昇降装置を用いる基板処理装置及び方法
【課題】基板を処理する装置及び方法を提供すること。
【解決手段】複数のチャックが工程チャンバー内で相互平行に配置される。前記チャックは基板の裏面を全体的に支持し、多数の貫通ホールを有する。サポーターは、前記貫通ホールを通じて、移動可能に配置され、前記基板は前記チャックと前記サポーターの間の相対的な運動によって、前記チャック上にロードされるか前記チャックからアンロードされる。よって、前記基板を処理する期間、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止することができる。
【解決手段】複数のチャックが工程チャンバー内で相互平行に配置される。前記チャックは基板の裏面を全体的に支持し、多数の貫通ホールを有する。サポーターは、前記貫通ホールを通じて、移動可能に配置され、前記基板は前記チャックと前記サポーターの間の相対的な運動によって、前記チャック上にロードされるか前記チャックからアンロードされる。よって、前記基板を処理する期間、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、昇降装置を用いる基板処理装置及び方法に関わり、より詳細には、複数の基板を一つのチャンバーにロードし、前記チャンバーからアンロードする昇降装置を用いて、前記基板を処理する装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に半導体基板を処理する装置は、スループットを向上させるために、一つの工程チャンバーを用いて複数の基板を同時に処理するバッチ式装置、及び一つのチャンバー内で基板を一枚ずつ個別的に処理する枚葉式基板処理装置に区分される。特に、高温で基板を処理する高温工程の場合、チャンバーの内部温度を調節するのに多くの時間が所要されることがある。よって、前記高温工程では、一般的にバッチ式装置が用いられている。
【０００３】
しかし、前記バッチ式装置を用いる場合、半導体基板の裏面上に異質を含む不希望の膜が形成されるおそれがある。前記不希望の膜は、後続工程、例えば、エッチング工程、洗浄工程、エッチバック工程などを行う期間、汚染源として作用するおそれがある。
【０００４】
また、前記バッチ式装置を用いる場合、半導体基板は、ボート内で相互平行に配列されることが可能である。この際、前記半導体基板を処理するためにチャンバー内で生成されるプラズマが前記半導体基板上に均一に供給されにくい。また、前記半導体基板を移送するために前記チャンバーまたはトランスファーチャンバーの圧力を調節するか、或いは前記ボートを移動させるのに多くの時間が所要されるおそれがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、前記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、複数の基板を垂直方向に移動させるための昇降装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記昇降装置を用いて、複数の基板を同時に処理し、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止できる基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
本発明のまた他の目的は、前記基板処理装置を用いて、複数の基板を同時に処理し、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止しうる基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面による昇降装置は、水平方向に相互平行に配置された第１プレートと、第１プレートを支持する第１支持台と、前記第１プレートの間で前記第１プレートと平行に配置された第２プレートと、前記第２プレートを支持する第２支持台と、前記第１支持台と連結され、内部に中空を有して垂直方向に延長する第１駆動軸と、前記第２支持台と連結され、前記第１駆動軸の中空を通じて延長する第２駆動軸と、前記第１及び第２駆動軸と機械的に連結され、前記第１及び第２駆動軸を垂直方向に移動させる駆動ユニットと、を含むことができる。
【０００８】
本発明の実施例によると、前記駆動ユニットは、前記第１駆動軸の端部と連結される第１フランジと、前記第１フランジの下で前記第１フランジと平行に配置され、前記第２駆動軸の端部と連結される第２フランジと、前記第２フランジを垂直方向に移動させる駆動部と、前記第１フランジと第２フランジとを相互連結させ、前記第１フランジと第２フランジとの間の間隔を調節する間隔調節部材と、を含むことができる。
【０００９】
本発明の実施例によると、前記間隔調節部材は、油圧または空圧シリンダーを含むことができる。
本発明の実施例によると、前記駆動ユニットは、前記第１フランジと第２フランジとの間で前記第２駆動軸を囲むベローズを更に含むことができる。
【００１０】
本発明の他の側面による基板処理装置は、工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に相互平行に配置されて複数の基板の裏面とそれぞれ接触して前記基板をそれぞれ支持し、複数の貫通ホールがそれぞれ有する複数のチャックと、前記貫通ホールを通じて移動可能に配置され、前記基板を前記チャックにロードし、前記チャックからアンロードするための複数のサポーターを含むことができる。
【００１１】
本発明の実施例によると、それぞれのチャックは、それぞれの基板の裏面と全体的に接触することができる。
本発明の実施例によると、前記チャックは、前記基板を支持するために、そして前記支持された基板をアンロードするために垂直方向に移動可能に配置されることが可能である。
【００１２】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記チャックの内部に配置され、前記基板の温度を調節するためのヒーターを更に含むことができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記チャックを同時に垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことができる。
【００１３】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記チャックを支持して垂直方向に延長する支持台と、前記支持台と前記駆動ユニットとを連結する駆動軸を更に含むことができる。
【００１４】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記チャックの下で前記チャックと平行に配置され、前記基板が独立した空間で処理されるように前記工程チャンバーの内部空間を分割する多数のプレートを更に含むことができる。
【００１５】
本発明の実施例によると、前記プレートは、前記サポーターの端部を支持して垂直方向に移動可能に配置されることが可能である。
本発明の実施例によると、前記プレートは、伝導性物質を含むことができる。
【００１６】
本発明の実施例によると、前記プレートは、前記チャックより大きい直径を有することができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記プレートを垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことができる。
【００１７】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記プレートを支持して垂直方向に延長する支持台と、前記支持台と前記駆動ユニットとを連結する駆動軸と、を更に含むことができる。
【００１８】
本発明の実施例によると、それぞれのプレートは、前記基板を処理するためのガスを通過させるための複数の第２貫通ホールを有することができる。
本発明の実施例によると、前記第２貫通ホールは、０．０５ｍｍ〜５ｍｍの直径を有することができる。
【００１９】
本発明の実施例によると、前記プレートは、アルミニウム、タンタリウム、チタニウム、銀、またはこれらの合金を含むことができる。
本発明の実施例によると、前記プレートは、金属酸化物または金属窒化物を含むことができる。
【００２０】
本発明の実施例によると、前記プレートは、多重膜構造を有することができる。
本発明の実施例によると、それぞれのプレートは、導電膜及び前記導電膜上の絶縁膜を含むことができる。
【００２１】
本発明の実施例によると、それぞれのプレートは、導電膜、前記導電膜上の絶縁膜、及び前記絶縁膜上の断熱膜を含むことができる。
本発明の実施例によると、それぞれのプレートは、冷媒を循環させるように構成された冷却ラインを有することができる。
【００２２】
本発明の実施例によると、前記チャックは、伝導性物質を含むことができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記工程チャンバーの内部の温度を調節するためのヒーターを更に含むことができる。
【００２３】
本発明のまた他の側面による基板処理装置は、工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に相互平行に配置されて複数の基板の裏面とそれぞれ接触して前記基板をそれぞれ支持し、複数の貫通ホールがそれぞれ形成された複数のチャックと、前記複数の貫通ホールを通じて垂直方向に移動可能に配置された複数のサポーターと、前記チャックを支持して垂直方向に延長する第１支持台と、前記チャックの下で前記チャックと平行に配置されて前記サポーターの下段部を支持するプレートと、前記プレートを支持して垂直方向に延長する第２支持台と、前記第１支持台と連結され、内部に中空を有して垂直方向に延長する第１駆動軸と、前記第２支持台と連結され、前記第１駆動軸の中空を通じて延長する第２駆動軸と、前記第１及び第２駆動軸と機械的に連結され、前記第１及び第２駆動軸を垂直方向に移動させる駆動ユニットを含むことができる。
【００２４】
本発明のまた他の側面による基板処理方法は、工程チャンバーの内部に相互平行に配置されて複数の貫通ホールがそれぞれ形成された複数のチャック上に複数の基板をそれぞれロードする段階と、工程ガスを用いて、前記基板を処理する段階と、前記複数の貫通ホールを通じて移動可能に配置されたサポーター上に前記基板が支持されるようにすることによって、前記基板を前記チャックからアンロードする段階と、前記チャックから離隔された前記基板を前記工程チャンバーから搬出させる段階と、を含むことができる。
【００２５】
本発明の実施例によると、前記基板は、前記チャックを下方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることが可能である。
本発明の実施例によると、前記基板は、前記サポーターを上方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることが可能である。
【発明の効果】
【００２６】
前述したような本発明の実施例によると、一つのチャンバー内でプラズマを用いて複数の基板を処理することができる。特に、前記チャンバー内には、前記基板の裏面を全体的に支持するチャックが配置されることが可能である。よって、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施例による昇降装置を説明するための断面図である。
