基板乾燥方法及び磁気記録媒体の製造方法

【課題】基板乾燥方法及び磁気記録媒体の製造方法において、基板と基板を保持する保持部材とが接触する部分の洗浄液を確実に除去することを目的とする。
【解決手段】洗浄液で洗浄済みの基板をスピン乾燥させる基板乾燥方法において、前記基板を保持する保持部材を加熱するようにする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板乾燥方法及び磁気記録媒体の製造方法に係り、特に洗浄された基板を乾燥する基板乾燥方法及びこのような基板乾燥方法を用いた磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に各種層を形成して記録媒体等を製造する場合、基板は必要に応じてテキスチャリングや研磨等の加工を施された後に洗浄され、基板上の残渣物が除去される。洗浄された基板は乾燥され、その後基板上に各種層が形成される。
【０００３】
近年、磁気ディスクに代表される高密度記録用の磁気記録媒体では、ヘッドの磁気記録媒体からの浮上量が非常に小さくなっている。このため、基板上に各種層をスパッタリング等により積層する場合、基板上に残渣物が残っていると記録層におけるデータ消失やヘッドが磁気ディスクと接触するヘッド・ディスク障害（ＨＤＩ：Head Disk Interference）が発生してしまい、磁気ディスクを有する磁気ディスク装置の信頼性が低下してしまう。
【０００４】
図１は、従来の基板乾燥方法の一例を説明する図である。図１において、１はディスク状の基板、２は乾燥工程で基板１を保持するチャックを示す。ここでは説明の便宜上、基板１はテキスチャリングや研磨等の加工を施された後に洗浄液３を用いて洗浄されているものとする。図１では、基板１は矢印方向に回転されることで、洗浄時に基板１上に付着した洗浄液３を遠心力で除去する。洗浄液３には、例えば純水、温水、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ：Isopropyl Alcohol)等を用いることができる。
【０００５】
しかし、上記の如きスピン乾燥では、基板１とチャック２が接触する部分の洗浄液３を完全に除去することは難しい。図２は、スピン乾燥後に残留する洗浄液を説明する図である。図２中、（ａ）は基板１の平面図であり、（ｂ）は（ａ）において破線で囲んで示す部分を拡大して示す側面図である。基板１の外周端面にはテーパ部が形成されているので、洗浄液３は特にこの基板１の外周端面のテーパ部とチャック２の傾斜部との間に残留し易い。
【０００６】
スピン乾燥後に図２に示すように基板１とチャック２の間に洗浄液３が残留していると、基板１を次の工程に搬送するまでに残留する洗浄液３が基板１の表面まで流れる可能性がある。このような場合、基板１上の残渣物が残っている状態で次の工程が行われてしまうので、残渣物の上に形成された層が剥離して記録層におけるデータ消失を発生したり、残渣物により磁気ディスクの表面に突起が形成されてＨＤＩを発生したりする可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平６−２０４１９７号公報
【特許文献２】特開平９−１０６５４４号公報
【特許文献３】特開２００１−７１７９号公報
【特許文献４】特開２００３−１４６７０３号公報
【特許文献５】特開２００３−２５７０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の基板乾燥技術では、基板と基板を保持する保持部材とが接触する部分の洗浄液を完全に除去することは難しいという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、基板と基板を保持する保持部材とが接触する部分の洗浄液を確実に除去することが可能な基板乾燥方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、洗浄液で洗浄済みの基板をスピン乾燥させる基板乾燥方法であって、前記基板を保持する保持部材を加熱する基板乾燥方法が提供される。
【００１１】
