膜厚測定装置、製膜装置、膜厚測定方法及び製膜方法
【課題】膜厚を正確に測定する。
【解決手段】 同種の層Ｒ1，Ｒ2を積層して基材Ｋ上で最も表面側に形成された膜Ｍ2の厚さを測定する膜厚測定装置１は、層Ｒ1，Ｒ2のうち、基材Ｋ上で最も表面側に位置する最表層Ｒ2より基材Ｋ側に形成された下地層Ｒ1の厚さに基づいて膜Ｍ2の厚さ範囲を算出する演算処理部３１と、反射分光法を用いて厚さ範囲内で膜Ｍ2の厚さを測定する測定部３０とを備える。
【解決手段】 同種の層Ｒ1，Ｒ2を積層して基材Ｋ上で最も表面側に形成された膜Ｍ2の厚さを測定する膜厚測定装置１は、層Ｒ1，Ｒ2のうち、基材Ｋ上で最も表面側に位置する最表層Ｒ2より基材Ｋ側に形成された下地層Ｒ1の厚さに基づいて膜Ｍ2の厚さ範囲を算出する演算処理部３１と、反射分光法を用いて厚さ範囲内で膜Ｍ2の厚さを測定する測定部３０とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜の厚さを測定する膜厚測定装置及び膜厚測定方法と、基材上に製膜を行う製膜装置及び製膜方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基材上に膜を製膜する場合には、膜厚制御を正確に行う観点から、同種の層を複数積層して膜を形成しているが、このようにして製膜された膜の厚さを反射分光法や干渉法などによって測定する場合には、測定結果として複数の候補が算出されてしまう問題がある。
【０００３】
そのため、近年、このような問題を解消すべく、予め膜厚の予測範囲を算出しておいてから測定を行う手法が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【特許文献１】特開２００４−１９１２６６号公報
【特許文献２】特開２００２−３５６７８０号公報
【特許文献３】特開２０００−９４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、膜厚の予測範囲の計算を作業者の勘などに頼って行うと、膜厚の測定が正確に行われない場合があり、この場合には、膜厚の制御も正確に行われない。
【０００５】
本発明の課題は、膜厚を正確に測定することができる膜厚測定装置及び膜厚測定方法と、膜厚を正確に制御することができる製膜装置及び製膜方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１記載の発明は、同種の層を複数積層して基材上で最も表面側に形成された膜の厚さを測定する膜厚測定装置において、
複数の前記層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出する演算処理部と、
反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定する測定部とを備えることを特徴とする。
【０００７】
ここで、同種の層とは、物性の同じ層であり、好ましくは分光波長の同じ層である。このような同種の層によって形成された測定対象の膜と基材との間には、物性の異なる他の膜が介在していても良い。
【０００８】
また、最表層とは、膜厚測定される際に最も表面側に形成された層である。
また、下地層とは、最表層と基材との間に製膜された少なくとも１つの層であり、下地層全体とは、下地層が１層しかない場合にはその層であり、下地層が複数層ある場合にはこれら複数の層である。
【０００９】
請求項１記載の発明によれば、下地層全体の厚さに基づいて膜の厚さ範囲を算出するので、厚さ範囲を正確に算出することができる。従って、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の膜厚測定装置において、
前記演算処理部は、
前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の発明によれば、閾値を越える厚さが測定された場合には、当該閾値を膜の厚さとするので、最表層に部分的な変形や汚れが生じた場合であっても、実際とかけ離れた厚さが測定されるのを防止することができる。従って、測定結果の誤差を小さくし、より正確な厚さを測定することができる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、同種の層を基材上に複数積層して製膜する製膜装置において、
各層を製膜する製膜部と、
請求項１または２記載の膜厚測定装置とを備え、
前記製膜部は、複数の前記層によって既に形成された膜の厚さについての前記膜厚測定装置による測定結果に基づいて、この膜を形成する前記複数の層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層の製膜条件を変化させることを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の発明によれば、請求項１または２記載の膜厚測定装置を備えるので、同種の層によって既に形成された膜の厚さを正確に測定することができる。また、この膜厚測定装置による膜厚の測定結果に基づいて最表層の製膜条件を変化させるので、膜厚を正確に制御することができる。
【００１４】
なお、製膜条件としては、例えば、反応ガスの流量や、反応ガスに対する基材の暴露時間、プラズマ製膜処理における電圧量，電流量などがある。
【００１５】
請求項４記載の発明は、同種の層を複数積層して基材上で最も表面側に形成された膜の厚さを測定する膜厚測定方法において、
複数の前記層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出した後、
反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定することを特徴とする。
【００１６】
請求項４記載の発明によれば、下地層全体の厚さに基づいて膜の厚さ範囲を算出することにより、厚さ範囲を正確に算出することができる。従って、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。
【００１７】
請求項５記載の発明は、請求項４記載の膜厚測定方法において、
