【課題】安価に製造し得るような電気絶縁部分を備えた構造を提供すること。
【解決手段】構造を製造するための方法であって、ａ）非絶縁性材料からなる基板ウェハ（１０）に対して、側壁（２２）によって互いに隔離された複数の隣接孔（１２ｃ）を孔開けし、これにより、ウェハ内に、第１部分（１４）と、第２部分（１６）と、第１部分と第２部分とを接続するよう機能する保持部と、を形成し、ｂ）厚さ方向の全体にわたって側壁（２２）を酸化することにより、保持部を、絶縁性保持ジョイント（２８）へと転換する。 （もっと読む）

単一ユニットに容易に製作することができる小型構造の利点を提供し、接点材料の高温で誘発される形態学的変化及び結果的な特性への悪影響とは無縁の、ＭＥＭＳ圧電スイッチ（１００）。高温で誘発される形態学的変化とは、無線周波数配線（１２５、１３０）及び短絡バー（１５０）の様な金属接点が、圧電層をアニールするのに必要とされる温度に、又は、誘電層の高温堆積が代わりに使用される場合はその間に遭遇する温度に、曝される時、製作の間に生じる変化を指す。 （もっと読む）

本発明は、可撓ホイル（１０）のパターン形成したスタックによって作製したマイクロシステム内に導電層間接合を製造する方法に関する。はんだ材料、スパッタリングもしくは蒸着した材料、または可撓ホイル（１０）の絶縁層（３０）をなすプラスチック材料の炭化処理によって形成した導電層間接合（２１０，３００，４００）は、少なくとも１個の絶縁層（３０）によって分離したパターン形成導電層（４０、５０）を導電接続し、マイクロシステムにおける異なるパーツを簡単に相互接続する。
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本発明は、微小電気コンポーネント、微小機械コンポーネント、微小電気機械（ＭＥＭＳ）コンポーネント、又は微小流体コンポーネントを基板上にパッケージするための方法であって、容易に除去可能な第二基板上の架橋フォトレジストから作られた空洞を形成し、選択されたマイクロデバイスを含む第三基板に前記空洞を結合し、次に前記除去可能な第二基板を剥がすことによりパッケージする方法に関する。
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本発明は、少なくとも１個のモード形状を有するＭＥＭＳ共振器に関し、表面（１２）および共振器構造（１）を有する基板（２）を備え、共振器構造（１）は基板（２）の一部であり、共振器構造（１）は第１クローズドトレンチ（３）および第２クローズドトレンチ（３）によって画定することを特徴とする。第１クローズドトレンチ（３）は第２クローズドトレンチ（３）の内側に位置し、基板（２）内にチューブ状構造（１）を形成し、また共振器構造（１）を表面（１２）から表面に平行な方向にのみ離れるようにする。本発明は、さらに、ＭＥＭＳ共振器の製造方法に関する。
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本発明は、表面層（２０’）と、少なくとも１つの埋込み層（３６、４６）と、支持体（３０）とを備える半導体構造を製造する方法に関し、この方法は、第１の支持体上に、第１の材料でパターン（２３）を形成するステップと、前記パターン間及び前記パターン上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層と第２の支持体（３０）とを組み合わせるステップとを備える。 （もっと読む）

マイクロメカニカルデバイスを製造する方法であって、一方の部分（１２）がシリコン製であり、他方の部分が半導体材料、セラミック材料又は酸化物材料で作られている２つの部分を直接接合により合わせ、当該２つの部分間の結合が、当該デバイス（１１）の機能素子、補助素子及びゲッター材蒸着（１３）を含むキャビティ（１４）を形成することで形成されるデバイスを製造する方法、を説明する。
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ＭＥＭＳ素子の所望の輪郭に順応するミクロン寸法の表面を形成する方法であって、その上面に凹部を有する結晶質シリコン基板を提供する工程、前記基板の上面に結晶質シリコンの薄層を提供する工程、前記層を前記基板に真空条件で融着する工程、及び前記層に熱及び圧力を加え、前記凹部内に前記層を所望の輪郭に塑性変形させる工程を具備する方法。基板は、ジップ原理に基づき動作する静電ＭＥＭＳ素子の固定電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳプロセスで吊り下げられたビームを製造するための優れた方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳプロセスで吊り下げられたビームを形成する方法が開示される。プロセスでは、基板（５）にピット（８）をエッチングする。犠牲材料（１０）を、ピット（８）内及び周囲の基板表面上に付着させる。次に、周囲の基板表面及びピット（８）の周囲から犠牲材料（１０）を除去し、したがって犠牲材料とピットの少なくとも２つの側壁の間にギャップがある。次に、残りの犠牲材料がピットの側壁と接触するように、犠牲材料をリフローするように加熱する。次に、通常は金属であるビーム（１２）の材料を、基板表面及びリフローした犠牲材料に付着させ、次に犠牲材料を除去して、吊り下げられたビームを形成する。ビームは、インクジェットプリンタの加熱要素として使用することができる。 （もっと読む）

