【課題】比較的大きな試料であっても、その試料全域において、金属組織レベルで金属材料の残留応力分布を、簡易的に、精度よく測定する方法を提供する。
【解決手段】金属材料の後方散乱電子回折像から結晶方位分布を取得するステップＳ１と、結晶方位分布から隣接格子点間の格子ひずみを算出するステップＳ２と、結晶方位分布における方位差で示す転位密度から塑性ひずみを算出するステップＳ３と、格子ひずみと塑性ひずみの差分から弾性ひずみを算出するステップＳ４と、金属材料に所定の荷重を負荷して塑性変形させた後、塑性変形後の金属材料について、再度ステップＳ１〜ステップＳ４を実行し、かつ、塑性変形後の金属材料表面の座標変位を測定するステップＳ５と、座標変位から塑性変形前後の座標を対応させて、塑性変形前の残留応力成分と塑性変形後の残留応力成分との差分を求めるステップＳ６とにより金属材料の残留応力を測定する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定装置において、高精度で回折環を検出できるようにする。
【解決手段】コントローラＣＴは、測定対象物にて回折したＸ線による回折環を記録した回折光受光器２８にレーザ光を照射して回折環を測定する。コントローラＣＴは、レーザ光が照射されている位置の半径値が増加するに従って大きくなる回折Ｘ線の減衰量の変化を補正するように、半径値を用いてレーザ光強度を計算して、計算したレーザ光強度のレーザ光を回折光受光器２８に照射する。また、コントローラＣＴは、前記半径値が増加するに従って大きくなる測定対象物にＸ線を照射した際の回折Ｘ線が受光される面積の変化を補正するように、前記半径値を用いてフォーカス制御値を計算して、前記計算したフォーカス制御値に応じて対物レンズによるフォーカス位置を制御して、回折光受光器２８に形成されるレーザ光のスポット径を制御する。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線回折測定装置において、誤ったイメージングプレートの使用を避ける。
【解決手段】 コントローラＣＴは、測定対象物にて回折したＸ線による回折環をイメージングプレート２８に記録して、回折環を記録したイメージングプレート２８にレーザ光を照射して回折環を測定する。新たなイメージングプレート２８には、製造日を含む識別データがＸ線により記録されており、新たなイメージングプレート２８への交換後には、識別データが読取られ、その後、識別データがイメージングプレート２８から消去される。これにより、新たなイメージングプレート２８への交換後に識別コードが読取れなかった場合には、コントローラＣＴは、使い古しのイメージングプレート２８がセットされたと判定する。また、コントローラＣＴは、製造日を用いて使用期限の切れたイメージングプレート２８のセットも判定する。 （もっと読む）

【課題】微細化あるいはハイアスペクト化された凹部を有する構造体に対するパターン検査の精度を向上させることができるパターン検査方法およびパターン検査装置を提供することである。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、構造体が有する凹部にＸ線または真空紫外線を集光させ、前記集光させた前記Ｘ線または前記真空紫外線を前記凹部の内部において伝播させて前記凹部の底面に到達させ、前記底面で反射または前記底面を透過した前記Ｘ線または前記真空紫外線の強度を検出することにより前記凹部の欠陥の有無を検査することを特徴とするパターン検査方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】多結晶材上に非晶質材が積層されてなる積層膜において、積層膜を構成する非晶質材の内部歪みを精緻に特定することができる非晶質材の内部歪み特定方法を提供する。
【解決手段】多結晶材上に非晶質材が積層されてなる積層膜における非晶質材の内部歪みを特定する方法であって、Ｘ線回折法を使用して、多結晶材１の第１の内部歪みを測定する第１のステップと、多結晶材１'上に非晶質材２を形成して積層膜５を作製する第２のステップと、Ｘ線回折法を使用して、積層膜５を構成する多結晶材１'の第２の内部歪みを測定する第３のステップと、第１の内部歪みと第２の内部歪みの差分から非晶質材２の内部歪みを特定する第４のステップからなる。 （もっと読む）

