液処理装置の自動設定装置
【課題】処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、供給量調節手段及び処理液吸引手段を自動で調整する液処理装置の自動設定装置を提供すること。
【解決手段】レジストノズル１１０が供給するレジスト液をメスシリンダ２１０に貯留し、メスシリンダの側方から発光ダイオード２１１によって光を照射し、メスシリンダ内に透過された光をＣＣＤセンサ２１３で検知して供給量を検出し、レジストノズル１１０の供給部１１３のレジスト液の状態をＣＣＤカメラ３００により検出し、電子天秤及びＣＣＤカメラ３００の検出信号と、ＣＰＵ１００に予め記憶された少なくともレジスト液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、レジストノズルがウエハＷに均一にレジスト液を供給し得るように、開閉バルブＡＶ及びサックバックバルブＳＶを調整する。
【解決手段】レジストノズル１１０が供給するレジスト液をメスシリンダ２１０に貯留し、メスシリンダの側方から発光ダイオード２１１によって光を照射し、メスシリンダ内に透過された光をＣＣＤセンサ２１３で検知して供給量を検出し、レジストノズル１１０の供給部１１３のレジスト液の状態をＣＣＤカメラ３００により検出し、電子天秤及びＣＣＤカメラ３００の検出信号と、ＣＰＵ１００に予め記憶された少なくともレジスト液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、レジストノズルがウエハＷに均一にレジスト液を供給し得るように、開閉バルブＡＶ及びサックバックバルブＳＶを調整する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体表面にレジスト液や現像液等の処理液を供給して塗布する液処理装置の設定を自動で行う自動設定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等（以下にウエハ等という）の表面に例えばレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜を露光し、露光後のウエハ表面に現像液を塗布して現像処理を行う。
【０００３】
上記レジスト液（又は現像液）の塗布には、図１４に示すように、ウエハ等の表面にレジスト液を供給するレジストノズル１１０と、レジストタンク１８０に貯留されたレジスト液をレジスト液供給管路１３０を介してレジストノズル１１０に圧送する供給ポンプ１６０と、この供給ポンプ１６０が圧送するレジスト液の圧力（以下に圧送圧力という）を一定に保つレギュレータＲと、パーティクルを捕捉するフィルタ９０と、レジスト液の供給、停止を行う開閉バルブＡＶと、レジスト液の供給停止時にレジストノズル１１０の先端部に表面張力によって残留しているレジスト液が固化又は劣化しないようにレジスト液をレジストノズル１１０内に引き戻すサックバックバルブＳＶと、開閉バルブＡＶ、サックバックバルブＳＶ及びレギュレータＲの作動を制御するＣＰＵ１００とで構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２０４４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図２に示すように複数積層されることがある、上記のように構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）においては、ユニット毎に、配管長や揚程差に相違があり、また、ディスペンス関連部品にも個体差があるため、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）ごとにレジスト液の吐出状態が異なり、塗布膜が不均一になるという問題があった。これを較正するためには、各ユニットごとに開閉バルブＡＶやサックバックバルブＳＶ、レギュレータＲの設定値をレジスト液の吐出量や吐出状態に応じて調整する必要があるが、従来はこれらの作業をオペレータが手動で行っていたため、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の設定に時間が掛かるという問題や、設定に誤差が生じ易いという問題があった。
【０００５】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、供給量調節手段及び処理液吸引手段を自動で調整する液処理装置の自動設定装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明の液処理装置の自動設定装置は、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、上記処理液供給手段が供給する処理液の供給量を調節可能な供給量調節手段と、上記処理液供給手段の処理液供給停止時に、処理液供給手段の供給部に残留する処理液を吸引する処理液吸引手段と、を具備する液処理装置の自動設定装置であって、上記処理液供給手段が供給する処理液の供給量を検出する供給量検出手段と、上記処理液供給手段の供給部の処理液の状態を検出する液検出手段と、上記供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記供給量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調整する制御手段と、を具備してなり、上記供給量検出手段は、上記処理液供給手段から供給された処理液を貯留する光を透過可能な容器と、上記容器の側方から光を照射可能な発光手段と、上記発光手段が照射し容器を透過した光を受光して光量を検知する複数の画素が垂直方向に等間隔に設けられた光検知手段と、を具備することを特徴とする（請求項１）。
【０００７】
この発明の自動設定装置において、上記制御手段を、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記処理液供給手段に処理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を調節可能な圧力調節手段の設定を調整するように構成する方が好ましい（請求項２）。
【０００８】
また、上記供給量検出手段を、ダミディスペンスを行う位置に設ける方が好ましい(請求項３)。
【０００９】
請求項１記載の発明によれば、処理液供給手段が供給する処理液の供給量を、処理液供給手段から供給された処理液を貯留する光を透過可能な容器と、容器の側方から光を照射可能な発光手段と、発光手段が照射し容器を透過した光を受光して光量を検知する複数の画素が垂直方向に等間隔に設けられた光検知手段とを具備する供給量検出手段により検出し、処理液供給手段の供給部の処理液の状態を液検出手段により検出し、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、供給量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調整するので、液処理装置の設定をオペレータが手動で行う必要がなく、装置の設定を容易にすることができると共に、装置ごとの処理液の供給量に誤差が生じるのを防止することができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明によれば、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、処理液供給手段に処理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を調節可能な圧力調節手段の設定を調整するので、更に装置ごとの処理液の供給量に誤差が生じるのを防止することができる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００１２】
１）請求項１記載の発明によれば、処理液供給手段が供給する処理液の供給量を、処理液供給手段から供給された処理液を貯留する光を透過可能な容器と、容器の側方から光を照射可能な発光手段と、発光手段が照射し容器を透過した光を受光して光量を検知する複数の画素が垂直方向に等間隔に設けられた光検知手段とを具備する供給量検出手段により検出し、処理液供給手段の供給部の処理液の状態を液検出手段により検出し、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、供給量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調整するので、液処理装置の設定をオペレータが手動で行う必要がなく、装置の設定を容易にすることができると共に、装置ごとの処理液の供給量に誤差が生じるのを防止することができる。この場合、供給量検出手段を、ダミーディスペンスを行う位置に設けることにより、更に装置の小型化が図れる（請求項３）。
【００１３】
２）請求項２記載の発明によれば、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、処理液供給手段に処理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を調節可能な圧力調節手段の設定を調整するので、更に装置ごとの処理液の供給量に誤差が生じるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る自動設定装置を、半導体ウエハのレジスト処理を行うレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に適用した場合について説明する。
【００１５】
図１はレジスト液塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図、図２は図１の正面図、図３は図２の背面図である。
【００１６】
上記処理システムは、被処理体である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション２０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのインター・フェース部３０とで主要部が構成されている。
【００１７】
上記カセットステーション１０は、図１に示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット４は、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送できるようになっている。
【００１８】
上記処理ステーション２０は、図１に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２１を収容する室２２の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面（図１において手前）側に並列され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェース部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。
【００１９】
この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップ２３内でウエハＷをスピンチャック１０１（図４）に載置して所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニット例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）が垂直方向の２段に重ねられている。第２の組Ｇ２は、２台のスピナ型処理ユニットとして例えばレジストパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が垂直方向の２段に重ねられている。なお、必要に応じて第１の組Ｇ１、第２の組Ｇ２の上段に現像ユニット（ＤＥＶ）を、下段にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を配置したり、又はその逆に、上段にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を、下段に現像ユニット（ＤＥＶ）を配置することも可能である。
【００２０】
また、図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷをウエハ載置台２４（図１）に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークする４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。第４の組Ｇ４も同様に、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及び２つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。
【００２１】
上記のように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００２２】
