高絶縁性フィルム
【課題】電気的特性、耐熱性、巻取り性および加工性等の取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムを提供すること。
【解決手段】主としてシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に、該スチレン系重合体とは誘電率が０．２以上異なる樹脂Ｘを３重量％以上４８重量％以下配合した樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムであって、該二軸延伸フィルムは平均粒径が０．０１μｍ以上３．０μｍ以下の微粒子を０．０１重量％以上５．０重量％以下含有し、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である高絶縁性フィルム。
【解決手段】主としてシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に、該スチレン系重合体とは誘電率が０．２以上異なる樹脂Ｘを３重量％以上４８重量％以下配合した樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムであって、該二軸延伸フィルムは平均粒径が０．０１μｍ以上３．０μｍ以下の微粒子を０．０１重量％以上５．０重量％以下含有し、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である高絶縁性フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高絶縁性フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
電気絶縁性材料、とりわけコンデンサーの絶縁体として用いられる電気絶縁性フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等からなるフィルムがよく知られている。さらに近年においては、コンデンサーの耐熱性を高める等の目的で、他の樹脂を用いる検討や、これらの樹脂を改質する検討が行われている。
【０００３】
例えば、シンジオタクチックポリスチレン樹脂からなるフィルムは、耐熱性、耐薬品性、耐熱水性、誘電特性、電気絶縁性等に優れたフィルムであり、様々な用途への適用が期待されているが、特に誘電特性に優れ、高い電気絶縁性と耐熱性を有するためにコンデンサーの絶縁体として用いる検討がなされており、特許文献１〜３等に開示されている。
【０００４】
また、特許文献４には、ポリエチレンナフタレート樹脂にシンジオタクチックポリスチレン樹脂を添加することによって、優れた耐熱性、耐電圧特性およびフィルムの製膜性を有する二軸延伸ポリエステルフィルムが開示されている。
【０００５】
さらに、コンデンサー用途に用いられるフィルムにおいては、ある程度の滑り性を付与し、巻取り性および加工性等の取り扱い性を有する必要がある。例えば特許文献５、６等に開示されているようなコンデンサー用ポリエステルフィルムにおいては、特許文献７〜９等により加工性を高める試みがなされている。
【０００６】
【特許文献１】特開平６−８０７９３号公報
【特許文献２】特開平７−１５６２６３号公報
【特許文献３】特開平８−２８３４９６号公報
【特許文献４】特開２００５−２１３３５１号公報
【特許文献５】特開昭６２−２５９３０４号公報
【特許文献６】特開昭６３−３１６４１９号公報
【特許文献７】特開昭６３−１４１３０８号公報
【特許文献８】特開平１０−２９４２３６号公報
【特許文献９】特開平１０−３２１４５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１〜３に開示されているシンジオタクチックポリスチレン系フィルムは、コンデンサーの絶縁体として使用され得るものであるが、例えば、近年のハイブリッド自動車に用いられるコンデンサーのように、より高性能なコンデンサーの絶縁体としては、より高い絶縁破壊電圧および耐熱性が要求されている。
【０００８】
また、コンデンサーの静電容量を向上する目的やコンデンサーを小型化する目的のため、絶縁体となるフィルムのさらなる薄膜化が要求されているが、一般的には薄膜化に伴い取り扱い性が低下してしまう。そのため、フィルムの製造工程における生産性向上およびコストダウンの目的や近年要求されているコンデンサーの製造速度に適応する目的のため、フィルムの巻取り性および加工性のさらなる向上が要求されている。
【０００９】
ここで、特許文献４に開示されている二軸延伸ポリエステルフィルムは、耐熱性に優れ、かつ特許文献１〜３に開示されているシンジオタクチックポリスチレン系フィルムよりも高い絶縁破壊電圧を示すものであるが、本発明者らの検討によれば、高い絶縁破壊電圧と取り扱い性とを同時に満足させる目的で、特許文献４に開示されている二軸延伸ポリエステルフィルムに特許文献７〜９に開示されている微粒子を添加したところ、絶縁破壊電圧が低くなってしまい、かつフィルム製造中にフィルム破断が多発することが判明した。
【００１０】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、電気的特性、耐熱性、巻取り性および加工性等の取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の樹脂および特定の微粒子を配合したシンジオタクチックポリスチレン系樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムにおいて、特定の配向構造とすることで、耐熱性に優れ、高い絶縁破壊電圧を有し、かつ取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムが得られることを見出し、本発明に到達した。
【００１２】
すなわち本発明は、主としてシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に、該スチレン系重合体とは誘電率が０．２以上異なる樹脂Ｘを３重量％以上４８重量％以下配合した樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムであって、該二軸延伸フィルムは平均粒径が０．０１μｍ以上３．０μｍ以下の微粒子を０．０１重量％以上５．０重量％以下含有し、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である高絶縁性フィルムである。
【００１３】
さらに本発明は、樹脂Ｘの融点が、前記スチレン系重合体の融点（Ｔｍｓ、単位：℃）に対して、（Ｔｍｓ−３０）℃以上（Ｔｍｓ＋３０）℃以下の範囲にあること、樹脂Ｘがポリエチレンテレフタレート樹脂およびポリエチレンナフタレート樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種であること、微粒子が、平均粒径が０．６μｍ以上３．０μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ａを０．０１重量％以上１．５重量％以下と、平均粒径が０．０１μｍ以上０．５μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ｂを０．０５重量％以上２．０重量％以下とを構成成分として含み、不活性微粒子Ａの平均粒径が不活性微粒子Ｂの平均粒径より０．３μｍ以上大きいこと、不活性微粒子Ａが、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子であること、不活性微粒子Ａが球状高分子樹脂粒子であること、不活性微粒子Ａが球状シリカ粒子であること、不活性微粒子Ｂが、粒径比が１．０以上１．３以下の球状シリカ粒子であることのうち少なくともいずれか１つの態様を具備することで、さらに優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の高絶縁性フィルムは、電気的特性、耐熱性、取り扱い性に優れる。特に、高い絶縁破壊電圧を有するため、コンデンサーの絶縁体として好適に用いられる。また、フィルムの薄膜化が可能であり、コンデンサーの小型化や静電容量の向上を達成することができる。さらに、耐熱性に優れ、高温においても絶縁破壊電圧に優れるコンデンサーを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
＜高絶縁性フィルム＞
本発明の高絶縁性フィルムは、主としてシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に、後述する樹脂Ｘを配合した樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムであって、該二軸延伸フィルムは後述する微粒子を含有するものである。以下、本発明の高絶縁性フィルムを構成する各成分について説明する。
【００１６】
＜スチレン系重合体＞
本発明におけるスチレン系重合体は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体であり、すなわち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するものである。一般にタクティシティーは、同位体炭素による核磁気共鳴法（１３Ｃ−ＮＭＲ法）により定量され、連続する複数個の構成単位の存在割合、例えば２個の場合はダイアッド、３個の場合はトリアッド、５個の場合はペンタッド等によって示すことができる。本発明におけるシンジオタクチック構造のスチレン系重合体とは、ラセミダイアッドで７５％以上、好ましくは８５％以上、あるいはラセミペンタッドで３０％以上、好ましくは５０％以上のシンジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ（アルキルスチレン）、ポリ（ハロゲン化スチレン）、ポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）、あるいはこれらのベンゼン環の一部が水素化された重合体やこれらの混合物、またはこれらの構造単位を含む共重合体を指称する。なお、ここでポリ（アルキルスチレン）としては、ポリ（メチルスチレン）、ポリ（エチルスチレン）、ポリ（プロピルスチレン）、ポリ（ブチルスチレン）、ポリ（フェニルスチレン）、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ビニルスチレン）、ポリ（アセナフチレン）等があり、ポリ（ハロゲン化スチレン）としては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（ブロモスチレン）、ポリ（フロオロスチレン）等がある。また、ポリ（アルコキシスチレン）としては、ポリ（メトキシスチレン）、ポリ（エトキシスチレン）等がある。これらのうち特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン、ポリ（ｐ−メチルスチレン）、ポリ（ｍ−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−ターシャリーブチルスチレン）、ポリ（ｐ−クロロスチレン）、ポリ（ｍ−クロロスチレン）、ポリ（ｐ−フルオロスチレン）、またスチレンとｐ−メチルスチレンとの共重合体を挙げることができる。
【００１７】
さらに、本発明におけるスチレン系重合体に共重合成分を含有させて共重合体として使用する場合においては、そのコモノマーとしては、上述の如きスチレン系重合体のモノマーのほか、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン、イソプレン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリル酸メチル、無水マレイン酸、アクリロニトリル等の極性ビニルモノマー等を挙げることができる。
【００１８】
また、このスチレン系重合体の重量平均分子量は、好ましくは１．０×１０４以上３．０×１０６以下であり、さらに好ましくは５．０×１０４以上１．５×１０６以下であり、特に好ましくは１．１×１０５以上８．０×１０５以下である。重量平均分子量を１．０×１０４以上とすることで、強伸度特性に優れ、耐熱性がより向上したフィルムを得ることができる。また、重量平均分子量が３．０×１０６以下だと、延伸張力が好適な範囲となり、製膜時等において破断等が発生しにくくなる。
【００１９】
このようなシンジオタクチック構造のスチレン系重合体の製造方法は、例えば特開昭６２−１８７７０８号公報に開示されている。すなわち、不活性炭化水素溶媒中または溶媒の不存在下において、チタン化合物および水と有機アルミニウム化合物、特にトリアルキルアルミニウムとの縮合生成物を触媒として、スチレン系単量体（上記スチレン系重合体に対応する単量体）を重合することにより製造することができる。また、ポリ（ハロゲン化アルキルスチレン）については、特開平１−１４６９１２号公報に、水素化重合体は特開平１−１７８５０５号公報にそれぞれ開示されている。
【００２０】
本発明におけるシンジオタクチック構造のスチレン系重合体には、必要に応じて公知の酸化防止剤、帯電防止剤等を適量配合することができる。これらの配合量はスチレン系重合体１００重量部に対して１０重量部以下が好ましい。１０重量部を越えると延伸時に破断を起こしやすくなり、生産安定性不良となるので好ましくない。
このようなシンジオタクチック構造のスチレン系重合体は、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べて耐熱性が格段に優れている。
【００２１】
＜樹脂Ｘ＞
本発明における樹脂Ｘは、上記スチレン系重合体の誘電率とは０．２以上異なる誘電率を有する樹脂である。スチレン系重合体にこのような樹脂Ｘを配合すると、スチレン系重合体と樹脂Ｘのそれぞれのドメインが印加電圧を分担するためか、絶縁破壊電圧が高くなる。スチレン系重合体の誘電率と樹脂Ｘの誘電率との差は、好ましくは０．４以上、さらに好ましくは０．５以上であり、このような態様とすることによって、絶縁破壊電圧をより高くすることができる。
【００２２】
また、本発明における樹脂Ｘは、スチレン系重合体の融点（Ｔｍｓ、単位：℃）に対して、（Ｔｍｓ−３０）℃以上（Ｔｍｓ＋３０）℃以下の範囲に融点を有することが好ましい。樹脂Ｘの融点が上記数値範囲にあると、スチレン系重合体と樹脂Ｘとを混合する際に、その混合状態が良好なものとなり、すなわち樹脂Ｘの分散状態が良好なものとなり、絶縁破壊電圧の向上効果が高くなる。このような観点から、樹脂Ｘの融点は、（Ｔｍｓ−２０）℃以上（Ｔｍｓ＋２０）℃以下の範囲にあることが好ましく、（Ｔｍｓ−１５）℃以上（Ｔｍｓ＋１５）℃以下の範囲にあることがさらに好ましく、（Ｔｍｓ−５）℃以上（Ｔｍｓ＋５）℃以下の範囲にあることが特に好ましい。
【００２３】
さらに、樹脂Ｘの融点とスチレン系重合体の融点との差が１℃以上であると、樹脂Ｘの分散状態がより良好なものとなるためか、絶縁破壊電圧の向上効果をより高くする事ができるため好ましい。このような観点から、樹脂Ｘの融点とスチレン系重合体の融点との差は、２℃以上であることがさらに好ましく、３℃以上であることが特に好ましい。
【００２４】
以上のような樹脂Ｘとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂等のポリエステル、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ナイロン６やナイロン６，６等のポリアミド、ポリフェニレンスルフィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、テフロン（登録商標）等のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等の少なくとも１種からなる樹脂を好ましく例示することができる。このうち、絶縁破壊電圧をより高くすることができるという観点から、ポリエステルが好ましく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂がさらに好ましい。中でも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂が特に好ましい。
