薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法並びに発光素子
【課題】成膜速度を安定的に制御することができ、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を再現性良く形成することができる薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム真空蒸着装置１００は、真空チャンバー１１０内に、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａと密着治具１１３Ａからなる原材料収容部が設けられている。密着治具１１３Ａは、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａの間に介在し、水冷ハース１１１の凹部１１１ａの内面（側面及び底面）と、インサート坩堝１１２Ａの外周面（側面及び底面）との間に均一に密着する形状を有している。
【解決手段】電子ビーム真空蒸着装置１００は、真空チャンバー１１０内に、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａと密着治具１１３Ａからなる原材料収容部が設けられている。密着治具１１３Ａは、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａの間に介在し、水冷ハース１１１の凹部１１１ａの内面（側面及び底面）と、インサート坩堝１１２Ａの外周面（側面及び底面）との間に均一に密着する形状を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法並びに発光素子に関し、特に、電子ビーム真空蒸着装置による薄膜電極の製造方法、及び、該薄膜電極を適用した発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の発光素子を２次元配列した表示パネル（発光素子型表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリクス駆動方式を適用した発光素子型表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるという特長を有している。加えて、発光素子型表示パネルは、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという特長を有している。
【０００３】
そして、このような表示パネルに適用される発光素子として、近年、量産性に優れる高分子有機ＥＬ素子の開発が進んでいる。この高分子有機ＥＬ素子は、正孔注入層及び発光層からなる有機ＥＬ層に対し、正孔注入層側にＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極からなるアノード電極を形成し、発光層側にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属からなる電子注入層と、その上面にカソード電極を形成した構造を有している。このような有機ＥＬ素子の素子構造において、ガラスなどの透明基板の一面側にアノード電極（ＩＴＯ等）を形成し、最上層にカソード電極を形成することにより、有機ＥＬ層において発光した光がガラス基板を介してガラス基板の他面（背面）側から外部に放出されるタイプの有機ＥＬ素子は、ボトムエミッション型と呼ばれている。なお、有機ＥＬ素子の具体的な素子構造（ボトムエミッション型）については後述する。
【０００４】
ここで、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子のカソード電極は、有機ＥＬ層において発光した光をガラス基板側に反射して放出するために、アルミニウム等の光反射特性を有する金属材料からなる薄膜電極が用いられている。そして、このようなカソード電極を構成する薄膜電極の製造方法としては、有機ＥＬ層がプラズマ中で致命的なダメージを受けやすいため、電子ビーム蒸着法を使用することが多い。
【０００５】
電子ビーム蒸着法においては、概略、真空チャンバー内において、Ｃｕなどの水冷ハースに蒸着させるアルミニウム等の原材料を収容し、該原材料に電子線を照射することによって、原材料を加熱、融解、蒸発させる。そして、蒸発した原材料を、坩堝から離間して配置された基板表面に付着させて薄膜電極を成膜する。
【０００６】
しかし、このような電子ビーム蒸着法を適用した薄膜電極の製造方法において、その成膜速度が非常に不安定であるという問題を有している。そのため、量産時に必要とされる膜質を再現性良く、かつ、高品質に実現するために、成膜速度が安定であることが望まれている。さらに、有機ＥＬ素子の駆動に使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、有機ＥＬ層は電子線が原材料に当たることにより発生するＸ線や二次電子により多少のダメージを受けるという問題も有している。そのため、成膜時における電子線強度は低い方が望ましい。
【０００７】
このような問題を解決する手法として、例えば特許文献１に、冷却される収容体に、蒸着材料を充填した坩堝状の容器を収容する際に、両者の間で直接熱の授受が行われないようにした装置構成が記載されている。特許文献１によれば、このような装置構成により、蒸着材料を効率良く加熱することができ、電子ビーム発生源の電力（すなわち、電子線強度）をより小さくしつつ、高い蒸発レートを実現できることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２３２４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１等に開示されたような装置構成においては、坩堝状の容器が冷却される収容体から断熱されているため、容器内の蒸着材料の温度制御が難しく、薄膜電極の成膜速度（成膜レート）のフィードバック制御性の悪化を招くという問題を有している。そのため、成膜速度の短時間の変動は抑制されるものの、成膜速度が一方的に上昇して一定にならない（安定しない）ため、量産時における高品質の膜質を再現性良く実現することができないという問題を有していた。
【００１０】
一方、蒸着材料を充填した坩堝状の容器を、冷却される収容体に密着させて収容する装置構成について検討すると、容器に高融点金属材料を用いた場合、収容体に形成された凹部の内面に沿って均一に密着するように容器を精度良く加工又は成形することは極めて困難である。そのため、収容体と容器との熱接触が一定にはならず、蒸着材料が加熱される容器から収容体への熱伝導にムラが発生して成膜速度が安定しないため、この場合においても、量産時における高品質の膜質を再現性良く実現することができないという問題を有していた。なお、このような従来技術の問題点については、後述する発明の詳細な説明において、本発明との比較検証として詳しく説明する。
このように、有機ＥＬ素子の製造工程において、均一かつ高品質の膜質を有するカソード電極を形成することが困難であったため、有機ＥＬ素子の発光特性が悪化するという問題を有していた。
【００１１】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、成膜速度を安定的に制御することができ、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を再現性良く形成することができる薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を備え、良好な発光特性を有する発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１記載の発明は、真空蒸着法により基板上に薄膜電極を形成する薄膜電極製造装置において、蒸着用の原材料が収容される坩堝と、前記坩堝が嵌合される凹部を有するとともに、温度が略一定に保持される坩堝収容体と、前記坩堝収容体の前記凹部に前記坩堝を嵌合した状態で、前記坩堝と前記坩堝収容体との間に介在し、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達するための密着部材と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の薄膜電極製造装置において、前記密着部材は、前記坩堝の外周面及び前記坩堝収容体の前記凹部の内面に均一に密着する形状を有していることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の薄膜電極製造装置において、前記坩堝は、開放端に円周状のフランジ部を有し、前記密着部材は、前記坩堝の前記フランジ部及び前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に均一に密着する形状を有していることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜電極製造装置において、前記密着部材は、前記坩堝よりも融点が低く、かつ、前記蒸着用の原材料と同等以上の融点を有する材料により形成されていることを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜電極製造装置において、前記密着部材は、加熱、溶融することにより、前記坩堝及び前記坩堝収容体に密着していることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の薄膜電極製造装置において、前記蒸着用の原材料は、アルミニウムであり、前記坩堝は、高融点金属材料により形成されていることを特徴とする。
請求項７記載の発明は、請求項６記載の薄膜電極製造装置において、前記高融点金属材料が、タングステン、タンタル、モリブデンのいずれかであることを特徴とする。
【００１４】
請求項８記載の発明は、坩堝に収容された蒸着用の原材料を、加熱、蒸発させて、基板上に薄膜電極を形成する薄膜電極製造方法において、温度が略一定に保持される坩堝収容体に設けられた凹部に、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達するための密着部材を介して、前記坩堝が嵌合された状態で、前記坩堝に収容された前記蒸着用の原材料を、加熱、蒸発させる工程を有することを特徴とする。
【００１５】
請求項９記載の発明は、請求項８記載の薄膜電極製造方法において、前記密着部材は、前記坩堝収容体の前記凹部の内部に設けられ、前記坩堝の外周面及び前記坩堝収容体の前記凹部の内面に密着することにより、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達することを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項８記載の薄膜電極製造方法において、前記坩堝は、開放端に円周状のフランジ部を有し、前記密着部材は、前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に設けられ、前記坩堝の前記フランジ部及び前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に密着することにより、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達することを特徴とする。
請求項１１記載の発明は、請求項８乃至１０のいずれかに記載の薄膜電極製造方法において、前記蒸着用の原材料を加熱、蒸発させる工程に先立って、前記坩堝と前記坩堝収容体との間に介在する前記密着部材を加熱、溶融して、前記坩堝及び前記坩堝収容体に密着させる工程を有することを特徴とする。
請求項１２記載の発明は、請求項８乃至１１のいずれかに記載の薄膜電極製造方法において、前記蒸着用の原材料を加熱、蒸発させて、前記基板上に形成される前記薄膜電極は、有機エレクトルミネッセンス素子の有機層に接する電極であることを特徴とする。
請求項１３記載の発明に係る発光素子は、前記請求項８乃至１２に記載の薄膜電極製造方法を適用して形成された電極を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法によれば、成膜速度を安定的に制御して、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を再現性良く形成することができる。また、本発明に係る発光素子によれば、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を備え、良好な発光特性を実現ことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る薄膜電極製造装置を適用した電子ビーム真空蒸着装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。
【図２】第１の本実施形態に係る電子ビーム真空蒸着装置に適用される原材料収容部の一例を示す要部断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る原材料収容部の嵌合状態を示す斜視図である。
【図４】第１の実施形態の比較対象となる原材料収容部の第１の例における特性を説明するための図である。