なお、図１に示すように、処理ステーション２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニット）の側壁の中には、それぞれダクト６５，６６が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト６５，６６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。
【００２３】
また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール６７に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００２４】
上記インター・フェース部３０は、奥行き方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインター・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカセット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、背面部には周辺露光装置３３が配設され、中央部には、ウエハ搬送アーム３４が配設されている。このウエハ搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送アーム３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送できるように構成されている。
【００２５】
上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム４０内に設置されるが、更にシステム内でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。
【００２６】
次に、上記処理システムの動作について説明する。まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置台２４からウエハＷを受け取る。
【００２７】
処理ステーション２０において、主ウエハ搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハＷは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ1の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。
【００２８】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送する。このユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷは次工程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３０のウエハ搬送アーム３４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送アーム３４はウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置３３へ搬入する。ここで、ウエハＷはエッジ部に露光を受ける。
【００２９】
周辺露光が終了すると、ウエハ搬送アーム３４は、ウエハＷを周辺露光装置３３から搬出し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、バッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００３０】
露光装置で全面露光が済んで、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インター・フェース部３０のウエハ搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される前にインター・フェース部３０内のバッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００３１】
ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージャーベーク処理が施される。
【００３２】
その後、ウエハＷは、第２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはスピンチャック１０１の上に載せられ、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なく供給（吐出）される。現像が終了すると、ウエハＷ表面に洗浄液がかけられて現像液が洗い落とされる。
【００３３】
現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００３４】
ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカセット載置台上の処理済みウエハ収容用のカセット１の所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。
【００３５】
次に、本発明に係る液処理装置の一実施形態であるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）について説明する。
【００３６】
レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、図４に示すようにウエハＷを図示しない真空装置によって吸着保持すると共に、水平方向に回転するスピンチャック１０１と、スピンチャック１０１を包囲する有底筒状に形成され、底部に排気口とドレン口が設けられたカップ２３と、スピンチャック１０１の上方に配設されるレジストノズル１１０（処理液供給手段）と、このレジストノズル１１０をウエハＷに対し相対的に移動可能な移動手段例えばレジストノズルスキャンアーム１０２とで主に構成されている。
【００３７】
レジストノズル１１０は、図５に示すように、後述するノズル保持部１１１の下部に着脱可能に形成されるノズル本体１１２と、レジスト液をウエハＷに吐出（供給）する吐出孔１１４を有すると共に、内部のレジスト液の液面を観測し得る透明又は半透明である例えば樹脂やガラス等によって形成される供給部１１３とで構成される。
【００３８】
また、レジストノズル１１０は、レジストノズルスキャンアーム１０２によりカップ２３の外側のＸ方向に延びるように設けられたガイドレール１０３に沿って、カップ２３の外側の待機部１０６（ガイドレール１０３の一側端の位置）からウエハＷの上方側を通って上記待機部１０６とウエハＷを挟んで対向する位置まで移動することができる。
【００３９】
待機部１０６では、レジストノズル１１０の供給部１１３が溶媒雰囲気室の口１０６ａに挿入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、吐出孔１１４のレジスト液が固化又は劣化しないようになっている。また、複数本のレジストノズル１１０が並列に載置されており、レジスト液の種類に応じて使い分けられるようになっている。
【００４０】
レジストノズルスキャンアーム１０２は、上記待機部１０６に載置されるレジストノズル１１０の上部を着脱可能に保持するノズル保持部１１１と、例えば図示しないモータやエアシリンダ等の駆動手段によりガイドレール１０３上をＸ方向に移動可能に形成されるベース部１０５と、Ｙ方向に延びる棒状に形成されノズル保持部１１１を支持すると共にベース部１０５によって支持されるアーム部１０４とで構成されている。なお、ベース部１０５は例えばボールネジ機構などにより構成される図示しない昇降機構を有しており、例えばモータなどの図示しない動力源からの駆動力によりアーム部１０４を上下方向に移動させることができるように構成されている。
【００４１】
また、レジストノズルスキャンアーム１０２は、待機部１０６でレジストノズル１１０を選択的に取り付けるために図示しない駆動機構によってＸ方向と直角なＹ方向にも移動可能に構成されている。
【００４２】
更に、ガイドレール１０３上には、レジストノズル１１０を支持するレジストノズルスキャンアーム１０２だけでなくリンスノズル１０７を支持するリンスノズルスキャンアーム１０８もＸ方向に移動可能に設けられている。
【００４３】
リンスノズル１０７は、リンスノズルスキャンアーム１０８によってカップ２３の側方に設定されたリンスノズル待機位置（実線の位置）とスピンチャック１０１に設置されているウエハＷの周辺部の真上に設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間で並進及び直線移動するようになっている。
【００４４】
また、レジストノズル１１０は、図５に示すように、ウエハＷの表面に供給するレジスト液の供給量を調節可能な供給量調節手段例えば開閉バルブＡＶと、この開閉バルブＡＶの下流側に設けられ、レジストノズル１１０がレジスト液の供給を停止した時にレジストノズル１１０の供給部１１３に残留するレジスト液を吸引し、吐出孔１１４からの液だれを抑制する処理液吸引手段例えばサックバックバルブＳＶとが介設されるレジスト液供給管路１３０に接続されている。
【００４５】
開閉バルブＡＶは、例えば図７に示すように、バルブケーシング１３８に設けられた吸込側流路１４１と吐出側流路１４２との間に設けられたゲート部１４９を開閉可能な後述する弁体１４５ｂを圧縮空気により駆動して開閉動作を行うエアオペレーション型のものが用いられている。
【００４６】
この場合、吸込側流路１４１と吐出側流路１４２とは、上方に向かって縮径テーパ状の先端を有する管状のゲート部１４９を介して隣接配置されている。また、ゲート部１４９の上方にはシリンダ１４３を介して空気室１４８が対峙して設けられている。このシリンダ１４３内には、ロッド１４４が摺動可能に配設されており、シリンダ１４３の下方に露出するロッド１４４の下端に、弁体１４５ｂを一体に形成するダイヤフラム１４５が固着されている。また、空気室１４８内に露出するロッド１４４の上端には、空気室１４８を上部室１４８ａと区画するダイヤフラム１４６が固着されている。なお、この場合、ダイヤフラム１４５，１４６は、可撓性材料例えばシリコンゴム製部材にて形成されている。これらダイヤフラム１４５，１４６は、それぞれその外周縁部１４５ａ，１４６ａがバルブケーシング１３８に設けられた周溝１４３ａ又は１４３ｂ内に嵌合固定されている。
【００４７】
また、上部室１４８ａ内には、ダイヤフラム１４６の上端に係合するスプリング１４７が縮設されており、このスプリング１４７の弾性力の付勢によって常時弁体１４５ｂがゲート部１４９に就座して、吸込側流路１４１と吐出側流路１４２とを閉じるように構成されている。
【００４８】
一方、空気室１４８は操作ポート１４８ｂを介して後述する電空レギュレータＥＲ１に接続されている。また、電空レギュレータＥＲ１はエアコンプレッサＣに接続されており（図８参照）、電空レギュレータＥＲ１を作動させず、エアコンプレッサＣからの圧縮空気を空気室１４８に送らない状態では、スプリング１４７の弾性力によりロッド１４４の下端に固着された弁体１４５ｂがゲート部１４９に就座して閉じ、電空レギュレータＥＲ１の作動により、空気室１４８内に供給される圧縮空気がスプリング１４７の弾性力に抗して弁体１４５ｂをゲート部１４９から離してゲート部１４９を開閉できるようになっている。
【００４９】
上記電空レギュレータＥＲ１は、図８に示すように、空気を通すための吸気側流路１７０と排気側流路１７１との結合部分に出力側流路１７２が接続されており、吸気側流路１７０及び排気側流路１７１のそれぞれにはＣＰＵ１００からの電気信号を受けて流路を開閉する電磁弁１７３，１７４が介設されている。吸気側流路１７０はエアコンプレッサＣなどの圧縮空気供給源に接続されており、排気側流路１７１には排気ポンプなどの排気手段１７６に接続されている。また、出力側流路１７２は圧縮空気で駆動される開閉バルブＡＶに接続されている。一方、出力側流路１７２には、出力側流路１７２内の空気圧を検出する圧力センサ１７５が配設されており、この圧力センサ１７５によって検出された検知信号がＣＰＵ１００に伝達されるようになっている。
【００５０】
上記のように構成される電空レギュレータＥＲ１を作動させると、電磁弁１７３及び１７４は圧力センサ１７５で検知された出力側流路１７２の圧力に基いて、ＣＰＵ１００によりその作動が制御され、出力側流路１７２内の圧力が調節される。
【００５１】
例えば、出力側流路１７２内の圧力を３００ｋＰａに設定し、エアコンプレッサから５００ｋＰａの圧縮空気を吸気側流路１７０に供給する場合、通常は電磁弁１７４は閉じており、電磁弁１７３を開けて５００ｋＰａの圧縮空気を出力側流路１７２に送る。空気圧センサ１７５により出力側流路１７２内の圧力が設定値３００ｋＰａを越えていることが検出されると、ＣＰＵ１１０は直ちに吸気側の電磁弁１７３を閉鎖させて、出力側流路１７２内の圧力が設定値３００ｋＰａを大きく上回るのを防止する。それと同時に排気側の電磁弁１７４を開け、出力側流路１７２内の圧力を低下させて設定値３００ｋＰａになった時点で排気側の電磁弁１７４を閉鎖する。
【００５２】
一方、出力側流路１７２内の圧力が設定値より低い場合には、電磁弁１７４を閉じ、電磁弁１７３を開けて高圧の圧縮空気を導入し、空気圧センサ１７５で検出した圧力が設定値になった時点で電磁弁１７３を閉じる。