【００２５】
本発明の高絶縁性フィルムは、前記スチレン系重合体に、上記樹脂Ｘを３重量％以上４８重量％以下配合した樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムである。樹脂Ｘを上記数値範囲の量配合することによって、得られる高絶縁性フィルムの電気的特性を良好なものとすることができる。具体的には、絶縁破壊電圧を高くすることができる。このような観点から、樹脂Ｘの配合量は、樹脂組成物１００重量％中に、好ましくは４重量％以上４０重量％以下、さらに好ましくは６重量％以上３５重量％以下、特に好ましくは９重量％以上２４重量％以下である。
【００２６】
＜微粒子＞
本発明の高絶縁性フィルムは、平均粒径が０．０１μｍ以上３．０μｍ以下の微粒子を含有する。含有する微粒子の平均粒径が上記数値範囲にあると、得られる高絶縁性フィルムにおいて良好な電気的特性を維持しながら、巻取り性および加工性等の取り扱い性を良好なものとすることができる。微粒子の平均粒径が小さすぎると、取り扱い性に劣る傾向にある。他方大きすぎると、フィルム中のボイドの大きさが増大するため、電気的特性に劣る傾向にある。このような観点から、微粒子の平均粒径は、好ましくは０．０５μｍ以上２．０μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以上１．６μｍ以下、特に好ましくは０．２μｍ以上１．３μｍ以下である。
【００２７】
本発明の高絶縁性フィルムは、高絶縁性フィルム１００重量％中に、上記微粒子を０．０１重量％以上５．０重量％以下含有する。微粒子を上記数値範囲の量含有することによって、高絶縁性フィルムの絶縁破壊電圧を良好に保ったまま、巻取り性および加工性等の取り扱い性を良好なものとすることができる。このような観点から、微粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上３．５重量％以下、さらに好ましくは０．２重量％以上２．０重量％以下、特に好ましくは０．３重量％以上０．７重量％以下である。
【００２８】
以上のような微粒子は、有機系微粒子であってもよいし、無機系微粒子であってもよい。有機系微粒子としては、高分子樹脂粒子が好ましく、例えば架橋ポリスチレン樹脂粒子、架橋シリコーン樹脂粒子、架橋アクリル樹脂粒子、架橋スチレン−アクリル樹脂粒子、架橋ジビニルベンゼン−アクリル樹脂粒子、架橋ポリエステル樹脂粒子、ポリイミド樹脂粒子、メラミン樹脂粒子等が挙げられ、このうち滑り性および耐削れ性に優れるという観点からシリコーン樹脂粒子、架橋ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。また、無機系微粒子としては、（１）二酸化ケイ素（水和物、ケイ砂、石英等を含む）；（２）各種結晶形態のアルミナ；（３）ＳｉＯ２成分を３０重量％以上含有するケイ酸塩（例えば非晶質もしくは結晶質の粘土鉱物、アルミノシリケート（焼成物や水和物を含む）、温石綿、ジルコン、フライアッシュ等）；（４）Ｍｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、およびＴｉの酸化物；（５）Ｃａ、およびＢａの硫酸塩；（６）Ｌｉ、Ｂａ、およびＣａのリン酸塩（１水素塩や２水素塩を含む）；（７）Ｌｉ、Ｎａ、およびＫの安息香酸塩；（８）Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、およびＭｎのテレフタル酸塩；（９）Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉのチタン酸塩；（１０）Ｂａ、およびＰｂのクロム酸塩；（１１）炭素（例えばカーボンブラック、グラファイト等）；（１２）ガラス（例えばガラス粉、ガラスビーズ等）；（１３）Ｃａ、およびＭｇの炭酸塩；（１４）ホタル石；（１５）スピネル型酸化物等が挙げられる。このうち、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。
【００２９】
本発明においては、１種類の微粒子を含有する態様でもよいが、絶縁破壊電圧を低下させずに取り扱い性の向上効果を高くすることができるという観点から、２種類以上の微粒子を含有する態様が好ましい。そのような場合は、組成の異なる２種類以上の微粒子を含有する態様、平均粒径の異なる２種類以上の微粒子を含有する態様、形状の異なる２種類以上の微粒子を含有する態様、もしくはこれらを組み合わせた態様でもよいが、少なくとも平均粒径の異なる２種類以上の微粒子を含有する態様が特に好ましい。
【００３０】
２種類以上の微粒子を含有する態様うち、特に好ましい態様としては、平均粒径が０．６μｍ以上３．０μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ａを０．０１重量％以上１．５重量％以下と、平均粒径が０．０１μｍ以上０．５μｍ以下、粒径の標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ｂを０．０５重量％以上２．０重量％以下との２種類の不活性微粒子を構成成分として含み、不活性微粒子Ａの平均粒径が不活性微粒子Ｂの平均粒径より０．３μｍ以上大きい態様を例示することができる。このような態様とすることによって、微粒子の添加による電気的特性の低下を最小限に抑制することができ、かつ巻取り性および加工性等の取り扱い性の向上効果をより高くすることができる。
【００３１】
（不活性微粒子Ａ）
上記不活性微粒子Ａの平均粒径は、好ましくは０．６μｍ以上３．０μｍ以下、より好ましくは０．７μｍ以上２．０μｍ以下、さら好ましくは０．８μｍ以上１．６μｍ以下、特に好ましくは０．９μｍ以上１．３μｍ以下である。不活性微粒子Ａの平均粒径が上記数値範囲にあると、エアー抜け性を向上させることができ、巻取り性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Ａの平均粒径が小さすぎると、十分なエアー抜け性が得られなくなる傾向にあり、すなわち巻取り性の向上効果が低くなる。他方大きすぎると、フィルム中のボイドの大きさが増大する傾向にあり、すなわち電気的特性の向上効果が低くなる。
【００３２】
また、不活性微粒子Ａの粒径の相対標準偏差は、好ましくは０．５以下、より好ましくは０．４以下、さらに好ましくは０．３以下、特に好ましくは０．２以下である。粒径の相対標準偏差が上記数値範囲にあると、不活性微粒子Ａの粒径分布がシャープであることを意味し、フィルム表面の突起の高さが均一となり、これにより巻取り性の向上効果を高くすることができる。また、粗大粒子や粗大突起が少なくなり、これにより欠陥が減少し、絶縁破壊電圧の向上効果を高くすることができる。
【００３３】
不活性微粒子Ａの含有量は、高絶縁性フィルム１００重量％中に、好ましくは０．０１重量％以上１．５重量％以下、より好ましくは０．０５重量％以上１．０重量％以下、さらに好ましくは０．１重量％以上０．５重量％以下、特に好ましくは０．２重量％以上０．４重量％以下である。不活性微粒子Ａを上記数値範囲の量含有することによって、高絶縁性フィルムの絶縁破壊電圧を良好に保ったまま、取り扱い性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Ａの含有量が少なすぎると、エアー抜け性に劣る傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方多すぎると、フィルム表面が粗くなりすぎる傾向にあり、それによってフィルム表面の耐削れ性が悪化する傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。また、特にコンデンサー用途においては、スペースファクターが増大する傾向にある。
【００３４】
かかる不活性微粒子Ａは、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子であることが好ましい。粒径比は、さらに好ましくは１．０以上１．２以下、特に好ましくは１．０以上１．１以下である。粒径比が上記数値範囲にあると、巻取り性の向上効果および絶縁破壊電圧の向上効果をより高くすることができる。
【００３５】
以上のような不活性微粒子Ａは、前述の微粒子と同様の有機系微粒子および無機系微粒子を用いることができる。有機系微粒子としては、高分子樹脂粒子が好ましく、滑り性および耐削れ性に優れるという観点からシリコーン樹脂粒子、架橋ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。このような高分子樹脂粒子は、前述のとおり球状であることが好ましく、すなわち球状高分子樹脂粒子が好ましい。このうち、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から球状シリコーン樹脂粒子、球状架橋ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。また、無機系微粒子としては、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。このような無機系微粒子は、前述のとおり球状であることが好ましく、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から球状シリカ粒子が特に好ましい。
【００３６】
（不活性微粒子Ｂ）
本発明における不活性微粒子Ｂの平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上０．５μｍ以下、より好ましくは０．０５μｍ以上０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下、特に好ましくは０．２μｍ以上０．４μｍ以下である。不活性微粒子Ｂの平均粒径が上記数値範囲にあると、適度な滑り性を得ることができ、巻取り性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Ｂの平均粒径が小さすぎると、十分な滑り性が得られなくなる傾向にあり、すなわち巻取り性の向上効果が低くなる。他方大きすぎると、フィルム表面における低突起の高さが高くなりすぎ、それにより滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。さらに、耐削れ性が悪化する傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。
【００３７】
また、不活性微粒子Ｂは、前述の不活性微粒子Ａと同様の観点から、粒径分布がシャープであることが好ましく、不活性微粒子Ｂの粒径の相対標準偏差は、好ましくは０．５以下、より好ましくは０．４以下、さらに好ましくは０．３以下、特に好ましくは０．２以下である。
【００３８】
不活性微粒子Ｂの含有量は、高絶縁性フィルム１００重量％中に、好ましくは０．０５重量％以上２．０重量％以下、より好ましくは０．１重量％以上１．０重量％以下、さらに好ましくは０．１重量％以上０．６重量％以下、特に好ましくは０．１重量％以上０．３重量％以下である。不活性微粒子Ｂを上記数値範囲の量含有することによって、高絶縁性フィルムの絶縁破壊電圧を良好に保ったまま、取り扱い性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Ｂの含有量が少なすぎると、滑り性に劣る傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方多すぎると、ボイドの頻度が増加する傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。また、滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。
【００３９】
かかる不活性微粒子Ｂは、前述の不活性微粒子Ａと同様の観点から、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子であることが好ましく、さらに好ましくは１．０以上１．２以下、特に好ましくは１．０以上１．１以下である。
【００４０】
以上のような不活性微粒子Ｂは、前述の微粒子と同様の有機系微粒子および無機系微粒子を用いることができる。このうち、無機系微粒子が好ましく、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。このような無機系微粒子は、前述のとおり球状であることが好ましく、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から球状シリカ粒子が特に好ましい。
【００４１】
かかる不活性微粒子Ａと不活性微粒子Ｂは、不活性微粒子Ａの平均粒径が不活性微粒子Ｂの平均粒径より０．３μｍ以上大きい態様が好ましい。その差は、さらに好ましくは０．５μｍ以上、特に好ましくは０．７μｍ以上である。不活性微粒子Ａの平均粒径と不活性微粒子Ｂの平均粒径との差を大きくすることで、フィルム表面において不活性微粒子Ａによる高突起が散在する態様となり、これによってフィルム間のエアー抜け性が良好となる。同時に、不活性微粒子Ｂによる低突起が存在する態様となり、フィルム同士の滑り性が良好となる。これらによって、フィルムをロール状に巻取る際には、エアー抜け性と滑り性とのバランスが良く、高速で巻き上げても巻き姿の良好なフィルムロールを得ることができる等、巻取り性の向上効果が高まる。
【００４２】
本発明で用いられる微粒子は、最終的なフィルムに含有されていれば含有させる方法に限定はない。例えば、スチレン系単量体の重合中の任意の過程で添加あるいは析出させる方法、溶融押出する任意の過程で添加する方法が挙げられる。またこれらの微粒子を効果的に分散させるため、分散剤、界面活性剤等を用いることができる。
【００４３】
＜その他の添加剤＞
本発明の高絶縁性フィルムは、基本的には前述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に、樹脂Ｘおよび微粒子を所定割合で配合した樹脂組成物からなるものであるが、さらに成形性、力学物性、表面性等を改良するために他の樹脂成分を含有することができる。
【００４４】
含有することができる他の樹脂成分としては、例えばアタクチック構造のスチレン系重合体、アイソタクチック構造のスチレン系重合体、ポリフェニレンエーテル、スチレン−無水マレイン酸共重合体等が、前記シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶しやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶化の制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制御が容易で、かつ力学物性に優れたフィルムを得ることができるため好ましく挙げることができる。このうち、アタクチック構造および／またはアイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と同様のモノマーからなるものが好ましい。また、これら相溶性樹脂成分の含有割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体１００質量部に対して、好ましくは４０質量部以下、さらに好ましくは２０質量部以下、特に好ましくは１０質量部以下とすれば良い。相溶性樹脂成分の含有割合が４０質量部を超えると、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体の長所である耐熱性の向上効果が低くなってしまう。