【課題】タンパク質結晶に損傷を与えることなく、かつ、簡便に、Ｘ線回折実験に適用するためのタンパク質結晶試料の調製方法を提供する。
【解決手段】タンパク質及びゲル化剤を含む溶液をイオン架橋形成溶液に加えて、タンパク質溶液を内包したイオン架橋ゲルカプセルを形成させる工程を含む、タンパク質結晶化用カプセルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折分析と蛍光Ｘ線分析の両方の分析により単結晶構造解析を行うＸ線分析装置の提供。
【解決手段】Ｘ線源２と、Ｘ線源が放射するＸ線を単結晶試料へ入射させる光学系３と、単結晶試料を支持する試料台４と、回折Ｘ線検出器５と、回折検出器５を角度移動させる回転駆動系６と、回折Ｘ線測定データ保存部と、回折Ｘ線の測定データに基づいて結晶構造のデータ解析を行う構造解析データ解析部と、エネルギー分散型蛍光Ｘ線検出器７と、蛍光Ｘ線測定データ保存部と、蛍光Ｘ線の測定データに基づいて蛍光Ｘ線分析を行う蛍光Ｘ線解析部と、蛍光Ｘ線分析データ保存部と、蛍光Ｘ線分析データを取得するとともに構造解析データ解析部へ出力する、蛍光Ｘ線分析データ取得手段と、を備える複合Ｘ線分析装置１であって、構造解析データ解析部は、蛍光Ｘ線分析データ取得手段が出力する蛍光Ｘ線分析データに基づいて、結晶構造のデータ解析を行う。 （もっと読む）

【課題】 回折Ｘ線の強度にかかわらず、回折環を精度よく測定できるようにする。
【解決手段】 コントローラＣＴは、レーザ光の照射位置をイメージングプレート２８の中心周りに回転させるとともに径方向に変化させている状態で、イメージングプレート２８の同一回転角度でレーザ光の強度又は受光信号の増幅率を同一にするとともに、イメージングプレート２８が所定角度ずつ変化するごとにレーザ光の強度又は受光信号の増幅率を変化させる。コントローラＣＴは、イメージングプレート２８の回転角度が基準角度から所定角度ずつ変化するごとに受光信号を順次取得して、受光信号の大きさがピークとなる径方向位置を１周分検出し、検出した１周分の径方向位置における受光信号に基づいて、最適なレーザ光の強度又は受光信号の増幅率を設定する。 （もっと読む）

【課題】高い空間解像度が得られる暗視野画像を得る方法、暗視野画像撮影装置及び、角度分析板を提供する。
【解決手段】厚さが２ｃｍ以上、原子面の回折に係る指数が２２０又は４４０のシリコン単結晶の角度分析板１２を用いて、平行な状態で被検体Ｓａに照射され、該被検体を透過したビームＸを、前方回折ビームＦＤと回折ビームＤとに分離し、分離された前方回折ビームＦＤ及び回折ビームＤの両方または少なくとも一方により、被検体Ｓａの暗視野画像を得る。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定において測定対象試料を気密状態で測定装置内に保持するために使用されるホルダーであって、試料のセットが容易で、かつＸ線透過窓等の試料以外の部分からの回折を検出する問題も生じさせないＸ線回折測定用気密試料ホルダーを提供する。
【解決手段】測定対象試料を設置する試料設置板、前記試料設置板を保持する保持部を有する底板とこの底板に対して垂直方向に延設される複数の壁又は柱と前記壁間又は柱間に設けられたＸ線透過部とからなる試料搭載具、及び、柔軟、非透気性かつＸ線透過性の膜からなり、前記試料搭載具を気密状態で封入可能な気密袋からなることを特徴とするＸ線回折測定用気密試料ホルダー。 （もっと読む）

【課題】試料棒と低温ガス吹付方向とが鋭角になる場合があるＸ線分析装置において試料に霜が付着する現象を解消する試料冷却装置を提供する。
【解決手段】試料棒２３によって支持された試料Ｓをω軸線を中心として回転させ、試料ＳにＸ線を照射し、試料Ｓから出るＸ線をＸ線検出器１１によって検出するＸ線分析装置１に用いられる試料冷却装置５である。試料Ｓに冷却ガスを吹付けるノズル２６と、試料Ｓを通過したガスを開口３４を通して吸引するガス吸引装置２８とを有する。試料棒２３はω軸線を中心として回転するときに試料Ｓを頂点とする円錐面を形成するように移動し、ノズル２６は試料棒２３とノズル２６のガス吹付方向とが９０度以下の鋭角になることがあるように設けられている。ガス吸引装置２８は、試料棒２３とノズル２６のガス吹付方向Ｄとが鋭角を成すときに、試料棒２３に当ったガスをその流路を曲げるように吸引する。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さいエミッション電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析方法を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析方法は、蛍光スクリーン１８の直前に配置されて反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂを含み、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜表面に向かって発射し、マイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂによって電流増幅された反射電子を蛍光スクリーン１８に入射させ、反射電子から生成される反射電子像回析パターンを蛍光スクリーン１８に映し出す。 （もっと読む）