【００５３】
したがって、開閉バルブＡＶの開閉は、電空レギュレータＥＲ１の電磁弁１７３，１７４の切り換えを高速で行うことで瞬時に行うことができる。すなわち、開閉バルブＡＶの開閉速度（開口時間又は閉鎖時間）は、電空レギュレータＥＲ１の電磁弁１７３，１７４の切り換え速度を制御することによって調整することができる。
【００５４】
また、レジストノズル１１０から供給されるレジスト液は、電空レギュレータＥＲ１によって空気室１４８に導入される圧縮空気の圧力によって調節される。すなわち、電空レギュレータＥＲ１を作動させてエアコンプレッサＣから空気室１４８に供給する圧縮空気の圧力を上げると、ダイヤフラム１４６が圧縮空気の圧力でスプリング１４７の弾性力に抗してロッド１４４を押し上げ、弁体１４５ｂとゲート部１４９との間の隙間を広げるので、吸込側流路１４１から吐出側流路１４２に流れるレジスト液の供給量が増加し、逆に空気室１６２に供給する圧縮空気の圧力を下げると、ロッド１４４がスプリング１４７の弾性力によって押し下げられ、弁体１４５ｂとゲート部１４９との間の隙間を狭めるので、吸込側流路１４１から吐出側流路１４２に流れるレジスト液の供給量が減少することになる。
【００５５】
サックバックバルブＳＶは、例えば図７に示すように、開閉バルブＡＶ側から延設される吐出側流路１４２上部に設けられたバルブケーシング１３９に設けられており、後述するロッド１５１を圧縮空気により駆動して上下動を行うエアオペレーション型のものが用いられている。
【００５６】
この場合、バルブケーシング１３９にはシリンダ１５０が設けられている。シリンダ１５０内にはロッド１５１が図中上下方向に摺動可能に収容されており、ロッド１５１の下方の一部がシリンダ１５０から吐出側流路１４２の上部に突出している。
【００５７】
また、シリンダ１５０の上部には空気室１５５が設けられており、ロッド１５１の上端に配設されたフランジ状のダイヤフラム１５２によって上部室１５５ａと区画されている。このダイヤフラム１５２は、外周縁部１５２ａがバルブケーシング１３９に設けられた周溝１５３に嵌合固定されている。なお、ダイヤフラム１５２は可撓性材料、例えばシリコンゴム製部材にて形成されている。
【００５８】
また、上部室１５５ａ内には、ダイヤフラム１５２の上端に係合するスプリング１５４が縮設されており、このスプリング１５４の弾性力の付勢によって常時ロッド１５１が吐出側流路１４２の上部に突出するように構成されている。
【００５９】
一方、空気室１５５は操作ポート１５５ｂを介して上述した電空レギュレータＥＲ１と同様に構成される電空レギュレータＥＲ２に接続されている。また、電空レギュレータＥＲ２はエアコンプレッサＣに接続されており、電空レギュレータＥＲ２を作動させず、エアコンプレッサＣからの圧縮空気を空気室１５５に送らない状態では、スプリング１５４の弾性力によりロッド１５１の下部は下流側流路１４２内に突出しており、電空レギュレータＥＲ２を作動させてエアコンプレッサＣからの圧縮空気を空気室１５５内に供給すると、圧縮空気がスプリング１５４の弾性力に抗してロッド１５１を吐出側流路からシリンダ１５０内に引き込むようになっている。
【００６０】
なお、ロッド１５１の引き込み時には開閉バルブＡＶは閉じているので、ロッド１５１の引き込みにより下流側流路１４２内のレジスト液に作用する負圧は、開閉バルブＡＶの更に下流側のレジスト液に作用し、供給部１１３先端のレジスト液面をレジストノズル１１０の内部に引き込むことができる。
【００６１】
この場合、レジスト液を引き込む量（以下にサックバック量という）は、ロッド１５１の引き込み量すなわち電空レギュレータＥＲ２が空気室１５５へ供給する圧縮空気の圧力によって調整することができる。すなわち、圧縮空気の圧力を高くすると、ダイヤフラム１５２がスプリング１５４の弾性力に抗してロッド１５１を引き上げる量が大きくなるためサックバック量を増加させることができ、逆に圧縮空気の圧力を下げると、ダイヤフラム１５２がスプリング１５４の弾性力に抗してロッド１５１を引き上げる量が小さくなるためサックバック量を減少させることができる。
【００６２】
また、レジスト液の供給停止からサックバック終了までの時間（以下にサックバック時間という）は、電空レギュレータＥＲ１による空気室１４８への圧縮空気の供給停止から、電空レギュレータＥＲ２による空気室１５５への圧縮空気の供給開始までの時間によって変化するので、電空レギュレータＥＲ１と電空レギュレータＥＲ２を制御することにより調整することができる。
【００６３】
このように構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、上述したレジスト液供給管路１３０が処理ステーション２０の下方室２９内に配設されるレジストタンク１８０と接続されており、レジスト液供給管路１３０に介設される処理液圧送手段例えば供給ポンプ１６０によって、レジストタンク１８０に貯留されるレジスト液を圧送されている。
【００６４】
この場合、供給ポンプ１６０は、図９に示すように、中空状の本体１６０ａの中にレジスト液を収容するためのポンプ室１６１と、圧縮空気を収容するための空気室１６２とが設けられており、これらポンプ室１６１と空気室１６２とは、例えばシリコンゴムなどの可撓性を有する弾性材料にて形成されるダイヤフラム１６３で区画されている。なお、ダイヤフラム１６３は、空気室１６２内に向かって膨隆する椀形に形成されている。
【００６５】
また、本体１６０ａには、レジストタンク１８０側（図中左側）の供給管路１３０とポンプ室１６１とを連通する吸込側流路１６４及びレジストノズル１１０側（図中右側）のレジスト液供給管路１３０とポンプ室１６１とを連通する吐出側流路１６５が配設されている。また、空気室１６２の図中上部には空気導入孔１６６が設けられており、上述した電空レギュレータＥＲ１と同様に構成される電空レギュレータＥＲ３を介して圧縮空気供給源例えばエアコンプレッサＣからの圧縮空気を空気導入孔１６６から空気室１６２の中に吸排気可能に形成されている。
【００６６】
レジスト液供給管路１３０における吸込側流路１６４側及び吐出側流路１６５側には、それぞれに逆止弁であるチェッキバルブ１６８，１６９が介設されており、これらチェッキバルブ１６８，１６９により、レジスト液は図中矢印で示した方向に流れるようになっている。
【００６７】
なお、吸込側のチェッキバルブ１６８は、バルブ閉鎖時でもレジスト液供給管路１３０と吸込側流路１６４との間に微量の流体の流出を許容するスローリーク構造を備えており、ポンプの圧力変動を小さくすることができるようになっている。
【００６８】
この供給ポンプ１６０の駆動は、空気導入孔１６６から空気室１６２に圧縮空気を出し入れすることにより行う。
【００６９】
空気室１６２から圧縮空気を排気した状態では、ダイヤフラム１６３は図中上方向に引っ張られ、図９に示すように椀形に膨らんだ状態となる。このとき、吸込側のチェッキバルブ１６８が開いてレジスト液がレジスト液供給管路１３０から吸込側流路１６４へ流入するため、ポンプ室１６１の中はレジスト液で満たされる。
【００７０】
次に、空気導入孔１６６から圧縮空気を空気室１６２に導入すると、空気室１６２内の気圧は高まり、この気圧によりダイヤフラム１６３はポンプ室１６１側へ押され、ポンプ室１６１の容積を小さくしようとする。このときポンプ室１６１内に収容されたレジスト液に圧力が作用し、この圧力によって吸込側のチェッキバルブ１６８が閉じると共に、吐出側のチェッキバルブ１６９が開いて、レジスト液は吐出側流路１６５からレジスト液供給管路１３０に順次圧送される。
【００７１】
したがって、供給ポンプ１６０の圧送圧力は、電空レギュレータＥＲ３の設定を調整し、空気室１６２に導入される圧縮空気の圧力及び単位時間に圧縮空気を出し入れする回数を変えることによって調整される。
【００７２】
なお、上記供給ポンプ１６０は、電空レギュレータＥＲ３によって別の二次流体、例えば油（シリコンオイル、テフロン（Ｒ）系のオイル）、水、水銀、アルコール、シンナーやこれらの混合液等の液体に圧力を掛け、この二次流体を空気室１６２に相当する室に導入してダイヤフラム１６３を作動させるように構成することも可能である。
【００７３】
また、供給ポンプ１６０は、所定の圧力でレジストタンク１８０のレジスト液を圧送するものであれば、ダイヤフラム式ポンプ以外のものでもよく、例えばベローズ式ポンプ等を用いることも勿論可能である。
【００７４】
また、上記開閉バルブＡＶ、サックバックバルブＳＶ及び電空レギュレータＥＲ１，ＥＲ２，ＥＲ３は、図５に示すように、それぞれＣＰＵ１００（制御手段）に接続されている。
【００７５】
ＣＰＵ１００には、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬入されるウエハＷの順番や時間、ウエハＷの表面に供給するレジスト液の量などの情報を記憶させることができ、この情報に基いてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内に搬入されたウエハＷに所定量のレジスト液を供給し得るよう開閉バルブＡＶ、電空レギュレータＥＲ１，ＥＲ２，ＥＲ３を制御することができ、また、レジスト液の供給停止時にレジストノズル１１０の先端部に表面張力によって残留しているレジスト液が固化又は劣化しないようにレジスト液をレジストノズル１１０内に引き戻すサックバックバルブＳＶを制御することができる。
【００７６】
以下に、上記のように構成されたレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の動作を説明する。
【００７７】
主ウエハ搬送機構２１により搬送されたウエハＷが、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内のスピンチャック１０１に吸着保持されると、スピンチャック１０１が回転すると共に、図示しないシンナー吐出機構が作動してウエハＷのほぼ中心真上の位置からシンナーをウエハＷに供給（滴下）する。滴下されたシンナーは遠心力によりウエハＷ表面全体に広がり、余分のシンナーは遠心力で振り切られ除去される。
【００７８】
次いで、レジストノズルスキャンアーム１０２が移動してレジストノズル１１０をウエハＷのほぼ中心の真上の位置まで移動させる。
【００７９】
次に、ウエハＷを保持したスピンチャック１０１を高速で回転させると共に、供給ポンプ１６０及び開閉バルブＡＶを所定のタイミングで作動させて、ウエハＷの表面にレジストノズル１１０から所定量のレジスト液を供給（滴下）する。滴下されたレジスト液は上記シンナーと同様に遠心力によりウエハＷ表面全体に広がり、余分のレジスト液は遠心力で振り切られ除去される。
【００８０】
振り切り除去が終了するとスピンチャックの回転は停止し、ウエハＷは主ウエハ搬送機構２１により取り出されて処理を終了する。
【００８１】
次に、上記レジスト塗布ユニットの自動設定を行う、この発明の自動設定装置の構成について説明する。
【００８２】
この発明の自動設定装置は、図５に示すように、レジストノズル１１０が供給するレジスト液の供給量を検出する供給量検出手段、例えば後述する光透過可能な容器２１０，発光手段２１１及び光検知手段２１３と、レジストノズル１１０の供給部１１３のレジスト液の状態、具体的には、レジスト液の先端液面の状態を検出する液検出手段、例えばＣＣＤカメラ３００と、少なくともレジスト液の特性及び配管条件等の情報を予め記憶可能な制御手段、例えばＣＰＵ１００とで構成される。
【００８３】
この場合、供給量検知手段を、ダミーディスペンスを行う図示しないダミーディスペンス部に設けるようにすれば装置の小型化を図れる点で好ましい。
【００８４】
上記供給量検出手段は、レジストノズル１１０から供給（吐出）されたレジスト液を貯留可能であると共に、光を透過できる測定用の容器例えばガラス製のメスシリンダ２１０と、このメスシリンダ２１０の側方から光２１２を照射可能な発光手段例えば発光ダイオード２１１と、この発光ダイオード２１１の対向する側に設けられ、メスシリンダ内に透過された発光ダイオードの光２１２を受光して光量（画素数）を検知し、その検知信号をＣＰＵ１００に送る光検知手段例えばＣＣＤセンサ２１３とで主に構成されている。
【００８５】
この場合、ＣＣＤセンサ２１３は、図６に示すように、複数の画素２１４が垂直方向に等間隔に設けられており、受光された光量（画素数）とＣＰＵ１００に予め記憶された情報とに基いて、メスシリンダ２１０内に供給されたレジスト液の供給量を計測することができるように構成されている。すなわち、メスシリンダ２１０内にレジスト液が貯留されると、発光ダイオード２１１からメスシリンダ２１０内に照射された光２１２のうち、レジスト液の水面より下方のＣＣＤセンサ２１３の画素２１４は、レジスト液により光２１２が遮断され、あるいは弱められるためＣＣＤセンサ２１３が光２１２を検知せず、レジスト液水面より上方のＣＣＤセンサの画素２１４は透過された光２１２を受光して検知するので、予めレジスト液の量とＣＣＤセンサ２１３が検知した光量（画素数）との相関データをＣＰＵ１００に記憶させておくことによりレジストノズル１１０から供給（吐出）されたレジスト液の供給量を検出することができる。
【００８６】
ＣＣＤカメラ３００は、レジストノズル１１０の供給部１１３と水平位置に設置されており、供給部１１３のレジスト液の液面位置等を画像として検知し、その画像データをＣＰＵ１００に出力可能に形成されている。
