【課題】優れた視認性を有する透明導電性素子を提供する。
【解決手段】透明導電性素子は、第１の表面および第２の表面を有する基材と、第１の表面および第２の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部とを備える。透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、基材表面に交互に敷き詰められる。透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、透明導電性素子、それを用いる入力装置および電子機器、ならびにその製造に用いる透明導電性素子作製用原盤に関する。詳しくは、視認性を向上することができる透明導電性素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明でかつ抵抗が小さい薄膜を積層した透明導電性フィルムは、その導電性を利用した用途、例えば、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンス（ＥＬと略記される場合がある）ディスプレイなどのようなフラットパネルディスプレイや、抵抗膜式タッチパネルの透明電極など、電気、電子分野の用途に広く使用されている。
【０００３】
近年、静電容量式のタッチパネルが携帯電話、携帯音楽端末などのモバイル機器に搭載されるケースが増えている。このような静電容量式のタッチパネルでは、基材表面にパターニングされた透明導電層が形成された透明導電性フィルムが用いられる。しかしながら、従来の透明導電性フィルムを用いた場合、透明導電層を有する部分と除去された部分とでの光学特性の差が大きいため、パターニングが強調され、液晶ディスプレイなどの表示装置の前面に透明導電性フィルムを配置した際に、視認性が低下するという問題がある。
【０００４】
そこで、透明導電性薄膜層と基材フィルムとの間に、屈折率の異なる誘電体層を積層した積層膜を設け、これらの積層膜の光学干渉を利用して、透明導電性フィルムの視認性を向上する技術が提案されている（例えば特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２３２８２号公報
【０００６】
【特許文献２】特開２０１０−２７２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の技術では、積層膜の光学調整機能に波長依存があるため、透明導電性フィルムの視認性を十分に向上させることは困難である。このため、近年では、透明導電性フィルムの視認性を向上する技術として、上述の積層膜に代わる技術が望まれている。
【０００８】
したがって、本技術の目的は、優れた視認性を有する透明導電性素子、それを用いる情報入力装置および電子機器、ならびにその製造に用いる透明導電性素子作製用原盤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するために、第１の技術は、
表面を有する基材と、
表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
透明導電部と透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子である。
第２の技術は、
表面を有する基材と、
表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
透明導電部と透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
ランダム形状は、孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子である。
【００１０】
第３の技術は、
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
第１の表面および第２の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、第１の表面および第２の表面の少なくとも一方に平面的に交互に並べられ、
透明電極パターン部は、複数の孔部がランダムに形成された透明導電層であり、
透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子である。
第４の技術は、
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
第１の表面および第２の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、第１の表面および第２の表面の少なくとも一方に平面的に交互に並べられ、
透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、
透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界は、ランダム形状であり、
ランダム形状は、孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子である。
【００１１】
第５の技術は、
表面を有する第１の基材と、第１の基材の表面に平面的に交互に並べられた第１の透明導電部および第１の透明絶縁部とを有する第１の透明導電性素子と、
表面を有する第２の基材と、第２の基材の表面に平面的に交互に並べられた第２の透明導電部および第２の透明絶縁部とを有するとともに、第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
第１の透明導電部および第２の透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
第１の透明絶縁部および第２の透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
第１の透明導電部と第１の透明絶縁部との境界線上、および第２の透明導電部と第２の透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている入力装置である。
第６の技術は、
表面を有する第１の基材と、第１の基材の表面に平面的に交互に並べられた第１の透明導電部および第１の透明絶縁部とを有する第１の透明導電性素子と、
表面を有する第２の基材と、第２の基材の表面に平面的に交互に並べられた第２の透明導電部および第２の透明絶縁部とを有するとともに、第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
第１の透明導電部および第２の透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
第１の透明絶縁部および第２の透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
第１の透明導電部と第１の透明絶縁部との境界、および第２の透明導電部と第２の透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
ランダム形状は、孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である入力装置である。
【００１２】
第７の技術は、
表面を有する基材と、表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
透明導電部と透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている電子機器である。
第８の技術は、
表面を有する基材と、表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
透明導電部と透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
ランダム形状は、孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である電子機器である。
【００１３】
第９の技術は、
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが平面的に交互に並べられた表面を有し、
透明導電部形成領域には、凹状を有する複数の孔部がランダムに設けられ、
透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子形成用原盤である。
第１０の技術は、
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが平面的に交互に並べられた表面を有し、
透明導電部形成領域には、凹状を有する複数の孔部がランダムに設けられ、
透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域との境界は、ランダム形状であり、
ランダム形状は、孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子形成用原盤である。
【００１４】
本技術において、透明導電部の平均境界線長さＬ１と透明絶縁部の平均境界線長さＬ２との平均境界線長さ比（Ｌ１／Ｌ２）が、０．７５以上１．２５以下の範囲内であることが好ましい。
【００１５】
本技術において、透明導電部および透明絶縁部の反射Ｌ値の差の絶対値が、０．３未満であることが好ましい。
【００１６】
本技術において、孔部および島部が、ドット状を有していることが好ましい。ドット状は、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００１７】
本技術において、孔部間の導電部および島部間の間隙部が、網目状を有していることが好ましい。
【００１８】
本技術において、孔部がドット状を有し、島部間の間隙部が網目状を有していることが好ましい。
【００１９】
本技術において、孔部間の導電部が網目状を有し、島部がドット状を有していることが好ましい。
【００２０】
本技術において、透明導電部と透明絶縁部とにおけるランダムのパターンが、互いに異なるランダムのパターンであり、互いに異なるランダムのパターンは、互いに異なる生成条件にて生成されたランダムのパターンであることが好ましい。
【００２１】
本技術において、表面とは反対側となる裏面に、交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部をさらに備え、表面の透明導電層の被覆率と裏面の透明導電層の被覆率との加算値の差が、０％以上６０％以下の範囲内であることが好ましい。
【００２２】
本技術において、透明導電部が複数の領域を有し、領域の幅をＷ、領域の長さをＬとしたとき、比率（Ｌ／Ｗ）が大きな領域ほど、透明導電層の被覆率が大きく設定されていることが好ましい。複数の領域は、第１の領域と第２の領域とからなり、これらの２つの領域のうち比率（Ｌ／Ｗ）が大きな領域ほど、透明導電層の被覆率が大きく設定されていることが好ましい。
【００２３】
本技術において、透明導電部は、透明電極パターン部であることが好ましい。
【００２４】
第１１の技術は、
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
第１の表面および第２の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、第１の表面および第２の表面の少なくとも一方に交互に敷き詰められ、
透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子である。
【００２５】
第１２の技術は、
第１の透明導電性素子と、
第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
第１の透明導電性素子および第２の透明導電性素子の少なくとも一方が、
表面を有する基材と、
表面に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、基材の表面に交互に敷き詰められ、
透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている情報入力装置である。
【００２６】
第１３の技術は、
透明導電性素子を備え、
透明導電性素子は、
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
第１の表面および第２の表面に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、第１の表面および第２の表面に交互に敷き詰められ、
透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている情報入力装置である。
【００２７】
第１４の技術は、
透明電極パターン部形成領域と透明絶縁パターン部形成領域とが交互に敷き詰められた表面を有し、
透明電極パターン部形成領域には、凹状を有する複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部形成領域には、凸状を有する複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子形成用原盤である。
【００２８】
第１５の技術は、
基材の表面に導電性塗料を印刷する工程と、
導電性塗料を乾燥および／または加熱することにより、基材の表面に透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を形成する工程と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、基材の表面に交互に敷き詰められ、
透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子の製造方法である。
【００２９】
第１６の技術は、
基材の表面に設けられた透明導電層の表面に、レジストパターンを形成する工程と、
レジストパターンをマスクとして、透明導電層をエッチングすることにより、基材の表面に透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を形成する工程と
を備え、
透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とが、基材の表面に交互に敷き詰められ、
透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子の製造方法である。
【００３０】
本技術において、透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であることが好ましい。
【００３１】
本技術において、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線の形状は、ランダム形状であることが好ましい。ランダム形状としては、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線上に、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部を離間してランダムに形成することにより得られる形状、または孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状であることが好ましい。
【００３２】
本技術において、孔部および島部の形状は、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、ランダムパターンの生成の容易さの観点からすると、円形状が特に好ましい。また、孔部および島部の形状として異なる形状を採用するようにしてもよい。ここで、楕円形状には、数学的に定義される完全な楕円のみならず、多少の歪みが付与された楕円（例えば長円、卵型など）も含まれる。円形には、数学的に定義される完全な円（真円）のみならず、多少の歪みが付与された円形も含まれる。多角形には、数学的に定義される完全な多角形のみならず、辺に歪みが付与された多角形、角に丸みが付与された多角形、および辺に歪みが付与され、かつ角に丸みが付与された多角形なども含まれる。辺に付与される歪みとしては、凸状または凹状などの湾曲などが挙げられる。
【００３３】
本技術において、ランダムパターンを有する複数の孔部および複数の島部の形成方法としては、均一な膜を形成したのちに不要部分を除去する方法（以下適宜エッチング法という。）、ランダムパターンを最初から直接形成する方法（以下適宜印刷法という。）などが挙げられるが、形成方法はこれらの方法に制限されるものではない。エッチング法としては、露光によりパターニングを施し、エッチング液を用いてウエットエッチングする方法や、エッチングペーストをパターニング形状どおりに塗布する方法などを用いることができるが、これらの方法に特に限定されるものではない。また、印刷法としては、スクリーン印刷、水なし平板印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷、反転オフセット印刷、マイクロコンタクトプリントを用いることができるが、これらの方法に制限されるものではない。
【００３４】
本技術において、透明電極パターン部は、Ｘ電極パターン部またはＹ電極パターン部であることが好ましい。透明導電性素子を静電容量方式の情報入力装置（タッチパネル）として用いる場合には、Ｘ電極パターン部とＹ電極パターン部とを、各々異なる基材の第１の表面および第２の表面の一方に形成して使用してもよい。また、Ｘ電極パターン部とＹ電極パターン部とをそれぞれ、一枚の基材の第１の表面および第２の表面に形成してもよいし、Ｘ電極パターン部とＹ電極パターン部との両方を、一枚の基材の第１の表面および第２の表面の一方に形成して使用してもよい。Ｘ電極パターン部とＹ電極パターン部との両方を、一枚の基材の第１の表面および第２の表面の一方に形成する場合、Ｘ電極パターン部とＹ電極パターン部との間の隙間に、透明絶縁パターン部を形成することが好ましい。
【００３５】
本技術において、複数の孔部すべてを離間して形成することが好ましいが、視認性の低下および導電性の低下を招かない範囲であれば、複数の孔部の一部を互いに接し合わせる、または重なり合わせるようにしてもよい。また、複数の島部すべてを離間して形成することが好ましいが、視認性の低下および絶縁性の低下を招かない範囲であれば、複数の島部の一部を互いに接し合わせる、または重なり合わせるようにしてもよい。
【００３６】
本技術では、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とを基材表面に交互に敷き詰めているので、透明電極パターン部が形成されている領域と、透明電極パターン部が形成されていない領域（すなわち透明絶縁パターン部が形成されている領域）との、光学特性の差を小さくすることができる。したがって、透明電極パターン部の視認を抑制することができる。また、透明電極パターン部には複数の孔部を離間してランダムに形成し、透明絶縁パターン部には複数の島部を離間してランダムに形成しているので、モアレの発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００３７】
以上説明したように、本技術によれば、透明電極パターン部の視認を抑制し、かつ、モアレの発生を抑制することができるので、優れた視認性を有する透明導電性素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。
【図２】図２Ａは、本技術の第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図２Ｂは、図１Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２Ｃは、図２Ａに示した領域Ｃ₁を拡大して示す平面図である。
【図３】図３Ａは、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線近傍を拡大して示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】図４Ａは、本技術の第１の実施形態に係る第２の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図４Ｂは、図４Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図４Ｃは、図４Ａに示した領域Ｃ₂を拡大して示す平面図である。
【図５】図５Ａ〜図５Ｄは、本技術の第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図６】図６は、ランダムパターン生成のアルゴリズを説明するための略線図である。
【図７】図７は、ランダムパターン生成のアルゴリズを説明するためのフローチャートである。
【図８】図８は、ランダムパターン生成のアルゴリズを説明するための略線図である。
【図９】図９は、ランダムパターン生成のアルゴリズを説明するためのフローチャートである。
【図１０】図１０は、ランダムパターン生成のアルゴリズを説明するための略線図である。
【図１１】図１１Ａは、ランダムパターンの生成方法のイメージを示す模式図である。図１１Ｂは、円の面積比率を８０％としたランダムパターン生成の例を示す図である。
【図１２】図１２Ａは、生成パターンより円半径を小さくした例を示す図である。図１２Ｂは、角を取った正方形でパターンを生成した例を示す図である。
【図１３】図１３Ａは、第１の透明導電性素子の透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線近傍を拡大して表す平面図である。図１３Ｂは、第２の透明導電性素子の透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線近傍を拡大して表す平面図である。
【図１４】図１４Ａ〜図１４Ｅは、本技術の第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子、および第２の透明導電性素子の変形例を示す断面図である。
【図１５】図１５Ａは、本技術の第２の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法で用いられる原盤の形状の一例を示す斜視図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示した第１領域Ｒ₁および第２領域Ｒ₂の一部を拡大して示す平面図である。
【図１６】図１６Ａ、図１６Ｂは、本技術の第２の実施形態に係る第１の導電性素子の製造方法の一例について説明するための工程図である。
【図１７】図１７Ａは、本技術の第３の実施形態に係る第１の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図１７Ｂは、図１７Ａに示したａ−ａ線に沿った断面図である。図１７Ｃは、図１７Ａに示した領域Ｃ₁を拡大して示す平面図である。
【図１８】図１８Ａは、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線近傍を拡大して示す平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示したｂ−ｂ線に沿った断面図である。
【図１９】図１９Ａは、本技術の第３の実施形態に係る第２の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示したｃ−ｃ線に沿った断面図である。図１９Ｃは、図１９Ａに示した領域Ｃ₂を拡大して示す平面図である。
【図２０】図２０Ａ〜図２０Ｃは、導電部のパターンと比較例の説明図である。
【図２１】図２１は、導電部の被覆率に対するシート抵抗の説明図である。
【図２２】図２２Ａは、本技術の第３の実施形態に係る第１および第２の透明導電性素子の重なり領域を説明するための平面図である。図２２Ｂは、図２２Ａの一部を拡大して表す平面図である。
【図２３】図２３Ａ、２３Ｂは、本技術の第３の実施形態における乱数の重み付けを説明するためのグラフである。
【図２４】図２４Ａ〜図２４Ｃは、本技術の第３の実施形態におけるメッシュパターンの形成方法を説明するための略線図である。
【図２５】図２５Ａは、本技術の第３の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法で用いられる原盤の形状の一例を示す斜視図である。図２５Ｂは、図２５Ａに示した第１領域Ｒ₁および第２領域Ｒ₂の一部を拡大して表す平面図である。
【図２６】図２６Ａは、本技術の第４の実施形態に係る第１の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図２６Ｂは、本技術の第４の実施形態に係る第２の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。
【図２７】図２７Ａは、本技術の第４の実施形態に係る第１および第２の透明導電性素子の重なり領域の説明するための平面図である。図２７Ｂは、図２７Ａの一部を拡大して表す平面図である。
【図２８】図２８は、本技術の第４の実施形態におけるパターンの組み合わせを説明するための略線図である。
【図２９】図２９Ａ〜図２９Ｃは、本技術の第５の実施形態に係る透明導電性素子の構成例を示す断面図である。
【図３０】図３０は、本技術の第６の実施形態に係る透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。
【図３１】図３１Ａは、図３０に示した領域Ａを拡大して表す平面図である。図３１Ｂは、図３１ＡのＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３２】図３２Ａ〜図３２Ｃは、生成パターンに基づいて絶対領域の溝パターンを作製する手順を説明するための平面図である。
【図３３】図３３は、溝パターンの幅の変更を示す平面図である。
【図３４】図３４Ａは、本技術の第６の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法で用いられる原盤の形状の一例を示す斜視図である。図３４Ｂは、図３４Ａに示した第１領域Ｒ₁および第２領域Ｒ₂の一部を拡大して表す平面図である。
【図３５】図３５Ａは、本技術の第７実施形態に係る透明導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図３５Ｂは、図３５ＡのＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３６】図３６Ａは、本技術の第８実施形態に係る透明導電性素子の一構成例を説明するための平面図である。図３６Ｂは、本技術の第８実施形態に係る透明導電性素子の変形例を説明するための平面図である。
【図３７】図３７は、本技術の第９の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。
【図３８】図３８Ａは、本技術の第１０の実施形態に係る透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図３８Ｂは、図３８Ａに示したＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。
【図３９】図３９Ａは、図３８Ａに示した交差部Ｃの付近を拡大して示す平面図である。図３９Ｂは、図３９Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４０】図４０は、表示部を備えたテレビ（電子機器）を示す斜視図である。
【図４１】図４１は、表示部を備えたデジタルカメラ（電子機器）を示す斜視図である。
【図４２】図４２は、表示部を備えたノート型パーソナルコンピュータ（電子機器）を示す斜視図である。
【図４３】図４３は、表示部を備えたビデオカメラ（電子機器）を示す斜視図である。
【図４４】図４４は、表示部を備えた携帯端末装置（電子機器）の正面図である。
【図４５】図４５Ａ、図４５Ｂは、実施例１の透明導電性フィルムの透明電極パターン部、および透明絶縁パターン部の写真を示す。
【図４６】図４６Ａ、図４６Ｂは、実施例のランダムパターンを説明するための平面図である。
【図４７】図４７は、実施例のランダムパターンを説明するための平面図である。
【図４８】図４８は、実施例３−１〜３−３の透明電極パターン部（電極領域）および透明絶縁パターン部（絶縁領域）を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１．第１の実施形態（透明導電性素子およびそれを用いた情報入力装置の一例）
２．第２の実施形態（印刷法による透明導電性素子の製造方法の一例）
３．第３の実施形態（透明電極パターン部および透明絶縁パターン部のランダムパターンが互いに異なる例）
４．第４の実施形態（ダイヤモンドパターン状電極の例）
５．第５の実施形態（金属ナノワイヤーを用いた透明導電性素子の例）
６．第６の実施形態（透明絶縁パターン部に網目状の溝部が設けられた例）
７．第７の実施形態（透明絶縁パターン部のみにランダムパターンを設けた透明導電性素子の例）
８．第８の実施形態（透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線長さ比の数値範囲を限定した例）
９．第９の実施形態（基材の一主面にＸ電極が設けられ、他主面にＹ電極が設けられた例）
１０．第１０の実施形態（基材の一主面にＸ電極およびＹ電極が設けられた例）
１１．第１１の実施形態（電子機器への適用例）
【００４０】
＜１．第１の実施形態＞
［情報入力装置の構成］
図１は、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。図１に示すように、情報入力装置１０は、表示装置４の表示面上に設けられる。情報入力装置１０は、例えば貼合層５により表示装置４の表示面に貼り合わされている。
【００４１】
情報入力装置１０は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、第１の透明導電性素子１と、この第１の透明導電性素子１の表面上に設けられた第２の透明導電性素子２とを備え、第１の透明導電性素子１と第２の透明導電性素子２とは貼合層６を介して貼り合わされている。また、必要に応じて、第２の透明導電性素子２の表面上に光学層３をさらに備えるようにしてもよい。
【００４２】
（第１の透明導電性素子）
図２Ａは、本技術の第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２Ｃは、図２Ａに示した領域Ｃ₁を拡大して示す平面図である。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第１の透明導電性素子１は、表面を有する基材１１と、この表面に形成された透明導電層１２とを備える。透明導電層１２は、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とを備える。透明電極パターン部１３は、Ｘ軸方向に延在されたＸ電極パターン部である。透明絶縁パターン部１４は、いわゆるダミー電極パターン部であり、Ｘ軸方向に延在されるとともに、透明電極パターン部１３の間に介在されて、隣り合う透明電極パターン部１３の間を絶縁する絶縁パターン部である。これらの透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とが、基材１１の表面にＹ軸方向に向かって交互に敷き詰められている。なお、図２Ａ〜図２Ｃにおいて、領域Ｒ₁は透明電極パターン部１３の形成用領域を示し、領域Ｒ₂は透明絶縁パターン部１４の形成領域を示す。
【００４３】
透明電極パターン部１３、および透明絶縁パターン部１４の形状は、画面形状や駆動回路などに応じて適宜選択することが好ましく、例えば、直線状、複数の菱形状（ダイヤモンド形状）を直線状に連結した形状などが挙げられるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。なお、図２Ａでは、透明電極パターン部１３、および透明絶縁パターン部１４の形状を直線状とした場合が例示されている。
【００４４】
図２Ｃに示すように、透明電極パターン部１３は、複数の孔部１３ａが離間してランダムに形成された透明導電層であり、隣り合う孔部１３ａの間には導電部１３ｂが介在されている。一方、透明絶縁パターン部１４は、離間してランダムに形成された複数の島部１４ａからなる透明導電層であり、隣り合う島部１４ａの間には絶縁部としての間隙部１４ｂが介在される。ここで、間隙部１４ｂでは、透明導電層が完全に除去されていることが好ましいが、間隙部１４ｂが絶縁部として機能する範囲内であれば、透明導電層の一部が島状や薄膜状に残留していてもよい。孔部１３ａおよび島部１４ａは周期性のないランダム構造を有することが好ましい。孔部１３ａおよび島部１４ａがミクロンオーダー以下の周期構造によって形成されていると、それ自体で干渉光が発生したり、表示装置４の表示面上に情報入力装置１０を配置して目視した場合、モアレが発生したりする傾向がある。
【００４５】
図３Ａは、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線近傍を拡大して示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図３Ａおよび図３Ｂに示すように、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４との境界線Ｌ₁上には、複数の反転部１５が離間してランダムに形成されていることが好ましい。反転部１５は、孔部１３ａと島部１４ａとを有し、境界線Ｌ₁を境にして孔部１３ａから島部１４ａに反転する構成を有している。このように境界線Ｌ₁上に複数の反転部１５をランダムに形成することで、境界線Ｌ₁の視認を抑制することができるからである。
【００４６】
第１の領域Ｒ₁では、例えば、複数の孔部１３ａが基材表面の露出領域となるのに対して、隣り合う孔部１３ａ間に介在された導電部１３ｂが基材表面の被覆領域となる。一方、第２の領域Ｒ₂では、複数の島部１４ａが基材表面の被覆領域となるのに対して、隣り合う島部１４ａ間に介在された間隙部１４ｂが基材表面の露出領域となる。第１の領域Ｒ₁と第２の領域Ｒ₂との被覆率差を６０％以下、好ましくは４０％以下、さらに好ましくは３０％以下とし、かつ、孔部１３ａおよび島部１４ａの部分を目視で視認できない大きさで形成することが好ましい。透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とを目視により比較したとき、透明導電層が第１の領域Ｒ₁と第２の領域Ｒ₂とで同じように被覆されているように感じられるため、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４との視認を抑制することができる。
【００４７】
第１の領域Ｒ₁における導電部１３ｂによる被覆面積の割合は高くすることが好ましい。被覆率が低くなるにつれて、同じ導電性を持たせようとすると、導電部１３ｂの厚みを増やさなければならないが、エッチング加工することを考えた場合、最初の全面製膜時の厚みを厚くしなければならず、被覆率と反比例してコストが増大してしまうからである。例えば、被覆率が５０％の場合は材料費が２倍、被覆率が１０％の場合は材料費が１０倍となる。その他にも導電部１３ｂの膜厚が厚くなることで、光学特性の劣化や、導電物質を塗料化して微細パターンを印刷する場合、印刷性の低下といった問題も生じる。被覆率が小さくなりすぎると、絶縁してしまう可能性も大きくなる。以上の点を考慮すると、少なくとも被覆率は１０％以上であることが好ましい。被覆率の上限値は、特に制限されるものではない。
【００４８】
第２の領域Ｒ₂における島部１４ａによる被覆率は、高すぎるとランダムパターンの生成自体が困難になるとともに、島部１４ａ同士が接近し短絡する恐れがあるため、島部１４ａによる被覆率は９５％以下にすることが好ましい。
【００４９】
孔部１３ａおよび島部１４ａの形状としては、目視により認識できず周期性を持たなければよく、例えば、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる１種または２種以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。但し、個々のサイズが大きすぎると、目視により孔部１３ａおよび島部１４ａの形状が視認できてしまうため、任意の点からいずれの方向にも５０μｍ以上連続して導電部あるいは非導電部が続くような形状は避けることが好ましい。例えば島部１４ａを円形状にする場合、直径を１００μｍ未満にすることが好ましい。視認する距離によっては、任意の点からいずれの方向にも３０μｍ以上連続して導電部あるいは非導電部が続くような形状は避けることが好ましい。第１の透明導電性素子１の作製方法によっては、透明導電層の厚みが均一でない場合もある。その場合、上記「被覆率」を、単位面積あたりの導電材料の体積で定義してもよい。
【００５０】
透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４の反射Ｌ値の差の絶対値が、０．３未満であることが好ましい。透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４の視認を抑制することができるからである。
【００５１】
（基材）
基材１１の材料としては、例えば、ガラス、プラスチックを用いることができる。ガラスとしては、例えば公知のガラスを用いることができる。公知のガラスとしては、具体的には例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなどが挙げられる。プラスチックとしては、例えば、公知の高分子材料を用いることができる。公知の高分子材料としては、具体的には例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル（ＴＰＥＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（Ｐ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００５２】
ガラス基材の厚みは、２０μｍ〜１０ｍｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。プラスチック基材の厚さは、２０μｍ〜５００μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
【００５３】
（透明導電層）
透明導電層１２の材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物、もしくは銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、又はこれらの合金などが挙げられる。カーボンナノチューブをバインダー材料に分散させた複合材料を用いてもよい。置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体の導電性ポリマーを使用してもよい。これら２種以上を複合して使用してもよい。
【００５４】
透明導電層１２の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法や、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法など用いることができる。透明導電層１２、２２の厚みは、パターニング前の状態（基材１１の全面に透明導電層１２、２２が形成されている状態）にて表面抵抗が１０００Ω／□以下となるように適宜選択することが好ましい。
