【課題】切断性を損なうことなく、より安価に、固定砥粒方式で生じるスラッジへの不純物混入量の極めて少ないスライス台、および、このスライス台を用いた半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスライス台は、半導体ブロック２を切断する際に前記半導体ブロック２を固定するスライス台１であって、少なくとも前記半導体ブロック２を固定する側に、前記半導体ブロック２と同種の半導体材料からなる半導体インゴットの廃棄部分を切り出した部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラスチックレンズに対する研磨の際に発生する研磨廃液処理に要するコストを低減しつつ、研磨効率の低下を抑制するプラスチックレンズ用の研磨工具、プラスチックレンズの研磨方法及びプラスチックレンズの製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチックレンズの光学面を整えるのに用いられる研磨工具であって、発泡性を有するポリウレタン樹脂を主成分とする物質に対して結晶性アルミナからなる砥粒が均一に分散して固定されている単層からなる。 （もっと読む）

【課題】切込み末期のみならず切込み初期における切断面のうねり成分をも低減し、結果として切断終了後のウェーハの表面のうねり成分を十分に低減することが可能なワイヤーソー装置を提供する。
【解決手段】本発明のワイヤーソー装置１０のワーク保持機構１８は、スライス台２２と、ワークプレート２４と、ワークプレート保持部２６と、を有する。ワークプレート２４は、本体部２８の側面からワイヤー延在方向Ｚの両側に突出し、両側それぞれに開口部３２Ａ，３２Ｂを有する一対の突出プレート３０Ａ，３０Ｂを有し、突出プレート３０Ａ，３０Ｂの両外側のうち、少なくともノズル２０が位置する側に溝部材３４Ａ，３４Ｂを有し、ワイヤー群１６からワークプレート保持部２６に向けて舞い上がるスラリーを、開口部３２Ａ，３２Ｂを通過させて３４Ａ，３４Ｂ溝部材で捕集可能としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プーリシーブ面の表面粗さのプロフィールが、摩擦係数と耐摩耗性を確保するプロフィールとなるように安定的に加工すること。
【解決手段】プーリシーブ面加工方法は、プライマリプーリ１のシーブ面１１，１２とセカンダリプーリ２のシーブ面２１，２２に金属チェーン３を掛け渡して変速する無段変速機CVTに用いられるプーリ１，２において、第一工程８１と第二工程８２と第三工程８３とを備えた。第一工程８１は、プーリ１，２のシーブ面１１，１２，２１，２２に表面硬さを施すマイクロショット加工処理工程７の後、プーリ１，２のシーブ表面粗さのバラツキを平準化する。第二工程８２は、シーブ表面に形成された溝の深さ度合いを評価する溝深さRzを、所定の目標値となるように施工する。第三工程８３は、シーブ表面に形成された凹凸による平坦度合いを評価する平坦面積率Rmrを、所定の目標値となるように施工する。 （もっと読む）

【課題】 Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、生産効率が低下することなく、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなくこれを切断して所望の形状に切断することができるＣｕ−Ｇａ合金の切断方法を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ−Ｇａ合金の切断方法は、熱処理工程とスライス加工工程とを含む。熱処理工程では、溶解鋳造により作製された直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊８１を、４５０℃以上７００℃未満の温度下で熱処理する。次に、スライス加工工程では、熱処理されたＣｕ−Ｇａ合金塊８１を、切断面が直方体の最も短い辺に対して垂直となるように、ダイヤモンドバンドソー装置１またはマルチワイヤソー装置１０を用いて切断する。 （もっと読む）

【課題】ワーク切断に起因するマイクロクラックを抑制してウエハ割れや欠けを抑える。
【解決手段】ワーク切断後のウエハ割れ発生頻度を抑制するべく、ウエハ表面のマイクロクラック深さおよびワーク切断後のウエハ厚さのうちの少なくとも該マイクロクラック深さが設定制御されている。具体的には、ウエハ厚さを、１００μｍ以上１３０μｍ以下の半導体基板に薄板化し、マイクロクラック深さを０μｍ以上２μｍ以下に設定制御して、ウエハ割れ発生頻度を０．５パーセント以上１パーセント以下に設定制御する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ往復走行時やワイヤ往復切替に伴うワイヤ加減速時に発生するウエハのスクラッチを抑制または防止する。
【解決手段】ワイヤ減速開始時にワーク送り機構１８がワーク送り方向を反転させて、停止時にはワーク送り機構１８がワーク切断位置（切断底面）からワイヤ４を離間させる。好ましくは砥粒サイズ以上の距離を離す。その後、往復走行するためにワイヤ４を逆向きに加速させると共に、このワイヤ加速開始時に再び、ワーク送り方向を切断方向に反転させて、ワイヤ最大速度到達のタイミングで加工を再開する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによるワークの切断において、特にピッチを狭くしたワイヤ回収側でワークの切り始めが局所的に薄くなり、ＴＴＶが悪化するのを抑制できるワークの切断方法及びワイヤソーを提供することを目的とする。
【解決手段】複数の溝付きローラに巻掛けされたワイヤを軸方向に往復走行させ、前記ワイヤにスラリを供給しつつ、ワークを相対的に押し下げて、往復走行する前記ワイヤに押し当てて切り込み送りし、前記ワークをウェーハ状に切断するワークの切断方法であって、前記溝付きローラの複数の溝の底部の位置と該溝付きローラの回転軸との間の距離がワイヤ供給側からワイヤ回収側に向かって徐々に短くなるように形成された前記溝付きローラを準備する工程と、前記ワイヤ供給側のワイヤが前記ワイヤ回収側のワイヤよりも先に前記ワークに押し当てられるようにして前記ワークを切断する工程とを含むことを特徴とするワークの切断方法。 （もっと読む）

