【課題】簡単な構成で、ビームラインの方向をほとんど変えずに、Ｘ線の吸収による減衰を抑えながら、Ｘ線を集束又は平行化することができるＸ線屈折方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線Ｂ１が入射又は出射する第１面２と、前記第１面２から離れた位置から当該第１面２の反対側へ前記第１面２に垂直にかつ互いに平行に延びる複数の第２面４及び各前記第２面４の先端からその内側に隣り合う他の第２面４の基端に至るように延びる複数の第３面５を有し、前記第２面４の基端を通り前記第１面２に平行な面、前記第２面４及び前記第３面５により規定される複数のプリズム部６を有する屈折部３と、を備えたＸ線屈折素子１を、前記第１面２がＸ線Ｂ１の入射又は出射軸Ｂ_ｉｎに対して垂直な角度位置から前記第２面４に垂直なＺ軸の回りに所定角度θ回転した位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】酸素分離膜用材料の還元膨張率を適切に測定する方法を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される還元膨張率測定方法は、酸素分離膜用材料の還元膨張率を測定する方法であって、測定対象となる材料１６について還元雰囲気下でＸ線回折測定を行い、その材料１６の還元雰囲気下における還元雰囲気下格子定数を求める工程と、材料１６について空気雰囲気下でＸ線回折測定を行い、その材料１６の空気雰囲気下における空気雰囲気下格子定数を求める工程と、得られた還元雰囲気下格子定数と空気雰囲気下格子定数とに基づいて、材料の還元膨張率を算出する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定により薄膜材料の結晶子径を簡易且つ高精度に測定する薄膜材料の結晶子径測定方法、薄膜に対するＸ線回折測定を行うための測定対象試料、及びこの測定対象試料の製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム上に薄膜が形成されている被検試料を１０枚積層させ、Ｘ線が入射する側から数えて第１番目の被検試料１Ｊと第２番目の被検試料１Ｉとの間に標準粉末試料を仕込み、これを測定対象試料とする。この測定対象試料に対して透過法によるＸ線回折測定を行う。 （もっと読む）

【課題】モルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量を迅速、且つ精度よく予測できる方法を提供すること。
【解決手段】セメントクリンカーを含み、Ｋ_２Ｏ含有量が０．２０〜０．６０質量％であるセメントの粉末Ｘ線回折結果をプロファイルフィッティング法により解析して、セメントクリンカーに含まれるクリンカー鉱物の結晶情報を得る第一工程と、結晶情報を基に、セメントクリンカーを含むセメントから得られるモルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量を予測する第二工程と、を有するモルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量の予測方法。 （もっと読む）

【課題】モルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量を迅速に予測できる方法を提供すること。
【解決手段】セメントクリンカー又は当該セメントクリンカーを含むセメントの粉末Ｘ線回折結果をプロファイルフィッティング法により解析して、セメントクリンカーに含まれるクリンカー鉱物の結晶情報を得る第一工程と、結晶情報を基に、セメントクリンカーを含むセメントから得られるモルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量を予測する第二工程と、を有するモルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量の予測方法。 （もっと読む）

【課題】製造コストの安価な簡単な構造でありながら確実な動作で効果的にＸ線センサを保護して寿命を改善できるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置は、搬送手段４の搬送面５の上方にＸ線源６を有し、搬送面５の下方にセンサ９を有し、照射位置７の手前には、操作部材１１と遮蔽部材１２からなるシャッタ装置１０を備える。ワークＷが操作部材に接触しない状態では遮蔽部材がセンサをＸ線から遮蔽し、ワークが操作部材を押した場合には遮蔽部材が移動してワークを透過したＸ線がセンサ９に到達する。検査中にＸ線を常時照射しても、センサに到達するＸ線は検査に必要な最小限に止まる。センサがＸ線で過剰に損傷し、寿命の劣化が早まる恐れは少ない。 （もっと読む）