【図５】第１の実施形態の比較対象となる原材料収容部の第２の例における特性を説明するための図である。
【図６】本実施形態に係る原材料収容部を適用した場合における特性を説明するための図である。
【図７】第２の実施形態に係る電子ビーム真空蒸着装置に適用される原材料収容部の一例を示す要部断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る原材料収容部の嵌合状態を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を適用して形成される画素の一例を示す等価回路図である。
【図１０】本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法が適用される画素の要部素子構造を示す概略断面図である。
【図１１】本発明に係る薄膜電極製造方法が適用される画素の製造方法を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法、並びに、該製造方法により形成された薄膜電極を適用した発光素子について、実施形態を示して詳しく説明する。
＜第１の実施形態＞
（薄膜電極製造装置）
まず、本発明に係る薄膜電極製造装置について、図面を参照して説明する。ここでは、本発明に係る薄膜電極製造装置を電子ビーム真空蒸着装置に適用した場合について説明する。
【００１９】
図１は、本発明に係る薄膜電極製造装置を適用した電子ビーム真空蒸着装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。また、図２は、本実施形態に係る電子ビーム真空蒸着装置に適用される原材料収容部の一例を示す要部断面図であり、図３は、本実施形態に係る原材料収容部の嵌合状態を示す斜視図である。なお、図１、図２においては、図示の都合上、断面のハッチングの表記を一部省略する。
【００２０】
図１、図２に示すように、本実施形態に係る電子ビーム真空蒸着装置（薄膜電極製造装置）１００は、概略、真空チャンバー１１０内に、水冷ハース（坩堝収容体）１１１と、インサート坩堝１１２Ａと、密着治具（密着部材）１１３Ａと、電子線源１１５と、基板ホルダー１１６と、が設けられている。ここで、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａと密着治具１１３Ａは原材料収容部をなす。
【００２１】
真空チャンバー１１０は、気密性に優れた構造を有し、真空ポンプ１２１を備えた真空制御機構１２０により内部の気圧が制御される。
水冷ハース１１１は、例えば銅（Ｃｕ）等の熱伝導性に優れた材質からなり、図１に示すように、内部に冷却水が循環されることにより、蒸着処理中の銅の融解を防ぐことができる。また、図２、図３に示すように、水冷ハース１１１の上面には凹部１１１ａが設けられ、当該凹部１１１ａ内に、密着治具１１３Ａを介してインサート坩堝１１２Ａが着脱可能に嵌合される。
【００２２】
インサート坩堝１１２Ａは、図１〜図３に示すように、上記水冷ハース１１１の凹部１１１ａに密着治具１１３Ａを介して嵌合された状態で、その内部に蒸着用の原材料１１４が収容される。インサート坩堝１１２Ａは、内部に収容された蒸着用の原材料１１４に対して、それよりも融点が高く、かつ、溶融した原材料１１４に対して、濡れ性が比較的低い材質からなる。具体的には、蒸着用の原材料１１４として例えばアルミニウム（Ａｌ：融点６６０℃）を用いる場合、インサート坩堝１１２Ａは、例えばタングステン（Ｗ：融点３４２０℃）やタンタル（Ｔａ：融点３０１７℃）、モリブデン（Ｍｏ：融点２６２３℃）等の高融点金属、又は、これらを含む合金等により形成される。
【００２３】
密着治具１１３Ａは、図２、図３に示すように、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａの間に介在し、特に、水冷ハース１１１の凹部１１１ａの内面（側面及び底面）と、インサート坩堝１１２Ａの外周面（側面及び底面）との間に均一に密着する形状を有している。これにより、密着治具１１３Ａは、蒸着処理中に、インサート坩堝１１２Ａの熱を水冷ハース１１１に略均一に伝達し、インサート坩堝１１２Ａ内に収容され、溶融した原材料１１４の温度が略均一に制御される。
【００２４】
そのため、密着治具１１３Ａは、熱伝導性や加工性に優れ、かつ、原材料１１４と融点が同等か、あるいは、それよりも融点の高い材料により形成される。すなわち、密着治具１１３Ａは、蒸着処理時に溶融した蒸着用原材料１１４の熱により、変形や変質等を生じることがないように、当該蒸着用原材料１１４よりも融点の高い材料であることが望ましい。これに加えて、本実施形態に係る原材料収容部の構成においては、密着治具１１３Ａが水冷ハース１１１に直接接触して常時冷却されるので、原材料１１４と同じ材料を適用することができる。したがって、密着治具１１３Ａは、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属、あるいは、これらを含む合金により形成される。
【００２５】
電子線源１１５は、上記水冷ハース１１１に嵌合されたインサート坩堝１１２Ａ内に収容された蒸着用原材料１１４に所定のエネルギー強度の電子ビームを照射することにより、当該原材料１１４を加熱、溶融して蒸発させる。ここで、電子線源１１５から照射される電子ビームは、周知の偏向コイルによりその照射方向が調整され、電子ビームの照射位置は水冷ハース１１１の凹部１１１ａ内において任意に調整することができる。
基板ホルダー１１６は、上記水冷ハース１１１に嵌合されたインサート坩堝１１２Ａに対向するように、発光素子等の形成される基板１１を保持、固定する。
【００２６】
（作用効果の検証）
次に、上述したような構成を有する電子ビーム真空蒸着装置の作用効果について説明する。ここでは、まず、比較対象となる従来技術の構成とその特性を説明し、その後、本実施形態における作用効果の優位性について説明する。
【００２７】
図４は、比較対象となる原材料収容部の第１の例における特性を説明するための図である。図４（ａ）は、比較対象となる原料収容部の第１の構成、及び、原材料の溶融状態を示す概略断面図であり、図４（ｂ）は、比較対象となる構成における成膜レートの時間変化を示す図である。また、図５は、比較対象となる原材料収容部の第２の例における特性を説明するための図である。図５（ａ）は、比較対象となる原料収容部の第２の構成、及び、原材料の溶融状態を示す概略断面図であり、図５（ｂ）は、比較対象となる構成における成膜レートの時間変化を示す図である。なお、図４、図５において、本実施形態に係る原料収容部と同等の構成については、同一又は同等の符号を付して示す。
【００２８】
比較対象となる原材料収容部の第１の例は、図４（ａ）に示すように、水冷ハース１１１の上面に設けられた凹部１１１ａを、そのまま坩堝として利用した構成を有している。このような構成において、凹部１１１ａ内に蒸着用の原材料１１４ｘとして例えばアルミニウムを直接収容し、電子ビームを照射して加熱、溶融した場合、溶融した原材料１１４ｘ（アルミニウム）に対して水冷ハース１１１を形成する銅の濡れ性が高いため、図４（ａ）に示すように、溶融した原材料１１４ｘがしばしば凹部１１１ａ内面に全体的に広がり、また、その表面に凹凸が生じることが知られている。ここで、水冷ハース１１１は、銅（Ｃｕ）等の熱伝導度の高い材料で作られているために、融解した原材料１１４ｘは、水冷ハース１１１との接触面で大きく熱を奪われる。そのため、電子ビームが照射された領域の原材料１１４ｘの僅かな厚みの差や変化により、原材料１１４ｘの温度は大きく異なり、その結果蒸発速度が大きく変化する。これにより、図４（ｂ）に示すように、時間経過に伴い、蒸着膜の成膜レート（成膜速度）が大きく変化するという問題を有していた。
【００２９】
また、比較対象となる原材料収容部の第２の例は、図５（ａ）に示すように、水冷ハース１１１に設けられた凹部１１１ａ内にタングステン等の高融点金属からなるインサート坩堝１１２ｐを直接嵌合した構成を有している。このような構成において、インサート坩堝１１２ｐに収容した蒸着用の原材料１１４を加熱、溶融した場合、上述した第１の比較対象例のように溶融した原材料１１４が直接水冷ハース１１１に接触していないので、原材料１１４からの極端な熱流出を制限することができる。また、蒸着用の原材料１１４として例えばアルミニウムを用いる場合、インサート坩堝１１２ｐを形成するタングステンは、溶融したアルミニウムに対して、濡れ性が低いので、原材料の広がりや表面の凹凸を抑制することができる。
【００３０】
したがって、第２の比較対象例においては、第１の比較対象例に示したような、溶融した原材料１１４内部での温度分布の極端な偏り（ばらつき）を緩和して、原材料１１４を比較的安定した速度で蒸発させることができる。また、第２の比較対象例においては、溶融した原材料１１４の温度を比較的高く保持することができるので、蒸着処理時における電子線強度を低くすることができる。
【００３１】
しかしながら、第２の比較対象例に示した構成においては、次のような問題が生じる可能性がある。すなわち、図５（ａ）（図２、図４（ａ）においても同様）に示すように、水冷ハース１１１に設けられた凹部１１１ａの側面の断面形状は、直線ではなく、緩いカ−ブを有していることが多い。これは、上述した第１の比較対象例に示したように、水冷ハース１１１の凹部１１１ａが本来坩堝として直接使用されるものであることに起因する。
【００３２】
一方、インサート坩堝１１２ｐを構成する高融点金属は、一般的に堅く、精度の高い成形加工が極めて難しい。インサート坩堝１１２Ａに適用される高融点金属の堅さをヤング率で示すと、例えばタングステン（Ｗ）は4.08×1011Ｐａと非常に高く、堅い材料である。このような高融点金属を絞り加工や切削加工等を行って成形し、図５（ａ）に示したような水冷ハース１１１の凹部１１１ａにおける緩いカーブを有する内面に均一に密着するようにインサート坩堝１１２ｐの側面を加工（例えば絞り加工において側面部分の曲率を指定）することは極めて困難であり、それを実現するためには、多大な加工時間とコストを必要とする。そのため、インサート坩堝１１２ｐの外周面の断面形状は、図５（ａ）に示すように、ある程度直線部分の多い形に加工せざるを得なかった。
【００３３】
そして、図５（ａ）に示すように、このようなインサート坩堝１１２ｐを直接水冷ハース１１１の凹部１１１ａに嵌合した場合、例えば図中ＨＰで示す箇所とそれ以外の箇所で、両者の接触状態が均一にならないため、溶融した原材料１１４の温度分布に偏り（ばらつき）が生じやすい。また、両者が離間している領域（例えば図中ＨＰで示す箇所以外）では、溶融した原材料１１４から水冷ハース１１１への熱の伝達が行われず、その温度が上昇しやすくなる。そのため、第２の比較対象例においては、原材料１１４の蒸発速度の制御が困難になり、図５（ｂ）に示すように、時間経過に伴い、蒸着膜の成膜レート（成膜速度）が一方的に上昇して安定しなくなる可能性があった。
【００３４】
図６は、本実施形態に係る原材料収容部を適用した場合における特性を説明するための図である。図６（ａ）は、本実施形態に係る原料収容部における原材料の溶融状態を示す概略断面図であり、図６（ｂ）は、本実施形態に係る原料収容部における成膜レートの時間変化を示す図である。
【００３５】
上述した各比較対象例に対して、本実施形態に係る原材料収容部においては、図６（ａ）に示すように、水冷ハース１１１に設けられた凹部１１１ａと、高融点金属からなるインサート坩堝１１２Ａとの間に、熱伝導性が高く、かつ、成型加工性が高い比較的柔らかい材料により形成された密着治具１１３Ａを介在させた構成を有している。ここで、本実施形態において密着治具１１３Ａに適用されるアルミニウムのヤング率は0.76×1011Ｐａであり、インサート坩堝１１２Ａに適用されるタングステン（ヤング率4.08×1011Ｐａ）に比較して非常に柔らかい材料であり、高精度の成形加工に適している。また、蒸着用の原材料１１４としてアルミニウムを用いる場合、密着治具１１３Ａの融点（６６０℃）が同じになるが、密着治具１１３Ａは水冷ハース１１１に直接接触して常時冷却されるので、変形や変質を生じることはない。
【００３６】
なお、密着治具１１３Ａの加工精度が十分ではなく、インサート坩堝１１２Ａの外周面や水冷ハース１１１の凹部１１１ａ内面に対して、均一な密着性が得られない場合には、密着治具１１３Ａとなる材料（インサート坩堝１１２Ａの融点よりも低い材料）をインサート坩堝１１２Ａと水冷ハース１１１の間に挟み込んで、加熱、溶融して成形し、密着させるものであってもよい。具体的には、インサート坩堝１１２Ａに収容された蒸着用原材料１１４を加熱、溶融して蒸発させる蒸着処理工程に先立って、水冷ハース１１１の凹部１１１ａに密着治具１１３Ａとなる材料（密着用材料）を挿入し、インサート坩堝１１２Ａを水冷ハース１１１に嵌合させた状態で、インサート坩堝１１２Ａを密着用材料の融点以上に加熱して密着用材料を溶融する。これにより、溶融した密着用材料を、インサート坩堝１１２Ａの外周面と水冷ハース１１１の凹部１１１ａ内面に十分馴染ませて、高い密着性を有する密着治具１１３Ａを形成することができる。ここで、密着用材料は、予め想定される密着治具１１３Ａの形状（図３参照）に粗加工した素材を挿入するものであってもよいし、粉末や顆粒状の材料を挿入するものであってもよいし、インサート坩堝１１２Ａを嵌合する際にフィルムや箔状の素材を挟み込んで挿入する（押し込む）ものであってもよい。