【図２】図１に示された第１及び第２駆動軸を示した斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例による基板処理装置を説明するための断面図である。
【図４】図３の基板処理装置において基板が支持された状態を示した平面図である。
【図５】図３の第１及び第２支持台に支持された基板を示した断面図である。
【図６】図３の第１支持台によって、チャックから離隔された基板を示した断面図である。
【図７】図３の第２支持台によって、チャックから離隔された基板を示した断面図である。
【図８】図３に示したプレートの一例を示した平面図である。
【図９】図３に示したプレートの他の例を説明するための断面図である。
【図１０】図３に示したプレートのまた他の例を説明するための断面図である。
【図１１】本発明のまた他の実施例による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下に添付図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明は、下記に説明される実施例に限定されたように構成しなければならないことではなく、これとは異なる多様な形態に具体化することができる。下記の実施例は、本発明が完全になるようにするために提供されるよりは、本発明の技術分野において熟練した当業者に本発明の範囲を十分に伝達するために提供される。
【００２９】
一つの要素が他の一つの要素上に配置されることとして説明される場合、前記要素は前記他の一つの要素上に直接的に配置されることも可能であり、他の要素がこれの間に介在されることも可能である。これとは対照的に、一つの要素が他の一つの要素上に直接的に配置されることとして説明される場合、それらの間には、また他の要素がありえない。また、「及び／または」という用語は関連する項目中のいずれか一つまたは一つ以上の組合を含む。
【００３０】
多様な項目を説明するために使用される第１、第２等の用語は、これらの用語によって限定されない。これらの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲から逸脱することなしに、第１薄膜は第２薄膜と称されてもよく、同様に第２薄膜も第１薄膜に称されてもよい。
【００３１】
下記で使用された専門用語は、ただ特定の実施例を説明するための目的で使用されることで、本発明を限定するのではない。下記で使用されたように、単数の表現は、文脈上、明白に相違が示されない限り、複数の表現を含む。また、「含む」及び／または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを意図するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたもの等の存在または付加の可能性を予め排除しないことを理解しなければならない。
【００３２】
また、相対的な用語、例えば、「下部」または「底」、そして「上部」または「最上部」等の用語は、図面に説明されたように他の要素に対する一要素の関係を説明するために使用することができる。相対的な用語は、図面に示された方位に加えて、装置の他の方位を含むことができる。例えば、図面のうち、一図における装置の方向が変わると、他の要素の下部側にあるものと説明された要素が前記他の要素の上部側にあるものに合せられる。よって、「下部」という典型的な用語は図面の特定方位に対し「下部」及び「上部」方位両方とも含むことができる。これと同様に、図面のうち、一図における装置の方向が変わると、他の要素の「下」または「下方」として説明された要素は、前記他の要素の「上」または「上方」に合わせられる。よって、「下」または「下方」という典型的な用語は、下と上との方位の両方とも含むことができる。
【００３３】
異なるものとして定義しない限り、技術的であるか科学的な用語を含めてここで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有している。一般的に用いられる辞典に定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有することと解釈すべきであり、本出願で明白に定義されない限り、異常的であるか過度に形式的な意味に解釈されない。
【００３４】
本発明の実施例は、本発明の理想的な実施例の概略的な図解の断面図解を参照して説明される。これによって、前記図解の形状からの変化、例えば、製造方法および/または許容誤差の変化は予想される。したがって、本発明の実施例は図解として説明された領域の特定形状に限定されたように説明されるのではなく、形状における偏差を含む。例えば、扁平なものとして説明された領域は一般的に荒さおよび/または非線形的な形態を有することができる。また、図解として説明された尖っている角は丸くなることもできる。よって、図面に説明された領域は全的に概略的なものであり、これらの形状は、領域の正確な形状を説明するためのものでなく、また本発明の範囲を限定するものでもない。
【００３５】
図１は、本発明の一実施例による昇降装置を説明するための断面図である。図２は、図２に示した第１及び第２駆動軸を示した斜視図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による昇降装置１００は、第１支持台１１１、第２支持台１１３、第１駆動軸１２１、第２駆動軸１２６、及び駆動ユニット１５０を含むことができる。
【００３６】
第１支持台１１１は、第１プレート１０１を支持することができる。ここで、第１プレート１０１は、相互平行に水平方向に配置されることが可能である。例えば、第１プレート１０１は、基板をそれぞれ支持するチャックであってもよい。
【００３７】
第１支持台１１１は、複数の第１支持柱（図示せず）、前記複数の第１支持柱を上部及び下部で相互連結する第１上板（図示せず）及び第１下板（図示せず）を含むことができる。また、前記第１支持柱の内側壁には、第１プレート１０１の下面を部分的に支持するための第１突出部（図示せず）または第１凹部（図示せず）が形成されることが可能である。
【００３８】
第２支持台１１３は、第２プレート１０３を支持することができる。ここで、第２プレート１０３は、第１プレート１０１の間に配置され、第１プレート１０１と相互平行に配置されることが可能である。第１プレート１０１が基板を支持するチャックとして用いられる場合、第２プレート１０３は前記チャック上に支持される基板を処理する工程空間を分割する空間分割部材として用いられることが可能である。
【００３９】
第２支持台１１３は、複数の第２支持柱（図示せず）、前記複数の第２支持柱を上部及び下部でそれぞれ連結する第２上板（図示せず）及び第２下板（図示せず）を含む。また、前記第２支持柱の内側壁には第２プレート１０３の下面を部分的に支持するための第２突出部（図示せず）または第２凹部（図示せず）が形成されることが可能である。
【００４０】
第１駆動軸１２１は、第１支持台１１１と連結され、第１支持台１１１を昇降させる。よって、第１駆動軸（１２１）が第１支持台１１１を昇降させることによって、第１支持台１１１によって支持される第１プレート１０１が上下に昇降される。結果的に、第１プレート１０１が基板を支持する場合、第１プレート１０１が昇降することによって基板が垂直方向に移動することができる。
【００４１】
第１駆動軸１２１の内部には中空１２５が形成される。中空を通じて、後述する第２駆動軸１２６が挿入されて設置される。
本発明の一実施例において、第１駆動軸１２１はシリンダー形状を有する。この場合、第１駆動軸１２１は第１直径を有する。
【００４２】
第２駆動軸１２６は、第２支持台１１３と連結され、第２支持台１１３を昇降させる。よって、第２駆動軸１２６が第２支持台１１３を昇降させることによって、第２支持台１１３によって支持される第２プレート１０３が上下に昇降される。
【００４３】
第１駆動軸１２１及び第２駆動軸１２６は、相互機械的に連結される。例えば、第２駆動軸１２６は、第１駆動軸１２１に形成された中空１２５に挿入されて設置される。
本発明の一実施例において、第２駆動軸１２６はシリンダー形状を有する。この場合、第２駆動軸１２６は第１駆動軸１２１の第１直径より小さい第２直径を有する。また、第２駆動軸１２６は第１駆動軸１２１より長い高さを有する。よって、第２駆動軸１２６は第１駆動軸１２１の中空１２５を貫通する。
【００４４】
駆動ユニット１５０は、第１駆動軸１２１及び第２駆動軸１２６と機械的に連結する。駆動ユニット１５０は、第１駆動軸１２１及び第２駆動軸１２６を垂直方向に移動させる駆動力を提供する。
【００４５】
駆動ユニット１５０は第１フランジ１５１、第２フランジ１５３、間隔調節部材１５５、及び駆動部１５７を含む。
第１フランジ１５１は、第１駆動軸１２１の下段部と機械的に連結する。よって、第１フランジ１５１が上下に移動する場合、第１駆動軸１２１と機械的に連結された第１支持台１１１が上下に移動する。第１フランジ１５１には第２駆動軸１２６が貫通可能な貫通ホールが形成される。よって、第２駆動軸１２６は第１フランジ１５１を貫通して、下方に突出される。
【００４６】
第２フランジ１５３は、第１フランジ１５１の下に平行に配置される。第２フランジ１５３は、第２駆動軸１２６の下段部と機械的に連結される。よって、第２フランジ１５３が上下に移動する場合、第２駆動軸１２６が上下に移動する。
【００４７】
前記駆動部１５７は、前記第２フランジ１５３の下部に配置され、前記第２フランジ１５３と機械的に連結されることが可能である。
間隔調節部材１５５は、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３を相互機械的に連結させる。間隔調節部材１５５は、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３間の間隔を一定に維持するか、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３間の間隔を減少させることができる。よって、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３間の間隔が一定に維持され、前記駆動部１５７により第２フランジ１５３が上下に移動する場合、第１フランジ１５１も同時に上下に移動することができる。また、間隔調節部材１５５により前記第１フランジ１５１と第２フランジ１５３との間の間隔が変わる場合、第１フランジ１５１と機械的に連結された第１支持台１１１を垂直方向に移動させることができる。これとは反対に、第２フランジ１５３が第１フランジ１５１に対し相対的に移動することもできる。
【００４８】
結果的に、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３の間の相対的な運動、即ち、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３の間の間隔調節によって、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３は個別的に上下移動ができ、前記駆動部１５７により第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３両方とも同時に上下移動することができる。
