成膜方法、及び成膜装置
【課題】液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】＋Ｘ方向に配列する複数のノズルの各々から対向する複数の目標点Ｔの各々に実質的に同じタイミングで液滴を着弾させることによって＋Ｘに連続する液膜Ｆを形成する。各熱伝導部材２６が、高伝導領域Ｒｃと対向する加熱面１２ａ上の位置に配設されて、加熱面１２ａからの熱量を、当接する基板Ｓの裏面に供給する。そして、＋Ｘ方向における所定幅の両端部分と、＋Ｙ方向に沿う液膜Ｆの両端部分とがそれぞれ中間部分よりも低温になる温度分布を液膜Ｆに形成して液膜Ｆを乾燥する。
【解決手段】＋Ｘ方向に配列する複数のノズルの各々から対向する複数の目標点Ｔの各々に実質的に同じタイミングで液滴を着弾させることによって＋Ｘに連続する液膜Ｆを形成する。各熱伝導部材２６が、高伝導領域Ｒｃと対向する加熱面１２ａ上の位置に配設されて、加熱面１２ａからの熱量を、当接する基板Ｓの裏面に供給する。そして、＋Ｘ方向における所定幅の両端部分と、＋Ｙ方向に沿う液膜Ｆの両端部分とがそれぞれ中間部分よりも低温になる温度分布を液膜Ｆに形成して液膜Ｆを乾燥する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics ）からなる多層基板は、優れた高周波特性と高い耐熱性を有するため、高周波モジュールの基板やＩＣパッケージの基板等に広く利用される。ＬＴＣＣ多層基板に用いられる配線等の膜パターンの製造方法としては、生産性の向上と低コスト化とを図るために、インクジェット法が注目されている。インクジェット法は、配線材料を含む液状体を液滴にして吐出する液滴吐出ヘッドを用い、液滴吐出ヘッドと基板とを主走査方向に相対移動させながら液滴吐出ヘッドに液滴を吐出させる。配線材料を含む複数の液滴は、基板の主走査方向に沿って順に合一することにより、主走査方向に連続するライン状の液膜を形成する。インクジェット法は、このライン状の液膜を乾燥することによりパターンを形成する。
【０００３】
特許文献１は、ライン状の液膜の表面に温度勾配を与え、主走査方向を挟んで両側にそれぞれ高温側の表面と低温側の表面を設ける。温度勾配を有する液膜は、自身の表面に表面張力の分布を形成し、内部にマランゴニ対流を発生させる。液膜の高温側の端部から流出する熱毛管流は、液膜に与えられる温度勾配によって、低温側の端部に届く前に基板に向けて下降する。この結果、低温側の端部には、マランゴニ対流の流路に含まれない配線材料が析出し、この析出する配線材料によって液膜の濡れ広がりがピン止めされる。一方、高温側の端部には、配線材料が対流によって運搬され続けるため、配線材料が析出し難くなる。そのため、液膜の乾燥が進むに連れて、液膜の高温側が低温側の端部に向けて収縮し、液膜の低温側の端部にのみ配線材料が析出する。この結果、液膜は、自身の幅よりも狭い線幅の配線パターンを形成する。
【０００４】
上記インクジェット法は、液晶表示装置に利用される配向膜の成膜方法としても注目されている（例えば、特許文献２）。図１０（ａ）、（ｂ）と図１１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ配向膜の成膜工程を模式的に示す平面図及び側面図である。配向膜の成膜工程においては、基板Ｓの上に液滴Ｄを吐出して液膜Ｆを形成する液滴吐出処理と、液膜Ｆに含まれる溶媒等を蒸発させて液膜Ｆを乾燥する乾燥処理とが行われる。
【０００５】
図１０に示すように、液滴吐出処理においては、基板Ｓの表面（以下単に、吐出面Ｓａという。）に、上下方向に延びる複数の吐出領域Ｒが左右方向に連続して仮想分割される。液滴吐出ヘッド２０は、最も左側の吐出領域Ｒの上から順に矢印方向に沿って移動し、配向膜材料を含む複数の液滴Ｄを各吐出領域Ｒの全体に吐出し、これにより複数の吐出領域Ｒの各々に帯状の液膜Ｆを形成する。すなわち、液滴吐出ヘッド２０は、マルチスキャンにより各液膜Ｆを形成する。あるいは、図１１に示すように、左右方向に配列する複数の液滴吐出ヘッド２０が、それぞれ各吐出領域Ｒの全体にわたり液滴Ｄを吐出し、これにより複数の吐出領域Ｒの各々に液膜Ｆを形成する。すなわち、複数の液滴吐出ヘッド２０は、シングルスキャンにより各液膜Ｆを形成する。複数の液膜Ｆの各々は、液滴吐出処理の処理時間の経過に伴い、それぞれ隣接する他の液膜Ｆと合一して基板Ｓの全体にわたり膜を形成する。
【特許文献１】特開２００５−１５２７５８号公報
【特許文献２】特開２００６−１５２７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記マルチスキャン方式を用いて膜を形成するとき、隣接する液膜Ｆの境界では、液滴Ｄの着弾するタイミングが、液滴吐出ヘッドの１回の走査時間分だけ異なる。また、上記シングルスキャン方式を用いる場合であっても、隣接する液膜Ｆの境界では、液滴Ｄの着弾するタイミングが、各液滴吐出ヘッド２０の間の距離の走査時間分だけ異なる。
【０００７】
各液膜Ｆの縁部（例えば、左右方向の両端部分Ｆｅ）においては、それぞれ単位容積当たりの表面積が大きくなるため、蒸発成分の蒸発確率が高くなり、液膜Ｆの乾燥速度を中央部分Ｆｃの乾燥速度よりも速くする。この結果、液膜Ｆの両端部分Ｆｅでは、液状体の増粘によって自身の内部に配向膜材料の流動を発生させて、配向膜材料の濃度を局所的に高くしてしまう。この結果、合一した液膜Ｆを乾燥すると、乾燥後の膜には、各液膜Ｆの両端部分Ｆｅに膜厚段差（図１０及び図１１に示す濃淡）が形成されてしまう。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させる成膜方法及び成膜装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の成膜方法は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、前記対象物上の点列の各点に前記液滴を着弾させることによって前記点列上に液膜を形成する工程と、前記点列の列方向における所定幅の両端部分が前記列方向の中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を乾燥する工程とを有する。
【００１０】
本発明の成膜方法によれば、列方向に沿う座標系において、液膜の両端部分は、中央部分に比べて低温になる分だけ、液状体の蒸発確率を低くする。したがって、液膜の両端部分は、膜材料の偏りを回避することができる。この結果、本発明の成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００１１】
この成膜方法において、前記液膜を形成する工程は、前記列方向に配列する複数のノズルの各々から前記点列の各点に同じタイミングで前記液滴を着弾させることにより前記液膜を形成する。
【００１２】
この成膜方法によれば、配列する複数のノズルからの液滴は、実質的に同じタイミングで着弾して、列方向に連続する液膜を形成する。そして、列方向に連続する液膜は、その両端部分が低温になる分だけ、膜厚均一性を向上する。したがって、配列する複数のノズルは、液滴の吐出タイミングを変更することなく、膜厚均一性を向上することができる。よって、この成膜方法は、膜厚均一性を、より簡便な構成の下で向上することができる。
【００１３】
この成膜方法は、前記液膜を形成する工程が、前記列方向に配列する複数のノズルの各々から前記点列の各点に同じタイミングで前記液滴を着弾させるとともに、前記複数のノズルと前記対象物とを前記列方向と交差する方向に相対移動させることにより前記交差する方向に連続する液膜を形成し、前記液膜を乾燥する工程が、前記列方向における所定幅の両端部分と、前記交差する方向における所定幅の両端部分とが前記中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を乾燥する構成が好ましい。
【００１４】
この成膜方法によれば、液膜の全周縁が、中央部分に比べて低温になる。したがって、液膜は、膜材料の偏りを全周縁にわたって回避させることができる。この結果、この成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、さらに向上させることができる。
【００１５】
この成膜方法は、前記液膜を乾燥する工程において、前記両端部分と前記中間部分との間が、それぞれ前記中間部分よりも高温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を
乾燥する構成が好ましい。
【００１６】
この成膜方法によれば、液膜の両端部分の近傍は、中央部分に比べて高温になる分だけ、蒸発確率を高くする。したがって、両端部分の近傍の膜材料が、両端部分に流動し難くなる。よって、この成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、さらに向上させることができる。
【００１７】
本発明の成膜方法は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列に第一液膜を形成し、前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成する工程と、前記第一点列の座標系における前記第一膜の膜厚分布を計測する工程と、対象物上の第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列に第二液膜を形成する工程と、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に厚い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも低温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する工程とを有する。
【００１８】
本発明の成膜方法によれば、第二液膜は、所定温度の乾燥により相対的に厚い膜になり得る座標の温度を、相対的に低温に補正する。したがって、第二液膜は、相対的に厚膜になり得る部分の蒸発確率を低くすることができ、膜材料の偏りを回避させることができる。よって、本発明の成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００１９】
本発明の成膜方法は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列に第一液膜を形成し、前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成する工程と、前記第一点列の座標系における前記第一膜の膜厚分布を計測する工程と、対象物上の第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列に第二液膜を形成する工程と、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に薄い膜厚値の座標を、前記所定温度より高温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する工程とを有する。
【００２０】
本発明の成膜方法によれば、第二液膜は、所定温度下の乾燥により相対的に薄い膜になり得る座標の温度を、相対的に高温に補正する。したがって、第二液膜は、相対的に膜になり得る部分の蒸発確率を低くすることができ、膜材料の偏りを回避させることができる。よって、本発明の成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００２１】
本発明の成膜装置は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部とを有する成膜装置であって、前記液滴吐出ヘッドは、前記対象物上の点列の各点に前記液滴を着弾させることによって前記点列上に液膜を形成し、前記乾燥部は、前記列方向における所定幅の両端部分が前記列方向の中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成することにより前記対象物に前記膜を形成する。
【００２２】
本発明の成膜装置によれば、乾燥部は、液膜の両端部分の温度を中央部分に比べて低くすることにより、両端部分の蒸発確率を低くする。したがって、液膜の両端部分は、膜材
料の偏りを回避することができる。この結果、本発明の成膜装置は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００２３】
この成膜装置は、前記乾燥部が、前記対象物と対向する加熱面を有するヒータと、前記中間部分に対向する前記加熱面上の領域に配置されて、前記対象物と当接することにより、前記加熱面から受ける熱を前記中間部分に伝導する熱伝導部材とを有する構成であってもよい。
【００２４】
この成膜装置によれば、乾燥部は、熱伝導部材を介する中央部分の加熱により、両端部分の温度を低くする。したがって、この成膜装置は、加熱面と対象物との間に熱伝導部材を挟入するだけで、膜材料の偏りを回避することができる。よって、この成膜装置は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、より簡単な構成の下で向上させることができる。
【００２５】
この成膜装置において、前記乾燥部は、前記列方向に配列して前記対象物と熱的に接触する複数のヒータを有する。
この成膜装置によれば、列方向に配列される複数のヒータの各々が、両端部分と中間部分との間の温度差を形成する。したがって、成膜装置は、両端部分と中間部分との間の温度差を、異なるヒータにより形成するため、液膜に与える温度分布をより高い精度の下で形成することができる。
【００２６】
本発明の成膜装置は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部と、前記液滴吐出ヘッドと前記乾燥部とを制御する制御部とを有する成膜装置であって、前記制御部は、前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列上に第一液膜を形成し、前記乾燥部を駆動して前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成し、前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上に第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列上に第二液膜を形成し、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記乾燥部を駆動して前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に厚い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも低温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する。
【００２７】
本発明の成膜装置によれば、第二液膜は、所定温度の乾燥により相対的に厚い膜になり得る座標の温度を、相対的に低温に補正する。したがって、第二液膜は、相対的に厚膜になり得る部分の蒸発確率を低くすることができ、膜材料の偏りを回避させることができる。よって、本発明の成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００２８】