【課題】簡便な操作により高い精度で膨張剤を含むモルタルやコンクリートの乾燥収縮量を予測する方法の提供。
【解決手段】膨張モルタル又はコンクリートの乾燥収縮量を予測する方法であって、水中材齢７日のセメント硬化体について、セメントの水和反応に伴って生成されるエトリンガイトの量から前記膨張モルタル又はコンクリートの水中材齢７日の膨張量を推定することを特徴とする、膨張モルタル又はコンクリートの乾燥収縮量の予測方法。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気中において、高電界を印加したときの絶縁破壊電圧が高い積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、コンデンサ本体１０と、第１及び第２の電極１１，１２とを備えている。コンデンサ本体１０は、誘電体セラミックスからなる。第１及び第２の電極１１，１２は、コンデンサ本体１０内に設けられている。第１及び第２の電極１１，１２は、セラミック層１０ｅを介して互いに対向している。積層セラミックコンデンサ１では、３００Ｋにおいて電界を印加していない状態の第１及び第２の電極１１，１２の格子定数をａ_０とし、４００Ｋにおいて３０ｋＶ／ｍｍの電界を印加したときの第１及び第２の電極１１，１２の格子定数をａ_１としたときに、（｜ａ_１−ａ_０｜×１００）／ａ_０が０．１８以下である。 （もっと読む）

【課題】累積損傷を受けた部材の損傷評価を適切に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】本発明の損傷評価方法は、累積損傷を受けた部材の損傷評価方法であって、評価対象部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差を測定する工程と、測定された前記結晶方位角度差と、予め前記評価対象部材と同一成分系の部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差の測定と累積損傷試験とを行うことにより作成された前記結晶方位角度差と前記累積損傷との検量曲線とを用いて、前記評価対象部材の累積損傷を評価する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料の表面における特定の結晶方位を有する結晶粒子の面内分布を迅速且つ簡便に評価できる結晶方位評価装置を得ること。
【解決手段】結晶方位評価装置は、入射する放射線の中心軸に対して垂直な面に沿った方向へ移動可能であり、試料が載置された状態で放射線を透過するステージと、前記試料において特定の回折角で回折された放射線を選択的に通過させるように、前記放射線の中心軸の周辺を環状に延びた開口部を有する絞りと、前記放射線の中心軸に沿った方向へ移動可能であり、前記絞りを通過した放射線を検出する検出器と、前記検出器により検出された結果から前記試料の表面における結晶方位の分布を判定する判定部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】測定試料の結晶品質が著しく劣化し、ｔｗｉｓｔ分布に起因したピーク拡がりが著しく大きくなる場合にも、ｔｗｉｓｔ分布に起因したピーク拡がりを同定する結晶の構造解析方法を新たに提供する。
【解決手段】Ｘ線受光器１２の位置は固定し、試料１４のみを回転させるωスキャンモードを用いて、Ｘ線回折測定を行うことにより、横軸がスキャン角度Δθで縦軸がＸ線強度を表すｈｋｌ反射プロファイルを求め、求めたｈｋｌ反射プロファイルについて、再規格化工程、形状解析工程及び判定工程を適用して、ピーク拡がり形状が結晶のモザイク性により生じる局所的なｔｗｉｓｔ分布に起因して生じる形状か否か判定する。 （もっと読む）

【課題】実際のゴム材料の変形挙動が大きい場合でも、変形挙動を精密に解析することを可能とする。
【解決手段】ゴムにゴムとは異なる材料を配合した所定形状のゴム材料について、ノードにより構成される３次元モデルを生成するステップと、各ノードに歪と応力との関係を定めた構成条件を付与するステップと、構成条件が付与された３次元モデルを用いて変形挙動を解析するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】幾何条件を変更した後に最初に断層撮影をする場合に、スキャン開始から断面像の完成までの時間を短くできるＣＴ装置を提供する。
【解決手段】透過像の回転中心位置を求め記憶する回転中心求出部９ｅと、スキャン制御部９ｄと回転中心求出部９ｅと再構成部９ｆとを制御して、被検体５に対し第一のスキャンを実施して、第一のスキャンデータから回転中心位置の求出と記憶を行い、引き続き、被検体５に対し第二のスキャンを実施して第二のスキャンデータを記憶しつつ、第二のスキャンデータから順次、回転中心位置を用いて再構成処理を前記第二のスキャンと並行して行い、被検体５の断面像を再構成する撮影制御部９ｃを有するＣＴ装置。 （もっと読む）

【課題】試料の径が大きくなっても、試料に対応した大面積の面状のＸ線検出器を、Ｘ線トポグラフの分解能を低下させること無く、使用できるようにする。また、試料の径が大きくなったことに対応して大面積の面状のＸ線検出器を使用することになった場合でも、Ｘ線検出部の全体形状を大きくしなくて済むようにする。
【解決手段】試料１１を線状のＸ線で走査したときに試料１１で回折したＸ線をＸ線検出器２８によって検出して平面的な回折像を得るＸ線トポグラフィ装置である。Ｘ線検出器２８は試料１１よりも大きい面積を有する円筒形状のイメージングプレート２８であり、線状のＸ線の走査移動Ｆに関連させてイメージングプレート２８を円筒形状の中心軸Ｘ０を中心としてα回転させる。円筒形状の中心軸Ｘ０は線状のＸ線の走査移動方向Ｆと直角方向に延在する。 （もっと読む）