【００３７】
このような構成を有することにより、本実施形態においては、水冷ハース１１１に設けられた凹部１１１ａの内面（側面及び底面）と、インサート坩堝１１２Ａの外周面（側面及び底面）との間に、均一に密着するように、熱伝導性の高い密着治具１１３Ａが介在するので、インサート坩堝１１２Ａと水冷ハース１１１との間で、略均一で、かつ、適切な熱接触を図ることができる。
【００３８】
したがって、加熱、溶融した原材料１１４から水冷ハース１１１への熱伝導を均一化しつつ、極端な熱流出を抑制することができ、また、原材料１１４内部の温度分布の偏り（ばらつき）を緩和することができるので、図６（ｂ）に示すように、経過時間に対して安定した成膜レート（成膜速度）で蒸着膜を形成することができる。また、この場合における電子線強度も比較的低く設定することができる。したがって、本実施形態によれば均一な膜質の蒸着膜を再現性良く形成することができる。
【００３９】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る薄膜電極製造装置の第２の実施形態について説明する。
図７は、第２の実施形態に係る薄膜電極製造装置（電子ビーム真空蒸着装置）に適用される原材料収容部の一例を示す要部断面図である。図８は、本実施形態に係る原材料収容部の嵌合状態を示す斜視図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の構成については、同等又は同一の符号を付して、その説明を簡略化又は省略する。
【００４０】
上述した第１の実施形態においては、水冷ハース１１１の凹部１１１ａ内に設けられた密着治具１１３Ａを介して、インサート坩堝１１２Ａの外周面（側面及び底面）が水冷ハース１１１に均一に熱接触する場合について説明した。第２の実施形態においては、水冷ハース上面の凹部周辺の平坦な領域において、円周状（ドーナツ形状）に形成された密着治具を介して、インサート坩堝のフランジ部と水冷ハースが熱接触する構成を有している。
【００４１】
第２の実施形態に係る電子ビーム真空蒸着装置に適用される原料収容部は、図７、図８に示すように、凹部１１１ａが設けられた水冷ハース１１１と、上部（開放端）にフランジ部１１２ｆが設けられたインサート坩堝１１２Ｂと、インサート坩堝１１２Ｂのフランジ部１１２ｆの形状に対応して円周状（ドーナツ形状）に形成された密着治具１１３Ｂと、を有している。
【００４２】
水冷ハース１１１は、上述した第１の実施形態と同様に、上面にインサート坩堝１１２Ｂを嵌合するための凹部１１１ａが設けられている。インサート坩堝１１２Ｂは、図７（ａ）、図８に示すように、図面上部の開放端から円周状（つば状）に外方に張り出したフランジ部１１２ｆが設けられている。密着治具１１３Ｂは、上述した第１の実施形態と同様に、アルミニウムや銅等の熱伝導性や加工性に優れた材質により形成されている。また、密着治具１１３Ｂは、インサート坩堝１１２Ｂのフランジ部１１２ｆに対応して中央部分が円形に除去された円周状（ドーナツ形状）を有している。これにより、図７（ａ）、図８に示すように、インサート坩堝１１２Ｂを水冷ハース１１１の凹部１１１ａに嵌合した際に、インサート坩堝１１２Ｂのフランジ部１１２ｆ及び水冷ハース１１１上面の凹部１１１ａ周辺の平坦な領域が密着治具１１３Ｂを介して均一に密着する。
【００４３】
ここで、本実施形態においては、インサート坩堝１１２Ｂを密着治具１１３Ｂを介して水冷ハース１１１の凹部１１１ａに嵌合した状態で、図７（ａ）に示すように、インサート坩堝１１２Ｂがフランジ部１１２ｆにおいてのみ水冷ハース１１１と直接熱接触し、その外周面（すなわち側面及び底面）は水冷ハース１１１の凹部１１１ａの内面から離間して、略断熱状態になっている。
【００４４】
このような構成を有する原料収容部においても、インサート坩堝１１２Ｂのフランジ部１１２ｆを介して、水冷ハース１１１と略均一で、かつ、適切な熱接触を図ることができる。これにより、本実施形態によれば、図７（ｂ）に示すように、加熱、溶融した原材料１１４から水冷ハース１１１への熱伝導を均一化しつつ、極端な熱流出を抑制することができ、また、原材料１１４内部の温度分布の偏り（ばらつき）を緩和することができる。したがって、本実施形態によっても、安定した成膜レートで蒸着膜を形成することができるので、均一な膜質の蒸着膜を再現性良く形成することができる。
【００４５】
なお、本実施形態においては、インサート坩堝１１２Ｂと水冷ハース１１１が密着治具１１３Ｂを介して均一かつ良好に密着するように、インサート坩堝１１２Ｂのフランジ部１１２ｆを水冷ハース１１１方向に押圧するための機構を備えているものであってもよい。例えば、フランジ部１１２ｆを水冷ハース１１１に圧着固定するようにねじ止めしたり、クランプしたりする機構を備えるものであってもよい。
【００４６】
（画素）
次に、本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を適用して形成される画素について説明する。
図９は、本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を適用して形成される画素（発光駆動回路及び発光素子）の一例を示す等価回路図である。なお、図９に示す画素ＰＩＸの回路構成は、有機ＥＬ素子を備えた画素に適用される一例を示すものに過ぎず、他の回路構成を有するものであってもよいことはいうまでもない。
【００４７】
図９に示すように、本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を適用して形成される画素ＰＩＸは、発光素子である有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬと、該発光素子を駆動するための発光駆動回路ＤＣと、を備えている。
【００４８】
発光駆動回路ＤＣは、例えば、トランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１とトランジスタ（駆動トランジスタ）Ｔｒ１２とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ１１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、ソース端子が接点Ｎ１１に接続されている。トランジスタＴｒ１２は、ゲート端子が接点Ｎ１１に接続され、ドレイン端子が電源電圧ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ１２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート端子（接点Ｎ１１）及びソース端子（接点Ｎ１２）間に接続されている。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノードが上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソードが所定の低電位電源（基準電圧Ｖss；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【００４９】
ここで、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、いずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタが適用されている。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート・ソース間に形成される寄生容量であり、該ゲート・ソース間に付加的に補助容量が設けられているものであってもよい。
【００５０】
なお、図９に示した画素ＰＩＸにおいて、選択ラインＬｓは、図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで画素ＰＩＸを選択状態に設定するための選択電圧Ｓselが印加される。また、データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで画像データに応じた階調信号（データ電圧）Ｖpixが印加される。また、電源電圧ラインＬａは、所定の高電位電源に接続され、トランジスタＴｒ１２により有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノードに画像データに応じた発光駆動電流を流すために、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードに印加される基準電圧Ｖssより電位の高い供給電圧Ｖddが印加される。
【００５１】
図１０は、図９に示した回路構成を有する画素の要部素子構造を示す概略断面図である。ここでは、図１０に示した画素の回路構成のうち、図示の都合上、トランジスタＴｒ１２とキャパシタＣｓと有機ＥＬ素子ＯＥＬとデータラインＬｄについてのみ断面構造を示す。なお、図１０に示す画素ＰＩＸの断面構造は、本発明を適用可能な一例を示すものに過ぎず、他の断面構造を有するものであってもよいことはいうまでもない。
【００５２】
図９に示した画素ＰＩＸは、例えば図１０に示すように、ガラス基板等の透明な基板１１の一面側（図面上面側）に設定された画素形成領域Ｒpxごとに形成される。この画素形成領域Ｒpxには、少なくとも、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelと、隣接する画素ＰＩＸとの境界領域Ｒbdと、が設定されている。ここで、境界領域Ｒbdには、隣接する画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelとの間に、図１０に示すように、層間絶縁膜１５及び隔壁層（バンク）１６が設けられている。そして、隔壁層１６の側壁により囲まれた領域が、ＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【００５３】
トランジスタＴｒ１２（図示を省略したトランジスタＴｒ１１も同じ）は、図１０に示すように、基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１２ｇと、ゲート絶縁膜１３を介してゲート電極Ｔｒ１２ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと、を有している。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓとドレイン電極Ｔｒ１２ｄが対向する半導体層ＳＭＣ上には、チャネル保護層ＢＬが形成されている。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと半導体層ＳＭＣとの間には、不純物層ＯＨＭがそれぞれ形成されている。このようなトランジスタＴｒ１２（トランジスタＴｒ１１を含む）は、図１０に示すように、基板１１上の境界領域Ｒbdに形成され、層間絶縁膜１５及び隔壁層１６により被覆されている。また、トランジスタＴｒ１２に隣接して、基板１１上に配設されるデータラインＬｄ（図示を省略した選択ラインＬｓ、及び、電源電圧ラインＬａも同じ）も同様に、境界領域Ｒbdに形成され、層間絶縁膜１５及び隔壁層１６により被覆されている。
【００５４】
キャパシタＣｓは、基板１１上に形成された透明電極からなる下部電極１２（Ｅca）と、誘電体層として兼用されるゲート絶縁膜１３を介して下部電極１２（Ｅca）に対応する領域に形成された透明電極からなる上部電極Ｅcbと、を有している。ここで、キャパシタＣｓの下部電極１２（Ｅca）は、図１０に示すように、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに電気的に接続されている。この接続部は、図９に示した画素ＰＩＸの回路構成においる接点Ｎ１１に相当する。また、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbは、図１０に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに電気的に接続されている。この接続部は、図９に示した画素ＰＩＸの回路構成においる接点Ｎ１２に相当する。また、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbは、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極（画素電極）１４を兼用している。
【００５５】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、図１０に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbとして兼用されるアノード電極（画素電極）１４と、正孔注入層１７ａ及び発光層１７ｂからなる有機ＥＬ層１７と、電子注入層１８と、カソード電極（対向電極）１９と、を順次積層した素子構造を有している。有機ＥＬ層１７は、基板１１上に形成された隔壁層１６の側壁により画定されたＥＬ素子形成領域Ｒelに露出するアノード電極１４上に形成される。電子注入層１８及びカソード電極１９は、有機ＥＬ層１７を介して、アノード電極１４に対向するように設けられる。また、図１０に示した素子構造においては、電子注入層１８及びカソード電極１９は、有機ＥＬ層１７が形成されるＥＬ素子形成領域Ｒel、及び、該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁層１６を含む基板１１の全域に設けられている。