【００４５】
また、含有する事ができる他の樹脂成分のうち、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体に非相溶な樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリペンテン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン６やナイロン６，６等のポリアミド、ポリフェニレンスルフィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、テフロン（登録商標）等のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等、前記相溶性の樹脂以外の樹脂はすべて相当し、さらに前記相溶性の樹脂を含む架橋樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、本発明のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と非相溶であるため、少量含有する場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体中に島のように分散させることができ、延伸後に程良い光沢を与えたり、表面の滑り性を改良するのに有効である。非相溶性樹脂成分の含有割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体１００質量部に対して、好ましくは３０質量部以下、さらに好ましくは２０質量部以下、特に好ましくは１０質量部以下である。また、製品として使用する温度が高い場合は、比較的耐熱性のある非相溶性樹脂製分を含有することが好ましい。
さらに、本発明の目的を阻害しない範囲で、酸化防止剤、帯電防止剤、着色剤、耐候剤等の添加剤を加えることができる。
【００４６】
＜フィルム特性＞
本発明の高絶縁性フィルムは、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である。厚み方向の屈折率は、好ましくは１．６１００以上１．６４００以下、さらに好ましくは１．６１３０以上１．６３８０以下、特に好ましくは１．６１５０以上１．６３６０以下である。厚み方向の屈折率を上記数値範囲とすることによって、絶縁破壊電圧を良好なものとすることができる。また、フィルム製造工程におけるフィルム破断の頻度が低下し、生産性を良好なものとすることができる。厚み方向の屈折率が高すぎると、フィルム製造工程におけるフィルム破断の頻度が増加する傾向にあり、フィルムの生産性が低下する。他方低すぎると、絶縁破壊電圧が低くなる傾向にあり、電気的特性に劣るものとなる。また、コンデンサーの製造工程におけるフィルム破断の頻度が増加する。さらに、フィルムの厚み斑が悪くなる傾向にあり、品質の安定したコンデンサーを得ることができない。
【００４７】
厚み方向の屈折率を上記数値範囲とするには、例えば後述する製造方法を採用する。すなわち本発明における厚み方向の屈折率は、一軸方向の延伸に次いで、あるいは一軸方向の延伸と同時に実施される該一軸方向と垂直な方向の延伸において、延伸の温度を複数段階に分け、この第１段階の温度と最終段階の温度とで特定の温度差をつけることで達成される。
【００４８】
本発明の高絶縁性フィルムは、フィルム厚みが０．３μｍ以上１２μｍ未満であることが好ましい。さらに好ましくは０．４μｍ以上６．０μｍ未満であり、特に好ましくは０．５μｍ以上３．５μｍ未満である。フィルム厚みを上記数値範囲とすることによって、静電容量の高いコンデンサーを製造することができる。
【００４９】
コンデンサーの絶縁体として用いられるフィルムは、一般的にフィルム厚みが薄い方がコンデンサーの静電容量が高くなり好ましいことは、自然現象であり当然の事項である。しかしながら実際にフィルム厚みを薄くしてゆくと、フィルムにしわが入りやすくなる、フィルムが破断しやすくなる、添加した粒子が脱落しやすくなる、さらにそれにより絶縁破壊電圧が低くなる、もしくはフィルム厚みが薄くなることにより絶縁破壊電圧の絶対値が低くなる等の問題が生じるため、それらをバランスさせることが不可欠となる。本発明は、フィルム厚みを薄くしても上記の問題が生じることが無いように、後述する製造方法を採用することにより、特定の微粒子と配向構造を有する新規の構成の高絶縁性フィルムを得るものである。
【００５０】
本発明の高絶縁性フィルムは、その少なくとも片面の中心線平均表面粗さＲａが１１ｎｍ以上８９ｎｍ以下であることが好ましい。表面粗さＲａを上記数値範囲とすることによって、巻取り性の向上効果を高くすることができる。また、耐ブロッキング性が向上し、ロールの外観を良好なものとすることができる。表面粗さＲａが低すぎると、滑り性が低くなりすぎる傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方高すぎると、滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。このような観点から、表面粗さＲａの下限は、好ましくは２１ｎｍ以上、さらに好ましくは３１ｎｍ以上である。また、表面粗さＲａの上限は、好ましくは７９ｎｍ以下、さらに好ましくは６９ｎｍ以下、特に好ましくは５９ｎｍ以下である。
【００５１】
本発明の高絶縁性フィルムは、その少なくとも片面の１０点平均粗さＲｚが９００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であることが好ましい。１０点平均粗さＲｚを上記数値範囲とすることによって、巻取り性の向上効果を高くすることができる。１０点平均粗さＲｚが低すぎると、ロールとして巻き上げる際にエアー抜け性が低くなる傾向にあり、フィルムが横滑りしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。フィルム厚みが薄い場合は、フィルムの腰がなくなるため、エアー抜け性がさらに低くなる傾向にあり、巻取り性の向上効果がさらに低くなる。他方、１０点平均粗さＲｚが高すぎると、粗大突起が多くなる傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。このような観点から、１０点平均粗さＲｚの下限は、より好ましくは９５０ｎｍ以上、さらに好ましくは１０５０ｎｍ以上、特に好ましくは１２５０ｎｍ以上である。また、１０点平均粗さＲｚの上限は、より好ましくは２６００ｎｍ以下、さらに好ましくは２２５０ｎｍ以下、特に好ましくは１９５０ｎｍ以下である。
【００５２】
＜フィルムの製造方法＞
本発明の高絶縁性フィルムは、一部の特別な製造方法を除けば、基本的には従来から知られている、あるいは当業界に蓄積されている方法で得ることができる。以下、本発明の高絶縁性フィルムを得るための製造方法について詳記する。
【００５３】
先ず、主にシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に樹脂Ｘを所定量配合した樹脂組成物を加熱溶融し、未延伸シートを作成する。具体的には樹脂組成物の融点（Ｔｍ、単位：℃）以上（Ｔｍ＋７０℃）以下の温度で加熱溶融しシート状に押し出して、冷却固化して未延伸シートを得る。得られた未延伸シートの固有粘度は、０．３５〜０．９ｄｌ／ｇの範囲であることが好ましい。次いで、この未延伸シートを二軸方向に延伸する。延伸は、縦方向（機械軸方向）および横方向（機械軸方向と垂直な方向）を同時延伸してもよいし、任意の順序で逐次延伸してもよい。例えば逐次延伸の場合には、先ず一軸方向に（樹脂組成物のガラス転移点温度（Ｔｇ、単位：℃）−１０℃）以上（Ｔｇ＋７０℃）以下の温度で２．７倍以上４．８倍以下、好ましくは２．９倍以上４．４倍以下、さらに好ましくは３．１倍以上４．０倍以下の倍率で延伸し、次いで該一軸方向と垂直な方向にＴｇ以上（Ｔｇ＋８０℃）以下の温度で２．８倍以上４．９倍以下、好ましくは３．０倍以上４．５倍以下、さらに好ましくは３．２倍以上４．１倍以下の倍率で延伸する。
【００５４】
なお、上記一軸方向と垂直な方向の延伸の際には、前段階の延伸で結晶化が進んでいるためか、延伸が難しくなり、製膜中に破断が起こりやすくなる。特にフィルム厚みの薄いフィルムを製膜する場合において、また特に延伸倍率が３．２倍を超える領域において破断が起こりやすくなる。
【００５５】
この対策を検討したところ、上記一軸方向と垂直な方向の延伸において、その延伸速度を特定の数値範囲とすることが有効であることが判明した。すなわち延伸速度が速すぎると、延伸による分子の高次構造変化が、延伸によるフィルムの形状変化の速さに追随できなくなり、該高次構造に歪が生じやすくなり、フィルム破断が生じやすくなる。他方遅すぎると、延伸途中においてフィルムの結晶化が先行してしまい、延伸応力にバラツキが生じるためか、延伸斑や厚み斑が生じやすくなり、それにより破断が生じやすくなる。このような観点から、延伸速度の下限は、好ましくは５００％／分以上、より好ましくは１０００％／分以上、さらに好ましくは２０００％／分以上、特に好ましくは４０００％／分以上である。また、延伸速度の上限は、好ましくは３００００％／分以下、より好ましくは１５０００％／分以下、さらに好ましくは９０００％／分以下、特に好ましくは６０００％／分以下である。
【００５６】
さらに、上記一軸方向と垂直な方向の延伸において、その延伸温度を一定とするのではなく、複数段階に分け、この第１段階の温度と最終段階の温度とで温度差をつけることが有効であることが判明した。温度差の下限は、最終段階の温度が第１段階の温度より４℃以上高いことが好ましく、７℃以上高いことがより好ましく、１１℃以上高いことがさらに好ましく、１５℃以上高いことが特に好ましい。また、温度差の上限は、４９℃以下が好ましく、３９℃以下がより好ましく、２９℃以下がさらに好ましく、２０℃以下が特に好ましい。温度差が大きすぎると、フィルム破断が生じやすくなる、延伸後のフィルムの厚み斑が悪くなる傾向にある。このように、第１段階と最終段階の温度差を上記数値範囲とすることで、フィルム厚みの薄いフィルムの製膜において従来困難であった高い延伸倍率を達成することができ、これによって厚み斑が良好なフィルムを得ることができ、かつ本発明における厚み方向の屈折率を達成することができる。さらに、フィルム厚みを薄くしても破断が生じにくいため、本発明における好ましいフィルム厚みを達成することができる。
【００５７】
一軸方向と垂直な方向の延伸を実施する工程において第１段階と最終段階との温度差をつけるには、１の延伸ゾーンの中でゾーンの入口（第１段階）と出口（最終段階）とで温度差をつけてもよいし、温度の異なる２以上の連続した延伸ゾーンを設けて最初の延伸ゾーン（第１段階）と最後の延伸ゾーン（最終段階）とで温度差をつけてもよい。ここでゾーンとは、テンター等においてシャッター等で区切られた１の領域を示す。いずれの場合も第１段階と最終段階の間をさらに分割し、第１段階から最終段階に向かって温度を傾斜的に上昇させるのが好ましく、特に直線的に上昇させると良い。例えば、温度の異なる２以上の連続した延伸ゾーンによる場合は、最初の延伸ゾーンと最後の延伸ゾーンの間に、さらに１以上の延伸ゾーンを設けることが好ましく、１以上１０以下の延伸ゾーンを設けることがさらに好ましい。延伸ゾーンの合計を１３以上とすることは、設備コストの面から不利である。延伸は、例えばフィルムを幅方向に延伸する場合は、最終段階を出た直後のフィルム幅を、第１段階に入る直前のフィルム幅で除した値が目標の延伸倍率となるようにすればよく、傾斜的にフィルム幅を増加させることが好ましく、特に直線的に増加させると良い。縦方向と横方向を同時に延伸する場合においても、同様に延伸の温度を複数段階に分け、この第１段階の温度と最終段階の温度とで温度差をつけるようにする。
【００５８】
本発明においては、上記の延伸速度の態様および延伸温度の態様のうち、少なくともいずれか１つの態様を採用するが、両方の態様を採用することがより好ましく、延伸工程が安定化し、本発明における屈折率および好ましいフィルム厚みを達成しやすくなる。
【００５９】
次いで、（Ｔｇ＋７０℃）〜Ｔｍの温度で熱固定する。熱固定の温度は２００℃以上２６０℃以下であり、好ましくは２２０℃以上２５０℃以下であり、さらに好ましくは２３０℃以上２４０℃以下である。熱固定温度が高すぎると、特にフィルム厚みの薄いフィルムを製造する際に、フィルム破断が生じやすくなり、また厚み斑が悪化してしまう。熱固定の後に必要に応じて熱固定温度より２０℃〜９０℃低い温度下で弛緩処理をすると、寸法安定性が良くなる。
【実施例】
【００６０】
次に本発明を実施例および比較例によりさらに詳しく説明する。また、例中の各種特性値は下記の方法で測定、評価した。
【００６１】
（１）粒子の平均粒径および粒径比
（１−１）粉体の平均粒径および粒径比
試料台上に、粉体を個々の粒子ができるだけ重ならないようにうに散在させ、金スパッター装置によりこの表面に金薄膜蒸着層を厚み２００〜３００Åで形成し、走査型電子顕微鏡を用いて１万〜３万倍で観察し、日本レギュレーター（株）製ルーゼックス５００にて、少なくとも１０００個の粒子についてその面積相当粒径（Ｄｉ）、長径（Ｄｌｉ）および短径（Ｄｓｉ）を求めた。
【００６２】
（１−２）フィルム中の粒子の平均粒径および粒径比
試料フィルム小片を走査型電子顕微鏡用試料台に固定し、日本電子（株）製スパッタリング装置（ＪＩＳ−１１００型イオンスパッタリング装置）を用いてフィルム表面に、０．１３Ｐａの真空下で０．２５ｋＶ、１．２５ｍＡの条件でイオンエッチング処理を１０分間施した。さらに、同じ装置で金スパッターを施し、走査型電子顕微鏡を用いて１万〜３万倍で観測し、日本レギュレーター（株）製ルーゼックス５００にて、少なくとも１０００個の粒子についてその面積相当粒径（Ｄｉ）、長径（Ｄｌｉ）および短径（Ｄｓｉ）を求めた。
【００６３】
粉体の平均粒径および粒径比については上記（１−１）項、フィルム中の粒子の平均粒径および粒径比については上記（１−２）項から得られた値を下記式に用いて、粒子の個数ｎとし、面積相当粒径（Ｄｉ）の数平均値を平均粒径（Ｄ）とした。
【数１】
【００６４】
また、下記式から得られた長径の平均値（Ｄｌ）と短径の平均値を（Ｄｓ）から、粒径比はＤｌ／Ｄｓとして算出した。
【数２】
【数３】
【００６５】
（２）粒子の粒径の相対標準偏差
粉体の相対標準偏差については前記（１−１）項、フィルム中の粒子の相対標準偏差については前記（１−２）項で求められた各々の微粒子の面積相当粒径（Ｄｉ）および平均粒径（Ｄ）から、下記式により求めた。
【００６６】
【数４】
【００６７】
（３）フィルムの表面粗さ
（３−１）中心線平均表面粗さ（Ｒａ）
非接触式三次元粗さ計（小坂研究所製、ＥＴ−３０ＨＫ）を用いて波長７８０ｎｍの半導体レーザー、ビーム径１．６μｍの光触針で測定長（Ｌｘ）１ｍｍ、サンプリングピッチ２μｍ、カットオフ０．２５ｍｍ、厚み方向拡大倍率１万倍、横方向拡大倍率２００倍、走査線数１００本（従って、Ｙ方向の測定長Ｌｙ＝０．２ｍｍ）の条件にてフィルム表面の突起プロファイルを測定した。その粗さ曲面をＺ＝ｆ（ｘ，ｙ）で表わしたとき、次の式で得られる値をフィルムの中心線平均表面粗さ（Ｒａ、単位：ｎｍ）とした。
【００６８】
【数５】
【００６９】
（３−２）１０点平均粗さ（Ｒｚ）
上記（３−１）項により得られたフィルム表面の突起プロファイルにおいて、ピーク（Ｈｐ）の高い方から５点と谷（Ｈｖ）の低い方から５点をとり、次の式により１０点平均粗さ（Ｒｚ、単位：ｎｍ）を求めた。