【００８７】
ＣＰＵ１００は、図示しない入力装置から予めレジスト液の特性（例えば密度や動粘性係数）や配管条件（例えばレジスト液供給管路１３０の配管長や揚程差）等の情報を記憶させておくことができ、上記電子天秤２００によって検出されたレジスト液の供給量及びＣＣＤカメラ３００で検出された供給部１１３におけるレジスト液の液面の位置と、予めＣＰＵ１００に記憶されたレジスト液の特性及び配管条件等の情報に基いて、レジストノズル１１０がウエハＷに均一に処理液を供給し得るように、開閉バルブＡＶ、サックバックバルブＳＶの設定を調整し得るように構成されている。
【００８８】
次に上記のように構成される自動設定装置を用いて、上述したレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の調整を行う場合について、図１０ないし図１２及び図１３のフローチャートを用いて説明する。
【００８９】
まず、レジストノズル１１０をレジストノズルスキャンアーム１０２によって待機部１０６に設けられたメスシリンダ２１０上に移動する。そして、ＣＣＤカメラ３００によりレジストノズル１１０の供給部１１３内のレジスト液の状態、すなわちレジスト液の液面の位置を検知しながら、開閉バルブＡＶを開き供給ノズル１１０からレジスト液をメスシリンダ２１０上に所定時間、所定回数供給した後に停止する（ステップＳ１）。
【００９０】
次に、ＣＣＤカメラ３００で取得した吐出開始時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処理し、吐出開始時に供給部１１３内のレジスト液がレジスト液供給管路１３０の供給ポンプ１６０側に吸い込まれる引き上がり現象が生じているか否かを、検出された供給部１１３内の液面の位置から判定する（ステップＳ２）。具体的には、レジスト液の吐出開始前の液面の位置｛図１０（ａ）の位置｝が、吐出開始時に上方位置｛図１０（ｂ）の位置｝に移動した後に吐出が開始｛図１０（ｃ）｝した場合には引き上がり現象が生じていると判定する。
【００９１】
供給部１１３内の液面に引き上がり現象が生じていないと判定した場合には次のステップＳ４に進む。また、引き上がり現象が生じていると判定した場合にはステップＳ３に進み、引き上がりの大きさに応じてＣＰＵ１００が開閉バルブＡＶの開口時間を増加するように設定を調整した後ステップＳ４に進む。
【００９２】
ステップＳ４では、ＣＣＤカメラ３００で取得した吐出終了時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処理し、液面の位置から液切れは適当か否かを判定する。具体的には、供給部１１３の液面の位置が、図１１（ｂ）に示すように、所定の範囲内例えば供給部先端から上方に０．５〜１ｍｍの範囲内にある場合には、ＣＰＵ１００は液切れが適当であると判定し、供給部１１３の液面の位置が、図１１（ａ）に示すように、所定の位置より高い場合には液切れが早いと判定し、逆に、供給部１１３内の液面の位置が、図１１（ｃ）に示すように、所定の位置より低い場合には液切れが遅いと判定する。
【００９３】
液切れが適当であると判定した場合には次のステップＳ７に進む。また、液切れが早いと判定した場合にはステップＳ５に進み、ＣＰＵ１００が開閉バルブＡＶの閉鎖時間を増加するように設定を調整した後にステップＳ７に進む。逆に、液切れが遅いと判定した場合にはステップＳ６に進み、ＣＰＵ１００が開閉バルブＡＶの閉鎖時間が減少するように設定を調整した後、ステップＳ７に進む。
【００９４】
ステップＳ７では、ＣＣＤカメラ３００で取得したサックバック時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処理し、サックバック後の液面の位置からサックバック量は適当か否かを判定する。具体的には、供給部１１３の液面の位置が、図１２（ｂ）に示すように、所定位置例えば供給部先端から上方に２〜３ｍｍの範囲内にある場合には、ＣＰＵ１００はサックバック量が適当であると判定する。また、供給部１１３の液面の位置が、図１２（ａ）に示すように、所定位置より高い場合にはサックバック量が多いと判定し、逆に、供給部１１３の液面の位置が、図１２（ｃ）に示すように、所定位置より低い場合にはサックバック量が少ないと判定する。
【００９５】
サックバック量が適当であると判定した場合には次のステップＳ１０に進む。また、サックバック量が多いと判定した場合にはステップＳ８に進み、ＣＰＵ１００が電空レギュレータＥＲ３の設定を調整し、空気室１５５内への圧縮空気の供給量を減少させてロッドの引き込み量を減らすようにサックバックバルブＳＶの設定を調整した後、ステップＳ１０に進む。逆に、サックバック量が少ないと判定した場合にはステップＳ９に進み、ＣＰＵ１００が電空レギュレータＥＲ３の設定を調整し、空気室１５５への圧縮空気の供給量を増加させてロッドの引き込み量を増やすようにサックバックバルブＳＶの設定を調整した後、ステップＳ１０に進む。
【００９６】
ステップＳ１０では、ＣＣＤカメラ３００で取得したサックバック時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処理し、開閉バルブＡＶの閉鎖時間とサックバック終了時間からサックバック時間は適当か否かを判定する。
【００９７】
サックバック時間が所定範囲内例えば２〜３秒以内の場合には、ＣＰＵ１００はサックバック時間が適当であると判定し、サックバック時間が所定範囲外である場合には、サックバック時間は適当でないと判定する。
【００９８】
サックバック時間が適当であると判定した場合には次のステップＳ１２に進む。また、サックバック時間が適当でないと判定した場合にはステップＳ１１に進み、ＣＰＵ１００が電空レギュレータＥＲ１，ＥＲ２の設定を調整することにより、開閉弁ＡＶとサックバックバルブＳＶの作動間隔を調整した後、ステップＳ１２に進む。
【００９９】
ステップＳ１２では、レジストノズル１１０からメスシリンダ２１０内に供給（吐出）されたレジスト液の重量を検出し、ＣＰＵ１００に予め記憶しておいた密度からレジストノズル１１０が供給（吐出）したレジスト液の供給量（実測値）を計算する。そして、計算されたレジスト液の供給量（実測値）とＣＰＵ１００に予め記憶された供給量（吐出量）の設定値とを比較演算し、供給量の実測値と設定値との誤差が許容範囲内か否かを判定する。
【０１００】
この場合、ＣＣＤカメラ３００で取得した吐出（供給）開始時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処理し、レジスト液の供給時間を、液面が供給部１１３の先端に位置した時から計測するようにすれば、レジスト液の吐出開始時に引き上がり現象が生じた場合にも誤差を生じることなく供給量（実測値）を正確に計算することができる。また、供給量（実測値）の計算は、レジスト液の供給（吐出）を複数回行い、その平均値から計算するようにすれば更に正確に求めることができる。レジスト液の供給を複数回行って供給量（実測値）を求める場合は、一回毎のデータを基にして計算してもよいし、複数回を連続して行い、その積算値を基にして計算してもよい。
【０１０１】
上記実測値と設定値との誤差が許容範囲内にあると判定した場合にはレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の設定調整を終了する（ステップＳ１４）。また、実測値と設定値との誤差が許容範囲外である場合にはステップＳ１３に進み、ＣＰＵ１００は、予め記憶されたレジスト液の粘度、供給ポンプ１６０からレジストノズル１１０までの配管長や揚程差等の情報に基いて、開閉バルブＡＶの開口度の設定を調整した後、液処理装置の設定調整を終了する（ステップＳ１４）。
【０１０２】
なお、上記ステップＳ１３では、実測値と設定値の誤差を開閉バルブＡＶの開口度を調整して補正する場合について説明したが、実測値と設定値の誤差の補正方法はこれに限らず、例えば電空レギュレータＥＲ３の設定を、ＣＰＵ１００に予め記憶されたレジスト液の粘度、供給ポンプ１６０からレジストノズル１１０までの配管長や揚程差等の情報に基いて調整し、供給ポンプ１６０の圧送圧力を補正するようにしてもよい。
【０１０３】
また、開閉バルブＡＶの開口度と供給ポンプ１６０の圧送圧力の両方を補正するようにすれば、更に正確にウエハＷへレジスト液を供給することができる。
【０１０４】
また、上記説明では、ステップＳ３，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１１，Ｓ１３の設定調整後、次のステップＳ４，Ｓ７，Ｓ１０，Ｓ１２に進む場合について説明したが、図１３に破線で示すように、ステップＳ３からステップＳ２へ、ステップＳ５，Ｓ６からステップＳ４へ、ステップＳ８，Ｓ９からステップＳ７へ、ステップＳ１１からステップＳ１０へ、ステップＳ１３からステップＳ１２へ戻るようにし、設定が正しく調整されたか否かを再確認するようにすれば、更に正確にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の設定調整を行うことができる。
【０１０５】
なお、上記説明では、この発明の自動設定装置をレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に用いる場合について説明したが、処理液を用いて被処理体を処理するものであれば他の装置、例えば現像ユニット（ＤＥＶ）等に用いることも勿論可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】この発明に係る塗布処理装置を適用したレジスト液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略正面図である。
【図３】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略背面図である。
【図４】この発明における液処理装置を示す概略平面図である。
【図５】この発明における液処理装置の自動設定装置を示す概略構成図である。
【図６】この発明における供給量検出手段の一例である光センサの概略正面図である。
【図７】この発明における液処理装置の供給量調節手段及び処理液吸引手段を示す概略断面図である。
【図８】この発明における圧力調節手段の構成を示す模式図である。
【図９】この発明における処理液圧送手段の概略断面図である。
【図１０】供給部の処理液の引き上がり現象を説明する概略断面図である。
【図１１】処理液の供給終了時における供給部の状態を示す概略断面図である。
【図１２】処理液のサックバック終了時における供給部の状態を示す概略断面図である。
【図１３】液処理装置の自動設定方法を説明するフローチャートである。
【図１４】従来の液処理装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１０７】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
ＡＶ 電子制御バルブ（供給量調節手段）
ＳＶ サックバックバルブ（処理液吸引手段）
ＥＲ 電空レギュレータ（圧力調節手段）
ＥＲ１〜ＥＲ３ 電空レギュレータ
１００ ＣＰＵ（制御手段）
１１０ レジストノズル（処理液供給手段）
１１３ 供給部
１６０ 供給ポンプ（処理液圧送手段）
１８０ レジストタンク（処理液供給源）
２１０ メスシリンダ（容器、供給量検出手段）
２１１ 発光ダイオード（発光手段、供給量検出手段）
２１３ ＣＣＤセンサ（光検知手段、供給量検出手段）
３００ ＣＣＤカメラ（液検出手段）
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体表面にレジスト液や現像液等の処理液を供給して塗布する液処理装置の設定を自動で行う自動設定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等（以下にウエハ等という）の表面に例えばレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜を露光し、露光後のウエハ表面に現像液を塗布して現像処理を行う。
【０００３】
上記レジスト液（又は現像液）の塗布には、図１４に示すように、ウエハ等の表面にレジスト液を供給するレジストノズル１１０と、レジストタンク１８０に貯留されたレジスト液をレジスト液供給管路１３０を介してレジストノズル１１０に圧送する供給ポンプ１６０と、この供給ポンプ１６０が圧送するレジスト液の圧力（以下に圧送圧力という）を一定に保つレギュレータＲと、パーティクルを捕捉するフィルタ９０と、レジスト液の供給、停止を行う開閉バルブＡＶと、レジスト液の供給停止時にレジストノズル１１０の先端部に表面張力によって残留しているレジスト液が固化又は劣化しないようにレジスト液をレジストノズル１１０内に引き戻すサックバックバルブＳＶと、開閉バルブＡＶ、サックバックバルブＳＶ及びレギュレータＲの作動を制御するＣＰＵ１００とで構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２０４４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図２に示すように複数積層されることがある、上記のように構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）においては、ユニット毎に、配管長や揚程差に相違があり、また、ディスペンス関連部品にも個体差があるため、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）ごとにレジスト液の吐出状態が異なり、塗布膜が不均一になるという問題があった。これを較正するためには、各ユニットごとに開閉バルブＡＶやサックバックバルブＳＶ、レギュレータＲの設定値をレジスト液の吐出量や吐出状態に応じて調整する必要があるが、従来はこれらの作業をオペレータが手動で行っていたため、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の設定に時間が掛かるという問題や、設定に誤差が生じ易いという問題があった。