本発明の成膜装置は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部と、前記液滴吐出ヘッドと前記乾燥部とを制御する制御部とを有する成膜装置であって、前記制御部が、前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列上に第一液膜を形成し、前記乾燥部を駆動して前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成し、前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上に第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列上に第二液膜を形成し、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記乾燥部を駆動して前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に薄い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも高温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する。
【００２９】
本発明の成膜装置によれば、第二液膜は、所定温度の乾燥により相対的に薄い膜になり得る座標の温度を、相対的に低温に補正する。したがって、第二液膜は、相対的に厚膜になり得る部分の蒸発確率を低くすることができ、膜材料の偏りを回避させることができる。よって、本発明の成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
（第一実施形態）
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図６に従って説明する。図１は、成膜装置としての液滴吐出装置１０を示す斜視図である。
【００３１】
図１において、液滴吐出装置１０は、一つの方向に延びる基台１１と、基台１１の上に搭載されて基板Ｓを載置する基板ステージ１２とを有する。基板ステージ１２は、基板Ｓの一つの面を上に向けた状態で基板Ｓを位置決め固定して、基台１１の長手方向に沿って基板Ｓを搬送する。基板Ｓとしては、グリーンシート、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板、樹脂フィルム等の基板が用いられる。
【００３２】
本実施形態においては、基板Ｓの上面を吐出面Ｓａという。吐出面Ｓａは、所望の膜を形成するための面であり、液滴を着弾させるための位置を目標点として有する。基板Ｓが搬送される方向であって、図１において左上方向に向かう方向を＋Ｙ方向という。また、＋Ｙ方向と直交する方向であって、図１において右上方向に向かう方向を＋Ｘ方向とし、基板Ｓの法線方向をＺ方向という。
【００３３】
液滴吐出装置１０は、基台１１を跨ぐ門型のガイド部材１３と、ガイド部材１３の上側に配設されるインクタンク１４とを有する。インクタンク１４は、液状体としてのインクＩｋを貯留するとともに、貯留するインクＩｋを所定圧力で導出する。インクＩｋとしては、膜材料としての配向膜材料を分散させた配向膜用インク、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide
）微粒子を分散させたＩＴＯインク等のインクが用いられる。
【００３４】
ガイド部材１３は、キャリッジ１５を＋Ｘ方向及び＋Ｘ方向の反対方向（−Ｘ方向）に沿って移動可能に支持する。キャリッジ１５は、液滴吐出ヘッド２０を搭載して＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に沿って移動する。キャリッジ１５は、基板Ｓが＋Ｙ方向に搬送されるときに＋Ｘ方向あるいは−Ｘ方向に移動し、液滴吐出ヘッド２０を目標点の搬送経路の上に配置する。なお、基板Ｓが＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に搬送される動作を、主走査という。また、液滴吐出ヘッド２０が＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に搬送されて目標点の搬送経路の上に配置される動作を、副走査という。
【００３５】
次に、液滴吐出ヘッド２０について以下に説明する。図２は、液滴吐出ヘッド２０を基板ステージ１２から見た斜視図である。図３は、液滴吐出ヘッド２０の内部を模式的に示す図である。図４は、液滴吐出ヘッド２０を用いて吐出する液滴Ｄの吐出位置を示す平面図である。
【００３６】
図２において、液滴吐出ヘッド２０は、＋Ｘ方向に延びるヘッド基板２１と、ヘッド基板２１に搭載されるヘッド本体２２とを有する。ヘッド基板２１は、キャリッジ１５に位置決め固定されて、基板Ｓに対して＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に沿って移動する。ヘッド基板２１は、その一側端に入力端子２１ａを有して、入力端子２１ａに入力される各種の駆動信号をヘッド本体２２に出力する。
【００３７】
ヘッド本体２２は、基板Ｓと対向する側面の＋Ｘ方向の略全幅にわたりｉ個（ｉは１以
上の整数）のノズルＮを有する。各ノズルＮは、それぞれＺ方向に延びる円形孔であって、＋Ｘ方向に沿って所定のピッチで形成される。ヘッド本体２２は、例えば＋Ｘ方向に沿って１４１μｍのピッチで配列する１８０個のノズルＮを有する。本実施形態においては、ノズルＮの形成ピッチを、ノズルピッチＤｘとし、各ノズルＮからなるノズル列の幅をノズル列幅Ｒｗという。なお、図２では、ノズルＮの配置を説明するためにノズルＮの数量を簡略化して示す。
【００３８】
図３において、ヘッド本体２２は、ノズルＮごとに、一つのキャビティ２４と、該キャビティ２４の内部に圧力を与える一つの圧力発生素子２５とを有する。すなわち、ヘッド本体２２は、ノズルＮの数量と同じｉ個のキャビティ２４と、ｉ個の圧力発生素子２５とを有する。各キャビティ２４と各圧力発生素子２５とは、それぞれノズルＮの直上に配設されることにより、該ノズルＮに対応付けられる。各キャビティ２４は、それぞれ共通するインクタンク１４に接続されてインクタンク１４からのインクＩｋを収容し、連通するノズルＮにインクＩｋを供給する。各ノズルＮは、それぞれ連通するキャビティ２４からのインクＩｋを受けて、自身の開口に気液界面（以下単に、メニスカスという。）Ｍを形成する。
【００３９】
各圧力発生素子２５は、それぞれ接続されるキャビティ２４の内部に所定圧力を与えて、該キャビティ２４の内部の圧力を増大及び減少させることにより、該キャビティ２４に連通するノズルＮのメニスカスＭを振動させる。圧力発生素子２５としては、例えばキャビティ２４の容積を機械的に拡大及び縮小させる圧電素子、あるいはキャビティ２４の温度を局所的に上昇及び下降させる抵抗加熱素子を用いることができる。
【００４０】
吐出面Ｓａの目標点Ｔが、選択されるノズルＮ（以下単に、選択ノズルという。）の直下に位置するとき、選択ノズルに連通するキャビティ２４は、対応する圧力発生素子２５の駆動力を受けることにより、選択ノズルのメニスカスＭを振動させて、インクＩｋの一部を所定重量の液滴Ｄにして選択ノズルから吐出させる。ノズルＮから吐出される液滴Ｄは、吐出面Ｓａの法線に沿って飛行して目標点Ｔに着弾する。
【００４１】
図４において、基板Ｓの吐出面Ｓａは、一点鎖線に示すように、＋Ｙ方向に延びる複数の吐出領域Ｒを有する。各吐出領域Ｒは、それぞれ＋Ｘ方向にノズル列幅Ｒｗの幅を有する領域であり、ドットパターン格子ＳＬによって仮想分割される。各ドットパターン格子ＳＬにおいて、＋Ｙ方向の格子間隔と＋Ｘ方向の格子間隔は、それぞれ液滴Ｄの吐出間隔によって規定される。例えば、各ドットパターン格子ＳＬの＋Ｙ方向の格子間隔は、それぞれ液滴吐出ヘッド２０の吐出周期と基板Ｓの主走査速度との積によって規定される。各ドットパターン格子ＳＬの＋Ｘ方向の格子間隔は、それぞれノズルピッチＤｘによって規定される。
【００４２】
液滴Ｄを吐出するか否かの選択は、各ドットパターン格子ＳＬの格子点ごとに規定される。本実施形態では、各吐出領域Ｒにおける全ての格子点が目標点Ｔとして選択される。なお、図４では、ドットパターン格子ＳＬの位置を説明するため、ドットパターン格子ＳＬの格子間隔を拡大して示す。
【００４３】
液滴Ｄの吐出処理を実行するとき、液滴吐出ヘッド２０の各ノズルＮは、それぞれ＋Ｙ方向に連続する一群の目標点Ｔの延長線上に配置される。基板Ｓが主走査されるとき、液滴吐出ヘッド２０の各ノズルＮは、それぞれ＋Ｘ方向に配列するｉ個の目標点Ｔに対して同じタイミングで対向する。すなわち、＋Ｘ方向に配列するｉ個の目標点Ｔには、それぞれ実質的に同じタイミングで液滴Ｄが着弾する。着弾するｉ個の液滴Ｄは、列方向としての＋Ｘ方向に沿って合一して＋Ｘ方向に連続する液膜Ｆを形成する。なお、実質的に同じタイミングとは、＋Ｘ方向に配列するｉ個の目標点Ｔにおいて、着弾するｉ個の液滴Ｄが
＋Ｘ方向に連続する液膜を形成するタイミングであって、隣接する液滴Ｄの間の着弾タイミングの差異によって該液滴Ｄの間に膜厚段差を来たさないタイミングである。
【００４４】
実質的に同じタイミングで着弾する一群の液滴Ｄ（ｉ個の液滴Ｄ）は、後続する一群の液滴Ｄが順に−Ｙ方向に着弾することにより、＋Ｙ方向に沿って延びる帯状の液膜Ｆを形成する。
【００４５】
次に、基板ステージ１２について以下に説明する。図５（ａ）、（ｂ）は、それぞれ基板Ｓを載置する状態の基板ステージ１２を示す平面図及び側断面である。
図５において、基板ステージ１２は、基板ステージ１２の全体を加熱するヒータＨを有する。ヒータＨは、液滴Ｄの吐出処理を実行するとき、所定の駆動信号を受けて基板ステージ１２の上面（以下単に、加熱面１２ａという。）の全体を昇温して所定温度に維持する。基板ステージ１２は、加熱面１２ａに複数の熱伝導部材２６を有する。本実施形態においては、基板ステージ１２、ヒータＨ、及び熱伝導部材２６によって乾燥部が構成される。
【００４６】
各熱伝導部材２６は、それぞれ熱伝導性の高い金属材料からなる板部材であって、＋Ｙ方向に延びる帯状を呈する。各熱伝導部材２６は、加熱面１２ａに対して配置変更を可能に位置決めされている。各熱伝導部材２６の上面（以下単に、伝導面２６ａという。）は、それぞれ基板Ｓの裏面に対して熱的に高い結合を有する平滑面である。各熱伝導部材２６は、それぞれ加熱面１２ａから受ける熱エネルギーを、自身の伝導面２６ａと当接する基板Ｓの領域に伝達する。熱伝導部材２６の＋Ｘ方向の幅は、それぞれノズル列幅Ｒｗよりも若干小さい幅（以下単に、伝導幅Ｃｗという。）を有する。各熱伝導部材２６は、それぞれ基板Ｓを載置するとき、Ｚ方向から見て、各吐出領域Ｒの内側に配設されて、これによって各吐出領域Ｒの＋Ｘ方向及び−Ｘ方向の両端部分、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向の両端部分に、それぞれ伝導面２６ａから離間する領域を形成する。
【００４７】
本実施形態においては、吐出領域Ｒであって、Ｚ方向から見て伝導面２６ａと重畳する領域を、中間部分としての高伝導領域Ｒｃという。また、吐出領域Ｒであって、高伝導領域Ｒｃを除く領域を、すなわち高伝導領域Ｒｃの全外周を囲う領域を、低伝導領域Ｒｅという。＋Ｘ方向に連続するｉ個の目標点Ｔの内でｊ個（ｊは１以上の整数）の目標点Ｔは、それぞれ高伝導領域Ｒｃに配置される。また、＋Ｘ方向に連続するｉ個の目標点Ｔの内でｉ−ｊ個の目標点Ｔは、それぞれ低伝導領域Ｒｅに配置される。
【００４８】
液滴Ｄの吐出処理を実行するとき、加熱面１２ａは、ヒータＨからの熱エネルギーを各熱伝導部材２６に供給する。各熱伝導部材２６は、それぞれ加熱面１２ａからの熱エネルギーを、伝導面２６ａと当接する基板Ｓに供給する。基板Ｓは、伝導面２６ａからの熱エネルギーを吸収して昇温する。なお、図５（ｂ）においては、高温の領域に薄いグラデーションを付し、低温の領域に濃いグラデーションを付して示す。
【００４９】
この際、基板Ｓの温度は、伝導面２６ａに近くなるほど高くなり、反対に、伝導面２６ａから離れるほど低くなる。各吐出領域Ｒにおいては、それぞれ伝導面２６ａに近い高伝導領域Ｒｃが相対的に高温になり、反対に、伝導面２６ａから遠い低伝導領域Ｒｅが相対的に低温になる。各高伝導領域Ｒｃは、それぞれ伝導面２６ａからの熱エネルギーを受けて、自身の上にあるインクＩｋに対して相対的に高い熱エネルギーを供給する。反対に、各低伝導領域Ｒｅは、それぞれ自身の上にあるインクＩｋに対して相対的に低い熱エネルギーを供給する。
【００５０】
基板Ｓが主走査されるとき、液滴吐出ヘッド２０は、＋Ｘ方向に連続するｉ個の目標点Ｔに、すなわち高伝導領域Ｒｃにあるｊ個の目標点Ｔと、低伝導領域Ｒｅにあるｉ−ｊ個
の目標点Ｔとに、それぞれ同じタイミングで液滴Ｄを着弾させる。同じタイミングで着弾するｉ個の液滴Ｄは、＋Ｘ方向に沿って合一して＋Ｘ方向に連続する液膜Ｆを形成する。この際、ｉ−ｊ個の液滴Ｄにより形成される液膜Ｆにおいては、＋Ｘ方向における両端部分が、中央部分に比べて、単位容積当たりの表面積を小さくする。一方、この液膜Ｆの両端部分は、液膜Ｆの中央部分に比べて、基板Ｓから受ける熱エネルギーを小さくするため、その温度を低くする。
【００５１】
この結果、液膜Ｆの両端部分及び中央部分では、蒸発成分の蒸発確率が略同じになり、液膜Ｆの両端部分では、膜材料の流動が抑制される。したがって、液膜Ｆは、その膜材料の濃度を均一にすることができ、乾燥後の液膜Ｆは、両端部分における膜材料の流動を抑制する分だけ、均一な膜厚を呈する。
【００５２】
なお、本発明において、高伝導領域Ｒｃ及び低伝導領域Ｒｅのサイズは、インクＩｋの材料、吐出面Ｓａの表面状態、ヒータＨの出力等に応じて適宜選択される。すなわち、高伝導領域Ｒｃ及び低伝導領域Ｒｅのサイズは、＋Ｘ方向に沿う液膜Ｆの両端部分及び中央部分において蒸発確率を略同じにするように適宜選択される。
【００５３】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置１０の電気的構成を図５に従って説明する。図５は、液滴吐出装置１０の電気的構成を示す電気ブロック回路図である。
図５において、制御部３０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を有する。制御部３０は、ＲＯＭとＲＡＭに格納される各種制御プログラムと各種データに従って、基板ステージ１２を用いる基板Ｓの主走査、キャリッジ１５を用いる液滴吐出ヘッド２０の副走査、液滴吐出ヘッド２０を用いる液滴吐出処理、及びヒータＨを用いる液膜Ｆの乾燥処理を実行する。
【００５４】
制御部３０は、各種操作スイッチやディスプレイを有する入出力装置３１に接続されて、入出力装置３１から入力される各種信号を受信する。制御部３０は、例えば入出力装置３１から液滴吐出処理と乾燥処理を実行するための既定形式のプロセスデータＩｐを受信する。
【００５５】
制御部３０は、入出力装置３１からのプロセスデータＩｐを受信すると、プロセスデータＩｐに所定の展開処理を施して、ドットパターンデータＤＰＤを生成する。ドットパターンデータＤＰＤは、ドットパターン格子ＳＬの格子点の数量と同じビット長からなるデータであり、ドットパターン格子ＳＬの格子点ごとに液滴Ｄを吐出するか否かを規定するデータである。すなわち、ドットパターンデータＤＰＤは、各ビットの値（“０”もしくは“１”）に応じて圧力発生素子２５のオンあるいはオフを規定するデータである。