【００４９】
本発明の一実施例において、間隔調節部材１５５は油圧または空圧シリンダーを含むことができる。一方、昇降装置１００は、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３の間に第２駆動軸１２６を囲むベローズ１５９を更に含むことができる。
【００５０】
本発明の一実施例において、前記駆動部１５７は油圧または空圧シリンダーを含むことができる。択一的に、前記駆動部１５７はモーターとリニアモーションガイドを含むこともできる。
【００５１】
図３は、本発明の他の実施例による基板処理装置を説明するための断面図である。図４は、図３の基板処理装置において基板が支持された状態を示した平面図である。図５は、図３の第１及び第２支持台に支持された基板を示した断面図である。図６は、図３の第１支持台によってチャックから離隔された基板を示した断面図である。図７は、図３の第２支持台によってチャックから離隔された基板を示した断面図である。
【００５２】
図３〜図７を参照すると、本発明の他の実施例による基板処理装置２００は、工程チャンバー２０１、複数のチャック２１０、複数のサポーター２２０、第１支持台２５０、プレート２４０、第２支持台２６０、第１駆動軸２７０、第２駆動軸２８０、駆動ユニット２９０などを含むことができる。
【００５３】
工程チャンバー２０１は、複数の基板（Ｗ）を処理するための工程空間を提供する。図示していないが、前記基板処理装置は、前記工程チャンバー１００の内部温度を調節するためのヒーターを更に含むことができる。
【００５４】
複数のチャック２１０は、工程チャンバー２０１の内部に相互平行に垂直に配列されることが可能である。それぞれのチャック２１０は、ディスク形状を有することができる。複数のチャック２１０は、複数の基板（Ｗ）の裏面とそれぞれ接触して、基板処理工程が進行される期間、基板（Ｗ）を支持する。よって、前記基板処理工程の進行される期間、基板（Ｗ）の裏面は全体的に複数のチャック２１０とそれぞれ接触することによって、基板の裏面上に不希望の膜の形成が抑制されることが可能である。
【００５５】
複数のチャック２１０にはそれぞれの複数の貫通ホール２１５が形成される。複数の貫通ホール２１５を通じて、後述する複数のサポーター２２０が垂直方向に貫通して配置されることが可能である。例えば、それぞれのチャックには３つの貫通ホールが形成され、３つのサポーター２２０が前記３つの貫通ホール２１５を通じて配置されることが可能である。
【００５６】
本発明の一実施例において、複数のチャック２１０の内部には加熱部材２１７がそれぞれ配置されることが可能である。例えば、それぞれの加熱部材２１７は、ジグザグ形態に延長する電気抵抗熱線を含むことができる。よって、前記加熱部材２１７は、複数のチャック２１０上にロードされた複数の基板（Ｗ）を工程温度に加熱するために具備されることが可能である。
【００５７】
図示していないが、複数のチャック２１０の内部にはチャック２１０の温度を測定する熱電対（ｔｈｅｒｍｏｃｏｕｐｌｅ、図示せず）がそれぞれ配置されることが可能である。また、複数のチャック２１０は電気的に接地されることが可能である。
【００５８】
本発明の一実施例において、それぞれのサポーター２２０は、垂直方向に延長され、前記基板（Ｗ）の裏面を支持するヘッドを含むことができる。
本発明の一実施例において、後述するプレート２４０が上昇する場合、前記サポーター２２０は基板（Ｗ）を上昇させ、基板（Ｗ）をチャック２１０からアンロードさせる。移送ユニット（図示せず）は、前記離隔された基板（Ｗ）及びチャック２１０の間の空間に移動することができ、前記移送ユニットによって、基板（Ｗ）がチャンバー２０１から搬出されることが可能である。これとは反対に、前記移送ユニットは、前記上昇されたサポーター２２０上に基板（Ｗ）をロードすることができる。
【００５９】
本発明の他の実施例において、チャック２１０が下降する場合、基板（Ｗ）は、サポーター２２０により支持され、これによって前記基板（Ｗ）がチャック２１０からアンロードされることが可能である。
【００６０】
一方、前記移送ユニットは、前記チャンバー２０１と隣接する真空チャンバー（図示せず）に配置されることが可能である。よって、前記複数の基板（Ｗ）を移送する期間、前記チャンバー２０１の内部の圧力を一定に維持することがあるため、前記基板（Ｗ）の移送に所要される時間を減少させることができる。
【００６１】
プレート２４０は、複数のチャック１１０の間に配置される。特に、前記プレート２４０は、前記チャックと平行に配置されることが可能である。前記プレート２４０は、例えば、ディスク形状を有することができる。プレート２４０は、複数の基板（Ｗ）が処理される工程空間を分割することができる。例えば、工程チャンバー２０１の内部の工程空間は、複数の基板（Ｗ）がそれぞれ処理される複数の空間に分割されることが可能である。
【００６２】
図３に示したように、工程空間は２枚の基板（Ｗ）を同時に処理するために複数のプレート２４０により第１空間と第２空間とに分割されることが可能である。しかし、前記工程空間は、３つ以上の空間に分割され、３枚以上の基板（Ｗ）が同時に処理されることも可能である。
【００６３】
一方、プレート２４０は、サポーター２２０の下段部を支持することができる。よって、プレート２４０が上下に移動する場合、プレート２４０と接触する複数のサポーター２２０が上下に移動する。よって、サポーター２２０が上下に移動する場合、基板（Ｗ）がチャック２１０から離隔されるか、チャック２１０によって支持される。
【００６４】
本発明の一実施例において、基板処理装置２００は、プラズマを用いて基板（Ｗ）を処理することができる。この場合、プレート２４０は、工程ガスからプラズマを形成するために高周波パワー（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｐｏｗｅｒ）が印加されるように伝導性物質で形成されることが可能である。
【００６５】
本発明の一実施例において、プレート２４０は、チャック２１０より大きい直径を有することができる。プレート２４０がチャック２１０より大きい直径を有する場合、前記第１空間で基板を処理する時に発生する異質によって、前記第２空間の基板（Ｗ）が汚染されることを防止することができる。
【００６６】
前記チャック２１０は前記第１支持台２５０により支持され、前記プレート２４０は第２支持台２６０により支持されることが可能である。本発明の一実施例によると、多数の第１支持台２５０が垂直方向に平行に延長することができ、多数の第２支持台２６０が垂直方向に平行に延長することができる。特に、前記第１支持台２５０は、第２支持台２６０の内側に配置されることが可能である。
【００６７】
未説明符号２５１、２５３、２６１、２６３、２７５、２９１、２９３、２９５、２９７、及び２９９は、それぞれ第１支持柱、第１突出部、第２支持柱、第２突出部、中空、第１フランジ、第２フランジ、間隔調節部材、ベローズ、及び駆動部を示す。
【００６８】
一方、前記第１支持台２５０、第２支持台２６０、第１駆動軸２７０、第２駆動軸２８０、及び駆動ユニット２９０は、図１及び図２を参照に前述した昇降装置を構成する部材と類似であるため、これらについての追加的な詳細説明は省略する。
【００６９】
本発明の基板処理装置によると、複数の基板の位置した空間で個別的にプラズマを用いる基板処理工程を行うことができる。また、真空チャンバー内に配置された移送ユニットを用いて、基板の搬入及び搬出段階を行うため、前記処理工程の所要時間が減少される。
【００７０】
延いては、前記基板処理装置は、複数の基板を同時に処理することによって一般的な枚葉式基板処理装置に比べ、相対的に高いスループットを有することができる。また、基板の裏面は、前記チャックの上部表面と全体的に接触することができ、これにより前記基板の裏面上に異質が形成されることを防止することができる。
【００７１】
図８は、図３に示したプレートの一例を示した平面図である。図９は、図３に示したプレートの他の例を説明するための断面図である。図１０は、図３に示したプレートのまた他の例を説明するための断面図である。
【００７２】
図８を参照すると、工程ガスを通過させるために複数のホール２４５がプレート２４０を通じて形成されることが可能である。この場合、前記ホール２４５は、前記プレート２４０がサポーター２２０を支持する領域２４１を除いた残りの領域に均一に形成されることが可能である。例えば、複数のホール２４５は、約０．０５ｍｍ〜約５ｍｍの直径を有することができる。０．０５ｍｍ未満の直径を有するように複数のホール２４５を形成する場合、工程ガスを効果的に通過させることができなく、５ｍｍ超過の直径を有するように複数のホール２４５を形成する場合、前記第１空間で発生した異質が前記ホールを通じて第２空間に移動することができる。
【００７３】
本発明の一実施例において、前記基板（Ｗ）を処理するための工程ガスからプラズマを形成するために前記プレート２４０に高周波エネルギーが印加されることが可能である。この場合、前記プレート２４０は、導電性物質を含むことができる。導電性物質の例としては、アルミニウム、タンタリウム、チタニウム、銀などがあり、これらは単独またはこれらの合金を用いることもできる。
【００７４】
本発明の他の実施例において、前記工程ガスからプラズマを形成しない場合、前記プレート２４０は、絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記プレート２４０は、金属酸化物、金属窒化物などを含むことができる。特に、前記プレート２４０は、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物などを含むことができる。
【００７５】
一方、前記プレート２４０の内部には、冷媒、例えば、脱イオン水を循環させるための冷却ラインが配置されることが可能である。前記冷却ラインは、工程チャンバー２０１の内部空間温度を調節するために具備されることが可能である。例えば、前記冷却ラインは、前記基板（Ｗ）の温度を低下させるために用いることができる。
【００７６】
図９を参照すると、プレート３４０は、二重膜構造を有することができる。例えば、導電膜３４１と、前記導電膜３４１上の絶縁膜３２３を含むことができる。
図１０を参照すると、プレート４４０は、多重膜構造を有することができる。例えば、導電膜４４１、前記導電膜４４１上の絶縁膜４４３、及び前記絶縁膜４４３上の断熱膜４４５を含むことができる。
【００７７】
図１１は、本発明のまた他の実施例による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。
図３及び図１１を参照すると、工程チャンバー２０１の内部に相互平行に配置され、複数の貫通ホール２１５がそれぞれ形成された複数のチャック２１０上に前記基板（Ｗ）をそれぞれロードする（Ｓ１０）。この際、前記基板（Ｗ）の裏面が前記チャック２１０の上部面と接することができる。
【００７８】
その後、工程ガスを用いて基板を処理する（Ｓ２０）。この際、工程ガスは、前記基板（Ｗ）と前記プレート２４０との間の空間に供給され、前記プレート２４０に印加された高周波エネルギーによってプラズマ状態に励起されることが可能である。また、基板（Ｗ）を処理するための工程条件、例えば、温度、圧力などが調節される。
【００７９】