【００５５】
（第２の透明導電性素子）
図４Ａは、本技術の第１の実施形態に係る第２の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図４Ｂは、図４Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図４Ｃは、図４Ａに示した領域Ｃ₂を拡大して示す平面図である。図４Ａおよび図４Ｂに示すように、第２の透明導電性素子２は、表面を有する基材２１と、この表面に形成された透明導電層２２とを備える。透明導電層２２は、透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４とを備える。透明電極パターン部２３は、Ｙ軸方向に延在されたＹ電極パターン部である。透明絶縁パターン部２４は、いわゆるダミー電極パターン部であり、Ｙ軸方向に延在されるとともに、透明電極パターン部２３の間に介在されて、隣り合う透明電極パターン部２３の間を絶縁する絶縁パターン部である。これらの透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４とが、基材１１の表面にＸ軸方向に向かって交互に敷き詰められている。第１の透明導電性素子１が有する透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４と、第２の透明導電性素子２が有する透明電極パターン部２３および透明絶縁パターン部２４とは、例えば互いに直交する関係にある。なお、図４Ａ〜図４Ｃにおいて、領域Ｒ₁は透明電極パターン部２３の形成用領域を示し、領域Ｒ₂は透明絶縁パターン部２４の形成領域を示す。
【００５６】
図４Ｃに示すように、透明電極パターン部２３は、複数の孔部２３ａが離間してランダムに形成された透明導電層であり、隣り合う孔部２３ａの間には導電部２３ｂが介在されている。一方、透明絶縁パターン部２４は、離間してランダムに形成された複数の島部２４ａからなる透明導電層であり、隣り合う島部２４ａの間には絶縁部としての間隙部２４ｂが介在されている。透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４との境界線Ｌ₂上には、複数の反転部２５が離間してランダムに形成されていることが好ましい。
第２の透明導電性素子２において、上記以外のことは第１の透明導電性素子１と同様である。
【００５７】
（光学層）
光学層３は、例えば、基材３１と、基材３１と第２の透明導電性素子２との間に設けられた貼合層３２とを備え、この貼合層３２を介して基材３１が第２の透明導電性素子２の表面に貼り合わされる。光学層３はこの例に限定されるものではなく、ＳｉＯ₂などのセラミックコート（オーバーコート）とすることも可能である。
【００５８】
（表示装置）
情報入力装置１０が適用される表示装置４は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。
【００５９】
［透明導電性素子の製造方法］
次に、図５Ａ〜図５Ｄを参照しながら、以上のように構成される第１の導電性素子１の製造方法の一例について説明する。なお、第２の透明導電性素子２は、第１の透明導電性素子１と同様にして製造することができるので、第２の透明導電性素子２の製造方法については説明を省略する。
【００６０】
（透明導電層の成膜工程）
まず、図５Ａに示すように、基材１１の表面上に透明導電層１２を形成する。透明導電層１２を形成する際に、基材１１を加熱するようにしてもよい。透明導電層１２の形成方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。次に、必要に応じて、透明導電層１２に対してアニール処理を施す。これにより、透明導電層１２が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態、または多結晶状態となり、透明導電層１２の導電性が向上する。
【００６１】
（レジスト層の成膜工程）
次に、図５Ｂに示すように、透明導電層１２の表面上に、上述の孔部１３ａおよび間隙部１４ｂに対応する部分に開口部３３を有するレジスト層４１を形成する。レジスト層４１の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。
【００６２】
（現像工程）
次に、図５Ｃに示すように、複数の開口部３３が形成されたレジスト層４１をエッチングマスクとして、透明導電層１２に対してエッチング処理を施す。これにより、第１の領域Ｒ₁の透明導電層１２には孔部１３ａおよび導電部１３ｂが形成されるとともに、第２の領域Ｒ₂の透明導電層１２には島部１４ａおよび間隙部１４ｂが形成される。エッチングとしては、例えば、ドライエッチングおよびウエットエッチングのいずも用いることができるが、設備が簡易である点からすと、ウエットエッチングを用いることが好ましい。
【００６３】
（レジスト層の剥離工程）
次に、図５Ｄに示すように、アッシングなどにより、透明導電層１２上に形成されたレジスト層４１を剥離する。
以上により、目的とする第１の透明導電性素子１が得られる。
【００６４】
［ランダムパターンの生成方法］
以下、孔部１３ａ、２３ａ、および島部１４ａ、２４ａを形成するためのランダムパターンの生成方法について説明する。ここでは、円形状のランダムパターンを生成する場合を例として説明するが、ランダムパターンの形状はこれに限定されるものではない。
【００６５】
（ランダムパターン生成の基本アルゴリズム）
円の半径を設定範囲内でランダムに変化させ、隣接した円が常に接するように円の中心座標を計算し配置することで、配置のランダム性と高密度充填を両立したパターンを生成する。以下のようなアルゴリズムにより、少ない計算量で高密度、かつ一様にランダム配置されたパターンが得られる。
【００６６】
（１）Ｘ軸上に「半径をある範囲でランダム」とした円を接するように並べる。
（２）「ランダムな半径の円」を決定し、既存の２円に接し、他の円に重ならないよう下から順に積上げる。
以下に、ランダムパターン生成時に使用するパラメータを示す。
Ｘ_min：円を生成する領域のＸ座標最大値
Ｙ_max：円を生成する領域のＹ座標最大値
Ｒ_min：生成する円の最小半径
Ｒ_max：生成する円の最大半径
Ｒ_fill：充填率を上げるため、補助的に円を設定する場合の最小半径
Ｒｎｄ：０．０〜１．０の範囲で得られる乱数値
Ｐ_n：Ｘ座標値Ｘ_n、Ｙ座標値Ｙ_n、半径ｒ_nで定義される円
【００６７】
（１）Ｘ軸上に「半径をある範囲でランダム」とした円を接するように並べる
以下に、使用するパラメータを示す。
Ｘ_min：円を生成する領域のＸ座標最大値
Ｙ_w：Ｘ軸上に円を配置する時に、取り得るＹ座標の最大値の設定
Ｒ_min：生成する円の最小半径
Ｒ_max：生成する円の最大半径
Ｒｎｄ：０．０〜１．０の範囲で得られる乱数値
Ｐ_n：Ｘ座標値ｘ_n、Ｙ座標値ｙ_n、半径ｒ_nで定義される円
【００６８】
図６に示すように、Ｙ座標値をＸ軸上である０．０から概ねＲ_minの値の範囲でランダムに決定し、また半径をＲ_minからＲ_maxの範囲でランダムに決定した円を、既存の円に接するように並べることを繰り返し、Ｘ軸上にランダムに1列の円を並べる。
【００６９】
以下、図７に示したフローチャートを用いてアルゴリズムについて説明する。
まず、ステップＳ１において、必要なパラメータを設定する。次に、ステップＳ２において、円Ｐ₀（ｘ₀，ｙ₀，ｒ₀）を以下のように設定する。
ｘ₀＝０．０
ｙ₀＝０．０
ｒ₀＝Ｒ_min＋（Ｒ_max−Ｒ_min）×Ｒｎｄ
【００７０】
次に、ステップＳ３において、円Ｐ_n（ｘ_n，ｙ_n，ｒ_n）を以下の式により決定する。
ｒ_n＝Ｒ_min＋(Ｒ_max−Ｒ_min)×Ｒｎｄ
ｙ_n＝Ｙ_w×Ｒｎｄ
ｘ_n＝ｘ_n-1＋（ｒ_n−ｒ_n-1）×ｃｏｓ（ａｓｉｎ（ｙ_n−ｙ_n-1）／（ｒ_n−ｒ_n-1））
【００７１】
次に、ステップＳ４において、Ｘ_n＞Ｘ_maxであるか否かを判別する。ステップＳ４にてＸ_n＞Ｘ_maxであると判別された場合には、処理は終了する。ステップＳ４にてＸ_n＞Ｘ_maxでないと判別された場合には、処理はステップＳ５に進む。ステップＳ５において、円Ｐ_n（ｘ_n，ｙ_n，ｒ_n）を記憶する。次に、ステップＳ６において、ｎの値をインクリメントし、ステップＳ３に処理を移行する。
【００７２】
（２）「ランダムな半径の円」を決定し、既存の２円に接し、他の円に重ならないよう下から順に積上げる。
以下に、使用するパラメータを示す。
Ｘ_min：円を生成する領域のＸ座標最大値
Ｙ_max：円を生成する領域のＹ座標最大値
Ｒ_min：生成する円の最小半径
Ｒ_max：生成する円の最大半径
Ｒ_fill：充填率を上げるため、補助的に円を設定する場合の最小半径
Ｒｎｄ：０．０〜１．０の範囲で得られる乱数値
Ｐ_n：Ｘ座標値ｘ_n、Ｙ座標値ｙ_n、半径ｒ_nで定義される円
【００７３】
図８に示すように、（１）で決定した、Ｘ軸上に1列に並んだ円を元に、Ｒ_minからＲ_maxの範囲で、ランダムな半径の円を決定し、Ｙ座標が小さい方から他の円に接するように円を配置し重ねて行く。また、Ｒ_minより小さいＲ_fillを設定し、決定した円では埋まらない隙間ができた場合にのみ、隙間を埋めることで充填率を向上させる。Ｒ_minより小さい円を用いない場合は、Ｒ_fill＝Ｒ_minと設定する。
【００７４】
以下、図９に示したフローチャートを用いてアルゴリズムについて説明する。
まず、ステップＳ１１において、必要なパラメータを設定する。次に、ステップＳ１２において、円Ｐ₀から円Ｐ_nのうちＹ座標値ｙ_iが最小な円Ｐ_iを求める。次に、ステップＳ１３において、ｙ_i＜Ｙ_maxである否かを判別する。ステップＳ１３にてｙ_i＜Ｙ_maxであると判別された場合には、処理は終了となる。ステップＳ１３において、ｙ_i＜Ｙ_maxでないと判別された場合には、ステップＳ１４において、追加する円Ｐ_kの半径ｒ_kをｒ_k＝Ｒ_min＋（Ｒ_max−Ｒ_min）×Ｒｎｄとする。次に、ステップＳ１５において、円Ｐ_i近傍で円Ｐ_iを除きＹ座標値ｙ_iが最小な円Ｐ_jを求める。
【００７５】
次に、ステップＳ１６において、最小な円Ｐ_iが存在するか否かを判別する。ステップＳ１６にて最小な円Ｐ_iが存在しないと判別した場合には、ステップＳ１７において、以降Ｐ_iは無効とする。ステップＳ１６にて最小な円Ｐ_iが存在すると判別した場合には、ステップＳ１８において、円Ｐ_iと円Ｐ_jとに接する半径ｒ_kの円Ｐ_kが存在するかを求める。ステップＳ１８において、接する２つの円に、任意の半径の円が接するように配置するときの座標の求め方を図１０に示す。
【００７６】
次に、ステップＳ１９において、円Ｐ_iと円Ｐ_jとに接する半径ｒ_kの円Ｐ_kが存在するか否かを判別する。ステップＳ１９において円Ｐ_kが存在しないと判別した場合には、ステップＳ２０において、以降円Ｐ_i、円Ｐ_jの組み合わせは除外する。ステップＳ１９において円Ｐ_kが存在すると判別した場合には、ステップＳ２１において、円Ｐ₀から円Ｐ_nに円Ｐ_kと重なる円が存在するか否かを判別する。ステップＳ２１にて重なる円が存在しないと判別した場合には、ステップＳ２４において、円Ｐ_k（ｘ_k，ｙ_k，ｒ_k）を記憶する。次に、ステップＳ２５において、ｎの値をインクリメントし、ステップＳ１２に処理を移行する。
【００７７】
ステップＳ２１にて重なる円が存在すると判別した場合には、ステップＳ２２にて円Ｐ_kの半径ｒ_kをＲ_fill以上の範囲で小さくすれば重なりを回避できるか否かを判別する。ステップＳ２２にて重なりを回避できないと判別した場合には、ステップＳ２０において、以降円Ｐ_i、円Ｐ_jの組み合わせは除外する。ステップＳ２２にて重なりを回避できると判別した場合には、半径ｒ_kを重なりを回避できる最大の値にする。次に、ステップＳ２４において、円Ｐ_k（ｘ_k，ｙ_k，ｒ_k）を記憶する。次に、ステップＳ２５において、ｎの値をインクリメントし、ステップＳ１２に処理を移行する。
【００７８】
図１１Ａは、ランダムパターンの生成方法のイメージを示す模式図である。図１１Ｂは、円の面積比率を８０％としたランダムパターン生成の例を示す図である。図１１Ａに示すように、設定した範囲内で円の半径をランダムに変化させて積み上げることで、規則性を廃した密度の高いパターンを生成することができる。パターンに規則性が無いため、情報入力装置１０などのモアレの発生などの弊害を回避することができる。
【００７９】
図１２Ａは、生成パターンより円半径を小さくした例を示す図である。図１２Ｂは、角を取った正方形でパターンを生成した例を示す図である。生成した円内に円より小さい図形を描くことで、それぞれが孤立したパターンを形成することができる（図１２Ａ）。このように孤立したパターンを用いることで、透明電極パターン部１３、２３、および透明絶縁パターン部１４、２４を形成することができる。生成したパターン円内に任意の図形を描くことで、パターンの傾向を変えたり、面積占有率を調整することができる（図１２Ｂ）。円内に描く図形の形状例としては、円、楕円、多角形、角を取った多角形、不定形などが挙げられ、図１２Ｂでは、角を取った多角形の例が示されている。
【００８０】
（変形例）
以下、第１の実施形態に係る第１の透明導電性素子および第２の透明導電性素子の変形例について説明する。
【００８１】
（境界線）
図１３Ａは、第１の透明導電性素子の透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線近傍を拡大して表す平面図である。図１３Ｂは、第２の透明導電性素子の透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線近傍を拡大して表す平面図である。図１３Ａに示すように、第１の透明導電性素子の透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線Ｌ₁の形状を、孔部１３ａおよび島部１４ａの形状の一部を組み合わせて得られる形状とすることが好ましい。このような形状とすることで、境界線Ｌ₁をランダムな形状とすることができる。図１３Ｂに示すように、第２の透明導電性素子の透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線Ｌ₂の形状を、孔部２３ａおよび島部２４ａの形状の一部を組み合わせて得られる形状とすることが好ましい。このような形状とすることで、境界線Ｌ₂をランダムな形状とすることができる。
【００８２】
（導電パターン部と非導電パターン部との形成面）
図１４Ａに示すように、第２の透明導電性素子２の基材２１の一方の表面に透明導電層１２を形成し、他の表面に透明導電層２２を形成するようにしてもよい。この場合、図１に示した情報入力装置１０において、基材１１の形成は省略することができる。
【００８３】
（ハードコート層）
図１４Ｂに示すように、第１の透明導電性素子１の両表面のうち、少なくとも一方の表面にハードコート層６１を形成するようにしてもよい。これにより、基材１１にプラスチック基材を用いる場合、工程上での基材１１の傷付き防止、耐薬品性付与、オリゴマーなどの低分子量物の析出を抑制することができる。ハードコート材料には、光または電子線などにより硬化する電離放射線硬化型樹脂、または熱により硬化する熱硬化型樹脂を用いることが好ましく、紫外線により硬化する感光性樹脂が最も好ましい。このような感光性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリオールアクリレート、ポリエーテルアクリレート、メラミンアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。例えば、ウレタンアクリレート樹脂は、ポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、あるいはプレポリマーを反応させ、得られた生成物に、水酸基を有するアクリレートまたはメタクリレート系のモノマーを反応させることによって得られる。ハードコート層６１の厚みは、１μｍ〜２０μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
【００８４】
ハードコート層６１は、ハードコート塗料を基材１１に塗工することにより形成される。塗工方法は、特に限定されるものではなく公知の塗工方法を用いることができる。公知の塗工方法としては、例えば、マイクログラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ダイレクトグラビアコート法、ダイコート法、ディップ法、スプレーコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ナイフコート法、スピンコート法などが挙げられる。ハードコート塗料は、例えば、二官能以上のモノマーおよび／またはオリゴマーなどの樹脂原料、光重合開始剤、および溶剤を含有する。基材１１上に塗工されたハードコート塗料を乾燥させることにより、溶剤を揮発させる。その後、例えば電離放射線照射または加熱により、基材１１上にて乾燥されたハードコート塗料を硬化させる。なお、上述した第１の透明導電性素子１と同様にして、第２の透明導電性素子２の両表面のうち、少なくとも一方の表面にハードコート層６１を形成するようにしてもよい。
【００８５】
（光学調整層）
図１４Ｃに示すように、第１の透明導電性素子１の基材１１と透明導電層１２との間に光学調整層６２を介在させることが好ましい。これにより、透明電極パターン部１３のパターン形状の非視認性をアシストすることができる。光学調整層６２は、例えば屈折率が異なる２層以上の積層体から構成され、低屈折率層側に透明導電層１２が形成される。より具体的には、光学調整層６２としては、たとえば、従来公知の光学調整層を用いることができる。このような光学調整層としては、例えば、特開２００８−９８１６９号公報、特開２０１０−１５８６１号公報、特開２０１０−２３２８２号公報、特開２０１０−２７２９４号公報に記載されているものを用いることができる。なお、上述した第１の透明導電性素子１と同様に、第２の透明導電性素子２の基材２１と透明導電層２２との間に光学調整層６２を介在させるようにしてもよい。
【００８６】
（密着補助層）
図１４Ｄに示すように、第１の透明導電性素子１の透明導電層１２の下地層として密着補助層６３を設けることが好ましい。これにより、基材１１に対する透明導電層１２の密着性を向上することができる。密着補助層６３の材料としては、例えば、ポリアクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、および金属元素の塩化物や過酸化物やアルコキシドなどの加水分解・脱水縮合生成物などを用いることができる。
【００８７】
密着補助層６３を用いるのではなく、透明導電層１２を設ける表面にグロー放電またはコロナ放電を照射する放電処理を用いるようにしてもよい。また、透明導電層１２を設ける表面に、酸またはアルカリで処理する化学薬品処理法を用いてもよい。また、透明導電層１２を設けた後、カレンダー処理により密着を向上させるようにしてもよい。なお、第２の透明導電性素子２においても、上述した第１の透明導電性素子１と同様に密着補助層６３を設けるようにしてもよい。また、上述の密着性向上のための処理を施すようにしてもよい。
【００８８】
（シールド層）
図１４Ｅに示すように、第１の透明導電性素子１にシールド層６４を形成することが好ましい。例えば、シールド層６４が設けられたフィルムを第１の透明導電性素子１に透明粘着剤層を介して貼り合わせるようにしてもよい。また、Ｘ電極パターンおよびＹ電極パターンが１枚の基材１１の同じ面側に形成されてある場合、それとは反対側にシールド層６４を直接形成してもよい。シールド層６４の材料としては、透明導電層１２と同様の材料を用いることができる。シールド層６４の形成方法としても、透明導電層１２と同様の方法を用いることができる。但し、シールド層６４はパターニングせず基材１１の表面全体に形成された状態で使用される。第１の透明導電性素子１にシールド層６４を形成することで、表示装置４からから発せられる電磁波などに起因するノイズを低減し、情報入力装置１０の位置検出の精度を向上させることができる。なお、上述した第１の透明導電性素子１と同様に、第２の透明導電性素子２にシールド層６４を形成するようにしてもよい。
【００８９】
＜２．第２の実施形態＞
本技術に係る第２の実施形態は、エッチング法に代えて印刷法を用いて第１の透明導電性素子１および第２の透明導電性素子２を作製する点において第１の実施形態とは異なっている。なお、第２の透明導電性素子２は、第１の透明導電性素子１と同様にして作製することができるので、第２の透明導電性素子２の製造方法については説明を省略する。
【００９０】
［原盤］
図１５Ａは、本技術の第２の実施形態に係る第１の導電性素子の製造方法で用いられる原盤の形状の一例を示す斜視図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示した第１領域Ｒ₁および第２領域Ｒ₂の一部を拡大して示す平面図である。原盤１００は、例えば、転写面としての円柱面を有するロール原盤であり、その円柱面には第１の領域Ｒ₁および第２領域Ｒ₂が交互に敷き詰められている。第１の領域Ｒ₁には、凹状を有する複数の孔部１１３ａが離間して形成されており、この孔部１１３ａ間は凸部１１３ｂにより離間されている。孔部１１３ａは透明電極パターン部１３の孔部１３ａを印刷により形成するためのものであり、凸部１１３ｂは透明電極パターン部１３の導電部１３ｂを印刷により形成するためのものである。第２の領域Ｒ₂には、凸状を有する複数の島部１１４ａが離間して形成されており、この島部１１４ａ間は凹部１１４ｂにより離間されている。島部１１４ａは透明絶縁パターン部１４の島部１４ａを印刷により形成するためのものであり、凹部１１４ｂは透明絶縁パターン部１４の間隙部１４ｂを印刷により形成するためのものである。
【００９１】
［透明導電性素子の製造方法］
図１６Ａおよび図１６Ｂを参照しながら、本技術の第２の実施形態に係る第１の透明導電性素子の製造方法の一例について説明する。
まず、図１６Ａに示すように、原盤１００の転写面に導電性インクを塗布し、塗布した導電性インクを基材１１の表面に印刷する。印刷法としては、例えば、スクリーン印刷、水なし平板印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷、反転オフセット印刷などを用いることができる。次に、図１６Ｂに示すように、必要に応じて、基材１１の表面に印刷された導電性インクを加熱することにより、導電性インクを乾燥および／または焼成する。これにより、目的とする第１の透明導電性素子１を得ることができる。
【００９２】
＜３．第３の実施形態＞
［透明導電性素子の構成］
第３の実施形態の第１の透明導電性素子１および第２透明導電性素子２について説明する。なお、以下では、第１の透明導電性素子１、第２の透明導電性素子２をそれぞれ、透明導電性素子１、透明導電性素子２と適宜称する。
【００９３】
まず、図１７Ａ〜図１８Ｂを用いて、Ｘ電極を形成する透明導電性素子１について説明する。図１７Ａは、透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図１７Ｂは、図１７Ａに示したａ−ａ線に沿った断面図である。図１７Ｃは、図１７Ａに示した領域Ｃ₁を拡大して示す平面図である。
【００９４】
図１７Ａおよび図１７Ｂに示すように、透明導電性素子１は、表面を有する基材１１と、この表面に形成された透明導電層１２とを備える。透明導電層１２は、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とを備える。透明電極パターン部１３は、Ｘ軸方向に延在されたＸ電極パターン部である。透明絶縁パターン部１４は、いわゆるダミー電極パターン部であり、Ｘ軸方向に延在されるとともに、透明電極パターン部１３の間に介在されて、隣り合う透明電極パターン部１３の間を絶縁する絶縁パターン部である。これらの透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とが、基材１１の表面にＹ軸方向に向かって交互に敷き詰められている。なお、図１７Ａ〜図１７Ｃにおいて、領域Ｒ１は透明電極パターン部１３の形成領域（電極領域）を示し、領域Ｒ２は透明絶縁パターン部１４の形成領域（絶縁領域）を示す。
【００９５】
透明電極パターン部１３、および透明絶縁パターン部１４の形状は、画面形状や駆動回路などに応じて適宜選択することが好ましく、例えば、直線状、複数の菱形状（ダイヤモンド形状）を直線状に連結した形状などが挙げられるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。この第１の実施形態は、透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４の形状が直線状のパターンである例としている。なお、ダイヤモンド形状のパターンの例は、第４の実施形態として後述する。
【００９６】
図１７Ｃに示すように、透明電極パターン部１３は、複数の孔部１３ａが離間してランダムに形成された透明導電層であり、隣り合う孔部１３ａの間には導電部１３ｂが介在されている。導電部１３ｂは導電材料が基材２１の表面に被覆された導電材料部であり、孔部１３ａは、導電材料が被覆されていない部分、つまり非導電部である。したがって、透明電極パターン部１３は、導電材料部（導電部１３ｂ）の形成面内で、複数の非導電部（孔部１３ａ）が、それぞれ離間してランダムに形成されている。
【００９７】
一方、透明絶縁パターン部１４は、離間してランダムに形成された複数の島部１４ａからなる透明導電層であり、隣り合う島部１４ａの間には絶縁部としての間隙部１４ｂが介在される。島部１４ａは導電材料が基材２１の表面に被覆された導電材料部であり、間隙部１４ｂは、導電材料が被覆されていない部分、つまり非導電部である。したがって、絶縁パターン部１４は、非導電部（間隙部１４ｂ）の形成面内で、導電材料部（島部１４ａ）が離間してランダムに形成されている。
【００９８】
そして、本実施形態の場合、透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４は、互いに異なるランダムパターンで形成されている。具体的には、導電材料部と非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている。互いに異なるランダムパターンとは、異なる生成条件によって生成したランダムパターンに基づいて、導電材料部と非導電部を配置することで形成する。即ち透明電極パターン部１３用のランダムパターンを形成し、それに基づいて孔部１３ａ、導電部１３ｂを形成する。また、透明絶縁パターン部１４用のランダムパターンを形成し、それに基づいて島部１４ａ、間隙部１４ｂを形成する。
【００９９】
なお、透明絶縁パターン部１４の間隙部１４ｂでは、導電材料が完全に除去されていることが好ましいが、間隙部１４ｂが絶縁部として機能する範囲内であれば、導電材料の一部が島状や薄膜状に残留していてもよい。また、孔部１３ａおよび島部１４ａは周期性のないランダム構造を有することが好ましい。孔部１３ａおよび島部１４ａがミクロンオーダー以下の周期構造によって形成されていると、それ自体で干渉光が発生したり、表示装置４の表示面上に情報入力装置１０を配置して目視した場合、モアレが発生したりする傾向があるためである。
【０１００】
図１８Ａは、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との境界線近傍を拡大して示す平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示したｂ−ｂ線に沿った断面図である。図１８Ｂに示すように、導電部１３ｂ、島部１４ａが、基材１１上において導電材料が被覆されている部分となり、孔部１３ａ、間隙部１４ｂが、導電材料が除去され基材表面が露出する部分である。
【０１０１】
また、図１８Ａからわかるように、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４は、互いに異なるランダムパターンで導電材料部と非導電部が形成されており、境界線Ｌ₁上は、単に２種類のランダムパターンをそのままカットして貼り合わせたような状態となっている。このため境界線Ｌ₁付近での導電材料と非導電部の境界線は不規則となり、境界線Ｌ₁の視認を抑制することができる。
【０１０２】
図１９は、Ｙ電極を形成する透明導電性素子を示している。図１９Ａは、透明導電性素子の構成の一例を示す平面図であり、図１９Ｂは図１９Ａに示したｃ−ｃ線に沿った断面図である。図１９Ｃは、図１９Ａに示した領域Ｃ₂を拡大して示す平面図である。
【０１０３】
図１９Ａおよび図１９Ｂに示すように、透明導電性素子２は、表面を有する基材２１と、この表面に形成された透明導電層２２とを備える。透明導電層２２は、透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４とを備える。透明電極パターン部２３は、Ｙ軸方向に延在されたＹ電極パターン部である。透明絶縁パターン部２４は、いわゆるダミー電極パターン部であり、Ｙ軸方向に延在されるとともに、透明電極パターン部２３の間に介在されて、隣り合う透明電極パターン部２３の間を絶縁する絶縁パターン部である。これらの透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４とが、基材２１の表面にＸ軸方向に向かって交互に敷き詰められている。上述した透明導電性素子１が有する透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４と、この透明導電性素子２が有する透明電極パターン部２３および透明絶縁パターン部２４とは、例えば互いに直交する関係にある。なお、図１９Ａ〜図１９Ｃにおいて、領域Ｒ１は透明電極パターン部２３の形成領域（電極領域）を示し、領域Ｒ２は透明絶縁パターン部２４の形成領域（絶縁領域）を示す。
【０１０４】
図１９Ｃに示すように、透明電極パターン部２３は、複数の孔部２３ａが離間してランダムに形成された透明導電層であり、隣り合う孔部２３ａの間には導電部２３ｂが介在されている。したがって、透明電極パターン部２３は、導電材料部（導電部２３ｂ）の形成面内で、複数の非導電部（孔部２３ａ）が、それぞれ離間してランダムに形成されている。
【０１０５】
一方、透明絶縁パターン部２４は、離間してランダムに形成された複数の島部２４ａからなる透明導電層であり、隣り合う島部２４ａの間には絶縁部としての間隙部２４ｂが介在されている。したがって、絶縁パターン部２４は、非導電部（間隙部２４ｂ）の形成面内で、導電材料部（島部２４ａ）が離間してランダムに形成されている。
【０１０６】
そして、上述したＸ電極の透明導電性素子１と同様、透明電極パターン部２３および透明絶縁パターン部２４は、互いに異なるランダムパターンで形成されている。具体的には、導電材料部と非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている。透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４との境界線Ｌ₂上は、２種類のランダムパターンがそのままカットされて貼り合わせたような状態となっている。
【０１０７】
以上のような構造の透明導電性素子１、２における透明電極パターン部１３、２３と透明絶縁パターン部１４、２４の導電材料被覆について述べる。なお以下では、主にＸ電極側となる透明電極パターン部１３、透明絶縁パターン部１４を用いて説明していくが、Ｙ電極側の透明電極パターン部２３、透明絶縁パターン部２４についても同様である。
【０１０８】
図２０Ａは、透明電極パターン部１３において全面に導電材料を形成した状態を示している。つまり孔部１３ａを設けず、全面が導電部１３ｂとなっている状態である。したがって、図示されていない下部の基材１１に対する導電材料（導電部１３ｂ）の被覆率は１００％である。図２０Ａに示した透明電極パターン部１３の電極幅を電極幅Ｗと定義する。
【０１０９】
これに対し、図２０Ｂのように、ランダムパターンで孔部１３ａを形成することを考える。この場合に、導電部１３ｂの被覆率が５０％であったとする。すると、この図２０Ｂの場合、平均電極幅はＷ×０．５となる。したがって、導電材料の膜厚を同じとした場合、図２０Ｂの透明電極パターン部１３は、図２０Ａの被覆率１００％の場合と比較して、電気抵抗は２倍になってしまう。透明電極パターン部１３の電気抵抗が大きいと、静電容量タッチパネルに使用した場合、応答速度や位置検出精度の低下を招く虞がある。
【０１１０】
もちろん、図２０Ｂのように孔部１３ａを形成しても、導電材料の膜厚を２倍にすれば、電気抵抗を図２０Ａと同等にできる。しかしながらその場合、材料コストの増加、製造ライン速度の低下などの問題が生じ、好ましくない。
【０１１１】
一方で、孔部１３ａを設けることは、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４の間の非視認性を向上させる意味を持つ。例えば図２０Ｃは、各種の径のドットがランダムに配置されるランダムパターンを生成し、それに基づいて透明電極パターン部１３の孔部１３ａと、透明絶縁パターン部１４の島部１４ａを形成したものである。この図２０Ｃは、１つのランダムパターンを透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４で共通に用い、それを境界線Ｌ₁で反転させているものである。即ち該ランダムパターンにおけるドット部分を、透明電極パターン部１３では孔部１３ａ（非導電部）とし、透明絶縁パターン部１４では島部１４ａ（導電材料部）とする。このように透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４にランダムパターンを導入することで、電極ラインが視認できなくなるようにする非視認性を向上できる。
【０１１２】
ここで、先の抵抗値の問題が生ずる。
透明電極パターン部１３において図２０Ｃのようにランダムパターンを導入すると、電気抵抗が高くなる。この透明電極パターン部１３の抵抗劣化（抵抗値上昇）の改善のためには、透明電極パターン部１３の導電材料被覆率は大きくしたい。つまり孔部１３ａの面積割合を小さくし、導電部１３ｂの面積割合を大きくしたい。ところが、そのようにした場合、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４で共通のランダムパターンを用いると、透明絶縁パターン部１４側では、島部１４ａの面積割合が小さくなり、間隙部１４ｂの面積割合が大きくなる。結果として、透明電極パターン部１３では、導電材料被覆部分である導電部１３ｂが目立ち、透明絶縁パターン部１４では、導電材料が被覆されていない間隙部１４ｂが目立つ状態となる。つまり、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とで導電材料の被覆率差が大きくなってしまい、非視認性が阻害される。
【０１１３】
導電部１３ｂの被覆率に対するシート抵抗の変化を図２１に示す。図２１では、それぞれ或る電極幅と厚みの或る導電材料を用い、導電部１３ｂの被覆率を１００％としたときにシート抵抗が１３５Ω／□、１００Ω／□、７５Ω／□、５０Ω／□となるものについて、被覆率を下げたときのシート抵抗の変化を示している。
【０１１４】
図示のように、導電部１３ｂの被覆率が小さくなるにつれシート抵抗は高くなる。例えばノートタイプやタブレットタイプのパーソナルコンピュータなどの中型のディスプレイにタッチパネルを採用する場合、１５０Ω／□程度以下が目安となる。すると、被覆率１００％のときにシート抵抗が１００Ω／□となる導電材料、電極幅、膜厚の導電部１３ｂの場合で言えば、図から、導電部１３ｂの被覆率は６７％以上（大まかには６５％程度以上）とすることが好ましいことがわかる。
【０１１５】
つまり、ランダムパターンで孔部１３ａおよび島部１４ａを設けることで、非視認性に有利であるが、非視認性の向上のためには透明電極パターン部１３における孔部１３ａの面積比率と、透明絶縁パターン部１４における島部１４ａの面積比率がほぼ同等であることが好ましい。そのためには、図２０Ｂのような導電材料の被覆率が５０％となるようなランダムパターンを形成し、図２０Ｃのように、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４で、１つのランダムパターンが境界線Ｌ₁でパターン反転させて導電材料を被覆するようにすることが好適である。
【０１１６】
ところが、その場合、透明電極パターン部１３における導電部１３ｂの被覆率が５０％程度となり、シート抵抗が高くなる。そこで、これを考慮して、透明電極パターン部１３における導電部１３ｂの被覆率が例えば６５％程度以上とすると、シート抵抗は抑えられるが、今度は透明絶縁パターン部１４における間隙部１４ｂの面積比率が高まり、非視認性が悪化してしまう。このように、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４で共通のランダムパターンを折り返して用いると、電極抵抗と非視認性がトレードオフの関係になる。
【０１１７】
そこで、本実施形態では、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４において、異なるパターンを使用する。異なるパターンとは、次のような例がある。
【０１１８】
まず、透明電極パターン部１３は導電材料の被覆率が１００％となるベタ塗りパターンで、透明絶縁パターン部１４はランダムパターンとすることが考えられる。ベタ塗りパターンは、透明電極パターン部１３の全体が導電部１３ｂであり、孔部１３ａが存在しないものとなる。そして透明絶縁パターン部１４は、島部１４ａと間隙部１４ｂがランダムに配置される。つまり、透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４は、それぞれ少なくとも導電材料部を有しながら、導電材料部が互いに異なるパターンで形成される場合の一例である。
【０１１９】
さらに、透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４は、導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている例がある。例えば透明電極パターン部１３は、導電材料部の形成面内で、複数の孔部１３ａ（非導電部）が離間してランダムに形成され、透明絶縁パターン部１４は、非導電部の形成面内で、導電材料部（島部１４ａ）が離間してランダムに形成されている。そして透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とでは、導電材料部と非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている例である。本実施形態の場合、図１７Ｃ、図１９Ｃのように、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４が、このように互いに異なるランダムパターンを用いて形成されているものである。異なるランダムパターンとは、異なるランダムパターン生成条件（半径範囲、生成した円内への図形描写条件、後述する乱数の重み付けなど）にて生成したパターンのことである。
【０１２０】