【００５６】
ここで、電子注入層１８は、例えばアルカリ金属、あるいは、アルカリ土類金属からなる仕事関数の低い薄膜電極により形成される。また、カソード電極１９は、アルミニウム（Ａｌ）等の金属単体、又は、その合金からなる仕事関数が高く、光反射特性を有する薄膜電極により形成される。そして、本適用例においては、少なくとも有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極１９が、上述した各実施形態に係る薄膜電極製造装置を用いた真空蒸着法により成膜される。
【００５７】
このような素子構造を有する画素ＰＩＸにおいては、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極（画素電極）１４が光透過特性を有し、カソード電極１９が光反射特性を有することにより、有機ＥＬ層１７において発光した光は、光透過特性を有するアノード電極１４を介して直接、あるいは、光反射特性を有するカソード電極１９で反射したのち、基板１１を透過し、視野側である基板１１の他面側（図１０の図面下方）に出射される。すなわち、図１０に示した素子構造を有する有機ＥＬ素子ＯＥＬは、ボトムエミッション型の発光構造を有している。
【００５８】
（画素の製造方法）
次に、上述した素子構造を有する画素の製造方法について簡単に説明する。
図１１は、本発明に係る薄膜電極製造方法が適用される画素の製造方法を示す工程断面図である。
【００５９】
上述した表示装置の製造方法は、まず、図１１（ａ）に示すように、例えばガラスや石英、透明な樹脂等からなる基板１１の一面側（図面上面側）に、ＩＴＯや亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc Oxide）等の透明な（光透過特性を有する）電極材料膜を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、キャパシタＣｓの下部電極１２（Ｅca）を形成する。そして、基板１１上にゲートメタル層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、上記下部電極１２（Ｅca）に電気的に接続されたゲート電極Ｔｒ１２ｇと、データラインＬｄを同時に形成する。
【００６０】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、基板１１の全域にゲート絶縁膜１３を形成した後、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに対応するゲート絶縁膜１３上に、半導体層ＳＭＣ、チャネル保護層ＢＬ、不純物層ＯＨＭを形成する。次いで、ＥＬ素子形成領域Ｒelのゲート絶縁膜１３上に、ＩＴＯや亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc
Oxide）等の透明な（光透過特性を有する）電極材料からなるアノード電極１４（上部電極Ｅcb）を形成する。これにより、アノード電極１４（上部電極Ｅcb）と下部電極１２（Ｅca）が、誘電体層として兼用されるゲート絶縁膜１３を介して対向した、キャパシタＣｓが形成される。
【００６１】
次いで、基板１１上にソース、ドレインメタル層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、トランジスタＴｒ１２の半導体層ＳＭＣの両端部に、不純物層ＯＨＭを介して延在するように、ソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄを形成する。このとき、図１１（ｂ）に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓは、その一端がアノード電極１４上に延在するように形成されて、ソース電極Ｔｒ１２ｓとアノード電極１４（上部電極Ｅcb）が電気的に接続される。
【００６２】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、基板１１上の境界領域Ｒbdに形成されたトランジスタＴｒ１２（図示を省略したトランジスタＴｒ１１や選択ラインＬｓ、電源電圧ラインＬａを含む）を被覆するように、層間絶縁膜１５を形成する。その後、図１１（ｃ）に示すように、基板１１上の境界領域Ｒbdに連続的に突出する隔壁層１６を形成する。ここで、隔壁層１６は、例えば感光性の樹脂材料からなり、少なくとも各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelのアノード電極１４を露出させる開口部を有している。
【００６３】
次いで、図１１（ｄ）に示すように、基板１１上のＥＬ素子形成領域Ｒelに露出するアノード電極１４上に、例えばノズルプリンティング（又はノズルコート）法やインクジェット法等を用いて、例えば正孔注入層１７ａ及び発光層１７ｂを順次形成して、有機ＥＬ層１７を形成する。
【００６４】
その後、図１１（ｄ）に示すように、少なくとも有機ＥＬ層１７が形成された基板１１上に、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、インジウム（Ｉｎ）のいずれかからなる低仕事関数の電子注入層１８を形成する。さらに、アルミニウム（Ａｌ）等からなる、光反射特性を有し、かつ、高仕事関数のカソード電極１９を、上記隔壁層１６及び有機ＥＬ層１７が形成された基板１１上に形成することにより、図１０に示したボトムエミッション型の発光構造を有する有機ＥＬ素子ＯＥＬを備えた画素ＰＩＸが完成する。
【００６５】
ここで、カソード電極１９は、上述した実施形態に示したような原材料収容部を備えた薄膜電極製造装置（電子ビーム真空蒸着装置）を用いた真空蒸着法により成膜される。具体的には、上述した実施形態に示した電子ビーム真空蒸着装置（図１参照）において、銅（Ｃｕ）等の熱伝導性が高い材質からなる水冷ハース１１１の凹部１１１ａに、タングステン（Ｗ）等の高融点金属からなるインサート坩堝１１２Ａ又は１１２Ｂを勘合する。このとき、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａ又は１１２Ｂとの間に、アルミニウム（Ａｌ）等の熱伝導性が高く、かつ、成形加工が容易な比較的軟らかい材質からなる密着治具１１３Ａ、１１３Ｂを介在させることにより、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａ又は１１２Ｂとの間で均一な熱接触を図る。その後、インサート坩堝１１２Ａ又は１１２Ｂにカソード電極１９の電極材料（蒸着用原材料１１４）として、例えばアルミニウム（Ａｌ）を収容し、真空チャンバー１１０を真空状態にして、当該電極材料に電子線を照射する。これにより、インサート坩堝１１２Ａ又は１１２Ｂ内の電極材料が加熱、溶融して蒸発し、基板ホルダー１１６に保持、固定された基板１１表面に付着してアルミニウムの薄膜電極が成膜され、カソード電極１９が形成される。
【００６６】
このようなカソード電極１９の形成方法（薄膜電極の製造方法）によれば、アルミニウムの薄膜電極を成膜する際の成膜レート（成膜速度）を安定的に制御することができるので、有機ＥＬ素子、又は、有機ＥＬ素子を備えた画素アレイを量産する場合であっても、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を再現性良く形成することができる。したがって、本発明によれば、良好な発光特性を有する発光素子（有機ＥＬ素子）を備えた画素アレイを実現することができる。
【００６７】
なお、図１０に示した有機ＥＬ素子ＯＥＬにおいては、ボトムエミッション型の発光構造を有する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、例えば、図１０に示した素子構造において、アノード電極１４又は下部電極Ｅcaがアルミニウム等の光反射特性を有する薄膜電極により形成され、カソード電極１９がＩＴＯ等の光透過特性を有する薄膜電極により形成されたトップエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。この場合、上述した実施形態に示した薄膜電極製造装置において、蒸着用原材料としてアルミニウムに換えてＩＴＯ等の透明電極材料を原材料収容部（インサート坩堝）に収容して、基板１１表面に蒸着させるものであってもよい。また、有機層上に薄膜電極を形成する類似の素子構造を有するデバイスとして太陽電池パネルがあるが、本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法は、このようなデバイスの製造時においても良好に適用することができる。
【符号の説明】
【００６８】
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子
１４ アノード電極
１７ 有機ＥＬ層
１８ 電子注入層
１９ カソード電極
１００ 電子ビーム真空蒸着装置
１１０ 真空チャンバー
１１１ 水冷ハース
１１１ａ 凹部
１１２Ａ、１１２Ｂ インサート坩堝
１１２ｆ フランジ部
１１３Ａ、１１３Ｂ 密着治具
１１５ 電子線源
１１６ 基板ホルダー
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法並びに発光素子に関し、特に、電子ビーム真空蒸着装置による薄膜電極の製造方法、及び、該薄膜電極を適用した発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の発光素子を２次元配列した表示パネル（発光素子型表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリクス駆動方式を適用した発光素子型表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるという特長を有している。加えて、発光素子型表示パネルは、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという特長を有している。
【０００３】
そして、このような表示パネルに適用される発光素子として、近年、量産性に優れる高分子有機ＥＬ素子の開発が進んでいる。この高分子有機ＥＬ素子は、正孔注入層及び発光層からなる有機ＥＬ層に対し、正孔注入層側にＩＴＯ（Indium Thin Oxide）等の透明電極からなるアノード電極を形成し、発光層側にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属からなる電子注入層と、その上面にカソード電極を形成した構造を有している。このような有機ＥＬ素子の素子構造において、ガラスなどの透明基板の一面側にアノード電極（ＩＴＯ等）を形成し、最上層にカソード電極を形成することにより、有機ＥＬ層において発光した光がガラス基板を介してガラス基板の他面（背面）側から外部に放出されるタイプの有機ＥＬ素子は、ボトムエミッション型と呼ばれている。なお、有機ＥＬ素子の具体的な素子構造（ボトムエミッション型）については後述する。
【０００４】
ここで、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子のカソード電極は、有機ＥＬ層において発光した光をガラス基板側に反射して放出するために、アルミニウム等の光反射特性を有する金属材料からなる薄膜電極が用いられている。そして、このようなカソード電極を構成する薄膜電極の製造方法としては、有機ＥＬ層がプラズマ中で致命的なダメージを受けやすいため、電子ビーム蒸着法を使用することが多い。
【０００５】
電子ビーム蒸着法においては、概略、真空チャンバー内において、Ｃｕなどの水冷ハースに蒸着させるアルミニウム等の原材料を収容し、該原材料に電子線を照射することによって、原材料を加熱、融解、蒸発させる。そして、蒸発した原材料を、坩堝から離間して配置された基板表面に付着させて薄膜電極を成膜する。
【０００６】
しかし、このような電子ビーム蒸着法を適用した薄膜電極の製造方法において、その成膜速度が非常に不安定であるという問題を有している。そのため、量産時に必要とされる膜質を再現性良く、かつ、高品質に実現するために、成膜速度が安定であることが望まれている。さらに、有機ＥＬ素子の駆動に使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、有機ＥＬ層は電子線が原材料に当たることにより発生するＸ線や二次電子により多少のダメージを受けるという問題も有している。そのため、成膜時における電子線強度は低い方が望ましい。
【０００７】