前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする。
【００１８】
請求項５記載の発明によれば、閾値を越える厚さが測定された場合に当該閾値を膜の厚さとすることにより、最表層の部分的な変形や汚れが生じた場合であっても、実際とかけ離れた厚さが測定されるのを防止することができる。従って、測定結果の誤差を小さくし、より正確な厚さを測定することができる。
【００１９】
請求項６記載の発明は、同種の層を基材上に複数積層して製膜する製膜方法において、
各層を製膜する製膜工程と、
複数の前記層によって既に形成された膜の厚さを測定する測定工程とを行い、
前記測定工程では、前記複数の層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出した後、反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定し、
前記製膜工程では、前記測定工程による前記膜の厚さの測定結果に基づいて前記最表層の製膜条件を変化させることを特徴とする。
【００２０】
請求項６記載の発明によれば、下地層全体の厚さに基づいて膜の厚さ範囲を算出することにより、厚さ範囲を正確に算出することができる。従って、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。また、この測定結果に基づいて最表層の製膜条件を変化させるので、膜厚を正確に制御することができる。
【００２１】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の製膜方法において、
前記測定工程では、前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする。
【００２２】
請求項７記載の発明によれば、閾値を越える厚さが測定された場合に当該閾値を膜の厚さとすることにより、最表層の部分的な変形や汚れが生じた場合であっても、実際とかけ離れた厚さが測定されるのを防止することができる。従って、測定結果の誤差を小さくし、より正確な厚さを測定することができる。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１，４記載の発明によれば、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。
【００２４】
請求項２，５記載の発明によれば、請求項１，４記載の発明と同様の効果を得ることができるのは勿論のこと、測定結果の誤差を小さくし、より正確な厚さを測定することができる。
請求項３記載の発明によれば、膜厚を正確に測定することができる。また、膜厚を正確に制御することができる。
【００２５】
請求項６記載の発明によれば、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。また、この測定結果に基づいて最表層の製膜条件を変化させるので、膜厚を正確に制御することができる。
請求項７記載の発明によれば、請求項６記載の発明と同様の効果を得ることができるのは勿論のこと、測定結果の誤差を小さくし、より正確な厚さを測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は、本発明に係る製膜装置１の概略構成を示す図である。
この図に示すように、製膜装置１は、製膜部２を備えている。
【００２７】
製膜部２は、プラズマ放電処理によって長尺なフィルム状の基材Ｋに同種の層を複数積層して製膜するものであり、本実施の形態においては、図１（ｂ）に示すように、同種の層Ｒ1〜Ｒ3を基材Ｋの側から順に積層して膜Ｍを製膜するようになっている。なお、図１（ｂ）では、膜Ｍを構成する層Ｒ1〜Ｒ3のうち、層Ｒ1，Ｒ2が形成された段階での断面を示している。この製膜部２は、図１（ａ）に示すように、所定の張力を保ちつつ基材Ｋを搬送方向Ｘに搬送する搬送ローラ２０，２０を備えている。
【００２８】
搬送ローラ２０，２０の間には、アース電極としてのロール電極２１が配設されている。このロール電極２１は、基材Ｋが表面に巻回された状態で搬送方向Ｘに回転するようになっている。
【００２９】
ロール電極２１の測方には、固定電極２２が配設されている。この固定電極２２は、図示しない複数の角筒から構成されており、これら角筒はロール電極２１に対向している。また、固定電極２２は、電源２４と接続されており、高周波電圧が印加されるようになっている。
【００３０】
この固定電極２２には、固定電極２２とロール電極２１との間隙にプラズマ処理用の放電ガスや原料ガス、添付ガス等を供給するガス供給管２３，２３が設けられている。ここで、放電ガスとしては例えばＮｅやＡｒ、Ｘｅ、Ｎ2等を用いることができ、原料ガスとしては例えばＳｉＯ2やＳｉ2Ｈ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＳｉＣｌ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2、Ｓｉ（ＣＨ3）4等等のシラン含有ガス、これらのシラン含有ガスと無水アンモニアガスや窒素ガスとの混合ガス等を用いることができる。
なお、上記のような製膜部２としては、例えば特開２００２−３５６７８０号公報に開示のもの等、従来より公知のものを用いることができる。
【００３１】
この製膜部２よりも搬送方向Ｘの下流側には、測定部３が配設されている。
測定部３は、本発明における膜厚測定装置であり、図２に示すように、測定器３０及び演算処理部３１を備えている。
【００３２】
測定器３０は、図１（ｂ）に示すように、基材Ｋの上部において最も表面側に製膜された膜の厚さを反射分光法によって測定するものであり、光ファイバ３２を介して出射した光に対する反射光の分光強度から膜厚について複数の候補値を得ることができるようになっている。なお、本実施の形態においては、測定器３０として、フィルメトリクス株式会社製の膜厚測定器「Ｆ−２０」が用いられている。
【００３３】