そして、異なるランダムパターンを用いることで、透明電極パターン部１３の抵抗値低減と、非視認性を両立できる。例えば透明電極パターン部１３において、図２１のシート抵抗が１００Ω／□となる導電材料、電極幅、膜厚の導電部１３ｂを形成する例の場合で言えば、導電部１３ｂの被覆率を略６５％程度以上とすればよいため、孔部１３ａの面積比率が３５％以下となるようなランダムパターンを用いればよい。このとき、透明絶縁パターン部１４では、間隙部１４ｂの面積比率が孔部１３ａの面積比率とあまり異ならないようなランダムパターンを用いればよい。それにより非視認性を維持できる。例えば透明電極パターン部１３における導電材料部（導電部１３ｂ）の被覆率を６５％以上１００％以下とする場合、絶縁パターン部１４における導電材料部（間隙部１４ｂ）の被覆率も６５％以上１００％以下とするとよい。異なるランダムパターンを用いることで、このような状態が実現できる。
【０１２１】
さらに非視認化のためには、透明導電性素子１（Ｘ電極）と透明導電性素子２（Ｙ電極）の両方を重ねた状態で考えることも必要である。まず、本実施形態の情報入力装置１０を構成する透明導電性素子１、２は、それぞれ透明電極パターン部１３（２３）および透明絶縁パターン部１４（２４）は、導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている。
【０１２２】
図２２Ａには、図１の状態、つまり透明導電性素子１、２が重ねて配置されている状態を示し、図２２Ｂに一部の拡大図を示している。この場合、領域ＡＲ１は、透明電極パターン部１３、２３が重なる領域である。領域ＡＲ２は、透明絶縁パターン部１４、２４が重なる領域である。領域ＡＲ３は、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部２４が重なるか、もしくは透明絶縁パターン部１４と透明電極パターン部２３が重なる領域である。ユーザがタッチ操作を行う入力面側から見た場合、透明導電性素子１、２が重なる部分（入力面形成部分）の全ては、これら領域ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３に分類される。ユーザの視覚からの非視認性を考えた場合、これら領域ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３の別が視認されることを防がなくてはならない。
【０１２３】
結論的には、本実施形態では、透明導電性素子１と透明導電性素子２が重ね合わされた状態で、入力面方向からみた全ての領域ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３で、透明導電性素子１の導電材料部の被覆率と、透明導電性素子２における導電材料部の被覆率との加算値の差が、０以上６０以下であるようにする。
【０１２４】
例えば、透明電極パターン部１３、２３における導電材料部（導電部１３ｂ、２３ｂ）の被覆率を８０％とする。また、透明絶縁パターン部１４、２４における導電材料部（島部１４ａ、２４ａ）の被覆率を５０％とする。すると、領域ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３での透明導電性素子１の導電材料部の被覆率と透明導電性素子２における導電材料部の被覆率との加算値は次のようになる。
領域ＡＲ１：８０＋８０＝１６０
領域ＡＲ２：５０＋５０＝１００
領域ＡＲ３：８０＋５０＝１３０
【０１２５】
この場合、加算値は領域ＡＲ１で最も大きく、領域ＡＲ２で最も小さいが、その加算値の差は６０である。加算値の差が６０以下であれば、非視認性は良好といえる。加算値を指標とするのは、あくまでもユーザの視覚に沿って非視認性を考えるためである。例えば実際の孔部１３ａや島部１４ａの直径は、例えば１０μｍ〜１００μｍであったり、或いは１００μｍ〜５００μｍであったりと、ランダムパターン生成時のパラメータ設定によって異なるにせよ、人の視覚からすれば極めて微少な孔である。そして透明な電極上で孔部１３ａや島部１４ａの個々をユーザが視認できる場合はほとんど無い。ユーザの視覚に即してマクロ的に考えた場合、透明導電性素子１、２を重ね合わせたときは、透明導電性素子１での導電材料部の被覆率と、透明導電性素子２での導電材料部の被覆率を加算したものが、その領域の平均的な被覆率と捉えられる。つまり加算値の差が大きいと、ユーザの視覚上、領域ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３の別が視認しやすくなる。発明者らは、視認性検討の結果、入力面方向からみた全ての領域で、上記の加算値の差が、０以上６０以下であるようにすると、非視認性を維持できることを見いだした。
【０１２６】
もちろん、加算値の差を小さくすることで、より非視認性には好適となる。例えば上記の例で言えば、領域ＡＲ２での加算値を大きくすれば、より各領域での加算値の差を小さくすることができる。そこで、透明絶縁パターン部１４、２４における導電材料部（島部１４ａ、２４ａ）の被覆率を６５％とする。すると、領域ＡＲ１，ＡＲ２，ＡＲ３での透明導電性素子１の導電材料部の被覆率と透明導電性素子２における導電材料部の被覆率との加算値は次のようになる。
領域ＡＲ１：８０＋８０＝１６０
領域ＡＲ２：６５＋６５＝１３０
領域ＡＲ３：８０＋６５＝１４５
【０１２７】
この場合、加算値の差は３０となり、非視認性の点でより好適となる。
但し、透明絶縁パターン部１４、２４における導電材料部（島部１４ａ、２４ａ）の被覆率を高くすることは、例えば後述する印刷形成の場合、それだけ導電材料の使用量が多くなり、材料コストが高くなる。そこで、各領域間の加算値の差が６０を越えない範囲で、材料コストや透明電極パターン部１３の抵抗値を勘案して、透明絶縁パターン部１４、２４における導電材料部（島部１４ａ、２４ａ）の被覆率を設定するとよい。
【０１２８】
以上の本実施形態では、まず透明電極パターン部１３（２３）と透明絶縁パターン部１４（２４）とで、異なるランダムパターンを用いる。異なるランダムパターンを用いることで、透明電極パターン部１３（２３）と透明絶縁パターン部１４（２４）とで、導電材料部の被覆率設定の自由度を高めることができる。それによって透明電極パターン部１３（２３）における抵抗値を適切な値（例えば１５０Ω以下）としたうえで、非視認性や材料コストを鑑みて透明絶縁パターン部１４（２４）側の導電材料部の被覆率を設定できる。以上により、透明電極パターン部１３（２４）における抵抗値の低減を実現しつつ、入力面側から見た全領域での電極構成の非視認化を実現できる。そして、これにより、視認されにくく高性能な情報入力装置１０が実現できる。
【０１２９】
また、透明電極パターン部１３（２３）および透明絶縁パターン部１４（２４）における導電材料部の被覆率は６５％以上１００％以下であるとよい。また、透明導電層パターンの非視認化のため、透明導電性素子１、２を重ねたときのあらゆる領域において、導電材料の被覆率の加算値の差は０以上６０以下とする。
【０１３０】
なお、図１８Ａ、図１９Ｃの説明の際に述べたが、透明電極パターン部１３（２３）と透明絶縁パターン部１４（２４）との境界線Ｌ₁（Ｌ₂）上は、２種類のランダムパターンがそのままカットされて貼り合わせたような状態（パターンのブツ切り）となっている。これは、視認されにくい、ランダムな形状の境界線が形成されるという点で好適である。また、透明電極パターン部１３（２３）には複数の孔部１３ａ（２３ａ）を離間してランダムに形成し、透明絶縁パターン部１４（２４）には複数の島部１４ａ（２４ａ）を離間してランダムに形成しているので、モアレの発生を抑制することができる。
【０１３１】
なお、透明電極パターン部１３は、孔部１３ａの被覆率０％、つまり導電部１３ｂの被覆率が１００％でもよい。また、孔部１３ａの被覆率が異なる領域の２種類以上の領域のミックスで透明電極パターン部１３を形成しても良い。また、透明電極パターン部１３や透明絶縁パターン部１４には、ランダムパターンとして、後述するランダムメッシュパターンを用いても良い。
【０１３２】
また、複数の孔部１３ａはすべてを離間して形成することが好ましいが、視認性の低下および導電性の低下を招かない範囲であれば、複数の孔部１３ａの一部を互いに接し合わせる、または重なり合わせるようにしてもよい。また、複数の島部１４ａすべてを離間して形成することが好ましいが、視認性の低下および絶縁性の低下を招かない範囲であれば、複数の島部１４ａの一部を互いに接し合わせる、または重なり合わせるようにしてもよい。
【０１３３】
［透明導電性素子の製造方法］
第３の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法は、ランダムパターンの形成方法以外の点では、第１の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法と同様である。第３の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法では、透明電極パターン部用のランダムパターンと透明絶縁パターン部用のランダムパターンは、パターン生成条件（半径範囲、生成した円内への図形描写条件、後述する乱数の重み付けなど）が互いに異なる条件となるように設定して生成する。
【０１３４】
［ランダムパターンの形成方法］
本実施形態の透明導電性素子１、２では、透明電極パターン部１３、２３と透明絶縁パターン部１４、２４とで異なるランダムパターンに基づいて導電材料部が形成されている。ここでは、このような導電材料部を形成のための元となるランダムパターン自体の形成方法の例を述べる。例として、円形状の孔部１３ａ、２３ａ、および島部１４ａ、２４ａを形成するためのランダムパターンの生成方法について説明するが、ランダムパターンの形状はこれに限定されるものではない。
【０１３５】
本例では、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４では互いに異なるランダムパターンを用いるが、これは各ランダムパターンの生成時に生成条件を異なるものとする。
【０１３６】
異なる生成条件としては、まず上記のパラメータ設定が想定される。例えばＲ_min、Ｒ_max、Ｒ_fillを異なる設定とすることで、図８のように生成されるランダムな円の半径範囲が異なるものとなる。また、図８のような状態からの円（或いは円内配置される他の図形）の縮小率を変化させるようにしてもよい。また、ランダム配置される図形を異なるようにしてもよい。例えば一方は円、他方は正方形などとする。また、一方はランダムドットのパターン、他方はランダムメッシュパターンなどとしてもよい。さらに、乱数値Ｒｎｄとして、０．０〜１．０の範囲で得られる乱数値が用いられるが、これに対して重み付けを異なるようにすることも考えられる。また、これらを組み合わせても良いことは当然である。
【０１３７】
これらの生成条件が異なることで、透明電極パターン部１３に用いるランダムパターンと透明絶縁パターン部１４に用いるランダムパターンを異なるパターンとし、それによって、それぞれで所望の導電材料部の被覆率を実現できる。
【０１３８】
乱数の重み付けについて説明する。
図８のように生成される円の径は、
円の径＝設定最小径Ｒ_min＋（設定最大径Ｒ_max−設定最小径Ｒ_min）×乱数
である。
そして乱数値Ｒｎｄは０．０〜１．０の範囲で得られる乱数値である。
この乱数を、計算結果が０〜１の範囲になるような計算式に代入することにより生成円径の分布に重み付けが可能となる。
例えば、（乱数）３とすることで、小さい径の分布を増やすことができる。また、（乱数）１／３とすることで、大きい径の分布を増やすことができ、ドット充填率を増加できる。図２３Ａに、ｙ＝ｘ^1/3、ｙ＝ｘ³として重み付け後の乱数を示している。
このように乱数の重み付けを行った場合の円（ドット）の直径の頻度を図２３Ｂに示す。これは生成するランダムパターンとして、以下の条件で円状のランダムパターンを生成した場合である。
・半径範囲：３５〜５６μｍ
・半径縮小値：１０μｍ
【０１３９】
図２３Ｂにおいて線ＮＷは重み付けを行わなかった場合、線ＡＷはｙ＝ｘ^1/3の重み付けを行った場合での頻度分布を、直径１μｍピッチで示している。乱数の重み付けにより、大きな直径の円の発生頻度を増やし、ドット充填率を上げることが可能であることがわかる。逆に、小さな直径の頻度を増やし、ドット充填率を下げることも可能である。但し、任意直径の頻度を増やしすぎるとランダム性が低下し、モアレや回折光が発生する虞がある。直径１μｍピッチの頻度分布にて、任意直径の頻度は３５％以下であることが好ましい。
【０１４０】
ところで、ここまではドット状、或いは円内の多角形状などのランダムパターンの生成について説明したが、図２４Ａのようなランダムメッシュパターンの生成についても述べておく。
【０１４１】
ランダムメッシュパターンの生成の際も、上述したアルゴリズムで、ランダムな円配置のパターンをまず生成すればよい。図２４Ｂは、このランダムな円のパターンに対して、ランダムな角度でラインを引くことでメッシュパターンを形成するものである。即ち、各円の中心座標をそのまま利用し、各円の中心を通る直線を引く。このとき各直線の回転角度を０度〜１８０度の範囲でランダムに決定することで、図示のようにランダムな傾きの線を形成していく。このようにすることで、ランダムメッシュパターンが生成できる。
【０１４２】
また、図２４Ｃの手法でも良い。
図２４Ｃの場合も、生成したランダムな円配置のパターンを利用する。そして、この場合は、各円の中心座標から、近接する円の中心座標を結ぶ線分を引いていく。つまり近傍の円の中心同視を結んでいく。このようにすることでもランダムメッシュパターンが生成できる。
【０１４３】
なお、図２４Ｂ、図２４Ｃのいずれの手法の場合も、パラメータ設定を異なるものとすることや、乱数値の重み付けを変えることなどで、２種類の異なるランダムパターンを生成できる。また、ランダムに形成する直線の太さを変化させるようにして、導電材料部の被覆率の異なるランダムパターンを簡単に形成するようにもできる。
【０１４４】
［変形例］
本技術に係る第３の実施形態は、エッチング法に代えて印刷法を用いて透明導電性素子１、２を作製するようにしてもよい。印刷法に用いる原盤の転写面形状以外のことは、上述の第２の実施形態と同様とすることができるので、ここでは原盤の構成のみについて説明する。
【０１４５】
［原盤］
図２５Ａは、原盤の形状の一例を示す斜視図である。図２５Ｂは、図２５Ａに示した領域Ｒ１および領域Ｒ２の一部を拡大して示す平面図である。原盤１００は、例えば、転写面としての円柱面を有するロール原盤であり、その円柱面には領域Ｒ１および領域Ｒ２が交互に敷き詰められている。
【０１４６】
領域Ｒ１には、凹状を有する複数の孔部１１３ａが離間して形成されており、この孔部１１３ａ間は凸部１１３ｂにより離間されている。孔部１１３ａは透明電極パターン部１３の孔部１３ａを印刷により形成するためのものであり、凸部１１３ｂは透明電極パターン部１３の導電部１３ｂを印刷により形成するためのものである。
【０１４７】
領域Ｒ２には、凸状を有する複数の島部１１４ａが離間して形成されており、この島部１１４ａ間は凹部１１４ｂにより離間されている。島部１１４ａは透明絶縁パターン部１４の島部１４ａを印刷により形成するためのものであり、凹部１１４ｂは透明絶縁パターン部１４の間隙部１４ｂを印刷により形成するためのものである。
【０１４８】
領域Ｒ１の孔部１１３ａと領域Ｒ２の島部１１４ａとのランダムパターンが互いに異なっている。
【０１４９】
＜４．第４の実施形態＞
透明導電性素子１、２の第４の実施形態として、ダイヤモンド状パターン電極を有する場合を説明する。
【０１５０】
図２６Ａ、図２６Ｂは、透明導電性素子１、２における電極パターンを示している。図２６Ａに示すように、この場合も、透明導電性素子１の透明導電層１２には、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とが形成されている。そして、透明電極パターン部１３は、ダイヤモンド形状（略菱形状）の部位がＸ軸方向に連なっているような形状とされている。そして、この透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とが、基材１１の表面にＹ軸方向に向かって交互に敷き詰められている。
【０１５１】
また、図２３Ｂに示すように、透明導電性素子２の透明導電層２２には、透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４とが形成されている。そして、透明電極パターン部２３は、ダイヤモンド形状（略菱形状）の部位がＹ軸方向に連なっているような形状とされている。そして、この透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４とが、基材２１の表面にＹ軸方向に向かって交互に敷き詰められている。
【０１５２】
このような第２の実施形態においても、透明電極パターン部１３（２３）と、透明絶縁パターン部１４（２４）が、異なるランダムパターンを用いて導電材料部が形成されればよいことは、第３の実施形態と同様である。その点において具体的には、第３の実施形態で説明した各例と同様の例が考えられる。ここでは、特に、Ｘ電極、Ｙ電極が重なった場合での視認性や、透明電極パターン部１３、２３が、導電材料部の被覆率が異なる複数の領域により形成されている具体例について説明する。
【０１５３】
まず、図２７Ａは、図２２Ａと同様に透明導電性素子１，２が重なった状態として、透明電極パターン部１３、１４がダイヤモンド形状の場合を示し、図２７Ｂにその一部の拡大図を示している。ここでは透明導電性素子２側を破線で示している。図２２Ｂで説明した場合と同様、領域ＡＲ１は透明電極パターン部１３、２３が重なる領域、領域ＡＲ２は透明絶縁パターン部１４、２４が重なる領域である。また、領域ＡＲ３は、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部２４が重なるか、もしくは透明絶縁パターン部１４と透明電極パターン部２３が重なる領域である。この場合も、ユーザがタッチ操作を行う入力面側から見た場合、透明導電性素子１、２が重なる部分（入力面形成部分）の全ては、これら領域ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３に分類される。そしてユーザの視覚からの非視認性を考えた場合、これら領域ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３の別が視認できないことが求められる。
【０１５４】
図２７Ｂのように、電極パターン形状が異なれば、領域ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３の形状や範囲も異なってくるが、この場合も、例えば透明電極パターン部１３、２３における導電材料部（導電部１３ｂ、２３ｂ）の被覆率を８０％とし、透明絶縁パターン部１４、２４における導電材料部（島部１４ａ、２４ａ）の被覆率を５０％などとする。そして、領域ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３での透明導電性素子１の導電材料部の被覆率と透明導電性素子２における導電材料部の被覆率との加算値の差を６０以下とすると、非視認性は良好となる。
【０１５５】
また、特にこのダイヤモンド形状のパターンの場合、透明電極パターン部１３において、導電材料部の被覆率が異なる２種類以上の領域をミックスさせることが有効である。図２８に示すように、ダイヤモンド形状のパターンの透明電極パターン部１３を、領域Ａと領域Ｂに分割する。また、透明絶縁パターン部１４に相当する部分を領域Ｃとする。領域Ａの幅をＷ_A、長さをＬ_Aとする。領域Ｂの幅ＷＢは、Ｗ_B＝（領域Ｂの面積）／Ｌ_Bとする。Ｌ_Bは領域Ｂの長さである。
【０１５６】
透明電極パターン部１３の形状が、ダイヤモンド形状の場合のように２つ以上の領域に区別できるとき、Ｌ（ｘ）／Ｗ（ｘ）値がより大きな領域にて、孔部１３ａの被覆率をより小さく（＝導電部１３ｂの被覆率をより大きく）設定するのがよい。これは、Ｌ（ｘ）／Ｗ（ｘ）値がより大きな領域にて、その領域のそもそもの抵抗値が大きく、孔部１３ａの被覆率増に伴う抵抗増のインパクトがより大きいためである。図２８の場合で言えば、領域Ａは領域Ｂに対してＬ（ｘ）／Ｗ（ｘ）値が大きく、そもそもの抵抗値が大きい。そこで、図示のように、領域Ｂでは例えば導電部１３ｂの被覆率を７９％（孔部１３ａを２１％）とし、領域Ａでは導電部１３ｂの被覆率を１００％（孔部１３ａを０％）とすることなどが考えられる。なお、この被覆率はあくまで一例である。
【０１５７】
また、領域Ｃ、即ち透明絶縁パターン部１４については、上記のＸ、Ｙ電極重ね合わせ時の被覆率の加算値の差の条件に合致するように、導電材料部（島部１４ａ）の被覆率を設定すればよい。また、図示のように、ランダムドット状ではなくランダムメッシュ状のパターンとしてもよい。
【０１５８】
この例のように、導電材料部の被覆率を部分的にコントロールすることで、電極を印刷形成する場合、導電材料の使用量を抑える（＝材料コストを抑える）ことができる。また、パターン非視認化のため、領域Ａ〜Ｃにおける導電材料の被覆率差は、０％以上３０％以下とするのがよい。
【０１５９】
＜５．第５の実施形態＞
第５の実施形態では、金属ナノワイヤーを用いた透明導電性素子１、２について説明する。透明導電層１２が金属ナノワイヤーで形成される場合、透明電極パターン部１３にランダムパターン処理を施すと、金属ナノワイヤー被覆面積が減少することで、導電部の反射Ｌ値の値が小さくなる。その結果、導電材料部の画面の黒表示がより沈み、直線状パターンやダイヤモンドパターンなどを使用した場合と比べてディスプレイの表示特性（コントラスト）が向上する。また、所定の表面処理を組み合わせることにより、導電材料部と非導電部ともに反射Ｌ値をより低く抑えることが可能となり、コントラストがさらに向上する。
【０１６０】
導電材料に金属ナノワイヤーを用いる透明導電層は、ＩＴＯを用いた透明導電層のようなスパッタではなく塗布プロセスを用いて成膜が可能である。塗布プロセスは、スパッタと異なり真空環境が必要ないため、製造コストの削減が期待できる。また、この金属ナノワイヤーを用いた透明導電層はレアメタルであるインジウムを使わない次世代透明導電層としても注目されている。
【０１６１】
図２９Ａは、金属ナノワイヤーを用いた透明導電性素子の構造例を示している。基材８０状に金属ナノワイヤーを用いた透明導電層８１が形成される。透明導電層８１では金属ナノワイヤーに加えて表面処理染料、分散剤、バインダーなども用いられる。
【０１６２】
基材８０は、例えば、透明性を有する無機基材或いはプラスチック基材である。基材の形状としては、例えば、透明性を有するフィルム、シート、基板などを用いることができる。無機基材の材料としては、例えば、石英、サファイア、ガラスなどが挙げられる。プラスチック基材の材料としては、例えば、公知の高分子材料を用いることができる。公知の高分子材料としては、具体的には例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル（ＴＰＥＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）などがあげられる。プラスチック基材の厚さは、生産性の観点から３８〜５００μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
【０１６３】
金属ナノワイヤーの構成元素としてはＡｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎより選択される１種類以上で構成される。ナノワイヤーの平均短軸径は、好ましく１ｎｍよりも大きく５００ｎｍ以下、また、平均長軸長は、好ましくは１μｍよりも大きく１０００μｍ以下である。平均短軸径が１ｎｍよりも小さい場合、ワイヤーの導電率が劣化して塗布後に導電層として機能しにくい。また、平均短軸径が５００ｎｍよりも大きい場合、全光線透過率が劣化してしまう。平均長軸長が１μｍよりも短い場合、ワイヤー同士がつながりにくく、塗布後に導電層として機能しにくい。また、平均長軸長が１０００μｍよりも長い場合、全光線透過率が劣化してしまう。或いは、塗料化した際のナノワイヤーの分散性が劣化する傾向にある。
【０１６４】
塗料中での金属ナノワイヤーの分散性向上のため、金属ナノワイヤーは、ＰＶＰ、ポリエチレンイミンなどのアミノ基含有化合物で表面処理されていても良い。塗膜化した際に導電性が劣化しない程度の添加量にすることが好ましい。その他、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、ビニル基、チオール基、カルビノール基などの官能基を有する化合物で金属に吸着可能なものを分散剤として用いても良い。
【０１６５】
分散剤としては、金属ナノワイヤーが分散するものを使用する。例えば、水、アルコール（メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールなど）、アノン（シクロヘキサノン、シクロペンタノン）、アミド（ＤＭＦ）、スルフィド（ＤＭＳＯ）などから選択される少なくとも１種類以上が使用される。塗布面状の乾燥ムラやクラックを抑えるため、高沸点溶媒をさらに添加して、溶剤の蒸発速度をコントロールすることもできる。例えば、ブチルセロソルブ、ジアセトンアルコール、ブチルトリグリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールイソプロピルエーテル、メチルグリコールが挙げられる。これらの溶媒は単独で用いられてもよく、また、複数を組み合わせてもよい。
【０１６６】
適用可能なバインダー材料としては、既知の透明な天然高分子樹脂または合成高分子樹脂から広く選択して使用することができる。例えば、透明な熱可塑性樹脂（例えば、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、フッ化ビニリデン、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース）や、熱・光・電子線・放射線で硬化する透明硬化性樹脂（例えば、メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、イソシアネート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル変性シリケートなどのシリコン樹脂）を使用することができる。さらに添加剤としては、界面活性剤、粘度調整剤、分散剤、硬化促進触媒、可塑剤、酸化防止剤や硫化防止剤などの安定剤などが挙げられる。
【０１６７】
また、耐久性向上のために、図２９Ｂのように金属ナノワイヤーを塗布後に別途オーバーコート層８２を設けても良い。オーバーコート層８２には、ポリアクリル系、ポリアミド系、ポリエステル系、セルロース系や金属アルコキシドなどの加水分解、脱水縮合物などを使用できる。また、このオーバーコート層８２の厚みは光学特性を著しく低下させない厚みとすることが望ましい。
【０１６８】
また、密着性向上のために、図２９Ｃのように、金属ナノワイヤーを塗布する前にアンカー層８３を別途基材８０上に設けても良い。アンカー層には、ポリアクリル系、ポリアミド系、ポリエステル系、セルロース系や金属アルコキシドなどの加水分解、脱水縮合物などを使用できる。また、このアンカー層の厚みは光学特性を著しく低下させない厚みとすることが望ましい。オーバーコート層およびアンカー層を両方併用しても構わない。
【０１６９】
金属ナノワイヤーを用いた透明導電層８１は以下の工程を経て製造される。
（工程１）金属ナノワイヤーを溶剤に分散させる。分散手法としては、攪拌、超音波分散、ビーズ分散、混錬、ホモジナイザー処理などが好ましく適用できる。ワイヤーの配合量は塗料重量を１００重量部とした場合、０．０１〜１０重量部とする。０．０１重量部未満である場合、塗布で膜形成した場合に十分な目付量が得られない。一方、１０重量部よりも大きい場合、ナノワイヤーの分散性が劣化する傾向にある。金属ナノワイヤーの分散性向上のため、金属ナノワイヤー塗分散液にＰＶＰ、ポリエチレンイミンなどのアミノ基含有化合物を分散剤として添加しても良い。分散剤を添加する場合は、塗膜化した際に導電性が劣化しない程度の添加量にすることが好ましい。その他、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、ビニル基、チオール基、カルビノール基などの官能基を有する化合物で金属に吸着可能なものを分散剤として用いても良い。基材８０への塗布性、密着性や耐久性を向上させるため、バインダーや添加剤などを混合してもよい。
【０１７０】
（工程２）基材上への金属ナノワイヤーによる透明導電層を作製する。この方法として特に制限はないが、物性、利便性、製造コストなどを考慮すると湿式製膜法が好ましく、公知の方法としては、例えば、塗布、スプレー法、印刷などが挙げられる。塗布方法は、特に限定されるものではなく、公知の塗布方法を用いることができる。公知の塗工方法としては、例えば、マイクログラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ダイレクトグラビアコート法、ダイコート法、ディップ法、スプレーコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ナイフコート法、スピンコート法などが挙げられる。印刷方法としては、例えば、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン、インクジェット印刷などが挙げられる。
【０１７１】
（工程３）塗布後、溶剤を乾燥させる。自然乾燥、加熱乾燥のいずれでも良い。さらにバインダーを硬化させる場合はＵＶや熱などによって硬化させる。また、シート抵抗値を下げるためにカレンダーによる加圧処理を施してもよい。
【０１７２】
図２９Ａにおける金属ナノワイヤー層中の金属ナノワイヤーの目付量（ｇ／ｍ²）は、０．００１ｇ〜１ｇにすることが望ましい。０．００１ｇ未満である場合、金属ナノワイヤーが十分に塗膜中に存在せず、透明導電層としての性能が劣化する。目付量が多いと多いほどシート抵抗値は下がるが、１ｇより多く場合、金属ナノワイヤー塗膜中に存在しすぎるため全光線透過率が劣化する。
【０１７３】
＜６．第６の実施形態＞
図３０は、第６の実施形態の透明導電性素子の構成を説明する平面図である。図３１Ａは、図３０における拡大部Ａの拡大平面図である。図３１Ｂは、図３１Ａの拡大平面図におけるＡ−Ａ’部分の断面図である。これらの図に示す透明導電性素子１は、例えば表示パネルにおける表示面側に好適に配置される透明導電性素子であって、以下のように構成される。
【０１７４】
すなわち透明導電性素子１は、基材１１と、この基材１１上に設けられた透明導電層１２とを備えている。さらにこの透明導電性素子１は、透明導電層１２を用いて構成された複数の透明電極パターン部（電極領域）１３と、これらの透明電極パターン部１３に隣接して配置された透明絶縁パターン部（絶縁領域）１４とを有しており、透明絶縁パターン部１４にも透明導電層１２が配置されているところが特徴的である。次に各部材および領域の詳細を説明する。
【０１７５】
（基材）
基材１１は、例えば透明材料で構成されたものであって、例えば、公知のガラスまたは公知のプラスチックを用いることができる。公知のガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなどが挙げられる。公知のプラスチックとしては、例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル（ＴＰＥＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（Ｐ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【０１７６】
ガラスを用いた基材１１の厚みは、２０μｍ〜１０ｍｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。プラスチックを用いた基材１１の厚さは、２０μｍ〜５００μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
【０１７７】
（透明導電層）
透明導電層１２の材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。この他にも、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられる。
【０１７８】
透明導電層１２の材料としては、この他にもカーボンナノチューブをバインダー材料に分散させた複合材料、または金属ナノワイヤーやこれに有色化合物を吸着させたことで表面での光の乱反射を防止した材料を用いても良い。さらに置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体の導電性ポリマーを使用してもよい。これら２種以上を複合して使用してもよい。
【０１７９】
透明導電層１２の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法や、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法など用いることができる。透明導電層１２の厚みは、パターニング前の状態（基材１１の全面に透明導電層が形成されている状態）にて表面抵抗が１０００Ω／□以下となるように適宜選択することが好ましい。
【０１８０】
（透明電極パターン部）
透明電極パターン部１３は、透明導電層１２に対して複数の孔部１３ａをランダムに設けた領域として構成されている。つまり透明電極パターン部１３は、透明導電層１２を用いて構成されており、ランダムパターンとしてランダムな大きさの孔部１３ａがランダムに配列されている。ここでは例えば、様々な直径を有する円形の孔部１３ａを、それぞれ独立して透明導電層１２に配置されており、これによって各透明電極パターン部１３が全体として導電性が確保されている。
【０１８１】
この透明電極パターン部１３においては、各孔部１３ａに対して設定される直径の範囲によって、透明導電層１２による被覆率が調整されていることとする。この被覆率は、透明電極パターン部１３に必要とされる導電性が得られる程度に、透明導電層１２の材質および膜厚ごとに設定される。尚、孔部１３ａの直径の範囲による被覆率の調整は、以降のランダムパターンの生成方法の項目において説明する。
【０１８２】
尚、透明電極パターン部１３に配置される孔部１３ａの形状は、円形に限定されることはない。孔部１３ａの形状としては、目視により認識できず周期性を持たなければよく、例えば、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる１種または２種以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。
【０１８３】
また、透明電極パターン部１３は、次に説明する透明絶縁パターン部１４に溝部１４ｃを反転させて透明導電層１２を帯状パターンとして設け、この帯状パターンによって分離された孔部１３ａを配置した構成であっても良い。この場合、透明電極パターン部１３には、透明導電層１２で構成される帯状パターンがランダムな方向に延設された状態となる。またこのような延設方向がランダムな帯状パターンも、ランダムパターンとなる。
【０１８４】
ただし、孔部１３ａは、個々のサイズが大きすぎると目視によって形状が視認できてしまう。このため、任意の点からいずれの方向にも１００μｍ以上連続して孔部１３ａおよび透明導電層１２部分が続くような形状部分が、透明電極パターン部１３中に多数存在する状態は避けることが好ましい。例えば孔部１３ａを円形状にする場合、直径を１００μｍ未満にすることが好ましい。
【０１８５】
（透明絶縁パターン部）
透明絶縁パターン部１４は、透明電極パターン部１３に隣接して配置された領域であり、各透明電極パターン部１３間を埋め込むと共に、各透明電極パターン部１３間を絶縁する状態で設けられている。この透明絶縁パターン部１４に配置された透明導電層１２は、ランダムな方向に延設された溝部１４ｃによって独立した島状に分割されている。つまり透明絶縁パターン部１４は、透明導電層１２を用いて構成されており、ランダムな方向に延設された溝部１４ｃによって透明導電層１２を分割してなる島状パターンが、ランダムパターンとして配置されているのである。これらの島状パターン（すなわちランダムパターン）は、ランダムな方向に延設された溝部１４ｃによって、ランダムな多角形に分割されたものとなる。尚、延設方向がランダムな溝部１４ｃ自体も、ランダムパターンとなる。
【０１８６】
ここで、透明絶縁パターン部１４に設けられた各溝部１４ｃは、透明絶縁パターン部１４においてランダムな方向に延設されたものであり、延設方向に対して垂直をなす幅（線幅と称する）が同一の線幅であることとする。この透明絶縁パターン部１４においては、各溝部１４ｃの線幅によって、透明導電層１２による被覆率が調整されている。この被覆率は、透明電極パターン部１３においての透明導電層１２による被覆率と同程度となるように設定されていることとする。ここで同程度とは、透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４のピッチごとに、これらのパターン部１３、１４がパターンとして視認できない程度とする。尚、溝部１４ｃの線幅による被覆率の調整は、以降のランダムパターンの生成方法の項目において説明する。
【０１８７】
ただし、溝部１４ｃによって分離される島状の透明導電層１２は、個々のサイズが大きすぎると目視によって形状が視認できてしまう。このため、任意の点からいずれの方向にも１００μｍ以上連続して透明導電層１２部分が続くような形状部分が、透明電極パターン部１３中に多数存在する状態は避けることが好ましい。
【０１８８】
また以上のような透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４との境界には、これらのパターン部１３、１４間にわたって配置された透明導電層１２が、ランダムに配置される。
【０１８９】
［透明導電性素子の製造方法］
第６の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法は、絶縁領域である透明絶縁パターン部１４のランダムパターンの形成方法以外の点では、第１の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法と同様である。
【０１９０】
［透明絶縁パターン部のパターン作成］
図３２Ａに示すように、生成したランダムパターンにおいて、外周が接する円の中心同士を結ぶ直線を発生させる。これにより、図３２Ｂに示すように、ランダムな方向に延設された線分によって構成された多角形のランダムパターンが生成される。次に、図３２Ｃに示すように、多角形のランダムパターンを構成する線分を所定の線幅に太らせ、これらの太らせた線分を図３１Ａに示した透明絶縁パターン部１４における溝部１４ｃとすることで、透明絶縁パターン部１４のランダムパターンを得る。
【０１９１】
図３３に示すように、溝部１４ｃは、様々な線幅Ｗに変化させることができる。溝部１４ｃの線幅Ｗを変化させることにより、溝部１４ｃで分割された透明導電層１２による透明絶縁パターン部１４の被覆率が、広い範囲で調整可能である。下記表１には、ランダムパターンとして生成させる円の半径ｒの範囲（Ｒ_min〜Ｒ_max）、および溝部１４ｃの線幅Ｗ毎に、透明導電層１２による透明絶縁パターン部１４の被覆率［％］を算出した結果を示す。
【０１９２】
【表１】