モノリシック集積回路を有するセンサユニットを製作するための方法及びセンサユニットを提案する。このセンサユニットは、マイクロマシンセンサ構造を有しており、このセンサ構造に対応配置された第１の部分構造は、回路に対応配置された第２の部分構造と同時に形成され、センサ構造の構造特性を調整するためには、不変の第２の部分構造において第１の部分構造のプロセスバリエーションが行われる。
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第１の面が第２の面に接着される（１１０）。第１の面及び第２の面がプラズマ処理される（１０２）。第１の面だけが湿式処理される（１０４）。第１の面及び第２の面が互いに接合され、第１の面を第２の面に接着する（１１０）。
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ＭＥＭＳデバイスのための支持構造、およびその方法
ドーパント材料を選択的に拡散された犠牲材料で形成された、または選択的に酸化された金属犠牲材料で形成された支持構造を有する微小電気機械システムデバイス。該微小電気機械システムデバイスは、電極を上に形成された基板を含む。別の電極が、キャビティによって第一の電極から分離され、移動可能層を形成する。該移動可能層は、拡散された、または酸化された犠牲材料で形成された支持構造によって支持される。
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本発明を用いて、基板に空洞を製作するためのマイクロマシニング法もしくは該方法により製造されたマイクロマシニング型の構成エレメントが提案される。当該方法では、第１のステップで第１の層が基板上または基板内に形成される。引き続き、第１の層に少なくとも１つの第２の層が被着される。この第２の層内には、進入孔が形成される。この進入孔を通じて、第１の材料および基板の材料を溶出させることができるので、第２の層の少なくとも一部の下方で基板に空洞が形成される。この空洞上方の前記第２の層は次いでダイヤフラムとして使用され得る。しかしさらに、第２の層に別の層を析出させ、この層と第２の層の全体でダイヤフラムを形成することも可能である。本発明の本質は、第１の層の材料の溶出によって第１の層に、基板と第２の層との間の設定可能な所定の角度を有する移行縁部が形成されるように第１の層の材料を選択することにある。
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本発明は、加速度、角加速度、または、角速度といった、物理量の測定において用いられる測定装置に関し、より正確には、微小機械モーションセンサーに関する。本発明によるモーションセンサーのコンポーネントのウエハー平面内の領域は、ダイシング切断されて９０゜回転されたモーションセンサーのコンポーネントの領域よりも小さい。それに対応して、本発明によるモーションセンサーのコンポーネントは、９０゜回転された該コンポーネントの高さは、接合の方向では、接合されたウエハーによって形成されるウエハー積層体の厚さよりも小さい。本発明の目的は、微小機械モーションセンサーの改善された製造方法を提供すること、および、微小機械モーションセンサーを提供することであり、小さい微小機械モーションセンサーの解決策での使用には特に好適なものである。 （もっと読む）