【００７０】
【数６】
【００７１】
（４）熱収縮率
無張力の状態で１５０℃の雰囲気中３０分におけるフィルムの熱収縮率（単位：％）を求めた。
【００７２】
（５）屈折率
ナトリウムＤ線（５８９ｎｍ）を光源としたアッベ屈折計を用いて２３℃６５％ＲＨにて測定し、厚み方向の屈折率ｎＺを求めた。
【００７３】
（６）絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）
ＪＩＳ Ｃ ２１５１に示される方法に従って測定した。２３℃相対湿度５０％の雰囲気にて、直流耐電圧試験機を用い、上部電極は直径２５ｍｍの真鍮製円柱、下部電極は直径７５ｍｍのアルミ製円柱を使用し、１００Ｖ／秒の昇圧速度で昇圧し、フィルムが破壊し短絡した時の電圧（単位：Ｖ）を読み取った。得られた電圧をフィルム厚み（単位：μｍ）で除して、絶縁破壊電圧（単位：Ｖ／μｍ）とした。
測定は４１回実施し、大きい方の１０個、小さい方の１０個を除き、２１個の中央値を絶縁破壊電圧の測定値とした。
１００℃、１２０℃での測定は熱風オーブンに電極、サンプルをセットし、耐熱コードで電源に接続し、オーブン投入後１分で昇圧を開始して測定した。
【００７４】
（７）誘電率
ＪＩＳ Ｃ２１５１のＡ法に準拠して２３℃、１ｋＨｚにおける誘電率を測定した。
【００７５】
（８）ガラス転移点温度（Ｔｇ）および融点（Ｔｍ、Ｔｍｓ）
樹脂サンプルにおいては、サンプル約１０ｍｇを測定用のアルミニウム製パンに封入して示差熱量計（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製：商品名ＤＳＣ２９２０ Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）に装着し、２５℃から２０℃／分の速度で３００℃まで昇温させ、３００℃で３分間保持した後取り出し、直ちに氷の上に移して急冷した。このパンを再度示差熱量計に装着し、２５℃から２０℃／分の速度で昇温させてガラス転移温度（単位：℃）と融点（単位：℃）を測定した。
また、フィルムサンプルにおいては、サンプル約２０ｍｇを測定用のアルミニウム製パンに封入して示差熱量計（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製：商品名ＤＳＣ２９２０ Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）に装着し、２５℃から２０℃／分の速度で３００℃まで昇温させてガラス転移温度（単位：℃）と融点（単位：℃）を測定した。
【００７６】
（９）延伸性
二軸延伸フィルムを１００万ｍ製膜する間に破断の発生する回数により、以下の如く判断した。
延伸性◎ ： １０万ｍの製膜当り 破断が１回未満
延伸性○ ： １０万ｍの製膜当り 破断が１回〜２回未満
延伸性△ ： １０万ｍの製膜当り 破断が２回〜４回未満
延伸性× ： １０万ｍの製膜当り 破断が４回〜８回未満
延伸性××： １０万ｍの製膜当り 破断が８回以上
【００７７】
（１０）巻取り性
フィルムの製造工程において、フィルムを５５０ｍｍ幅で６０００ｍのロール状に１００ｍ／分の速度で巻き上げ、その巻上げ状況、ロールの外観により次のように格付けする。
Ａ： ロールの巻き姿良好
Ｂ： ロールの表面に１個以上５個未満のピンプル（突起状盛り上がり）が見られるがほぼ良好
Ｃ： ロールの表面に５個以上のピンプル（突起状盛り上がり）が見られ、外観不良
Ｄ： ロールのフィルム端面ズレが起き、巻き姿不良
【００７８】
［ポリエチレンテレフタレート樹脂の準備］
モノマーとしてジメチルテレフタレートとエチレングリコールを、エステル交換触媒として酢酸マンガンを、重合触媒として三酸化アンチモンを、安定剤として亜燐酸を用い、常法により重合し、固有粘度０．６２のポリエチレンテレフタレート樹脂（融点２５８℃、誘電率３．２）を得た。
【００７９】
［比較例１］
スチレン系重合体として重量平均分子量３．０×１０５であり、１３Ｃ−ＮＭＲ測定でほぼ完全なシンジオタクチック構造であることが観察されるポリスチレン（融点（Ｔｍｓ）２７０℃、誘電率２．７）を用い、これを樹脂組成物とした。得られた樹脂組成物９９．５質量部に、不活性微粒子Ａとして平均粒径１．１μｍ、相対標準偏差０．１５、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスター（登録商標））０．３質量部（得られる二軸延伸フィルム中において０．３重量％となる）と、不活性微粒子Ｂとして平均粒径０．３μｍ、相対標準偏差０．１６、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスター（登録商標））０．２質量部（得られる二軸延伸フィルム中において０．２重量％となる）とからなる微粒子を添加し、樹脂組成物と微粒子の混合物を得た。
得られた混合物をペレット化し、該ペレットを１３０℃で７時間乾燥した後、押出機に供給し、２９０℃で溶融し、ダイスリットから押出してキャスティングドラム上で冷却固化し、未延伸シートを作成した。
【００８０】
この未延伸シートを１１４℃で縦方向（機械軸方向）に３．２倍延伸し、続いてテンターに導いた後、横方向（機械軸方向と垂直な方向）に３．３倍延伸した。その際、横方向の延伸における延伸速度は５０００％／分とし、延伸温度は、第１段階の温度を１０２℃、最終段階の温度を１１９℃とした。その後２３５℃で９秒間熱固定をし、さらに１８０℃まで冷却する間に、幅方向に４％弛緩処理をして厚み３．０μｍの二軸延伸フィルムを得てロール状に巻き取った。得られた二軸延伸フィルムの特性を表１に示す。
比較例１で得られた二軸延伸フィルムは、延伸性および巻取り性は良好であったが、絶縁破壊電圧が低く、高絶縁性フィルムとして不適なものであった。そのため、コンデンサーの絶縁体として不適なものであり、特にハイブリッド自動車に用いられるコンデンサーの絶縁体としても、絶縁破壊電圧が低すぎ、不適なものであった。
【００８１】
［実施例１］
スチレン系重合体として重量平均分子量３．０×１０５であり、１３Ｃ−ＮＭＲ測定でほぼ完全なシンジオタクチック構造であることが観察されるポリスチレン９５質量部に、樹脂Ｘとして前記で得られたポリエチレンテレフタレート樹脂を５質量部配合したものを樹脂組成物として用いる以外は、比較例１と同様にして二軸延伸フィルムを得てロール状に巻き取った。得られた二軸延伸フィルムの特性を表１に示す。
実施例１で得られた二軸延伸フィルムは、延伸性および巻取り性に優れ、絶縁破壊電圧が高く、高絶縁性フィルムとして好適なものであった。そのため、コンデンサーの絶縁体として好適なものであった。
【００８２】
［実施例２〜４、比較例２］
スチレン系重合体と樹脂Ｘとの配合比率を表１に示す通りとした樹脂組成物を用いる以外は、実施例１と同様にして二軸延伸フィルムを得てロール状に巻き取った。得られた二軸延伸フィルムの特性を表１に示す。
実施例２〜４で得られた二軸延伸フィルムは、延伸性および巻取り性が良好で、特に絶縁破壊電圧が高く、高絶縁性フィルムとして好適なものであった。そのため、コンデンサーの絶縁体として好適なものであり、特にハイブリッド自動車に用いられるコンデンサーの絶縁体としても好適なものであった。
比較例２で得られた二軸延伸フィルムは、比較的耐熱性の低いポリエチレンテレフタレート樹脂の配合比率が高すぎたためか、特に高温における絶縁破壊電圧が低く、高絶縁性フィルムとして不適なものであった。
【００８３】
［比較例３，実施例５］
縦方向および横方向の延伸倍率、延伸温度等の製膜条件を表１のとおりとした以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得てロール状に巻き取った。得られた二軸延伸フィルムの特性を表１に示す。
比較例３で得られた二軸延伸フィルムは、厚み方向の屈折率が低いため、絶縁破壊電圧が低く、高絶縁性フィルムとして不適なものであった。
実施例５で得られた二軸延伸フィルムは、延伸性および巻取り性が良好で、特に絶縁破壊電圧が高く、高絶縁性フィルムとして好適なものであった。そのため、コンデンサーの絶縁体として好適なものであり、特にハイブリッド自動車に用いられるコンデンサーの絶縁体としても好適なものであった。
【００８４】
［比較例４］
厚み方向の屈折率がおおよそ１．６５８０であるようなフィルムを得るべく、縦方向および横方向の延伸倍率等の製膜条件を表１に示す通りとしたところ、フィルム破断が多発し、二軸延伸フィルムを得ることができなかった。
【００８５】
【表１】
【００８６】
［実施例６、７］
横方向に延伸する際の延伸速度および延伸温度等の製膜条件を表１のとおりとする以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得てロール状に巻き取った。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
実施例６、７で得られた二軸延伸フィルムは、横延伸における延伸速度の条件が好ましい範囲にないため、延伸性に劣るものであった。また、絶縁破壊電圧が比較的低いものであったが、巻取り性が良好で、高絶縁性フィルムとして実用に耐え得るものであった。
【００８７】
［実施例８］
樹脂組成物９９．４質量部に、微粒子として平均粒径１．１μｍ、相対標準偏差０．１５、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスター（登録商標））０．６質量部（得られる二軸延伸フィルム中において０．６重量％となる）を添加して得た混合物を用いる以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
実施例８で得られた二軸延伸フィルムは、巻取り性および絶縁破壊電圧が比較的低いものであったが、高絶縁性フィルムとして実用に耐え得るものであった。
【００８８】
［実施例９］
不活性微粒子Ａとして平均粒径１．３μｍ、相対標準偏差０．１４、粒径比１．１０の球状シリコーン樹脂粒子０．３質量部（得られる二軸延伸フィルム中において０．３重量％となる）と、不活性微粒子Ｂとして平均粒径０．３μｍ、相対標準偏差０．１６、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスター（登録商標））０．２質量部（得られる二軸延伸フィルム中において０．２重量％となる）とからなる微粒子を用いる以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
実施例９で得られた二軸延伸フィルムは、延伸性および巻取り性が良好で、特に絶縁破壊電圧が高く、高絶縁性フィルムとして好適なものであった。そのため、コンデンサーの絶縁体として好適なものであり、特にハイブリッド自動車に用いられるコンデンサーの絶縁体としても好適なものであった。
【００８９】
［実施例１０］
樹脂Ｘとして、ポリエチレンナフタレート樹脂（融点２６９℃、誘電率３．１）を用いる以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
実施例１０で得られた二軸延伸フィルムは、絶縁破壊電圧が比較的低いものであったが、延伸性および巻取り性に優れ、高絶縁性フィルムとして実用に耐え得るものであった。
【００９０】
［実施例１１］
樹脂Ｘとして、ポリプロピレン樹脂（融点１７０℃、誘電率２．１）を用いる以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
実施例１１で得られた二軸延伸フィルムは、樹脂Ｘとして用いたポリプロピレンの耐熱性が低いためか、高温における絶縁破壊電圧が比較的低いものであったが、高絶縁性フィルムとして実用に耐え得るものであった。
【００９１】
［比較例５］
樹脂Ｘとして、ポリカーボネート樹脂（融点２４３℃、誘電率２．８）を使用する以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
比較例５で得られた二軸延伸フィルムは、ポリスチレンの誘電率とポリカーボネート樹脂の誘電率との差が小さすぎたためか、ポリカーボネート樹脂を混合した効果が得られず、絶縁破壊電圧が低く、高絶縁性フィルムとして不適なものであった。
【００９２】
【表２】
【００９３】
また、得られた高絶縁性フィルムを用いて、以下のようにコンデンサーを作成した。
まず、フィルムの片面にアルミニウムを５００Åの厚みとなるように真空蒸着した。その際、８ｍｍ幅の蒸着部分と１ｍｍ幅の非蒸着部分との繰り返しからなる、縦方向のストライプ状に蒸着した。得られた蒸着フィルムを、蒸着部分と非蒸着部分のそれぞれ幅方向の中央部でスリットし、４ｍｍ幅の蒸着部分と０．５ｍｍ幅の非蒸着部分とからなる、４．５ｍｍ幅のテープ状に巻取りリールにした。次いで、２本のリールを、非蒸着部分がそれぞれ反対側の端面となるように重ね合わせ巻回し、巻回体を得た後、１５０℃、１ＭＰａで５分間プレスした。プレス後の巻回体の両端面にメタリコンを溶射して外部電極とし、メタリコンにリード線を溶接して巻回型フィルムコンデンサーを作成した。
【００９４】
実施例１〜１１で得られた二軸延伸フィルムを用いたフィルムコンデンサーは、耐熱性、耐電圧特性に優れ、コンデンサーとして優れる性能を示すものであった。またコンデンサー作成時の加工性に優れるものであった。
特に、実施例２〜５、９で得られた二軸延伸フィルムを用いたフィルムコンデンサーは、耐熱性に優れ、特に耐電圧特性に優れ、コンデンサーとしてより優れる性能を示すものであった。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高絶縁性フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
電気絶縁性材料、とりわけコンデンサーの絶縁体として用いられる電気絶縁性フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等からなるフィルムがよく知られている。さらに近年においては、コンデンサーの耐熱性を高める等の目的で、他の樹脂を用いる検討や、これらの樹脂を改質する検討が行われている。
【０００３】
例えば、シンジオタクチックポリスチレン樹脂からなるフィルムは、耐熱性、耐薬品性、耐熱水性、誘電特性、電気絶縁性等に優れたフィルムであり、様々な用途への適用が期待されているが、特に誘電特性に優れ、高い電気絶縁性と耐熱性を有するためにコンデンサーの絶縁体として用いる検討がなされており、特許文献１〜３等に開示されている。
【０００４】
また、特許文献４には、ポリエチレンナフタレート樹脂にシンジオタクチックポリスチレン樹脂を添加することによって、優れた耐熱性、耐電圧特性およびフィルムの製膜性を有する二軸延伸ポリエステルフィルムが開示されている。
【０００５】
さらに、コンデンサー用途に用いられるフィルムにおいては、ある程度の滑り性を付与し、巻取り性および加工性等の取り扱い性を有する必要がある。例えば特許文献５、６等に開示されているようなコンデンサー用ポリエステルフィルムにおいては、特許文献７〜９等により加工性を高める試みがなされている。
【０００６】
【特許文献１】特開平６−８０７９３号公報
【特許文献２】特開平７−１５６２６３号公報
【特許文献３】特開平８−２８３４９６号公報
【特許文献４】特開２００５−２１３３５１号公報
【特許文献５】特開昭６２−２５９３０４号公報
【特許文献６】特開昭６３−３１６４１９号公報
【特許文献７】特開昭６３−１４１３０８号公報
【特許文献８】特開平１０−２９４２３６号公報
【特許文献９】特開平１０−３２１４５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１〜３に開示されているシンジオタクチックポリスチレン系フィルムは、コンデンサーの絶縁体として使用され得るものであるが、例えば、近年のハイブリッド自動車に用いられるコンデンサーのように、より高性能なコンデンサーの絶縁体としては、より高い絶縁破壊電圧および耐熱性が要求されている。