【００５６】
また、制御部３０は、入出力装置３１からのプロセスデータＩｐを受信すると、プロセスデータＩｐに所定の展開処理を施して、加熱面１２ａの目標温度に関するデータ（以下単に、目標温度データＨＣＤという。）を格納する。
【００５７】
制御部３０は、基板検出装置３２に接続されている。基板検出装置３２は、基板Ｓの端縁を検出する撮像機能等を有する。制御部３０は、基板検出装置３２からの検出信号を受けて、液滴吐出ヘッド２０に対する基板Ｓの相対位置、すなわち液滴吐出ヘッド２０に対する各目標点Ｔの相対位置を演算する。
【００５８】
制御部３０は、基板ステージ駆動回路３３に接続されて、基板ステージ駆動回路３３に対応する制御信号を基板ステージ駆動回路３３に入力する。基板ステージ駆動回路３３は、制御部３０からの制御信号に応答して、基板ステージ１２を移動させるためのステージモータＭＳを正転又は逆転させる。基板ステージ駆動回路３３は、ステージモータエンコ
ーダＥＳからの検出信号を受信してステージモータＭＳの回転方向及び回転数を演算する。制御部３０は、基板ステージ駆動回路３３からの演算結果を用いて基板ステージ１２の移動方向及び移動量を演算し、吐出面Ｓａの目標点ＴがノズルＮの直下に位置するか否かを判断する。制御部３０は、各目標点ＴがノズルＮの直下に位置するたびにタイミング信号ＬＴを生成し、吐出ヘッド駆動回路３５にタイミング信号ＬＴを出力する。
【００５９】
制御部３０は、キャリッジ駆動回路３４に接続されて、キャリッジ駆動回路３４に対応する制御信号をキャリッジ駆動回路３４に入力する。キャリッジ駆動回路３４は、制御部３０からの制御信号に応答して、キャリッジ１５を移動させるためのキャリッジモータＭＣを正転又は逆転させる。キャリッジ駆動回路３４は、キャリッジモータエンコーダＥＣからの検出信号を受信してキャリッジモータＭＣの回転方向及び回転数を演算する。制御部３０は、キャリッジ駆動回路３４からの演算結果を用いてキャリッジ１５の移動方向及び移動量を演算し、各目標点Ｔの主走査経路の上に各ノズルＮを配置する。
【００６０】
制御部３０は、吐出ヘッド駆動回路３５に接続されて、吐出ヘッド駆動回路３５にタイミング信号ＬＴと、圧力発生素子２５を駆動するための駆動波形信号ＣＯＭとを入力する。また、制御部３０は、ドットパターンデータＤＰＤをシリアル転送するためのシリアルパターンデータＳＩを生成し、吐出ヘッド駆動回路３５にシリアルパターンデータＳＩをシリアル転送する。吐出ヘッド駆動回路３５は、制御部３０からのシリアルパターンデータＳＩを受信してシリアル／パラレル変換し、ｉ個のノズルＮ、すなわちｉ個の圧力発生素子２５の各々に対してドットパターンデータＤＰＤの各ビット値を対応させたパラレルパターンデータを生成する。吐出ヘッド駆動回路３５は、制御部３０からのタイミング信号ＬＴを受けるとき、パラレルパターンデータに基づいて吐出動作の選択される圧力発生素子２５に駆動波形信号ＣＯＭを供給する。本実施形態において、吐出ヘッド駆動回路３５は、タイミング信号ＬＴを受けるとき、全ての圧力発生素子２５に駆動波形信号ＣＯＭを供給する。これによって、制御部３０は、＋Ｘ方向に沿って連続する各目標点Ｔに、それぞれ実質的に同じタイミングで液滴Ｄを着弾させる。
【００６１】
制御部３０は、ヒータ駆動回路３６に接続されている。制御部３０は、目標温度データＨＣＤを参照して、加熱面１２ａの温度を目標温度にするためのヒータ駆動信号ＳＨを生成し、ヒータ駆動回路３６にヒータ駆動信号ＳＨを出力する。ヒータ駆動回路３６は、制御部３０からのヒータ駆動信号ＳＨに応答してヒータＨを通電して駆動させ、これによって加熱面１２ａを昇温して所定温度に維持する。
【００６２】
次に、液滴吐出装置１０を用いて成膜する方法について説明する。
まず、図１に示すように、基板ステージ１２の上には、吐出面Ｓａを上側にする基板Ｓが載置される。このとき、基板Ｓの＋Ｙ方向の端部は、ガイド部材１３の−Ｙ方向（＋Ｙ方向の反対方向）に配置される。制御部３０は、入出力装置３１からプロセスデータＩｐを受信すると、プロセスデータＩｐを用いてドットパターンデータＤＰＤ及び目標温度データＨＣＤを生成して格納する。そして、制御部３０は、目標温度データＨＣＤを参照してヒータ駆動信号ＳＨを生成し、ヒータ駆動回路３６を介してヒータＨを駆動する、すなわち加熱面１２ａの温度を目標温度に維持する。これによって、吐出領域Ｒにおいては、伝導面２６ａに近い高伝導領域Ｒｃが相対的に高温になり、反対に、伝導面２６ａから遠い低伝導領域Ｒｅが相対的に低温になる。
【００６３】
制御部３０は、加熱面１２ａの温度が目標温度に到達すると、キャリッジ駆動回路３４を介してキャリッジモータＭＣを駆動し、各目標点Ｔの主走査経路の上に各ノズルＮを配置する。そして、制御部３０は、基板ステージ駆動回路３３を介してステージモータＭＳを駆動して基板Ｓの主走査を開始する。
【００６４】
制御部３０は、基板検出装置３２からの検出信号を受けて液滴吐出ヘッド２０に対する各目標点Ｔの相対位置を演算し、基板ステージ駆動回路からの演算結果を用いて、以降の相対位置を演算する。制御部３０は、液滴吐出ヘッド２０に対する各目標点Ｔの相対位置に基づいて、各目標点ＴがノズルＮの直下にあるか否かを判断し、各目標点ＴがノズルＮの直下に位置するたびにタイミング信号ＬＴを生成して、吐出ヘッド駆動回路３５にタイミング信号ＬＴを出力する。すなわち、制御部３０は、＋Ｘ方向に連続するｉ個の目標点Ｔがｉ個のノズルＮの直下に位置するたびに、該ｉ個の目標点Ｔに対して、実質的に同じタイミングの下で液滴Ｄを着弾させる。同じタイミングで着弾するｉ個の液滴Ｄは、＋Ｘ方向に沿って合一して＋Ｘ方向に連続する液膜Ｆを形成する。
【００６５】
この際、液膜Ｆの＋Ｘ方向に沿う両端部分と中央部分が、それぞれ低伝導領域Ｒｅと高伝導領域Ｒｃからの熱エネルギーを受ける、すなわち相対的に低温と高温の領域になる。この結果、液膜Ｆにおいては、＋Ｘ方向に沿う蒸発確率が均一になるため、＋Ｘ方向に沿う膜材料の濃度が均一になり、ひいては乾燥後の膜厚値が均一になる。
【００６６】
以後、同様に、制御部３０は、基板Ｓの主走査を繰り返し、＋Ｘ方向に連続するｉ個の目標点Ｔがｉ個のノズルＮの直下に位置するたびに、該ｉ個の目標点Ｔに対して一斉に液滴Ｄを着弾させる。これによって、制御部３０は、各液膜Ｆにおける膜材料の均一化を図ることができ、ひいては合一した液膜Ｆからなる膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００６７】
次に、上記のように構成した第一実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記第一実施形態においては、基板Ｓの上に＋Ｘ方向に沿って配列する複数の目標点Ｔの各々に液滴Ｄを着弾させることによって＋Ｘに連続する液膜Ｆを形成する。そして、＋Ｘ方向における所定幅の両端部分が＋Ｘ方向における中間部分よりも低温になる温度分布を液膜Ｆに形成して液膜Ｆを乾燥する。
【００６８】
したがって、＋Ｘ方向に沿う座標系において、液膜Ｆの両端部分は、中央部分に比べて低温になる分だけ、インクＩｋの蒸発確率を低くする。この結果、液膜Ｆの両端部分は、膜材料の偏りを回避することができる。よって、上記実施形態の成膜方法は、液膜Ｆを乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００６９】
（２）上記第一実施形態においては、＋Ｘ方向に配列する複数のノズルＮの各々から対向する複数の目標点Ｔの各々に実質的に同じタイミングで液滴Ｄを着弾させる。したがって、複数のノズルＮからの液滴Ｄは、それぞれ各目標点Ｔに実質的に同じタイミングで着弾して、＋Ｘ方向に連続する液膜Ｆを形成する。＋Ｘ方向に連続する液膜Ｆは、その両端部分が低伝導領域Ｒｅからの熱エネルギーを受けて低温になる分だけ、膜厚均一性を向上することができる。この結果、複数のノズルＮは、液滴Ｄの吐出タイミングを変更することなく、膜厚均一性を向上することができる。そのため、上記実施形態の成膜方法は、膜厚均一性を、より簡便な構成の下で向上することができる。
【００７０】
（３）上記第一実施形態において、複数のノズルＮと基板Ｓとを＋Ｙ方向に沿って相対移動させることにより、＋Ｙ方向に連続する液膜Ｆを形成する。そして、液膜Ｆを乾燥するとき、＋Ｘ方向に沿う液膜Ｆの両端部分と、＋Ｙ方向に沿う液膜Ｆの両端部分とが、それぞれ中間部分よりも低温になる。したがって、液膜Ｆの全周縁が、中央部分に比べて低温になるため、液膜Ｆは、膜材料の偏りを全周縁にわたって回避させることができる。よって、上記実施形態の成膜方法は、液膜Ｆを乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、さらに向上させることができる。
【００７１】
（４）上記第一実施形態において、各熱伝導部材２６が、高伝導領域Ｒｃと対向する加
熱面１２ａ上の位置に配設されて、加熱面１２ａからの熱量を、当接する基板Ｓの裏面に供給する。したがって、液滴吐出装置１０は、加熱面１２ａと基板Ｓとの間に熱伝導部材２６を挟入するだけで、膜材料の偏りを回避することができる。よって、液滴吐出装置１０は、液膜Ｆを乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、より簡単な構成の下で向上させることができる。しかも、液滴吐出装置１０は、各熱伝導部材２６を着脱可能に配設するため、各熱伝導部材２６の位置を変更するだけで、高伝導領域Ｒｃ及び低伝導領域Ｒｅの位置を変更させることができる。そのため、液滴吐出装置１０は、吐出領域Ｒの設計変更に伴い、柔軟に対応することができる。
【００７２】
（第二実施形態）
以下、本発明を具体化した第二実施形態について図７及び図８に従って説明する。第二実施形態は、本成膜処理の前にテスト成膜処理を実行して、基板Ｓに与える温度分布をテスト成膜処理の処理結果に基づいて変更するものであり、基板ステージ１２と基板Ｓに与える温度分布を変更したものであるため、以下においては、この変更点について詳細に説明する。図７（ａ）は、基板ステージ１２を示す側断面図である。
【００７３】
図７（ａ）において、基板ステージ１２の加熱面１２ａは、複数のヒータブロックＨＢを有する。複数のヒータブロックＨＢの各々は、それぞれ加熱面１２ａの＋Ｘ方向、及び＋Ｙ方向（紙面と直交する方向）の全体にわたって最密に配置される。各ヒータブロックＨＢは、それぞれ所定の駆動信号に応答して独立的に駆動する熱源であり、駆動信号に応じた熱エネルギーを供給する。各ヒータブロックＨＢの上面は、それぞれ基板Ｓの裏面に対して熱的に高い結合を有する平滑面である。
【００７４】
液滴Ｄの吐出処理を実行するとき、各ヒータブロックＨＢは、それぞれ所定の駆動信号を受けて、自身の上面と当接する基板Ｓの領域に、駆動信号に応じた熱エネルギーを供給する。基板Ｓは、各ヒータブロックＨＢからの熱エネルギーを吸収することにより、各ヒータブロックＨＢの発熱量に応じた温度分布を吐出面Ｓａに形成する。すなわち、各ヒータブロックＨＢは、吐出面Ｓａの面方向に沿って、所望する温度分布を形成する。本実施形態における温度分布は、テスト成膜処理に基づいて設定される。
【００７５】
次に、吐出面Ｓａに形成する温度分布について以下に説明する。図７（ｂ）は、テスト成膜処理と本成膜処理の温度分布を示す。また、図７（ｃ）は、テスト成膜処理と本成膜処理によって得られる膜厚分布を示す。
【００７６】
テスト成膜処理において、液滴吐出装置１０は、まず、加熱面１２ａの上にテスト成膜用の基板Ｓを載置する。次いで、液滴吐出装置１０は、各ヒータブロックＨＢを駆動して吐出面Ｓａに所定のテスト温度分布ＴＢを形成する。テスト温度分布ＴＢとは、各ヒータブロックＨＢの駆動信号に関連付けられる温度の分布であって、例えば図７（ｂ）の破線に示すように、吐出面Ｓａの略全体にわたり均一な温度で形成される温度分布である。
【００７７】
液滴吐出装置１０は、吐出面Ｓａにテスト温度分布ＴＢを形成すると、第一実施形態と同じく、吐出面Ｓａの各目標点Ｔに液滴Ｄを吐出して各吐出領域Ｒに液膜Ｆを形成し、テスト温度分布ＴＢの下で各液膜Ｆを乾燥する。本実施形態では、テスト成膜処理における各目標点Ｔを、それぞれテスト点という。
【００７８】
各テスト点の座標は、それぞれ本成膜処理に用いる各目標点Ｔに関連付けられる座標であり、テスト成膜用の点列の座標系は、本成膜用の点列の座標系に変換できるものである。すなわち、各テスト点は、それぞれテスト点に着弾する液滴Ｄを本成膜処理における温度分布の下で乾燥するとき、本成膜処理によって実現される膜厚分布と同じ傾向の膜厚分布を実現する点である。なお、本実施形態におけるテスト点は、本成膜処理における目標
点Ｔと同じ座標である。
【００７９】
液滴吐出装置１０は、乾燥後の液膜Ｆを所定の膜厚測定装置へ搬送させて、テスト温度分布ＴＢで得られる乾燥後の膜厚分布を計測させることによりテスト成膜処理を終了する。本実施形態では、テスト成膜処理で得られる膜厚分布を、テスト膜厚分布ＫＢという。テスト膜厚分布ＫＢとは、テスト点の座標系において測定される膜厚値の分布であり、例えば図７（ｂ）の破線に示すように、吐出面Ｓａの＋Ｘ方向に沿って連続的に計測される膜厚値の分布である。
【００８０】
本成膜処理において、液滴吐出装置１０は、まず、加熱面１２ａの上に本成膜用の基板Ｓを載置する。次いで、液滴吐出装置１０は、テスト膜厚分布ＫＢに基づいて各ヒータブロックＨＢを駆動することにより、吐出面Ｓａにおけるテスト温度分布ＴＢを補正温度分布ＴＣに変更する。
【００８１】
すなわち、液滴吐出装置１０は、テスト点の座標系を本成膜用の座標系に変換することにより、テスト膜厚分布ＫＢを、本成膜の座標系における膜厚分布に変換する。なお、本実施形態においては、各テスト点の座標と各目標点Ｔの座標とが同じであるため、以降においては、テスト膜厚分布ＫＢを、本成膜の座標系における膜厚分布として扱う。
【００８２】
液滴吐出装置１０は、変換されたテスト膜厚分布ＫＢ、すなわち本成膜の座標系における膜厚分布に基づき、相対的に厚い膜を有する座標を厚膜点として選択する。液滴吐出装置１０は、吐出領域Ｒにおいて厚膜点を相対的に低温にするための温度分布を形成する。また、液滴吐出装置１０は、テスト膜厚分布ＫＢに基づき、目標点Ｔの座標系において相対的に薄い膜を有する座標を薄膜点として選択する。液滴吐出装置１０は、吐出領域Ｒにおいて薄膜点を相対的に高温にするための温度分布を形成する。
【００８３】
例えば、液滴吐出装置１０は、図７（ｃ）の破線に示すように、テスト膜厚分布ＫＢに基づいて、相対的に厚い膜を有する座標Ｘｅ１，Ｘｅ２を厚膜点として選択する。また、液滴吐出装置１０は、テスト膜厚分布ＫＢに基づいて、相対的に薄い膜を有する座標Ｘｍ１，Ｘｍ２，Ｘｍ３を薄膜点として選択する。液滴吐出装置１０は、図７（ｂ）の実線に示すように、厚膜点（Ｘｅ１，Ｘｅ２）を相対的に低温にするための温度分布を形成し、かつ、薄膜点（Ｘｍ１，Ｘｍ２，Ｘｍ３）を相対的に高温にするための温度分布、すなわち補正温度分布ＴＣを吐出面Ｓａに形成する。
【００８４】
液滴吐出装置１０は、吐出面Ｓａに補正温度分布ＴＣを形成すると、第一実施形態と同じく、吐出面Ｓａの各目標点Ｔに液滴Ｄを吐出して各吐出領域Ｒに液膜Ｆを形成し、補正温度分布ＴＣの下で各液膜Ｆを乾燥する。これにより、液滴吐出装置１０は、テスト成膜処理に基づいて得られる膜厚分布と温度分布の関係を、本成膜処理に反映させることができる。そのため、液滴吐出装置１０は、図７（ｃ）の実線に示すように、乾燥後の膜厚分布（本成膜膜厚分布ＫＣ）を、より均一にすることができる。