複数の貫通ホール２１５を通じて配置されたサポーター２２０を上方に移動させることによって前記基板（Ｗ）を前記チャック２１０からアンロードさせる（Ｓ３０）。
例えば、間隔調節部材２９５により第１フランジ２９１と第１駆動軸２７０が下方に移動することができ、これによって前記第１駆動軸２７０と連結された第１支持台２５０及びチャック２１０が下方に移動することができる。結果的に、前記サポーター２２０が前記チャック２１０に対して相対的に上方に移動し、これによって前記基板（Ｗ）は、前記サポーター２２０により支持され、また前記チャック２１０からアンロードされることが可能である。
【００８０】
択一的に、前記第１フランジ２９１の位置は一定に維持され、前記駆動部２９９と前記間隔調節部材２９５により第２フランジ２９３が上方に移動することができる。即ち、第２フランジ２９３と第２駆動軸２８０が上方に移動することによって第２支持台２６０及び前記プレート２４０が上方に移動することができ、また前記サポーター２２０が上方に移動することができる。結果的に、前記基板（Ｗ）は、前記サポーター２２０により前記チャック２１０からアンロードされることが可能である。
【００８１】
前記チャック２１０からアンロードされた前記基板（Ｗ）を前記チャンバー２０１から搬出させる（Ｓ４０）。この際、前記チャック２１０とチャックからアンロードされた基板（Ｗ）の間の空間に移送ユニットが進入することができ、前記移送ユニットによって、前記基板（Ｗ）がチャンバー２０１から搬出されることが可能である。
【００８２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
前述した本発明の実施例によると、一つのチャンバー内でプラズマを用いて複数の基板を処理することができる。特に、前記チャンバー内には、前記基板の裏面を全体的に支持するチャックが配置されることが可能である。よって、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止することができる。
【００８４】
また、真空チャンバー内に配置された移送ユニットを用いて、基板のローディング及びオルロディン段階を行うことができる。よって、前記基板を処理するのに所要する時間が短縮され、前記基板処理装置のスループットが大きく改善されることが可能である。
【符号の説明】
【００８５】
１００ 昇降装置
１０１ 第１プレート
１０３ 第２プレート
１１１ 第１支持台
１１３ 第２支持台
１２１ 第１駆動軸
１２５ 中空
１２６ 第２駆動軸
１５０ 駆動ユニット
１５１ 第１フランジ
１５３ 第２フランジ
１５５ 間隔調節部材
１５７ 駆動部
２００ 基板処理装置
２０１ 工程チャンバー
２１０ チャック
２２０ サポーター
２５０ 第１支持台
２５１ 第１支持柱
２５３ 第１突出部
２４０ プレート
２６０ 第２支持台
２６１ 第２支持柱
２６３ 第２突出部
２７０ 第１駆動軸
２７５ 中空
２８０ 第２駆動軸
２９０ 駆動ユニット
２９１ 第１フランジ
２９３ 第２フランジ
２９５ 間隔調節部材
２９７ ベローズ
２９９ 駆動部
３４０ プレート
３４１ 導電膜
３４３ 絶縁膜
４４０ プレート
４４１ 導電膜
４４３ 絶縁膜
４４５ 断熱膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、昇降装置を用いる基板処理装置及び方法に関わり、より詳細には、複数の基板を一つのチャンバーにロードし、前記チャンバーからアンロードする昇降装置を用いて、前記基板を処理する装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に半導体基板を処理する装置は、スループットを向上させるために、一つの工程チャンバーを用いて複数の基板を同時に処理するバッチ式装置、及び一つのチャンバー内で基板を一枚ずつ個別的に処理する枚葉式基板処理装置に区分される。特に、高温で基板を処理する高温工程の場合、チャンバーの内部温度を調節するのに多くの時間が所要されることがある。よって、前記高温工程では、一般的にバッチ式装置が用いられている。
【０００３】
しかし、前記バッチ式装置を用いる場合、半導体基板の裏面上に異質を含む不希望の膜が形成されるおそれがある。前記不希望の膜は、後続工程、例えば、エッチング工程、洗浄工程、エッチバック工程などを行う期間、汚染源として作用するおそれがある。
【０００４】
また、前記バッチ式装置を用いる場合、半導体基板は、ボート内で相互平行に配列されることが可能である。この際、前記半導体基板を処理するためにチャンバー内で生成されるプラズマが前記半導体基板上に均一に供給されにくい。また、前記半導体基板を移送するために前記チャンバーまたはトランスファーチャンバーの圧力を調節するか、或いは前記ボートを移動させるのに多くの時間が所要されるおそれがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、前記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、複数の基板を垂直方向に移動させるための昇降装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記昇降装置を用いて、複数の基板を同時に処理し、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止できる基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
本発明のまた他の目的は、前記基板処理装置を用いて、複数の基板を同時に処理し、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止しうる基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面による昇降装置は、水平方向に相互平行に配置された第１プレートと、第１プレートを支持する第１支持台と、前記第１プレートの間で前記第１プレートと平行に配置された第２プレートと、前記第２プレートを支持する第２支持台と、前記第１支持台と連結され、内部に中空を有して垂直方向に延長する第１駆動軸と、前記第２支持台と連結され、前記第１駆動軸の中空を通じて延長する第２駆動軸と、前記第１及び第２駆動軸と機械的に連結され、前記第１及び第２駆動軸を垂直方向に移動させる駆動ユニットと、を含むことができる。
【０００８】
本発明の実施例によると、前記駆動ユニットは、前記第１駆動軸の端部と連結される第１フランジと、前記第１フランジの下で前記第１フランジと平行に配置され、前記第２駆動軸の端部と連結される第２フランジと、前記第２フランジを垂直方向に移動させる駆動部と、前記第１フランジと第２フランジとを相互連結させ、前記第１フランジと第２フランジとの間の間隔を調節する間隔調節部材と、を含むことができる。
【０００９】
本発明の実施例によると、前記間隔調節部材は、油圧または空圧シリンダーを含むことができる。
本発明の実施例によると、前記駆動ユニットは、前記第１フランジと第２フランジとの間で前記第２駆動軸を囲むベローズを更に含むことができる。
【００１０】
本発明の他の側面による基板処理装置は、工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に相互平行に配置されて複数の基板の裏面とそれぞれ接触して前記基板をそれぞれ支持し、複数の貫通ホールがそれぞれ有する複数のチャックと、前記貫通ホールを通じて移動可能に配置され、前記基板を前記チャックにロードし、前記チャックからアンロードするための複数のサポーターを含むことができる。
【００１１】
本発明の実施例によると、それぞれのチャックは、それぞれの基板の裏面と全体的に接触することができる。
本発明の実施例によると、前記チャックは、前記基板を支持するために、そして前記支持された基板をアンロードするために垂直方向に移動可能に配置されることが可能である。
【００１２】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記チャックの内部に配置され、前記基板の温度を調節するためのヒーターを更に含むことができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記チャックを同時に垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことができる。
【００１３】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記チャックを支持して垂直方向に延長する支持台と、前記支持台と前記駆動ユニットとを連結する駆動軸を更に含むことができる。
【００１４】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記チャックの下で前記チャックと平行に配置され、前記基板が独立した空間で処理されるように前記工程チャンバーの内部空間を分割する多数のプレートを更に含むことができる。
【００１５】
本発明の実施例によると、前記プレートは、前記サポーターの端部を支持して垂直方向に移動可能に配置されることが可能である。
本発明の実施例によると、前記プレートは、伝導性物質を含むことができる。
【００１６】
本発明の実施例によると、前記プレートは、前記チャックより大きい直径を有することができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記プレートを垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことができる。
【００１７】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記プレートを支持して垂直方向に延長する支持台と、前記支持台と前記駆動ユニットとを連結する駆動軸と、を更に含むことができる。
【００１８】
本発明の実施例によると、それぞれのプレートは、前記基板を処理するためのガスを通過させるための複数の第２貫通ホールを有することができる。
本発明の実施例によると、前記第２貫通ホールは、０．０５ｍｍ〜５ｍｍの直径を有することができる。
【００１９】
本発明の実施例によると、前記プレートは、アルミニウム、タンタリウム、チタニウム、銀、またはこれらの合金を含むことができる。
本発明の実施例によると、前記プレートは、金属酸化物または金属窒化物を含むことができる。
【００２０】
本発明の実施例によると、前記プレートは、多重膜構造を有することができる。
本発明の実施例によると、それぞれのプレートは、導電膜及び前記導電膜上の絶縁膜を含むことができる。
【００２１】
本発明の実施例によると、それぞれのプレートは、導電膜、前記導電膜上の絶縁膜、及び前記絶縁膜上の断熱膜を含むことができる。
本発明の実施例によると、それぞれのプレートは、冷媒を循環させるように構成された冷却ラインを有することができる。
【００２２】
本発明の実施例によると、前記チャックは、伝導性物質を含むことができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記工程チャンバーの内部の温度を調節するためのヒーターを更に含むことができる。
【００２３】