このような問題を解決する手法として、例えば特許文献１に、冷却される収容体に、蒸着材料を充填した坩堝状の容器を収容する際に、両者の間で直接熱の授受が行われないようにした装置構成が記載されている。特許文献１によれば、このような装置構成により、蒸着材料を効率良く加熱することができ、電子ビーム発生源の電力（すなわち、電子線強度）をより小さくしつつ、高い蒸発レートを実現できることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２３２４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１等に開示されたような装置構成においては、坩堝状の容器が冷却される収容体から断熱されているため、容器内の蒸着材料の温度制御が難しく、薄膜電極の成膜速度（成膜レート）のフィードバック制御性の悪化を招くという問題を有している。そのため、成膜速度の短時間の変動は抑制されるものの、成膜速度が一方的に上昇して一定にならない（安定しない）ため、量産時における高品質の膜質を再現性良く実現することができないという問題を有していた。
【００１０】
一方、蒸着材料を充填した坩堝状の容器を、冷却される収容体に密着させて収容する装置構成について検討すると、容器に高融点金属材料を用いた場合、収容体に形成された凹部の内面に沿って均一に密着するように容器を精度良く加工又は成形することは極めて困難である。そのため、収容体と容器との熱接触が一定にはならず、蒸着材料が加熱される容器から収容体への熱伝導にムラが発生して成膜速度が安定しないため、この場合においても、量産時における高品質の膜質を再現性良く実現することができないという問題を有していた。なお、このような従来技術の問題点については、後述する発明の詳細な説明において、本発明との比較検証として詳しく説明する。
このように、有機ＥＬ素子の製造工程において、均一かつ高品質の膜質を有するカソード電極を形成することが困難であったため、有機ＥＬ素子の発光特性が悪化するという問題を有していた。
【００１１】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、成膜速度を安定的に制御することができ、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を再現性良く形成することができる薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を備え、良好な発光特性を有する発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１記載の発明は、真空蒸着法により基板上に薄膜電極を形成する薄膜電極製造装置において、蒸着用の原材料が収容される坩堝と、前記坩堝が嵌合される凹部を有するとともに、温度が略一定に保持される坩堝収容体と、前記坩堝収容体の前記凹部に前記坩堝を嵌合した状態で、前記坩堝と前記坩堝収容体との間に介在し、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達するための密着部材と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の薄膜電極製造装置において、前記密着部材は、前記坩堝の外周面及び前記坩堝収容体の前記凹部の内面に均一に密着する形状を有していることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の薄膜電極製造装置において、前記坩堝は、開放端に円周状のフランジ部を有し、前記密着部材は、前記坩堝の前記フランジ部及び前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に均一に密着する形状を有していることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜電極製造装置において、前記密着部材は、前記坩堝よりも融点が低く、かつ、前記蒸着用の原材料と同等以上の融点を有する材料により形成されていることを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜電極製造装置において、前記密着部材は、加熱、溶融することにより、前記坩堝及び前記坩堝収容体に密着していることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の薄膜電極製造装置において、前記蒸着用の原材料は、アルミニウムであり、前記坩堝は、高融点金属材料により形成されていることを特徴とする。
請求項７記載の発明は、請求項６記載の薄膜電極製造装置において、前記高融点金属材料が、タングステン、タンタル、モリブデンのいずれかであることを特徴とする。
【００１４】
請求項８記載の発明は、坩堝に収容された蒸着用の原材料を、加熱、蒸発させて、基板上に薄膜電極を形成する薄膜電極製造方法において、温度が略一定に保持される坩堝収容体に設けられた凹部に、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達するための密着部材を介して、前記坩堝が嵌合された状態で、前記坩堝に収容された前記蒸着用の原材料を、加熱、蒸発させる工程を有することを特徴とする。
【００１５】
請求項９記載の発明は、請求項８記載の薄膜電極製造方法において、前記密着部材は、前記坩堝収容体の前記凹部の内部に設けられ、前記坩堝の外周面及び前記坩堝収容体の前記凹部の内面に密着することにより、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達することを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項８記載の薄膜電極製造方法において、前記坩堝は、開放端に円周状のフランジ部を有し、前記密着部材は、前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に設けられ、前記坩堝の前記フランジ部及び前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に密着することにより、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達することを特徴とする。
請求項１１記載の発明は、請求項８乃至１０のいずれかに記載の薄膜電極製造方法において、前記蒸着用の原材料を加熱、蒸発させる工程に先立って、前記坩堝と前記坩堝収容体との間に介在する前記密着部材を加熱、溶融して、前記坩堝及び前記坩堝収容体に密着させる工程を有することを特徴とする。
請求項１２記載の発明は、請求項８乃至１１のいずれかに記載の薄膜電極製造方法において、前記蒸着用の原材料を加熱、蒸発させて、前記基板上に形成される前記薄膜電極は、有機エレクトルミネッセンス素子の有機層に接する電極であることを特徴とする。
請求項１３記載の発明に係る発光素子は、前記請求項８乃至１２に記載の薄膜電極製造方法を適用して形成された電極を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法によれば、成膜速度を安定的に制御して、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を再現性良く形成することができる。また、本発明に係る発光素子によれば、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を備え、良好な発光特性を実現ことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る薄膜電極製造装置を適用した電子ビーム真空蒸着装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。
【図２】第１の本実施形態に係る電子ビーム真空蒸着装置に適用される原材料収容部の一例を示す要部断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る原材料収容部の嵌合状態を示す斜視図である。
【図４】第１の実施形態の比較対象となる原材料収容部の第１の例における特性を説明するための図である。
【図５】第１の実施形態の比較対象となる原材料収容部の第２の例における特性を説明するための図である。
【図６】本実施形態に係る原材料収容部を適用した場合における特性を説明するための図である。
【図７】第２の実施形態に係る電子ビーム真空蒸着装置に適用される原材料収容部の一例を示す要部断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る原材料収容部の嵌合状態を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を適用して形成される画素の一例を示す等価回路図である。
【図１０】本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法が適用される画素の要部素子構造を示す概略断面図である。
【図１１】本発明に係る薄膜電極製造方法が適用される画素の製造方法を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法、並びに、該製造方法により形成された薄膜電極を適用した発光素子について、実施形態を示して詳しく説明する。
＜第１の実施形態＞
（薄膜電極製造装置）
まず、本発明に係る薄膜電極製造装置について、図面を参照して説明する。ここでは、本発明に係る薄膜電極製造装置を電子ビーム真空蒸着装置に適用した場合について説明する。
【００１９】
図１は、本発明に係る薄膜電極製造装置を適用した電子ビーム真空蒸着装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。また、図２は、本実施形態に係る電子ビーム真空蒸着装置に適用される原材料収容部の一例を示す要部断面図であり、図３は、本実施形態に係る原材料収容部の嵌合状態を示す斜視図である。なお、図１、図２においては、図示の都合上、断面のハッチングの表記を一部省略する。
【００２０】
図１、図２に示すように、本実施形態に係る電子ビーム真空蒸着装置（薄膜電極製造装置）１００は、概略、真空チャンバー１１０内に、水冷ハース（坩堝収容体）１１１と、インサート坩堝１１２Ａと、密着治具（密着部材）１１３Ａと、電子線源１１５と、基板ホルダー１１６と、が設けられている。ここで、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａと密着治具１１３Ａは原材料収容部をなす。
【００２１】
真空チャンバー１１０は、気密性に優れた構造を有し、真空ポンプ１２１を備えた真空制御機構１２０により内部の気圧が制御される。
水冷ハース１１１は、例えば銅（Ｃｕ）等の熱伝導性に優れた材質からなり、図１に示すように、内部に冷却水が循環されることにより、蒸着処理中の銅の融解を防ぐことができる。また、図２、図３に示すように、水冷ハース１１１の上面には凹部１１１ａが設けられ、当該凹部１１１ａ内に、密着治具１１３Ａを介してインサート坩堝１１２Ａが着脱可能に嵌合される。
【００２２】
インサート坩堝１１２Ａは、図１〜図３に示すように、上記水冷ハース１１１の凹部１１１ａに密着治具１１３Ａを介して嵌合された状態で、その内部に蒸着用の原材料１１４が収容される。インサート坩堝１１２Ａは、内部に収容された蒸着用の原材料１１４に対して、それよりも融点が高く、かつ、溶融した原材料１１４に対して、濡れ性が比較的低い材質からなる。具体的には、蒸着用の原材料１１４として例えばアルミニウム（Ａｌ：融点６６０℃）を用いる場合、インサート坩堝１１２Ａは、例えばタングステン（Ｗ：融点３４２０℃）やタンタル（Ｔａ：融点３０１７℃）、モリブデン（Ｍｏ：融点２６２３℃）等の高融点金属、又は、これらを含む合金等により形成される。
【００２３】
密着治具１１３Ａは、図２、図３に示すように、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａの間に介在し、特に、水冷ハース１１１の凹部１１１ａの内面（側面及び底面）と、インサート坩堝１１２Ａの外周面（側面及び底面）との間に均一に密着する形状を有している。これにより、密着治具１１３Ａは、蒸着処理中に、インサート坩堝１１２Ａの熱を水冷ハース１１１に略均一に伝達し、インサート坩堝１１２Ａ内に収容され、溶融した原材料１１４の温度が略均一に制御される。
【００２４】
そのため、密着治具１１３Ａは、熱伝導性や加工性に優れ、かつ、原材料１１４と融点が同等か、あるいは、それよりも融点の高い材料により形成される。すなわち、密着治具１１３Ａは、蒸着処理時に溶融した蒸着用原材料１１４の熱により、変形や変質等を生じることがないように、当該蒸着用原材料１１４よりも融点の高い材料であることが望ましい。これに加えて、本実施形態に係る原材料収容部の構成においては、密着治具１１３Ａが水冷ハース１１１に直接接触して常時冷却されるので、原材料１１４と同じ材料を適用することができる。したがって、密着治具１１３Ａは、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属、あるいは、これらを含む合金により形成される。
【００２５】