【０００８】
また、コンデンサーの静電容量を向上する目的やコンデンサーを小型化する目的のため、絶縁体となるフィルムのさらなる薄膜化が要求されているが、一般的には薄膜化に伴い取り扱い性が低下してしまう。そのため、フィルムの製造工程における生産性向上およびコストダウンの目的や近年要求されているコンデンサーの製造速度に適応する目的のため、フィルムの巻取り性および加工性のさらなる向上が要求されている。
【０００９】
ここで、特許文献４に開示されている二軸延伸ポリエステルフィルムは、耐熱性に優れ、かつ特許文献１〜３に開示されているシンジオタクチックポリスチレン系フィルムよりも高い絶縁破壊電圧を示すものであるが、本発明者らの検討によれば、高い絶縁破壊電圧と取り扱い性とを同時に満足させる目的で、特許文献４に開示されている二軸延伸ポリエステルフィルムに特許文献７〜９に開示されている微粒子を添加したところ、絶縁破壊電圧が低くなってしまい、かつフィルム製造中にフィルム破断が多発することが判明した。
【００１０】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、電気的特性、耐熱性、巻取り性および加工性等の取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の樹脂および特定の微粒子を配合したシンジオタクチックポリスチレン系樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムにおいて、特定の配向構造とすることで、耐熱性に優れ、高い絶縁破壊電圧を有し、かつ取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムが得られることを見出し、本発明に到達した。
【００１２】
すなわち本発明は、主としてシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に、該スチレン系重合体とは誘電率が０．２以上異なる樹脂Ｘを３重量％以上４８重量％以下配合した樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムであって、該二軸延伸フィルムは平均粒径が０．０１μｍ以上３．０μｍ以下の微粒子を０．０１重量％以上５．０重量％以下含有し、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である高絶縁性フィルムである。
【００１３】
さらに本発明は、樹脂Ｘの融点が、前記スチレン系重合体の融点（Ｔｍｓ、単位：℃）に対して、（Ｔｍｓ−３０）℃以上（Ｔｍｓ＋３０）℃以下の範囲にあること、樹脂Ｘがポリエチレンテレフタレート樹脂およびポリエチレンナフタレート樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種であること、微粒子が、平均粒径が０．６μｍ以上３．０μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ａを０．０１重量％以上１．５重量％以下と、平均粒径が０．０１μｍ以上０．５μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ｂを０．０５重量％以上２．０重量％以下とを構成成分として含み、不活性微粒子Ａの平均粒径が不活性微粒子Ｂの平均粒径より０．３μｍ以上大きいこと、不活性微粒子Ａが、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子であること、不活性微粒子Ａが球状高分子樹脂粒子であること、不活性微粒子Ａが球状シリカ粒子であること、不活性微粒子Ｂが、粒径比が１．０以上１．３以下の球状シリカ粒子であることのうち少なくともいずれか１つの態様を具備することで、さらに優れた高絶縁性フィルムを得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の高絶縁性フィルムは、電気的特性、耐熱性、取り扱い性に優れる。特に、高い絶縁破壊電圧を有するため、コンデンサーの絶縁体として好適に用いられる。また、フィルムの薄膜化が可能であり、コンデンサーの小型化や静電容量の向上を達成することができる。さらに、耐熱性に優れ、高温においても絶縁破壊電圧に優れるコンデンサーを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
＜高絶縁性フィルム＞
本発明の高絶縁性フィルムは、主としてシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に、後述する樹脂Ｘを配合した樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムであって、該二軸延伸フィルムは後述する微粒子を含有するものである。以下、本発明の高絶縁性フィルムを構成する各成分について説明する。
【００１６】
＜スチレン系重合体＞
本発明におけるスチレン系重合体は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体であり、すなわち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するものである。一般にタクティシティーは、同位体炭素による核磁気共鳴法（１３Ｃ−ＮＭＲ法）により定量され、連続する複数個の構成単位の存在割合、例えば２個の場合はダイアッド、３個の場合はトリアッド、５個の場合はペンタッド等によって示すことができる。本発明におけるシンジオタクチック構造のスチレン系重合体とは、ラセミダイアッドで７５％以上、好ましくは８５％以上、あるいはラセミペンタッドで３０％以上、好ましくは５０％以上のシンジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ（アルキルスチレン）、ポリ（ハロゲン化スチレン）、ポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）、あるいはこれらのベンゼン環の一部が水素化された重合体やこれらの混合物、またはこれらの構造単位を含む共重合体を指称する。なお、ここでポリ（アルキルスチレン）としては、ポリ（メチルスチレン）、ポリ（エチルスチレン）、ポリ（プロピルスチレン）、ポリ（ブチルスチレン）、ポリ（フェニルスチレン）、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ビニルスチレン）、ポリ（アセナフチレン）等があり、ポリ（ハロゲン化スチレン）としては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（ブロモスチレン）、ポリ（フロオロスチレン）等がある。また、ポリ（アルコキシスチレン）としては、ポリ（メトキシスチレン）、ポリ（エトキシスチレン）等がある。これらのうち特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン、ポリ（ｐ−メチルスチレン）、ポリ（ｍ−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−ターシャリーブチルスチレン）、ポリ（ｐ−クロロスチレン）、ポリ（ｍ−クロロスチレン）、ポリ（ｐ−フルオロスチレン）、またスチレンとｐ−メチルスチレンとの共重合体を挙げることができる。
【００１７】
さらに、本発明におけるスチレン系重合体に共重合成分を含有させて共重合体として使用する場合においては、そのコモノマーとしては、上述の如きスチレン系重合体のモノマーのほか、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン、イソプレン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリル酸メチル、無水マレイン酸、アクリロニトリル等の極性ビニルモノマー等を挙げることができる。
【００１８】
また、このスチレン系重合体の重量平均分子量は、好ましくは１．０×１０４以上３．０×１０６以下であり、さらに好ましくは５．０×１０４以上１．５×１０６以下であり、特に好ましくは１．１×１０５以上８．０×１０５以下である。重量平均分子量を１．０×１０４以上とすることで、強伸度特性に優れ、耐熱性がより向上したフィルムを得ることができる。また、重量平均分子量が３．０×１０６以下だと、延伸張力が好適な範囲となり、製膜時等において破断等が発生しにくくなる。
【００１９】
このようなシンジオタクチック構造のスチレン系重合体の製造方法は、例えば特開昭６２−１８７７０８号公報に開示されている。すなわち、不活性炭化水素溶媒中または溶媒の不存在下において、チタン化合物および水と有機アルミニウム化合物、特にトリアルキルアルミニウムとの縮合生成物を触媒として、スチレン系単量体（上記スチレン系重合体に対応する単量体）を重合することにより製造することができる。また、ポリ（ハロゲン化アルキルスチレン）については、特開平１−１４６９１２号公報に、水素化重合体は特開平１−１７８５０５号公報にそれぞれ開示されている。
【００２０】
本発明におけるシンジオタクチック構造のスチレン系重合体には、必要に応じて公知の酸化防止剤、帯電防止剤等を適量配合することができる。これらの配合量はスチレン系重合体１００重量部に対して１０重量部以下が好ましい。１０重量部を越えると延伸時に破断を起こしやすくなり、生産安定性不良となるので好ましくない。
このようなシンジオタクチック構造のスチレン系重合体は、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べて耐熱性が格段に優れている。
【００２１】
＜樹脂Ｘ＞
本発明における樹脂Ｘは、上記スチレン系重合体の誘電率とは０．２以上異なる誘電率を有する樹脂である。スチレン系重合体にこのような樹脂Ｘを配合すると、スチレン系重合体と樹脂Ｘのそれぞれのドメインが印加電圧を分担するためか、絶縁破壊電圧が高くなる。スチレン系重合体の誘電率と樹脂Ｘの誘電率との差は、好ましくは０．４以上、さらに好ましくは０．５以上であり、このような態様とすることによって、絶縁破壊電圧をより高くすることができる。
【００２２】
また、本発明における樹脂Ｘは、スチレン系重合体の融点（Ｔｍｓ、単位：℃）に対して、（Ｔｍｓ−３０）℃以上（Ｔｍｓ＋３０）℃以下の範囲に融点を有することが好ましい。樹脂Ｘの融点が上記数値範囲にあると、スチレン系重合体と樹脂Ｘとを混合する際に、その混合状態が良好なものとなり、すなわち樹脂Ｘの分散状態が良好なものとなり、絶縁破壊電圧の向上効果が高くなる。このような観点から、樹脂Ｘの融点は、（Ｔｍｓ−２０）℃以上（Ｔｍｓ＋２０）℃以下の範囲にあることが好ましく、（Ｔｍｓ−１５）℃以上（Ｔｍｓ＋１５）℃以下の範囲にあることがさらに好ましく、（Ｔｍｓ−５）℃以上（Ｔｍｓ＋５）℃以下の範囲にあることが特に好ましい。
【００２３】
さらに、樹脂Ｘの融点とスチレン系重合体の融点との差が１℃以上であると、樹脂Ｘの分散状態がより良好なものとなるためか、絶縁破壊電圧の向上効果をより高くする事ができるため好ましい。このような観点から、樹脂Ｘの融点とスチレン系重合体の融点との差は、２℃以上であることがさらに好ましく、３℃以上であることが特に好ましい。
【００２４】
以上のような樹脂Ｘとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂等のポリエステル、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ナイロン６やナイロン６，６等のポリアミド、ポリフェニレンスルフィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、テフロン（登録商標）等のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等の少なくとも１種からなる樹脂を好ましく例示することができる。このうち、絶縁破壊電圧をより高くすることができるという観点から、ポリエステルが好ましく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂がさらに好ましい。中でも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂が特に好ましい。
【００２５】
本発明の高絶縁性フィルムは、前記スチレン系重合体に、上記樹脂Ｘを３重量％以上４８重量％以下配合した樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムである。樹脂Ｘを上記数値範囲の量配合することによって、得られる高絶縁性フィルムの電気的特性を良好なものとすることができる。具体的には、絶縁破壊電圧を高くすることができる。このような観点から、樹脂Ｘの配合量は、樹脂組成物１００重量％中に、好ましくは４重量％以上４０重量％以下、さらに好ましくは６重量％以上３５重量％以下、特に好ましくは９重量％以上２４重量％以下である。
【００２６】
＜微粒子＞
本発明の高絶縁性フィルムは、平均粒径が０．０１μｍ以上３．０μｍ以下の微粒子を含有する。含有する微粒子の平均粒径が上記数値範囲にあると、得られる高絶縁性フィルムにおいて良好な電気的特性を維持しながら、巻取り性および加工性等の取り扱い性を良好なものとすることができる。微粒子の平均粒径が小さすぎると、取り扱い性に劣る傾向にある。他方大きすぎると、フィルム中のボイドの大きさが増大するため、電気的特性に劣る傾向にある。このような観点から、微粒子の平均粒径は、好ましくは０．０５μｍ以上２．０μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以上１．６μｍ以下、特に好ましくは０．２μｍ以上１．３μｍ以下である。
【００２７】
本発明の高絶縁性フィルムは、高絶縁性フィルム１００重量％中に、上記微粒子を０．０１重量％以上５．０重量％以下含有する。微粒子を上記数値範囲の量含有することによって、高絶縁性フィルムの絶縁破壊電圧を良好に保ったまま、巻取り性および加工性等の取り扱い性を良好なものとすることができる。このような観点から、微粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上３．５重量％以下、さらに好ましくは０．２重量％以上２．０重量％以下、特に好ましくは０．３重量％以上０．７重量％以下である。
【００２８】
以上のような微粒子は、有機系微粒子であってもよいし、無機系微粒子であってもよい。有機系微粒子としては、高分子樹脂粒子が好ましく、例えば架橋ポリスチレン樹脂粒子、架橋シリコーン樹脂粒子、架橋アクリル樹脂粒子、架橋スチレン−アクリル樹脂粒子、架橋ジビニルベンゼン−アクリル樹脂粒子、架橋ポリエステル樹脂粒子、ポリイミド樹脂粒子、メラミン樹脂粒子等が挙げられ、このうち滑り性および耐削れ性に優れるという観点からシリコーン樹脂粒子、架橋ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。また、無機系微粒子としては、（１）二酸化ケイ素（水和物、ケイ砂、石英等を含む）；（２）各種結晶形態のアルミナ；（３）ＳｉＯ２成分を３０重量％以上含有するケイ酸塩（例えば非晶質もしくは結晶質の粘土鉱物、アルミノシリケート（焼成物や水和物を含む）、温石綿、ジルコン、フライアッシュ等）；（４）Ｍｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、およびＴｉの酸化物；（５）Ｃａ、およびＢａの硫酸塩；（６）Ｌｉ、Ｂａ、およびＣａのリン酸塩（１水素塩や２水素塩を含む）；（７）Ｌｉ、Ｎａ、およびＫの安息香酸塩；（８）Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、およびＭｎのテレフタル酸塩；（９）Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉのチタン酸塩；（１０）Ｂａ、およびＰｂのクロム酸塩；（１１）炭素（例えばカーボンブラック、グラファイト等）；（１２）ガラス（例えばガラス粉、ガラスビーズ等）；（１３）Ｃａ、およびＭｇの炭酸塩；（１４）ホタル石；（１５）スピネル型酸化物等が挙げられる。このうち、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。
