。
【符号の説明】
【0037】
300 基板
301 メモリ装置
304 メモリ装置
308 下部電極
310 上部電極
312 可変抵抗絶縁材料
313 開口部
314 誘電体層
315 開口部
316 マスク
322 導電プラグ
341 導電層
700 プロセッサ
744 中央演算部(CPU)
746 入力/出力(I/O)装置
748 メモリ回路
752 バス
754 フロッピディスクドライブ
756 CDROMデバイス
【技術分野】
【0001】
本発明は可変抵抗材料を用いて形成されるランダムアクセスメモリ(RAM)装置の分野に関し、および特に、可変抵抗メモリ素子のための改善された構造に関する。
【背景技術】
【0002】
可変抵抗(値)(resistance)メモリは外部影響によって変化させることが可能の電気的抵抗特性を有するRAMである。可変抵抗メモリセルの基本構成要素は可変抵抗器(または抵抗:resistor)である。可変抵抗器は(2つ状態のメモリ回路において)高抵抗または低抵抗を有するようにまたは(多状態のメモリ回路において)いずれかの中間抵抗値を有するようにプログラムされることが可能である。可変抵抗メモリセルの異なる抵抗値は可変抵抗メモリ回路内に格納されている情報を表す。可変抵抗メモリの利点は、回路の簡単さであり、これにより、より小さい装置に導き、さらに、メモリセルの不揮発特性、およびメモリ状態の安定性である。
【0003】
図1は従来の可変抵抗メモリ装置の断面を示す。この可変抵抗メモリ装置はGRAD型(1つの抵抗、1つのダイオード)である。それは、基板100内のワード線(N型領域)102、複数のP+領域104とN+領域106を含み、ワード線102とP+領域104はダイオードを構成する。誘電体層114は基板100上に形成される。複数のメモリ部107は誘電体層114内に配置され、各メモリ部107は平板下部電極108、平板上部電極110、および平板下部電極108と平板上部電極110との間に1つまたはそれ以上の層で形成される抵抗膜112を含む。ワード線接続(またはコンタクト)ビア116は誘電体層114内に形成される。ワード線接続ビア116の1つの端部はN+領域106に電気的に接続され、他の端部は誘電体層114の表面上の導電線120に接続され、その結果ワード線102は外部回路と電気的に接続することが可能となる。さらに、メモリ部107の上部電極110と電気的に接続するために誘電体層114上に形成されたビット線118がある。
【0004】
従来の可変抵抗メモリ装置の第二例は図2に説明される1R1T型(1つの抵抗器、1つのトランジスタ)メモリ装置である。この装置は基板200内の複数のN+領域202および204を含む。誘電体層220は基板200上に形成される。誘電体層220は複数のメモリ部207、複数のゲート構造(ワード線)212および複数の接続ビア214と216を含む。各メモリ部207は平板下部電極206、平板上部電極208、および1つまたはそれ以上の材料層で形成される抵抗膜210を含み、各メモリ部はそれぞれのN+領域の表面上に配置される。ゲート構造212およびN+領域202と204はトランジスタを構成する。接続ビア214および216はそれぞれゲート構造212および共通線204に電気的に接続され、そのようにゲート構造212および共通線204は外部回路との接続が可能となる。さらに、メモリ部207の平板上部電極208と電気的に接続するために誘電体層220上に形成されるビット線218がある。
【0005】
残念ながら、図1および図2に開示されるように2つ金属電極平板間に挟まれる抵抗膜または絶縁酸化物を有する金属−絶縁体−金属(MIM)構造は安定かつ再生可能なスイッチングを提供せず、そして素子間の導電路が上部および下部電極間の抵抗膜または絶縁酸化物内のどこでも発生できるので、制御可能な態様のメモリ特性を提供しない。素子間のランダムかつ予測不可能な導電路は、堆積される膜内のランダムかつ予測不可能な欠陥場所によって作り出されると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】国際公開第2005/041303号
【特許文献2】特表2000−509204号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ゆえに、抵抗スイッチング現象に基づくメモリ装置の大きいアレイを形成するために、可変抵抗メモリ装置内の電極間の導電路の改善および制御のための代替装置が必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は可変抵抗メモリ装置における形造(shaped)された下部電極の使用に関する。形造された下部電極は下部電極の頂点(またはチップ:tip)のところにおける絶縁材料の厚さが最も薄く、ゆえに下部電極の頂点のところにおける電界が最大であることを確実にする。電極頂点の小さい曲率はまた局部電界を強める。電極の配置およびメモリ素子の構造はメモリ装置内に安定かつ確実かつ再生可能なスイッチングとメモリ特性を有する導電路を作り出す。