演算処理部３１は、製膜済みの層のうち、基材Ｋ上で最も表面側に位置する最表層の下地層全体の厚さに基づいて、製膜済みの膜の厚さ範囲を算出するものである。例えば、図１（ｂ）に示すように、層Ｒ1，Ｒ2が製膜済みである場合には、演算処理部３１は、最表層Ｒ2の下地層Ｒ1の厚さに基づいて、製膜済みの膜Ｍ2（＝層Ｒ1＋層Ｒ2）の厚さ範囲を算出する。
【００３４】
また、この演算処理部３１は、算出した厚さ範囲内に所定の閾値ｄn+1（図４のステップＳ５４参照）を設定し、当該閾値ｄn+1を越える厚さが測定された場合には、閾値ｄn+1を膜Ｍn+1の厚さとするようになっている。ここで、本実施の形態においては、閾値ｄn+1の値として、閾値ｄn+1＝下地層全体の厚さｔn＋最表層の閾値ｄ’n+1の式で算出される値が用いられており、閾値ｄ’n+1としてはｄ’2＝３、ｄ’3＝４が用いられている。但し、閾値ｄ’n+1の値はｎの値に関らず一定の値としても良い。
【００３５】
以上の製膜部２及び測定部３には、図２に示すように、制御部４が接続されている。この制御部４は、製膜装置１の各部を制御するものであり、本実施の形態においては、測定部３における測定結果に基づいて搬送ローラ２０、電源２４及びガス供給管２３を制御することにより、基材Ｋの搬送速度や固定電極２２に対する印加電圧量、ガスの種類、流量、混合比などの製膜条件を調整するようになっている。
【００３６】
制御部４には、入力部５及び表示部６が接続されている。
入力部５は操作者から操作指示が入力されるものであり、表示部６は操作者に対して製膜条件や膜厚などの情報を表示するものである。
【００３７】
続いて、本発明に係る製膜方法について説明する。
まず、図３に示すように、制御部４が変数ｎの値を１に設定する（ステップＳ１）。
【００３８】
次に、製膜部２が基材Ｋの表面に層Ｒ1を製膜する（ステップＳ２）。具体的には、搬送ローラ２０，２０によって基材Ｋを搬送した状態で、電源２４により固定電極２２に電圧を印加する。また、放電用ガスをガス供給管２３によって流量制御しながら供給し、固定電極２２とロール電極２１との間でプラズマを発生させる。これにより基材Ｋの表面に層Ｒ1が製膜される。
【００３９】
次に、測定部３は、層Ｒ1の膜厚Δ1を測定する（ステップＳ３）。なお、層Ｒ1と基材Ｋとの間には、当該層Ｒ1と物性の等しい他の層が介在していないため、この膜厚Δ1は反射分光法によって正確に測定される。また、この膜厚Δ1は、図１（ｂ）に示すように、基材Ｋの上部に製膜された層の総膜厚、つまり膜Ｍ1の膜厚ｔ1と等しい。
【００４０】
次に、製膜部２が、上記のステップＳ２と同様にして層Ｒ1の表面に層Ｒ2を形成する（ステップＳ４）。
次に、測定部３が、製膜済みの膜Ｍ2の膜厚を、本発明に係る膜厚測定方法によって測定する（ステップＳ５）。
【００４１】
具体的には、図４に示すように、まず演算処理部３１が膜Ｍ2の予想膜厚ｐ2をｔ1＋Δ1に設定する（ステップＳ５１）。
【００４２】
次に、演算処理部３１が膜Ｍ2の膜厚ｔ2の厚さ範囲を（１００−ｋ）×ｐ2≦ｔ2≦（１００＋ｋ）×ｐ2として算出する。ここで、「ｋ」は０＜ｋ＜１００の定数である。このように、膜Ｍ2における最表層Ｒ2の下地層Ｒ1の厚さに基づいて膜Ｍ2の厚さ範囲を算出することにより、厚さ範囲が正確に算出される。
【００４３】
次に、算出された厚さ範囲内で測定部３０が仮膜厚Ｕ2を測定し（ステップＳ５２）、仮膜厚Ｕ2の値が０＜Ｕ2＜ｄ2を満たすか否かを演算処理部３１が判別する（ステップＳ５３）。
【００４４】
そして、このステップＳ５３において仮膜厚Ｕ2の値が０＜Ｕ2＜ｄ2を満たす場合（ステップＳ５３；Ｙｅｓ）には、演算処理部３１は測定結果、つまり仮膜厚Ｕ2を膜Ｍ2の膜厚ｔ2とした後（ステップＳ５４）、Δ2＝ｔ2−ｔ1によって層Ｒ2の膜厚Δ2を算出し（ステップＳ５５）、膜厚の測定を終了する。
【００４５】
一方、ステップＳ５３において仮膜厚Ｕ2の値が０＜Ｕ2＜ｄ2を満たさない場合（ステップＳ５３；Ｎｏ）には、演算処理部３１は閾値ｄ2を膜Ｍ2の膜厚ｔ2とした後（ステップＳ５６）、Δ2＝ｔ2−ｔ1によって層Ｒ2の膜厚Δ2を算出し（ステップＳ５５）、膜厚の測定を終了する。このように、閾値ｄ2を越える仮膜厚Ｕ2が測定された場合には、当該閾値ｄ2を膜Ｍ2の膜厚ｔ2とすることにより、最表層Ｒ2に部分的な変形や汚れが生じた場合であっても、実際とかけ離れた膜厚が測定されるのが防止される。
【００４６】
次に、制御部４は、図３に示すように、膜Ｍ2の膜厚ｔ2及び層Ｒ2の膜厚Δ2と、膜厚制御するか否かの選択指示とを表示部６に表示させ、操作者が膜厚制御を指示するか否かを判別する（ステップＳ６）。
【００４７】
このステップＳ６において膜厚制御する旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ６；Ｙｅｓ）には、制御部４は基材Ｋの搬送速度や固定電極２２に対する印加電圧量、ガスの流量などの製膜条件を変更し（ステップＳ７）、製膜装置１に再びステップＳ４〜Ｓ６の処理を行わせる。
【００４８】
一方、ステップＳ６において膜厚制御しない旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ６；Ｎｏ）には、制御部４は層Ｒ2の製膜を終了するか否かの選択指示を表示部６に表示させ、操作者が終了を指示するか否かを判別する（ステップＳ８）。
【００４９】
このステップＳ８において層Ｒ2の製膜を終了しない旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ８；Ｎｏ）には、制御部４は製膜装置１に再びステップＳ４〜Ｓ６の処理を行わせる。
【００５０】
一方、ステップＳ８において層Ｒ2の製膜を終了する旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ８；Ｙｅｓ）には、制御部４は層Ｒ3の製膜を行うか否かの選択指示を表示部６に表示させ、操作者が製膜を指示するか否かを判別する（ステップＳ９）。
【００５１】
このステップＳ９において製膜する旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ９；Ｙｅｓ）には、制御部４は変数ｎの値に１を加えた後（ステップＳ１０）、製膜装置１に再びステップＳ４〜Ｓ６の処理を行わせる。これにより、層Ｒ2の表面に層Ｒ3が製膜され、膜Ｍ（＝膜Ｍ3）の膜厚が測定される。
