【課題】可動部と支持基板の間に空隙を有するマイクロデバイスの製造ないし修復において、歩留り、２次元アレイ化した素子の特性バラツキ等を改善することが出来る技術を提供する。
【解決手段】可動部１０３と支持基板１０１の間に空隙を有するマイクロデバイスの製造方法及び修復方法おいて、スティッキング解消工程を実行する。スティッキング解消工程では、可動部１０２が支持基板１０１に張り付いてしまったマイクロデバイスを修復する為に、マイクロデバイスに熱及び衝撃の少なくとも一方を与えて可動部１０２の支持基板１０１への張り付き力を低下させる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電子機械システムを提供すること。
【解決手段】圧電アクチュエータ（１０４）を有する構造体を備えたマイクロ電子機械システムについて説明する。複数の圧電アイランドは、複数のチャネル（２０５）を有するボディ（２００）に支持される。圧電アイランドは、工程の一部として、圧電材料の厚いレイヤにカット（１４５）を形成し、それを取り扱い基板に一時的に結合し、カットされた圧電レイヤ（１０７）をエッチング形成構造を持つ前記ボディ（２００）に取り付け、圧電レイヤをカット（１４０）の深さより薄い厚さに研磨することによって形成することができる。導電材料（１５８、２１０）を圧電レイヤ上に形成して電極（１０６、１１２）を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子が実装基板から応力を受け、その結果、ＭＥＭＳデバイスの感度低下又は感度バラツキを引き起こす。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスでは、ＭＥＭＳ素子１００が実装基板２０１に実装されている。ＭＥＭＳ素子１００では、シリコン基板１０１の下面１０１Ｂには突起物１０６が形成されている。突起物１０６と実装基板２０１とは接着剤２０２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】クロストークを低減して高品位の画像を取得し得るプローブ及び超音波診断装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に固定配置される下部電極１２と、下部電極１２上に設けられる空洞１３と、空洞１３上に設けられる上部電極１４と、上部電極１４を含みコルゲート１５を有するダイヤフラム１６と、からなる超音波振動子１が複数互いに隣接して配置されてなるプローブ１０において、超音波振動子１のそれぞれは、一の超音波振動子１のコルゲート１５内領域の面積と、一の超音波振動子１に隣接する周辺の超音波振動子１のコルゲート１５内領域の面積と、が互いに異なるように配置されたプローブ１０。 （もっと読む）

【課題】矩形の基板上に、変換体と矩形の半導体基板と有し、小型化と低コスト化可能な変換体モジュールを提供する。
【解決手段】矩形の形状を有する基板２と、鋭角の頂点を１つ以上含む多角形の形状を有する変換体３と、矩形の形状を有する半導体基板４とを備え、変換体３は、基板２の第１側辺と変換体３の一つの側辺とが実質的に平行となるように、基板２上に配置され、半導体基板４は、基板２の第１側辺と半導体基板４の１つの側辺とが実質的に平行となるように基板２に配置される。 （もっと読む）

【課題】測定感度を低下させることなく、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制することにより、高感度及び高精度の圧力測定を実現できるピエゾ抵抗式圧力センサを提供すること。
【解決手段】ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４はダイヤフラム３１と支持部３２との境界近傍のダイヤフラム３１上に配置されている。これにより、圧力を高感度で測定できる。各ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のピエゾ抵抗素子群配置領域の面積はすべて同じであるとともに前記領域の外形形状は同形状とされている。これにより、ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４間での温度分布を均一化できるので、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＭＥＭＳ素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部（Ｒ５）を有するデバイス基板１０上に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子（１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，ＤＦ）を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ、及びセンサを製造する方法が開示され、この方法は一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ（３００）を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされた第一のデバイス・ウェーハに接着し、次いでこの接着体をシリコン積載絶縁体型ウェーハを含む第二のデバイス・ウェーハに接着して通気孔付き懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子（１４０）によって感知されて差圧を測定する。一実施形態では、センサに埋め込まれた相互接続路（４００）によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 （もっと読む）

【課題】外形寸法が極めて小さく、生産性が良く、流量制御精度が高く、動作が円滑であり、吸引力と吐出力が大きく、信頼性が高いマイクロダイヤフラムポンプを提供する。
【解決手段】吸入弁２６および吐出弁２８の一方の弁板１４と他方の弁の流路となる流路開口１６とが形成され、互いに逆向きに積層された二枚の弁板シート１２と、この積層体に積層され弁座２０および弁ストッパ２２とが形成された二枚の弁座シート１８と、ベース板３２と、枠体３４と、ダイヤフラム３６と、駆動素子４２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜３により形成されるキャビティ９と、キャビティに面する表面が露出する電極８と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極１を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層６を形成し、犠牲層の上に振動膜３を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔１０を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極８を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極１２との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ９を形成する。エッチング孔１０から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣１７を低減する。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い封止構造で密閉空隙を封止して信頼性を向上させた電気機械変換装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、犠牲層を除去後に封止を行って形成された密閉空隙１３を挟んで対向して設けられた電極などの第１の電磁要素１２と第２の電磁要素１５を有する。封止部は、常温で流動性を持たない第１の封止材１６の上に、硬化された常温で流動性を持つ第２の封止材１７を重ねることで形成される。 （もっと読む）