【0009】
本発明のさらなる効果および特徴は本発明の好適実施例を説明する後続の詳細説明および図面から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】従来の抵抗ランダムアクセスメモリ装置の断面を示す。
【図2】従来の他の抵抗ランダムアクセスメモリ装置の断面を示す。
【図3】本発明の例示的な実施例に従うメモリ装置の部分断面を示す。
【図4】本発明の第二の例示的な実施例に従うメモリ装置の部分断面を示す。
【図5】本発明の第三の例示的な実施例に従うメモリ装置の部分断面を示す。
【図6】本発明の例示的な実施例に従うメモリ装置を形成するための処理を受ける半導体ウェハの断面図を示す。
【図7】図6に示す処理のその後続処理の段階における図6の半導体を示す。
【図8】は図7に示す処理のその後続処理の段階における図6の半導体を示す。
【図9】図8に示す処理のその後続処理の段階における図6の半導体ウェハを示す。
【図10】図9に示す処理のその後続処理の段階における図6の半導体ウェハを示す。
【図11】図10に示す処理のその後続処理の段階における図6の半導体ウェハを示す。
【図12】本発明の例示的な実施例に従うメモリ装置を形成するための第二処理を受ける半導体ウェハの断面図を示す。
【図13】図12に示す処理のその後続処理の段階における図12の半導体を示す。
【図14】本発明の第二の例示的な実施例に従うメモリ装置を形成するための処理を受ける半導体ウェハの断面図を示す。
【図15】図14に示す処理のその後続処理の段階における図14の半導体を示す。
【図16】図15に示す処理のその後続処理の段階における図14の半導体を示す。
【図17】本発明に従って形成されたメモリ素子を有するプロセッサベースのシステムを示す。
【発明を実施するための形態】
【0011】
後続の詳細記述において、添付図が参照され、この図は明細書の一部を構成し、そして本発明が実施される特定の例示的な実施例を一例として示す。当業者によって実施することを可能にするためにこれらの実施例が十分に詳細に記載され、そして本発明の精神と範囲から離脱せずに構造的に、論理的及び電気的変更がなされることが可能であると理解されたい。述べられる処理工程の進行は本発明の例示的な実施例であり、しかしながら、工程の順序はここに記載されるものに限定されずそして従来において知られているように一定順序内に必然的に発生する工程を除いて変更されうるであろう。
【0012】
後続の記述に用いられる“基板”(substrate)はプラスチック(plastic)、セラミック(seramic)、半導体(semiconductor)、または露出基板表面を有する他の基板を含むいずれかの支持構造も含むがこれに限定しない。半導体基板はシリコン、シリコン−オン−インシュレーター(SOI:silicon−on−insulator)、シリコン−オン−サファイヤ(SOS:silicon−on−sapphire)、ドープされるまたはドープされない半導体、基礎半導体土台によって支えられるシリコンのエピタキシャル(epitaxial)層、そして他の半導体材料構造であることを理解されたい。後続の記述に半導体基板またはウェファーが参照されるとき、基礎半導体または土台内または上に領域または接合を形成するために従来の処理工程が用いられる。
【0013】
本発明は典型的な実施例を説明する図を参照して説明され、そして同様の参照番号は同様の特徴を示す。
【0014】
本発明の実施例に従うメモリ装置301は図3に図式的に説明される。装置301は形造された下部電極308、上部電極310、誘電体層314、および形造された下部電極308と上部電極310間の可変抵抗絶縁材料312を含む。本発明の好まれる実施例において、可変抵抗絶縁材料312は、例えばPCMO薄膜(つまり、Pr0.7Ca0.3MnO3)などの巨大磁気抵抗(colossalmagnet resistive)薄膜;例えばドープ(doped)または非ドープ(undoped)BaTiO3、SrTiO3、またはSrZrO3などのペロブスカイト(Perovskite)構造を有する酸化膜;または、例えばNb2O5、TiO2、TaO5、およびNiOなどの酸化膜などの可逆抵抗(resistance−reversible)材料から形成される。好ましい可変抵抗絶縁材料312はSrTiO3である。形造された下部電極308および上部電極310は、例えば白金、チタンまたは金などの金属、または例えばSrRuO3などの他の適切な材料から形成される。