【００５２】
そして、ステップＳ９において製膜しない旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ９；Ｎｏ）には、製膜装置１は製膜処理を終了する。
【００５３】
以上の製膜方法によれば、最表層Ｒ2の下地層Ｒ1の厚さに基づいて膜Ｍ2の膜厚ｔ2の厚さ範囲を算出することにより、膜厚ｔ2の厚さ範囲を正確に算出することができるため、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。
【００５４】
また、閾値ｄ2を越える仮膜厚Ｕ2が測定された場合には、当該閾値ｄ2を膜Ｍ2の膜厚ｔ2とすることにより、実際とかけ離れた膜厚が測定されるのを防止することができるため、測定結果の誤差を小さくし、より正確な膜厚を測定することができる。
【００５５】
また、下地層全体の厚さの実測値に基づく厚さ範囲で膜厚測定を行うので、層ごとに厚さが変化する場合であっても、例えば固定の範囲で膜厚測定する場合と異なり、測定誤差を補正することなく、厚さの変化に追随して正確な厚さを測定することができる。また、補正のために操作者が演算する必要がないため、測定部３に自動で測定を行わせることができる。
【００５６】
また、ステップＳ６において膜厚制御する場合には、最表層Ｒ2の厚さの正確な測定結果に基づいて当該最表層Ｒ2の製膜条件を変化させることにより、膜厚を正確に制御することができる。
【００５７】
なお、上記の実施の形態においては、製膜装置１は製膜部２及び測定部３をそれぞれ１つ備えることとして説明したが、搬送方向Ｘに沿って交互に複数備えることとしても良い。
【００５８】
また、ステップＳ４〜Ｓ７の工程を順次行うこととして説明したが、基材Ｋの各部位に対してこれらの工程が順次行われる限りにおいて、これらの工程を並行して行うこととしても良い。
【００５９】
また、仮膜厚Ｕ2の値が０＜Ｕ2＜ｄ2を満たさない場合には、演算処理部３１は閾値ｄ2を膜厚ｔ2とすることとして説明したが、更に、仮膜厚Ｕ2の値が例えば１．５×ｄ2≦Ｕ2の場合には、異常な膜厚が測定された旨を表示部６が表示することとしても良い。
【００６０】
また、層Ｒ1は基材Ｋの表面に形成されていることとして説明したが、層Ｒ1とは物性の異なる他の膜が層Ｒ1と基材Ｋとの間に介在することとしても良い。
【００６１】
また、製膜部２は３つの層Ｒ1〜Ｒ3によって膜Ｍを形成することとして説明したが、２つの層から形成することとしても良いし、４つ以上の層から形成することとしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）は本発明に係る製膜装置の概略構成を示す側面図であり、（ｂ）は再表層及び下地層を示す断面図である。
【図２】本発明に係る製膜装置の概略構成を示すブロック図である。
【図３】本発明に係る製膜方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明に係る膜厚測定方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６３】
１ 製膜装置
２ 製膜部
３ 測定部（膜厚測定装置）
３０ 測定部
３１ 演算処理部
Ｋ 基材
Ｍ，Ｍ2 膜
Ｓ1 下地層
Ｓ2 最表層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜の厚さを測定する膜厚測定装置及び膜厚測定方法と、基材上に製膜を行う製膜装置及び製膜方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基材上に膜を製膜する場合には、膜厚制御を正確に行う観点から、同種の層を複数積層して膜を形成しているが、このようにして製膜された膜の厚さを反射分光法や干渉法などによって測定する場合には、測定結果として複数の候補が算出されてしまう問題がある。
【０００３】
そのため、近年、このような問題を解消すべく、予め膜厚の予測範囲を算出しておいてから測定を行う手法が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【特許文献１】特開２００４−１９１２６６号公報
【特許文献２】特開２００２−３５６７８０号公報
【特許文献３】特開２０００−９４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、膜厚の予測範囲の計算を作業者の勘などに頼って行うと、膜厚の測定が正確に行われない場合があり、この場合には、膜厚の制御も正確に行われない。
【０００５】
本発明の課題は、膜厚を正確に測定することができる膜厚測定装置及び膜厚測定方法と、膜厚を正確に制御することができる製膜装置及び製膜方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１記載の発明は、同種の層を複数積層して基材上で最も表面側に形成された膜の厚さを測定する膜厚測定装置において、
複数の前記層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出する演算処理部と、
反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定する測定部とを備えることを特徴とする。
【０００７】
ここで、同種の層とは、物性の同じ層であり、好ましくは分光波長の同じ層である。このような同種の層によって形成された測定対象の膜と基材との間には、物性の異なる他の膜が介在していても良い。
【０００８】
また、最表層とは、膜厚測定される際に最も表面側に形成された層である。
また、下地層とは、最表層と基材との間に製膜された少なくとも１つの層であり、下地層全体とは、下地層が１層しかない場合にはその層であり、下地層が複数層ある場合にはこれら複数の層である。
【０００９】
請求項１記載の発明によれば、下地層全体の厚さに基づいて膜の厚さ範囲を算出するので、厚さ範囲を正確に算出することができる。従って、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の膜厚測定装置において、