【０００５】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、供給量調節手段及び処理液吸引手段を自動で調整する液処理装置の自動設定装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明の液処理装置の自動設定装置は、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、上記処理液供給手段が供給する処理液の供給量を調節可能な供給量調節手段と、上記処理液供給手段の処理液供給停止時に、処理液供給手段の供給部に残留する処理液を吸引する処理液吸引手段と、を具備する液処理装置の自動設定装置であって、上記処理液供給手段が供給する処理液の供給量を検出する供給量検出手段と、上記処理液供給手段の供給部の処理液の状態を検出する液検出手段と、上記供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記供給量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調整する制御手段と、を具備してなり、上記供給量検出手段は、上記処理液供給手段から供給された処理液を貯留する光を透過可能な容器と、上記容器の側方から光を照射可能な発光手段と、上記発光手段が照射し容器を透過した光を受光して光量を検知する複数の画素が垂直方向に等間隔に設けられた光検知手段と、を具備することを特徴とする（請求項１）。
【０００７】
この発明の自動設定装置において、上記制御手段を、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記処理液供給手段に処理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を調節可能な圧力調節手段の設定を調整するように構成する方が好ましい（請求項２）。
【０００８】
また、上記供給量検出手段を、ダミディスペンスを行う位置に設ける方が好ましい(請求項３)。
【０００９】
請求項１記載の発明によれば、処理液供給手段が供給する処理液の供給量を、処理液供給手段から供給された処理液を貯留する光を透過可能な容器と、容器の側方から光を照射可能な発光手段と、発光手段が照射し容器を透過した光を受光して光量を検知する複数の画素が垂直方向に等間隔に設けられた光検知手段とを具備する供給量検出手段により検出し、処理液供給手段の供給部の処理液の状態を液検出手段により検出し、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、供給量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調整するので、液処理装置の設定をオペレータが手動で行う必要がなく、装置の設定を容易にすることができると共に、装置ごとの処理液の供給量に誤差が生じるのを防止することができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明によれば、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、処理液供給手段に処理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を調節可能な圧力調節手段の設定を調整するので、更に装置ごとの処理液の供給量に誤差が生じるのを防止することができる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００１２】
１）請求項１記載の発明によれば、処理液供給手段が供給する処理液の供給量を、処理液供給手段から供給された処理液を貯留する光を透過可能な容器と、容器の側方から光を照射可能な発光手段と、発光手段が照射し容器を透過した光を受光して光量を検知する複数の画素が垂直方向に等間隔に設けられた光検知手段とを具備する供給量検出手段により検出し、処理液供給手段の供給部の処理液の状態を液検出手段により検出し、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、供給量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調整するので、液処理装置の設定をオペレータが手動で行う必要がなく、装置の設定を容易にすることができると共に、装置ごとの処理液の供給量に誤差が生じるのを防止することができる。この場合、供給量検出手段を、ダミーディスペンスを行う位置に設けることにより、更に装置の小型化が図れる（請求項３）。
【００１３】
２）請求項２記載の発明によれば、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、処理液供給手段に処理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を調節可能な圧力調節手段の設定を調整するので、更に装置ごとの処理液の供給量に誤差が生じるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る自動設定装置を、半導体ウエハのレジスト処理を行うレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に適用した場合について説明する。
【００１５】
図１はレジスト液塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図、図２は図１の正面図、図３は図２の背面図である。
【００１６】
上記処理システムは、被処理体である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション２０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのインター・フェース部３０とで主要部が構成されている。
【００１７】
上記カセットステーション１０は、図１に示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット４は、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送できるようになっている。
【００１８】
上記処理ステーション２０は、図１に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２１を収容する室２２の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面（図１において手前）側に並列され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェース部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。
【００１９】
この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップ２３内でウエハＷをスピンチャック１０１（図４）に載置して所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニット例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）が垂直方向の２段に重ねられている。第２の組Ｇ２は、２台のスピナ型処理ユニットとして例えばレジストパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が垂直方向の２段に重ねられている。なお、必要に応じて第１の組Ｇ１、第２の組Ｇ２の上段に現像ユニット（ＤＥＶ）を、下段にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を配置したり、又はその逆に、上段にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を、下段に現像ユニット（ＤＥＶ）を配置することも可能である。
【００２０】
また、図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷをウエハ載置台２４（図１）に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークする４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。第４の組Ｇ４も同様に、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及び２つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。
【００２１】
上記のように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００２２】
なお、図１に示すように、処理ステーション２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニット）の側壁の中には、それぞれダクト６５，６６が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト６５，６６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。
【００２３】
また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール６７に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００２４】
上記インター・フェース部３０は、奥行き方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインター・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカセット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、背面部には周辺露光装置３３が配設され、中央部には、ウエハ搬送アーム３４が配設されている。このウエハ搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送アーム３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送できるように構成されている。
【００２５】
上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム４０内に設置されるが、更にシステム内でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。
【００２６】
次に、上記処理システムの動作について説明する。まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置台２４からウエハＷを受け取る。
【００２７】
処理ステーション２０において、主ウエハ搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハＷは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ1の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。
【００２８】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送する。このユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷは次工程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３０のウエハ搬送アーム３４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送アーム３４はウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置３３へ搬入する。ここで、ウエハＷはエッジ部に露光を受ける。
【００２９】