【0015】
図4を参照する。図4は図3に類似しそして基板300上に上部電極310が形成される前に可変抵抗絶縁材料312が平坦化されるメモリ装置303を説明する。
【0016】
図5を参照する。図5は図3および4に類似しそして導電プラグ322上に下部電極308が形成される本発明の第3実施例に従うメモリ装置304を説明する。図3と共に上述されているように、基板300上に上部電極310が形成される前に可変抵抗絶縁材料312が平坦化される。図3と共に上述されているように、可変抵抗絶縁材料312が単純に堆積された後、この可変抵抗絶縁材料312上に上部電極310が形成されることを理解されたい。
【0017】
図6〜11は本発明の典型的な実施例に従うメモリ装置の形成を示す。前ステップの結果が論理上必要とされる場合を除き、ここに述べられるいずれかの動作のためにも特定の順序が要求されない。従って、以下の動作が一般的な順序で実行されるものとして述べられ、順序は例示的だけでありそして要望されれば代替されることができる。
【0018】
図6は基板300上に形成された誘電体層314を説明する。誘電体層314は、化学的気相成長(CVD:chemicalvapor deposition)によるスパッタリング、プラズマ強化(plasmaenhanced)CVD(PVCVD)または物理気相成長(PVD:physical vapor deposition)などの知られているいずれかの成長法によっても形成される。誘電体層314は、二酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(Si3N4)などの一般的な絶縁酸化物、とりわけ低誘電率材料、から形成される。
【0019】
マスク316が誘電体層314上に形成される。説明されている実施例において、マスク316はフォトレジスト(photoresist)マスクであり、しかしながら、マスク316は、例えば、金属(metal)などのいずれかの他の適切な材料でも代替できる。基板300へと延びる開口部313が、誘電体層314およびマスク316内に形成される。開口部313は、この技術分野での既知の方法、例えば一般的なパターンニングおよびエッチング処理、によって形成される。好ましくは、開口部313は、実質的に垂直な側壁を有するように、ドライエッチング(dryetch)ビアプロセスによって形成される。
【0020】
図7に示されるように、開口部313が拡幅されて、誘電体層314中に開口部315が形成される。この開口部315は、マスク316を通る開口部313が誘電体層314を通る開口部315よりも小さくなるように、マスク316の下に拡張する。好ましくは、開口部315はウェットエッチングプロセスを用いて形成される。
【0021】
図8は形造された下部電極308の形成を示す。円錐状に形造された下部電極308およびマスク316上に導電層341を形成するよう、導電材料がマスク316上にそして開口部313、315を通して基板300上に堆積される。形造された下部電極308は、例えば、白金、チタンまたは金のいずれかの導電性材料、または例えばSrRuO3などの他の適切な材料を含む。導電性材料は、蒸発または平行スパッタリング(collimatedsputtering)などの物理気相成長(PVD)処理によって堆積され、しかしいずれかの適切な技術も用いられる。矢印351に示されるように、基板300は導電性材料の堆積中に回転される。そのうえに、矢印350に示されるように、導電性材料は単一方向に堆積される。好ましくは、矢印350の角度によって図8に示されるように、導電性材料は基板300の上部表面に関しておおよそ75度よりも小さな角度で堆積され、しかし要望されれば導電性材料はおおよそ75度の角度で堆積されることもできる。
【0022】
PVD処理を用いて形造された下部電極308を形成することによって、一般的な化学的気相成長(CVD)プラグ処理における電極が形成されるときに発生する割れ目またはギャップが避けられる。そのうえ、PVD堆積される材料はCVD堆積される材料より滑らかな表面を有する傾向がある。従って形造された下部電極308は従来の電極より滑らかな表面を有することになる。
【0023】
図9に説明されているように、導電性層341およびマスク316は除去される。これはいずれかの適切な技術によって成し遂げることができる。例えば、化学機械研磨(CMP:chemicalmechanical polish)ステップが実施されることができまたは知られている技術に応じて溶剤リフトオフ(solventlift−off)処理が用いられる。