本発明のまた他の側面による基板処理装置は、工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に相互平行に配置されて複数の基板の裏面とそれぞれ接触して前記基板をそれぞれ支持し、複数の貫通ホールがそれぞれ形成された複数のチャックと、前記複数の貫通ホールを通じて垂直方向に移動可能に配置された複数のサポーターと、前記チャックを支持して垂直方向に延長する第１支持台と、前記チャックの下で前記チャックと平行に配置されて前記サポーターの下段部を支持するプレートと、前記プレートを支持して垂直方向に延長する第２支持台と、前記第１支持台と連結され、内部に中空を有して垂直方向に延長する第１駆動軸と、前記第２支持台と連結され、前記第１駆動軸の中空を通じて延長する第２駆動軸と、前記第１及び第２駆動軸と機械的に連結され、前記第１及び第２駆動軸を垂直方向に移動させる駆動ユニットを含むことができる。
【００２４】
本発明のまた他の側面による基板処理方法は、工程チャンバーの内部に相互平行に配置されて複数の貫通ホールがそれぞれ形成された複数のチャック上に複数の基板をそれぞれロードする段階と、工程ガスを用いて、前記基板を処理する段階と、前記複数の貫通ホールを通じて移動可能に配置されたサポーター上に前記基板が支持されるようにすることによって、前記基板を前記チャックからアンロードする段階と、前記チャックから離隔された前記基板を前記工程チャンバーから搬出させる段階と、を含むことができる。
【００２５】
本発明の実施例によると、前記基板は、前記チャックを下方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることが可能である。
本発明の実施例によると、前記基板は、前記サポーターを上方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることが可能である。
【発明の効果】
【００２６】
前述したような本発明の実施例によると、一つのチャンバー内でプラズマを用いて複数の基板を処理することができる。特に、前記チャンバー内には、前記基板の裏面を全体的に支持するチャックが配置されることが可能である。よって、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施例による昇降装置を説明するための断面図である。
【図２】図１に示された第１及び第２駆動軸を示した斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例による基板処理装置を説明するための断面図である。
【図４】図３の基板処理装置において基板が支持された状態を示した平面図である。
【図５】図３の第１及び第２支持台に支持された基板を示した断面図である。
【図６】図３の第１支持台によって、チャックから離隔された基板を示した断面図である。
【図７】図３の第２支持台によって、チャックから離隔された基板を示した断面図である。
【図８】図３に示したプレートの一例を示した平面図である。
【図９】図３に示したプレートの他の例を説明するための断面図である。
【図１０】図３に示したプレートのまた他の例を説明するための断面図である。
【図１１】本発明のまた他の実施例による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下に添付図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明は、下記に説明される実施例に限定されたように構成しなければならないことではなく、これとは異なる多様な形態に具体化することができる。下記の実施例は、本発明が完全になるようにするために提供されるよりは、本発明の技術分野において熟練した当業者に本発明の範囲を十分に伝達するために提供される。
【００２９】
一つの要素が他の一つの要素上に配置されることとして説明される場合、前記要素は前記他の一つの要素上に直接的に配置されることも可能であり、他の要素がこれの間に介在されることも可能である。これとは対照的に、一つの要素が他の一つの要素上に直接的に配置されることとして説明される場合、それらの間には、また他の要素がありえない。また、「及び／または」という用語は関連する項目中のいずれか一つまたは一つ以上の組合を含む。
【００３０】
多様な項目を説明するために使用される第１、第２等の用語は、これらの用語によって限定されない。これらの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲から逸脱することなしに、第１薄膜は第２薄膜と称されてもよく、同様に第２薄膜も第１薄膜に称されてもよい。
【００３１】
下記で使用された専門用語は、ただ特定の実施例を説明するための目的で使用されることで、本発明を限定するのではない。下記で使用されたように、単数の表現は、文脈上、明白に相違が示されない限り、複数の表現を含む。また、「含む」及び／または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを意図するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたもの等の存在または付加の可能性を予め排除しないことを理解しなければならない。
【００３２】
また、相対的な用語、例えば、「下部」または「底」、そして「上部」または「最上部」等の用語は、図面に説明されたように他の要素に対する一要素の関係を説明するために使用することができる。相対的な用語は、図面に示された方位に加えて、装置の他の方位を含むことができる。例えば、図面のうち、一図における装置の方向が変わると、他の要素の下部側にあるものと説明された要素が前記他の要素の上部側にあるものに合せられる。よって、「下部」という典型的な用語は図面の特定方位に対し「下部」及び「上部」方位両方とも含むことができる。これと同様に、図面のうち、一図における装置の方向が変わると、他の要素の「下」または「下方」として説明された要素は、前記他の要素の「上」または「上方」に合わせられる。よって、「下」または「下方」という典型的な用語は、下と上との方位の両方とも含むことができる。
【００３３】
異なるものとして定義しない限り、技術的であるか科学的な用語を含めてここで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有している。一般的に用いられる辞典に定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有することと解釈すべきであり、本出願で明白に定義されない限り、異常的であるか過度に形式的な意味に解釈されない。
【００３４】
本発明の実施例は、本発明の理想的な実施例の概略的な図解の断面図解を参照して説明される。これによって、前記図解の形状からの変化、例えば、製造方法および/または許容誤差の変化は予想される。したがって、本発明の実施例は図解として説明された領域の特定形状に限定されたように説明されるのではなく、形状における偏差を含む。例えば、扁平なものとして説明された領域は一般的に荒さおよび/または非線形的な形態を有することができる。また、図解として説明された尖っている角は丸くなることもできる。よって、図面に説明された領域は全的に概略的なものであり、これらの形状は、領域の正確な形状を説明するためのものでなく、また本発明の範囲を限定するものでもない。
【００３５】
図１は、本発明の一実施例による昇降装置を説明するための断面図である。図２は、図２に示した第１及び第２駆動軸を示した斜視図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による昇降装置１００は、第１支持台１１１、第２支持台１１３、第１駆動軸１２１、第２駆動軸１２６、及び駆動ユニット１５０を含むことができる。
【００３６】
第１支持台１１１は、第１プレート１０１を支持することができる。ここで、第１プレート１０１は、相互平行に水平方向に配置されることが可能である。例えば、第１プレート１０１は、基板をそれぞれ支持するチャックであってもよい。
【００３７】
第１支持台１１１は、複数の第１支持柱（図示せず）、前記複数の第１支持柱を上部及び下部で相互連結する第１上板（図示せず）及び第１下板（図示せず）を含むことができる。また、前記第１支持柱の内側壁には、第１プレート１０１の下面を部分的に支持するための第１突出部（図示せず）または第１凹部（図示せず）が形成されることが可能である。
【００３８】
第２支持台１１３は、第２プレート１０３を支持することができる。ここで、第２プレート１０３は、第１プレート１０１の間に配置され、第１プレート１０１と相互平行に配置されることが可能である。第１プレート１０１が基板を支持するチャックとして用いられる場合、第２プレート１０３は前記チャック上に支持される基板を処理する工程空間を分割する空間分割部材として用いられることが可能である。
【００３９】
第２支持台１１３は、複数の第２支持柱（図示せず）、前記複数の第２支持柱を上部及び下部でそれぞれ連結する第２上板（図示せず）及び第２下板（図示せず）を含む。また、前記第２支持柱の内側壁には第２プレート１０３の下面を部分的に支持するための第２突出部（図示せず）または第２凹部（図示せず）が形成されることが可能である。
【００４０】
第１駆動軸１２１は、第１支持台１１１と連結され、第１支持台１１１を昇降させる。よって、第１駆動軸（１２１）が第１支持台１１１を昇降させることによって、第１支持台１１１によって支持される第１プレート１０１が上下に昇降される。結果的に、第１プレート１０１が基板を支持する場合、第１プレート１０１が昇降することによって基板が垂直方向に移動することができる。
【００４１】
第１駆動軸１２１の内部には中空１２５が形成される。中空を通じて、後述する第２駆動軸１２６が挿入されて設置される。
本発明の一実施例において、第１駆動軸１２１はシリンダー形状を有する。この場合、第１駆動軸１２１は第１直径を有する。
【００４２】
第２駆動軸１２６は、第２支持台１１３と連結され、第２支持台１１３を昇降させる。よって、第２駆動軸１２６が第２支持台１１３を昇降させることによって、第２支持台１１３によって支持される第２プレート１０３が上下に昇降される。
【００４３】
第１駆動軸１２１及び第２駆動軸１２６は、相互機械的に連結される。例えば、第２駆動軸１２６は、第１駆動軸１２１に形成された中空１２５に挿入されて設置される。
本発明の一実施例において、第２駆動軸１２６はシリンダー形状を有する。この場合、第２駆動軸１２６は第１駆動軸１２１の第１直径より小さい第２直径を有する。また、第２駆動軸１２６は第１駆動軸１２１より長い高さを有する。よって、第２駆動軸１２６は第１駆動軸１２１の中空１２５を貫通する。
【００４４】
駆動ユニット１５０は、第１駆動軸１２１及び第２駆動軸１２６と機械的に連結する。駆動ユニット１５０は、第１駆動軸１２１及び第２駆動軸１２６を垂直方向に移動させる駆動力を提供する。
【００４５】
駆動ユニット１５０は第１フランジ１５１、第２フランジ１５３、間隔調節部材１５５、及び駆動部１５７を含む。
第１フランジ１５１は、第１駆動軸１２１の下段部と機械的に連結する。よって、第１フランジ１５１が上下に移動する場合、第１駆動軸１２１と機械的に連結された第１支持台１１１が上下に移動する。第１フランジ１５１には第２駆動軸１２６が貫通可能な貫通ホールが形成される。よって、第２駆動軸１２６は第１フランジ１５１を貫通して、下方に突出される。
【００４６】