前記演算処理部は、
前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の発明によれば、閾値を越える厚さが測定された場合には、当該閾値を膜の厚さとするので、最表層に部分的な変形や汚れが生じた場合であっても、実際とかけ離れた厚さが測定されるのを防止することができる。従って、測定結果の誤差を小さくし、より正確な厚さを測定することができる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、同種の層を基材上に複数積層して製膜する製膜装置において、
各層を製膜する製膜部と、
請求項１または２記載の膜厚測定装置とを備え、
前記製膜部は、複数の前記層によって既に形成された膜の厚さについての前記膜厚測定装置による測定結果に基づいて、この膜を形成する前記複数の層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層の製膜条件を変化させることを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の発明によれば、請求項１または２記載の膜厚測定装置を備えるので、同種の層によって既に形成された膜の厚さを正確に測定することができる。また、この膜厚測定装置による膜厚の測定結果に基づいて最表層の製膜条件を変化させるので、膜厚を正確に制御することができる。
【００１４】
なお、製膜条件としては、例えば、反応ガスの流量や、反応ガスに対する基材の暴露時間、プラズマ製膜処理における電圧量，電流量などがある。
【００１５】
請求項４記載の発明は、同種の層を複数積層して基材上で最も表面側に形成された膜の厚さを測定する膜厚測定方法において、
複数の前記層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出した後、
反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定することを特徴とする。
【００１６】
請求項４記載の発明によれば、下地層全体の厚さに基づいて膜の厚さ範囲を算出することにより、厚さ範囲を正確に算出することができる。従って、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。
【００１７】
請求項５記載の発明は、請求項４記載の膜厚測定方法において、
前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする。
【００１８】
請求項５記載の発明によれば、閾値を越える厚さが測定された場合に当該閾値を膜の厚さとすることにより、最表層の部分的な変形や汚れが生じた場合であっても、実際とかけ離れた厚さが測定されるのを防止することができる。従って、測定結果の誤差を小さくし、より正確な厚さを測定することができる。
【００１９】
請求項６記載の発明は、同種の層を基材上に複数積層して製膜する製膜方法において、
各層を製膜する製膜工程と、
複数の前記層によって既に形成された膜の厚さを測定する測定工程とを行い、
前記測定工程では、前記複数の層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出した後、反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定し、
前記製膜工程では、前記測定工程による前記膜の厚さの測定結果に基づいて前記最表層の製膜条件を変化させることを特徴とする。
【００２０】
請求項６記載の発明によれば、下地層全体の厚さに基づいて膜の厚さ範囲を算出することにより、厚さ範囲を正確に算出することができる。従って、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。また、この測定結果に基づいて最表層の製膜条件を変化させるので、膜厚を正確に制御することができる。
【００２１】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の製膜方法において、
前記測定工程では、前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする。
【００２２】
請求項７記載の発明によれば、閾値を越える厚さが測定された場合に当該閾値を膜の厚さとすることにより、最表層の部分的な変形や汚れが生じた場合であっても、実際とかけ離れた厚さが測定されるのを防止することができる。従って、測定結果の誤差を小さくし、より正確な厚さを測定することができる。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１，４記載の発明によれば、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。
【００２４】
請求項２，５記載の発明によれば、請求項１，４記載の発明と同様の効果を得ることができるのは勿論のこと、測定結果の誤差を小さくし、より正確な厚さを測定することができる。
請求項３記載の発明によれば、膜厚を正確に測定することができる。また、膜厚を正確に制御することができる。
【００２５】
請求項６記載の発明によれば、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。また、この測定結果に基づいて最表層の製膜条件を変化させるので、膜厚を正確に制御することができる。
請求項７記載の発明によれば、請求項６記載の発明と同様の効果を得ることができるのは勿論のこと、測定結果の誤差を小さくし、より正確な厚さを測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は、本発明に係る製膜装置１の概略構成を示す図である。
この図に示すように、製膜装置１は、製膜部２を備えている。
【００２７】