電子線源１１５は、上記水冷ハース１１１に嵌合されたインサート坩堝１１２Ａ内に収容された蒸着用原材料１１４に所定のエネルギー強度の電子ビームを照射することにより、当該原材料１１４を加熱、溶融して蒸発させる。ここで、電子線源１１５から照射される電子ビームは、周知の偏向コイルによりその照射方向が調整され、電子ビームの照射位置は水冷ハース１１１の凹部１１１ａ内において任意に調整することができる。
基板ホルダー１１６は、上記水冷ハース１１１に嵌合されたインサート坩堝１１２Ａに対向するように、発光素子等の形成される基板１１を保持、固定する。
【００２６】
（作用効果の検証）
次に、上述したような構成を有する電子ビーム真空蒸着装置の作用効果について説明する。ここでは、まず、比較対象となる従来技術の構成とその特性を説明し、その後、本実施形態における作用効果の優位性について説明する。
【００２７】
図４は、比較対象となる原材料収容部の第１の例における特性を説明するための図である。図４（ａ）は、比較対象となる原料収容部の第１の構成、及び、原材料の溶融状態を示す概略断面図であり、図４（ｂ）は、比較対象となる構成における成膜レートの時間変化を示す図である。また、図５は、比較対象となる原材料収容部の第２の例における特性を説明するための図である。図５（ａ）は、比較対象となる原料収容部の第２の構成、及び、原材料の溶融状態を示す概略断面図であり、図５（ｂ）は、比較対象となる構成における成膜レートの時間変化を示す図である。なお、図４、図５において、本実施形態に係る原料収容部と同等の構成については、同一又は同等の符号を付して示す。
【００２８】
比較対象となる原材料収容部の第１の例は、図４（ａ）に示すように、水冷ハース１１１の上面に設けられた凹部１１１ａを、そのまま坩堝として利用した構成を有している。このような構成において、凹部１１１ａ内に蒸着用の原材料１１４ｘとして例えばアルミニウムを直接収容し、電子ビームを照射して加熱、溶融した場合、溶融した原材料１１４ｘ（アルミニウム）に対して水冷ハース１１１を形成する銅の濡れ性が高いため、図４（ａ）に示すように、溶融した原材料１１４ｘがしばしば凹部１１１ａ内面に全体的に広がり、また、その表面に凹凸が生じることが知られている。ここで、水冷ハース１１１は、銅（Ｃｕ）等の熱伝導度の高い材料で作られているために、融解した原材料１１４ｘは、水冷ハース１１１との接触面で大きく熱を奪われる。そのため、電子ビームが照射された領域の原材料１１４ｘの僅かな厚みの差や変化により、原材料１１４ｘの温度は大きく異なり、その結果蒸発速度が大きく変化する。これにより、図４（ｂ）に示すように、時間経過に伴い、蒸着膜の成膜レート（成膜速度）が大きく変化するという問題を有していた。
【００２９】
また、比較対象となる原材料収容部の第２の例は、図５（ａ）に示すように、水冷ハース１１１に設けられた凹部１１１ａ内にタングステン等の高融点金属からなるインサート坩堝１１２ｐを直接嵌合した構成を有している。このような構成において、インサート坩堝１１２ｐに収容した蒸着用の原材料１１４を加熱、溶融した場合、上述した第１の比較対象例のように溶融した原材料１１４が直接水冷ハース１１１に接触していないので、原材料１１４からの極端な熱流出を制限することができる。また、蒸着用の原材料１１４として例えばアルミニウムを用いる場合、インサート坩堝１１２ｐを形成するタングステンは、溶融したアルミニウムに対して、濡れ性が低いので、原材料の広がりや表面の凹凸を抑制することができる。
【００３０】
したがって、第２の比較対象例においては、第１の比較対象例に示したような、溶融した原材料１１４内部での温度分布の極端な偏り（ばらつき）を緩和して、原材料１１４を比較的安定した速度で蒸発させることができる。また、第２の比較対象例においては、溶融した原材料１１４の温度を比較的高く保持することができるので、蒸着処理時における電子線強度を低くすることができる。
【００３１】
しかしながら、第２の比較対象例に示した構成においては、次のような問題が生じる可能性がある。すなわち、図５（ａ）（図２、図４（ａ）においても同様）に示すように、水冷ハース１１１に設けられた凹部１１１ａの側面の断面形状は、直線ではなく、緩いカ−ブを有していることが多い。これは、上述した第１の比較対象例に示したように、水冷ハース１１１の凹部１１１ａが本来坩堝として直接使用されるものであることに起因する。
【００３２】
一方、インサート坩堝１１２ｐを構成する高融点金属は、一般的に堅く、精度の高い成形加工が極めて難しい。インサート坩堝１１２Ａに適用される高融点金属の堅さをヤング率で示すと、例えばタングステン（Ｗ）は4.08×1011Ｐａと非常に高く、堅い材料である。このような高融点金属を絞り加工や切削加工等を行って成形し、図５（ａ）に示したような水冷ハース１１１の凹部１１１ａにおける緩いカーブを有する内面に均一に密着するようにインサート坩堝１１２ｐの側面を加工（例えば絞り加工において側面部分の曲率を指定）することは極めて困難であり、それを実現するためには、多大な加工時間とコストを必要とする。そのため、インサート坩堝１１２ｐの外周面の断面形状は、図５（ａ）に示すように、ある程度直線部分の多い形に加工せざるを得なかった。
【００３３】
そして、図５（ａ）に示すように、このようなインサート坩堝１１２ｐを直接水冷ハース１１１の凹部１１１ａに嵌合した場合、例えば図中ＨＰで示す箇所とそれ以外の箇所で、両者の接触状態が均一にならないため、溶融した原材料１１４の温度分布に偏り（ばらつき）が生じやすい。また、両者が離間している領域（例えば図中ＨＰで示す箇所以外）では、溶融した原材料１１４から水冷ハース１１１への熱の伝達が行われず、その温度が上昇しやすくなる。そのため、第２の比較対象例においては、原材料１１４の蒸発速度の制御が困難になり、図５（ｂ）に示すように、時間経過に伴い、蒸着膜の成膜レート（成膜速度）が一方的に上昇して安定しなくなる可能性があった。
【００３４】
図６は、本実施形態に係る原材料収容部を適用した場合における特性を説明するための図である。図６（ａ）は、本実施形態に係る原料収容部における原材料の溶融状態を示す概略断面図であり、図６（ｂ）は、本実施形態に係る原料収容部における成膜レートの時間変化を示す図である。
【００３５】
上述した各比較対象例に対して、本実施形態に係る原材料収容部においては、図６（ａ）に示すように、水冷ハース１１１に設けられた凹部１１１ａと、高融点金属からなるインサート坩堝１１２Ａとの間に、熱伝導性が高く、かつ、成型加工性が高い比較的柔らかい材料により形成された密着治具１１３Ａを介在させた構成を有している。ここで、本実施形態において密着治具１１３Ａに適用されるアルミニウムのヤング率は0.76×1011Ｐａであり、インサート坩堝１１２Ａに適用されるタングステン（ヤング率4.08×1011Ｐａ）に比較して非常に柔らかい材料であり、高精度の成形加工に適している。また、蒸着用の原材料１１４としてアルミニウムを用いる場合、密着治具１１３Ａの融点（６６０℃）が同じになるが、密着治具１１３Ａは水冷ハース１１１に直接接触して常時冷却されるので、変形や変質を生じることはない。
【００３６】
なお、密着治具１１３Ａの加工精度が十分ではなく、インサート坩堝１１２Ａの外周面や水冷ハース１１１の凹部１１１ａ内面に対して、均一な密着性が得られない場合には、密着治具１１３Ａとなる材料（インサート坩堝１１２Ａの融点よりも低い材料）をインサート坩堝１１２Ａと水冷ハース１１１の間に挟み込んで、加熱、溶融して成形し、密着させるものであってもよい。具体的には、インサート坩堝１１２Ａに収容された蒸着用原材料１１４を加熱、溶融して蒸発させる蒸着処理工程に先立って、水冷ハース１１１の凹部１１１ａに密着治具１１３Ａとなる材料（密着用材料）を挿入し、インサート坩堝１１２Ａを水冷ハース１１１に嵌合させた状態で、インサート坩堝１１２Ａを密着用材料の融点以上に加熱して密着用材料を溶融する。これにより、溶融した密着用材料を、インサート坩堝１１２Ａの外周面と水冷ハース１１１の凹部１１１ａ内面に十分馴染ませて、高い密着性を有する密着治具１１３Ａを形成することができる。ここで、密着用材料は、予め想定される密着治具１１３Ａの形状（図３参照）に粗加工した素材を挿入するものであってもよいし、粉末や顆粒状の材料を挿入するものであってもよいし、インサート坩堝１１２Ａを嵌合する際にフィルムや箔状の素材を挟み込んで挿入する（押し込む）ものであってもよい。
【００３７】
このような構成を有することにより、本実施形態においては、水冷ハース１１１に設けられた凹部１１１ａの内面（側面及び底面）と、インサート坩堝１１２Ａの外周面（側面及び底面）との間に、均一に密着するように、熱伝導性の高い密着治具１１３Ａが介在するので、インサート坩堝１１２Ａと水冷ハース１１１との間で、略均一で、かつ、適切な熱接触を図ることができる。
【００３８】
したがって、加熱、溶融した原材料１１４から水冷ハース１１１への熱伝導を均一化しつつ、極端な熱流出を抑制することができ、また、原材料１１４内部の温度分布の偏り（ばらつき）を緩和することができるので、図６（ｂ）に示すように、経過時間に対して安定した成膜レート（成膜速度）で蒸着膜を形成することができる。また、この場合における電子線強度も比較的低く設定することができる。したがって、本実施形態によれば均一な膜質の蒸着膜を再現性良く形成することができる。
【００３９】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る薄膜電極製造装置の第２の実施形態について説明する。
図７は、第２の実施形態に係る薄膜電極製造装置（電子ビーム真空蒸着装置）に適用される原材料収容部の一例を示す要部断面図である。図８は、本実施形態に係る原材料収容部の嵌合状態を示す斜視図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の構成については、同等又は同一の符号を付して、その説明を簡略化又は省略する。
【００４０】
上述した第１の実施形態においては、水冷ハース１１１の凹部１１１ａ内に設けられた密着治具１１３Ａを介して、インサート坩堝１１２Ａの外周面（側面及び底面）が水冷ハース１１１に均一に熱接触する場合について説明した。第２の実施形態においては、水冷ハース上面の凹部周辺の平坦な領域において、円周状（ドーナツ形状）に形成された密着治具を介して、インサート坩堝のフランジ部と水冷ハースが熱接触する構成を有している。
【００４１】
第２の実施形態に係る電子ビーム真空蒸着装置に適用される原料収容部は、図７、図８に示すように、凹部１１１ａが設けられた水冷ハース１１１と、上部（開放端）にフランジ部１１２ｆが設けられたインサート坩堝１１２Ｂと、インサート坩堝１１２Ｂのフランジ部１１２ｆの形状に対応して円周状（ドーナツ形状）に形成された密着治具１１３Ｂと、を有している。
【００４２】
水冷ハース１１１は、上述した第１の実施形態と同様に、上面にインサート坩堝１１２Ｂを嵌合するための凹部１１１ａが設けられている。インサート坩堝１１２Ｂは、図７（ａ）、図８に示すように、図面上部の開放端から円周状（つば状）に外方に張り出したフランジ部１１２ｆが設けられている。密着治具１１３Ｂは、上述した第１の実施形態と同様に、アルミニウムや銅等の熱伝導性や加工性に優れた材質により形成されている。また、密着治具１１３Ｂは、インサート坩堝１１２Ｂのフランジ部１１２ｆに対応して中央部分が円形に除去された円周状（ドーナツ形状）を有している。これにより、図７（ａ）、図８に示すように、インサート坩堝１１２Ｂを水冷ハース１１１の凹部１１１ａに嵌合した際に、インサート坩堝１１２Ｂのフランジ部１１２ｆ及び水冷ハース１１１上面の凹部１１１ａ周辺の平坦な領域が密着治具１１３Ｂを介して均一に密着する。
【００４３】
ここで、本実施形態においては、インサート坩堝１１２Ｂを密着治具１１３Ｂを介して水冷ハース１１１の凹部１１１ａに嵌合した状態で、図７（ａ）に示すように、インサート坩堝１１２Ｂがフランジ部１１２ｆにおいてのみ水冷ハース１１１と直接熱接触し、その外周面（すなわち側面及び底面）は水冷ハース１１１の凹部１１１ａの内面から離間して、略断熱状態になっている。
【００４４】
このような構成を有する原料収容部においても、インサート坩堝１１２Ｂのフランジ部１１２ｆを介して、水冷ハース１１１と略均一で、かつ、適切な熱接触を図ることができる。これにより、本実施形態によれば、図７（ｂ）に示すように、加熱、溶融した原材料１１４から水冷ハース１１１への熱伝導を均一化しつつ、極端な熱流出を抑制することができ、また、原材料１１４内部の温度分布の偏り（ばらつき）を緩和することができる。したがって、本実施形態によっても、安定した成膜レートで蒸着膜を形成することができるので、均一な膜質の蒸着膜を再現性良く形成することができる。
【００４５】
なお、本実施形態においては、インサート坩堝１１２Ｂと水冷ハース１１１が密着治具１１３Ｂを介して均一かつ良好に密着するように、インサート坩堝１１２Ｂのフランジ部１１２ｆを水冷ハース１１１方向に押圧するための機構を備えているものであってもよい。例えば、フランジ部１１２ｆを水冷ハース１１１に圧着固定するようにねじ止めしたり、クランプしたりする機構を備えるものであってもよい。
【００４６】
（画素）
次に、本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を適用して形成される画素について説明する。