第２フランジ１５３は、第１フランジ１５１の下に平行に配置される。第２フランジ１５３は、第２駆動軸１２６の下段部と機械的に連結される。よって、第２フランジ１５３が上下に移動する場合、第２駆動軸１２６が上下に移動する。
【００４７】
前記駆動部１５７は、前記第２フランジ１５３の下部に配置され、前記第２フランジ１５３と機械的に連結されることが可能である。
間隔調節部材１５５は、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３を相互機械的に連結させる。間隔調節部材１５５は、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３間の間隔を一定に維持するか、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３間の間隔を減少させることができる。よって、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３間の間隔が一定に維持され、前記駆動部１５７により第２フランジ１５３が上下に移動する場合、第１フランジ１５１も同時に上下に移動することができる。また、間隔調節部材１５５により前記第１フランジ１５１と第２フランジ１５３との間の間隔が変わる場合、第１フランジ１５１と機械的に連結された第１支持台１１１を垂直方向に移動させることができる。これとは反対に、第２フランジ１５３が第１フランジ１５１に対し相対的に移動することもできる。
【００４８】
結果的に、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３の間の相対的な運動、即ち、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３の間の間隔調節によって、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３は個別的に上下移動ができ、前記駆動部１５７により第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３両方とも同時に上下移動することができる。
【００４９】
本発明の一実施例において、間隔調節部材１５５は油圧または空圧シリンダーを含むことができる。一方、昇降装置１００は、第１フランジ１５１及び第２フランジ１５３の間に第２駆動軸１２６を囲むベローズ１５９を更に含むことができる。
【００５０】
本発明の一実施例において、前記駆動部１５７は油圧または空圧シリンダーを含むことができる。択一的に、前記駆動部１５７はモーターとリニアモーションガイドを含むこともできる。
【００５１】
図３は、本発明の他の実施例による基板処理装置を説明するための断面図である。図４は、図３の基板処理装置において基板が支持された状態を示した平面図である。図５は、図３の第１及び第２支持台に支持された基板を示した断面図である。図６は、図３の第１支持台によってチャックから離隔された基板を示した断面図である。図７は、図３の第２支持台によってチャックから離隔された基板を示した断面図である。
【００５２】
図３〜図７を参照すると、本発明の他の実施例による基板処理装置２００は、工程チャンバー２０１、複数のチャック２１０、複数のサポーター２２０、第１支持台２５０、プレート２４０、第２支持台２６０、第１駆動軸２７０、第２駆動軸２８０、駆動ユニット２９０などを含むことができる。
【００５３】
工程チャンバー２０１は、複数の基板（Ｗ）を処理するための工程空間を提供する。図示していないが、前記基板処理装置は、前記工程チャンバー１００の内部温度を調節するためのヒーターを更に含むことができる。
【００５４】
複数のチャック２１０は、工程チャンバー２０１の内部に相互平行に垂直に配列されることが可能である。それぞれのチャック２１０は、ディスク形状を有することができる。複数のチャック２１０は、複数の基板（Ｗ）の裏面とそれぞれ接触して、基板処理工程が進行される期間、基板（Ｗ）を支持する。よって、前記基板処理工程の進行される期間、基板（Ｗ）の裏面は全体的に複数のチャック２１０とそれぞれ接触することによって、基板の裏面上に不希望の膜の形成が抑制されることが可能である。
【００５５】
複数のチャック２１０にはそれぞれの複数の貫通ホール２１５が形成される。複数の貫通ホール２１５を通じて、後述する複数のサポーター２２０が垂直方向に貫通して配置されることが可能である。例えば、それぞれのチャックには３つの貫通ホールが形成され、３つのサポーター２２０が前記３つの貫通ホール２１５を通じて配置されることが可能である。
【００５６】
本発明の一実施例において、複数のチャック２１０の内部には加熱部材２１７がそれぞれ配置されることが可能である。例えば、それぞれの加熱部材２１７は、ジグザグ形態に延長する電気抵抗熱線を含むことができる。よって、前記加熱部材２１７は、複数のチャック２１０上にロードされた複数の基板（Ｗ）を工程温度に加熱するために具備されることが可能である。
【００５７】
図示していないが、複数のチャック２１０の内部にはチャック２１０の温度を測定する熱電対（ｔｈｅｒｍｏｃｏｕｐｌｅ、図示せず）がそれぞれ配置されることが可能である。また、複数のチャック２１０は電気的に接地されることが可能である。
【００５８】
本発明の一実施例において、それぞれのサポーター２２０は、垂直方向に延長され、前記基板（Ｗ）の裏面を支持するヘッドを含むことができる。
本発明の一実施例において、後述するプレート２４０が上昇する場合、前記サポーター２２０は基板（Ｗ）を上昇させ、基板（Ｗ）をチャック２１０からアンロードさせる。移送ユニット（図示せず）は、前記離隔された基板（Ｗ）及びチャック２１０の間の空間に移動することができ、前記移送ユニットによって、基板（Ｗ）がチャンバー２０１から搬出されることが可能である。これとは反対に、前記移送ユニットは、前記上昇されたサポーター２２０上に基板（Ｗ）をロードすることができる。
【００５９】
本発明の他の実施例において、チャック２１０が下降する場合、基板（Ｗ）は、サポーター２２０により支持され、これによって前記基板（Ｗ）がチャック２１０からアンロードされることが可能である。
【００６０】
一方、前記移送ユニットは、前記チャンバー２０１と隣接する真空チャンバー（図示せず）に配置されることが可能である。よって、前記複数の基板（Ｗ）を移送する期間、前記チャンバー２０１の内部の圧力を一定に維持することがあるため、前記基板（Ｗ）の移送に所要される時間を減少させることができる。
【００６１】
プレート２４０は、複数のチャック１１０の間に配置される。特に、前記プレート２４０は、前記チャックと平行に配置されることが可能である。前記プレート２４０は、例えば、ディスク形状を有することができる。プレート２４０は、複数の基板（Ｗ）が処理される工程空間を分割することができる。例えば、工程チャンバー２０１の内部の工程空間は、複数の基板（Ｗ）がそれぞれ処理される複数の空間に分割されることが可能である。
【００６２】
図３に示したように、工程空間は２枚の基板（Ｗ）を同時に処理するために複数のプレート２４０により第１空間と第２空間とに分割されることが可能である。しかし、前記工程空間は、３つ以上の空間に分割され、３枚以上の基板（Ｗ）が同時に処理されることも可能である。
【００６３】
一方、プレート２４０は、サポーター２２０の下段部を支持することができる。よって、プレート２４０が上下に移動する場合、プレート２４０と接触する複数のサポーター２２０が上下に移動する。よって、サポーター２２０が上下に移動する場合、基板（Ｗ）がチャック２１０から離隔されるか、チャック２１０によって支持される。
【００６４】
本発明の一実施例において、基板処理装置２００は、プラズマを用いて基板（Ｗ）を処理することができる。この場合、プレート２４０は、工程ガスからプラズマを形成するために高周波パワー（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｐｏｗｅｒ）が印加されるように伝導性物質で形成されることが可能である。
【００６５】
本発明の一実施例において、プレート２４０は、チャック２１０より大きい直径を有することができる。プレート２４０がチャック２１０より大きい直径を有する場合、前記第１空間で基板を処理する時に発生する異質によって、前記第２空間の基板（Ｗ）が汚染されることを防止することができる。
【００６６】
前記チャック２１０は前記第１支持台２５０により支持され、前記プレート２４０は第２支持台２６０により支持されることが可能である。本発明の一実施例によると、多数の第１支持台２５０が垂直方向に平行に延長することができ、多数の第２支持台２６０が垂直方向に平行に延長することができる。特に、前記第１支持台２５０は、第２支持台２６０の内側に配置されることが可能である。
【００６７】
未説明符号２５１、２５３、２６１、２６３、２７５、２９１、２９３、２９５、２９７、及び２９９は、それぞれ第１支持柱、第１突出部、第２支持柱、第２突出部、中空、第１フランジ、第２フランジ、間隔調節部材、ベローズ、及び駆動部を示す。
【００６８】
一方、前記第１支持台２５０、第２支持台２６０、第１駆動軸２７０、第２駆動軸２８０、及び駆動ユニット２９０は、図１及び図２を参照に前述した昇降装置を構成する部材と類似であるため、これらについての追加的な詳細説明は省略する。
【００６９】
本発明の基板処理装置によると、複数の基板の位置した空間で個別的にプラズマを用いる基板処理工程を行うことができる。また、真空チャンバー内に配置された移送ユニットを用いて、基板の搬入及び搬出段階を行うため、前記処理工程の所要時間が減少される。
【００７０】
延いては、前記基板処理装置は、複数の基板を同時に処理することによって一般的な枚葉式基板処理装置に比べ、相対的に高いスループットを有することができる。また、基板の裏面は、前記チャックの上部表面と全体的に接触することができ、これにより前記基板の裏面上に異質が形成されることを防止することができる。
【００７１】
図８は、図３に示したプレートの一例を示した平面図である。図９は、図３に示したプレートの他の例を説明するための断面図である。図１０は、図３に示したプレートのまた他の例を説明するための断面図である。
【００７２】
図８を参照すると、工程ガスを通過させるために複数のホール２４５がプレート２４０を通じて形成されることが可能である。この場合、前記ホール２４５は、前記プレート２４０がサポーター２２０を支持する領域２４１を除いた残りの領域に均一に形成されることが可能である。例えば、複数のホール２４５は、約０．０５ｍｍ〜約５ｍｍの直径を有することができる。０．０５ｍｍ未満の直径を有するように複数のホール２４５を形成する場合、工程ガスを効果的に通過させることができなく、５ｍｍ超過の直径を有するように複数のホール２４５を形成する場合、前記第１空間で発生した異質が前記ホールを通じて第２空間に移動することができる。
【００７３】
本発明の一実施例において、前記基板（Ｗ）を処理するための工程ガスからプラズマを形成するために前記プレート２４０に高周波エネルギーが印加されることが可能である。この場合、前記プレート２４０は、導電性物質を含むことができる。導電性物質の例としては、アルミニウム、タンタリウム、チタニウム、銀などがあり、これらは単独またはこれらの合金を用いることもできる。
【００７４】