【０１９３】
上記表１に示すように、溝部１４ｃによって透明導電層１２を分割してなる透明絶縁パターン部１４では、透明導電層１２による被覆率を２８．５％〜７４．９％の広い範囲で調整することが可能であることがわかる。
【０１９４】
これに対して、例えば図３１Ａに示した透明電極パターン部１３の反転パターンを絶縁領域とした場合、この絶縁領域においての透明導電層１２の被覆率は、次の計算により上限６５％程度が限界値として導かれる。
【０１９５】
すなわち、ある領域に円を配列する場合、円の充填率の最大値は、円を千鳥配列した状態が理論的な最大値９０．７％となる。ここで、円の半径を５０μｍとした時、各円を独立して配置するために円と円との間に８μｍの間隔を設けるとすると、各円の半径は（５０−８／２）＝４６μｍに縮小される。この状態での円の面積率は（４６×４６）／（５０×５０）＝０．８４６となり、円の充填率は（９０．７％）×（０．８４６）＝７６．７％となる。
【０１９６】
ここで、各円の半径をランダムにした場合、円と円との隙間がさらに広がり、実際の充填率は、千鳥配列での充填率（９０．７％）と格子配列での充填率（７８．５％）との間の値になる。この値は、ランダムに生成させた円の最大半径と最小半径との比（分布）によって変わるが、おおよそ最大８０％程度となる。
【０１９７】
そこで、初期にランダムパターンとして生成する円の半径ｒの範囲をＲ_min＝３５μｍ〜Ｒ_max＝５０μｍとし、円と円との間に８μｍの間隔を設けることとする。この場合の円の充填率は、８０％×（３１×３１）／（３５×３５）＝６２．７６％〜８０％×（４６×４６）／（５０×５０）＝６７．７１％の間となる。ランダムに生成させた円の分布を、少し大きい円にシフトさせても充填率６５％程度が限界値として導かれるのである。このようにして算出された充填率６５％程度の限界値は、溝部１４ｃによって透明導電層１２を分割してなる透明絶縁パターン部１４において算出した被覆率７４．９％よりも低いことがわかる。
【０１９８】
［効果］
以上説明した構成の透明導電性素子１では、透明電極パターン部１３を構成する透明導電層１２に対して複数の孔部１３ａをランダムに設けたことにより、透明電極パターン部１３においての透明導電層１２による被覆率が抑えられている。一方、透明電極パターン部１３に隣接する透明絶縁パターン部１４には、島状に分割された透明導電層１２が配置されている。これにより、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４とにおいての、透明導電層１２による被覆率差が小さく抑えられ、これらのパターン部１３、１４間のコントラストを低下させて透明電極パターン部１３のパターンの視認性を低下させることができる。
【０１９９】
特に、透明電極パターン部１３の透明導電層１２にはランダムに孔部１３ａが設けられ、かつ透明絶縁パターン部１４の透明導電層１２は、ランダムな方向に延設された溝部１４ｃによって分割されている。このため、モアレの発生が抑制され、しかも透明絶縁パターン部１４と透明電極パターン部１３との境界に、透明電極パターン部１３に沿って連続した溝パターンが配置されることはなく、電極領域の輪郭が目立たない構成となっている。
【０２００】
透明絶縁パターン部１４における透明導電層１２の被覆率は、溝部１４ｃの幅によって広い範囲で調整可能である。このため、透明電極パターン部１３におけるシート抵抗を低く抑えるために透明導電層１２の膜厚を厚く設定した場合であっても、透明導電層１２の被覆率が高い透明絶縁パターン部１４を構成することができるため、透明電極パターン部１３のコントラストを効果的に小さくすることが可能になる。
【０２０１】
［変形例］
本技術に係る第２の実施形態は、エッチング法に代えて印刷法を用いて透明導電性素子１、２を作製するようにしてもよい。印刷法に用いる原盤の転写面形状以外のことは、上述の第２の実施形態と同様とすることができるので、ここでは原盤の構成のみについて説明する。
【０２０２】
［原盤］
図３４Ａは、第１の製造方法で用いられる原盤の形状の一例を示す斜視図である。図３４Ｂは、図３４Ａに示した電極領域形成部Ｒ₁および絶縁領域形成部Ｒ₂の一部（拡大部Ｂ）を拡大して示す平面図である。これらの図に示す原盤１００は、例えば、転写面としての円柱面を有するロール原盤であり、その円柱面には電極領域形成部Ｒ₁および絶縁領域形成部Ｒ₂が交互に敷き詰められている。
【０２０３】
電極領域形成部Ｒ₁には、凹形状の複数の孔部１１３ａが離間して形成されている。これらの孔部１１３ａは、透明導電性素子の電極領域における孔パターンを印刷により形成するための部分である。また、電極領域形成部Ｒ₁における各孔部１１３ａ間の凸部分は、電極領域に配置される透明導電層を印刷によって形成するための部分である。
【０２０４】
絶縁領域形成部Ｒ₂には、凹形状の溝部１１４ｃがランダムな方向に延設されている。これらの溝部１１４ｃは、透明導電性素子１の絶縁領域における溝パターンを印刷により形成するための部分である。また、絶縁領域形成部Ｒ₂における各溝部１１４ｃで分離された島状の凸部分は、絶縁領域に独立した島状で配置される透明導電層を印刷により形成するための部分であり、電極領域形成部Ｒ₁の凸部分と同一高さを有する部分である。
【０２０５】
＜７．第７の実施形態＞
図３５Ａ、図３５Ｂは、第７の実施形態の透明導電性素子の構成を説明するための拡大図である。図３５Ａは、図３０における拡大部Ａに対応する拡大平面図であり、図３５Ｂは、図３５Ａの拡大平面図におけるＡ−Ａ’部分の断面図である。これらの図に示す透明導電性素子１が、図３１を用いて説明した第６の実施形態の透明導電性素子１と異なるところは、透明電極パターン部１３がベタ膜状の透明導電層１２で構成されているところにあり、他の構成は同様である。
【０２０６】
すなわち、透明電極パターン部１３は、この領域内に透明導電層１２がベタ膜状で配置され、透明導電層１２による被覆率が１００％である。このような透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４との境界にも、これらのパターン部１３、１４間にわたって配置された透明導電層１２が、ランダムに配置される。
【０２０７】
この場合、透明絶縁パターン部１４の構成は第１実施形態と同様であるが、透明絶縁パターン部１４における透明導電層１２の被覆率の設定範囲は、第６の実施形態よりも高くなる。このため、この被覆率を調整する溝部１４ｃの線幅の調整範囲は、第１実施形態よりも小さくなる。
【０２０８】
［効果］
このような構成の透明導電性素子２であっても、透明電極パターン部１３に隣接する透明絶縁パターン部１４には、ランダムな方向に延設された溝部１４ｃによって島状に分割された透明導電層１２が配置されている。このため、第６の実施形態と同様に、モアレの発生が抑制され、しかも透明電極パターン部１３の輪郭が目立たない構成であるとともに、透明電極パターン部１３におけるシート抵抗を低く抑えるために透明導電層１２の膜厚を厚く設定した場合であっても、透明導電層１２の被覆率が高い透明絶縁パターン部１４を構成することができる。したがって、透明電極パターン部１３のコントラストを効果的に小さくすることが可能になる。
【０２０９】
＜８．第８の実施形態＞
図３６Ａは、本技術の第８実施形態に係る透明導電性素子の一構成例を説明するための平面図である。本技術の第８の実施形態は、透明電極パターン部１３の平均境界線長さＬａと、透明絶縁パターン部１４の平均境界線長さＬｂとの平均境界線長さ比（Ｌａ／Ｌｂ）の数値範囲を限定している点において、第１の実施形態とは異なっている。具体的には、第１の領域（電極領域）Ｒ₁に設けられた透明電極パターン部１３の平均境界線長さＬａと、第２の領域（絶縁領域）Ｒ₂に設けられた透明絶縁パターン部１４の平均境界線長さＬｂとの平均境界線長さ比（Ｌａ／Ｌｂ）は、０．７５以上１．２５以下の範囲内であることが好ましい。但し、平均境界線長さＬａは、透明電極パターン部１３に設けられた孔部１３ａと導電部１３ｂとの平均境界線の長さであり、平均境界線の長さＬｂは、透明絶縁パターン部１４に設けられた島部１４ａと間隙部１４ｂとの平均境界線の長さである。
【０２１０】
平均境界線長さ比（Ｌａ／Ｌｂ）が上述の範囲外であると、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４との被覆率差が同等であっても、透明電極パターン部１３および透明絶縁パターン部１４が視認されてしまう。これは、例えば、透明導電材料が有る部分と無い部分とで屈折率が異なることに起因する。透明導電材料が有る部分と無い部分とで屈折率差が大きい場合、透明導電材料が有る部分と無い部分との境界部で光散乱が発生する。これにより、境界線長さがより長い領域の方がより白っぽく見えてしまい、JIS Z8722に従い評価した透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４との反射Ｌ値の差の絶対値が０．３以上となり、被覆率差に依らずパターンが視認されてしまう。
【０２１１】
ここで、透明電極パターン部１３の平均境界線長さＬａは、以下のようにして求めたものである。まず、デジタルマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、商品名：VHX-900）にて観察倍率１００〜５００倍の範囲で透明電極パターン部１３を観察し、観察像を保存する。次に、保存した観察像から画像解析により境界線（ΣＣ_i＝Ｃ₁＋・・・＋Ｃ_n）を計測し、境界線長さＬ₁［ｍｍ／ｍｍ²］を得る。この計測を、透明電極パターン部１３から無作為に選び出された１０視野について行い、境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を得る。次に、得られた境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を単純に平均（算術平均）して、透明電極パターン部１３の平均境界線長さＬａを求める。
【０２１２】
また、透明絶縁パターン部１４の平均境界線長さＬｂは、以下のようにして求めたものである。まず、デジタルマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、商品名：VHX-900）にて観察倍率１００〜５００倍の範囲で透明絶縁パターン部１４を観察し、観察像を保存する。次に、保存した観察像から画像解析により境界線（ΣＣ_i＝Ｃ₁＋・・・＋Ｃ_n）を計測し、境界線長さＬ₁［ｍｍ／ｍｍ²］を得る。この計測を、透明絶縁パターン部１４から無作為に選び出された１０視野について行い、境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を得る。次に、得られた境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を単純に平均（算術平均）して、透明絶縁パターン部１４の平均境界線長さＬｂを求める。
【０２１３】
［変形例］
図３６Ｂは、本技術の第８実施形態に係る透明導電性素子の変形例を説明するための平面図である。図３６Ｂに示すように、透明絶縁パターン部１４に網目状の溝部１４ｃを設けた構成とした場合にも、平均境界線長さ比（Ｌａ／Ｌｂ）は、０．７５以上１．２５以下の範囲内であることが好ましい。ここで、平均境界線の長さＬｂは、透明絶縁パターン部１４に設けられた島部１４ａと、間隙部の一例である溝部１４ｃとの平均境界線の長さである。透明絶縁パターン部１４の平均境界線長さＬｂは、画像解析により境界線（Σｌ_i＝ｌ₁＋・・・＋ｌ_n）を計測し、境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀［ｍｍ／ｍｍ²］を得る以外は、上述の方法と同様にして求めることができる。但し、境界線ｌ_i（ｌ₁、・・・、ｌ_n）は、各島部１４ａと溝部１４ｃとの境界線を意味する。
【０２１４】
＜９．第９の実施形態＞
図３７は、本技術の第９の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。第９の実施形態に係る情報入力装置は、基材２１の一方の主面に透明導電層１２を備え、他方の主面に透明導電層２２を備える点において、第１の実施形態の情報入力装置とは異なっている。透明導電層１２は、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とを備える。透明導電層２２は、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部とを備える。透明導電層１２の透明電極パターン部は、Ｘ軸方向に延在されたＸ電極パターン部であり、透明導電層２２の透明電極パターン部は、Ｙ軸方向に延在されたＹ電極パターン部である。したがって、透明導電層１２と透明導電層２２との透明電極パターン部とは互いに直交する関係にある。
【０２１５】
＜１０．第１０の実施形態＞
図３８は、本技術の第１０の実施形態に係る透明導電性素子の構成の一例を示す断面図である。図３８に示すように、情報入力装置１０は、基材１１と、複数の透明電極パターン部１３および透明電極パターン部２３と、絶縁パターン部１４と、透明絶縁層５１とを備える。複数の透明電極パターン部１３および透明電極パターン部２４は、基材１１の同一の表面に設けられている。絶縁パターン部１４は、基材１１の面内方向における透明電極パターン部１３および透明電極パターン部２３の間に設けられている。透明絶縁層５１は、透明電極パターン部１３および透明電極パターン部２３の交差部間に介在されている。
【０２１６】
また、必要に応じて、透明電極パターン部１３および透明電極パターン部２３が形成された基材１１の表面に光学層５２をさらに備えるようにしてもよい。光学層５２は、貼合層５３と、基体５４とを備え、貼合層５３を介して基体５４が基材１１の表面に貼り合わされている。情報入力装置１０は、表示装置の表示面に対して適用して好適なものである。基材１１および光学層５２は、例えば、可視光に対して透明性を有しており、その屈折率ｎは、１．２以上１．７以下の範囲内であることが好ましい。以下では、情報入力装置１０の表面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その表面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。
【０２１７】
透明電極パターン部１３は、基材１１の表面においてＸ軸方向（第１の方向）に延在されているに対して、透明電極パターン部２３は、基材１１の表面においてＹ軸方向（第２の方向）に向かって延在されている。したがって、透明電極パターン部１３と透明電極パターン部２３とは直交するように交差している。透明電極パターン部１３と透明電極パターン部２３とが交差する交差部Ｃには、両電極間を絶縁するための透明絶縁層５１が介在されている。透明電極パターン部１３および透明電極パターン部２３の一端にはそれぞれ、取り出し電極が電気的に接続され、この取り出し電極と駆動回路とがＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）を介して接続されている。
【０２１８】
図３９Ａは、図３８Ａに示した交差部Ｃの付近を拡大して示す平面図である。図３９Ｂは、図３９Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。透明電極パターン部１３は、複数のパッド部（単位電極体）１３ｍと、複数のパッド部１３ｍ同士を連結する複数の連結部１３ｎとを備える。連結部１３ｎは、Ｘ軸方向に延在されており、隣り合うパッド部１３ｍの端部同士を連結する。透明電極パターン部２３は、複数のパッド部（単位電極体）２３ｍと、複数のパッド部２３ｍ同士を連結する複数の連結部２３ｎとを備える。連結部２３ｎは、Ｙ軸方向に延在されており、隣り合うパッド部２３ｍの端部同士を連結する。
【０２１９】
交差部Ｃでは、連結部２３ｎ、透明絶縁層５１、連結部１３ｎがこの順序で基材１１の表面に積層されている。連結部１３ｎは、透明絶縁層５１を横断して跨ぐように形成され、透明絶縁層５１を跨いだ連結部１３ｎの一端が、隣り合うパッド部１３ｍの一方と電気的に接続され、透明絶縁層５１を跨いだ連結部１３ｎの他端が、隣り合うパッド部１３ｍの他方と電気的に接続される。
【０２２０】
パッド部２３ｍと連結部２３ｎとは、一体的に形成されているのに対して、パッド部１３ｍと連結部１３ｎとは、別形成されている。パッド部１３ｍ、パッド部２３ｍ、連結部２３ｎ、および絶縁パターン部１４は、基材１１の表面に設けられた単層の透明導電層１２により構成されている。連結部１３ｎは、例えば、導電層からなる。
【０２２１】
（透明絶縁層）
透明絶縁層５１は、連結部１３ｎと連結部２３ｎとが交差する部分より大きな面積を有していることが好ましく、例えば、交差部Ｃに位置するパッド部１３ｍおよびパッド部２３ｍの先端に被さる程度の大きさを有している。
【０２２２】
透明絶縁層５１は、透明絶縁材料を主成分として含んでいる。透明絶縁材料としては、透明性を有する高分子材料を用いることが好ましく、このような材料としては、例えば、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体および共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが挙げられる。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂を使用することも可能である。ここで、（メタ）アクリレートは、アクリレートまたはメタアクリレートを意味する。
【０２２３】
（導電層）
連結部１３ｎを構成する導電層としては、例えば、金属層または透明導電層を用いることができる。金属層は、金属を主成分として含んでいる。金属としては、導電性の高い金属を用いるこことが好ましく、このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｂ、不純物添加Ｓｉなどが挙げられるが、導電性の高さ、ならびに成膜性および印刷性などを考慮すると、Ａｇが好ましい。金属層の材料として導電性が高い金属を用いることにより、連結部１３ｎの幅を狭くし、その厚さを薄くし、その長さを短くすることが好ましい。これにより視認性を向上することができる。
【０２２４】
透明導電層は、透明導電材料を主成分として含んでいる。透明導電材料としては、パッド部１３ｍ、パッド部２３ｍおよび連結部２３ｎと同様のものを用いることができる。導電層として透明導電層を用いる場合には、連結部１３ｎが透明を有するために、導電層として金属層を用いる場合よりも連結部１３ｎの幅を広くするようにしてもよい。
【０２２５】
＜１１．第１１の実施形態＞
（電子機器への適用例）
図４０〜図４４には、図１を用いて説明した第１の実施形態に係る情報入力装置を備えた表示装置を、表示部に適用した電子機器の一例を示す。以下に、本技術の電子機器の適用例について説明する。
【０２２６】
図４０は、本技術が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビ２００は、フロントパネル２０２やフィルターガラス２０３等から構成される表示部２０１を含み、その表示部２０１として先に説明した表示装置を適用する。
【０２２７】
図４１は、本技術が適用されるデジタルカメラを示す図であり、図４１Ａは表側から見た斜視図、図４１Ｂは裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラ２１０は、フラッシュ用の発光部２１１、表示部２１２、メニュースイッチ２１３、シャッターボタン２１４等を含み、その表示部２１２として先に説明した表示装置を適用する。
【０２２８】
図４２は、本技術が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータ２２０は、本体２２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード２２２、画像を表示する表示部２２３等を含み、その表示部２２３として先に説明した表示装置を適用する。
【０２２９】
図４３は、本技術が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラ２３０は、本体部２３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ２３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ２３３、表示部２３４等を含み、その表示部２３４として先に説明した表示装置を適用する。
【０２３０】
図４４は、本技術が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す正面図である。本適用例に係る携帯電話機２４０は、上側筐体２４１、下側筐体２４２、連結部（ここではヒンジ部）２４３、表示部２４４を含み、その表示部２４４として先に説明した表示装置を適用する。
【０２３１】
［効果］
以上説明した第１１の実施形態の各電子機器では、第１の実施形態で説明した表示装置を表示部に用いているため、情報入力装置１０を有しつつも、表示パネルにおいての高精彩な表示を行うことが可能になる。
【実施例】
【０２３２】
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【０２３３】
（実施例１−１〜１−４）
まず、スパッタリング法により、厚み１２５μｍのＰＥＴフィルムの表面にＩＴＯ層を形成することにより、透明導電性フィルムを得た。この透明導電性フィルムのシート抵抗は２５４Ω／□であった。次に、透明導電性フィルムのＩＴＯ層上にレジスト層を形成した後、ランダムパターンの形成されたＣｒフォトマスクを用いて、レジスト層を露光した。この際、Ｃｒフォトマスクのランダムパターンとしては、円形状からなるランダムパターンを採用した。次に、レジスト層を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、ＩＴＯ層をウエットエッチングした後、レジスト層をアッシング処理により除去した。これにより、表２に示すパラメータを有する複数の孔部、および複数の島部がそれぞれランダムに形成された透明電極パターン部、および透明絶縁パターン部が得られた。これらのパターン部の写真を図４５Ａおよび図４５Ｂに示す。図４５Ａおよび図４５Ｂにおいて、第１の領域Ｒ₁が、電極として機能する導電部であり、第２の領域Ｒ₂が、ダミー電極として機能する非導電部である。
以上により、目的とする透明導電性フィルムが得られた。
【０２３４】
（実施例１−５〜１−８）
塗布法により、厚み１２５μｍのＰＥＴフィルムの表面に銀ナノワイヤー層を形成することにより、透明導電性フィルムを得た。この透明導電性フィルムのシート抵抗は１３０Ω／□であった。これ以外は、実施例１−１〜１−４と同様にして透明導電性フィルムを得た。
【０２３５】
（比較例１−１）
ランダムパターンの形成されていないＣｒフォトマスクを用いて透明電極パターン部、および透明絶縁パターン部を形成する以外のことは、実施例１−１と同様にして透明導電性フィルムを得た。
【０２３６】
（比較例１−２）
ランダムパターンの形成されていないＣｒフォトマスクを用いて透明電極パターン部、および透明絶縁パターン部を形成する以外のことは、実施例１−５と同様にして透明導電性フィルムを得た。
【０２３７】
（評価）
上述のようにして得られた透明導電性フィルムについて、透明電極パターン部の非視認性、ギラツキ、ならびにモアレおよび干渉光を、以下のようにして評価した。まず、対角3.5インチの液晶ディスプレイ上に、粘着シートを介して透明導電性フィルムのＩＴＯ側または銀ワイヤー側の面が画面と対向するように貼り合わせた。次に、透明導電性フィルムの基材（ＰＥＴフィルム）側に、粘着シートを介してＡＲフィルムを貼り合わせた。その後、液晶ディスプレイを黒表示または緑色表示し、表示面を目視により観察して、非視認性、ギラツキ、ならびにモアレおよび干渉光を評価した。その結果を表２に示す。
以下に、非視認性、ギラツキ、ならびにモアレおよび干渉光の評価基準を示す。
【０２３８】
＜非視認性＞
◎：どの角度から見てもパターンを全く視認できない
○：パターンが非常に視認しにくいが、角度によっては視認可能
×：視認可能
【０２３９】
＜ギラツキ＞
◎：あらゆる角度から観察してギラツキが感じられない
○：正面から観察してギラツキがないが、斜めから観察してギラツキが少し感じられる
×：正面から観察してギラツキが感じられる
【０２４０】
＜モアレおよび干渉光＞
◎：あらゆる角度から観察してモアレおよび干渉光が感じられない
○：正面から観察してモアレおよび干渉光がないが、斜めから観察してモアレおよび干渉光が少し感じられる
×：正面から観察してモアレおよび干渉光が感じられる
【０２４１】
【表２】