【0024】
図10を参照すると、可変抵抗絶縁材料層312が、開口部315内部に、形造された下部電極308を包囲するように形成される。可変抵抗絶縁材料層312は、例えばPCMO薄膜(つまり、Pr0.7Ca0.3MnO3)などの巨大磁気抵抗(colossalmagnet resistive)薄膜;例えばドープ(doped)または非ドープ(undoped)のBaTiO3、SrTiO3、またはSrZrO3などのペロブスカイト(Perovskite)構造を有する酸化膜;または、例えばNb2O5、TiO2、TaO5、およびNiOなどの酸化膜などの可逆抵抗(resistance−reversible)材料から形成される。好ましい可変抵抗絶縁材料312はSrTiO3である。可変抵抗絶縁材料層312は、例えば、パルスレーザー(plusedlaser)堆積(PLD)、PVD、スパッタリング、またはCVDなどの知られている方法によって形成される。
【0025】
図11を参照すると、第二電極310が可変抵抗絶縁材料層312上に形成される。第二電極310は、例えば白金、チタンまたは金のいずれかの電気的導電性材料、または例えばSrRuO3などの他の適切な材料から形成される。
【0026】
メモリ装置301をメモリアレイの様々な回路に電気的に接続するために一般的な処理ステップが次に実施されることができる。
【0027】
図12〜13は本発明に従うメモリ素子301の形成のための他の例示的な実施例を説明する。第二開口部315(図7)が形成される必要がない点を除いて、図12〜13に説明される実施例は図6〜11に説明される実施例と類似する。
【0028】
図12に示されているように、フォトレジストマスクであるマスク316が誘電体層314および基板300上に適用される。基板300へと延びる開口部313が、誘電体層314およびマスク316内に形成される。
【0029】
図8と関連して上述されているように、形造された下部電極308が形成されることができる。図13に説明されているように、形造された下部電極308およびマスク316上に導電層341を形成するために、導電材料が、マスク316上と、開口部313を通って基板300上とに堆積される。矢印351に示されるように、基板300は導電性材料の堆積中に回転される。そのうえに、矢印350によって示されるように、導電性材料は単一方向に堆積される。好ましくは、矢印350の角度によって図13に示されるように、導電性材料は基板300の上部表面に関しておおよそ75度未満の角度で堆積され、しかし導電性材料はおおよそ75度の角度で堆積されることもできる。
【0030】
メモリ装置301は、次に、図9〜11を参照して上述したように処理される。メモリ装置301をメモリアレイの様々な回路に電気的に接続するために一般的な処理ステップが次に実施されることができる。
【0031】
図14〜16は本発明の第二の例示的実施例に従うメモリ素子301の形成を説明する。図14は、図6〜10または図12〜13を参照して上述したように処理されたメモリ装置を示す。
【0032】
図15に示される構造を獲得するためにCMPステップが実施され、可変抵抗絶縁材料層312を平坦化する。図16に説明されるように第二電極310が可変抵抗絶縁材料層312上に形成される。上述のように、第二電極310は、例えば白金、チタンまたは金のいずれかの電気的導電性材料、または例えばSrRuO3などの他の適切な材料から形成される。メモリ装置301をメモリアレイの様々な回路に電気的に接続するために一般的な処理ステップが次に実施されることができる。
【0033】
上述の実施例はメモリアレイの一部である本発明に従ういくつかの可能な可変抵抗メモリ素子構造のみの形成に関する。しかしながら、本発明は、メモリアレイとして製造されそしてメモリ素子アクセス回路と共に動作することが可能な、本発明の趣旨内の他のメモリ構造の形成をも意図するものであることを理解されたい。
【0034】
図17は、例えば、本発明に従う可変抵抗メモリ素子(例えば、素子301および/または303(それぞれ、図3および4))を用いるメモリ装置のメモリ回路748を含むプロセッサシステム700を説明する。プロセッサシステム700は、例えば、コンピュータシステムであり、一般的にマイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、または他のプルグラム可能なデジタル論理装置などの中央演算部(CPU)744を含み、これらはバス752を通じて入力/出力(I/O)装置746と通信する。メモリ回路748は、典型的にはメモリ制御装置を介し、バス752を通じてCPU744と通信する。
