【課題】
電子線を応用した検査装置では、電子像を取得して欠陥の有無を判定していたため、画像の取得時間や画像データの転送速度、画像処理の速さなどで検査速度の向上に限界が生じていた。
【解決手段】
電子レンズ１１１の後焦点面に形成される回折スポットのうち、試料１０４から垂直に反射される電子が形成する部分を遮蔽物１１７で遮蔽し、その他の反射電子線を検出器１１２で検出し、その積分強度を入出力装置１１５でモニタすることにより異物や欠陥の判定を行う。 （もっと読む）

【課題】微小領域の歪みを簡単に測定できるようにする。
【解決手段】立方晶の金属組織に１５ｎｍ〜１００μｍ間隔で電子線を照射して、後方散乱電子回折像法より測定点毎に結晶方位を決定し、決定した結晶方位分布および隣接する前記測定点間の方位角度差より、格子歪を決定し、前記格子歪に基づいて金属組織上における残留応力分布を求める。また、求めた残留応力分布および測定対象の金属材料の降伏応力に基づいて塑性域と判定された領域において、前記方位角度差と前記金属材料の弾性限とに基づいて、塑性変形により生じた角度差を算出し、前記算出した角度差に基づいて、幾何学的に必要な転位の転位密度を予測する。 （もっと読む）

【課題】欠陥観察装置を用いて短時間に多数の試料上の欠陥を観察する方法において、高スループットで、かつ安定に欠陥画像を収集する。
【解決手段】欠陥観察装置において、観察対象となる試料上の各欠陥について、試料の設計情報から算出された試料の外観特徴に基づき欠陥検出方式を撮像前に選択して設定し、試料上の欠陥座標および該設定された欠陥検出方式をもとに、ステージの移動時間が短くなるように欠陥画像および参照画像の撮像順序を設定して欠陥画像の収集を行うようにし構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのパターンの検査において、非検査領域が混在する試料でも非検査領域への電子ビームの照射を防止し、所望の検査領域を検査することができる検査装置、および検査方法を提供する。
【解決手段】電子ビームは試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、電子ビームの走査中に電子ビームが試料へ照射するのを妨げるように電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、電子ビームの走査中に試料を連続的に移動させるステージと、電子ビームの照射領域の選択に従って、電子ビームの非照射領域では電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】平面視における被検査物の搬送方向長さが一定ではない場合でも、簡易な構成のままで被検査物の検査を効率よく実施することが可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置１０では、コンベア１２によって搬送される商品Ｇに対して、Ｘ線照射器１３からＸ線を照射し、Ｘ線ラインセンサ１４において検出されたＸ線量に基づいてＸ線画像を作成して異物混入の検査を行う装置であって、制御コンピュータ２０が、ユーザによって選択可能な第１モードと第２モードとを有している。第１モードでは、商品Ｇ１がＸ線ラインセンサ１４上を通過している間、Ｘ線ラインセンサ１４において検出されるＸ線透過量に基づいてＸ線画像を作成する。第２モードでは、商品Ｇ１の先頭を検知してから所定の距離ｄの分だけＸ線透過量に基づいてＸ線画像を作成する。 （もっと読む）

【課題】後方散乱電子線回折（ＥＢＳＤ）法により得られた塑性変形を受けていない多結晶材料の結晶情報を用いて、多結晶材料が巨視的変形を受けた際の微視組織の不均一変形状態を、簡易な方法で迅速且つ確実に予測し、多結晶材料の塑性変形時の機械特性を正確に得る。
【解決手段】多結晶材料からなる試料について、後方散乱電子線回折法によって得られた各測定点の結晶情報を用いた多結晶材料の変形特性を予測する際に、各測定点の結晶情報を入力するステップと、入力された各測定点の結晶情報を用いて、各測定点と１対１に対応するように要素分割し、離散化モデルを作成するステップと、離散化モデルを用いて、所定の境界条件の下に変形解析を行うステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】薄膜包材内に物品を内包する商品であっても、薄膜包材内を漏れなく検査領域として設定し、高精度な検査を実施することが可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置１０は、コンベア１２によって搬送される商品Ｇに対して、Ｘ線照射器１３からＸ線を照射し、Ｘ線ラインセンサ１４において検出されたＸ線量に基づいてＸ線画像を作成して異物混入の検査を行う装置であって、Ｘ線ラインセンサ１４において商品Ｇの袋Ｂ内のパンＧ１を検出すると、制御コンピュータ２０が、パンＧ１の上流側および下流側に隣接する領域を、検査領域Ａ１，Ａ２として加える。 （もっと読む）