表２から以下のことがわかる。
孔部および島部をランダムに形成した実施例１−１〜１−８では、導電パターン部の非視認性を向上することができる。また、ぎらつきを抑制し、かつ、モアレおよび干渉光の発生も抑制することができる。これに対して、孔部および島部を形成していない比較例１−１、１−２では、導電パターン部の非視認性を向上することはできない。
【０２４２】
実施例１−１〜１−８に示したランダムパターンを採用することで、ＩＴＯフィルムにおいても銀ワイヤーフィルムにおいても電極パターンの非視認性を向上できる。また、作製した導電性フィルムをより詳細に観察すると、銀ワイヤーフィルムの場合は、銀ワイヤー被覆面積が減少したことで、導電部の反射Ｌ値の値が小さくなっていた。その結果、導電部の画面の黒表示がより沈み、直線状パターンやダイヤモンドパターンなどを使用した場合と比べてディスプレイの表示特性が向上する効果も見られた。
【０２４３】
このようにＩＴＯと銀ワイヤーとで若干効果に違いがあるのは、両者のパターンが視認できてしまう要因が異なることが原因である。ＩＴＯフィルムの場合は、導電部と非導電部における反射率の違いによりパターンが視認できてしまうのに対し、銀ワイヤーフィルムの場合は、反射Ｌ値の違いによりパターンが視認できてしまう。そのため、どちらも実施例１−１〜１−８に示したランダムパターンを採用することで非視認性は同様に向上するが、付随して得られる効果に若干違いが生じたと考えられる。
【０２４４】
導電パターン部と非導電パターン部の被覆率の差が５０％あっても、透明電極パターン部を見えにくくする効果は充分ある。なお、被覆率がほぼ同一の場合、どのような視認方法をとっても、透明電極パターン部を確認することは不可能であった。これは、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部の被覆率が完全に同一のときに最も視認しにくくなるためである。この点を考慮すると、両者の被覆率は同一または近い値に近づけることが好ましい。
【０２４５】
以下に述べる実施例２−１〜２−１２については、表３で各種条件や評価結果を示している。なお、非視認性、モアレおよび干渉光、ギラツキの評価基準は、上述の実施例１−１〜１−８、比較例１−１、１−２と同様である。
【０２４６】
＜実施例２−１〜２−３＞
まず、スパッタリング法により、厚み１２５μｍのＰＥＴフィルムの表面にＩＴＯ層を形成することにより、透明導電性フィルムを得た。この透明導電性フィルムのシート抵抗は１５０Ω／□であった。次に、透明導電性フィルムのＩＴＯ層上にレジスト層を形成した後、ランダムパターンの形成されたＣｒフォトマスクを用いて、レジスト層を露光した。この際、Ｃｒフォトマスクのランダムパターンとしては、円形状からなるランダムパターンを採用した。次に、レジスト層を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、ＩＴＯ層をウエットエッチングした後、レジスト層をアッシング処理により除去した。
【０２４７】
これにより、表３の実施例２−１で示すパラメータを有し、図４６Ａに示すように複数の孔部１３ａ、および複数の島部１４ａがそれぞれランダムに形成された透明電極パターン部１３、および透明絶縁パターン部１４を有するＸ電極（透明導電性素子１）が得られた。表３のパラメータで示されるように、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４では、円サイズ範囲が異なるパラメータとされることで、互いに異なるランダムパターンに基づくものとされる。なお、表３の円サイズ範囲の数値は、最終的にランダム生成された円（孔部１３ａや島部１４ａに相当する円）の直径を示しており、パターン形成過程での円の半径サイズ（つまり上述したＲ_min、Ｒ_max）ではない。また、透明電極パターン部１３の導電材料部の被覆率は６６．９％、透明絶縁パターン部１４の導電材料部の被覆率は４９．８となった。
【０２４８】
実施例２−１の透明導電性素子１の単体の評価結果として、モアレおよび干渉光やギラツキに関しては極めて良好で、非視認性もほぼ良好であった。
【０２４９】
実施例２−２としては実施例２−１と同様の手法を用いて、表３に示すパラメータを有し、図４６Ｂのように複数の孔部１３ａ、および複数の島部１４ａがそれぞれランダムに形成された透明電極パターン部２３、および透明絶縁パターン部２４を有するＹ電極（透明導電性素子２）を生成した。この実施例２−２も透明電極パターン部２３の導電材料部の被覆率は６６．９％、透明絶縁パターン部２４の導電材料部の被覆率は４９．８となった。
【０２５０】
実施例２−２の透明導電性素子２の単体の評価結果として、モアレおよび干渉光やギラツキに関しては極めて良好で、非視認性もほぼ良好であった。
【０２５１】
実施例２−３は、上記実施例２−１、２−２の透明導電性素子１、２を重ね合わせた状態で評価を行ったものである。具体的には図１の構造の情報入力装置１０の状態にして評価を行った。
【０２５２】
導電材料部の被覆率の加算値の差は、最大で３４．２である。
つまり図２２Ｂや図２７Ｂで示した領域ＡＲ１、ＡＲ２、ＡＲ３でいうと、被覆率の加算値は、
領域ＡＲ１：６６．９＋６６．９＝１３３．８
領域ＡＲ２：４９．８＋４９．８＝９９．６
領域ＡＲ３：６６．９＋４９．８＝１１６．７
となり、加算値の差の最大値は、１３３．８−９９．６＝３４．２となる。
【０２５３】
実施例２−３の評価結果として、モアレおよび干渉光やギラツキに関しては極めて良好で、非視認性もほぼ良好であった。
【０２５４】
＜実施例２−４〜２−６＞
塗布法により、厚み１２５μｍのＰＥＴフィルムの表面に銀ナノワイヤー層を形成することにより、透明導電性フィルムを得た。この透明導電性フィルムのシート抵抗は１００Ω／□であった。これ以外は、実施例２−１〜２−３と同様にして評価を行った。この場合も、実施例２−６において導電材料部の被覆率の加算値の差は、最大で３４．２である。表３に示すように、実施例２−４（透明導電性素子１の単体）、実施例２−５（透明導電性素子２の単体）、実施例２−６（実施例２−４、２−５を用いた図１の構成の情報入力装置１０）において、モアレおよび干渉光やギラツキに関しては極めて良好で、非視認性もほぼ良好であった。
【０２５５】
＜実施例２−７〜２−９＞
上記の実施例２−４〜２−６と同様の手法を用いて、表３に示すパラメータを有する複数の孔部１３ａ、および複数の島部１４ａがそれぞれランダムに形成された透明電極パターン部、および透明絶縁パターン部の実施例２−７のＸ電極（透明導電性素子１）、実施例２−８のＹ電極（透明導電性素子２）、実施例２−９のＸ電極とＹ電極の組合せ（情報入力装置１０）を得た。但し、Ｙ電極の導電部には、ランダムパターンを配置しなかった。
【０２５６】
Ｘ電極においては、透明電極パターン部１３と透明絶縁パターン部１４で、円サイズ範囲と最隣接距離のそれぞれが異なるパラメータとされることで、互いに異なるランダムパターンに基づくものとされる。Ｙ電極においては、透明電極パターン部２３が導電材料部１００％で、透明絶縁パターン部２４が図示する円サイズ範囲と最隣接距離のパラメータに基づくランダムパターンによるものとすることで、透明電極パターン部２３と透明絶縁パターン部２４が異なるパターンとなるようにした。この場合、実施例２−９において導電材料部の被覆率の加算値の差は、最大で５２．６である。
【０２５７】
表３に示すように、実施例２−７（透明導電性素子１の単体）、実施例２−８（透明導電性素子２の単体）、実施例２−９（実施例２−７、２−８を用いた図１の構成の情報入力装置１０）において、モアレおよび干渉光やギラツキに関しては極めて良好で、非視認性もほぼ良好であった。
【０２５８】
＜実施例２−１０〜２−１２＞
上記の実施例２−４〜２−６と同様の手法を用いて、実施例２−１０のＸ電極（透明導電性素子１）、実施例２−１１のＹ電極（透明導電性素子２）、実施例２−１２のＸ電極とＹ電極の組合せ（情報入力装置１０）を得た。
【０２５９】
実施例２−１０、２−１１では、図４７のように透明電極パターン部１３、２３（領域Ｒ１）にはランダムパターンを配置せず、導電材料部の被覆率１００％とした。また透明絶縁パターン部１４、２４（領域Ｒ２）にはランダムメッシュパターンを配置した。このような島部１４ａを有するランダムメッシュパターンは、表３に示す円サイズ範囲や最隣接距離のパラメータで生成した。この場合、実施例２−１２において導電材料部の被覆率の加算値の差は、最大で３２．２である。
【０２６０】
表３に示すように、実施例２−１０（透明導電性素子１の単体）、実施例２−１１（透明導電性素子２の単体）、実施例２−１２（実施例２−１０、２−１１を用いた図１の構成の情報入力装置１０）において、モアレおよび干渉光やギラツキに関しては極めて良好で、非視認性もほぼ良好であった。
【０２６１】
なお、Ａｇナノワイヤーフィルムの場合は、透明電極パターン部１３、２３にランダムパターン処理を施した場合、Ａｇナノワイヤー被覆面積が減少したことで、導電部の反射Ｌ値の値が小さくなっていた。その結果、導電部の画面の黒表示がより沈み、直線状パターンやダイヤモンドパターンなどを使用した場合と比べてディスプレイの表示特性が向上する効果も見られた。
【０２６２】
ランダムパターンを施したＡｇナノワイヤーフィルムを、有色化合物を溶解した溶液に浸漬することにより、有色化合物がＡｇナノワイヤー表面に選択的に吸着した。この処理により、導電部と非導電部ともに反射Ｌ値がより小さくなった。その結果、ディスプレイの表示特性がさらに向上した。
【０２６３】
【表３】