【００８５】
次に、上記のように構成する第二実施形態の液滴吐出装置１０の電気的構成を図８に従って説明する。
図８において、入出力装置３１は、テスト成膜処理と本成膜処理とを選択するための選択スイッチを有する。制御部３０は、入出力装置３１からテスト成膜処理を選択するための選択信号が入力されるときにテスト成膜処理を実行する。また、制御部３０は、入出力装置３１から本成膜処理を選択するための選択信号が入力されるときに本成膜処理を実行する。
【００８６】
制御部３０は、入出力装置３１から既定形式のプロセスデータＩｐを受信する。テスト
成膜処理を実行するとき、プロセスデータＩｐは、テスト温度分布ＴＢとテスト点に関するデータを有する。また、本成膜処理を実行するとき、プロセスデータＩｐは、テスト温度分布ＴＢとテスト膜厚分布ＫＢに関するデータを有する。
【００８７】
制御部３０は、テスト成膜処理を実行するとき、入出力装置３１からのプロセスデータＩｐに所定の展開処理を施して、テスト温度分布ＴＢを形成するための各ヒータブロックＨＢの出力に関するデータを、目標温度データＨＣＤとして生成する。制御部３０は、目標温度データＨＣＤを参照して、テスト温度分布ＴＢを形成するためのヒータ駆動信号ＳＨを生成して、ヒータ駆動回路３６にヒータ駆動信号ＳＨを出力する。ヒータ駆動回路３６は、制御部３０からのヒータ駆動信号ＳＨに応答して各ヒータブロックＨＢを駆動させ、これによって吐出面Ｓａにテスト温度分布ＴＢを形成する。
【００８８】
制御部３０は、テスト成膜処理を実行するとき、入出力装置３１からのプロセスデータＩｐに所定の展開処理を施して、各テスト点に液滴Ｄを吐出するためのドットパターンデータＤＰＤを生成する。制御部３０は、第一実施形態と同じく、ドットパターンデータＤＰＤを用いて各テスト点に液滴Ｄを着弾させる。
【００８９】
制御部３０は、本成膜処理を実行するとき、入出力装置３１からのプロセスデータＩｐに所定の展開処理を施して厚膜点と薄膜点を選択して補正温度分布ＴＣに関するデータを目標温度データＨＣＤとして生成する。すなわち、制御部３０は、補正温度分布ＴＣを形成するための各ヒータブロックＨＢの出力に関するデータを目標温度データＨＣＤとして生成する。
【００９０】
制御部３０は、目標温度データＨＣＤを参照して、補正温度分布ＴＣを形成するためのヒータ駆動信号ＳＨを生成し、ヒータ駆動回路３６にヒータ駆動信号ＳＨを出力する。ヒータ駆動回路３６は、制御部３０からのヒータ駆動信号ＳＨに応答して各ヒータブロックＨＢを駆動させ、これによって吐出面Ｓａに補正温度分布ＴＣを形成する。
【００９１】
次に、上記のように構成した第二実施形態の効果を以下に記載する。
（５）上記第二実施形態においては、テスト点の各々に液滴Ｄを着弾させて液膜Ｆを形成し、該液膜Ｆをテスト温度分布ＴＢの下で乾燥することにより、テスト膜厚分布ＫＢを得る、すなわちテスト成膜処理を実行する。そして、本成膜処理を実行するとき、目標点Ｔの各点に液滴Ｄを着弾させて液膜Ｆを形成し、該液膜Ｆを、テスト膜厚分布ＫＢとテスト温度分布ＴＢに基づいて形成する補正温度分布ＴＣの下で乾燥する。
【００９２】
したがって、本成膜処理における補正温度分布ＴＣは、テスト温度分布ＴＢの下の乾燥によって相対的に厚い膜になり得る座標を、相対的に低温に補正できる。また、テスト温度分布ＴＢの下の乾燥により相対的に薄い膜になり得る座標を、相対的に高温に補正できる。よって、本成膜処理における液膜Ｆは、相対的に厚い膜になり得る部分の蒸発確率を低くすることができ、かつ、相対的に薄い膜になり得る部分の蒸発確率を高くすることができる。この結果、本成膜処理における液膜Ｆは、液滴Ｄからなる膜の膜厚均一性を、より確実に向上させることができる。
【００９３】
（６）上記第二実施形態においては、＋Ｘ方向における液膜Ｆの両端部分と中間部分との間が、補正温度分布ＴＣによって、それぞれ中間部分よりも高温になる。したがって、液膜Ｆの両端部分の近傍は、中央部分に比べて高温になる分だけ、蒸発確率を高くする。よって、両端部分の近傍の膜材料が、両端部分に流動し難くなる。そのため、上記第二実施形態の成膜方法によれば、液膜Ｆを乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、さらに向上させることができる。
【００９４】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記第一実施形態においては、加熱面１２ａと基板Ｓとの間に、熱伝導部材２６が挟入される。これに限らず、例えば加熱面１２ａが凹凸形状を呈し、該凹部を低伝導領域Ｒｅとする構成であってもよい。
【００９５】
・上記第一実施形態においては、伝導面２６ａが平面である。これに限らず、図９に示すように、伝導面２６ａを曲面にしてもよい。これによれば、吐出面Ｓａにおける急峻な温度変化が抑えられる。
【００９６】
・上記第一実施形態においては、隣接する熱伝導部材２６の間の空間が中空である。これに限らず、例えば隣接する熱伝導部材２６の間の空間は、空気や冷却水等の冷媒の流動より、低伝導領域Ｒｅの低温化を図る構成にしても良い。また、隣接する熱伝導部材２６の間の空間は、熱伝導性の低い部材を有することにより、低伝導領域Ｒｅの低温化を図る構成にしても良い。あるいは、伝導面２６ａの領域にペルティエ素子の加熱部を配設し、上記空間の領域に該ペルティエ素子の冷却部を配設する構成でも良い。これらによれば、液滴吐出装置１０は、低伝導領域Ｒｅの温度範囲を拡張させることができる。
【００９７】
・上記実施形態においては、ノズル列の数量が一列であるが、これに限らず、ノズル列の数量は、２列以上であっても良い。
・上記実施形態においては、液滴吐出ヘッド２０の数量が１つであるが、これに限らず、液滴吐出ヘッド２０の数量は、２以上であっても良い。
【００９８】
・上記実施形態において、ヒータＨあるいはヒータブロックＨＢは、液滴Ｄを吐出するときに吐出領域Ｒを加熱する。これに限らず、例えばヒータＨあるいはヒータブロックＨＢは、吐出領域Ｒに液膜Ｆが形成された後に、吐出領域Ｒを加熱する構成であっても良い。
【００９９】
・上記実施形態において、液滴吐出装置１０は、液滴吐出ヘッド２０と乾燥部の双方を有する。これに限らず、液滴吐出装置１０は、乾燥部を有しない構成であってもよく、この際、乾燥部（基板ステージ１２、ヒータＨ、熱伝導部材２６）を、別途、乾燥装置として構成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】第一実施形態の液滴吐出装置を示す斜視図。
【図２】同じく、液滴吐出ヘッドを示す斜視図。
【図３】同じく、液滴吐出ヘッドの内部を示す側面図。
【図４】同じく、液滴の吐出位置を示す平面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ第一実施形態の基板ステージを示す平面図、及び側断面図。
【図６】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。
【図７】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ第二実施形態の基板ステージを示す側断面図、基板ステージの温度プロファイルを示す図、及び液膜の膜厚プロファイルを示す図。
【図８】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。
【図９】変更例の基板ステージを示す側断面図。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ従来例の液滴吐出処理を示す平面図、及び側断面図。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ従来例の液滴吐出処理を示す平面図、及び側断面図。
【符号の説明】
【０１０１】
Ｄ…液滴、Ｆ…液膜、Ｈ…ヒータ、Ｉｋ…インク、Ｎ…ノズル、Ｒ…吐出領域、Ｓ…基板、Ｓａ…吐出面、１０…液滴吐出装置、２０…液滴吐出ヘッド、２６…熱伝導部材、３０…制御部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics ）からなる多層基板は、優れた高周波特性と高い耐熱性を有するため、高周波モジュールの基板やＩＣパッケージの基板等に広く利用される。ＬＴＣＣ多層基板に用いられる配線等の膜パターンの製造方法としては、生産性の向上と低コスト化とを図るために、インクジェット法が注目されている。インクジェット法は、配線材料を含む液状体を液滴にして吐出する液滴吐出ヘッドを用い、液滴吐出ヘッドと基板とを主走査方向に相対移動させながら液滴吐出ヘッドに液滴を吐出させる。配線材料を含む複数の液滴は、基板の主走査方向に沿って順に合一することにより、主走査方向に連続するライン状の液膜を形成する。インクジェット法は、このライン状の液膜を乾燥することによりパターンを形成する。
【０００３】
特許文献１は、ライン状の液膜の表面に温度勾配を与え、主走査方向を挟んで両側にそれぞれ高温側の表面と低温側の表面を設ける。温度勾配を有する液膜は、自身の表面に表面張力の分布を形成し、内部にマランゴニ対流を発生させる。液膜の高温側の端部から流出する熱毛管流は、液膜に与えられる温度勾配によって、低温側の端部に届く前に基板に向けて下降する。この結果、低温側の端部には、マランゴニ対流の流路に含まれない配線材料が析出し、この析出する配線材料によって液膜の濡れ広がりがピン止めされる。一方、高温側の端部には、配線材料が対流によって運搬され続けるため、配線材料が析出し難くなる。そのため、液膜の乾燥が進むに連れて、液膜の高温側が低温側の端部に向けて収縮し、液膜の低温側の端部にのみ配線材料が析出する。この結果、液膜は、自身の幅よりも狭い線幅の配線パターンを形成する。
【０００４】
上記インクジェット法は、液晶表示装置に利用される配向膜の成膜方法としても注目されている（例えば、特許文献２）。図１０（ａ）、（ｂ）と図１１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ配向膜の成膜工程を模式的に示す平面図及び側面図である。配向膜の成膜工程においては、基板Ｓの上に液滴Ｄを吐出して液膜Ｆを形成する液滴吐出処理と、液膜Ｆに含まれる溶媒等を蒸発させて液膜Ｆを乾燥する乾燥処理とが行われる。
【０００５】
図１０に示すように、液滴吐出処理においては、基板Ｓの表面（以下単に、吐出面Ｓａという。）に、上下方向に延びる複数の吐出領域Ｒが左右方向に連続して仮想分割される。液滴吐出ヘッド２０は、最も左側の吐出領域Ｒの上から順に矢印方向に沿って移動し、配向膜材料を含む複数の液滴Ｄを各吐出領域Ｒの全体に吐出し、これにより複数の吐出領域Ｒの各々に帯状の液膜Ｆを形成する。すなわち、液滴吐出ヘッド２０は、マルチスキャンにより各液膜Ｆを形成する。あるいは、図１１に示すように、左右方向に配列する複数の液滴吐出ヘッド２０が、それぞれ各吐出領域Ｒの全体にわたり液滴Ｄを吐出し、これにより複数の吐出領域Ｒの各々に液膜Ｆを形成する。すなわち、複数の液滴吐出ヘッド２０は、シングルスキャンにより各液膜Ｆを形成する。複数の液膜Ｆの各々は、液滴吐出処理の処理時間の経過に伴い、それぞれ隣接する他の液膜Ｆと合一して基板Ｓの全体にわたり膜を形成する。
【特許文献１】特開２００５−１５２７５８号公報
【特許文献２】特開２００６−１５２７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記マルチスキャン方式を用いて膜を形成するとき、隣接する液膜Ｆの境界では、液滴Ｄの着弾するタイミングが、液滴吐出ヘッドの１回の走査時間分だけ異なる。また、上記シングルスキャン方式を用いる場合であっても、隣接する液膜Ｆの境界では、液滴Ｄの着弾するタイミングが、各液滴吐出ヘッド２０の間の距離の走査時間分だけ異なる。
【０００７】
各液膜Ｆの縁部（例えば、左右方向の両端部分Ｆｅ）においては、それぞれ単位容積当たりの表面積が大きくなるため、蒸発成分の蒸発確率が高くなり、液膜Ｆの乾燥速度を中央部分Ｆｃの乾燥速度よりも速くする。この結果、液膜Ｆの両端部分Ｆｅでは、液状体の増粘によって自身の内部に配向膜材料の流動を発生させて、配向膜材料の濃度を局所的に高くしてしまう。この結果、合一した液膜Ｆを乾燥すると、乾燥後の膜には、各液膜Ｆの両端部分Ｆｅに膜厚段差（図１０及び図１１に示す濃淡）が形成されてしまう。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させる成膜方法及び成膜装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の成膜方法は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、前記対象物上の点列の各点に前記液滴を着弾させることによって前記点列上に液膜を形成する工程と、前記点列の列方向における所定幅の両端部分が前記列方向の中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を乾燥する工程とを有する。
【００１０】
本発明の成膜方法によれば、列方向に沿う座標系において、液膜の両端部分は、中央部分に比べて低温になる分だけ、液状体の蒸発確率を低くする。したがって、液膜の両端部分は、膜材料の偏りを回避することができる。この結果、本発明の成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００１１】
この成膜方法において、前記液膜を形成する工程は、前記列方向に配列する複数のノズルの各々から前記点列の各点に同じタイミングで前記液滴を着弾させることにより前記液膜を形成する。
【００１２】
この成膜方法によれば、配列する複数のノズルからの液滴は、実質的に同じタイミングで着弾して、列方向に連続する液膜を形成する。そして、列方向に連続する液膜は、その両端部分が低温になる分だけ、膜厚均一性を向上する。したがって、配列する複数のノズルは、液滴の吐出タイミングを変更することなく、膜厚均一性を向上することができる。よって、この成膜方法は、膜厚均一性を、より簡便な構成の下で向上することができる。
【００１３】
この成膜方法は、前記液膜を形成する工程が、前記列方向に配列する複数のノズルの各々から前記点列の各点に同じタイミングで前記液滴を着弾させるとともに、前記複数のノズルと前記対象物とを前記列方向と交差する方向に相対移動させることにより前記交差する方向に連続する液膜を形成し、前記液膜を乾燥する工程が、前記列方向における所定幅の両端部分と、前記交差する方向における所定幅の両端部分とが前記中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を乾燥する構成が好ましい。
【００１４】
この成膜方法によれば、液膜の全周縁が、中央部分に比べて低温になる。したがって、液膜は、膜材料の偏りを全周縁にわたって回避させることができる。この結果、この成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、さらに向上させることができる。
【００１５】
この成膜方法は、前記液膜を乾燥する工程において、前記両端部分と前記中間部分との間が、それぞれ前記中間部分よりも高温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を
乾燥する構成が好ましい。
【００１６】