【課題】半導体エピタキシャル層を高解像度で分析する。
【解決手段】Ｘ線２６の集束するビーム３０を、エピタキシャル層がその上に形成されたサンプル２２の表面に配向するステップと、１つの回折ピークとエピタキシャル層に起因する周辺スペクトルを有する回折スペクトルを生成するため、サンプルから回折されたＸ線を検知し、同時に、検知されたＸ線を角度の関数として解析するステップと、からなる分析方法。周辺スペクトルの特性はエピタキシャル層の緩和を測定するために分析される。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線分光性能が良好なＸ線モノクロメータを提供する。
【解決手段】 Ｘ線モノクロメータ１１は、凹面を有する基板１８と、凹面上に形成された複数の細孔を有する無機酸化物膜と、を備える。無機酸化物膜の複数の細孔は、凹面の法線方向に周期的に積層されている。 （もっと読む）

【課題】運動する被検査物の内部を簡単に透視できる放射線透視装置を提供することを目的とする。
【解決手段】放射線透視装置が、放射線照射部から離間した被検査物に放射線を照射して被検査物の内部を透視する放射線透視装置であって、被検査物の位置を検出する位置検出手段と、該位置検出手段が、検出した被検査物の位置に向けて放射線を照射するように放射線照射部を制御する制御手段とを具備する。 （もっと読む）

本発明は、試料のＸ線回折（ＸＲＤ）解析及び／又はＸ線蛍光（ＸＲＦ）解析を実行する方法であって、Ｘ線源からのＸ線を試料に照射し、走査波長選択器と波長選択器により選択されたＸ線を検出するＸ線検出器とを備えるＸＲＤ・ＸＲＦ複合検出装置を提供し、走査波長選択器を使用して試料により回折されるＸ線の固定波長を選択してＸ線検出器を使用して試料での１つ又は複数の値の回折角φでの選択された固定波長のＸ線を検出することにより試料のＸＲＤ解析を実行し、及び／又は、走査波長選択器を使用して試料により発せられたＸ線の波長を走査してＸ線検出器を使用して走査された波長のＸ線を検出することにより試料のＸＲＦ解析を実行する方法を提供する。試料のＸＲＤ解析及びＸＲＦ解析の両方を実行する装置であって、走査波長選択器と、ＸＲＤ・ＸＲＦ複合検出装置を備える装置も提供される。 （もっと読む）

【課題】所定の高透過性を有する粒子である高透過性粒子の性質を用いて構造物の内部状態をより適正に解析する。
【解決手段】構造物の内部の一部に相当し且つ水平角φ，仰角θｅ，通過点αのミュー粒子が通過する通過パーツｊについて、通過長Ｌ［ｊ，φ，θｅ，α］と仮定物質Ｍａｓ［ｊ］の密度ρ［ｊ］との積としての密度長ＤＬ［ｊ，φ，θｅ，α］を計算すると共に（Ｓ１５０）、計算した密度長ＤＬ［ｊ，φ，θｅ，α］を用いてガウス分布を設定し（Ｓ１６０）、設定したガウス分布を用いてミュー粒子の散乱角θｓｃ［ｊ，φ，θｅ，α］を設定し（Ｓ１７０）、設定した散乱角θｓｃ［ｊ，φ，θｅ，α］を用いて通過パーツｊの状態を解析する（Ｓ１８０）。 （もっと読む）

【課題】被検体におけるビームの吸収の影響が少ない画像合成装置及び画像合成方法を提供する。
【解決手段】実際に検出される前方回折ビーム強度及び回折ビーム強度は、被検体Ｓａでの吸収の影響が含まれるが、これらのビームにおける被検体を通過したときの吸収による減衰率が同じであると仮定して、この減衰率と前方回折ビーム強度と回折ビーム強度で表される、減衰の影響を含まない前方回折ビーム強度及び回折ビーム強度により、被検体Ｓａを通過した際のビームの屈折角θ_０を求め、その屈折角θ_０を用いて被検体Ｓａの合成画像を得る。 （もっと読む）