【課題】複数の検査パターンを積算して行う欠陥検査を、一つの検査パターンによって行い、ＴＦＴアレイ検査の検査時間を短縮する。
【解決手段】荷電粒子ビームをＴＦＴアレイ上で走査して走査画像を形成し、走査画像から欠陥ピクセルを検出する走査ビーム検査装置であって、走査制御部と、二次電子を検出する検出器と、検査信号を印加する検査信号印加部と、検査信号を印加したＴＦＴアレイを二次元的に走査して走査画像を形成し、走査画像から各ピクセルの信号強度を検出する信号強度検出部と、信号強度をデータ処理することによって欠陥ピクセルを抽出するデータ処理部とを備える。データ処理部は、ピクセルの信号強度を複数の閾値と比較し、信号強度が、複数の閾値で区分される正常強度範囲と欠陥強度範囲の何れの強度範囲にあるかを検出する比較部と、信号強度が欠陥強度範囲にあるピクセルを欠陥ピクセルとして判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】パターン形状に歪みがあり、エッジ強度にバラつきがある画像においても、的確なマッチング位置が得られる統一的なテンプレート・マッチング手法を提供する。
【解決手段】テンプレート・マッチングで得られた正規化相関マップに重心距離フィルタを施して得られた上位候補の各位置周辺における相関値寄与率マップを作成し、これらの相関値寄与率マップから補正強度画像を作成し、補正強度画像に基づいて輝度補正し、各候補位置周辺で再度局所的にマッチングを行い、新たに得られた候補位置と相関値によって候補をソートしなおす。これにより、パターン形状に歪みがあり、エッジ強度にバラつきがある画像においても、統一的に的確なマッチング位置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、回路パターンに電圧および温度等の電気的負荷をかけて信頼性評価を行う半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し（ステップ９０）、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 （もっと読む）

【課題】２次電子像による半導体装置の不具合解析の効率化。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、半導体装置の設計データに基いて、解析対象となる半導体装置を観察した場合の電位濃度分布をシミュレートし、電位濃度シミュレート像を生成する手段と、解析対象の半導体装置に荷電粒子ビームを照射して得られる２次電子像を入力する手段と、前記解析対象の半導体装置の２次電子像に対してデコンボリューション処理を行って原画像を復元する画像復元処理、又は、前記電位濃度シミュレート像に対してコンボリューション処理を行って前記２次電子像相当の劣化画像を得る画像劣化処理のいずれかを実行する手段と、前記画像復元処理又は画像劣化処理をした像と、他方の像とを、表示する手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】直接変換方式のＸ線センサの使用を前提として、製造ラインの稼働を停止させることなく、分極に起因する検出性能の低下の問題に適切に対処し得る、Ｘ線検査装置を得る。
【解決手段】Ｘ線検査装置１は、Ｘ線照射部７と、Ｘ線を直接的に電気信号に変換するタイプのＸ線センサを有するＸ線検出部８と、物品１２がＸ線照射部７とＸ線検出部８との間のＸ線照射領域１００を通過するように、物品１２を搬送するベルトコンベア６と、Ｘ線センサへ印加するバイアス電圧を制御する制御部６０とを備えている。Ｘ線検出部８は、物品１２の搬送経路上に配設されたＸ線ラインセンサ８Ａと、Ｘ線ラインセンサ８Ａよりも下流側でＸ線ラインセンサ８Ａに平行に配設されたＸ線ラインセンサ８Ｂとを有している。制御部６０は、Ｘ線ラインセンサ８Ａ，８Ｂに対して、バイアス電圧を独立に印加可能である。 （もっと読む）

【課題】 ＥＤＳを利用した元素分布分析において、分析目的に見合った空間分解能で効率よくデータ処理を行ない、分析パラメータの表示を高速に行なう。
【解決手段】 横６点、縦４点の格子状に円で囲んだ領域を指定する。円のかかる画素に対応するＥＤＳのスペクトルを記憶部から全て読み出し、積算してひとつのスペクトルを作る。そのスペクトルに基づいてＲＯＩ 積算値やフィッティングによる定量補正計算等のデータ処理を行ない、求められたＸ線強度や組成情報等の分析パラメータの面分布を表示する。 （もっと読む）

【課題】直接変換方式のＸ線センサの使用を前提として、製造ラインの稼働を停止させることなく、分極に起因する検出性能の低下の問題に適切に対処し得る、Ｘ線検査装置を得る。
【解決手段】Ｘ線検査装置１は、Ｘ線照射部７と、Ｘ線を直接的に電気信号に変換するタイプのＸ線センサを有するＸ線検出部８と、物品１２がＸ線照射部７とＸ線検出部８との間のＸ線照射領域１００を通過するように、物品１２を搬送するベルトコンベア６と、Ｘ線センサへ印加するバイアス電圧を制御する制御部６０とを備えている。Ｘ線検出部８は、物品１２の搬送経路上に配設されたＸ線ラインセンサ８Ａと、Ｘ線ラインセンサ８Ａよりも下流側でＸ線ラインセンサ８Ａに平行に配設されたＸ線ラインセンサ８Ｂとを有している。制御部６０は、Ｘ線ラインセンサ８Ａ，８Ｂに対して、バイアス電圧の印加を独立に停止可能である。 （もっと読む）