この成膜方法によれば、液膜の両端部分の近傍は、中央部分に比べて高温になる分だけ、蒸発確率を高くする。したがって、両端部分の近傍の膜材料が、両端部分に流動し難くなる。よって、この成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、さらに向上させることができる。
【００１７】
本発明の成膜方法は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列に第一液膜を形成し、前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成する工程と、前記第一点列の座標系における前記第一膜の膜厚分布を計測する工程と、対象物上の第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列に第二液膜を形成する工程と、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に厚い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも低温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する工程とを有する。
【００１８】
本発明の成膜方法によれば、第二液膜は、所定温度の乾燥により相対的に厚い膜になり得る座標の温度を、相対的に低温に補正する。したがって、第二液膜は、相対的に厚膜になり得る部分の蒸発確率を低くすることができ、膜材料の偏りを回避させることができる。よって、本発明の成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００１９】
本発明の成膜方法は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列に第一液膜を形成し、前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成する工程と、前記第一点列の座標系における前記第一膜の膜厚分布を計測する工程と、対象物上の第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列に第二液膜を形成する工程と、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に薄い膜厚値の座標を、前記所定温度より高温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する工程とを有する。
【００２０】
本発明の成膜方法によれば、第二液膜は、所定温度下の乾燥により相対的に薄い膜になり得る座標の温度を、相対的に高温に補正する。したがって、第二液膜は、相対的に膜になり得る部分の蒸発確率を低くすることができ、膜材料の偏りを回避させることができる。よって、本発明の成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００２１】
本発明の成膜装置は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部とを有する成膜装置であって、前記液滴吐出ヘッドは、前記対象物上の点列の各点に前記液滴を着弾させることによって前記点列上に液膜を形成し、前記乾燥部は、前記列方向における所定幅の両端部分が前記列方向の中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成することにより前記対象物に前記膜を形成する。
【００２２】
本発明の成膜装置によれば、乾燥部は、液膜の両端部分の温度を中央部分に比べて低くすることにより、両端部分の蒸発確率を低くする。したがって、液膜の両端部分は、膜材
料の偏りを回避することができる。この結果、本発明の成膜装置は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００２３】
この成膜装置は、前記乾燥部が、前記対象物と対向する加熱面を有するヒータと、前記中間部分に対向する前記加熱面上の領域に配置されて、前記対象物と当接することにより、前記加熱面から受ける熱を前記中間部分に伝導する熱伝導部材とを有する構成であってもよい。
【００２４】
この成膜装置によれば、乾燥部は、熱伝導部材を介する中央部分の加熱により、両端部分の温度を低くする。したがって、この成膜装置は、加熱面と対象物との間に熱伝導部材を挟入するだけで、膜材料の偏りを回避することができる。よって、この成膜装置は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、より簡単な構成の下で向上させることができる。
【００２５】
この成膜装置において、前記乾燥部は、前記列方向に配列して前記対象物と熱的に接触する複数のヒータを有する。
この成膜装置によれば、列方向に配列される複数のヒータの各々が、両端部分と中間部分との間の温度差を形成する。したがって、成膜装置は、両端部分と中間部分との間の温度差を、異なるヒータにより形成するため、液膜に与える温度分布をより高い精度の下で形成することができる。
【００２６】
本発明の成膜装置は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部と、前記液滴吐出ヘッドと前記乾燥部とを制御する制御部とを有する成膜装置であって、前記制御部は、前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列上に第一液膜を形成し、前記乾燥部を駆動して前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成し、前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上に第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列上に第二液膜を形成し、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記乾燥部を駆動して前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に厚い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも低温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する。
【００２７】
本発明の成膜装置によれば、第二液膜は、所定温度の乾燥により相対的に厚い膜になり得る座標の温度を、相対的に低温に補正する。したがって、第二液膜は、相対的に厚膜になり得る部分の蒸発確率を低くすることができ、膜材料の偏りを回避させることができる。よって、本発明の成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００２８】
本発明の成膜装置は、膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部と、前記液滴吐出ヘッドと前記乾燥部とを制御する制御部とを有する成膜装置であって、前記制御部が、前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列上に第一液膜を形成し、前記乾燥部を駆動して前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成し、前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上に第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列上に第二液膜を形成し、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記乾燥部を駆動して前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に薄い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも高温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する。
【００２９】
本発明の成膜装置によれば、第二液膜は、所定温度の乾燥により相対的に薄い膜になり得る座標の温度を、相対的に低温に補正する。したがって、第二液膜は、相対的に厚膜になり得る部分の蒸発確率を低くすることができ、膜材料の偏りを回避させることができる。よって、本発明の成膜方法は、液膜を乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
（第一実施形態）
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図６に従って説明する。図１は、成膜装置としての液滴吐出装置１０を示す斜視図である。
【００３１】
図１において、液滴吐出装置１０は、一つの方向に延びる基台１１と、基台１１の上に搭載されて基板Ｓを載置する基板ステージ１２とを有する。基板ステージ１２は、基板Ｓの一つの面を上に向けた状態で基板Ｓを位置決め固定して、基台１１の長手方向に沿って基板Ｓを搬送する。基板Ｓとしては、グリーンシート、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板、樹脂フィルム等の基板が用いられる。
【００３２】
本実施形態においては、基板Ｓの上面を吐出面Ｓａという。吐出面Ｓａは、所望の膜を形成するための面であり、液滴を着弾させるための位置を目標点として有する。基板Ｓが搬送される方向であって、図１において左上方向に向かう方向を＋Ｙ方向という。また、＋Ｙ方向と直交する方向であって、図１において右上方向に向かう方向を＋Ｘ方向とし、基板Ｓの法線方向をＺ方向という。
【００３３】
液滴吐出装置１０は、基台１１を跨ぐ門型のガイド部材１３と、ガイド部材１３の上側に配設されるインクタンク１４とを有する。インクタンク１４は、液状体としてのインクＩｋを貯留するとともに、貯留するインクＩｋを所定圧力で導出する。インクＩｋとしては、膜材料としての配向膜材料を分散させた配向膜用インク、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide
）微粒子を分散させたＩＴＯインク等のインクが用いられる。
【００３４】
ガイド部材１３は、キャリッジ１５を＋Ｘ方向及び＋Ｘ方向の反対方向（−Ｘ方向）に沿って移動可能に支持する。キャリッジ１５は、液滴吐出ヘッド２０を搭載して＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に沿って移動する。キャリッジ１５は、基板Ｓが＋Ｙ方向に搬送されるときに＋Ｘ方向あるいは−Ｘ方向に移動し、液滴吐出ヘッド２０を目標点の搬送経路の上に配置する。なお、基板Ｓが＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に搬送される動作を、主走査という。また、液滴吐出ヘッド２０が＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に搬送されて目標点の搬送経路の上に配置される動作を、副走査という。
【００３５】
次に、液滴吐出ヘッド２０について以下に説明する。図２は、液滴吐出ヘッド２０を基板ステージ１２から見た斜視図である。図３は、液滴吐出ヘッド２０の内部を模式的に示す図である。図４は、液滴吐出ヘッド２０を用いて吐出する液滴Ｄの吐出位置を示す平面図である。
【００３６】
図２において、液滴吐出ヘッド２０は、＋Ｘ方向に延びるヘッド基板２１と、ヘッド基板２１に搭載されるヘッド本体２２とを有する。ヘッド基板２１は、キャリッジ１５に位置決め固定されて、基板Ｓに対して＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に沿って移動する。ヘッド基板２１は、その一側端に入力端子２１ａを有して、入力端子２１ａに入力される各種の駆動信号をヘッド本体２２に出力する。
【００３７】
ヘッド本体２２は、基板Ｓと対向する側面の＋Ｘ方向の略全幅にわたりｉ個（ｉは１以
上の整数）のノズルＮを有する。各ノズルＮは、それぞれＺ方向に延びる円形孔であって、＋Ｘ方向に沿って所定のピッチで形成される。ヘッド本体２２は、例えば＋Ｘ方向に沿って１４１μｍのピッチで配列する１８０個のノズルＮを有する。本実施形態においては、ノズルＮの形成ピッチを、ノズルピッチＤｘとし、各ノズルＮからなるノズル列の幅をノズル列幅Ｒｗという。なお、図２では、ノズルＮの配置を説明するためにノズルＮの数量を簡略化して示す。
【００３８】
図３において、ヘッド本体２２は、ノズルＮごとに、一つのキャビティ２４と、該キャビティ２４の内部に圧力を与える一つの圧力発生素子２５とを有する。すなわち、ヘッド本体２２は、ノズルＮの数量と同じｉ個のキャビティ２４と、ｉ個の圧力発生素子２５とを有する。各キャビティ２４と各圧力発生素子２５とは、それぞれノズルＮの直上に配設されることにより、該ノズルＮに対応付けられる。各キャビティ２４は、それぞれ共通するインクタンク１４に接続されてインクタンク１４からのインクＩｋを収容し、連通するノズルＮにインクＩｋを供給する。各ノズルＮは、それぞれ連通するキャビティ２４からのインクＩｋを受けて、自身の開口に気液界面（以下単に、メニスカスという。）Ｍを形成する。
【００３９】
各圧力発生素子２５は、それぞれ接続されるキャビティ２４の内部に所定圧力を与えて、該キャビティ２４の内部の圧力を増大及び減少させることにより、該キャビティ２４に連通するノズルＮのメニスカスＭを振動させる。圧力発生素子２５としては、例えばキャビティ２４の容積を機械的に拡大及び縮小させる圧電素子、あるいはキャビティ２４の温度を局所的に上昇及び下降させる抵抗加熱素子を用いることができる。
【００４０】
吐出面Ｓａの目標点Ｔが、選択されるノズルＮ（以下単に、選択ノズルという。）の直下に位置するとき、選択ノズルに連通するキャビティ２４は、対応する圧力発生素子２５の駆動力を受けることにより、選択ノズルのメニスカスＭを振動させて、インクＩｋの一部を所定重量の液滴Ｄにして選択ノズルから吐出させる。ノズルＮから吐出される液滴Ｄは、吐出面Ｓａの法線に沿って飛行して目標点Ｔに着弾する。
【００４１】
図４において、基板Ｓの吐出面Ｓａは、一点鎖線に示すように、＋Ｙ方向に延びる複数の吐出領域Ｒを有する。各吐出領域Ｒは、それぞれ＋Ｘ方向にノズル列幅Ｒｗの幅を有する領域であり、ドットパターン格子ＳＬによって仮想分割される。各ドットパターン格子ＳＬにおいて、＋Ｙ方向の格子間隔と＋Ｘ方向の格子間隔は、それぞれ液滴Ｄの吐出間隔によって規定される。例えば、各ドットパターン格子ＳＬの＋Ｙ方向の格子間隔は、それぞれ液滴吐出ヘッド２０の吐出周期と基板Ｓの主走査速度との積によって規定される。各ドットパターン格子ＳＬの＋Ｘ方向の格子間隔は、それぞれノズルピッチＤｘによって規定される。
【００４２】
液滴Ｄを吐出するか否かの選択は、各ドットパターン格子ＳＬの格子点ごとに規定される。本実施形態では、各吐出領域Ｒにおける全ての格子点が目標点Ｔとして選択される。なお、図４では、ドットパターン格子ＳＬの位置を説明するため、ドットパターン格子ＳＬの格子間隔を拡大して示す。
【００４３】