製膜部２は、プラズマ放電処理によって長尺なフィルム状の基材Ｋに同種の層を複数積層して製膜するものであり、本実施の形態においては、図１（ｂ）に示すように、同種の層Ｒ1〜Ｒ3を基材Ｋの側から順に積層して膜Ｍを製膜するようになっている。なお、図１（ｂ）では、膜Ｍを構成する層Ｒ1〜Ｒ3のうち、層Ｒ1，Ｒ2が形成された段階での断面を示している。この製膜部２は、図１（ａ）に示すように、所定の張力を保ちつつ基材Ｋを搬送方向Ｘに搬送する搬送ローラ２０，２０を備えている。
【００２８】
搬送ローラ２０，２０の間には、アース電極としてのロール電極２１が配設されている。このロール電極２１は、基材Ｋが表面に巻回された状態で搬送方向Ｘに回転するようになっている。
【００２９】
ロール電極２１の測方には、固定電極２２が配設されている。この固定電極２２は、図示しない複数の角筒から構成されており、これら角筒はロール電極２１に対向している。また、固定電極２２は、電源２４と接続されており、高周波電圧が印加されるようになっている。
【００３０】
この固定電極２２には、固定電極２２とロール電極２１との間隙にプラズマ処理用の放電ガスや原料ガス、添付ガス等を供給するガス供給管２３，２３が設けられている。ここで、放電ガスとしては例えばＮｅやＡｒ、Ｘｅ、Ｎ2等を用いることができ、原料ガスとしては例えばＳｉＯ2やＳｉ2Ｈ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＳｉＣｌ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2、Ｓｉ（ＣＨ3）4等等のシラン含有ガス、これらのシラン含有ガスと無水アンモニアガスや窒素ガスとの混合ガス等を用いることができる。
なお、上記のような製膜部２としては、例えば特開２００２−３５６７８０号公報に開示のもの等、従来より公知のものを用いることができる。
【００３１】
この製膜部２よりも搬送方向Ｘの下流側には、測定部３が配設されている。
測定部３は、本発明における膜厚測定装置であり、図２に示すように、測定器３０及び演算処理部３１を備えている。
【００３２】
測定器３０は、図１（ｂ）に示すように、基材Ｋの上部において最も表面側に製膜された膜の厚さを反射分光法によって測定するものであり、光ファイバ３２を介して出射した光に対する反射光の分光強度から膜厚について複数の候補値を得ることができるようになっている。なお、本実施の形態においては、測定器３０として、フィルメトリクス株式会社製の膜厚測定器「Ｆ−２０」が用いられている。
【００３３】
演算処理部３１は、製膜済みの層のうち、基材Ｋ上で最も表面側に位置する最表層の下地層全体の厚さに基づいて、製膜済みの膜の厚さ範囲を算出するものである。例えば、図１（ｂ）に示すように、層Ｒ1，Ｒ2が製膜済みである場合には、演算処理部３１は、最表層Ｒ2の下地層Ｒ1の厚さに基づいて、製膜済みの膜Ｍ2（＝層Ｒ1＋層Ｒ2）の厚さ範囲を算出する。
【００３４】
また、この演算処理部３１は、算出した厚さ範囲内に所定の閾値ｄn+1（図４のステップＳ５４参照）を設定し、当該閾値ｄn+1を越える厚さが測定された場合には、閾値ｄn+1を膜Ｍn+1の厚さとするようになっている。ここで、本実施の形態においては、閾値ｄn+1の値として、閾値ｄn+1＝下地層全体の厚さｔn＋最表層の閾値ｄ’n+1の式で算出される値が用いられており、閾値ｄ’n+1としてはｄ’2＝３、ｄ’3＝４が用いられている。但し、閾値ｄ’n+1の値はｎの値に関らず一定の値としても良い。
【００３５】
以上の製膜部２及び測定部３には、図２に示すように、制御部４が接続されている。この制御部４は、製膜装置１の各部を制御するものであり、本実施の形態においては、測定部３における測定結果に基づいて搬送ローラ２０、電源２４及びガス供給管２３を制御することにより、基材Ｋの搬送速度や固定電極２２に対する印加電圧量、ガスの種類、流量、混合比などの製膜条件を調整するようになっている。
【００３６】
制御部４には、入力部５及び表示部６が接続されている。
入力部５は操作者から操作指示が入力されるものであり、表示部６は操作者に対して製膜条件や膜厚などの情報を表示するものである。
【００３７】
続いて、本発明に係る製膜方法について説明する。
まず、図３に示すように、制御部４が変数ｎの値を１に設定する（ステップＳ１）。
【００３８】
次に、製膜部２が基材Ｋの表面に層Ｒ1を製膜する（ステップＳ２）。具体的には、搬送ローラ２０，２０によって基材Ｋを搬送した状態で、電源２４により固定電極２２に電圧を印加する。また、放電用ガスをガス供給管２３によって流量制御しながら供給し、固定電極２２とロール電極２１との間でプラズマを発生させる。これにより基材Ｋの表面に層Ｒ1が製膜される。
【００３９】
次に、測定部３は、層Ｒ1の膜厚Δ1を測定する（ステップＳ３）。なお、層Ｒ1と基材Ｋとの間には、当該層Ｒ1と物性の等しい他の層が介在していないため、この膜厚Δ1は反射分光法によって正確に測定される。また、この膜厚Δ1は、図１（ｂ）に示すように、基材Ｋの上部に製膜された層の総膜厚、つまり膜Ｍ1の膜厚ｔ1と等しい。
【００４０】
次に、製膜部２が、上記のステップＳ２と同様にして層Ｒ1の表面に層Ｒ2を形成する（ステップＳ４）。
次に、測定部３が、製膜済みの膜Ｍ2の膜厚を、本発明に係る膜厚測定方法によって測定する（ステップＳ５）。
【００４１】
具体的には、図４に示すように、まず演算処理部３１が膜Ｍ2の予想膜厚ｐ2をｔ1＋Δ1に設定する（ステップＳ５１）。
【００４２】
次に、演算処理部３１が膜Ｍ2の膜厚ｔ2の厚さ範囲を（１００−ｋ）×ｐ2≦ｔ2≦（１００＋ｋ）×ｐ2として算出する。ここで、「ｋ」は０＜ｋ＜１００の定数である。このように、膜Ｍ2における最表層Ｒ2の下地層Ｒ1の厚さに基づいて膜Ｍ2の厚さ範囲を算出することにより、厚さ範囲が正確に算出される。
【００４３】
次に、算出された厚さ範囲内で測定部３０が仮膜厚Ｕ2を測定し（ステップＳ５２）、仮膜厚Ｕ2の値が０＜Ｕ2＜ｄ2を満たすか否かを演算処理部３１が判別する（ステップＳ５３）。
【００４４】
そして、このステップＳ５３において仮膜厚Ｕ2の値が０＜Ｕ2＜ｄ2を満たす場合（ステップＳ５３；Ｙｅｓ）には、演算処理部３１は測定結果、つまり仮膜厚Ｕ2を膜Ｍ2の膜厚ｔ2とした後（ステップＳ５４）、Δ2＝ｔ2−ｔ1によって層Ｒ2の膜厚Δ2を算出し（ステップＳ５５）、膜厚の測定を終了する。