【課題】
パターンの形状や試料特性に応じて，高速・高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】設計データや，設計データ上の各領域に対応する試料特性情報を用いて画質改善処理を行うことにより，画像上の個々の領域に対応する試料特性に応じて適切な画質改善処理を施し，画像上の領域分割を高速に行うといった処理を可能とする。さらに，設計データと対応する画像情報を保存したデータベースを利用することにより，類似した設計データにおいて過去に撮像した画像との差が大きい箇所を自動で強調する等の画質改善処理を可能とする。 （もっと読む）

【課題】
エネルギー損失量と測定位置情報の二軸で形成される電子エネルギー損失スペクトル像について、各測定位置間での電子エネルギー損失スペクトルの相違点を高効率かつ高精度に補正する透過型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
電子分光器を備えた電子顕微鏡の電子エネルギー損失スペクトル像の補正システムであって、基準スペクトル像に含まれる基準位置のスペクトル及び基準位置以外のスペクトルの相違点に基き、分析対象試料のエネルギー損失スペクトル像の各測定位置のスペクトルを補正することを特徴とする補正システム。 （もっと読む）

【課題】対象物の断層像にアーチファクトがあっても、それに伴う誤差を生じることなく、正確にポリゴンデータを作成して対象物の３次元画像を正しく表示することのできる３次元画像化方法を提供する。
【解決手段】ＣＴ撮影等により得られた対象物の３次元濃度データを、あらかじめ設定されている一律のしきい値Ｓｔを用いてポリゴンデータを生成する前に、以下の修正を加えることで、アーチファクト等の影響をなくす。３次元濃度データから、仮のしきい値を用いて輪郭（境界）を抽出してその輪郭上の画素ａを順次選択し、その画素ａを通り対象物像の略法線方向の軸に沿い、その軸の周辺所定領域の画素の濃度値を積算して得られるプロファイルを作成して微分することによって当該プロファイルのピーク値を求め、そのピーク位置の濃度値Ｓｐと上記しきい値Ｓｔとの差を算出し、選択された画素ａと周辺の画素の濃度値を、しきい値Ｓｔに近づくように修正する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線異物検査装置において、微細な異物を検出可能とする。
【解決手段】Ｘ線検査画像メモリ１１に記憶されているＸ線検査画像データに基づいて、ずらし画像データを作成するずらし画像作成器１２と、ずらし画像作成器１２によって作成されたずらし画像データを記憶するずらし画像メモリ１３と、Ｘ線検査画像メモリ１１に記憶されているＸ線検査画像データとずらし画像メモリ１３に記憶されているずらし画像データを画素毎に加算してずらし加算画像データを算出するずらし画像加算演算処理器１４と、ずらし画像加算演算処理器１４によって算出されたずらし加算画像データに基づいて、検査対象物内の異物の有無を判定する異物判定処理器１５によって構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線異物検査装置において、微細な異物を検出可能とする。
【解決手段】Ｘ線検査画像メモリ１１がＸ線エリアセンサ６から出力されたＸ線検査画像データを記憶し、基準良品画像メモリ１２が異物の有無を判定するための基準良品画像データを記憶する。画像除算演算処理器１３が、Ｘ線検査画像データから基準良品画像データを除算処理することにより、異物の画像データを算出し、異物判定処理器１４が画像除算演算処理器１３によって算出された異物の画像データに基づいて異物の有無を判定する。画像除算演算処理器１３が行なう除算処理によって検査対象物の材質又は形状に起因するノイズが除去され、異物に関する高品位なＸ線画像を取得できるので、微細な異物が検出可能になる。 （もっと読む）

【課題】回転装置を設けることなく被検体に対して多方向からＸ線を照射してＣＴ撮影を行うＸ線ＣＴ装置を提供する。
【解決手段】被検体ＨにＸ線１００を照射し、被検体Ｈを透過したＸ線１００を検出することにより被検体Ｈの内部状態を画像化するＸ線ＣＴ装置であって、電子銃と、被検体Ｈの周りに円環状に複数配置され、電子ビームＢが入射すると被検体Ｈに向けてＸ線１００を照射するターゲットコリメータ１５と、電子銃から入射した電子ビームＢを被検体Ｈの周りの円環軌道に沿って偏向すると共に、複数のターゲットコリメータ１５の何れかに順次選択的に電子ビームＢを照射する電子ビーム偏向装置とを具備するという構成を採用する。 （もっと読む）