【０２６４】
＜実施例３−１＞
図４８Ａに示すように、電極領域にはランダムパターンなし、絶縁領域にはランダムパターンとして溝パターンが形成されるようにパターン露光を行った。ランダムパターン生成の際に用いたパラメータは次のようである。
電極領域…なし
絶縁領域…半径範囲：２５μｍ〜４５μｍ、溝パターンの線幅：８μｍ
【０２６５】
＜実施例３−２＞
図４８Ｂに示すように、電極領域にはランダムパターンとして孔パターンが形成され、絶縁領域にはランダムパターンとして溝パターンが形成されるようにパターン露光を行った。ランダムパターン生成の際に用いたパラメータは次のようである。
電極領域…半径範囲：３５μｍ〜４８μｍ、半径縮小値：１８．５μｍ
絶縁領域…実施例３−１と同一
【０２６６】
＜実施例３−３＞
図４８Ｃに示すように、電極領域にはランダムパターンとして帯状パターンが形成され、絶縁領域にはランダムパターンとして溝パターンが形成されるようパターン露光を行った。ランダムパターン生成の際に用いたパラメータは次のようである。
電極領域…半径範囲：２５μｍ〜４５μｍ、帯状パターンの線幅：３０μｍ
絶縁領域…実施例３−１と同一
【０２６７】
＜比較例３−１＞
電極領域、絶縁領域とも、ランダムパターン無しとした。
以上のようにパターン露光を行った後、レジスト層を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、銀ナノワイヤー層をウエットエッチングした。エッチング終了後には、レジスト層をアッシング処理により除去した。
【０２６８】
以上により、透明導電層による各被覆率パラメータを有する電極領域および絶縁領域を備えた透明電極素子を得た。
【０２６９】
＜評価＞
実施例３−１〜３−３および比較例で作製した各透明電極素子について、電極領域および絶縁領域のパターンの非視認性、モアレおよび干渉光、ギラツキを目視にて評価した。この結果を、透明導電層による各被覆率パラメータと共に下記表４に合わせて示した。各項目の評価基準は次のようである。
【０２７０】
［非視認性］
上述の実施例１−１〜１−８、比較例１−１、１−２と同様にして、非視認性を評価した。
【０２７１】
［モアレおよび干渉光］
上述の実施例１−１〜１−８、比較例１−１、１−２と同様にして、モアレおよび干渉光を評価した。
【０２７２】
［ギラツキ］
上述の実施例１−１〜１−８、比較例１−１、１−２と同様にして、ギラツキを評価した。
【０２７３】
【表４】