【００２９】
本発明においては、１種類の微粒子を含有する態様でもよいが、絶縁破壊電圧を低下させずに取り扱い性の向上効果を高くすることができるという観点から、２種類以上の微粒子を含有する態様が好ましい。そのような場合は、組成の異なる２種類以上の微粒子を含有する態様、平均粒径の異なる２種類以上の微粒子を含有する態様、形状の異なる２種類以上の微粒子を含有する態様、もしくはこれらを組み合わせた態様でもよいが、少なくとも平均粒径の異なる２種類以上の微粒子を含有する態様が特に好ましい。
【００３０】
２種類以上の微粒子を含有する態様うち、特に好ましい態様としては、平均粒径が０．６μｍ以上３．０μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ａを０．０１重量％以上１．５重量％以下と、平均粒径が０．０１μｍ以上０．５μｍ以下、粒径の標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ｂを０．０５重量％以上２．０重量％以下との２種類の不活性微粒子を構成成分として含み、不活性微粒子Ａの平均粒径が不活性微粒子Ｂの平均粒径より０．３μｍ以上大きい態様を例示することができる。このような態様とすることによって、微粒子の添加による電気的特性の低下を最小限に抑制することができ、かつ巻取り性および加工性等の取り扱い性の向上効果をより高くすることができる。
【００３１】
（不活性微粒子Ａ）
上記不活性微粒子Ａの平均粒径は、好ましくは０．６μｍ以上３．０μｍ以下、より好ましくは０．７μｍ以上２．０μｍ以下、さら好ましくは０．８μｍ以上１．６μｍ以下、特に好ましくは０．９μｍ以上１．３μｍ以下である。不活性微粒子Ａの平均粒径が上記数値範囲にあると、エアー抜け性を向上させることができ、巻取り性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Ａの平均粒径が小さすぎると、十分なエアー抜け性が得られなくなる傾向にあり、すなわち巻取り性の向上効果が低くなる。他方大きすぎると、フィルム中のボイドの大きさが増大する傾向にあり、すなわち電気的特性の向上効果が低くなる。
【００３２】
また、不活性微粒子Ａの粒径の相対標準偏差は、好ましくは０．５以下、より好ましくは０．４以下、さらに好ましくは０．３以下、特に好ましくは０．２以下である。粒径の相対標準偏差が上記数値範囲にあると、不活性微粒子Ａの粒径分布がシャープであることを意味し、フィルム表面の突起の高さが均一となり、これにより巻取り性の向上効果を高くすることができる。また、粗大粒子や粗大突起が少なくなり、これにより欠陥が減少し、絶縁破壊電圧の向上効果を高くすることができる。
【００３３】
不活性微粒子Ａの含有量は、高絶縁性フィルム１００重量％中に、好ましくは０．０１重量％以上１．５重量％以下、より好ましくは０．０５重量％以上１．０重量％以下、さらに好ましくは０．１重量％以上０．５重量％以下、特に好ましくは０．２重量％以上０．４重量％以下である。不活性微粒子Ａを上記数値範囲の量含有することによって、高絶縁性フィルムの絶縁破壊電圧を良好に保ったまま、取り扱い性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Ａの含有量が少なすぎると、エアー抜け性に劣る傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方多すぎると、フィルム表面が粗くなりすぎる傾向にあり、それによってフィルム表面の耐削れ性が悪化する傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。また、特にコンデンサー用途においては、スペースファクターが増大する傾向にある。
【００３４】
かかる不活性微粒子Ａは、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子であることが好ましい。粒径比は、さらに好ましくは１．０以上１．２以下、特に好ましくは１．０以上１．１以下である。粒径比が上記数値範囲にあると、巻取り性の向上効果および絶縁破壊電圧の向上効果をより高くすることができる。
【００３５】
以上のような不活性微粒子Ａは、前述の微粒子と同様の有機系微粒子および無機系微粒子を用いることができる。有機系微粒子としては、高分子樹脂粒子が好ましく、滑り性および耐削れ性に優れるという観点からシリコーン樹脂粒子、架橋ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。このような高分子樹脂粒子は、前述のとおり球状であることが好ましく、すなわち球状高分子樹脂粒子が好ましい。このうち、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から球状シリコーン樹脂粒子、球状架橋ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。また、無機系微粒子としては、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。このような無機系微粒子は、前述のとおり球状であることが好ましく、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から球状シリカ粒子が特に好ましい。
【００３６】
（不活性微粒子Ｂ）
本発明における不活性微粒子Ｂの平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上０．５μｍ以下、より好ましくは０．０５μｍ以上０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下、特に好ましくは０．２μｍ以上０．４μｍ以下である。不活性微粒子Ｂの平均粒径が上記数値範囲にあると、適度な滑り性を得ることができ、巻取り性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Ｂの平均粒径が小さすぎると、十分な滑り性が得られなくなる傾向にあり、すなわち巻取り性の向上効果が低くなる。他方大きすぎると、フィルム表面における低突起の高さが高くなりすぎ、それにより滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。さらに、耐削れ性が悪化する傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。
【００３７】
また、不活性微粒子Ｂは、前述の不活性微粒子Ａと同様の観点から、粒径分布がシャープであることが好ましく、不活性微粒子Ｂの粒径の相対標準偏差は、好ましくは０．５以下、より好ましくは０．４以下、さらに好ましくは０．３以下、特に好ましくは０．２以下である。
【００３８】
不活性微粒子Ｂの含有量は、高絶縁性フィルム１００重量％中に、好ましくは０．０５重量％以上２．０重量％以下、より好ましくは０．１重量％以上１．０重量％以下、さらに好ましくは０．１重量％以上０．６重量％以下、特に好ましくは０．１重量％以上０．３重量％以下である。不活性微粒子Ｂを上記数値範囲の量含有することによって、高絶縁性フィルムの絶縁破壊電圧を良好に保ったまま、取り扱い性の向上効果を高くすることができる。不活性微粒子Ｂの含有量が少なすぎると、滑り性に劣る傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方多すぎると、ボイドの頻度が増加する傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。また、滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。
【００３９】
かかる不活性微粒子Ｂは、前述の不活性微粒子Ａと同様の観点から、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子であることが好ましく、さらに好ましくは１．０以上１．２以下、特に好ましくは１．０以上１．１以下である。
【００４０】
以上のような不活性微粒子Ｂは、前述の微粒子と同様の有機系微粒子および無機系微粒子を用いることができる。このうち、無機系微粒子が好ましく、滑り性および耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。このような無機系微粒子は、前述のとおり球状であることが好ましく、滑り性および耐削れ性により優れるという観点から球状シリカ粒子が特に好ましい。
【００４１】
かかる不活性微粒子Ａと不活性微粒子Ｂは、不活性微粒子Ａの平均粒径が不活性微粒子Ｂの平均粒径より０．３μｍ以上大きい態様が好ましい。その差は、さらに好ましくは０．５μｍ以上、特に好ましくは０．７μｍ以上である。不活性微粒子Ａの平均粒径と不活性微粒子Ｂの平均粒径との差を大きくすることで、フィルム表面において不活性微粒子Ａによる高突起が散在する態様となり、これによってフィルム間のエアー抜け性が良好となる。同時に、不活性微粒子Ｂによる低突起が存在する態様となり、フィルム同士の滑り性が良好となる。これらによって、フィルムをロール状に巻取る際には、エアー抜け性と滑り性とのバランスが良く、高速で巻き上げても巻き姿の良好なフィルムロールを得ることができる等、巻取り性の向上効果が高まる。
【００４２】
本発明で用いられる微粒子は、最終的なフィルムに含有されていれば含有させる方法に限定はない。例えば、スチレン系単量体の重合中の任意の過程で添加あるいは析出させる方法、溶融押出する任意の過程で添加する方法が挙げられる。またこれらの微粒子を効果的に分散させるため、分散剤、界面活性剤等を用いることができる。
【００４３】
＜その他の添加剤＞
本発明の高絶縁性フィルムは、基本的には前述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に、樹脂Ｘおよび微粒子を所定割合で配合した樹脂組成物からなるものであるが、さらに成形性、力学物性、表面性等を改良するために他の樹脂成分を含有することができる。
【００４４】
含有することができる他の樹脂成分としては、例えばアタクチック構造のスチレン系重合体、アイソタクチック構造のスチレン系重合体、ポリフェニレンエーテル、スチレン−無水マレイン酸共重合体等が、前記シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶しやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶化の制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制御が容易で、かつ力学物性に優れたフィルムを得ることができるため好ましく挙げることができる。このうち、アタクチック構造および／またはアイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と同様のモノマーからなるものが好ましい。また、これら相溶性樹脂成分の含有割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体１００質量部に対して、好ましくは４０質量部以下、さらに好ましくは２０質量部以下、特に好ましくは１０質量部以下とすれば良い。相溶性樹脂成分の含有割合が４０質量部を超えると、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体の長所である耐熱性の向上効果が低くなってしまう。
【００４５】
また、含有する事ができる他の樹脂成分のうち、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体に非相溶な樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリペンテン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン６やナイロン６，６等のポリアミド、ポリフェニレンスルフィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、テフロン（登録商標）等のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等、前記相溶性の樹脂以外の樹脂はすべて相当し、さらに前記相溶性の樹脂を含む架橋樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、本発明のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と非相溶であるため、少量含有する場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体中に島のように分散させることができ、延伸後に程良い光沢を与えたり、表面の滑り性を改良するのに有効である。非相溶性樹脂成分の含有割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体１００質量部に対して、好ましくは３０質量部以下、さらに好ましくは２０質量部以下、特に好ましくは１０質量部以下である。また、製品として使用する温度が高い場合は、比較的耐熱性のある非相溶性樹脂製分を含有することが好ましい。
さらに、本発明の目的を阻害しない範囲で、酸化防止剤、帯電防止剤、着色剤、耐候剤等の添加剤を加えることができる。
【００４６】
＜フィルム特性＞
本発明の高絶縁性フィルムは、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である。厚み方向の屈折率は、好ましくは１．６１００以上１．６４００以下、さらに好ましくは１．６１３０以上１．６３８０以下、特に好ましくは１．６１５０以上１．６３６０以下である。厚み方向の屈折率を上記数値範囲とすることによって、絶縁破壊電圧を良好なものとすることができる。また、フィルム製造工程におけるフィルム破断の頻度が低下し、生産性を良好なものとすることができる。厚み方向の屈折率が高すぎると、フィルム製造工程におけるフィルム破断の頻度が増加する傾向にあり、フィルムの生産性が低下する。他方低すぎると、絶縁破壊電圧が低くなる傾向にあり、電気的特性に劣るものとなる。また、コンデンサーの製造工程におけるフィルム破断の頻度が増加する。さらに、フィルムの厚み斑が悪くなる傾向にあり、品質の安定したコンデンサーを得ることができない。
【００４７】
厚み方向の屈折率を上記数値範囲とするには、例えば後述する製造方法を採用する。すなわち本発明における厚み方向の屈折率は、一軸方向の延伸に次いで、あるいは一軸方向の延伸と同時に実施される該一軸方向と垂直な方向の延伸において、延伸の温度を複数段階に分け、この第１段階の温度と最終段階の温度とで特定の温度差をつけることで達成される。
【００４８】
本発明の高絶縁性フィルムは、フィルム厚みが０．３μｍ以上１２μｍ未満であることが好ましい。さらに好ましくは０．４μｍ以上６．０μｍ未満であり、特に好ましくは０．５μｍ以上３．５μｍ未満である。フィルム厚みを上記数値範囲とすることによって、静電容量の高いコンデンサーを製造することができる。
【００４９】