本発明の他の実施例において、前記工程ガスからプラズマを形成しない場合、前記プレート２４０は、絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記プレート２４０は、金属酸化物、金属窒化物などを含むことができる。特に、前記プレート２４０は、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物などを含むことができる。
【００７５】
一方、前記プレート２４０の内部には、冷媒、例えば、脱イオン水を循環させるための冷却ラインが配置されることが可能である。前記冷却ラインは、工程チャンバー２０１の内部空間温度を調節するために具備されることが可能である。例えば、前記冷却ラインは、前記基板（Ｗ）の温度を低下させるために用いることができる。
【００７６】
図９を参照すると、プレート３４０は、二重膜構造を有することができる。例えば、導電膜３４１と、前記導電膜３４１上の絶縁膜３２３を含むことができる。
図１０を参照すると、プレート４４０は、多重膜構造を有することができる。例えば、導電膜４４１、前記導電膜４４１上の絶縁膜４４３、及び前記絶縁膜４４３上の断熱膜４４５を含むことができる。
【００７７】
図１１は、本発明のまた他の実施例による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。
図３及び図１１を参照すると、工程チャンバー２０１の内部に相互平行に配置され、複数の貫通ホール２１５がそれぞれ形成された複数のチャック２１０上に前記基板（Ｗ）をそれぞれロードする（Ｓ１０）。この際、前記基板（Ｗ）の裏面が前記チャック２１０の上部面と接することができる。
【００７８】
その後、工程ガスを用いて基板を処理する（Ｓ２０）。この際、工程ガスは、前記基板（Ｗ）と前記プレート２４０との間の空間に供給され、前記プレート２４０に印加された高周波エネルギーによってプラズマ状態に励起されることが可能である。また、基板（Ｗ）を処理するための工程条件、例えば、温度、圧力などが調節される。
【００７９】
複数の貫通ホール２１５を通じて配置されたサポーター２２０を上方に移動させることによって前記基板（Ｗ）を前記チャック２１０からアンロードさせる（Ｓ３０）。
例えば、間隔調節部材２９５により第１フランジ２９１と第１駆動軸２７０が下方に移動することができ、これによって前記第１駆動軸２７０と連結された第１支持台２５０及びチャック２１０が下方に移動することができる。結果的に、前記サポーター２２０が前記チャック２１０に対して相対的に上方に移動し、これによって前記基板（Ｗ）は、前記サポーター２２０により支持され、また前記チャック２１０からアンロードされることが可能である。
【００８０】
択一的に、前記第１フランジ２９１の位置は一定に維持され、前記駆動部２９９と前記間隔調節部材２９５により第２フランジ２９３が上方に移動することができる。即ち、第２フランジ２９３と第２駆動軸２８０が上方に移動することによって第２支持台２６０及び前記プレート２４０が上方に移動することができ、また前記サポーター２２０が上方に移動することができる。結果的に、前記基板（Ｗ）は、前記サポーター２２０により前記チャック２１０からアンロードされることが可能である。
【００８１】
前記チャック２１０からアンロードされた前記基板（Ｗ）を前記チャンバー２０１から搬出させる（Ｓ４０）。この際、前記チャック２１０とチャックからアンロードされた基板（Ｗ）の間の空間に移送ユニットが進入することができ、前記移送ユニットによって、前記基板（Ｗ）がチャンバー２０１から搬出されることが可能である。
【００８２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
前述した本発明の実施例によると、一つのチャンバー内でプラズマを用いて複数の基板を処理することができる。特に、前記チャンバー内には、前記基板の裏面を全体的に支持するチャックが配置されることが可能である。よって、前記基板の裏面上に不希望の膜が形成されることを防止することができる。
【００８４】
また、真空チャンバー内に配置された移送ユニットを用いて、基板のローディング及びオルロディン段階を行うことができる。よって、前記基板を処理するのに所要する時間が短縮され、前記基板処理装置のスループットが大きく改善されることが可能である。
【符号の説明】
【００８５】
１００ 昇降装置
１０１ 第１プレート
１０３ 第２プレート
１１１ 第１支持台
１１３ 第２支持台
１２１ 第１駆動軸
１２５ 中空
１２６ 第２駆動軸
１５０ 駆動ユニット
１５１ 第１フランジ
１５３ 第２フランジ
１５５ 間隔調節部材
１５７ 駆動部
２００ 基板処理装置
２０１ 工程チャンバー
２１０ チャック
２２０ サポーター
２５０ 第１支持台
２５１ 第１支持柱
２５３ 第１突出部
２４０ プレート
２６０ 第２支持台
２６１ 第２支持柱
２６３ 第２突出部
２７０ 第１駆動軸
２７５ 中空
２８０ 第２駆動軸
２９０ 駆動ユニット
２９１ 第１フランジ
２９３ 第２フランジ
２９５ 間隔調節部材
２９７ ベローズ
２９９ 駆動部
３４０ プレート
３４１ 導電膜
３４３ 絶縁膜
４４０ プレート
４４１ 導電膜
４４３ 絶縁膜
４４５ 断熱膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平方向に相互平行に配置された第１プレートと、
第１プレートを支持する第１支持台と、
前記第１プレートの間で前記第１プレートと平行に配置された第２プレートと、
前記第２プレートを支持する第２支持台と、
前記第１支持台と連結され、内部に中空を有して垂直方向に延長する第１駆動軸と、
前記第２支持台と連結され、前記第１駆動軸の中空を通じて延長する第２駆動軸と、
前記第１及び第２駆動軸と機械的に連結され、前記第１及び第２駆動軸を垂直方向に移動させる駆動ユニットと、を含むことを特徴とする昇降装置。
【請求項２】
前記駆動ユニットは、
前記第１駆動軸の端部と連結される第１フランジと、
前記第１フランジの下で、前記第１フランジと平行に配置され、前記第２駆動軸の端部と連結される第２フランジと、
前記第２フランジを垂直方向に移動させる駆動部と、
前記第１フランジと第２フランジとを相互連結させ、前記第１フランジと第２フランジとの間の間隔を調節する間隔調節部材と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の昇降装置。
【請求項３】
前記駆動ユニットは、前記第１フランジと第２フランジとの間で、前記第２駆動軸を囲むベローズを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の昇降装置。
【請求項４】
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に相互平行に配置され、複数の基板の裏面とそれぞれ接触して前記基板をそれぞれ支持し、複数の貫通ホールがそれぞれ有する複数のチャックと、
前記貫通ホールを通じて移動可能に配置され、前記基板を前記チャックにロードし、前記チャックからアンロードするための複数のサポーターと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
それぞれのチャックは、それぞれの基板の裏面と全体的に接触することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記チャックは、前記基板を支持するために、また、前記支持された基板をアンロードするために垂直方向に移動可能に配置されることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記チャックの内部に配置され、前記基板の温度を調節するためのヒーターを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記チャックを同時に垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記チャックを支持して垂直方向に延長する支持台と、前記支持台と前記駆動ユニットを連結する駆動軸を更に含むことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記チャックの下で前記チャックと平行に配置され、前記基板が独立した空間で処理されるように、前記工程チャンバーの内部空間を分割する多数のプレートを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記プレートは、前記サポーターの端部を支持し、垂直方向に移動可能に配置されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記プレートは、伝導性物質を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記プレートは、前記チャックより大きい直径を有することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記プレートを垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記プレートを支持して垂直方向に延長する支持台と、前記支持台と前記駆動ユニットとを連結する駆動軸と、を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
それぞれのプレートは、前記基板を処理するためのガスを通過させるための複数の第２貫通ホールを有することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記第２貫通ホールは０．０５ｍｍ〜５ｍｍの直径を有することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記プレートは、アルミニウム、タンタリウム、チタニウム、及び銀からなる群より選択された一種を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記プレートは、多重膜構造を有することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
それぞれのプレートは、導電膜及び前記導電膜上の絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【請求項２１】
それぞれのプレートは、導電膜、前記導電膜上の絶縁膜、及び前記絶縁膜上の断熱膜を含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【請求項２２】
それぞれのプレートは、冷媒を循環させるように構成された冷却ラインを有することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項２３】
前記チャックは、伝導性物質を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項２４】
前記工程チャンバーの内部の温度を調節するためのヒーターを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項２５】
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に相互平行に配置され、複数の基板の裏面とそれぞれ接触して前記基板をそれぞれ支持し、複数の貫通ホールがそれぞれ形成された複数のチャックと、