【課題】高分子駆動器を含む微小バルブ構造体及びラボオンチップモジュールを提供する。
【解決手段】微小バルブ構造体は基板１０上に配置される柔軟構造物２０及び柔軟構造物２０内に挿入される高分子駆動器４０を含むことができる。この時、柔軟構造物２０は微小流路３５を定義するバルブ部２５を有し、高分子駆動器４０は柔軟構造物２０によって微小流路３５から分離される。さらに、高分子駆動器４０はバルブ部２５の変位を制御することによって、微小流路３５の幅を変化させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムのスティックを防止することができ、しかも、センサ落下時の衝撃によってダイアフラムが破損しにくい音響センサを提供する。
【解決手段】音圧に感応するダイアフラム３３が、プレート部３９と固定電極膜４０からなるバックプレート３４に対向し、静電容量型の音響センサ３１を構成する。バックプレート３４には、振動を通過させるためのアコースティックホール３８が開口し、またダイアフラム３３と対向する面には複数のストッパ４２ａ、４２ｂが突設している。バックプレート３４の外周エリアに設けたストッパ４２ｂは直径が小さく、内部エリアに設けたストッパ４２ａは直径が大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】梁部の強度やダイアフラムの支持強度を低下させることなく、梁部のアンカーで固定されていない部分の長さを長くすることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板３２の上面において、ポリシリコンからなる第１犠牲層４８の延出部４８ａの上に、シリコン酸化膜からなる第２犠牲層４７を介してポリシリコンからなるダイアフラム３３の梁部３６ａを形成する。延出部４８ａは、梁部３６ａの先端部を除く領域の下に形成されている。シリコン基板３２に設けたバックチャンバ３５から延出部４８ａをエッチング除去して梁部３６ａの下面の先端部を除く領域に空洞部５０を形成した後、さらに第２犠牲層４７をエッチングにより除去する。このとき、梁部３６ａの先端部下面に第２犠牲層４７を残してアンカー３７とする。 （もっと読む）

【課題】ギャップが形成される空間の内圧の上昇を抑制し、ギャップの精度を向上させることができる波長可変干渉フィルターの製造方法を提供すること。
【解決手段】波長可変干渉フィルターの製造方法は、第一基板１００のチップ領域１０１に、静電ギャップ形成溝１１１と、静電ギャップ形成溝１１１からチップ領域１０１の外周縁に延びる配線形成溝１１３、１１４と、これらの配線用形成溝と第一基板１００の外部とを連通する空気連通溝１２０、１３０と、を形成する第一基板溝形成工程と、前述の各種溝に固定ミラー１６、第一電極１４１、および第一配線部１４１Ａを形成する第一基板配線形成工程と、可動ミラー、第二電極、および第二配線部と、を備えた第二基板を形成する第二基板形成工程と、第一基板１００および第二基板を貼り合わせる貼合工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】消費電力の低減を図れ、かつ配線信頼性の高い光フィルター素子、光フィルターモジュール、および分析機器を提供する。
【解決手段】光フィルター素子は、第一基板５１と、前記第一基板５１と対向する第二基板５２と、前記第一基板５１に設けられた第一反射膜と、前記第二基板５２に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜５７と、前記第一基板５１に設けられた第一電極と、前記第二基板５２に設けられ、前記第一電極に対向する第二電極５４２と、前記第一基板５１に設けられ、前記第一電極に接続された一対の第一引出電極５４１Ａと、前記第二基板５２に設けられ、前記第二電極５４２に接続された一対の第二引出電極５４２Ａと、を具備した。 （もっと読む）

【課題】引出電極間の短絡による圧電アクチュエーターの駆動不良の減少した圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子７３の形成工程後、エッチング工程において、後に形成される引出電極９０間の振動板５３の少なくとも一部を、エッチング残り上電極膜８３が除去され、振動板５３が除去されない条件でエッチングする。圧電素子形成工程の際に、エッチング残り上電極膜８３が引出電極９０間に生じても、エッチング残り上電極膜８３がエッチングによって分断され、エッチング残り上電極膜８３に形成される引出電極９０間の絶縁を保つことができる。したがって、引出電極９０間の短絡によって生じる圧電アクチュエーターの駆動不良が減少した圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な圧力センサを提供する。
【解決手段】センサチップ１０と、センサチップ１０の中央部に設けられた差圧用ダイアフラム４と、差圧用ダイアフラム４に設けられた差圧用ゲージ５と、差圧用ダイアフラム４の外周部に設けられた静圧用ダイアフラム１７と、静圧用ダイアフラム１７の端部に形成された第１の静圧用ゲージ１６ｄと、静圧用ダイアフラム１７の中央部に形成された第２の静圧用ゲージ１５ｂと、を備えた圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を克服できるマイクロ流体チップデバイスとその製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ流体チップデバイスが提供される。マイクロ流体チップデバイスは、基板層（２）とマイクロ流体層（３）を含むマイクロ流体チップデバイスとする。基板層（２）は、形状記憶高分子により形成され、記憶された形状と一時的な形状の間で変形する際に体積変動が生じる変形可能部分（２１）を含む。マイクロ流体層（３）は、基板層（２）にラミネートされており、変形可能部分（２１）と流体連通されたマイクロチャンネル（３１）を有する。変形可能部分（２１）は、記憶された形状と一時的な形状の間で変形する際に、マイクロチャンネル（３１）内に流体駆動圧を発生させる。マイクロ流体チップデバイスの製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な圧力センサを提供する。
【解決手段】センサチップ１０と、センサチップ１０の中央部に設けられた差圧用ダイアフラム４と、差圧用ダイアフラム４の第１の端辺上に設けられ差圧用ダイアフラム４の中心に対する径方向に沿って形成された第１の差圧用ゲージ５ｃと、差圧用ダイアフラム４の第１の端辺上において第１の差圧用ゲージ５ｃの近傍に設けられ径方向と垂直な周方向に沿って形成された第２の差圧用ゲージ５ａと、差圧用ダイアフラム４の外側に設けられ差圧用ダイアフラム４の第１の端辺を除く他の端辺の何れかとセンサチップ１０の端部との間に配置された静圧用ダイアフラム１７と、を備える圧力センサである。 （もっと読む）