周辺露光が終了すると、ウエハ搬送アーム３４は、ウエハＷを周辺露光装置３３から搬出し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、バッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００３０】
露光装置で全面露光が済んで、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インター・フェース部３０のウエハ搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される前にインター・フェース部３０内のバッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００３１】
ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージャーベーク処理が施される。
【００３２】
その後、ウエハＷは、第２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはスピンチャック１０１の上に載せられ、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なく供給（吐出）される。現像が終了すると、ウエハＷ表面に洗浄液がかけられて現像液が洗い落とされる。
【００３３】
現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００３４】
ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカセット載置台上の処理済みウエハ収容用のカセット１の所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。
【００３５】
次に、本発明に係る液処理装置の一実施形態であるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）について説明する。
【００３６】
レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、図４に示すようにウエハＷを図示しない真空装置によって吸着保持すると共に、水平方向に回転するスピンチャック１０１と、スピンチャック１０１を包囲する有底筒状に形成され、底部に排気口とドレン口が設けられたカップ２３と、スピンチャック１０１の上方に配設されるレジストノズル１１０（処理液供給手段）と、このレジストノズル１１０をウエハＷに対し相対的に移動可能な移動手段例えばレジストノズルスキャンアーム１０２とで主に構成されている。
【００３７】
レジストノズル１１０は、図５に示すように、後述するノズル保持部１１１の下部に着脱可能に形成されるノズル本体１１２と、レジスト液をウエハＷに吐出（供給）する吐出孔１１４を有すると共に、内部のレジスト液の液面を観測し得る透明又は半透明である例えば樹脂やガラス等によって形成される供給部１１３とで構成される。
【００３８】
また、レジストノズル１１０は、レジストノズルスキャンアーム１０２によりカップ２３の外側のＸ方向に延びるように設けられたガイドレール１０３に沿って、カップ２３の外側の待機部１０６（ガイドレール１０３の一側端の位置）からウエハＷの上方側を通って上記待機部１０６とウエハＷを挟んで対向する位置まで移動することができる。
【００３９】
待機部１０６では、レジストノズル１１０の供給部１１３が溶媒雰囲気室の口１０６ａに挿入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、吐出孔１１４のレジスト液が固化又は劣化しないようになっている。また、複数本のレジストノズル１１０が並列に載置されており、レジスト液の種類に応じて使い分けられるようになっている。
【００４０】
レジストノズルスキャンアーム１０２は、上記待機部１０６に載置されるレジストノズル１１０の上部を着脱可能に保持するノズル保持部１１１と、例えば図示しないモータやエアシリンダ等の駆動手段によりガイドレール１０３上をＸ方向に移動可能に形成されるベース部１０５と、Ｙ方向に延びる棒状に形成されノズル保持部１１１を支持すると共にベース部１０５によって支持されるアーム部１０４とで構成されている。なお、ベース部１０５は例えばボールネジ機構などにより構成される図示しない昇降機構を有しており、例えばモータなどの図示しない動力源からの駆動力によりアーム部１０４を上下方向に移動させることができるように構成されている。
【００４１】
また、レジストノズルスキャンアーム１０２は、待機部１０６でレジストノズル１１０を選択的に取り付けるために図示しない駆動機構によってＸ方向と直角なＹ方向にも移動可能に構成されている。
【００４２】
更に、ガイドレール１０３上には、レジストノズル１１０を支持するレジストノズルスキャンアーム１０２だけでなくリンスノズル１０７を支持するリンスノズルスキャンアーム１０８もＸ方向に移動可能に設けられている。
【００４３】
リンスノズル１０７は、リンスノズルスキャンアーム１０８によってカップ２３の側方に設定されたリンスノズル待機位置（実線の位置）とスピンチャック１０１に設置されているウエハＷの周辺部の真上に設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間で並進及び直線移動するようになっている。
【００４４】
また、レジストノズル１１０は、図５に示すように、ウエハＷの表面に供給するレジスト液の供給量を調節可能な供給量調節手段例えば開閉バルブＡＶと、この開閉バルブＡＶの下流側に設けられ、レジストノズル１１０がレジスト液の供給を停止した時にレジストノズル１１０の供給部１１３に残留するレジスト液を吸引し、吐出孔１１４からの液だれを抑制する処理液吸引手段例えばサックバックバルブＳＶとが介設されるレジスト液供給管路１３０に接続されている。
【００４５】
開閉バルブＡＶは、例えば図７に示すように、バルブケーシング１３８に設けられた吸込側流路１４１と吐出側流路１４２との間に設けられたゲート部１４９を開閉可能な後述する弁体１４５ｂを圧縮空気により駆動して開閉動作を行うエアオペレーション型のものが用いられている。
【００４６】
この場合、吸込側流路１４１と吐出側流路１４２とは、上方に向かって縮径テーパ状の先端を有する管状のゲート部１４９を介して隣接配置されている。また、ゲート部１４９の上方にはシリンダ１４３を介して空気室１４８が対峙して設けられている。このシリンダ１４３内には、ロッド１４４が摺動可能に配設されており、シリンダ１４３の下方に露出するロッド１４４の下端に、弁体１４５ｂを一体に形成するダイヤフラム１４５が固着されている。また、空気室１４８内に露出するロッド１４４の上端には、空気室１４８を上部室１４８ａと区画するダイヤフラム１４６が固着されている。なお、この場合、ダイヤフラム１４５，１４６は、可撓性材料例えばシリコンゴム製部材にて形成されている。これらダイヤフラム１４５，１４６は、それぞれその外周縁部１４５ａ，１４６ａがバルブケーシング１３８に設けられた周溝１４３ａ又は１４３ｂ内に嵌合固定されている。
【００４７】
また、上部室１４８ａ内には、ダイヤフラム１４６の上端に係合するスプリング１４７が縮設されており、このスプリング１４７の弾性力の付勢によって常時弁体１４５ｂがゲート部１４９に就座して、吸込側流路１４１と吐出側流路１４２とを閉じるように構成されている。
【００４８】
一方、空気室１４８は操作ポート１４８ｂを介して後述する電空レギュレータＥＲ１に接続されている。また、電空レギュレータＥＲ１はエアコンプレッサＣに接続されており（図８参照）、電空レギュレータＥＲ１を作動させず、エアコンプレッサＣからの圧縮空気を空気室１４８に送らない状態では、スプリング１４７の弾性力によりロッド１４４の下端に固着された弁体１４５ｂがゲート部１４９に就座して閉じ、電空レギュレータＥＲ１の作動により、空気室１４８内に供給される圧縮空気がスプリング１４７の弾性力に抗して弁体１４５ｂをゲート部１４９から離してゲート部１４９を開閉できるようになっている。
【００４９】
上記電空レギュレータＥＲ１は、図８に示すように、空気を通すための吸気側流路１７０と排気側流路１７１との結合部分に出力側流路１７２が接続されており、吸気側流路１７０及び排気側流路１７１のそれぞれにはＣＰＵ１００からの電気信号を受けて流路を開閉する電磁弁１７３，１７４が介設されている。吸気側流路１７０はエアコンプレッサＣなどの圧縮空気供給源に接続されており、排気側流路１７１には排気ポンプなどの排気手段１７６に接続されている。また、出力側流路１７２は圧縮空気で駆動される開閉バルブＡＶに接続されている。一方、出力側流路１７２には、出力側流路１７２内の空気圧を検出する圧力センサ１７５が配設されており、この圧力センサ１７５によって検出された検知信号がＣＰＵ１００に伝達されるようになっている。
【００５０】
上記のように構成される電空レギュレータＥＲ１を作動させると、電磁弁１７３及び１７４は圧力センサ１７５で検知された出力側流路１７２の圧力に基いて、ＣＰＵ１００によりその作動が制御され、出力側流路１７２内の圧力が調節される。
【００５１】
例えば、出力側流路１７２内の圧力を３００ｋＰａに設定し、エアコンプレッサから５００ｋＰａの圧縮空気を吸気側流路１７０に供給する場合、通常は電磁弁１７４は閉じており、電磁弁１７３を開けて５００ｋＰａの圧縮空気を出力側流路１７２に送る。空気圧センサ１７５により出力側流路１７２内の圧力が設定値３００ｋＰａを越えていることが検出されると、ＣＰＵ１１０は直ちに吸気側の電磁弁１７３を閉鎖させて、出力側流路１７２内の圧力が設定値３００ｋＰａを大きく上回るのを防止する。それと同時に排気側の電磁弁１７４を開け、出力側流路１７２内の圧力を低下させて設定値３００ｋＰａになった時点で排気側の電磁弁１７４を閉鎖する。
【００５２】
一方、出力側流路１７２内の圧力が設定値より低い場合には、電磁弁１７４を閉じ、電磁弁１７３を開けて高圧の圧縮空気を導入し、空気圧センサ１７５で検出した圧力が設定値になった時点で電磁弁１７３を閉じる。
【００５３】
したがって、開閉バルブＡＶの開閉は、電空レギュレータＥＲ１の電磁弁１７３，１７４の切り換えを高速で行うことで瞬時に行うことができる。すなわち、開閉バルブＡＶの開閉速度（開口時間又は閉鎖時間）は、電空レギュレータＥＲ１の電磁弁１７３，１７４の切り換え速度を制御することによって調整することができる。
【００５４】
また、レジストノズル１１０から供給されるレジスト液は、電空レギュレータＥＲ１によって空気室１４８に導入される圧縮空気の圧力によって調節される。すなわち、電空レギュレータＥＲ１を作動させてエアコンプレッサＣから空気室１４８に供給する圧縮空気の圧力を上げると、ダイヤフラム１４６が圧縮空気の圧力でスプリング１４７の弾性力に抗してロッド１４４を押し上げ、弁体１４５ｂとゲート部１４９との間の隙間を広げるので、吸込側流路１４１から吐出側流路１４２に流れるレジスト液の供給量が増加し、逆に空気室１６２に供給する圧縮空気の圧力を下げると、ロッド１４４がスプリング１４７の弾性力によって押し下げられ、弁体１４５ｂとゲート部１４９との間の隙間を狭めるので、吸込側流路１４１から吐出側流路１４２に流れるレジスト液の供給量が減少することになる。
【００５５】
サックバックバルブＳＶは、例えば図７に示すように、開閉バルブＡＶ側から延設される吐出側流路１４２上部に設けられたバルブケーシング１３９に設けられており、後述するロッド１５１を圧縮空気により駆動して上下動を行うエアオペレーション型のものが用いられている。
【００５６】
この場合、バルブケーシング１３９にはシリンダ１５０が設けられている。シリンダ１５０内にはロッド１５１が図中上下方向に摺動可能に収容されており、ロッド１５１の下方の一部がシリンダ１５０から吐出側流路１４２の上部に突出している。
【００５７】
また、シリンダ１５０の上部には空気室１５５が設けられており、ロッド１５１の上端に配設されたフランジ状のダイヤフラム１５２によって上部室１５５ａと区画されている。このダイヤフラム１５２は、外周縁部１５２ａがバルブケーシング１３９に設けられた周溝１５３に嵌合固定されている。なお、ダイヤフラム１５２は可撓性材料、例えばシリコンゴム製部材にて形成されている。
【００５８】
また、上部室１５５ａ内には、ダイヤフラム１５２の上端に係合するスプリング１５４が縮設されており、このスプリング１５４の弾性力の付勢によって常時ロッド１５１が吐出側流路１４２の上部に突出するように構成されている。
【００５９】
一方、空気室１５５は操作ポート１５５ｂを介して上述した電空レギュレータＥＲ１と同様に構成される電空レギュレータＥＲ２に接続されている。また、電空レギュレータＥＲ２はエアコンプレッサＣに接続されており、電空レギュレータＥＲ２を作動させず、エアコンプレッサＣからの圧縮空気を空気室１５５に送らない状態では、スプリング１５４の弾性力によりロッド１５１の下部は下流側流路１４２内に突出しており、電空レギュレータＥＲ２を作動させてエアコンプレッサＣからの圧縮空気を空気室１５５内に供給すると、圧縮空気がスプリング１５４の弾性力に抗してロッド１５１を吐出側流路からシリンダ１５０内に引き込むようになっている。
【００６０】