本発明の一観点によれば、上記の基板乾燥方法により乾燥された基板に対し、記録層を含む複数の層を積層して磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
開示の基板乾燥方法及び磁気記録媒体の製造方法によれば、基板と基板を保持する保持部材とが接触する部分の洗浄液を確実に除去することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来の基板乾燥方法の一例を説明する図である。
【図２】スピン乾燥後に残留する洗浄液を説明する図である。
【図３】洗浄済みの基板を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施例における基板乾燥方法を説明する図である。
【図５】スピン乾燥後に洗浄液が残留し易い箇所を説明する図である。
【図６】熱風によるチャックの加熱を説明する側面図である。
【図７】レーザ光によるチャックの加熱を説明する側面図である。
【図８】ヒータによるチャックの加熱を説明する側面図である。
【図９】チャックの様々な温度についてパーティクル数と基板回転数の関係を示す測定データを示す図である。
【図１０】基板の様々な回転数についてパーティクル数とチャック温度の関係を示す測定データを示す図である。
【図１１】チャックの様々な温度についてパーティクル数と乾燥時間の関係を示す測定データを示す図である。
【図１２】一対の回転機構が反転テーブルに取り付けられた乾燥装置を示す側面図である。
【図１３】熱風によるチャックの加熱のオン・オフタイミングを説明する図である。
【図１４】レーザ光によるチャックの加熱のオン・オフタイミングを説明する図である。
【図１５】ヒータによるチャックの加熱のオン・オフタイミングを説明する図である。
【図１６】磁気記録媒体の製造方法の工程の一部を説明する図である。
【図１７】チャックの第１の変形例を説明する図である。
【図１８】チャックの第２の変形例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
開示の基板乾燥方法及び磁気記録媒体の製造方法では、洗浄液で洗浄済みの基板をスピン乾燥させる際に、基板を保持する保持部材を加熱する。これにより、基板と保持部材とが接触する部分の洗浄液をより確実に基板から振り切ることができる。
【００１５】
以下に、本発明の基板乾燥方法及び磁気記録媒体の製造方法の各実施例を、図３以降と共に説明する。
【実施例】
【００１６】
図３は、洗浄済みの基板を示す平面図である。図３において、１１はディスク状の基板、１２は乾燥工程で基板１１を保持する保持部材（以下、チャックと言う）を示す。ここでは説明の便宜上、基板１１はテキスチャリングや研磨等の加工を施された後に洗浄液３を用いて洗浄されているものとするが、テキスチャリングや研磨等の加工は必須ではない。洗浄された基板１１の表面は、洗浄液１３により湿潤した状態にある。洗浄液１３には、例えば純水、温水、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ：Isopropyl Alcohol)等を用いることができる。
【００１７】
尚、本実施例では基板１１がディスク形状を有するが、基板１１の形状は特に限定されない。又、基板１１を保持するチャック１２の数は３個に限定されず、４個以上設けても良い。チャック１２は、基板１１の装着時と取り外し時に基板１１の移動を容易にするために移動可能な構造を有するが、この構造自体は周知であるためこの構造の図示と説明は省略する。
【００１８】
図４は、本発明の一実施例における基板乾燥方法を説明する図である。基板１１は、チャック１２が加熱された状態で矢印方向に回転されることで、洗浄時に基板１１上に付着した洗浄液１３を遠心力で除去する。
【００１９】