上記表４に示す結果から、実施例３−１〜３−３のように、絶縁領域にも透明導電層を設けたことにより、電極領域および絶縁領域のパターンの非視認性が良好になることが確認された。特に実施例３−２〜３−３のように、電極領域の透明導電層にもランダムパターンを設けることで、電極領域と絶縁領域とにおいての透明導電層による被覆率差を抑えたことにより、実施例３−１よりもさらにパターンの非視認性が良好になることが確認された。
【０２７４】
また実施例３−２、３−３の電極領域は、銀ナノワイヤー層からなる透明導電層の被覆率が抑えられているため、銀ナノワイヤー表面での外光の乱反射による反射Ｌ値の値が小さくなっていた。またこの結果として、透明電極素子を表示パネルの表示面上に配置した構成において、電極領域に直線状パターンやダイヤモンドパターンなどを使用した場合と比較し、実施例３−２、３−３の透明電極素子を使用した場合では、表示画面の黒表示が沈む効果が確認された。これにより、透明電極素子を用いたタッチパネルを表示面上に設けた表示装置において、表示特性が向上する効果も見られた。
【０２７５】
さらに追加の実施例として、実施例３−１〜３−３で得たランダムパターンを有する銀ナノワイヤー層（透明導電層）を、有色化合物を溶解した溶液に浸漬し、銀ナノワイヤー表面に有色化合物を吸着させる処理を行った。この処理により、実施例３−１〜３−３の銀ナノワイヤー層（透明導電層）で構成された電極領域と絶縁領域ともに、反射Ｌ値がより小さくなることが確認された。その結果、金属ナノワイヤーに有色化合物を吸着させた透明導電層を用い、これにランダムパターンを形成した透明電極素子をタッチパネルとして用いることにより、表示面上にタッチパネルを設けながらも表示パネルにおいての表示特性を維持可能であることが確認された。
【０２７６】
（平均境界線長さの評価方法）
本実施例および比較例において、透明電極パターン部の平均境界線長さＬａは、以下のようにして求めた。まず、デジタルマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、商品名：VHX-900）にて観察倍率１００〜５００倍の範囲で透明電極パターン部を観察し、観察像を保存する。次に、保存した観察像から画像解析により境界線を計測し、境界線長さＬ₁［ｍｍ／ｍｍ²］を得る。この計測を、透明電極パターン部から無作為に選び出された１０視野について行い、境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を得る。次に、得られた境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を単純に平均（算術平均）して、透明電極パターン部の平均境界線長さＬａを求める。
【０２７７】
また、透明絶縁パターン部の平均境界線長さＬｂは、以下のようにして求めた。まず、デジタルマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、商品名：VHX-900）にて観察倍率１００〜５００倍の範囲で透明絶縁パターン部を観察し、観察像を保存する。次に、保存した観察像から画像解析により境界線を計測し、境界線長さＬ₁［ｍｍ／ｍｍ²］を得る。この計測を、透明絶縁パターン部から無作為に選び出された１０視野について行い、境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を得る。次に、得られた境界線長さＬ₁、・・・・、Ｌ₁₀を単純に平均（算術平均）して、透明絶縁パターン部の平均境界線長さＬｂを求める。
【０２７８】
（平均境界線長さ比）
本実施例および比較例において、平均境界線長さ比は、上述の「平均境界線長さの評価方法」で求めた平均境界線長さＬａ、Ｌｂを、以下の式に代入することにより求めた。
平均境界線長さの比＝（平均境界線長さＬａ）／（平均境界線長さＬｂ）
【０２７９】
（実施例４−１〜４−５）
表５に示すパラメータを有する複数の孔部、および複数の島部をランダムに形成する以外は、実施例１−１〜１−８、比較例１−１、１−２と同様にして透明導電性フィルムを得た。
【０２８０】
（反射Ｌ値の評価）
透明導電性フィルムの透明電極パターン部と透明絶縁パターン部が形成された側に黒テープを貼った状態で、黒テープを貼った側とは反対側から、JIS Z8722に従い、エックスライト社製カラーｉ５で測定した。この測定を、透明導電性フィルムの透明電極パターン部から無作為に選び出された５箇所で行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、透明電極パターン部の平均反射Ｌ値を求めた。また、同様の測定を透明導電性フィルムの透明絶縁パターン部についても行い、透明絶縁パターン部の平均反射Ｌ値を求めた。
【０２８１】
（反射Ｌ値の差の絶対値）
上述の「反射Ｌ値の評価」の評価で求めた反射Ｌ値を、以下の式に代入することにより反射Ｌ値の差の絶対値を求めた。
反射Ｌ値の差の絶対値＝｜（透明電極パターン部の反射Ｌ値）−（透明絶縁パターン部の反射Ｌ値）｜
【０２８２】
（非視認性）
上述の実施例１−１〜１−８、比較例１−１、１−２と同様にして、非視認性を評価した。
【０２８３】
（モアレおよび干渉光）
上述の実施例１−１〜１−８、比較例１−１、１−２と同様にして、モアレおよび干渉光を評価した。
【０２８４】
（ギラツキ）
上述の実施例１−１〜１−８、比較例１−１、１−２と同様にして、ギラツキを評価した。
【０２８５】
（円以外の形状）
各実施例にて生成したランダムパターン円内に描いた図形を円から他の形状へ変更した場合でも、透明電極パターン部と透明絶縁パターン部との被覆率差および境界線長さの比が円の場合と同等となるようにすれば、円の場合と同様の評価結果となった。
【０２８６】
【表５】