なお、ロッド１５１の引き込み時には開閉バルブＡＶは閉じているので、ロッド１５１の引き込みにより下流側流路１４２内のレジスト液に作用する負圧は、開閉バルブＡＶの更に下流側のレジスト液に作用し、供給部１１３先端のレジスト液面をレジストノズル１１０の内部に引き込むことができる。
【００６１】
この場合、レジスト液を引き込む量（以下にサックバック量という）は、ロッド１５１の引き込み量すなわち電空レギュレータＥＲ２が空気室１５５へ供給する圧縮空気の圧力によって調整することができる。すなわち、圧縮空気の圧力を高くすると、ダイヤフラム１５２がスプリング１５４の弾性力に抗してロッド１５１を引き上げる量が大きくなるためサックバック量を増加させることができ、逆に圧縮空気の圧力を下げると、ダイヤフラム１５２がスプリング１５４の弾性力に抗してロッド１５１を引き上げる量が小さくなるためサックバック量を減少させることができる。
【００６２】
また、レジスト液の供給停止からサックバック終了までの時間（以下にサックバック時間という）は、電空レギュレータＥＲ１による空気室１４８への圧縮空気の供給停止から、電空レギュレータＥＲ２による空気室１５５への圧縮空気の供給開始までの時間によって変化するので、電空レギュレータＥＲ１と電空レギュレータＥＲ２を制御することにより調整することができる。
【００６３】
このように構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、上述したレジスト液供給管路１３０が処理ステーション２０の下方室２９内に配設されるレジストタンク１８０と接続されており、レジスト液供給管路１３０に介設される処理液圧送手段例えば供給ポンプ１６０によって、レジストタンク１８０に貯留されるレジスト液を圧送されている。
【００６４】
この場合、供給ポンプ１６０は、図９に示すように、中空状の本体１６０ａの中にレジスト液を収容するためのポンプ室１６１と、圧縮空気を収容するための空気室１６２とが設けられており、これらポンプ室１６１と空気室１６２とは、例えばシリコンゴムなどの可撓性を有する弾性材料にて形成されるダイヤフラム１６３で区画されている。なお、ダイヤフラム１６３は、空気室１６２内に向かって膨隆する椀形に形成されている。
【００６５】
また、本体１６０ａには、レジストタンク１８０側（図中左側）の供給管路１３０とポンプ室１６１とを連通する吸込側流路１６４及びレジストノズル１１０側（図中右側）のレジスト液供給管路１３０とポンプ室１６１とを連通する吐出側流路１６５が配設されている。また、空気室１６２の図中上部には空気導入孔１６６が設けられており、上述した電空レギュレータＥＲ１と同様に構成される電空レギュレータＥＲ３を介して圧縮空気供給源例えばエアコンプレッサＣからの圧縮空気を空気導入孔１６６から空気室１６２の中に吸排気可能に形成されている。
【００６６】
レジスト液供給管路１３０における吸込側流路１６４側及び吐出側流路１６５側には、それぞれに逆止弁であるチェッキバルブ１６８，１６９が介設されており、これらチェッキバルブ１６８，１６９により、レジスト液は図中矢印で示した方向に流れるようになっている。
【００６７】
なお、吸込側のチェッキバルブ１６８は、バルブ閉鎖時でもレジスト液供給管路１３０と吸込側流路１６４との間に微量の流体の流出を許容するスローリーク構造を備えており、ポンプの圧力変動を小さくすることができるようになっている。
【００６８】
この供給ポンプ１６０の駆動は、空気導入孔１６６から空気室１６２に圧縮空気を出し入れすることにより行う。
【００６９】
空気室１６２から圧縮空気を排気した状態では、ダイヤフラム１６３は図中上方向に引っ張られ、図９に示すように椀形に膨らんだ状態となる。このとき、吸込側のチェッキバルブ１６８が開いてレジスト液がレジスト液供給管路１３０から吸込側流路１６４へ流入するため、ポンプ室１６１の中はレジスト液で満たされる。
【００７０】
次に、空気導入孔１６６から圧縮空気を空気室１６２に導入すると、空気室１６２内の気圧は高まり、この気圧によりダイヤフラム１６３はポンプ室１６１側へ押され、ポンプ室１６１の容積を小さくしようとする。このときポンプ室１６１内に収容されたレジスト液に圧力が作用し、この圧力によって吸込側のチェッキバルブ１６８が閉じると共に、吐出側のチェッキバルブ１６９が開いて、レジスト液は吐出側流路１６５からレジスト液供給管路１３０に順次圧送される。
【００７１】
したがって、供給ポンプ１６０の圧送圧力は、電空レギュレータＥＲ３の設定を調整し、空気室１６２に導入される圧縮空気の圧力及び単位時間に圧縮空気を出し入れする回数を変えることによって調整される。
【００７２】
なお、上記供給ポンプ１６０は、電空レギュレータＥＲ３によって別の二次流体、例えば油（シリコンオイル、テフロン（Ｒ）系のオイル）、水、水銀、アルコール、シンナーやこれらの混合液等の液体に圧力を掛け、この二次流体を空気室１６２に相当する室に導入してダイヤフラム１６３を作動させるように構成することも可能である。
【００７３】
また、供給ポンプ１６０は、所定の圧力でレジストタンク１８０のレジスト液を圧送するものであれば、ダイヤフラム式ポンプ以外のものでもよく、例えばベローズ式ポンプ等を用いることも勿論可能である。
【００７４】
また、上記開閉バルブＡＶ、サックバックバルブＳＶ及び電空レギュレータＥＲ１，ＥＲ２，ＥＲ３は、図５に示すように、それぞれＣＰＵ１００（制御手段）に接続されている。
【００７５】
ＣＰＵ１００には、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬入されるウエハＷの順番や時間、ウエハＷの表面に供給するレジスト液の量などの情報を記憶させることができ、この情報に基いてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内に搬入されたウエハＷに所定量のレジスト液を供給し得るよう開閉バルブＡＶ、電空レギュレータＥＲ１，ＥＲ２，ＥＲ３を制御することができ、また、レジスト液の供給停止時にレジストノズル１１０の先端部に表面張力によって残留しているレジスト液が固化又は劣化しないようにレジスト液をレジストノズル１１０内に引き戻すサックバックバルブＳＶを制御することができる。
【００７６】
以下に、上記のように構成されたレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の動作を説明する。
【００７７】
主ウエハ搬送機構２１により搬送されたウエハＷが、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内のスピンチャック１０１に吸着保持されると、スピンチャック１０１が回転すると共に、図示しないシンナー吐出機構が作動してウエハＷのほぼ中心真上の位置からシンナーをウエハＷに供給（滴下）する。滴下されたシンナーは遠心力によりウエハＷ表面全体に広がり、余分のシンナーは遠心力で振り切られ除去される。
【００７８】
次いで、レジストノズルスキャンアーム１０２が移動してレジストノズル１１０をウエハＷのほぼ中心の真上の位置まで移動させる。
【００７９】
次に、ウエハＷを保持したスピンチャック１０１を高速で回転させると共に、供給ポンプ１６０及び開閉バルブＡＶを所定のタイミングで作動させて、ウエハＷの表面にレジストノズル１１０から所定量のレジスト液を供給（滴下）する。滴下されたレジスト液は上記シンナーと同様に遠心力によりウエハＷ表面全体に広がり、余分のレジスト液は遠心力で振り切られ除去される。
【００８０】
振り切り除去が終了するとスピンチャックの回転は停止し、ウエハＷは主ウエハ搬送機構２１により取り出されて処理を終了する。
【００８１】
次に、上記レジスト塗布ユニットの自動設定を行う、この発明の自動設定装置の構成について説明する。
【００８２】
この発明の自動設定装置は、図５に示すように、レジストノズル１１０が供給するレジスト液の供給量を検出する供給量検出手段、例えば後述する光透過可能な容器２１０，発光手段２１１及び光検知手段２１３と、レジストノズル１１０の供給部１１３のレジスト液の状態、具体的には、レジスト液の先端液面の状態を検出する液検出手段、例えばＣＣＤカメラ３００と、少なくともレジスト液の特性及び配管条件等の情報を予め記憶可能な制御手段、例えばＣＰＵ１００とで構成される。
【００８３】
この場合、供給量検知手段を、ダミーディスペンスを行う図示しないダミーディスペンス部に設けるようにすれば装置の小型化を図れる点で好ましい。
【００８４】
上記供給量検出手段は、レジストノズル１１０から供給（吐出）されたレジスト液を貯留可能であると共に、光を透過できる測定用の容器例えばガラス製のメスシリンダ２１０と、このメスシリンダ２１０の側方から光２１２を照射可能な発光手段例えば発光ダイオード２１１と、この発光ダイオード２１１の対向する側に設けられ、メスシリンダ内に透過された発光ダイオードの光２１２を受光して光量（画素数）を検知し、その検知信号をＣＰＵ１００に送る光検知手段例えばＣＣＤセンサ２１３とで主に構成されている。
【００８５】
この場合、ＣＣＤセンサ２１３は、図６に示すように、複数の画素２１４が垂直方向に等間隔に設けられており、受光された光量（画素数）とＣＰＵ１００に予め記憶された情報とに基いて、メスシリンダ２１０内に供給されたレジスト液の供給量を計測することができるように構成されている。すなわち、メスシリンダ２１０内にレジスト液が貯留されると、発光ダイオード２１１からメスシリンダ２１０内に照射された光２１２のうち、レジスト液の水面より下方のＣＣＤセンサ２１３の画素２１４は、レジスト液により光２１２が遮断され、あるいは弱められるためＣＣＤセンサ２１３が光２１２を検知せず、レジスト液水面より上方のＣＣＤセンサの画素２１４は透過された光２１２を受光して検知するので、予めレジスト液の量とＣＣＤセンサ２１３が検知した光量（画素数）との相関データをＣＰＵ１００に記憶させておくことによりレジストノズル１１０から供給（吐出）されたレジスト液の供給量を検出することができる。
【００８６】
ＣＣＤカメラ３００は、レジストノズル１１０の供給部１１３と水平位置に設置されており、供給部１１３のレジスト液の液面位置等を画像として検知し、その画像データをＣＰＵ１００に出力可能に形成されている。
【００８７】
ＣＰＵ１００は、図示しない入力装置から予めレジスト液の特性（例えば密度や動粘性係数）や配管条件（例えばレジスト液供給管路１３０の配管長や揚程差）等の情報を記憶させておくことができ、上記電子天秤２００によって検出されたレジスト液の供給量及びＣＣＤカメラ３００で検出された供給部１１３におけるレジスト液の液面の位置と、予めＣＰＵ１００に記憶されたレジスト液の特性及び配管条件等の情報に基いて、レジストノズル１１０がウエハＷに均一に処理液を供給し得るように、開閉バルブＡＶ、サックバックバルブＳＶの設定を調整し得るように構成されている。
【００８８】
次に上記のように構成される自動設定装置を用いて、上述したレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の調整を行う場合について、図１０ないし図１２及び図１３のフローチャートを用いて説明する。
【００８９】
まず、レジストノズル１１０をレジストノズルスキャンアーム１０２によって待機部１０６に設けられたメスシリンダ２１０上に移動する。そして、ＣＣＤカメラ３００によりレジストノズル１１０の供給部１１３内のレジスト液の状態、すなわちレジスト液の液面の位置を検知しながら、開閉バルブＡＶを開き供給ノズル１１０からレジスト液をメスシリンダ２１０上に所定時間、所定回数供給した後に停止する（ステップＳ１）。
【００９０】
次に、ＣＣＤカメラ３００で取得した吐出開始時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処理し、吐出開始時に供給部１１３内のレジスト液がレジスト液供給管路１３０の供給ポンプ１６０側に吸い込まれる引き上がり現象が生じているか否かを、検出された供給部１１３内の液面の位置から判定する（ステップＳ２）。具体的には、レジスト液の吐出開始前の液面の位置｛図１０（ａ）の位置｝が、吐出開始時に上方位置｛図１０（ｂ）の位置｝に移動した後に吐出が開始｛図１０（ｃ）｝した場合には引き上がり現象が生じていると判定する。
【００９１】
供給部１１３内の液面に引き上がり現象が生じていないと判定した場合には次のステップＳ４に進む。また、引き上がり現象が生じていると判定した場合にはステップＳ３に進み、引き上がりの大きさに応じてＣＰＵ１００が開閉バルブＡＶの開口時間を増加するように設定を調整した後ステップＳ４に進む。
【００９２】
ステップＳ４では、ＣＣＤカメラ３００で取得した吐出終了時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処理し、液面の位置から液切れは適当か否かを判定する。具体的には、供給部１１３の液面の位置が、図１１（ｂ）に示すように、所定の範囲内例えば供給部先端から上方に０．５〜１ｍｍの範囲内にある場合には、ＣＰＵ１００は液切れが適当であると判定し、供給部１１３の液面の位置が、図１１（ａ）に示すように、所定の位置より高い場合には液切れが早いと判定し、逆に、供給部１１３内の液面の位置が、図１１（ｃ）に示すように、所定の位置より低い場合には液切れが遅いと判定する。
【００９３】