コンデンサーの絶縁体として用いられるフィルムは、一般的にフィルム厚みが薄い方がコンデンサーの静電容量が高くなり好ましいことは、自然現象であり当然の事項である。しかしながら実際にフィルム厚みを薄くしてゆくと、フィルムにしわが入りやすくなる、フィルムが破断しやすくなる、添加した粒子が脱落しやすくなる、さらにそれにより絶縁破壊電圧が低くなる、もしくはフィルム厚みが薄くなることにより絶縁破壊電圧の絶対値が低くなる等の問題が生じるため、それらをバランスさせることが不可欠となる。本発明は、フィルム厚みを薄くしても上記の問題が生じることが無いように、後述する製造方法を採用することにより、特定の微粒子と配向構造を有する新規の構成の高絶縁性フィルムを得るものである。
【００５０】
本発明の高絶縁性フィルムは、その少なくとも片面の中心線平均表面粗さＲａが１１ｎｍ以上８９ｎｍ以下であることが好ましい。表面粗さＲａを上記数値範囲とすることによって、巻取り性の向上効果を高くすることができる。また、耐ブロッキング性が向上し、ロールの外観を良好なものとすることができる。表面粗さＲａが低すぎると、滑り性が低くなりすぎる傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方高すぎると、滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。このような観点から、表面粗さＲａの下限は、好ましくは２１ｎｍ以上、さらに好ましくは３１ｎｍ以上である。また、表面粗さＲａの上限は、好ましくは７９ｎｍ以下、さらに好ましくは６９ｎｍ以下、特に好ましくは５９ｎｍ以下である。
【００５１】
本発明の高絶縁性フィルムは、その少なくとも片面の１０点平均粗さＲｚが９００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であることが好ましい。１０点平均粗さＲｚを上記数値範囲とすることによって、巻取り性の向上効果を高くすることができる。１０点平均粗さＲｚが低すぎると、ロールとして巻き上げる際にエアー抜け性が低くなる傾向にあり、フィルムが横滑りしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。フィルム厚みが薄い場合は、フィルムの腰がなくなるため、エアー抜け性がさらに低くなる傾向にあり、巻取り性の向上効果がさらに低くなる。他方、１０点平均粗さＲｚが高すぎると、粗大突起が多くなる傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。このような観点から、１０点平均粗さＲｚの下限は、より好ましくは９５０ｎｍ以上、さらに好ましくは１０５０ｎｍ以上、特に好ましくは１２５０ｎｍ以上である。また、１０点平均粗さＲｚの上限は、より好ましくは２６００ｎｍ以下、さらに好ましくは２２５０ｎｍ以下、特に好ましくは１９５０ｎｍ以下である。
【００５２】
＜フィルムの製造方法＞
本発明の高絶縁性フィルムは、一部の特別な製造方法を除けば、基本的には従来から知られている、あるいは当業界に蓄積されている方法で得ることができる。以下、本発明の高絶縁性フィルムを得るための製造方法について詳記する。
【００５３】
先ず、主にシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に樹脂Ｘを所定量配合した樹脂組成物を加熱溶融し、未延伸シートを作成する。具体的には樹脂組成物の融点（Ｔｍ、単位：℃）以上（Ｔｍ＋７０℃）以下の温度で加熱溶融しシート状に押し出して、冷却固化して未延伸シートを得る。得られた未延伸シートの固有粘度は、０．３５〜０．９ｄｌ／ｇの範囲であることが好ましい。次いで、この未延伸シートを二軸方向に延伸する。延伸は、縦方向（機械軸方向）および横方向（機械軸方向と垂直な方向）を同時延伸してもよいし、任意の順序で逐次延伸してもよい。例えば逐次延伸の場合には、先ず一軸方向に（樹脂組成物のガラス転移点温度（Ｔｇ、単位：℃）−１０℃）以上（Ｔｇ＋７０℃）以下の温度で２．７倍以上４．８倍以下、好ましくは２．９倍以上４．４倍以下、さらに好ましくは３．１倍以上４．０倍以下の倍率で延伸し、次いで該一軸方向と垂直な方向にＴｇ以上（Ｔｇ＋８０℃）以下の温度で２．８倍以上４．９倍以下、好ましくは３．０倍以上４．５倍以下、さらに好ましくは３．２倍以上４．１倍以下の倍率で延伸する。
【００５４】
なお、上記一軸方向と垂直な方向の延伸の際には、前段階の延伸で結晶化が進んでいるためか、延伸が難しくなり、製膜中に破断が起こりやすくなる。特にフィルム厚みの薄いフィルムを製膜する場合において、また特に延伸倍率が３．２倍を超える領域において破断が起こりやすくなる。
【００５５】
この対策を検討したところ、上記一軸方向と垂直な方向の延伸において、その延伸速度を特定の数値範囲とすることが有効であることが判明した。すなわち延伸速度が速すぎると、延伸による分子の高次構造変化が、延伸によるフィルムの形状変化の速さに追随できなくなり、該高次構造に歪が生じやすくなり、フィルム破断が生じやすくなる。他方遅すぎると、延伸途中においてフィルムの結晶化が先行してしまい、延伸応力にバラツキが生じるためか、延伸斑や厚み斑が生じやすくなり、それにより破断が生じやすくなる。このような観点から、延伸速度の下限は、好ましくは５００％／分以上、より好ましくは１０００％／分以上、さらに好ましくは２０００％／分以上、特に好ましくは４０００％／分以上である。また、延伸速度の上限は、好ましくは３００００％／分以下、より好ましくは１５０００％／分以下、さらに好ましくは９０００％／分以下、特に好ましくは６０００％／分以下である。
【００５６】
さらに、上記一軸方向と垂直な方向の延伸において、その延伸温度を一定とするのではなく、複数段階に分け、この第１段階の温度と最終段階の温度とで温度差をつけることが有効であることが判明した。温度差の下限は、最終段階の温度が第１段階の温度より４℃以上高いことが好ましく、７℃以上高いことがより好ましく、１１℃以上高いことがさらに好ましく、１５℃以上高いことが特に好ましい。また、温度差の上限は、４９℃以下が好ましく、３９℃以下がより好ましく、２９℃以下がさらに好ましく、２０℃以下が特に好ましい。温度差が大きすぎると、フィルム破断が生じやすくなる、延伸後のフィルムの厚み斑が悪くなる傾向にある。このように、第１段階と最終段階の温度差を上記数値範囲とすることで、フィルム厚みの薄いフィルムの製膜において従来困難であった高い延伸倍率を達成することができ、これによって厚み斑が良好なフィルムを得ることができ、かつ本発明における厚み方向の屈折率を達成することができる。さらに、フィルム厚みを薄くしても破断が生じにくいため、本発明における好ましいフィルム厚みを達成することができる。
【００５７】
一軸方向と垂直な方向の延伸を実施する工程において第１段階と最終段階との温度差をつけるには、１の延伸ゾーンの中でゾーンの入口（第１段階）と出口（最終段階）とで温度差をつけてもよいし、温度の異なる２以上の連続した延伸ゾーンを設けて最初の延伸ゾーン（第１段階）と最後の延伸ゾーン（最終段階）とで温度差をつけてもよい。ここでゾーンとは、テンター等においてシャッター等で区切られた１の領域を示す。いずれの場合も第１段階と最終段階の間をさらに分割し、第１段階から最終段階に向かって温度を傾斜的に上昇させるのが好ましく、特に直線的に上昇させると良い。例えば、温度の異なる２以上の連続した延伸ゾーンによる場合は、最初の延伸ゾーンと最後の延伸ゾーンの間に、さらに１以上の延伸ゾーンを設けることが好ましく、１以上１０以下の延伸ゾーンを設けることがさらに好ましい。延伸ゾーンの合計を１３以上とすることは、設備コストの面から不利である。延伸は、例えばフィルムを幅方向に延伸する場合は、最終段階を出た直後のフィルム幅を、第１段階に入る直前のフィルム幅で除した値が目標の延伸倍率となるようにすればよく、傾斜的にフィルム幅を増加させることが好ましく、特に直線的に増加させると良い。縦方向と横方向を同時に延伸する場合においても、同様に延伸の温度を複数段階に分け、この第１段階の温度と最終段階の温度とで温度差をつけるようにする。
【００５８】
本発明においては、上記の延伸速度の態様および延伸温度の態様のうち、少なくともいずれか１つの態様を採用するが、両方の態様を採用することがより好ましく、延伸工程が安定化し、本発明における屈折率および好ましいフィルム厚みを達成しやすくなる。
【００５９】
次いで、（Ｔｇ＋７０℃）〜Ｔｍの温度で熱固定する。熱固定の温度は２００℃以上２６０℃以下であり、好ましくは２２０℃以上２５０℃以下であり、さらに好ましくは２３０℃以上２４０℃以下である。熱固定温度が高すぎると、特にフィルム厚みの薄いフィルムを製造する際に、フィルム破断が生じやすくなり、また厚み斑が悪化してしまう。熱固定の後に必要に応じて熱固定温度より２０℃〜９０℃低い温度下で弛緩処理をすると、寸法安定性が良くなる。
【実施例】
【００６０】
次に本発明を実施例および比較例によりさらに詳しく説明する。また、例中の各種特性値は下記の方法で測定、評価した。
【００６１】
（１）粒子の平均粒径および粒径比
（１−１）粉体の平均粒径および粒径比
試料台上に、粉体を個々の粒子ができるだけ重ならないようにうに散在させ、金スパッター装置によりこの表面に金薄膜蒸着層を厚み２００〜３００Åで形成し、走査型電子顕微鏡を用いて１万〜３万倍で観察し、日本レギュレーター（株）製ルーゼックス５００にて、少なくとも１０００個の粒子についてその面積相当粒径（Ｄｉ）、長径（Ｄｌｉ）および短径（Ｄｓｉ）を求めた。
【００６２】
（１−２）フィルム中の粒子の平均粒径および粒径比
試料フィルム小片を走査型電子顕微鏡用試料台に固定し、日本電子（株）製スパッタリング装置（ＪＩＳ−１１００型イオンスパッタリング装置）を用いてフィルム表面に、０．１３Ｐａの真空下で０．２５ｋＶ、１．２５ｍＡの条件でイオンエッチング処理を１０分間施した。さらに、同じ装置で金スパッターを施し、走査型電子顕微鏡を用いて１万〜３万倍で観測し、日本レギュレーター（株）製ルーゼックス５００にて、少なくとも１０００個の粒子についてその面積相当粒径（Ｄｉ）、長径（Ｄｌｉ）および短径（Ｄｓｉ）を求めた。
【００６３】
粉体の平均粒径および粒径比については上記（１−１）項、フィルム中の粒子の平均粒径および粒径比については上記（１−２）項から得られた値を下記式に用いて、粒子の個数ｎとし、面積相当粒径（Ｄｉ）の数平均値を平均粒径（Ｄ）とした。
【数１】
【００６４】
また、下記式から得られた長径の平均値（Ｄｌ）と短径の平均値を（Ｄｓ）から、粒径比はＤｌ／Ｄｓとして算出した。
【数２】
【数３】
【００６５】
（２）粒子の粒径の相対標準偏差
粉体の相対標準偏差については前記（１−１）項、フィルム中の粒子の相対標準偏差については前記（１−２）項で求められた各々の微粒子の面積相当粒径（Ｄｉ）および平均粒径（Ｄ）から、下記式により求めた。
【００６６】
【数４】
【００６７】
（３）フィルムの表面粗さ
（３−１）中心線平均表面粗さ（Ｒａ）
非接触式三次元粗さ計（小坂研究所製、ＥＴ−３０ＨＫ）を用いて波長７８０ｎｍの半導体レーザー、ビーム径１．６μｍの光触針で測定長（Ｌｘ）１ｍｍ、サンプリングピッチ２μｍ、カットオフ０．２５ｍｍ、厚み方向拡大倍率１万倍、横方向拡大倍率２００倍、走査線数１００本（従って、Ｙ方向の測定長Ｌｙ＝０．２ｍｍ）の条件にてフィルム表面の突起プロファイルを測定した。その粗さ曲面をＺ＝ｆ（ｘ，ｙ）で表わしたとき、次の式で得られる値をフィルムの中心線平均表面粗さ（Ｒａ、単位：ｎｍ）とした。
【００６８】
【数５】
【００６９】
（３−２）１０点平均粗さ（Ｒｚ）
上記（３−１）項により得られたフィルム表面の突起プロファイルにおいて、ピーク（Ｈｐ）の高い方から５点と谷（Ｈｖ）の低い方から５点をとり、次の式により１０点平均粗さ（Ｒｚ、単位：ｎｍ）を求めた。
【００７０】
【数６】
【００７１】
（４）熱収縮率
無張力の状態で１５０℃の雰囲気中３０分におけるフィルムの熱収縮率（単位：％）を求めた。
【００７２】
（５）屈折率
ナトリウムＤ線（５８９ｎｍ）を光源としたアッベ屈折計を用いて２３℃６５％ＲＨにて測定し、厚み方向の屈折率ｎＺを求めた。
【００７３】
（６）絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）
ＪＩＳ Ｃ ２１５１に示される方法に従って測定した。２３℃相対湿度５０％の雰囲気にて、直流耐電圧試験機を用い、上部電極は直径２５ｍｍの真鍮製円柱、下部電極は直径７５ｍｍのアルミ製円柱を使用し、１００Ｖ／秒の昇圧速度で昇圧し、フィルムが破壊し短絡した時の電圧（単位：Ｖ）を読み取った。得られた電圧をフィルム厚み（単位：μｍ）で除して、絶縁破壊電圧（単位：Ｖ／μｍ）とした。
測定は４１回実施し、大きい方の１０個、小さい方の１０個を除き、２１個の中央値を絶縁破壊電圧の測定値とした。
１００℃、１２０℃での測定は熱風オーブンに電極、サンプルをセットし、耐熱コードで電源に接続し、オーブン投入後１分で昇圧を開始して測定した。
【００７４】
（７）誘電率
ＪＩＳ Ｃ２１５１のＡ法に準拠して２３℃、１ｋＨｚにおける誘電率を測定した。
【００７５】
（８）ガラス転移点温度（Ｔｇ）および融点（Ｔｍ、Ｔｍｓ）
樹脂サンプルにおいては、サンプル約１０ｍｇを測定用のアルミニウム製パンに封入して示差熱量計（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製：商品名ＤＳＣ２９２０ Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）に装着し、２５℃から２０℃／分の速度で３００℃まで昇温させ、３００℃で３分間保持した後取り出し、直ちに氷の上に移して急冷した。このパンを再度示差熱量計に装着し、２５℃から２０℃／分の速度で昇温させてガラス転移温度（単位：℃）と融点（単位：℃）を測定した。
また、フィルムサンプルにおいては、サンプル約２０ｍｇを測定用のアルミニウム製パンに封入して示差熱量計（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製：商品名ＤＳＣ２９２０ Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）に装着し、２５℃から２０℃／分の速度で３００℃まで昇温させてガラス転移温度（単位：℃）と融点（単位：℃）を測定した。
【００７６】
（９）延伸性
二軸延伸フィルムを１００万ｍ製膜する間に破断の発生する回数により、以下の如く判断した。
延伸性◎ ： １０万ｍの製膜当り 破断が１回未満
延伸性○ ： １０万ｍの製膜当り 破断が１回〜２回未満
延伸性△ ： １０万ｍの製膜当り 破断が２回〜４回未満
延伸性× ： １０万ｍの製膜当り 破断が４回〜８回未満
延伸性××： １０万ｍの製膜当り 破断が８回以上
【００７７】
（１０）巻取り性
フィルムの製造工程において、フィルムを５５０ｍｍ幅で６０００ｍのロール状に１００ｍ／分の速度で巻き上げ、その巻上げ状況、ロールの外観により次のように格付けする。
Ａ： ロールの巻き姿良好
Ｂ： ロールの表面に１個以上５個未満のピンプル（突起状盛り上がり）が見られるがほぼ良好
Ｃ： ロールの表面に５個以上のピンプル（突起状盛り上がり）が見られ、外観不良
Ｄ： ロールのフィルム端面ズレが起き、巻き姿不良
【００７８】
［ポリエチレンテレフタレート樹脂の準備］
モノマーとしてジメチルテレフタレートとエチレングリコールを、エステル交換触媒として酢酸マンガンを、重合触媒として三酸化アンチモンを、安定剤として亜燐酸を用い、常法により重合し、固有粘度０．６２のポリエチレンテレフタレート樹脂（融点２５８℃、誘電率３．２）を得た。
【００７９】
［比較例１］