図５は、スピン乾燥後に洗浄液１３が残留し易い箇所を説明する図である。図５中、（ａ）は基板１１の平面図であり、（ｂ）は（ａ）において破線で囲んで示す部分を拡大して示す側面図である。基板１１の外周端面にはテーパ部が形成されているので、洗浄液１３は特にこの基板１１の外周端面のテーパ部とチャック１２の傾斜部とが接触する部分、即ち、箇所Ｐに残留し易い。しかし、チャック１２を加熱することで、基板１１とチャック１２とが接触する部分の箇所Ｐにある洗浄液１３をより確実に振り切ることができる。これは、スピン乾燥時のチャック１２の加熱及びその余熱により、基板１１とチャック１２の接点部での乾燥が促進されることによると考えられる。尚、チャック１２の形状は図５（ｂ）の形状に限定されるものではなく、チャック１２の形状にかかわらず、チャック１２を加熱することで基板１１とチャック１２との間の洗浄液１３をより確実に振り切ることができる。
【００２０】
チャック１２を加熱するタイミングは特に限定されないが、少なくとも基板１１の回転中は洗浄液１３を振り切るのに適した温度を有することが望ましい。又、チャック１２を加熱するタイミングや加熱温度は、基板１１の材質、チャック１２の材質（即ち、熱伝導性）、洗浄液１３の種類等に応じて選定しても良い。基板１１をチャック１２に装着する時点でチャック１２が既に洗浄液１３を振り切るのに適した温度に加熱されていれば、乾燥効率を更に向上可能である。
【００２１】
チャック１２を加熱する方法は特に限定されないが、図６に示すように熱風によりチャック１２を加熱しても、図７に示すようにレーザ光によりチャック１２を加熱しても、図８に示すように熱源をチャック１２内に設けてチャック１２を加熱しても良い。図６では、熱風源（図示せず）からの熱風が各チャック１２を加熱する。又、図７では、レーザ光源（図示せず）からのレーザ光が各チャック１２に照射されて各チャック１２を加熱する。更に、図８では、電源１４からの電流を電線１５を介して各チャック１２内に設けられたヒータ１６に印加して発熱させることで各チャック１２をヒータ１６により加熱する。図６〜図８中、１７はチャック１２に固定されておりモータ等の駆動源（図示せず）により回転される回転板を示す。尚、回転板１７の回転方法は、従来のスピン乾燥技術で採用されている方法を採用可能である。
【００２２】
本発明者らは、乾燥時に上記の如くチャック１２を加熱した場合、回転板１７の回転数、チャック１２の温度及び乾燥時間に応じて乾燥後の基板１１上に残留するパーティクル数を実験により測定した。測定に用いた基板１１はアルミ製で直径２．７５インチであり、チャック１２はＰＥＥＫ（Polyetheretherketone）樹脂であった。洗浄液１３には純水を使用した。又、基板１１上のパーティクル数は、特にパーティクルが残留する可能性が高い基板１１の中心から半径３２．５ｍｍの位置から最外周までの領域で測定した。尚、パーティクルとは、洗浄前に基板１１に施されたテキスチャリングや研磨等の加工により発生した残留物を指す。
【００２３】
図９は、チャック１２の様々な温度（℃）についてパーティクル数（個）と回転板１７の回転数（ｒｐｍ）、即ち、基板１１の回転数（ｒｐｍ）の関係を示す測定データを示す図である。図９中、◆印はチャック温度が２５℃でのデータ、■印はチャック温度が４０℃でのデータ、▲印はチャック温度が５０℃でのデータ、×印はチャック温度が６０℃でのデータ、＊印はチャック温度が７５℃でのデータを示す。チャック温度が２５℃でのデータは、チャック１２を加熱しない従来の乾燥方法で得られるデータに相当する。
【００２４】
図１０は、基板１１の様々な回転数（ｒｐｍ）についてパーティクル数（個）とチャック１２の温度（℃）の関係を示す測定データを示す図である。◆印は基板回転数が４５００ｒｐｍでのデータ、■印は基板回転数が４２５０ｒｐｍでのデータ、▲印は基板回転数が４０００ｒｐｍでのデータ、×印は基板回転数が３７５０ｒｐｍでのデータ、＊印は基板回転数が３５００ｒｐｍでのデータ、●印は基板回転数が３２５０ｒｐｍでのデータ、＋印は基板回転数が３０００ｒｐｍでのデータ、□印は基板回転数が２７５０ｒｐｍでのデータ、−印は基板回転数が２５００ｒｐｍでのデータを示す。
【００２５】
図１１は、チャック１２の様々な温度（℃）についてパーティクル数（個）と乾燥時間（秒）の関係を示す測定データを示す図である。◆印はチャック温度が２５℃でのデータ、■印はチャック温度が４０℃でのデータ、▲印はチャック温度が５０℃でのデータ、×印はチャック温度が６０℃でのデータ、＊印はチャック温度が７５℃でのデータを示す。チャック温度が２５℃でのデータは、チャック１２を加熱しない従来の乾燥方法で得られるデータに相当する。
