液晶表示装置
【課題】ホールド型表示装置において、動画像の画質を向上し、かつ、コントラスト比を向上することを課題とする。
【解決手段】バックライトと表示パネルを有する表示装置において、バックライトを複数の単位領域に分割し、表示パネルは、単位領域の数よりも多い数の画素を有し、黒表示となる単位領域部分は非発光状態としつつ、装置に入力される画像データのフレームレートを変換して表示を行い、さらに、バックライトの駆動周波数を表示に合わせて変換する。
【解決手段】バックライトと表示パネルを有する表示装置において、バックライトを複数の単位領域に分割し、表示パネルは、単位領域の数よりも多い数の画素を有し、黒表示となる単位領域部分は非発光状態としつつ、装置に入力される画像データのフレームレートを変換して表示を行い、さらに、バックライトの駆動周波数を表示に合わせて変換する。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
バックライトと、表示パネルと、を有し、
前記バックライトは、複数の単位領域を有し、
前記表示パネルは、前記複数の単位領域の数よりも多い数の画素を有する液晶表示装置であって、
前記複数の単位領域において個別に発光状態を制御する機能と、
前記表示パネルに表示される画像の表示周期よりも長い周期または短い周期で前記発光状態を制御する機能と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
請求項1において、
前記複数の単位領域のそれぞれにおける明るさの設定段階が4段階以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項1】
バックライトと、表示パネルと、を有し、
前記バックライトは、複数の単位領域を有し、
前記表示パネルは、前記複数の単位領域の数よりも多い数の画素を有する液晶表示装置であって、
前記複数の単位領域において個別に発光状態を制御する機能と、
前記表示パネルに表示される画像の表示周期よりも長い周期または短い周期で前記発光状態を制御する機能と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
請求項1において、
前記複数の単位領域のそれぞれにおける明るさの設定段階が4段階以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【公開番号】特開2012−230422(P2012−230422A)
【公開日】平成24年11月22日(2012.11.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−169105(P2012−169105)
【出願日】平成24年7月31日(2012.7.31)
【分割の表示】特願2007−133555(P2007−133555)の分割
【原出願日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年11月22日(2012.11.22)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年7月31日(2012.7.31)
【分割の表示】特願2007−133555(P2007−133555)の分割
【原出願日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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