微小電気機械システム(MEMS)素子は、基板の外側に設けられているドーピングされた半導体層を有する。そのMEMS素子は、そのドーピングされた半導体層の外側に設けられ、かつそれと接している絶縁層をさらに有する。MEMS素子はまた、ある距離をおいてその絶縁層の上に設けられている導体膜をも有する。その距離は、導体膜と絶縁層との間の空気ギャップを画定する。その導体膜は、適切な電圧がその導体膜とそのドーピングされた半導体層との間に印加されるときに、その絶縁層と接するように動作することができる。一の特別な実施例では、そのドーピングされた半導体層と絶縁層とは、組み合わせられることで、その絶縁層によって与えられる余分な電荷を消散させる経路を供するように機能する。
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上部壁（６）と、底部壁（３）と、２個の対向する側壁（４、５）とにより区画される少なくとも一個の通路（２）を備えてなるマイクロ流体素子。通路（２）の上部壁（６）と底部壁（３）の間隔（Ｐ）は２５マイクロメートル以上であり、該素子は、接触表面と有効体積の比が特に高く、全体的な表面サイズが限られるように、第一および第二セットのナノチューブ（９ａ、９ｂ）が、それぞれ２個の対向する側壁（４、５）により支持されている。さらに、２個の対向する側壁（４、５）の間隔は、約数マイクロメートル、好ましくは３〜５マイクロメートルである。
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本発明は、マイクロマシニング型の構成エレメントに関する。本発明によれば、伝導性の基板（１；１’，１７，１９）が設けられており；該基板（１；１’，１７，１９）の表面（Ｖ）の上方に設けられた少なくとも１つの伝導性の層（９；９ａ）を備えた弾性的に変位可能なダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）が設けられており、伝導性の層（９；９ａ）が、基板（１；１’，１７，１９）に対して電気的に絶縁されており；媒体で充填された中空室（Ｈ；Ｈ’）が設けられており、該中空室（Ｈ；Ｈ’）が、基板（１；１’，１７，１９）とダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）との間に設けられており；該ダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）の下方で基板（１；１’，１７，１９）を通って延びる複数のパーフォレーション開口（１５；１５’’；１５’’’）が設けられており；該パーフォレーション開口（１５；１５’’；１５’’’）が、基板（１；１’，１７，１９）の裏面（Ｒ）から中空室（Ｈ；Ｈ’）への出入口を提供しており、これによって、媒体の、中空室（Ｈ；Ｈ’）内に位置する体積が、ダイヤフラム（Ｍ）の変位時に可変であることが提案されている。さらに、本発明は、相応の製作法に関する。
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半導体デバイスの空洞内に所定の内圧を形成する方法であって、その方法は、半導体デバイスを提供する工程（Ｓ１）であって、半導体デバイスは半導体デバイスの空洞と半導体デバイスの外部表面との間に連続的に配置される半導体酸化物区域を含む工程と、半導体デバイスを、第１の温度で所定の時間の間、希ガスを有する周囲雰囲気に曝露する工程（Ｓ３）と、その所定の時間が経過した後、第１の温度と異なる第２の温度を設定する工程（Ｓ５）とを含み、半導体酸化物区域は、第２の温度に比べて第１の温度で希ガスに対してより高い透過率を示す、方法。 （もっと読む）

本発明の側面によると、プロセスは、ボンディングされた、エッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハを含み、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハは、（ｉ）ハンドル・レイヤ、（ｉｉ）二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ、及び（iii）装置レイヤを有する。最初、装置レイヤは、メサ・エッチングによってパターン形成される。装置レイヤがパターン形成された後、ＳＯＩウェハは、基板に面する、パターン形成された装置レイヤを有する基板にボンディングされる。ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤ、及び誘電体レイヤは、エッチングによって除去される。更に、装置レイヤが、ＭＥＭＳ装置を定めるためにエッチングされる。ＢＥＳＯＩ方法では、誘電体ＳｉＯ₂レイヤが除去された後に構造エッチングが実行される。 （もっと読む）

複数の基板（１４５、４４０、４５０）を接合する方法が、複数の基板（１４５、４４０、４５０）上でガスプラズマ処理を実施すること、および複数の基板（１４５、４４０、４５０）上で水プラズマ処理を実施することを含む。さらに、低温プラズマ強化接合を実行するためのシステムが、基板（１４５、４４０、４５０）収容空間を有する基板ハウジング構造と、基板ハウジング構造に流体連通するガス源と、基板ハウジング構造に流体連通する水蒸気源（２３０）と、基板ハウジング構造に接続される無線周波数（ＲＦ）発生器（２６０）とを備え、そのシステムは、ガスプラズマ処理および水プラズマ処理の両方が基板（１４５、４４０、４５０）上で実施されるように構成されている。
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