【００２６】
図９〜図１１において、パーティクル数が２０個以下であれば、基板１１の表面には残留物は殆ど無く、パーティクルは無視できる程度である。従って、図９からは、チャック温度が４０℃〜６０℃であれば、基板回転数を３５００ｒｐｍ〜４２５０ｒｐｍに設定することでパーティクルを良好に除去可能であることが確認された。尚、基板回転数が４２５０ｒｐｍを超えると、駆動源自体の振動等の外乱が発生してパーティクル数が増加した。又、図１０からは、基板回転数が３５００ｒｐｍ〜４２５０ｒｐｍであれば、チャック温度を４０℃〜６０℃に設定することでパーティクルを良好に除去可能であることが確認された。更に、図１１から、チャック温度が４０℃〜６０℃であれば、乾燥時間を６秒以上に設定することでパーティクルを良好に除去可能であることが確認された。
【００２７】
又、本発明者らによる実験結果によると、基板１１の材質、チャック１２の材質及び洗浄液１３の種類にかかわらず、図９〜図１１と同様の傾向が見られることが確認された。つまり、洗浄液１３で洗浄済みの基板１１をスピン乾燥させる際に、基板１１を保持するチャック１２を加熱することで、基板１１とチャック１２との間の洗浄液１３をより確実に振り切ることが可能であることが確認された。
【００２８】
図１２は、一対の回転機構が反転テーブルに取り付けられた乾燥装置を示す側面図である。図１２において、一対の回転機構２１はチャック１２、回転板（又は、スピンドル）１７及び回転軸１９を含む同じ構成を有する。各回転機構２１は、反転テーブル２３に回転可能に設けられている。反転テーブル２３は、フレーム４１に回転可能に設けられている。反転テーブル２３のシャフト２４は、モータ２５により上限の回転機構２１の位置が反転するように例えば１８０度回転可能である。この例では、上側の回転機構２１が基板１１の受け渡しを行い、下側の回転機構２１がスピン乾燥に使用される。このため、モータ３１は、伝達機構３２，３３を介して下側の回転機構２１の回転軸１９を回転して基板１１を矢印方向に回転する。
【００２９】
次に、熱風によるチャック１２の加熱のオン・オフタイミングを、図１３と共に説明する。図１３中、図１２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。又、各回転機構２１は、図６の如き方法で加熱されるものとする。図１３及び後述する図１４及び図１５では、加熱又は余熱により目標温度を有する状態のチャック１２はクロスハッチングを付して示す。
【００３０】
図１３中、（ａ）の状態では、下側の回転機構２１が基板１１のスピン乾燥を行っているものとし、この状態で基板１１が装着されていない上側の回転機構２１のチャック１２に熱風を当ててチャック１２を目標温度まで加熱する。目標温度は、例えば４０℃〜６０℃の範囲内に設定される。上側の回転機構２１のチャック１２が目標温度に達すると、図１３（ｂ）に示すようにスピン乾燥処理を施すべき洗浄済みの基板１１を上側の回転機構２１のチャック１２に装着する。チャック１２が目標温度に達したか否かは、センサ（図示せず）を設けて検出しても、或いは、チャック１２が目標温度に達するのに要する加熱時間を予め求めておいて加熱時間が経過したか否かをタイマ（図示せず）により検出しても良い。上側の回転機構２１のチャック１２に当てる熱風は、チャック１２が目標温度に達した時点、或いは、基板１１がチャック１２に装着された時点で停止される。
【００３１】
次に、図１３（ｃ）に示すように、上側の回転機構２１のチャック１２の熱風による加熱が停止され、且つ、下側の回転機構２１のチャック１２が保持する基板１１のスピン乾燥が完了した時点で、反転テーブル２３を１８０度回転することで上側の回転機構２１と下側の回転機構２１の位置を入れ替える。従って、下側の回転機構２１のチャック１２が余熱により目標温度を有する状態で、図１３（ｄ）に示すように回転板１７を回転して基板１１に対するスピン乾燥を行うことができる。これと同時に、上側の回転機構２１から乾燥済みの基板１１を取り外す。以後は、図１３（ａ）の状態から上記と同様の動作を繰り返すことで、複数の基板１１のスピン乾燥を確実、且つ、効率的に行うことができる。