前記複数の貫通ホールを通じて、垂直方向に移動可能に配置された複数のサポーターと、
前記チャックを支持して垂直方向に延長する第１支持台と、
前記チャックの下で前記チャックと平行に配置されて前記サポーターの下段部を支持するプレートと、
前記プレートを支持して垂直方向に延長する第２支持台と、
前記第１支持台と連結され、内部に中空を有して垂直方向に延長する第１駆動軸と、
前記第２支持台と連結され、前記第１駆動軸の中空を通じて延長する第２駆動軸と、
前記第１及び第２駆動軸と機械的に連結され、前記第１及び第２駆動軸を垂直方向に移動させる駆動ユニットと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２６】
工程チャンバーの内部に相互平行に配置されて複数の貫通ホールがそれぞれ形成された複数のチャック上に複数の基板をそれぞれロードする段階と、
工程ガスを用いて前記基板を処理する段階と、
前記複数の貫通ホールを通じて移動可能に配置されたサポーター上に前記基板が支持されるようにすることによって、前記基板を前記チャックからアンロードする段階と、
前記チャックから離隔された前記基板を前記工程チャンバーから搬出させる段階と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２７】
前記基板は、前記チャックを下方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることを特徴とする請求項２６に記載の基板処理方法。
【請求項２８】
前記基板は、前記サポーターを上方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることを特徴とする請求項２６に記載の基板処理方法。
【請求項１】
水平方向に相互平行に配置された第１プレートと、
第１プレートを支持する第１支持台と、
前記第１プレートの間で前記第１プレートと平行に配置された第２プレートと、
前記第２プレートを支持する第２支持台と、
前記第１支持台と連結され、内部に中空を有して垂直方向に延長する第１駆動軸と、
前記第２支持台と連結され、前記第１駆動軸の中空を通じて延長する第２駆動軸と、
前記第１及び第２駆動軸と機械的に連結され、前記第１及び第２駆動軸を垂直方向に移動させる駆動ユニットと、を含むことを特徴とする昇降装置。
【請求項２】
前記駆動ユニットは、
前記第１駆動軸の端部と連結される第１フランジと、
前記第１フランジの下で、前記第１フランジと平行に配置され、前記第２駆動軸の端部と連結される第２フランジと、
前記第２フランジを垂直方向に移動させる駆動部と、
前記第１フランジと第２フランジとを相互連結させ、前記第１フランジと第２フランジとの間の間隔を調節する間隔調節部材と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の昇降装置。
【請求項３】
前記駆動ユニットは、前記第１フランジと第２フランジとの間で、前記第２駆動軸を囲むベローズを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の昇降装置。
【請求項４】
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に相互平行に配置され、複数の基板の裏面とそれぞれ接触して前記基板をそれぞれ支持し、複数の貫通ホールがそれぞれ有する複数のチャックと、
前記貫通ホールを通じて移動可能に配置され、前記基板を前記チャックにロードし、前記チャックからアンロードするための複数のサポーターと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
それぞれのチャックは、それぞれの基板の裏面と全体的に接触することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記チャックは、前記基板を支持するために、また、前記支持された基板をアンロードするために垂直方向に移動可能に配置されることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記チャックの内部に配置され、前記基板の温度を調節するためのヒーターを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記チャックを同時に垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記チャックを支持して垂直方向に延長する支持台と、前記支持台と前記駆動ユニットを連結する駆動軸を更に含むことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記チャックの下で前記チャックと平行に配置され、前記基板が独立した空間で処理されるように、前記工程チャンバーの内部空間を分割する多数のプレートを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記プレートは、前記サポーターの端部を支持し、垂直方向に移動可能に配置されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記プレートは、伝導性物質を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記プレートは、前記チャックより大きい直径を有することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記プレートを垂直方向に移動させる駆動ユニットを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記プレートを支持して垂直方向に延長する支持台と、前記支持台と前記駆動ユニットとを連結する駆動軸と、を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
それぞれのプレートは、前記基板を処理するためのガスを通過させるための複数の第２貫通ホールを有することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記第２貫通ホールは０．０５ｍｍ〜５ｍｍの直径を有することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記プレートは、アルミニウム、タンタリウム、チタニウム、及び銀からなる群より選択された一種を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記プレートは、多重膜構造を有することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
それぞれのプレートは、導電膜及び前記導電膜上の絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【請求項２１】
それぞれのプレートは、導電膜、前記導電膜上の絶縁膜、及び前記絶縁膜上の断熱膜を含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【請求項２２】
それぞれのプレートは、冷媒を循環させるように構成された冷却ラインを有することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項２３】
前記チャックは、伝導性物質を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項２４】
前記工程チャンバーの内部の温度を調節するためのヒーターを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項２５】
工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に相互平行に配置され、複数の基板の裏面とそれぞれ接触して前記基板をそれぞれ支持し、複数の貫通ホールがそれぞれ形成された複数のチャックと、
前記複数の貫通ホールを通じて、垂直方向に移動可能に配置された複数のサポーターと、
前記チャックを支持して垂直方向に延長する第１支持台と、
前記チャックの下で前記チャックと平行に配置されて前記サポーターの下段部を支持するプレートと、
前記プレートを支持して垂直方向に延長する第２支持台と、
前記第１支持台と連結され、内部に中空を有して垂直方向に延長する第１駆動軸と、
前記第２支持台と連結され、前記第１駆動軸の中空を通じて延長する第２駆動軸と、
前記第１及び第２駆動軸と機械的に連結され、前記第１及び第２駆動軸を垂直方向に移動させる駆動ユニットと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２６】
工程チャンバーの内部に相互平行に配置されて複数の貫通ホールがそれぞれ形成された複数のチャック上に複数の基板をそれぞれロードする段階と、
工程ガスを用いて前記基板を処理する段階と、
前記複数の貫通ホールを通じて移動可能に配置されたサポーター上に前記基板が支持されるようにすることによって、前記基板を前記チャックからアンロードする段階と、
前記チャックから離隔された前記基板を前記工程チャンバーから搬出させる段階と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２７】
前記基板は、前記チャックを下方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることを特徴とする請求項２６に記載の基板処理方法。
【請求項２８】
前記基板は、前記サポーターを上方に移動させることによって前記サポーターによって支持されることを特徴とする請求項２６に記載の基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公表番号】特表２０１０−５２０６３４（Ｐ２０１０−５２０６３４Ａ）
【公表日】平成２２年６月１０日（２０１０．６．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５５２５９６（Ｐ２００９−５５２５９６）
【出願日】平成２０年３月７日（２００８．３．７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００８／００１３２７
【国際公開番号】ＷＯ２００８／１０８６０５
【国際公開日】平成２０年９月１２日（２００８．９．１２）
【出願人】（５０８３６００８４）ソスル カンパニー， リミテッド (3)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２２年６月１０日（２０１０．６．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月７日（２００８．３．７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００８／００１３２７
【国際公開番号】ＷＯ２００８／１０８６０５
【国際公開日】平成２０年９月１２日（２００８．９．１２）
【出願人】（５０８３６００８４）ソスル カンパニー， リミテッド (3)
【Ｆターム（参考）】
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