液滴Ｄの吐出処理を実行するとき、液滴吐出ヘッド２０の各ノズルＮは、それぞれ＋Ｙ方向に連続する一群の目標点Ｔの延長線上に配置される。基板Ｓが主走査されるとき、液滴吐出ヘッド２０の各ノズルＮは、それぞれ＋Ｘ方向に配列するｉ個の目標点Ｔに対して同じタイミングで対向する。すなわち、＋Ｘ方向に配列するｉ個の目標点Ｔには、それぞれ実質的に同じタイミングで液滴Ｄが着弾する。着弾するｉ個の液滴Ｄは、列方向としての＋Ｘ方向に沿って合一して＋Ｘ方向に連続する液膜Ｆを形成する。なお、実質的に同じタイミングとは、＋Ｘ方向に配列するｉ個の目標点Ｔにおいて、着弾するｉ個の液滴Ｄが
＋Ｘ方向に連続する液膜を形成するタイミングであって、隣接する液滴Ｄの間の着弾タイミングの差異によって該液滴Ｄの間に膜厚段差を来たさないタイミングである。
【００４４】
実質的に同じタイミングで着弾する一群の液滴Ｄ（ｉ個の液滴Ｄ）は、後続する一群の液滴Ｄが順に−Ｙ方向に着弾することにより、＋Ｙ方向に沿って延びる帯状の液膜Ｆを形成する。
【００４５】
次に、基板ステージ１２について以下に説明する。図５（ａ）、（ｂ）は、それぞれ基板Ｓを載置する状態の基板ステージ１２を示す平面図及び側断面である。
図５において、基板ステージ１２は、基板ステージ１２の全体を加熱するヒータＨを有する。ヒータＨは、液滴Ｄの吐出処理を実行するとき、所定の駆動信号を受けて基板ステージ１２の上面（以下単に、加熱面１２ａという。）の全体を昇温して所定温度に維持する。基板ステージ１２は、加熱面１２ａに複数の熱伝導部材２６を有する。本実施形態においては、基板ステージ１２、ヒータＨ、及び熱伝導部材２６によって乾燥部が構成される。
【００４６】
各熱伝導部材２６は、それぞれ熱伝導性の高い金属材料からなる板部材であって、＋Ｙ方向に延びる帯状を呈する。各熱伝導部材２６は、加熱面１２ａに対して配置変更を可能に位置決めされている。各熱伝導部材２６の上面（以下単に、伝導面２６ａという。）は、それぞれ基板Ｓの裏面に対して熱的に高い結合を有する平滑面である。各熱伝導部材２６は、それぞれ加熱面１２ａから受ける熱エネルギーを、自身の伝導面２６ａと当接する基板Ｓの領域に伝達する。熱伝導部材２６の＋Ｘ方向の幅は、それぞれノズル列幅Ｒｗよりも若干小さい幅（以下単に、伝導幅Ｃｗという。）を有する。各熱伝導部材２６は、それぞれ基板Ｓを載置するとき、Ｚ方向から見て、各吐出領域Ｒの内側に配設されて、これによって各吐出領域Ｒの＋Ｘ方向及び−Ｘ方向の両端部分、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向の両端部分に、それぞれ伝導面２６ａから離間する領域を形成する。
【００４７】
本実施形態においては、吐出領域Ｒであって、Ｚ方向から見て伝導面２６ａと重畳する領域を、中間部分としての高伝導領域Ｒｃという。また、吐出領域Ｒであって、高伝導領域Ｒｃを除く領域を、すなわち高伝導領域Ｒｃの全外周を囲う領域を、低伝導領域Ｒｅという。＋Ｘ方向に連続するｉ個の目標点Ｔの内でｊ個（ｊは１以上の整数）の目標点Ｔは、それぞれ高伝導領域Ｒｃに配置される。また、＋Ｘ方向に連続するｉ個の目標点Ｔの内でｉ−ｊ個の目標点Ｔは、それぞれ低伝導領域Ｒｅに配置される。
【００４８】
液滴Ｄの吐出処理を実行するとき、加熱面１２ａは、ヒータＨからの熱エネルギーを各熱伝導部材２６に供給する。各熱伝導部材２６は、それぞれ加熱面１２ａからの熱エネルギーを、伝導面２６ａと当接する基板Ｓに供給する。基板Ｓは、伝導面２６ａからの熱エネルギーを吸収して昇温する。なお、図５（ｂ）においては、高温の領域に薄いグラデーションを付し、低温の領域に濃いグラデーションを付して示す。
【００４９】
この際、基板Ｓの温度は、伝導面２６ａに近くなるほど高くなり、反対に、伝導面２６ａから離れるほど低くなる。各吐出領域Ｒにおいては、それぞれ伝導面２６ａに近い高伝導領域Ｒｃが相対的に高温になり、反対に、伝導面２６ａから遠い低伝導領域Ｒｅが相対的に低温になる。各高伝導領域Ｒｃは、それぞれ伝導面２６ａからの熱エネルギーを受けて、自身の上にあるインクＩｋに対して相対的に高い熱エネルギーを供給する。反対に、各低伝導領域Ｒｅは、それぞれ自身の上にあるインクＩｋに対して相対的に低い熱エネルギーを供給する。
【００５０】
基板Ｓが主走査されるとき、液滴吐出ヘッド２０は、＋Ｘ方向に連続するｉ個の目標点Ｔに、すなわち高伝導領域Ｒｃにあるｊ個の目標点Ｔと、低伝導領域Ｒｅにあるｉ−ｊ個
の目標点Ｔとに、それぞれ同じタイミングで液滴Ｄを着弾させる。同じタイミングで着弾するｉ個の液滴Ｄは、＋Ｘ方向に沿って合一して＋Ｘ方向に連続する液膜Ｆを形成する。この際、ｉ−ｊ個の液滴Ｄにより形成される液膜Ｆにおいては、＋Ｘ方向における両端部分が、中央部分に比べて、単位容積当たりの表面積を小さくする。一方、この液膜Ｆの両端部分は、液膜Ｆの中央部分に比べて、基板Ｓから受ける熱エネルギーを小さくするため、その温度を低くする。
【００５１】
この結果、液膜Ｆの両端部分及び中央部分では、蒸発成分の蒸発確率が略同じになり、液膜Ｆの両端部分では、膜材料の流動が抑制される。したがって、液膜Ｆは、その膜材料の濃度を均一にすることができ、乾燥後の液膜Ｆは、両端部分における膜材料の流動を抑制する分だけ、均一な膜厚を呈する。
【００５２】
なお、本発明において、高伝導領域Ｒｃ及び低伝導領域Ｒｅのサイズは、インクＩｋの材料、吐出面Ｓａの表面状態、ヒータＨの出力等に応じて適宜選択される。すなわち、高伝導領域Ｒｃ及び低伝導領域Ｒｅのサイズは、＋Ｘ方向に沿う液膜Ｆの両端部分及び中央部分において蒸発確率を略同じにするように適宜選択される。
【００５３】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置１０の電気的構成を図５に従って説明する。図５は、液滴吐出装置１０の電気的構成を示す電気ブロック回路図である。
図５において、制御部３０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を有する。制御部３０は、ＲＯＭとＲＡＭに格納される各種制御プログラムと各種データに従って、基板ステージ１２を用いる基板Ｓの主走査、キャリッジ１５を用いる液滴吐出ヘッド２０の副走査、液滴吐出ヘッド２０を用いる液滴吐出処理、及びヒータＨを用いる液膜Ｆの乾燥処理を実行する。
【００５４】
制御部３０は、各種操作スイッチやディスプレイを有する入出力装置３１に接続されて、入出力装置３１から入力される各種信号を受信する。制御部３０は、例えば入出力装置３１から液滴吐出処理と乾燥処理を実行するための既定形式のプロセスデータＩｐを受信する。
【００５５】
制御部３０は、入出力装置３１からのプロセスデータＩｐを受信すると、プロセスデータＩｐに所定の展開処理を施して、ドットパターンデータＤＰＤを生成する。ドットパターンデータＤＰＤは、ドットパターン格子ＳＬの格子点の数量と同じビット長からなるデータであり、ドットパターン格子ＳＬの格子点ごとに液滴Ｄを吐出するか否かを規定するデータである。すなわち、ドットパターンデータＤＰＤは、各ビットの値（“０”もしくは“１”）に応じて圧力発生素子２５のオンあるいはオフを規定するデータである。
【００５６】
また、制御部３０は、入出力装置３１からのプロセスデータＩｐを受信すると、プロセスデータＩｐに所定の展開処理を施して、加熱面１２ａの目標温度に関するデータ（以下単に、目標温度データＨＣＤという。）を格納する。
【００５７】
制御部３０は、基板検出装置３２に接続されている。基板検出装置３２は、基板Ｓの端縁を検出する撮像機能等を有する。制御部３０は、基板検出装置３２からの検出信号を受けて、液滴吐出ヘッド２０に対する基板Ｓの相対位置、すなわち液滴吐出ヘッド２０に対する各目標点Ｔの相対位置を演算する。
【００５８】
制御部３０は、基板ステージ駆動回路３３に接続されて、基板ステージ駆動回路３３に対応する制御信号を基板ステージ駆動回路３３に入力する。基板ステージ駆動回路３３は、制御部３０からの制御信号に応答して、基板ステージ１２を移動させるためのステージモータＭＳを正転又は逆転させる。基板ステージ駆動回路３３は、ステージモータエンコ
ーダＥＳからの検出信号を受信してステージモータＭＳの回転方向及び回転数を演算する。制御部３０は、基板ステージ駆動回路３３からの演算結果を用いて基板ステージ１２の移動方向及び移動量を演算し、吐出面Ｓａの目標点ＴがノズルＮの直下に位置するか否かを判断する。制御部３０は、各目標点ＴがノズルＮの直下に位置するたびにタイミング信号ＬＴを生成し、吐出ヘッド駆動回路３５にタイミング信号ＬＴを出力する。
【００５９】
制御部３０は、キャリッジ駆動回路３４に接続されて、キャリッジ駆動回路３４に対応する制御信号をキャリッジ駆動回路３４に入力する。キャリッジ駆動回路３４は、制御部３０からの制御信号に応答して、キャリッジ１５を移動させるためのキャリッジモータＭＣを正転又は逆転させる。キャリッジ駆動回路３４は、キャリッジモータエンコーダＥＣからの検出信号を受信してキャリッジモータＭＣの回転方向及び回転数を演算する。制御部３０は、キャリッジ駆動回路３４からの演算結果を用いてキャリッジ１５の移動方向及び移動量を演算し、各目標点Ｔの主走査経路の上に各ノズルＮを配置する。
【００６０】
制御部３０は、吐出ヘッド駆動回路３５に接続されて、吐出ヘッド駆動回路３５にタイミング信号ＬＴと、圧力発生素子２５を駆動するための駆動波形信号ＣＯＭとを入力する。また、制御部３０は、ドットパターンデータＤＰＤをシリアル転送するためのシリアルパターンデータＳＩを生成し、吐出ヘッド駆動回路３５にシリアルパターンデータＳＩをシリアル転送する。吐出ヘッド駆動回路３５は、制御部３０からのシリアルパターンデータＳＩを受信してシリアル／パラレル変換し、ｉ個のノズルＮ、すなわちｉ個の圧力発生素子２５の各々に対してドットパターンデータＤＰＤの各ビット値を対応させたパラレルパターンデータを生成する。吐出ヘッド駆動回路３５は、制御部３０からのタイミング信号ＬＴを受けるとき、パラレルパターンデータに基づいて吐出動作の選択される圧力発生素子２５に駆動波形信号ＣＯＭを供給する。本実施形態において、吐出ヘッド駆動回路３５は、タイミング信号ＬＴを受けるとき、全ての圧力発生素子２５に駆動波形信号ＣＯＭを供給する。これによって、制御部３０は、＋Ｘ方向に沿って連続する各目標点Ｔに、それぞれ実質的に同じタイミングで液滴Ｄを着弾させる。
【００６１】
制御部３０は、ヒータ駆動回路３６に接続されている。制御部３０は、目標温度データＨＣＤを参照して、加熱面１２ａの温度を目標温度にするためのヒータ駆動信号ＳＨを生成し、ヒータ駆動回路３６にヒータ駆動信号ＳＨを出力する。ヒータ駆動回路３６は、制御部３０からのヒータ駆動信号ＳＨに応答してヒータＨを通電して駆動させ、これによって加熱面１２ａを昇温して所定温度に維持する。
【００６２】
次に、液滴吐出装置１０を用いて成膜する方法について説明する。
まず、図１に示すように、基板ステージ１２の上には、吐出面Ｓａを上側にする基板Ｓが載置される。このとき、基板Ｓの＋Ｙ方向の端部は、ガイド部材１３の−Ｙ方向（＋Ｙ方向の反対方向）に配置される。制御部３０は、入出力装置３１からプロセスデータＩｐを受信すると、プロセスデータＩｐを用いてドットパターンデータＤＰＤ及び目標温度データＨＣＤを生成して格納する。そして、制御部３０は、目標温度データＨＣＤを参照してヒータ駆動信号ＳＨを生成し、ヒータ駆動回路３６を介してヒータＨを駆動する、すなわち加熱面１２ａの温度を目標温度に維持する。これによって、吐出領域Ｒにおいては、伝導面２６ａに近い高伝導領域Ｒｃが相対的に高温になり、反対に、伝導面２６ａから遠い低伝導領域Ｒｅが相対的に低温になる。
【００６３】
制御部３０は、加熱面１２ａの温度が目標温度に到達すると、キャリッジ駆動回路３４を介してキャリッジモータＭＣを駆動し、各目標点Ｔの主走査経路の上に各ノズルＮを配置する。そして、制御部３０は、基板ステージ駆動回路３３を介してステージモータＭＳを駆動して基板Ｓの主走査を開始する。
【００６４】
制御部３０は、基板検出装置３２からの検出信号を受けて液滴吐出ヘッド２０に対する各目標点Ｔの相対位置を演算し、基板ステージ駆動回路からの演算結果を用いて、以降の相対位置を演算する。制御部３０は、液滴吐出ヘッド２０に対する各目標点Ｔの相対位置に基づいて、各目標点ＴがノズルＮの直下にあるか否かを判断し、各目標点ＴがノズルＮの直下に位置するたびにタイミング信号ＬＴを生成して、吐出ヘッド駆動回路３５にタイミング信号ＬＴを出力する。すなわち、制御部３０は、＋Ｘ方向に連続するｉ個の目標点Ｔがｉ個のノズルＮの直下に位置するたびに、該ｉ個の目標点Ｔに対して、実質的に同じタイミングの下で液滴Ｄを着弾させる。同じタイミングで着弾するｉ個の液滴Ｄは、＋Ｘ方向に沿って合一して＋Ｘ方向に連続する液膜Ｆを形成する。
【００６５】
この際、液膜Ｆの＋Ｘ方向に沿う両端部分と中央部分が、それぞれ低伝導領域Ｒｅと高伝導領域Ｒｃからの熱エネルギーを受ける、すなわち相対的に低温と高温の領域になる。この結果、液膜Ｆにおいては、＋Ｘ方向に沿う蒸発確率が均一になるため、＋Ｘ方向に沿う膜材料の濃度が均一になり、ひいては乾燥後の膜厚値が均一になる。
【００６６】
以後、同様に、制御部３０は、基板Ｓの主走査を繰り返し、＋Ｘ方向に連続するｉ個の目標点Ｔがｉ個のノズルＮの直下に位置するたびに、該ｉ個の目標点Ｔに対して一斉に液滴Ｄを着弾させる。これによって、制御部３０は、各液膜Ｆにおける膜材料の均一化を図ることができ、ひいては合一した液膜Ｆからなる膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００６７】
次に、上記のように構成した第一実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記第一実施形態においては、基板Ｓの上に＋Ｘ方向に沿って配列する複数の目標点Ｔの各々に液滴Ｄを着弾させることによって＋Ｘに連続する液膜Ｆを形成する。そして、＋Ｘ方向における所定幅の両端部分が＋Ｘ方向における中間部分よりも低温になる温度分布を液膜Ｆに形成して液膜Ｆを乾燥する。
【００６８】
したがって、＋Ｘ方向に沿う座標系において、液膜Ｆの両端部分は、中央部分に比べて低温になる分だけ、インクＩｋの蒸発確率を低くする。この結果、液膜Ｆの両端部分は、膜材料の偏りを回避することができる。よって、上記実施形態の成膜方法は、液膜Ｆを乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００６９】
（２）上記第一実施形態においては、＋Ｘ方向に配列する複数のノズルＮの各々から対向する複数の目標点Ｔの各々に実質的に同じタイミングで液滴Ｄを着弾させる。したがって、複数のノズルＮからの液滴Ｄは、それぞれ各目標点Ｔに実質的に同じタイミングで着弾して、＋Ｘ方向に連続する液膜Ｆを形成する。＋Ｘ方向に連続する液膜Ｆは、その両端部分が低伝導領域Ｒｅからの熱エネルギーを受けて低温になる分だけ、膜厚均一性を向上することができる。この結果、複数のノズルＮは、液滴Ｄの吐出タイミングを変更することなく、膜厚均一性を向上することができる。そのため、上記実施形態の成膜方法は、膜厚均一性を、より簡便な構成の下で向上することができる。
【００７０】
（３）上記第一実施形態において、複数のノズルＮと基板Ｓとを＋Ｙ方向に沿って相対移動させることにより、＋Ｙ方向に連続する液膜Ｆを形成する。そして、液膜Ｆを乾燥するとき、＋Ｘ方向に沿う液膜Ｆの両端部分と、＋Ｙ方向に沿う液膜Ｆの両端部分とが、それぞれ中間部分よりも低温になる。したがって、液膜Ｆの全周縁が、中央部分に比べて低温になるため、液膜Ｆは、膜材料の偏りを全周縁にわたって回避させることができる。よって、上記実施形態の成膜方法は、液膜Ｆを乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、さらに向上させることができる。