【００３２】
次に、レーザ光によるチャック１２の加熱のオン・オフタイミングを、図１４と共に説明する。図１４中、図１２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。又、各回転機構２１は、図７の如き方法で加熱されるものとする。
【００３３】
図１４中、（ａ）の状態では、下側の回転機構２１が基板１１のスピン乾燥を行っているものとし、この状態で基板１１が装着されていない上側の回転機構２１のチャック１２にレーザ光を照射してチャック１２を目標温度まで加熱する。目標温度は、例えば４０℃〜６０℃の範囲内に設定される。上側の回転機構２１のチャック１２が目標温度に達すると、図１４（ｂ）に示すようにスピン乾燥処理を施すべき洗浄済みの基板１１を上側の回転機構２１のチャック１２に装着する。チャック１２が目標温度に達したか否かは、センサ（図示せず）を設けて検出しても、或いは、チャック１２が目標温度に達するのに要する加熱時間を予め求めておいて加熱時間が経過したか否かをタイマ（図示せず）により検出しても良い。上側の回転機構２１のチャック１２へのレーザ光の照射は、チャック１２が目標温度に達した時点、或いは、基板１１がチャック１２に装着された時点で停止される。尚、図１４（ｂ）において、上側の回転機構２１のチャック１２のレーザ光の照射による加熱は、基板１１がチャック１２に装着された状態で行っても良い。
【００３４】
次に、図１４（ｃ）に示すように、上側の回転機構２１のチャック１２のレーザ光による加熱が停止され、且つ、下側の回転機構２１のチャック１２が保持する基板１１のスピン乾燥が完了した時点で、反転テーブル２３を１８０度回転することで上側の回転機構２１と下側の回転機構２１の位置を入れ替える。従って、下側の回転機構２１のチャック１２が余熱により目標温度を有する状態で、図１４（ｄ）に示すように回転板１７を回転して基板１１に対するスピン乾燥を行うことができる。これと同時に、上側の回転機構２１から乾燥済みの基板１１を取り外す。以後は、図１４（ａ）の状態から上記と同様の動作を繰り返すことで、複数の基板１１のスピン乾燥を確実、且つ、効率的に行うことができる。
【００３５】
次に、ヒータによるチャック１２の加熱のオン・オフタイミングを、図１５と共に説明する。図１５中、図１２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。又、各回転機構２１は、図８の如き方法で加熱されるものとする。
【００３６】
図１５中、（ａ）の状態では、下側の回転機構２１が基板１１のスピン乾燥を行っているものとし、この状態で基板１１が装着されていない上側の回転機構２１のチャック１２のヒータ１５に電源１４からの電流を印加してチャック１２を目標温度まで加熱する。目標温度は、例えば４０℃〜６０℃の範囲内に設定される。上側の回転機構２１のチャック１２が目標温度に達すると、図１５（ｂ）に示すようにスピン乾燥処理を施すべき洗浄済みの基板１１を上側の回転機構２１のチャック１２に装着する。チャック１２が目標温度に達したか否かは、センサ（図示せず）を設けて検出しても、或いは、チャック１２が目標温度に達するのに要する加熱時間を予め求めておいて加熱時間が経過したか否かをタイマ（図示せず）により検出しても良い。上側の回転機構２１のチャック１２のヒータ１５への電流の印加は、チャック１２が目標温度に達した時点、或いは、基板１１がチャック１２に装着された時点で停止される。尚、図１５（ｂ）において、上側の回転機構２１のチャック１２のヒータ１５による加熱は、基板１１がチャック１２に装着された状態で行っても良い。
【００３７】