図９は、本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を適用して形成される画素（発光駆動回路及び発光素子）の一例を示す等価回路図である。なお、図９に示す画素ＰＩＸの回路構成は、有機ＥＬ素子を備えた画素に適用される一例を示すものに過ぎず、他の回路構成を有するものであってもよいことはいうまでもない。
【００４７】
図９に示すように、本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法を適用して形成される画素ＰＩＸは、発光素子である有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬと、該発光素子を駆動するための発光駆動回路ＤＣと、を備えている。
【００４８】
発光駆動回路ＤＣは、例えば、トランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１とトランジスタ（駆動トランジスタ）Ｔｒ１２とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ１１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、ソース端子が接点Ｎ１１に接続されている。トランジスタＴｒ１２は、ゲート端子が接点Ｎ１１に接続され、ドレイン端子が電源電圧ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ１２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート端子（接点Ｎ１１）及びソース端子（接点Ｎ１２）間に接続されている。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノードが上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソードが所定の低電位電源（基準電圧Ｖss；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【００４９】
ここで、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、いずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタが適用されている。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート・ソース間に形成される寄生容量であり、該ゲート・ソース間に付加的に補助容量が設けられているものであってもよい。
【００５０】
なお、図９に示した画素ＰＩＸにおいて、選択ラインＬｓは、図示を省略した選択ドライバに接続され、所定のタイミングで画素ＰＩＸを選択状態に設定するための選択電圧Ｓselが印加される。また、データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで画像データに応じた階調信号（データ電圧）Ｖpixが印加される。また、電源電圧ラインＬａは、所定の高電位電源に接続され、トランジスタＴｒ１２により有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノードに画像データに応じた発光駆動電流を流すために、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードに印加される基準電圧Ｖssより電位の高い供給電圧Ｖddが印加される。
【００５１】
図１０は、図９に示した回路構成を有する画素の要部素子構造を示す概略断面図である。ここでは、図１０に示した画素の回路構成のうち、図示の都合上、トランジスタＴｒ１２とキャパシタＣｓと有機ＥＬ素子ＯＥＬとデータラインＬｄについてのみ断面構造を示す。なお、図１０に示す画素ＰＩＸの断面構造は、本発明を適用可能な一例を示すものに過ぎず、他の断面構造を有するものであってもよいことはいうまでもない。
【００５２】
図９に示した画素ＰＩＸは、例えば図１０に示すように、ガラス基板等の透明な基板１１の一面側（図面上面側）に設定された画素形成領域Ｒpxごとに形成される。この画素形成領域Ｒpxには、少なくとも、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelと、隣接する画素ＰＩＸとの境界領域Ｒbdと、が設定されている。ここで、境界領域Ｒbdには、隣接する画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelとの間に、図１０に示すように、層間絶縁膜１５及び隔壁層（バンク）１６が設けられている。そして、隔壁層１６の側壁により囲まれた領域が、ＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【００５３】
トランジスタＴｒ１２（図示を省略したトランジスタＴｒ１１も同じ）は、図１０に示すように、基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１２ｇと、ゲート絶縁膜１３を介してゲート電極Ｔｒ１２ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと、を有している。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓとドレイン電極Ｔｒ１２ｄが対向する半導体層ＳＭＣ上には、チャネル保護層ＢＬが形成されている。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと半導体層ＳＭＣとの間には、不純物層ＯＨＭがそれぞれ形成されている。このようなトランジスタＴｒ１２（トランジスタＴｒ１１を含む）は、図１０に示すように、基板１１上の境界領域Ｒbdに形成され、層間絶縁膜１５及び隔壁層１６により被覆されている。また、トランジスタＴｒ１２に隣接して、基板１１上に配設されるデータラインＬｄ（図示を省略した選択ラインＬｓ、及び、電源電圧ラインＬａも同じ）も同様に、境界領域Ｒbdに形成され、層間絶縁膜１５及び隔壁層１６により被覆されている。
【００５４】
キャパシタＣｓは、基板１１上に形成された透明電極からなる下部電極１２（Ｅca）と、誘電体層として兼用されるゲート絶縁膜１３を介して下部電極１２（Ｅca）に対応する領域に形成された透明電極からなる上部電極Ｅcbと、を有している。ここで、キャパシタＣｓの下部電極１２（Ｅca）は、図１０に示すように、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに電気的に接続されている。この接続部は、図９に示した画素ＰＩＸの回路構成においる接点Ｎ１１に相当する。また、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbは、図１０に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに電気的に接続されている。この接続部は、図９に示した画素ＰＩＸの回路構成においる接点Ｎ１２に相当する。また、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbは、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極（画素電極）１４を兼用している。
【００５５】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、図１０に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbとして兼用されるアノード電極（画素電極）１４と、正孔注入層１７ａ及び発光層１７ｂからなる有機ＥＬ層１７と、電子注入層１８と、カソード電極（対向電極）１９と、を順次積層した素子構造を有している。有機ＥＬ層１７は、基板１１上に形成された隔壁層１６の側壁により画定されたＥＬ素子形成領域Ｒelに露出するアノード電極１４上に形成される。電子注入層１８及びカソード電極１９は、有機ＥＬ層１７を介して、アノード電極１４に対向するように設けられる。また、図１０に示した素子構造においては、電子注入層１８及びカソード電極１９は、有機ＥＬ層１７が形成されるＥＬ素子形成領域Ｒel、及び、該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁層１６を含む基板１１の全域に設けられている。
【００５６】
ここで、電子注入層１８は、例えばアルカリ金属、あるいは、アルカリ土類金属からなる仕事関数の低い薄膜電極により形成される。また、カソード電極１９は、アルミニウム（Ａｌ）等の金属単体、又は、その合金からなる仕事関数が高く、光反射特性を有する薄膜電極により形成される。そして、本適用例においては、少なくとも有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極１９が、上述した各実施形態に係る薄膜電極製造装置を用いた真空蒸着法により成膜される。
【００５７】
このような素子構造を有する画素ＰＩＸにおいては、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極（画素電極）１４が光透過特性を有し、カソード電極１９が光反射特性を有することにより、有機ＥＬ層１７において発光した光は、光透過特性を有するアノード電極１４を介して直接、あるいは、光反射特性を有するカソード電極１９で反射したのち、基板１１を透過し、視野側である基板１１の他面側（図１０の図面下方）に出射される。すなわち、図１０に示した素子構造を有する有機ＥＬ素子ＯＥＬは、ボトムエミッション型の発光構造を有している。
【００５８】
（画素の製造方法）
次に、上述した素子構造を有する画素の製造方法について簡単に説明する。
図１１は、本発明に係る薄膜電極製造方法が適用される画素の製造方法を示す工程断面図である。
【００５９】
上述した表示装置の製造方法は、まず、図１１（ａ）に示すように、例えばガラスや石英、透明な樹脂等からなる基板１１の一面側（図面上面側）に、ＩＴＯや亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc Oxide）等の透明な（光透過特性を有する）電極材料膜を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、キャパシタＣｓの下部電極１２（Ｅca）を形成する。そして、基板１１上にゲートメタル層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、上記下部電極１２（Ｅca）に電気的に接続されたゲート電極Ｔｒ１２ｇと、データラインＬｄを同時に形成する。
【００６０】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、基板１１の全域にゲート絶縁膜１３を形成した後、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに対応するゲート絶縁膜１３上に、半導体層ＳＭＣ、チャネル保護層ＢＬ、不純物層ＯＨＭを形成する。次いで、ＥＬ素子形成領域Ｒelのゲート絶縁膜１３上に、ＩＴＯや亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc
Oxide）等の透明な（光透過特性を有する）電極材料からなるアノード電極１４（上部電極Ｅcb）を形成する。これにより、アノード電極１４（上部電極Ｅcb）と下部電極１２（Ｅca）が、誘電体層として兼用されるゲート絶縁膜１３を介して対向した、キャパシタＣｓが形成される。
【００６１】
次いで、基板１１上にソース、ドレインメタル層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、トランジスタＴｒ１２の半導体層ＳＭＣの両端部に、不純物層ＯＨＭを介して延在するように、ソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄを形成する。このとき、図１１（ｂ）に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓは、その一端がアノード電極１４上に延在するように形成されて、ソース電極Ｔｒ１２ｓとアノード電極１４（上部電極Ｅcb）が電気的に接続される。
【００６２】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、基板１１上の境界領域Ｒbdに形成されたトランジスタＴｒ１２（図示を省略したトランジスタＴｒ１１や選択ラインＬｓ、電源電圧ラインＬａを含む）を被覆するように、層間絶縁膜１５を形成する。その後、図１１（ｃ）に示すように、基板１１上の境界領域Ｒbdに連続的に突出する隔壁層１６を形成する。ここで、隔壁層１６は、例えば感光性の樹脂材料からなり、少なくとも各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelのアノード電極１４を露出させる開口部を有している。
【００６３】
次いで、図１１（ｄ）に示すように、基板１１上のＥＬ素子形成領域Ｒelに露出するアノード電極１４上に、例えばノズルプリンティング（又はノズルコート）法やインクジェット法等を用いて、例えば正孔注入層１７ａ及び発光層１７ｂを順次形成して、有機ＥＬ層１７を形成する。