スチレン系重合体として重量平均分子量３．０×１０５であり、１３Ｃ−ＮＭＲ測定でほぼ完全なシンジオタクチック構造であることが観察されるポリスチレン（融点（Ｔｍｓ）２７０℃、誘電率２．７）を用い、これを樹脂組成物とした。得られた樹脂組成物９９．５質量部に、不活性微粒子Ａとして平均粒径１．１μｍ、相対標準偏差０．１５、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスター（登録商標））０．３質量部（得られる二軸延伸フィルム中において０．３重量％となる）と、不活性微粒子Ｂとして平均粒径０．３μｍ、相対標準偏差０．１６、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスター（登録商標））０．２質量部（得られる二軸延伸フィルム中において０．２重量％となる）とからなる微粒子を添加し、樹脂組成物と微粒子の混合物を得た。
得られた混合物をペレット化し、該ペレットを１３０℃で７時間乾燥した後、押出機に供給し、２９０℃で溶融し、ダイスリットから押出してキャスティングドラム上で冷却固化し、未延伸シートを作成した。
【００８０】
この未延伸シートを１１４℃で縦方向（機械軸方向）に３．２倍延伸し、続いてテンターに導いた後、横方向（機械軸方向と垂直な方向）に３．３倍延伸した。その際、横方向の延伸における延伸速度は５０００％／分とし、延伸温度は、第１段階の温度を１０２℃、最終段階の温度を１１９℃とした。その後２３５℃で９秒間熱固定をし、さらに１８０℃まで冷却する間に、幅方向に４％弛緩処理をして厚み３．０μｍの二軸延伸フィルムを得てロール状に巻き取った。得られた二軸延伸フィルムの特性を表１に示す。
比較例１で得られた二軸延伸フィルムは、延伸性および巻取り性は良好であったが、絶縁破壊電圧が低く、高絶縁性フィルムとして不適なものであった。そのため、コンデンサーの絶縁体として不適なものであり、特にハイブリッド自動車に用いられるコンデンサーの絶縁体としても、絶縁破壊電圧が低すぎ、不適なものであった。
【００８１】
［実施例１］
スチレン系重合体として重量平均分子量３．０×１０５であり、１３Ｃ−ＮＭＲ測定でほぼ完全なシンジオタクチック構造であることが観察されるポリスチレン９５質量部に、樹脂Ｘとして前記で得られたポリエチレンテレフタレート樹脂を５質量部配合したものを樹脂組成物として用いる以外は、比較例１と同様にして二軸延伸フィルムを得てロール状に巻き取った。得られた二軸延伸フィルムの特性を表１に示す。
実施例１で得られた二軸延伸フィルムは、延伸性および巻取り性に優れ、絶縁破壊電圧が高く、高絶縁性フィルムとして好適なものであった。そのため、コンデンサーの絶縁体として好適なものであった。
【００８２】
［実施例２〜４、比較例２］
スチレン系重合体と樹脂Ｘとの配合比率を表１に示す通りとした樹脂組成物を用いる以外は、実施例１と同様にして二軸延伸フィルムを得てロール状に巻き取った。得られた二軸延伸フィルムの特性を表１に示す。
実施例２〜４で得られた二軸延伸フィルムは、延伸性および巻取り性が良好で、特に絶縁破壊電圧が高く、高絶縁性フィルムとして好適なものであった。そのため、コンデンサーの絶縁体として好適なものであり、特にハイブリッド自動車に用いられるコンデンサーの絶縁体としても好適なものであった。
比較例２で得られた二軸延伸フィルムは、比較的耐熱性の低いポリエチレンテレフタレート樹脂の配合比率が高すぎたためか、特に高温における絶縁破壊電圧が低く、高絶縁性フィルムとして不適なものであった。
【００８３】
［比較例３，実施例５］
縦方向および横方向の延伸倍率、延伸温度等の製膜条件を表１のとおりとした以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得てロール状に巻き取った。得られた二軸延伸フィルムの特性を表１に示す。
比較例３で得られた二軸延伸フィルムは、厚み方向の屈折率が低いため、絶縁破壊電圧が低く、高絶縁性フィルムとして不適なものであった。
実施例５で得られた二軸延伸フィルムは、延伸性および巻取り性が良好で、特に絶縁破壊電圧が高く、高絶縁性フィルムとして好適なものであった。そのため、コンデンサーの絶縁体として好適なものであり、特にハイブリッド自動車に用いられるコンデンサーの絶縁体としても好適なものであった。
【００８４】
［比較例４］
厚み方向の屈折率がおおよそ１．６５８０であるようなフィルムを得るべく、縦方向および横方向の延伸倍率等の製膜条件を表１に示す通りとしたところ、フィルム破断が多発し、二軸延伸フィルムを得ることができなかった。
【００８５】
【表１】
【００８６】
［実施例６、７］
横方向に延伸する際の延伸速度および延伸温度等の製膜条件を表１のとおりとする以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得てロール状に巻き取った。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
実施例６、７で得られた二軸延伸フィルムは、横延伸における延伸速度の条件が好ましい範囲にないため、延伸性に劣るものであった。また、絶縁破壊電圧が比較的低いものであったが、巻取り性が良好で、高絶縁性フィルムとして実用に耐え得るものであった。
【００８７】
［実施例８］
樹脂組成物９９．４質量部に、微粒子として平均粒径１．１μｍ、相対標準偏差０．１５、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスター（登録商標））０．６質量部（得られる二軸延伸フィルム中において０．６重量％となる）を添加して得た混合物を用いる以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
実施例８で得られた二軸延伸フィルムは、巻取り性および絶縁破壊電圧が比較的低いものであったが、高絶縁性フィルムとして実用に耐え得るものであった。
【００８８】
［実施例９］
不活性微粒子Ａとして平均粒径１．３μｍ、相対標準偏差０．１４、粒径比１．１０の球状シリコーン樹脂粒子０．３質量部（得られる二軸延伸フィルム中において０．３重量％となる）と、不活性微粒子Ｂとして平均粒径０．３μｍ、相対標準偏差０．１６、粒径比１．０８の球状シリカ粒子（（株）日本触媒製：商品名シーホスター（登録商標））０．２質量部（得られる二軸延伸フィルム中において０．２重量％となる）とからなる微粒子を用いる以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
実施例９で得られた二軸延伸フィルムは、延伸性および巻取り性が良好で、特に絶縁破壊電圧が高く、高絶縁性フィルムとして好適なものであった。そのため、コンデンサーの絶縁体として好適なものであり、特にハイブリッド自動車に用いられるコンデンサーの絶縁体としても好適なものであった。
【００８９】
［実施例１０］
樹脂Ｘとして、ポリエチレンナフタレート樹脂（融点２６９℃、誘電率３．１）を用いる以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
実施例１０で得られた二軸延伸フィルムは、絶縁破壊電圧が比較的低いものであったが、延伸性および巻取り性に優れ、高絶縁性フィルムとして実用に耐え得るものであった。
【００９０】
［実施例１１］
樹脂Ｘとして、ポリプロピレン樹脂（融点１７０℃、誘電率２．１）を用いる以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
実施例１１で得られた二軸延伸フィルムは、樹脂Ｘとして用いたポリプロピレンの耐熱性が低いためか、高温における絶縁破壊電圧が比較的低いものであったが、高絶縁性フィルムとして実用に耐え得るものであった。
【００９１】
［比較例５］
樹脂Ｘとして、ポリカーボネート樹脂（融点２４３℃、誘電率２．８）を使用する以外は、実施例２と同様にして二軸延伸フィルムを得た。得られた二軸延伸フィルムの特性を表２に示す。
比較例５で得られた二軸延伸フィルムは、ポリスチレンの誘電率とポリカーボネート樹脂の誘電率との差が小さすぎたためか、ポリカーボネート樹脂を混合した効果が得られず、絶縁破壊電圧が低く、高絶縁性フィルムとして不適なものであった。
【００９２】
【表２】
【００９３】
また、得られた高絶縁性フィルムを用いて、以下のようにコンデンサーを作成した。
まず、フィルムの片面にアルミニウムを５００Åの厚みとなるように真空蒸着した。その際、８ｍｍ幅の蒸着部分と１ｍｍ幅の非蒸着部分との繰り返しからなる、縦方向のストライプ状に蒸着した。得られた蒸着フィルムを、蒸着部分と非蒸着部分のそれぞれ幅方向の中央部でスリットし、４ｍｍ幅の蒸着部分と０．５ｍｍ幅の非蒸着部分とからなる、４．５ｍｍ幅のテープ状に巻取りリールにした。次いで、２本のリールを、非蒸着部分がそれぞれ反対側の端面となるように重ね合わせ巻回し、巻回体を得た後、１５０℃、１ＭＰａで５分間プレスした。プレス後の巻回体の両端面にメタリコンを溶射して外部電極とし、メタリコンにリード線を溶接して巻回型フィルムコンデンサーを作成した。
【００９４】
実施例１〜１１で得られた二軸延伸フィルムを用いたフィルムコンデンサーは、耐熱性、耐電圧特性に優れ、コンデンサーとして優れる性能を示すものであった。またコンデンサー作成時の加工性に優れるものであった。
特に、実施例２〜５、９で得られた二軸延伸フィルムを用いたフィルムコンデンサーは、耐熱性に優れ、特に耐電圧特性に優れ、コンデンサーとしてより優れる性能を示すものであった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主としてシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に、該スチレン系重合体とは誘電率が０．２以上異なる樹脂Ｘを３重量％以上４８重量％以下配合した樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムであって、該二軸延伸フィルムは平均粒径が０．０１μｍ以上３．０μｍ以下の微粒子を０．０１重量％以上５．０重量％以下含有し、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である高絶縁性フィルム。
【請求項２】
樹脂Ｘの融点が、前記スチレン系重合体の融点（Ｔｍｓ、単位：℃）に対して、（Ｔｍｓ−３０）℃以上（Ｔｍｓ＋３０）℃以下の範囲にある請求項１に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項３】
樹脂Ｘがポリエチレンテレフタレート樹脂およびポリエチレンナフタレート樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項１または２に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項４】
微粒子が、平均粒径が０．６μｍ以上３．０μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ａを０．０１重量％以上１．５重量％以下と、平均粒径が０．０１μｍ以上０．５μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ｂを０．０５重量％以上２．０重量％以下とを構成成分として含み、不活性微粒子Ａの平均粒径が不活性微粒子Ｂの平均粒径より０．３μｍ以上大きい請求項１〜３のいずれか１項に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項５】
不活性微粒子Ａが、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子である請求項４に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項６】
不活性微粒子Ａが球状高分子樹脂粒子である請求項５に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項７】
不活性微粒子Ａが球状シリカ粒子である請求項５に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項８】
不活性微粒子Ｂが、粒径比が１．０以上１．３以下の球状シリカ粒子である請求項４〜７のいずれか１項に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の高絶縁性フィルムを用いたコンデンサー。
【請求項１】
主としてシンジオタクチック構造のスチレン系重合体に、該スチレン系重合体とは誘電率が０．２以上異なる樹脂Ｘを３重量％以上４８重量％以下配合した樹脂組成物からなる二軸延伸フィルムであって、該二軸延伸フィルムは平均粒径が０．０１μｍ以上３．０μｍ以下の微粒子を０．０１重量％以上５．０重量％以下含有し、厚み方向の屈折率が１．６０５０以上１．６５５０以下である高絶縁性フィルム。
【請求項２】
樹脂Ｘの融点が、前記スチレン系重合体の融点（Ｔｍｓ、単位：℃）に対して、（Ｔｍｓ−３０）℃以上（Ｔｍｓ＋３０）℃以下の範囲にある請求項１に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項３】
樹脂Ｘがポリエチレンテレフタレート樹脂およびポリエチレンナフタレート樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項１または２に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項４】
微粒子が、平均粒径が０．６μｍ以上３．０μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ａを０．０１重量％以上１．５重量％以下と、平均粒径が０．０１μｍ以上０．５μｍ以下、粒径の相対標準偏差が０．５以下の不活性微粒子Ｂを０．０５重量％以上２．０重量％以下とを構成成分として含み、不活性微粒子Ａの平均粒径が不活性微粒子Ｂの平均粒径より０．３μｍ以上大きい請求項１〜３のいずれか１項に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項５】
不活性微粒子Ａが、粒径比が１．０以上１．３以下の球状粒子である請求項４に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項６】
不活性微粒子Ａが球状高分子樹脂粒子である請求項５に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項７】
不活性微粒子Ａが球状シリカ粒子である請求項５に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項８】
不活性微粒子Ｂが、粒径比が１．０以上１．３以下の球状シリカ粒子である請求項４〜７のいずれか１項に記載の高絶縁性フィルム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の高絶縁性フィルムを用いたコンデンサー。
【公開番号】特開２００９−９６９２１（Ｐ２００９−９６９２１Ａ）
【公開日】平成２１年５月７日（２００９．５．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２７１３５６（Ｐ２００７−２７１３５６）
【出願日】平成１９年１０月１８日（２００７．１０．１８）
【出願人】（０００００３００１）帝人株式会社 (1,209)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年５月７日（２００９．５．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月１８日（２００７．１０．１８）
【出願人】（０００００３００１）帝人株式会社 (1,209)
【Ｆターム（参考）】
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