次に、図１５（ｃ）に示すように、上側の回転機構２１のチャック１２のヒータ１５による加熱が停止され、且つ、下側の回転機構２１のチャック１２が保持する基板１１のスピン乾燥が完了した時点で、反転テーブル２３を１８０度回転することで上側の回転機構２１と下側の回転機構２１の位置を入れ替える。従って、下側の回転機構２１のチャック１２が余熱により目標温度を有する状態で、図１５（ｄ）に示すように回転板１７を回転して基板１１に対するスピン乾燥を行うことができる。これと同時に、上側の回転機構２１から乾燥済みの基板１１を取り外す。以後は、図１５（ａ）の状態から上記と同様の動作を繰り返すことで、複数の基板１１のスピン乾燥を確実、且つ、効率的に行うことができる。
【００３８】
尚、図１５（ｄ）において、下側の回転機構２１のチャック１２が保持する基板１１を回転中に、これらのチャック１２をヒータ１５により加熱するようにしても良い。
【００３９】
次に、本実施例における基板乾燥方法を用いた磁気記録媒体の製造方法を、図１６と共に説明する。図１６は、磁気記録媒体の製造方法の工程の一部を説明する図である。ここでは、説明の便宜上、磁気ディスクが製造される場合の前処理を説明する。
【００４０】
加工工程ＳＴ１では、基板１１の一方の表面に対してテキスチャリングや研磨等の加工が施される。加工された基板１１は、周知の反転・搬送機構により反転され、他方の表面に対してテキスチャリングや研磨等の加工が施された後、この反転・搬送機構により洗浄工程ＳＴ２へ移送される。
【００４１】
洗浄工程ＳＴ２では、基板１１の両面に対して例えば純水のシャワによる第１の洗浄工程を行い、周知の反転・搬送機構によりテープとシャワを併用した第２の洗浄工程へ移送される。第２の洗浄工程では、基板１１の一方の表面に対してテープとシャワを併用した洗浄が施される。洗浄された基板１１は、この周知の反転・搬送機構により反転され、他方の表面に対して第２の洗浄工程の洗浄が施された後、この反転・搬送機構により第３の洗浄工程へ移送され、基板１１の両面に対して例えば純水のシャワによる洗浄が行われる。第３の洗浄工程では、純水のシャワにＵＳ（Ultrasonic)波又はＭＳ（Megasonic)波を印加する。
【００４２】
第３の洗浄工程を経た基板１１は、周知の判定・搬送機構により第４の洗浄工程へ移送され、基板１１の一方の表面に対して洗浄ローラによるスクラブとシャワを併用した洗浄が施される。洗浄された基板１１は、この周知の反転・搬送機構により反転され、他方の表面に対して第４の洗浄工程の洗浄が施された後、この反転・搬送機構により第５の洗浄工程へ移送され、基板１１の一方の表面に対してシャワノズルによる純水のシャワによる洗浄が行われる。洗浄された基板１１は、この周知の反転・搬送機構により反転され、他方の表面に対して第５の洗浄工程の洗浄が施された後、この反転・搬送機構により乾燥工程ＳＴ３へ移送される。
【００４３】
乾燥工程ＳＴ３では、例えば図１２の如き乾燥装置により基板１１の乾燥が行われ、基板１１の一方の表面が乾燥されると、上記周知の反転・搬送機構により基板１１が反転され、乾燥装置により基板１１の他方の表面が乾燥される。つまり、基板１１の両面を乾燥する場合は、図１２において基板１１を乾燥させた下側の回転機構２１を上側の回転機構２１と入れ替えて基板１１を上側の回転機構２１のチャック１２から一端取り外して反転してから再度上側の回転機構２１のチャック２１に装着する。
【００４４】
乾燥工程ＳＴ３の後は、基板１１は周知の搬送機構により成膜工程へ移送され、基板１１上に磁気ディスクの記録層を含む各種層がスパッタリング等の工程により順次積層されて、最終的に磁気ディスクが製造される。磁気ディスクは、水平磁気記録方式を採用する構造を有するものであっても、垂直磁気記録方式を採用する構造を有するものであっても良い。
【００４５】
図１７は、チャックの第１の変形例を説明する図である。図１７中、図５と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１７中、（ａ）は基板１１とチャック１２Ａを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）において破線で囲んで示す部分を拡大して示す側面図である。図１７（ｂ）に示すように、チャック１２Ａが基板１１とが接触する部分には、単一の溝１２１が形成されている。溝１２１は、基板１１とチャック１２Ａとが接触する部分に残留し易い洗浄液１３を逃がす機能を有する。従って、基板１１とチャック１２Ａとが接触する部分に残留し易い洗浄液１３は、基板１１が回転される際に溝１２１の機能により振り切り易くなり、チャック１２Ａの加熱による相乗効果により、より確実に洗浄液１３を除去することができる。