液切れが適当であると判定した場合には次のステップＳ７に進む。また、液切れが早いと判定した場合にはステップＳ５に進み、ＣＰＵ１００が開閉バルブＡＶの閉鎖時間を増加するように設定を調整した後にステップＳ７に進む。逆に、液切れが遅いと判定した場合にはステップＳ６に進み、ＣＰＵ１００が開閉バルブＡＶの閉鎖時間が減少するように設定を調整した後、ステップＳ７に進む。
【００９４】
ステップＳ７では、ＣＣＤカメラ３００で取得したサックバック時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処理し、サックバック後の液面の位置からサックバック量は適当か否かを判定する。具体的には、供給部１１３の液面の位置が、図１２（ｂ）に示すように、所定位置例えば供給部先端から上方に２〜３ｍｍの範囲内にある場合には、ＣＰＵ１００はサックバック量が適当であると判定する。また、供給部１１３の液面の位置が、図１２（ａ）に示すように、所定位置より高い場合にはサックバック量が多いと判定し、逆に、供給部１１３の液面の位置が、図１２（ｃ）に示すように、所定位置より低い場合にはサックバック量が少ないと判定する。
【００９５】
サックバック量が適当であると判定した場合には次のステップＳ１０に進む。また、サックバック量が多いと判定した場合にはステップＳ８に進み、ＣＰＵ１００が電空レギュレータＥＲ３の設定を調整し、空気室１５５内への圧縮空気の供給量を減少させてロッドの引き込み量を減らすようにサックバックバルブＳＶの設定を調整した後、ステップＳ１０に進む。逆に、サックバック量が少ないと判定した場合にはステップＳ９に進み、ＣＰＵ１００が電空レギュレータＥＲ３の設定を調整し、空気室１５５への圧縮空気の供給量を増加させてロッドの引き込み量を増やすようにサックバックバルブＳＶの設定を調整した後、ステップＳ１０に進む。
【００９６】
ステップＳ１０では、ＣＣＤカメラ３００で取得したサックバック時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処理し、開閉バルブＡＶの閉鎖時間とサックバック終了時間からサックバック時間は適当か否かを判定する。
【００９７】
サックバック時間が所定範囲内例えば２〜３秒以内の場合には、ＣＰＵ１００はサックバック時間が適当であると判定し、サックバック時間が所定範囲外である場合には、サックバック時間は適当でないと判定する。
【００９８】
サックバック時間が適当であると判定した場合には次のステップＳ１２に進む。また、サックバック時間が適当でないと判定した場合にはステップＳ１１に進み、ＣＰＵ１００が電空レギュレータＥＲ１，ＥＲ２の設定を調整することにより、開閉弁ＡＶとサックバックバルブＳＶの作動間隔を調整した後、ステップＳ１２に進む。
【００９９】
ステップＳ１２では、レジストノズル１１０からメスシリンダ２１０内に供給（吐出）されたレジスト液の重量を検出し、ＣＰＵ１００に予め記憶しておいた密度からレジストノズル１１０が供給（吐出）したレジスト液の供給量（実測値）を計算する。そして、計算されたレジスト液の供給量（実測値）とＣＰＵ１００に予め記憶された供給量（吐出量）の設定値とを比較演算し、供給量の実測値と設定値との誤差が許容範囲内か否かを判定する。
【０１００】
この場合、ＣＣＤカメラ３００で取得した吐出（供給）開始時の供給部１１３の画像データをＣＰＵ１００で処理し、レジスト液の供給時間を、液面が供給部１１３の先端に位置した時から計測するようにすれば、レジスト液の吐出開始時に引き上がり現象が生じた場合にも誤差を生じることなく供給量（実測値）を正確に計算することができる。また、供給量（実測値）の計算は、レジスト液の供給（吐出）を複数回行い、その平均値から計算するようにすれば更に正確に求めることができる。レジスト液の供給を複数回行って供給量（実測値）を求める場合は、一回毎のデータを基にして計算してもよいし、複数回を連続して行い、その積算値を基にして計算してもよい。
【０１０１】
上記実測値と設定値との誤差が許容範囲内にあると判定した場合にはレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の設定調整を終了する（ステップＳ１４）。また、実測値と設定値との誤差が許容範囲外である場合にはステップＳ１３に進み、ＣＰＵ１００は、予め記憶されたレジスト液の粘度、供給ポンプ１６０からレジストノズル１１０までの配管長や揚程差等の情報に基いて、開閉バルブＡＶの開口度の設定を調整した後、液処理装置の設定調整を終了する（ステップＳ１４）。
【０１０２】
なお、上記ステップＳ１３では、実測値と設定値の誤差を開閉バルブＡＶの開口度を調整して補正する場合について説明したが、実測値と設定値の誤差の補正方法はこれに限らず、例えば電空レギュレータＥＲ３の設定を、ＣＰＵ１００に予め記憶されたレジスト液の粘度、供給ポンプ１６０からレジストノズル１１０までの配管長や揚程差等の情報に基いて調整し、供給ポンプ１６０の圧送圧力を補正するようにしてもよい。
【０１０３】
また、開閉バルブＡＶの開口度と供給ポンプ１６０の圧送圧力の両方を補正するようにすれば、更に正確にウエハＷへレジスト液を供給することができる。
【０１０４】
また、上記説明では、ステップＳ３，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１１，Ｓ１３の設定調整後、次のステップＳ４，Ｓ７，Ｓ１０，Ｓ１２に進む場合について説明したが、図１３に破線で示すように、ステップＳ３からステップＳ２へ、ステップＳ５，Ｓ６からステップＳ４へ、ステップＳ８，Ｓ９からステップＳ７へ、ステップＳ１１からステップＳ１０へ、ステップＳ１３からステップＳ１２へ戻るようにし、設定が正しく調整されたか否かを再確認するようにすれば、更に正確にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の設定調整を行うことができる。
【０１０５】
なお、上記説明では、この発明の自動設定装置をレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に用いる場合について説明したが、処理液を用いて被処理体を処理するものであれば他の装置、例えば現像ユニット（ＤＥＶ）等に用いることも勿論可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】この発明に係る塗布処理装置を適用したレジスト液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略正面図である。
【図３】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略背面図である。
【図４】この発明における液処理装置を示す概略平面図である。
【図５】この発明における液処理装置の自動設定装置を示す概略構成図である。
【図６】この発明における供給量検出手段の一例である光センサの概略正面図である。
【図７】この発明における液処理装置の供給量調節手段及び処理液吸引手段を示す概略断面図である。
【図８】この発明における圧力調節手段の構成を示す模式図である。
【図９】この発明における処理液圧送手段の概略断面図である。
【図１０】供給部の処理液の引き上がり現象を説明する概略断面図である。
【図１１】処理液の供給終了時における供給部の状態を示す概略断面図である。
【図１２】処理液のサックバック終了時における供給部の状態を示す概略断面図である。
【図１３】液処理装置の自動設定方法を説明するフローチャートである。
【図１４】従来の液処理装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１０７】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
ＡＶ 電子制御バルブ（供給量調節手段）
ＳＶ サックバックバルブ（処理液吸引手段）
ＥＲ 電空レギュレータ（圧力調節手段）
ＥＲ１〜ＥＲ３ 電空レギュレータ
１００ ＣＰＵ（制御手段）
１１０ レジストノズル（処理液供給手段）
１１３ 供給部
１６０ 供給ポンプ（処理液圧送手段）
１８０ レジストタンク（処理液供給源）
２１０ メスシリンダ（容器、供給量検出手段）
２１１ 発光ダイオード（発光手段、供給量検出手段）
２１３ ＣＣＤセンサ（光検知手段、供給量検出手段）
３００ ＣＣＤカメラ（液検出手段）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、上記処理液供給手段が供給する処理液の供給量を調節可能な供給量調節手段と、上記処理液供給手段の処理液供給停止時に、処理液供給手段の供給部に残留する処理液を吸引する処理液吸引手段と、を具備する液処理装置の自動設定装置であって、
上記処理液供給手段が供給する処理液の供給量を検出する供給量検出手段と、
上記処理液供給手段の供給部の処理液の状態を検出する液検出手段と、
上記供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記供給量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調整する制御手段と、を具備してなり、
上記供給量検出手段は、上記処理液供給手段から供給された処理液を貯留する光を透過可能な容器と、上記容器の側方から光を照射可能な発光手段と、上記発光手段が照射し容器を透過した光を受光して光量を検知する複数の画素が垂直方向に等間隔に設けられた光検知手段と、を具備することを特徴とする液処理装置の自動設定装置。
【請求項２】
請求項１記載の液処理装置の自動設定装置において、
上記制御手段を、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記処理液供給手段に処理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を調節可能な圧力調節手段の設定を調整するように構成することを特徴とする液処理装置の自動設定装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の液処理装置の自動設定装置において、
上記供給量検出手段は、ダミディスペンスを行う位置に設けられていることを特徴とする液処理装置の自動設定装置。
【請求項１】
被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、上記処理液供給手段が供給する処理液の供給量を調節可能な供給量調節手段と、上記処理液供給手段の処理液供給停止時に、処理液供給手段の供給部に残留する処理液を吸引する処理液吸引手段と、を具備する液処理装置の自動設定装置であって、
上記処理液供給手段が供給する処理液の供給量を検出する供給量検出手段と、
上記処理液供給手段の供給部の処理液の状態を検出する液検出手段と、
上記供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、上記処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記供給量調節手段及び処理液吸引手段の設定を調整する制御手段と、を具備してなり、
上記供給量検出手段は、上記処理液供給手段から供給された処理液を貯留する光を透過可能な容器と、上記容器の側方から光を照射可能な発光手段と、上記発光手段が照射し容器を透過した光を受光して光量を検知する複数の画素が垂直方向に等間隔に設けられた光検知手段と、を具備することを特徴とする液処理装置の自動設定装置。
【請求項２】
請求項１記載の液処理装置の自動設定装置において、
上記制御手段を、供給量検出手段及び液検出手段の検出信号と、予め記憶された少なくとも処理液の特性及び配管条件を含む情報とに基いて、処理液供給手段が被処理体に均一に処理液を供給し得るように、上記処理液供給手段に処理液供給源の処理液を圧送する処理液圧送手段の圧力を調節可能な圧力調節手段の設定を調整するように構成することを特徴とする液処理装置の自動設定装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の液処理装置の自動設定装置において、
上記供給量検出手段は、ダミディスペンスを行う位置に設けられていることを特徴とする液処理装置の自動設定装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００６−３２４６７７（Ｐ２００６−３２４６７７Ａ）
【公開日】平成１８年１１月３０日（２００６．１１．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１４７９３６（Ｐ２００６−１４７９３６）
【出願日】平成１８年５月２９日（２００６．５．２９）
【分割の表示】特願２００１−３４０４２４（Ｐ２００１−３４０４２４）の分割
【原出願日】平成１３年１１月６日（２００１．１１．６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月３０日（２００６．１１．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月２９日（２００６．５．２９）
【分割の表示】特願２００１−３４０４２４（Ｐ２００１−３４０４２４）の分割
【原出願日】平成１３年１１月６日（２００１．１１．６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]