【００４５】
一方、ステップＳ５３において仮膜厚Ｕ2の値が０＜Ｕ2＜ｄ2を満たさない場合（ステップＳ５３；Ｎｏ）には、演算処理部３１は閾値ｄ2を膜Ｍ2の膜厚ｔ2とした後（ステップＳ５６）、Δ2＝ｔ2−ｔ1によって層Ｒ2の膜厚Δ2を算出し（ステップＳ５５）、膜厚の測定を終了する。このように、閾値ｄ2を越える仮膜厚Ｕ2が測定された場合には、当該閾値ｄ2を膜Ｍ2の膜厚ｔ2とすることにより、最表層Ｒ2に部分的な変形や汚れが生じた場合であっても、実際とかけ離れた膜厚が測定されるのが防止される。
【００４６】
次に、制御部４は、図３に示すように、膜Ｍ2の膜厚ｔ2及び層Ｒ2の膜厚Δ2と、膜厚制御するか否かの選択指示とを表示部６に表示させ、操作者が膜厚制御を指示するか否かを判別する（ステップＳ６）。
【００４７】
このステップＳ６において膜厚制御する旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ６；Ｙｅｓ）には、制御部４は基材Ｋの搬送速度や固定電極２２に対する印加電圧量、ガスの流量などの製膜条件を変更し（ステップＳ７）、製膜装置１に再びステップＳ４〜Ｓ６の処理を行わせる。
【００４８】
一方、ステップＳ６において膜厚制御しない旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ６；Ｎｏ）には、制御部４は層Ｒ2の製膜を終了するか否かの選択指示を表示部６に表示させ、操作者が終了を指示するか否かを判別する（ステップＳ８）。
【００４９】
このステップＳ８において層Ｒ2の製膜を終了しない旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ８；Ｎｏ）には、制御部４は製膜装置１に再びステップＳ４〜Ｓ６の処理を行わせる。
【００５０】
一方、ステップＳ８において層Ｒ2の製膜を終了する旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ８；Ｙｅｓ）には、制御部４は層Ｒ3の製膜を行うか否かの選択指示を表示部６に表示させ、操作者が製膜を指示するか否かを判別する（ステップＳ９）。
【００５１】
このステップＳ９において製膜する旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ９；Ｙｅｓ）には、制御部４は変数ｎの値に１を加えた後（ステップＳ１０）、製膜装置１に再びステップＳ４〜Ｓ６の処理を行わせる。これにより、層Ｒ2の表面に層Ｒ3が製膜され、膜Ｍ（＝膜Ｍ3）の膜厚が測定される。
【００５２】
そして、ステップＳ９において製膜しない旨の操作指示が入力された場合（ステップＳ９；Ｎｏ）には、製膜装置１は製膜処理を終了する。
【００５３】
以上の製膜方法によれば、最表層Ｒ2の下地層Ｒ1の厚さに基づいて膜Ｍ2の膜厚ｔ2の厚さ範囲を算出することにより、膜厚ｔ2の厚さ範囲を正確に算出することができるため、作業者の勘などに頼って膜厚の予測範囲を算出する従来の場合と異なり、膜厚を正確に測定することができる。
【００５４】
また、閾値ｄ2を越える仮膜厚Ｕ2が測定された場合には、当該閾値ｄ2を膜Ｍ2の膜厚ｔ2とすることにより、実際とかけ離れた膜厚が測定されるのを防止することができるため、測定結果の誤差を小さくし、より正確な膜厚を測定することができる。
【００５５】
また、下地層全体の厚さの実測値に基づく厚さ範囲で膜厚測定を行うので、層ごとに厚さが変化する場合であっても、例えば固定の範囲で膜厚測定する場合と異なり、測定誤差を補正することなく、厚さの変化に追随して正確な厚さを測定することができる。また、補正のために操作者が演算する必要がないため、測定部３に自動で測定を行わせることができる。
【００５６】
また、ステップＳ６において膜厚制御する場合には、最表層Ｒ2の厚さの正確な測定結果に基づいて当該最表層Ｒ2の製膜条件を変化させることにより、膜厚を正確に制御することができる。
【００５７】
なお、上記の実施の形態においては、製膜装置１は製膜部２及び測定部３をそれぞれ１つ備えることとして説明したが、搬送方向Ｘに沿って交互に複数備えることとしても良い。
【００５８】
また、ステップＳ４〜Ｓ７の工程を順次行うこととして説明したが、基材Ｋの各部位に対してこれらの工程が順次行われる限りにおいて、これらの工程を並行して行うこととしても良い。
【００５９】
また、仮膜厚Ｕ2の値が０＜Ｕ2＜ｄ2を満たさない場合には、演算処理部３１は閾値ｄ2を膜厚ｔ2とすることとして説明したが、更に、仮膜厚Ｕ2の値が例えば１．５×ｄ2≦Ｕ2の場合には、異常な膜厚が測定された旨を表示部６が表示することとしても良い。
【００６０】
また、層Ｒ1は基材Ｋの表面に形成されていることとして説明したが、層Ｒ1とは物性の異なる他の膜が層Ｒ1と基材Ｋとの間に介在することとしても良い。
【００６１】
また、製膜部２は３つの層Ｒ1〜Ｒ3によって膜Ｍを形成することとして説明したが、２つの層から形成することとしても良いし、４つ以上の層から形成することとしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）は本発明に係る製膜装置の概略構成を示す側面図であり、（ｂ）は再表層及び下地層を示す断面図である。
【図２】本発明に係る製膜装置の概略構成を示すブロック図である。
【図３】本発明に係る製膜方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明に係る膜厚測定方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６３】
１ 製膜装置
２ 製膜部
３ 測定部（膜厚測定装置）
３０ 測定部
３１ 演算処理部
Ｋ 基材
Ｍ，Ｍ2 膜
Ｓ1 下地層
Ｓ2 最表層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同種の層を複数積層して基材上で最も表面側に形成された膜の厚さを測定する膜厚測定装置において、
複数の前記層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出する演算処理部と、