【００７１】
（４）上記第一実施形態において、各熱伝導部材２６が、高伝導領域Ｒｃと対向する加
熱面１２ａ上の位置に配設されて、加熱面１２ａからの熱量を、当接する基板Ｓの裏面に供給する。したがって、液滴吐出装置１０は、加熱面１２ａと基板Ｓとの間に熱伝導部材２６を挟入するだけで、膜材料の偏りを回避することができる。よって、液滴吐出装置１０は、液膜Ｆを乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、より簡単な構成の下で向上させることができる。しかも、液滴吐出装置１０は、各熱伝導部材２６を着脱可能に配設するため、各熱伝導部材２６の位置を変更するだけで、高伝導領域Ｒｃ及び低伝導領域Ｒｅの位置を変更させることができる。そのため、液滴吐出装置１０は、吐出領域Ｒの設計変更に伴い、柔軟に対応することができる。
【００７２】
（第二実施形態）
以下、本発明を具体化した第二実施形態について図７及び図８に従って説明する。第二実施形態は、本成膜処理の前にテスト成膜処理を実行して、基板Ｓに与える温度分布をテスト成膜処理の処理結果に基づいて変更するものであり、基板ステージ１２と基板Ｓに与える温度分布を変更したものであるため、以下においては、この変更点について詳細に説明する。図７（ａ）は、基板ステージ１２を示す側断面図である。
【００７３】
図７（ａ）において、基板ステージ１２の加熱面１２ａは、複数のヒータブロックＨＢを有する。複数のヒータブロックＨＢの各々は、それぞれ加熱面１２ａの＋Ｘ方向、及び＋Ｙ方向（紙面と直交する方向）の全体にわたって最密に配置される。各ヒータブロックＨＢは、それぞれ所定の駆動信号に応答して独立的に駆動する熱源であり、駆動信号に応じた熱エネルギーを供給する。各ヒータブロックＨＢの上面は、それぞれ基板Ｓの裏面に対して熱的に高い結合を有する平滑面である。
【００７４】
液滴Ｄの吐出処理を実行するとき、各ヒータブロックＨＢは、それぞれ所定の駆動信号を受けて、自身の上面と当接する基板Ｓの領域に、駆動信号に応じた熱エネルギーを供給する。基板Ｓは、各ヒータブロックＨＢからの熱エネルギーを吸収することにより、各ヒータブロックＨＢの発熱量に応じた温度分布を吐出面Ｓａに形成する。すなわち、各ヒータブロックＨＢは、吐出面Ｓａの面方向に沿って、所望する温度分布を形成する。本実施形態における温度分布は、テスト成膜処理に基づいて設定される。
【００７５】
次に、吐出面Ｓａに形成する温度分布について以下に説明する。図７（ｂ）は、テスト成膜処理と本成膜処理の温度分布を示す。また、図７（ｃ）は、テスト成膜処理と本成膜処理によって得られる膜厚分布を示す。
【００７６】
テスト成膜処理において、液滴吐出装置１０は、まず、加熱面１２ａの上にテスト成膜用の基板Ｓを載置する。次いで、液滴吐出装置１０は、各ヒータブロックＨＢを駆動して吐出面Ｓａに所定のテスト温度分布ＴＢを形成する。テスト温度分布ＴＢとは、各ヒータブロックＨＢの駆動信号に関連付けられる温度の分布であって、例えば図７（ｂ）の破線に示すように、吐出面Ｓａの略全体にわたり均一な温度で形成される温度分布である。
【００７７】
液滴吐出装置１０は、吐出面Ｓａにテスト温度分布ＴＢを形成すると、第一実施形態と同じく、吐出面Ｓａの各目標点Ｔに液滴Ｄを吐出して各吐出領域Ｒに液膜Ｆを形成し、テスト温度分布ＴＢの下で各液膜Ｆを乾燥する。本実施形態では、テスト成膜処理における各目標点Ｔを、それぞれテスト点という。
【００７８】
各テスト点の座標は、それぞれ本成膜処理に用いる各目標点Ｔに関連付けられる座標であり、テスト成膜用の点列の座標系は、本成膜用の点列の座標系に変換できるものである。すなわち、各テスト点は、それぞれテスト点に着弾する液滴Ｄを本成膜処理における温度分布の下で乾燥するとき、本成膜処理によって実現される膜厚分布と同じ傾向の膜厚分布を実現する点である。なお、本実施形態におけるテスト点は、本成膜処理における目標
点Ｔと同じ座標である。
【００７９】
液滴吐出装置１０は、乾燥後の液膜Ｆを所定の膜厚測定装置へ搬送させて、テスト温度分布ＴＢで得られる乾燥後の膜厚分布を計測させることによりテスト成膜処理を終了する。本実施形態では、テスト成膜処理で得られる膜厚分布を、テスト膜厚分布ＫＢという。テスト膜厚分布ＫＢとは、テスト点の座標系において測定される膜厚値の分布であり、例えば図７（ｂ）の破線に示すように、吐出面Ｓａの＋Ｘ方向に沿って連続的に計測される膜厚値の分布である。
【００８０】
本成膜処理において、液滴吐出装置１０は、まず、加熱面１２ａの上に本成膜用の基板Ｓを載置する。次いで、液滴吐出装置１０は、テスト膜厚分布ＫＢに基づいて各ヒータブロックＨＢを駆動することにより、吐出面Ｓａにおけるテスト温度分布ＴＢを補正温度分布ＴＣに変更する。
【００８１】
すなわち、液滴吐出装置１０は、テスト点の座標系を本成膜用の座標系に変換することにより、テスト膜厚分布ＫＢを、本成膜の座標系における膜厚分布に変換する。なお、本実施形態においては、各テスト点の座標と各目標点Ｔの座標とが同じであるため、以降においては、テスト膜厚分布ＫＢを、本成膜の座標系における膜厚分布として扱う。
【００８２】
液滴吐出装置１０は、変換されたテスト膜厚分布ＫＢ、すなわち本成膜の座標系における膜厚分布に基づき、相対的に厚い膜を有する座標を厚膜点として選択する。液滴吐出装置１０は、吐出領域Ｒにおいて厚膜点を相対的に低温にするための温度分布を形成する。また、液滴吐出装置１０は、テスト膜厚分布ＫＢに基づき、目標点Ｔの座標系において相対的に薄い膜を有する座標を薄膜点として選択する。液滴吐出装置１０は、吐出領域Ｒにおいて薄膜点を相対的に高温にするための温度分布を形成する。
【００８３】
例えば、液滴吐出装置１０は、図７（ｃ）の破線に示すように、テスト膜厚分布ＫＢに基づいて、相対的に厚い膜を有する座標Ｘｅ１，Ｘｅ２を厚膜点として選択する。また、液滴吐出装置１０は、テスト膜厚分布ＫＢに基づいて、相対的に薄い膜を有する座標Ｘｍ１，Ｘｍ２，Ｘｍ３を薄膜点として選択する。液滴吐出装置１０は、図７（ｂ）の実線に示すように、厚膜点（Ｘｅ１，Ｘｅ２）を相対的に低温にするための温度分布を形成し、かつ、薄膜点（Ｘｍ１，Ｘｍ２，Ｘｍ３）を相対的に高温にするための温度分布、すなわち補正温度分布ＴＣを吐出面Ｓａに形成する。
【００８４】
液滴吐出装置１０は、吐出面Ｓａに補正温度分布ＴＣを形成すると、第一実施形態と同じく、吐出面Ｓａの各目標点Ｔに液滴Ｄを吐出して各吐出領域Ｒに液膜Ｆを形成し、補正温度分布ＴＣの下で各液膜Ｆを乾燥する。これにより、液滴吐出装置１０は、テスト成膜処理に基づいて得られる膜厚分布と温度分布の関係を、本成膜処理に反映させることができる。そのため、液滴吐出装置１０は、図７（ｃ）の実線に示すように、乾燥後の膜厚分布（本成膜膜厚分布ＫＣ）を、より均一にすることができる。
【００８５】
次に、上記のように構成する第二実施形態の液滴吐出装置１０の電気的構成を図８に従って説明する。
図８において、入出力装置３１は、テスト成膜処理と本成膜処理とを選択するための選択スイッチを有する。制御部３０は、入出力装置３１からテスト成膜処理を選択するための選択信号が入力されるときにテスト成膜処理を実行する。また、制御部３０は、入出力装置３１から本成膜処理を選択するための選択信号が入力されるときに本成膜処理を実行する。
【００８６】
制御部３０は、入出力装置３１から既定形式のプロセスデータＩｐを受信する。テスト
成膜処理を実行するとき、プロセスデータＩｐは、テスト温度分布ＴＢとテスト点に関するデータを有する。また、本成膜処理を実行するとき、プロセスデータＩｐは、テスト温度分布ＴＢとテスト膜厚分布ＫＢに関するデータを有する。
【００８７】
制御部３０は、テスト成膜処理を実行するとき、入出力装置３１からのプロセスデータＩｐに所定の展開処理を施して、テスト温度分布ＴＢを形成するための各ヒータブロックＨＢの出力に関するデータを、目標温度データＨＣＤとして生成する。制御部３０は、目標温度データＨＣＤを参照して、テスト温度分布ＴＢを形成するためのヒータ駆動信号ＳＨを生成して、ヒータ駆動回路３６にヒータ駆動信号ＳＨを出力する。ヒータ駆動回路３６は、制御部３０からのヒータ駆動信号ＳＨに応答して各ヒータブロックＨＢを駆動させ、これによって吐出面Ｓａにテスト温度分布ＴＢを形成する。
【００８８】
制御部３０は、テスト成膜処理を実行するとき、入出力装置３１からのプロセスデータＩｐに所定の展開処理を施して、各テスト点に液滴Ｄを吐出するためのドットパターンデータＤＰＤを生成する。制御部３０は、第一実施形態と同じく、ドットパターンデータＤＰＤを用いて各テスト点に液滴Ｄを着弾させる。
【００８９】
制御部３０は、本成膜処理を実行するとき、入出力装置３１からのプロセスデータＩｐに所定の展開処理を施して厚膜点と薄膜点を選択して補正温度分布ＴＣに関するデータを目標温度データＨＣＤとして生成する。すなわち、制御部３０は、補正温度分布ＴＣを形成するための各ヒータブロックＨＢの出力に関するデータを目標温度データＨＣＤとして生成する。
【００９０】
制御部３０は、目標温度データＨＣＤを参照して、補正温度分布ＴＣを形成するためのヒータ駆動信号ＳＨを生成し、ヒータ駆動回路３６にヒータ駆動信号ＳＨを出力する。ヒータ駆動回路３６は、制御部３０からのヒータ駆動信号ＳＨに応答して各ヒータブロックＨＢを駆動させ、これによって吐出面Ｓａに補正温度分布ＴＣを形成する。
【００９１】
次に、上記のように構成した第二実施形態の効果を以下に記載する。
（５）上記第二実施形態においては、テスト点の各々に液滴Ｄを着弾させて液膜Ｆを形成し、該液膜Ｆをテスト温度分布ＴＢの下で乾燥することにより、テスト膜厚分布ＫＢを得る、すなわちテスト成膜処理を実行する。そして、本成膜処理を実行するとき、目標点Ｔの各点に液滴Ｄを着弾させて液膜Ｆを形成し、該液膜Ｆを、テスト膜厚分布ＫＢとテスト温度分布ＴＢに基づいて形成する補正温度分布ＴＣの下で乾燥する。
【００９２】
したがって、本成膜処理における補正温度分布ＴＣは、テスト温度分布ＴＢの下の乾燥によって相対的に厚い膜になり得る座標を、相対的に低温に補正できる。また、テスト温度分布ＴＢの下の乾燥により相対的に薄い膜になり得る座標を、相対的に高温に補正できる。よって、本成膜処理における液膜Ｆは、相対的に厚い膜になり得る部分の蒸発確率を低くすることができ、かつ、相対的に薄い膜になり得る部分の蒸発確率を高くすることができる。この結果、本成膜処理における液膜Ｆは、液滴Ｄからなる膜の膜厚均一性を、より確実に向上させることができる。
【００９３】
（６）上記第二実施形態においては、＋Ｘ方向における液膜Ｆの両端部分と中間部分との間が、補正温度分布ＴＣによって、それぞれ中間部分よりも高温になる。したがって、液膜Ｆの両端部分の近傍は、中央部分に比べて高温になる分だけ、蒸発確率を高くする。よって、両端部分の近傍の膜材料が、両端部分に流動し難くなる。そのため、上記第二実施形態の成膜方法によれば、液膜Ｆを乾燥させて形成する膜の膜厚均一性を、さらに向上させることができる。
【００９４】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記第一実施形態においては、加熱面１２ａと基板Ｓとの間に、熱伝導部材２６が挟入される。これに限らず、例えば加熱面１２ａが凹凸形状を呈し、該凹部を低伝導領域Ｒｅとする構成であってもよい。
【００９５】
・上記第一実施形態においては、伝導面２６ａが平面である。これに限らず、図９に示すように、伝導面２６ａを曲面にしてもよい。これによれば、吐出面Ｓａにおける急峻な温度変化が抑えられる。
【００９６】
・上記第一実施形態においては、隣接する熱伝導部材２６の間の空間が中空である。これに限らず、例えば隣接する熱伝導部材２６の間の空間は、空気や冷却水等の冷媒の流動より、低伝導領域Ｒｅの低温化を図る構成にしても良い。また、隣接する熱伝導部材２６の間の空間は、熱伝導性の低い部材を有することにより、低伝導領域Ｒｅの低温化を図る構成にしても良い。あるいは、伝導面２６ａの領域にペルティエ素子の加熱部を配設し、上記空間の領域に該ペルティエ素子の冷却部を配設する構成でも良い。これらによれば、液滴吐出装置１０は、低伝導領域Ｒｅの温度範囲を拡張させることができる。
【００９７】
・上記実施形態においては、ノズル列の数量が一列であるが、これに限らず、ノズル列の数量は、２列以上であっても良い。
・上記実施形態においては、液滴吐出ヘッド２０の数量が１つであるが、これに限らず、液滴吐出ヘッド２０の数量は、２以上であっても良い。
【００９８】
・上記実施形態において、ヒータＨあるいはヒータブロックＨＢは、液滴Ｄを吐出するときに吐出領域Ｒを加熱する。これに限らず、例えばヒータＨあるいはヒータブロックＨＢは、吐出領域Ｒに液膜Ｆが形成された後に、吐出領域Ｒを加熱する構成であっても良い。
【００９９】
・上記実施形態において、液滴吐出装置１０は、液滴吐出ヘッド２０と乾燥部の双方を有する。これに限らず、液滴吐出装置１０は、乾燥部を有しない構成であってもよく、この際、乾燥部（基板ステージ１２、ヒータＨ、熱伝導部材２６）を、別途、乾燥装置として構成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】第一実施形態の液滴吐出装置を示す斜視図。
【図２】同じく、液滴吐出ヘッドを示す斜視図。
【図３】同じく、液滴吐出ヘッドの内部を示す側面図。
【図４】同じく、液滴の吐出位置を示す平面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ第一実施形態の基板ステージを示す平面図、及び側断面図。
【図６】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。
【図７】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ第二実施形態の基板ステージを示す側断面図、基板ステージの温度プロファイルを示す図、及び液膜の膜厚プロファイルを示す図。
【図８】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。
【図９】変更例の基板ステージを示す側断面図。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ従来例の液滴吐出処理を示す平面図、及び側断面図。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ従来例の液滴吐出処理を示す平面図、及び側断面図。
【符号の説明】
【０１０１】
Ｄ…液滴、Ｆ…液膜、Ｈ…ヒータ、Ｉｋ…インク、Ｎ…ノズル、Ｒ…吐出領域、Ｓ…基板、Ｓａ…吐出面、１０…液滴吐出装置、２０…液滴吐出ヘッド、２６…熱伝導部材、３０…制御部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、
前記対象物上の点列の各点に前記液滴を着弾させることによって前記点列上に液膜を形成する工程と、
前記点列の列方向における所定幅の両端部分が前記列方向の中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を乾燥する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜方法であって、