【００６４】
その後、図１１（ｄ）に示すように、少なくとも有機ＥＬ層１７が形成された基板１１上に、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、インジウム（Ｉｎ）のいずれかからなる低仕事関数の電子注入層１８を形成する。さらに、アルミニウム（Ａｌ）等からなる、光反射特性を有し、かつ、高仕事関数のカソード電極１９を、上記隔壁層１６及び有機ＥＬ層１７が形成された基板１１上に形成することにより、図１０に示したボトムエミッション型の発光構造を有する有機ＥＬ素子ＯＥＬを備えた画素ＰＩＸが完成する。
【００６５】
ここで、カソード電極１９は、上述した実施形態に示したような原材料収容部を備えた薄膜電極製造装置（電子ビーム真空蒸着装置）を用いた真空蒸着法により成膜される。具体的には、上述した実施形態に示した電子ビーム真空蒸着装置（図１参照）において、銅（Ｃｕ）等の熱伝導性が高い材質からなる水冷ハース１１１の凹部１１１ａに、タングステン（Ｗ）等の高融点金属からなるインサート坩堝１１２Ａ又は１１２Ｂを勘合する。このとき、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａ又は１１２Ｂとの間に、アルミニウム（Ａｌ）等の熱伝導性が高く、かつ、成形加工が容易な比較的軟らかい材質からなる密着治具１１３Ａ、１１３Ｂを介在させることにより、水冷ハース１１１とインサート坩堝１１２Ａ又は１１２Ｂとの間で均一な熱接触を図る。その後、インサート坩堝１１２Ａ又は１１２Ｂにカソード電極１９の電極材料（蒸着用原材料１１４）として、例えばアルミニウム（Ａｌ）を収容し、真空チャンバー１１０を真空状態にして、当該電極材料に電子線を照射する。これにより、インサート坩堝１１２Ａ又は１１２Ｂ内の電極材料が加熱、溶融して蒸発し、基板ホルダー１１６に保持、固定された基板１１表面に付着してアルミニウムの薄膜電極が成膜され、カソード電極１９が形成される。
【００６６】
このようなカソード電極１９の形成方法（薄膜電極の製造方法）によれば、アルミニウムの薄膜電極を成膜する際の成膜レート（成膜速度）を安定的に制御することができるので、有機ＥＬ素子、又は、有機ＥＬ素子を備えた画素アレイを量産する場合であっても、均一かつ高品質の膜質を有する薄膜電極を再現性良く形成することができる。したがって、本発明によれば、良好な発光特性を有する発光素子（有機ＥＬ素子）を備えた画素アレイを実現することができる。
【００６７】
なお、図１０に示した有機ＥＬ素子ＯＥＬにおいては、ボトムエミッション型の発光構造を有する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、例えば、図１０に示した素子構造において、アノード電極１４又は下部電極Ｅcaがアルミニウム等の光反射特性を有する薄膜電極により形成され、カソード電極１９がＩＴＯ等の光透過特性を有する薄膜電極により形成されたトップエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。この場合、上述した実施形態に示した薄膜電極製造装置において、蒸着用原材料としてアルミニウムに換えてＩＴＯ等の透明電極材料を原材料収容部（インサート坩堝）に収容して、基板１１表面に蒸着させるものであってもよい。また、有機層上に薄膜電極を形成する類似の素子構造を有するデバイスとして太陽電池パネルがあるが、本発明に係る薄膜電極製造装置及び薄膜電極製造方法は、このようなデバイスの製造時においても良好に適用することができる。
【符号の説明】
【００６８】
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子
１４ アノード電極
１７ 有機ＥＬ層
１８ 電子注入層
１９ カソード電極
１００ 電子ビーム真空蒸着装置
１１０ 真空チャンバー
１１１ 水冷ハース
１１１ａ 凹部
１１２Ａ、１１２Ｂ インサート坩堝
１１２ｆ フランジ部
１１３Ａ、１１３Ｂ 密着治具
１１５ 電子線源
１１６ 基板ホルダー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空蒸着法により基板上に薄膜電極を形成する薄膜電極製造装置において、
蒸着用の原材料が収容される坩堝と、
前記坩堝が嵌合される凹部を有するとともに、温度が略一定に保持される坩堝収容体と、
前記坩堝収容体の前記凹部に前記坩堝を嵌合した状態で、前記坩堝と前記坩堝収容体との間に介在し、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達するための密着部材と、
を備えることを特徴とする薄膜電極製造装置。
【請求項２】
前記密着部材は、前記坩堝の外周面及び前記坩堝収容体の前記凹部の内面に均一に密着する形状を有していることを特徴とする請求項１記載の薄膜電極製造装置。
【請求項３】
前記坩堝は、開放端に円周状のフランジ部を有し、
前記密着部材は、前記坩堝の前記フランジ部及び前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に均一に密着する形状を有していることを特徴とする請求項１記載の薄膜電極製造装置。
【請求項４】
前記密着部材は、前記坩堝よりも融点が低く、かつ、前記蒸着用の原材料と同等以上の融点を有する材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜電極製造装置。
【請求項５】
前記密着部材は、加熱、溶融することにより、前記坩堝及び前記坩堝収容体に密着していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜電極製造装置。
【請求項６】
前記蒸着用の原材料は、アルミニウムであり、
前記坩堝は、高融点金属材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の薄膜電極製造装置。
【請求項７】
前記高融点金属材料が、タングステン、タンタル、モリブデンのいずれかであることを特徴とする請求項６記載の薄膜電極製造装置。
【請求項８】
坩堝に収容された蒸着用の原材料を、加熱、蒸発させて、基板上に薄膜電極を形成する薄膜電極製造方法において、
温度が略一定に保持される坩堝収容体に設けられた凹部に、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達するための密着部材を介して、前記坩堝が嵌合された状態で、前記坩堝に収容された前記蒸着用の原材料を、加熱、蒸発させる工程を有することを特徴とする薄膜電極製造方法。
【請求項９】
前記密着部材は、前記坩堝収容体の前記凹部の内部に設けられ、前記坩堝の外周面及び前記坩堝収容体の前記凹部の内面に密着することにより、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達することを特徴とする請求項８記載の薄膜電極製造方法。
【請求項１０】
前記坩堝は、開放端に円周状のフランジ部を有し、
前記密着部材は、前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に設けられ、前記坩堝の前記フランジ部及び前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に密着することにより、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達することを特徴とする請求項８記載の薄膜電極製造方法。
【請求項１１】
前記蒸着用の原材料を加熱、蒸発させる工程に先立って、
前記坩堝と前記坩堝収容体との間に介在する前記密着部材を加熱、溶融して、前記坩堝及び前記坩堝収容体に密着させる工程を有することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載の薄膜電極製造方法。
【請求項１２】
前記蒸着用の原材料を加熱、蒸発させて、前記基板上に形成される前記薄膜電極は、有機エレクトルミネッセンス素子の有機層に接する電極であることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかに記載の薄膜電極製造方法。
【請求項１３】
前記請求項８乃至１２に記載の薄膜電極製造方法を適用して形成された電極を有することを特徴とする発光素子。
【請求項１】
真空蒸着法により基板上に薄膜電極を形成する薄膜電極製造装置において、
蒸着用の原材料が収容される坩堝と、
前記坩堝が嵌合される凹部を有するとともに、温度が略一定に保持される坩堝収容体と、
前記坩堝収容体の前記凹部に前記坩堝を嵌合した状態で、前記坩堝と前記坩堝収容体との間に介在し、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達するための密着部材と、
を備えることを特徴とする薄膜電極製造装置。
【請求項２】
前記密着部材は、前記坩堝の外周面及び前記坩堝収容体の前記凹部の内面に均一に密着する形状を有していることを特徴とする請求項１記載の薄膜電極製造装置。
【請求項３】
前記坩堝は、開放端に円周状のフランジ部を有し、
前記密着部材は、前記坩堝の前記フランジ部及び前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に均一に密着する形状を有していることを特徴とする請求項１記載の薄膜電極製造装置。
【請求項４】
前記密着部材は、前記坩堝よりも融点が低く、かつ、前記蒸着用の原材料と同等以上の融点を有する材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜電極製造装置。
【請求項５】
前記密着部材は、加熱、溶融することにより、前記坩堝及び前記坩堝収容体に密着していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜電極製造装置。
【請求項６】
前記蒸着用の原材料は、アルミニウムであり、
前記坩堝は、高融点金属材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の薄膜電極製造装置。
【請求項７】
前記高融点金属材料が、タングステン、タンタル、モリブデンのいずれかであることを特徴とする請求項６記載の薄膜電極製造装置。
【請求項８】
坩堝に収容された蒸着用の原材料を、加熱、蒸発させて、基板上に薄膜電極を形成する薄膜電極製造方法において、
温度が略一定に保持される坩堝収容体に設けられた凹部に、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達するための密着部材を介して、前記坩堝が嵌合された状態で、前記坩堝に収容された前記蒸着用の原材料を、加熱、蒸発させる工程を有することを特徴とする薄膜電極製造方法。
【請求項９】
前記密着部材は、前記坩堝収容体の前記凹部の内部に設けられ、前記坩堝の外周面及び前記坩堝収容体の前記凹部の内面に密着することにより、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達することを特徴とする請求項８記載の薄膜電極製造方法。
【請求項１０】
前記坩堝は、開放端に円周状のフランジ部を有し、
前記密着部材は、前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に設けられ、前記坩堝の前記フランジ部及び前記坩堝収容体上面の前記凹部の周辺領域に密着することにより、前記坩堝の熱を前記坩堝収容体に均一に伝達することを特徴とする請求項８記載の薄膜電極製造方法。
【請求項１１】
前記蒸着用の原材料を加熱、蒸発させる工程に先立って、
前記坩堝と前記坩堝収容体との間に介在する前記密着部材を加熱、溶融して、前記坩堝及び前記坩堝収容体に密着させる工程を有することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載の薄膜電極製造方法。
【請求項１２】
前記蒸着用の原材料を加熱、蒸発させて、前記基板上に形成される前記薄膜電極は、有機エレクトルミネッセンス素子の有機層に接する電極であることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかに記載の薄膜電極製造方法。
【請求項１３】
前記請求項８乃至１２に記載の薄膜電極製造方法を適用して形成された電極を有することを特徴とする発光素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−３２５０６（Ｐ２０１１−３２５０６Ａ）
【公開日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１７７８２５（Ｐ２００９−１７７８２５）
【出願日】平成２１年７月３０日（２００９．７．３０）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月３０日（２００９．７．３０）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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