【００４６】
図１８は、チャックの第２の変形例を説明する図である。図１８中、図５と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図１８中、（ａ）は基板１１とチャック１２Ｂを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）において破線で囲んで示す部分を拡大して示す側面図である。図１８（ｂ）に示すように、チャック１２Ｂが基板１１とが接触する部分には、一対の溝１２２が形成されている。溝１２２は、基板１１とチャック１２Ｂとが接触する部分に残留し易い洗浄液１３を逃がす機能を有する。従って、基板１１とチャック１２Ｂとが接触する部分に残留し易い洗浄液１３は、基板１１が回転される際に溝１２２の機能により振り切り易くなり、チャック１２Ｂの加熱による相乗効果により、より確実に洗浄液１３を除去することができる。
【００４７】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
洗浄液で洗浄済みの基板をスピン乾燥させる基板乾燥方法であって、
前記基板を保持する保持部材を加熱する、基板乾燥方法。
（付記２）
前記保持部材を、前記保持部材へ熱風を当てること、前記保持部材にレーザ光を照射すること、前記保持部材内に設けられたヒータを発熱させることのいずれかにより加熱する、付記１記載の基板乾燥方法。
（付記３）
前記保持部材を目標温度まで加熱して加熱を停止した後、余熱により前記保持部材が前記目標温度を有する状態で前記基板を回転させる、付記１又は２記載の基板乾燥方法。
（付記４）
前記目標温度は、４０℃〜６０℃の範囲内で設定される、付記３記載の基板乾燥方法。
（付記５）
前記基板の回転数は、３５００ｒｐｍ〜４２５０ｒｐｍの範囲内で設定される、付記４記載の基板乾燥方法。
（付記６）
前記保持部材を有する回転機構を一対用い、一方の回転機構により１つの基板を乾燥中に、他方の回転機構の保持部材を加熱する、付記１乃至５のいずれか１項記載の基板乾燥方法。
（付記７）
前記基板と接触する部分に前記洗浄液を逃がす溝が形成された保持部材を用いる、付記１乃至６のいずれか１項記載の基板乾燥方法。
（付記８）
付記１乃至７のずれか１項記載の基板乾燥方法により乾燥された基板に対し、記録層を含む複数の層を積層して磁気記録媒体を製造する、磁気記録媒体の製造方法。
（付記９）
洗浄液で洗浄済みの基板をスピン乾燥させる乾燥装置であって、
前記基板を保持する保持部材を加熱する機構を備えた、乾燥装置。
（付記１０）
各々が前記保持部材を有する一対の回転機構を備え、
一方の回転機構により１つの基板を乾燥中に、他方の回転機構の保持部材が加熱される、付記９記載の乾燥装置。
【００４８】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４９】
１１基板
１２，１２Ａ，１２Ｂチャック
１３洗浄液
１７回転板
２１回転機構

【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄液で洗浄済みの基板をスピン乾燥させる基板乾燥方法であって、
前記基板を保持する保持部材を加熱する、基板乾燥方法。
【請求項２】
前記保持部材を目標温度まで加熱して加熱を停止した後、余熱により前記保持部材が前記目標温度を有する状態で前記基板を回転させる、請求項１記載の基板乾燥方法。
【請求項３】
前記目標温度は、４０℃〜６０℃の範囲内で設定される、請求項２記載の基板乾燥方法。
【請求項４】
前記基板の回転数は、３５００ｒｐｍ〜４２５０ｒｐｍの範囲内で設定される、請求項３記載の基板乾燥方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のずれか１項記載の基板乾燥方法により乾燥された基板に対し、記録層を含む複数の層を積層して磁気記録媒体を製造する、磁気記録媒体の製造方法。

【図１】