【0035】
コンピュータシステムの場合、プロセッサシステム700は、バス752を通じてCPU744と通信するフロッピディスクドライブ754およびコンパクトディスク(CD)ROMドライブ756などの周辺装置を含むことになる。メモリ回路748は、1つまたはそれ以上の可変抵抗メモリ素子、例えば、素子200および/または600を含む集積回路として好ましくは構成される。要望されれば、メモリ回路748はプロセッサ、例えばCPU744、と共に単一集積回路内に組み合わされることになる。
【0036】
現在知られている典型的な実施例に従って本発明は詳細に述べられているが、本発明はそのような開示されている実施例に限定されないことを直ちに理解されたい。それより、本発明の趣旨および範囲と同等のいずれかのここに述べられていない変形、代替、入れ替え、または均等な構成も含むために本発明は修正されることができる。したがって、本発明は前述の開示によって限定されるとして見られるべきではなく、添付の特許請求の範囲のみによって限定される。
【符号の説明】
【0037】
300 基板
301 メモリ装置
304 メモリ装置
308 下部電極
310 上部電極
312 可変抵抗絶縁材料
313 開口部
314 誘電体層
315 開口部
316 マスク
322 導電プラグ
341 導電層
700 プロセッサ
744 中央演算部(CPU)
746 入力/出力(I/O)装置
748 メモリ回路
752 バス
754 フロッピディスクドライブ
756 CDROMデバイス
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上の誘電体層と、
前記基板上で前記誘電体層内の開口部の内部に形成された第一電極であって、該第一電極は円錐形状である、第一電極と、
第二電極と、
前記第一及び第二電極間で前記開口部内の可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層は酸化物層であり、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、
を含むことを特徴とするメモリ素子。
【請求項2】
基板と、
前記基板上に形成された誘電体層であって、前記誘電体層はその中に前記誘電体層の上部表面から前記基板まで形成された開口部を有する、誘電体層と、
前記基板上かつ前記誘電体層内の前記開口部内に形成された第一電極であって、前記第一電極は円錐状構造を有する、第一電極と、
前記誘電体層内の前記開口部内の前記第一電極上に形成された可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、
前記可変抵抗絶縁層上に形成された第二電極と、
を含むことを特徴とするメモリ素子。
【請求項3】
前記第一電極はSrRuO3であることを特徴とする請求項1または2記載のメモリ素子。
【請求項4】
前記可変抵抗絶縁層は前記誘電体層上に形成されることを特徴とする請求項2記載のメモリ素子。
【請求項5】
前記第一及び第二電極間の前記可変抵抗絶縁層が平坦化されていることを特徴とする請求項1または2記載のメモリ素子
【請求項6】
前記第二電極が前記可変抵抗絶縁層の上に形成されていることを特徴とする請求項1または2記載のメモリ素子。
【請求項7】
前記基板と前記第一電極との間に形成された導電性プラグをさらに含むことを特徴とする請求項1または2記載のメモリ素子。
【請求項8】
プロセッサと、
前記プロセッサと通信するメモリ装置と、
を備えたプロセッサシステムであって、
前記メモリ装置はメモリ素子を含み、該メモリ素子は、
基板と、
前記基板に接触する誘電体層と、
前記基板上かつ前記誘電体層の開口部内に形成された第一電極であって、該第一電極は円錐形状である、第一電極と、
第二電極と、
前記第一及び第二電極間で前記開口部内の可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層は酸化物層であり、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、
を含む、ことを特徴とするプロセッサシステム。
【請求項9】
前記第一電極は白金、チタン、金およびSrRuO3からなる群の中から選択されることを特徴とする請求項8記載のプロセッサシステム。
【請求項10】
前記第一電極はSrRuO3であることを特徴とする請求項9記載のプロセッサシステム。
【請求項11】
前記第二電極は白金、チタン、金およびSrRuO3からなる群の中から選択されることを特徴とする請求項8記載のプロセッサシステム。
【請求項12】