反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定する測定部とを備えることを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項２】
請求項１記載の膜厚測定装置において、
前記演算処理部は、
前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項３】
同種の層を基材上に複数積層して製膜する製膜装置において、
各層を製膜する製膜部と、
請求項１または２記載の膜厚測定装置とを備え、
前記製膜部は、複数の前記層によって既に形成された膜の厚さについての前記膜厚測定装置による測定結果に基づいて、この膜を形成する前記複数の層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層の製膜条件を変化させることを特徴とする製膜装置。
【請求項４】
同種の層を複数積層して基材上で最も表面側に形成された膜の厚さを測定する膜厚測定方法において、
複数の前記層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出した後、
反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定することを特徴とする膜厚測定方法。
【請求項５】
請求項４記載の膜厚測定方法において、
前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする膜厚測定方法。
【請求項６】
同種の層を基材上に複数積層して製膜する製膜方法において、
各層を製膜する製膜工程と、
複数の前記層によって既に形成された膜の厚さを測定する測定工程とを行い、
前記測定工程では、前記複数の層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出した後、反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定し、
前記製膜工程では、前記測定工程による前記膜の厚さの測定結果に基づいて前記最表層の製膜条件を変化させることを特徴とする製膜方法。
【請求項７】
請求項６記載の製膜方法において、
前記測定工程では、前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする製膜方法。
【請求項１】
同種の層を複数積層して基材上で最も表面側に形成された膜の厚さを測定する膜厚測定装置において、
複数の前記層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出する演算処理部と、
反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定する測定部とを備えることを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項２】
請求項１記載の膜厚測定装置において、
前記演算処理部は、
前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする膜厚測定装置。
【請求項３】
同種の層を基材上に複数積層して製膜する製膜装置において、
各層を製膜する製膜部と、
請求項１または２記載の膜厚測定装置とを備え、
前記製膜部は、複数の前記層によって既に形成された膜の厚さについての前記膜厚測定装置による測定結果に基づいて、この膜を形成する前記複数の層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層の製膜条件を変化させることを特徴とする製膜装置。
【請求項４】
同種の層を複数積層して基材上で最も表面側に形成された膜の厚さを測定する膜厚測定方法において、
複数の前記層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出した後、
反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定することを特徴とする膜厚測定方法。
【請求項５】
請求項４記載の膜厚測定方法において、
前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする膜厚測定方法。
【請求項６】
同種の層を基材上に複数積層して製膜する製膜方法において、
各層を製膜する製膜工程と、
複数の前記層によって既に形成された膜の厚さを測定する測定工程とを行い、
前記測定工程では、前記複数の層のうち、基材上で最も表面側に位置する最表層より前記基材側に形成された下地層全体の厚さに基づいて前記膜の厚さ範囲を算出した後、反射分光法または干渉法を用いて前記厚さ範囲内で前記膜の厚さを測定し、
前記製膜工程では、前記測定工程による前記膜の厚さの測定結果に基づいて前記最表層の製膜条件を変化させることを特徴とする製膜方法。
【請求項７】
請求項６記載の製膜方法において、
前記測定工程では、前記厚さ範囲内に所定の閾値を設定し、当該閾値を越える厚さが測定された場合には、前記閾値を前記膜の厚さとすることを特徴とする製膜方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００６−２７５８７９（Ｐ２００６−２７５８７９Ａ）
【公開日】平成１８年１０月１２日（２００６．１０．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−９７６１７（Ｐ２００５−９７６１７）
【出願日】平成１７年３月３０日（２００５．３．３０）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月１２日（２００６．１０．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月３０日（２００５．３．３０）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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