【課題】研磨中における研磨テープのテンション（張力）をほぼ一定として安定した研磨性能を実現することができ、かつ研磨速度を上げることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨装置は、研磨テープ４１を研磨対象物に接触させる研磨ヘッド４２と、研磨ヘッド４２を所定の点を中心として揺動運動させる揺動機構とを備える。揺動機構は、研磨ヘッド４２が固定される揺動アーム６０と、支持アーム６２と、揺動アーム６０を回転自在に支持アーム６２に連結する連結軸６７と、揺動アーム６０を連結軸６７を中心として揺動運動させる駆動機構Ｍ１とを有する。研磨ヘッド４２の揺動運動の中心点は、連結軸６７の中心線上にある。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒方式で半導体ウェハを切り出しつつ、酸によるエッチング処理であっても半導体ウェハの表面全体にテクスチャーを形成することのできる製造方法、及びその製造方法による半導体ウェハを提供する。
【解決手段】その半導体ウェハは、固定砥粒方式のスライス工程、ウェットブラスト方式のダメージ層形成工程、及び乾燥工程を経て製造され、酸によるエッチング処理が施される。スライス工程では、表面に砥粒を分散固定した芯線によって結晶性インゴットを切削する。ダメージ層形成工程では、スライス工程の後、半導体ウェハの表面に対して液体と砥粒とのスラリを噴射する。乾燥工程では、ダメージ層形成処理の次に、半導体ウェハを乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】インゴットへの切り代プレートおよび取付プレートの接着方法を提供する。
【解決手段】切り代プレート２２、およびインゴット２３をワイヤソーに取り付けるための取付プレート２１を、主剤と硬化剤とからなる２液性接着剤によりインゴット２３の外表面に接着する接着方法であって、取付プレート２１と切り代プレート２２との接着面、および切り代プレート２２とインゴット２３との接着面に２液性接着剤を所要パターンで塗布する工程において、混合した２液性接着剤を、接着面の各コーナー部の所要部位にスポット状に塗布すると共に、接着面の幅方向中央部に長手方向に伸びる帯状に塗布し、インゴット２３側からの荷重により、２液性接着剤をスポット状部から接着面のコーナー部方向に、および帯状部から接着面の幅方向に展延させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの往復走行でワイヤがワークから抜け切らずに切断することによる切れ味の低下を抑制または防止して切断速度を改善する。
【解決手段】所定の間隔で配置された複数の溝付ローラ２，３間に巻き付けられた切断用のワイヤ４１，４２の一方端が供給ボビン５１，５２に巻き付けられ、その他方端が回収ボビン６１，６２に巻き付けられて、ワイヤ４１，４２を往復走行させて複数の溝付ローラ２，３間のワイヤ４１，４２の複数列でワーク７を切断するワイヤソー装置１において、供給ボビン５１と回収ボビン６１の１対と、供給ボビン５２と回収ボビン６２の１対との２対設けられ、この２対に対応した２本のワイヤ４１，４２を往復走行させている。 （もっと読む）