【０２８７】
【表６】

【０２８８】
表５、表６から以下のことがわかる。
境界線長さの比を０．７５以上１．２５以下の範囲内とすることで、パターンの視認を抑制できる。これに対して、境界線長さの比を０．７５以上１．２５以下の範囲外とすると、被覆率差が同等であってもパターンが視認されてしまう。これは、例えば、導電材料が有る部分と無い部分とで屈折率が異なることに起因する。導電材料が有る部分と無い部分とで屈折率差が大きい場合、導電材料が有る部分と無い部分との境界部で光散乱が発生する。これにより、境界線長さがより長い領域の方がより白っぽく見えてしまい、JIS Z8722に従い評価した導電部と非導電部との反射Ｌ値差の絶対値が０．３以上となり、被覆率差に依らずパターンが視認されてしまう。
【０２８９】
以上により、電極パターンの視認を抑制する観点からすると、境界線長さの比を０．７５以上１．２５以下の範囲内とすることが好ましい。
【０２９０】
以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０２９１】
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
【０２９２】
また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【０２９３】
また、上述の実施形態において、パターニングにより形成された導電性材料が存在しない領域において、基材表面が露出していてもよいし、基材表面上に形成された中間層（例えば、ハードコート層、光学調整層、密着補助層）が露出していていてもよい。また、透明導電層が導電性材料とバインダー材料とで形成される場合、該バインダー材料が残っていてもよい。
【０２９４】
また、上述の実施形態において、Ｘ電極パターン部とＹ電極パターン部との両方を、一枚の基材の第１の表面および第２の表面の一方に形成するようにしてもよい。この場合、Ｘ電極パターン部およびＹ電極パターン部の一方を、両者の交差部分において中継電極を介して電気的に接続する構成を採用することが好ましい。このような中継電極を用いたＸ電極パターン部とＹ電極パターン部の構成としては、例えば、特開２００８−３１０５５０号公報などに開示されている従来公知の構成を採用することができる。
【０２９５】
（１）本技術は以下のような構成もとることができる。
（１−１）
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である透明導電性素子。
（１−２）
上記透明導電部の平均境界線長さＬ１と上記透明絶縁部の平均境界線長さＬ２との平均境界線長さ比（Ｌ１／Ｌ２）が、０．７５以上１．２５以下の範囲内である（１−１）記載の透明導電性素子。
（１−３）
上記透明導電部および上記透明絶縁部の反射Ｌ値の差の絶対値が、０．３未満である（１−１）または（１−２）記載の透明導電性素子。
（１−４）
上記孔部および上記島部が、ドット状を有している（１−１）〜（１−３）の何れかに記載の透明導電性素子。
（１―５）
上記ドット状は、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる少なくとも１種である（１−４）記載の透明導電性素子。
（１−６）
上記孔部間の導電部および上記島部間の間隙部が、網目状を有している（１−１）〜（１−３）の何れかに記載の透明導電性素子。
（１−７）
上記孔部がドット状を有し、上記島部間の間隙部が網目状を有している（１−１）〜（１−３）の何れかに記載の透明導電性素子。
（１−８）
上記孔部間の導電部が網目状を有し、上記島部がドット状を有している（１−１）〜（１−３）の何れかに記載の透明導電性素子。
（１−９）
上記透明導電部と上記透明絶縁部とにおけるランダムのパターンが、互いに異なるランダムのパターンである（１−１）〜（１−８）の何れかに記載の透明導電性素子。
（１−１０）
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている（１−１）〜（１−９）の何れかに記載の透明導電性素子。
（１−１１）
上記透明導電部および透明絶縁部における上記透明導電層の被覆率は、６５％以上１００％以下である（１−１）〜（１−１０）の何れかに記載の透明導電性素子。
（１−１２）
上記表面とは反対側となる裏面に、交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部をさらに備え、
上記表面の透明導電層の被覆率と上記裏面の透明導電層の被覆率との加算値の差が、０％以上６０％以下の範囲内である（１−１）〜（１−１１）の何れかに記載の透明導電性素子。
（１−１３）
上記透明導電部が、複数の領域を有し、
上記領域の幅をＷ、上記領域の長さをＬとしたとき、比率（Ｌ／Ｗ）が大きな領域ほど、上記透明導電層の被覆率が大きく設定されている（１−１）〜（１−１２）の何れかに記載の透明導電性素子。
（１−１４）
上記透明導電部は、透明電極パターン部である（１−１）〜（１−１３）の何れかに記載の透明導電性素子。
（１−１５）
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
上記第１の表面および上記第２の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第１の表面および上記第２の表面の少なくとも一方に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、
上記透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界線の形状は、ランダム形状である透明導電性素子。
（１−１６）
第１の透明導電性素子と、
上記第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
上記第１の透明導電性素子および上記第２の透明導電性素子の少なくとも一方が、
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である入力装置。
（１−１７）
透明導電性素子を備え、
上記透明導電性素子は、
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である電子機器。
（１−１８）
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが交互に設けられた表面を有し、
上記透明導電部形成領域には、凹状を有する複数の孔部がランダムに設けられ、
上記透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
上記透明導電部形成領域と上記透明絶縁部形成領域との境界は、ランダム形状である透明導電性素子形成用原盤。
【０２９６】
（２）本技術は以下のような構成もとることができる。
（２−１）
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
上記第１の表面および上記第２の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第１の表面および上記第２の表面の少なくとも一方に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子。
（２−２）
上記透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、
上記透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層である（２−１）記載の透明導電性素子。
（２−３）
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界線の形状は、ランダム形状である（２−１）または（２−２）記載の透明導電性素子。
（２−４）
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部が離間してランダムに形成されている（２−１）〜（２−３）の何れかに記載の透明導電性素子。
（２−５）
上記孔部および島部の形状は、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる少なくとも１種である（２−１）〜（２−４）の何れかに記載の透明導電性素子。
（２−６）
第１の透明導電性素子と、
上記第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
上記第１の透明導電性素子および上記第２の透明導電性素子の少なくとも一方が、
表面を有する基材と、
上記表面に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記基材の表面に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている情報入力装置。
（２−７）
透明導電性素子を備え、
上記透明導電性素子は、
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
上記第１の表面および上記第２の表面に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第１の表面および上記第２の表面に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている情報入力装置。
（２−８）
透明電極パターン部形成領域と透明絶縁パターン部形成領域とが交互に敷き詰められた表面を有し、
上記透明電極パターン部形成領域には、凹状を有する複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部形成領域には、凸状を有する複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子形成用原盤。
（２−９）
基材の表面に導電性塗料を印刷する工程と、
上記導電性塗料を乾燥および／または加熱することにより、上記基材の表面に透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を形成する工程と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記基材の表面に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子の製造方法。
（２−１０）
上記印刷の工程では、透明導電性素子形成用原盤の表面に導電性塗料を塗布し、塗布された透明導電塗料を基材の表面に印刷し、
上記透明導電性素子形成用原盤は、
透明電極パターン部形成領域と透明絶縁パターン部形成領域とが交互に敷き詰められた表面を有し、
上記透明電極パターン部には、凹状を有する複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、凸状を有する複数の島部が離間してランダムに形成されている（２−９）記載の透明導電性素子の製造方法。
（２−１１）
基材の表面に設けられた透明導電層の表面に、レジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとして、上記透明導電層をエッチングすることにより、上記基材の表面に透明電極パターン部および透明絶縁パターン部を形成する工程と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記基材の表面に交互に敷き詰められ、
上記透明電極パターン部には、複数の孔部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部には、複数の島部が離間してランダムに形成されている透明導電性素子の製造方法。
【０２９７】
（３）本技術は以下のような構成もとることができる。
（３−１）
基材と、
上記基材の表面において、所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と、
を備え、
上記透明電極パターン部および透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電部が互いに異なるパターンで形成されている透明導電性素子。
（３−２）
上記透明電極パターン部および上記透明絶縁パターン部は、上記導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている（３−１）記載の透明導電性素子。
（３−３）
上記透明電極パターン部は、上記導電材料部の形成面内で、複数の上記非導電部が離間してランダムに形成され、
上記透明絶縁パターン部は、上記非導電部の形成面内で、上記導電材料部が離間してランダムに形成されており、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とでは、上記導電材料部と上記非導電部の境界によって形成されるパターンが、互いに異なるランダムパターンとされている（３−１）または（３−２）記載の透明導電性素子。
（３−４）
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とでは、異なる生成条件によって生成したランダムパターンに基づいて、上記導電材料部と上記非導電部を配置することで、互いに異なるランダムパターンとなるようにする（３−２）または（３−３）記載の透明導電性素子。
（３−５）
上記透明電極パターン部および透明絶縁パターン部における上記導電材料部の被覆率は６５％以上１００％以下である（３−１）〜（３−４）の何れかに記載の透明導電性素子。
（３−６）
上記透明電極パターン部は、上記導電材料部の被覆率が異なる複数の領域により形成されている（３−１）〜（３−５）の何れかに記載の透明導電性素子。
（３−７）
基材表面に所定方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部とを有する第１の透明導電性素子と、
基材表面に上記所定方向とは直交する方向に向かって交互に敷き詰められて形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部とを有し、入力面方向から見て上記第１の透明導電性素子と重ね合わされた位置関係で配置される第２の透明導電性素子と、
を備え、
上記第１、第２の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部および透明絶縁パターン部は、それぞれ少なくとも導電材料部を有するとともに、上記導電材料部が互いに異なるパターンで形成されている入力装置。
（３−８）
上記第１、第２の透明導電性素子における、上記透明電極パターン部および上記透明絶縁パターン部は、上記導電材料部と非導電部が、互いに異なるランダムパターンで形成されている（３−７）記載の入力装置。
（３−９）
上記第１の透明導電性素子と上記第２の透明導電性素子が重ね合わされた状態で入力面方向からみた全ての領域で、上記第１の透明導電性素子の上記導電材料部の被覆率と上記第２の透明導電性素子における導電材料部の被覆率との加算値の差が、０以上６０以下である（３−７）または（３−８）記載の入力装置。
【０２９８】
（４）本技術は以下のような構成もとることができる。
（４−１）
基材と、
前記基材上に設けられた透明導電膜と、
前記透明導電膜を用いて構成された電極領域と、
前記電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターンによって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域と
を有する透明電極素子。
（４−２）
前記電極領域と前記絶縁領域との境界には、当該領域間にわたる前記透明導電膜がランダムに配置されている（４−１）記載の透明電極素子。
（４−３）
前記絶縁領域に配置された前記各溝パターンは、同一の線幅を有する（４−１）または（４−２）記載の透明電極素子。
（４−４）
前記電極領域を構成する前記透明導電膜には、複数の孔パターンがランダムに設けられている（４−１）〜（４−３）の何れかに記載の透明電極素子。
（４−５）
前記電極領域は、前記透明導電膜によって構成された複数の帯状パターンがランダムな方向に延設して配置され、当該帯状パターンによって前記孔パターンが分割されている（４−４）記載の透明電極素子。
（４−６）
前記基材は、透明材料で構成されている（４−１）〜（４−５）の何れかに記載の透明電極素子。
（４−７）
基材と、
前記基材上に設けられた透明導電膜と、
前記透明導電膜を用いて構成された複数の電極領域と
前記複数の電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターン
によって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域と
を有する情報入力装置。
（４−８）
表示パネルと、
前記表示パネルの表示面側に設けられた透明導電膜と、
前記透明導電膜を用いて構成された複数の電極領域と
前記複数の電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターン
によって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域とを有する電子機器。
【０２９９】
（５）本技術は以下のような構成もとることができる。
（５−１）
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である透明導電性素子。
（５−２）
上記透明導電部および上記透明絶縁部の反射Ｌ値の差の絶対値が、０．３未満である（５−１）記載の透明導電性素子。
（５−３）
上記島部が、ドット状を有している（５−１）または（５−２）記載の透明導電性素子。
（５―４）
上記ドット状は、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる少なくとも１種である（５−３）記載の透明導電性素子。
（５−５）
上記島部間の間隙部が、網目状を有している（５−１）または（５−２）の何れかに記載の透明導電性素子。
（５−６）
上記透明導電部は、一様な厚さで連続的に設けられた透明導電層である（５−１）〜（５−５）の何れかに記載の透明導電性素子。
（５−７）
上記透明導電部および透明絶縁部における上記透明導電層の被覆率は、６５％以上１００％以下である（５−６）の何れかに記載の透明導電性素子。
（５−８）
上記表面とは反対側となる裏面に、交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部をさらに備え、
上記表面の透明導電層の被覆率と上記裏面の透明導電層の被覆率との加算値の差が、０％以上６０％以下の範囲内である（５−１）〜（５−７）の何れかに記載の透明導電性素子。
（５−９）
上記透明導電部は、透明電極パターン部である（５−１）〜（５−９）の何れかに記載の透明導電性素子。
（５−１０）
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
上記第１の表面および上記第２の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第１の表面および上記第２の表面の少なくとも一方に交互に敷き詰められ、
上記透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界線の形状は、ランダム形状である透明導電性素子。
（５−１１）
第１の透明導電性素子と、
上記第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
上記第１の透明導電性素子および上記第２の透明導電性素子の少なくとも一方が、
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である入力装置。
（５−１２）
透明導電性素子を備え、
上記透明導電性素子は、
表面を有する基材と、
上記表面に交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状である電子機器。
（５−１３）
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが交互に設けられた表面を有し、
上記透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
上記透明導電部形成領域と上記透明絶縁部形成領域との境界は、ランダム形状である透明導電性素子形成用原盤。
（５−１４）
透明導電部形成領域には、一様な高さの凸状の平坦面が設けられている（５−１３）記載の透明導電性素子形成用原盤。
【符号の説明】
【０３００】
１ 第１の透明導電性素子
２ 第２の透明導電性素子
３ 光学層
４ 表示装置
５、３２ 貼合層
１１、２１、３１ 基材
１２、２２ 透明導電層
１３、２３ 透明電極パターン部
１４、２４ 透明絶縁パターン部
１３ａ、２３ａ 孔部
１３ｂ、２３ｂ 導電部
１４ａ、２４ａ 島部
１４ｂ、２４ｂ 間隙部
１５ 反転部
４１ レジスト層
３３ 開口部
Ｌ₁、Ｌ₂ 境界線
Ｒ₁ 第１の領域
Ｒ₂ 第２の領域

【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する基材と、
上記表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子。
【請求項２】
表面を有する基材と、
上記表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部と
を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
上記ランダム形状は、上記孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子。
【請求項３】
上記透明導電部の平均境界線長さＬ１と上記透明絶縁部の平均境界線長さＬ２との平均境界線長さ比（Ｌ１／Ｌ２）が、０．７５以上１．２５以下の範囲内である請求項１または２記載の透明導電性素子。
【請求項４】
上記透明導電部および上記透明絶縁部の反射Ｌ値の差の絶対値が、０．３未満である請求項１または２記載の透明導電性素子。
【請求項５】
上記孔部および上記島部が、ドット状を有している請求項１または２記載の透明導電性素子。
【請求項６】
上記ドット状は、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項５記載の透明導電性素子。
【請求項７】
上記孔部間の導電部および上記島部間の間隙部が、網目状を有している請求項１または２記載の透明導電性素子。
【請求項８】
上記孔部がドット状を有し、上記島部間の間隙部が網目状を有している請求項１または２記載の透明導電性素子。
【請求項９】
上記孔部間の導電部が網目状を有し、上記島部がドット状を有している請求項１または２記載の透明導電性素子。
【請求項１０】
上記透明導電部と上記透明絶縁部とにおけるランダムのパターンが、互いに異なるランダムのパターンであり、
上記互いに異なるランダムのパターンは、互いに異なる生成条件にて生成されたランダムのパターンである請求項１または２記載の透明導電性素子。
【請求項１１】
上記表面とは反対側となる裏面に、交互に設けられた透明導電部および透明絶縁部をさらに備え、
上記表面の透明導電層の被覆率と上記裏面の透明導電層の被覆率との加算値の差が、０％以上６０％以下の範囲内である請求項１または２の透明導電性素子。
【請求項１２】
上記透明導電部が、複数の領域を有し、
上記領域の幅をＷ、上記領域の長さをＬとしたとき、比率（Ｌ／Ｗ）が大きな領域ほど、上記透明導電層の被覆率が大きく設定されている請求項１または２記載の透明導電性素子。
【請求項１３】
上記透明導電部は、透明電極パターン部である請求項１または２記載の透明導電性素子。
【請求項１４】
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
上記第１の表面および上記第２の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第１の表面および上記第２の表面の少なくとも一方に平面的に交互に並べられ、
上記透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、
上記透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子。
【請求項１５】
第１の表面および第２の表面を有する基材と、
上記第１の表面および上記第２の表面の少なくとも一方に形成された透明電極パターン部および透明絶縁パターン部と
を備え、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部とが、上記第１の表面および上記第２の表面の少なくとも一方に平面的に交互に並べられ、
上記透明電極パターン部は、複数の孔部が離間してランダムに形成された透明導電層であり、
上記透明絶縁パターン部は、離間してランダムに形成された複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明電極パターン部と上記透明絶縁パターン部との境界は、ランダム形状であり、
上記ランダム形状は、上記孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子。
【請求項１６】
表面を有する第１の基材と、上記第１の基材の表面に平面的に交互に並べられた第１の透明導電部および第１の透明絶縁部とを有する第１の透明導電性素子と、
表面を有する第２の基材と、上記第２の基材の表面に平面的に交互に並べられた第２の透明導電部および第２の透明絶縁部とを有するとともに、上記第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
上記第１の透明導電部および上記第２の透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記第１の透明絶縁部および上記第２の透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記第１の透明導電部と上記第１の透明絶縁部との境界線上、および上記第２の透明導電部と上記第２の透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている入力装置。
【請求項１７】
表面を有する第１の基材と、上記第１の基材の表面に平面的に交互に並べられた第１の透明導電部および第１の透明絶縁部とを有する第１の透明導電性素子と、
表面を有する第２の基材と、上記第２の基材の表面に平面的に交互に並べられた第２の透明導電部および第２の透明絶縁部とを有するとともに、上記第１の透明導電性素子の表面に設けられた第２の透明導電性素子と
を備え、
上記第１の透明導電部および上記第２の透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記第１の透明絶縁部および上記第２の透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記第１の透明導電部と上記第１の透明絶縁部との境界、および上記第２の透明導電部と上記第２の透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
上記ランダム形状は、上記孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である入力装置。
【請求項１８】
表面を有する基材と、上記表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている電子機器。
【請求項１９】
表面を有する基材と、上記表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部とを有する透明導電性素子を備え、
上記透明導電部は、複数の孔部がランダムに設けられた透明導電層であり、
上記透明絶縁部は、ランダムに設けられた複数の島部からなる透明導電層であり、
上記透明導電部と上記透明絶縁部との境界は、ランダム形状であり、
上記ランダム形状は、上記孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である電子機器。
【請求項２０】
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが平面的に交互に並べられた表面を有し、
上記透明導電部形成領域には、凹状を有する複数の孔部がランダムに設けられ、
上記透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
上記透明導電部形成領域と上記透明絶縁部形成領域との境界線上には、該境界線を境にして孔部から島部に反転する複数の反転部がランダムに形成されている透明導電性素子形成用原盤。
【請求項２１】
透明導電部形成領域と透明絶縁部形成領域とが平面的に交互に並べられた表面を有し、
上記透明導電部形成領域には、凹状を有する複数の孔部がランダムに設けられ、
上記透明絶縁部形成領域には、凸状を有する複数の島部がランダムに設けられ、
上記透明導電部形成領域と上記透明絶縁部形成領域との境界は、ランダム形状であり、
上記ランダム形状は、上記孔部および島部の形状の一部を組み合わせて得られる形状である透明導電性素子形成用原盤。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３３】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４６】

【図４７】

【図３１】

【図３２】

【図３４】

【図３５】

【図４５】

【図４８】

【公開番号】特開２０１２−１８１８１６（Ｐ２０１２−１８１８１６Ａ）
【公開日】平成２４年９月２０日（２０１２．９．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２９２０２（Ｐ２０１１−２２９２０２）
【出願日】平成２３年１０月１８日（２０１１．１０．１８）
【分割の表示】特願２０１１−１５４３６３（Ｐ２０１１−１５４３６３）の分割
【原出願日】平成２３年７月１２日（２０１１．７．１２）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】