【課題】 露光マスクを必要とせず、溝のアスペクト比の高い回折格子を容易かつ高精度で製造することができるＸ線タルボ干渉計用回折格子及びその製造方法、並びにＸ線タルボ干渉計を提供する。
【解決手段】紫外線透過性の基板２２上に、金属製のＸ線吸収部１０ｂ、２０ｂが一方向に沿って所定間隔で畝状に複数形成され、隣接するＸ線吸収部の間の溝部に紫外線硬化したフォトレジスト壁２６が介装され、Ｘ線吸収部は、基板上の金属膜２ｂｘを切削して形成され、溝部の側壁の表面粗さがＪＩＳ Ｂ０６０１で規定された算術平均高さＲａで０．１μｍ以下である切削金属層２ｂと、該切削金属層上にフォトレジスト壁を鋳型とする電鋳によって積層される１層以上の電鋳層４ｂ、６ｂとを備えているＸ線タルボ干渉計用回折格子１０、２０である。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析装置１０は、真空チャンバーの内部に着脱可能に設置された蒸着源１４ａ〜１４ｃと、試料１１に形成された薄膜に向かって電子線２８を発射する電子銃１５と、薄膜の表面において反射した反射電子から生成される反射電子像回析パターンを映し出す蛍光スクリーン１８と、反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂとを有する。反射高速電子回析装置１０では、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜に向かって発射する。 （もっと読む）

【課題】回折環の形状を短時間で精度良く検出できる、安価なＸ線回折装置を提供する。
【解決手段】測定対象物ＯＢにＸ線を照射するＸ線出射器１３、測定対象物ＯＢにて回折したＸ線を受光して回折環を記録するイメージングプレート２８を固定するテーブル２７及びレーザ光をイメージングプレート２８に照射して、回折環の形状を読み取るレーザ検出装置ＰＵＨを設ける。テーブル２７の中心に、Ｘ線を通過させる貫通孔を設ける。回折環を撮像した後、スピンドルモータ２４及びフィードモータ１８によって、テーブル２７を回転させるとともにイメージングプレート２８の受光面に平行に移動させた状態で、レーザ検出装置ＰＵＨによって、イメージングプレート２８にレーザ光を照射して、イメージングプレート２８が発する光の強度が極大となるときのレーザ照射位置を取得する。 （もっと読む）

【課題】結晶性ドメインを自動的に分析すること。
【解決手段】電子顕微鏡像の複数の領域それぞれについてフーリエ変換を行なうことによりフーリエ像を生成し（Ｓ１６）、前記フーリエ像の角度に対する強度を演算し（Ｓ１８）、前記強度に基づいて、前記電子顕微鏡像内の結晶性ドメインを分析する（Ｓ２６）結晶粒方位の分析方法。 （もっと読む）

【課題】多孔質材料の構造を容易かつ詳細に解析することを目的とする。
【解決手段】本発明の多孔質材料の構造解析方法は、小角電子線散乱により多孔質材料の電子線回折像の中央部に現れる小角電子線散乱部分を結像させることで小角電子線散乱像１５を形成することを特徴とする。特に、小角電子線散乱像１５の画像データに構造解析処理を施すことができる。また、小角電子線散乱部分の構造解析処理を併用することができる。さらに、透過像を併用することもできる。 （もっと読む）

【課題】微粒子を三次元配向させる際の配向精度を高めることができる微粒子配向装置及び微粒子配向方法を提供する。
【解決手段】微粒子配向装置１は、磁場発生部１２と、微粒子を懸濁させた試料容器２を、回転磁場を形成するのに必要な速度で前記磁場発生部１２に対して相対回転させる駆動部１３と、前記試料容器２が１８０度回転するたびに、静磁場を形成するのに必要な所定時間ｔ_ｓの間、前記相対回転を一時的に略停止させるように前記駆動部１３を駆動制御する制御部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】粗大粒を有した材料の内部応力を短時間かつ高精度に測定可能な方法を提供する。
【解決手段】本発明の内部応力の測定方法は、被測定物に放射光Ｘ線を照射する照射工程（Ｓ１）と、被測定物から透過したＸ線回折のゲージ体積を２次元スリットにより制限する制限工程（Ｓ２）と、制限されたゲージ体積中の回折スポットを２次元Ｘ線検出器により検出する検出工程（Ｓ３）と、被測定物を移動させて照射工程から検出工程までを繰り返す工程（Ｓ４）と、検出された回折スポットに基づいてゲージ体積中心に相当する位置の回折角を決定する解析工程（Ｓ５）と、を備える。解析工程では、回折スポットの位置と回折強度とを関係を放物線近似し、かつ、放物線の頂点に対応する位置の回折角の値をゲージ体積中心に相当する位置の回折角に設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する。
【解決手段】結晶組織を有し特定の面方位においてＸ線に対して回折ピークを持つ金属層にＸ線を照射して得られる回折ピークを入手するステップＡ、回折ピークに基づいて面積平均コラム長及び体積平均コラム長を求めるステップＢ、面積平均コラム長及び体積平均コラム長から結晶粒径の対数正規分布を求めるステップＣを具備する。 （もっと読む）