【課題】４００〜４１０ｎｍの波長の露光光に対する感度分布が略一定で、パターン再現性に優れ、パターン形状のバラツキが極めて抑制され、明室環境下の取り扱いが可能な感光性組成物、該感光性組成物を積層したパターン形成材料及び感光性積層体、パターン形成装置、パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】支持体上に少なくとも感光層を有し、該感光層が、バインダー、重合性化合物、光重合開始剤及び増感剤を含み、該感光層が３８０〜４２０ｎｍの波長域に分光感度の極大値を有するとともに、４００ｎｍにおけるパターン形成可能な最小露光量Ｓ₄₀₀が２００ｍＪ／ｃｍ²以下であり、４１０ｎｍにおけるパターン形成可能な最小露光量Ｓ₄₁₀が２００ｍＪ／ｃｍ²以下であり、かつ、０．６＜Ｓ₄₀₀／Ｓ₄₁₀＜１．４を満たす感光性組成物、該感光性組成物を積層したパターン形成材料である。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダー、重合性化合物、光重合開始剤、熱架橋剤及び重合禁止剤を含み、
３８０〜４２０ｎｍの波長域に分光感度の極大値を有するとともに、
４００ｎｍにおけるパターン形成可能な最小露光量Ｓ₄₀₀が３００ｍＪ／ｃｍ²以下であり、
４１０ｎｍにおけるパターン形成可能な最小露光量Ｓ₄₁₀が３００ｍＪ／ｃｍ²以下であり、かつ、
該Ｓ₄₀₀と、該Ｓ₄₁₀とが、０．６＜Ｓ₄₀₀／Ｓ₄₁₀＜１．６を満たし、
該バインダーがエポキシアクリレート化合物からなり、
該重合禁止剤の含有量が該重合性化合物に対して０．００１〜５質量％である
ことを特徴とする、ソルダーレジスト用の感光性組成物。
【請求項２】
光重合性開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩及びメタロセン類から選択される少なくとも１種を含む請求項１に記載の感光性組成物。
【請求項３】
熱架橋剤が、エポキシ樹脂化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物及びメラミン誘導体から選択される少なくとも１種である請求項１又は２に記載の感光性組成物。
【請求項４】
光重合開始剤及び光重合開始系のいずれかが、ハロゲン化炭化水素誘導体、ホスフィンオキサイド、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、アシルホスフィンオキシド化合物、芳香族オニウム塩及びケトオキシムエーテルから選択される少なくとも１種を含む請求項１から３のいずれかに記載の感光性組成物。
【請求項５】
支持体上に請求項１から４のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層を有することを特徴とするパターン形成材料。
【請求項６】
基板上に請求項１から４のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層を有することを特徴とする感光性積層体。
【請求項７】
請求項５に記載のパターン形成材料及び請求項６に記載の感光性積層体の少なくともいずれかを備えており、
光を照射可能な光照射手段と、該光照射手段からの光を変調し、前記パターン形成材料における感光層及び前記感光性積層体における感光層の少なくともいずれかの前記感光層に対して、露光を行う光変調手段とを少なくとも有することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項８】
請求項５に記載のパターン形成材料における感光層及び請求項６に記載の感光性積層体における感光層の少なくともいずれかの前記感光層に対し、露光を行うことを少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】
露光が、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成し、該制御信号に応じて変調させた光を用いて行われる請求項８に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
露光が、光変調手段により光を変調させた後、前記光変調手段における描素部の出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通して行われる請求項８又は９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
非球面が、トーリック面である請求項１０に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
露光が、３９５〜４１５ｎｍの波長のレーザ光を用いて行われる請求項８から１１のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１３】
露光が行われた後、感光層の現像を行う請求項８から１２のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
現像が行われた後、エッチングパターンの形成を行う請求項８から１３のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
請求項５に記載のパターン形成材料における感光層及び請求項６に記載の感光性積層体における感光層の少なくともいずれかの前記感光層に対し、請求項８から１４のいずれかに記載の露光及び現像が行われた後、前記感光層に対して硬化処理を行うことを特徴とする永久パターン形成方法。
【請求項１６】
保護膜、層間絶縁膜及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかを形成する請求項１５に記載の永久パターン形成方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１３】

【図２１】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７ａ】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図４】

【図１２】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９ａ】

【図１９ｂ】

【図１９ｃ】

【図１９ｄ】

【図２０ａ】

【図２０ｂ】

【図２０ｃ】

【図２０ｄ】

【図２２】

【図２３】

【図２７ｂ】

【図２８】

【公開番号】特開２０１１−６５１７１（Ｐ２０１１−６５１７１Ａ）
【公開日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３３９５３（Ｐ２０１０−２３３９５３）
【出願日】平成２２年１０月１８日（２０１０．１０．１８）
【分割の表示】特願２００５−２０６１１６（Ｐ２００５−２０６１１６）の分割
【原出願日】平成１７年７月１４日（２００５．７．１４）
【出願人】（３０９００２３２９）旭化成イーマテリアルズ株式会社 (771)
【Ｆターム（参考）】