前記可変抵抗絶縁層はドープまたは非ドープのBaTiO3、SrTiO3、またはSrZrO3であることを特徴とする請求項8記載のプロセッサシステム。
【請求項13】
前記可変抵抗絶縁層はPr0.7Ca0.3MnO3、Nb2O5、TiO2、およびNiOからなる群の中から選択されることを特徴とする請求項8記載のプロセッサシステム。
【請求項14】
前記メモリ素子は可変抵抗メモリ素子であることを特徴とする請求項8記載のプロセッサシステム。
【請求項15】
基板と、
前記基板上の誘電体層と、
前記基板上で前記誘電体層の開口部の内部に物理気相成長によって形成された第一電極であって、該第一電極は円錐形状である、第一電極と、
第二電極と、
前記第一及び第二電極の間で前記開口部内の可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、
を含むメモリ素子。
【請求項16】
前記第一電極は白金、チタン、金、及びSrRuO3からなる群の中から選択されることを特徴とする請求項1、2または15記載のメモリ素子。
【請求項17】
前記第二電極は白金、チタン、金、及びSrRuO3からなる群から選択される請求項1、2または15記載のメモリ素子。
【請求項18】
前記可変抵抗絶縁層はPCMO薄膜、ペロブスカイト構造および酸化膜からなる群の中から選択されることを特徴とする請求項1、2または15記載のメモリ素子。
【請求項19】
前記可変抵抗絶縁層はPr0.7Ca0.3MnO3、Nb2O5、TiO2、およびNiOからなる群の中から選択されることを特徴とする請求項18記載のメモリ素子。
【請求項20】
前記可変抵抗絶縁層はドープまたは非ドープのBaTiO3、SrTiO3、またはSrZrO3であることを特徴とする請求項1、2または15記載のメモリ素子。
【請求項21】
前記メモリ素子は可変抵抗メモリ素子であることを特徴とする請求項1、2または15記載のメモリ素子。
【請求項22】
基板と、
前記基板上に形成された第一電極であって、該第一電極は円錐形状である、第一電極と、
第二電極と、
前記第一及び第二電極間の可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層はSrTiO3から形成され、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、
を含むメモリ素子。
【請求項1】
基板と、
前記基板上の誘電体層と、
前記基板上で前記誘電体層内の開口部の内部に形成された第一電極であって、該第一電極は円錐形状である、第一電極と、
第二電極と、
前記第一及び第二電極間で前記開口部内の可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層は酸化物層であり、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、
を含むことを特徴とするメモリ素子。
【請求項2】
基板と、
前記基板上に形成された誘電体層であって、前記誘電体層はその中に前記誘電体層の上部表面から前記基板まで形成された開口部を有する、誘電体層と、
前記基板上かつ前記誘電体層内の前記開口部内に形成された第一電極であって、前記第一電極は円錐状構造を有する、第一電極と、
前記誘電体層内の前記開口部内の前記第一電極上に形成された可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、
前記可変抵抗絶縁層上に形成された第二電極と、
を含むことを特徴とするメモリ素子。
【請求項3】
前記第一電極はSrRuO3であることを特徴とする請求項1または2記載のメモリ素子。
【請求項4】
前記可変抵抗絶縁層は前記誘電体層上に形成されることを特徴とする請求項2記載のメモリ素子。
【請求項5】
前記第一及び第二電極間の前記可変抵抗絶縁層が平坦化されていることを特徴とする請求項1または2記載のメモリ素子
【請求項6】
前記第二電極が前記可変抵抗絶縁層の上に形成されていることを特徴とする請求項1または2記載のメモリ素子。
【請求項7】
前記基板と前記第一電極との間に形成された導電性プラグをさらに含むことを特徴とする請求項1または2記載のメモリ素子。
【請求項8】
プロセッサと、
前記プロセッサと通信するメモリ装置と、
を備えたプロセッサシステムであって、
前記メモリ装置はメモリ素子を含み、該メモリ素子は、
基板と、
前記基板に接触する誘電体層と、
前記基板上かつ前記誘電体層の開口部内に形成された第一電極であって、該第一電極は円錐形状である、第一電極と、
第二電極と、