【課題】研磨面において研磨ムラを生じさせることなく、一様で意匠性の高い研磨面を形成することのできるベルト研磨装置を提供する。
【解決手段】このベルト研磨装置ＰＳは、研磨ベルト９に加えられる加圧力の大きさを測定する加圧力測定手段１７と、加圧力の大きさを調整する加圧シリンダ４とを有しており、加圧力測定手段１７により測定された加圧力が一定となるように制御しながら研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】パートラインが様々な形状からなる樹脂成形品の何れも研磨処理することができ、かつ迅速に研磨する。
【解決手段】樹脂成形品Ｗのパートライン５２のばり又は段差を研磨する、略垂直方向に回転するように配置した無端ベルト状の研磨ベルト１と、研磨ベルト１の一部を裏面から押圧して、研磨ベルト１の傾斜面の傾斜角度を可変可能に形成するために、研磨ベルト１を裏面に設けた可動自在になるベルト押圧用プーリ２１と、仕上研磨をするための、研磨ベルト１よりヤスリ目が細かく、かつその硬さも柔らかい、板状の研磨板２と、樹脂成形品Ｗを、パートライン５２が略水平方向になるように着脱自在に担持するワーク保持具３と、から成る。 （もっと読む）

【課題】引張破断強度が高く細いソーワイヤを用いて反りの小さいＩＩＩ族窒化物結晶基板を歩留まり良く製造できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、炭素濃度が０．９０〜０．９５質量％、ケイ素濃度が０．１２〜０．３２質量％以下、マンガン濃度が０．４０〜０．９０質量％以下、リン濃度が０．０２５質量％以下、イオウ濃度が０．０２５質量％以下および銅濃度が０．２０質量％以下の鋼線を含み、ワイヤの直径が０．０７ｍｍ以上０．１６ｍｍ未満で、ワイヤの引張破断強度が４２００Ｎ／ｍｍ²より高く、ワイヤのカール径が４００ｍｍ以上のソーワイヤ２２を用いて、ソーワイヤに破断張力の５０％以上６５％以下の張力をかけて、ＩＩＩ族窒化物結晶体３０をスライスする。 （もっと読む）

【課題】この発明は、加工物からウェハをスライスするためのワイヤソーのためのワイヤスプールに関する。
【解決手段】固定的に接合された砥粒でコーティングされたソーイングワイヤ７が、ワイヤスプール１に単層状の態様において巻付けられる。この発明はシングルカットワイヤソーおよびマルチプルワイヤソーに適用可能である。 （もっと読む）

【課題】遊離砥粒および固定砥粒の双方を用いてワーク切断能力（切れ味）を向上させてワーク切断を早くする。
【解決手段】固定砥粒２３と遊離砥粒２１の双方を用い、遊離砥粒２１の平均砥粒外径が、１μｍ以上かつ固定砥粒２３の平均砥粒外径以下であるかまたは、１μｍ以上かつ固定砥粒２３の平均突き出し量以下の規定範囲であるため、遊離砥粒２１が固定砥粒２３による切断を阻害することなく、固定砥粒２３が主体となってワーク７に対して遊離砥粒２１と固定砥粒２３の双方が確実に作用するようにワーク切断を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明はシリコンインゴットの切削工程において、従来品より加工熱の冷却性、浸透性、水とシリコンとの反応抑制性、抑泡性が良好であるため、切削加工効率を向上させることができる。また、シリコンウエハの平坦性も良好であるため、過酷なスライス条件下でも被加工面の表面精度を高く維持できる切削液を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有し、該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが６．０〜２０．０であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【化１】


［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物から水酸基、（Ａ^１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を除いた残基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］ （もっと読む）

【課題】温度ドリフト等のノイズによる影響を受けにくく、高精度な距離測定又は変位量測定を行うことができる距離測定装置を実現する。
【解決手段】光源１０から透明体１２を介してワーク表面に向けて測定ビームを投射すると、透明体１２の第１の面１２ａを透過して第２の面１２ｂで反射し、第１の面１２ａから出射する第１の反射ビーム１３ａと、透明体１２の第１の面１２ａ及び第２の面１２ｂを透過し、ワーク表面で反射し、再び透明体１２の第２の面１２ｂを透過して第１の面１２ａから出射する第２の反射ビーム１３ｂとが光検出手段１５に入射する。信号処理装置１６は、第１の反射ビーム１３ａを受光した受光素子と第２の反射ビーム１３ｂを受光した受光素子との間の距離情報に基づいて透明体１２の第２の面１２ｂからワーク表面までの距離又は変位量を出力する。 （もっと読む）

【課題】パイプ状部材の何ヵ所のメッキ部位を削り取るのに、手作業で行っていたが、手間が掛かりすぎる非効率性と、精度の悪さの問題を解消する。
【解決手段】装置テーブル１０に、複数のサンダー固定具９を適当なる位置に設け、この各固定具に上下動手段と傾角動手段を設けた、ベルトサンダー３を設ける。さらにテーブルの中央に部材固定具４を設け、この固定具に、さらに研削部材を位置決めして固定するクランプ手段２を設ける。これらに研削部材であるパイプ成型品１を、各ベルトサンダー３の研削するベルト部７と、適切な位置決めをして、クランプ手段２でもって固定して設ける。 （もっと読む）