前記液膜を形成する工程は、
前記列方向に配列する複数のノズルの各々から前記点列の各点に同じタイミングで前記液滴を着弾させることにより前記液膜を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の成膜方法であって、
前記液膜を形成する工程は、
前記列方向に配列する複数のノズルの各々から前記点列の各点に同じタイミングで前記液滴を着弾させるとともに、前記複数のノズルと前記対象物とを前記列方向と交差する方向に相対移動させることにより前記交差する方向に連続する液膜を形成し、
前記液膜を乾燥する工程は、
前記列方向における所定幅の両端部分と、前記交差する方向における所定幅の両端部分とが前記中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を乾燥することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の成膜方法であって、
前記液膜を乾燥する工程は、
前記両端部分と前記中間部分との間が、それぞれ前記中間部分よりも高温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を乾燥することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、
対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列に第一液膜を形成し、前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成する工程と、
前記第一点列の座標系における前記第一膜の膜厚分布を計測する工程と、
対象物上の第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列に第二液膜を形成する工程と、
前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に厚い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも低温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、
対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列に第一液膜を形成し、前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成する工程と、
前記第一点列の座標系における前記第一膜の膜厚分布を計測する工程と、
対象物上の第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列に第二液膜を形成する工程と、
前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に薄い膜厚値の座標を、前記所定温度より高温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部とを有する成膜装置であって、
前記液滴吐出ヘッドは、前記対象物上の点列の各点に前記液滴を着弾させることによって前記点列上に液膜を形成し、
前記乾燥部は、前記列方向における所定幅の両端部分が前記列方向の中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成することにより前記対象物に前記膜を形成することを特徴とする成膜装置。
【請求項８】
請求項７に記載の成膜装置であって、
前記乾燥部は、
前記対象物と対向する加熱面を有するヒータと、
前記中間部分に対向する前記加熱面上の領域に配置されて、前記対象物と当接することにより、前記加熱面から受ける熱を前記中間部分に伝導する熱伝導部材と、
を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項９】
請求項７に記載の成膜装置であって、
前記乾燥部は、
前記列方向に配列して前記対象物と熱的に接触する複数のヒータを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項１０】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部と、前記液滴吐出ヘッドと前記乾燥部とを制御する制御部とを有する成膜装置であって、
前記制御部は、
前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列上に第一液膜を形成し、前記乾燥部を駆動して前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成し、
前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上に第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列上に第二液膜を形成し、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記乾燥部を駆動して前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に厚い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも低温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥することを特徴とする成膜装置。
【請求項１１】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部と、前記液滴吐出ヘッドと前記乾燥部とを制御する制御部とを有する成膜装置であって、
前記制御部は、
前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列上に第一液膜を形成し、前記乾燥部を駆動して前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成し、
前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上に第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列上に第二液膜を形成し、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標
系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記乾燥部を駆動して前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に薄い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも高温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥することを特徴とする成膜装置。
【請求項１】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、
前記対象物上の点列の各点に前記液滴を着弾させることによって前記点列上に液膜を形成する工程と、
前記点列の列方向における所定幅の両端部分が前記列方向の中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を乾燥する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜方法であって、
前記液膜を形成する工程は、
前記列方向に配列する複数のノズルの各々から前記点列の各点に同じタイミングで前記液滴を着弾させることにより前記液膜を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の成膜方法であって、
前記液膜を形成する工程は、
前記列方向に配列する複数のノズルの各々から前記点列の各点に同じタイミングで前記液滴を着弾させるとともに、前記複数のノズルと前記対象物とを前記列方向と交差する方向に相対移動させることにより前記交差する方向に連続する液膜を形成し、
前記液膜を乾燥する工程は、
前記列方向における所定幅の両端部分と、前記交差する方向における所定幅の両端部分とが前記中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を乾燥することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の成膜方法であって、
前記液膜を乾燥する工程は、
前記両端部分と前記中間部分との間が、それぞれ前記中間部分よりも高温になる温度分布を前記液膜に形成して前記液膜を乾燥することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、
対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列に第一液膜を形成し、前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成する工程と、
前記第一点列の座標系における前記第一膜の膜厚分布を計測する工程と、
対象物上の第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列に第二液膜を形成する工程と、
前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に厚い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも低温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出し、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する成膜方法であって、
対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列に第一液膜を形成し、前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成する工程と、
前記第一点列の座標系における前記第一膜の膜厚分布を計測する工程と、
対象物上の第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列に第二液膜を形成する工程と、
前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に薄い膜厚値の座標を、前記所定温度より高温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部とを有する成膜装置であって、
前記液滴吐出ヘッドは、前記対象物上の点列の各点に前記液滴を着弾させることによって前記点列上に液膜を形成し、
前記乾燥部は、前記列方向における所定幅の両端部分が前記列方向の中間部分よりも低温になる温度分布を前記液膜に形成することにより前記対象物に前記膜を形成することを特徴とする成膜装置。
【請求項８】
請求項７に記載の成膜装置であって、
前記乾燥部は、
前記対象物と対向する加熱面を有するヒータと、
前記中間部分に対向する前記加熱面上の領域に配置されて、前記対象物と当接することにより、前記加熱面から受ける熱を前記中間部分に伝導する熱伝導部材と、
を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項９】
請求項７に記載の成膜装置であって、
前記乾燥部は、
前記列方向に配列して前記対象物と熱的に接触する複数のヒータを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項１０】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部と、前記液滴吐出ヘッドと前記乾燥部とを制御する制御部とを有する成膜装置であって、
前記制御部は、
前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列上に第一液膜を形成し、前記乾燥部を駆動して前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成し、
前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上に第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列上に第二液膜を形成し、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記乾燥部を駆動して前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に厚い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも低温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥することを特徴とする成膜装置。
【請求項１１】
膜材料を含む液状体を複数の液滴にして対象物に吐出する液滴吐出ヘッドと、前記対象物上の前記液状体を乾燥することにより前記対象物に膜を形成する乾燥部と、前記液滴吐出ヘッドと前記乾燥部とを制御する制御部とを有する成膜装置であって、
前記制御部は、
前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上の第一点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第一点列上に第一液膜を形成し、前記乾燥部を駆動して前記第一液膜を所定温度で乾燥することにより第一膜を形成し、
前記液滴吐出ヘッドを駆動して対象物上に第二点列の各点に前記液滴を着弾させることにより前記第二点列上に第二液膜を形成し、前記第一点列の座標系を前記第二点列の座標
系に変換することにより、前記第一膜の膜厚分布を前記第二点列の座標系における膜厚分布に変換し、前記乾燥部を駆動して前記第二点列の座標系における膜厚値の中で相対的に薄い膜厚値の座標を、前記所定温度よりも高温にする温度分布を前記第二液膜に形成して前記第二液膜を乾燥することを特徴とする成膜装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００９−３４６１５（Ｐ２００９−３４６１５Ａ）
【公開日】平成２１年２月１９日（２００９．２．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２０１９７９（Ｐ２００７−２０１９７９）
【出願日】平成１９年８月２日（２００７．８．２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年２月１９日（２００９．２．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月２日（２００７．８．２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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