前記第一及び第二電極間で前記開口部内の可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層は酸化物層であり、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、
を含む、ことを特徴とするプロセッサシステム。
【請求項9】
前記第一電極は白金、チタン、金およびSrRuO3からなる群の中から選択されることを特徴とする請求項8記載のプロセッサシステム。
【請求項10】
前記第一電極はSrRuO3であることを特徴とする請求項9記載のプロセッサシステム。
【請求項11】
前記第二電極は白金、チタン、金およびSrRuO3からなる群の中から選択されることを特徴とする請求項8記載のプロセッサシステム。
【請求項12】
前記可変抵抗絶縁層はドープまたは非ドープのBaTiO3、SrTiO3、またはSrZrO3であることを特徴とする請求項8記載のプロセッサシステム。
【請求項13】
前記可変抵抗絶縁層はPr0.7Ca0.3MnO3、Nb2O5、TiO2、およびNiOからなる群の中から選択されることを特徴とする請求項8記載のプロセッサシステム。
【請求項14】
前記メモリ素子は可変抵抗メモリ素子であることを特徴とする請求項8記載のプロセッサシステム。
【請求項15】
基板と、
前記基板上の誘電体層と、
前記基板上で前記誘電体層の開口部の内部に物理気相成長によって形成された第一電極であって、該第一電極は円錐形状である、第一電極と、
第二電極と、
前記第一及び第二電極の間で前記開口部内の可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、
を含むメモリ素子。
【請求項16】
前記第一電極は白金、チタン、金、及びSrRuO3からなる群の中から選択されることを特徴とする請求項1、2または15記載のメモリ素子。
【請求項17】
前記第二電極は白金、チタン、金、及びSrRuO3からなる群から選択される請求項1、2または15記載のメモリ素子。
【請求項18】
前記可変抵抗絶縁層はPCMO薄膜、ペロブスカイト構造および酸化膜からなる群の中から選択されることを特徴とする請求項1、2または15記載のメモリ素子。
【請求項19】
前記可変抵抗絶縁層はPr0.7Ca0.3MnO3、Nb2O5、TiO2、およびNiOからなる群の中から選択されることを特徴とする請求項18記載のメモリ素子。
【請求項20】
前記可変抵抗絶縁層はドープまたは非ドープのBaTiO3、SrTiO3、またはSrZrO3であることを特徴とする請求項1、2または15記載のメモリ素子。
【請求項21】
前記メモリ素子は可変抵抗メモリ素子であることを特徴とする請求項1、2または15記載のメモリ素子。
【請求項22】
基板と、
前記基板上に形成された第一電極であって、該第一電極は円錐形状である、第一電極と、
第二電極と、
前記第一及び第二電極間の可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層はSrTiO3から形成され、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、
を含むメモリ素子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【公開番号】特開2013−48251(P2013−48251A)
【公開日】平成25年3月7日(2013.3.7)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−207558(P2012−207558)
【出願日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【分割の表示】特願2008−527013(P2008−527013)の分割
【原出願日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【出願人】(595168543)マイクロン テクノロジー, インク. (444)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年3月7日(2013.3.7)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【分割の表示】特願2008−527013(P2008−527013)の分割
【原出願日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【出願人】(595168543)マイクロン テクノロジー, インク. (444)
【Fターム(参考)】
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