【課題】レーザ発生装置から出射したレーザ光を加工の影響なく同じものとして加工位置まで分岐導入すると共にレーザ発生装置の交換に伴う光学系の調整を容易に行なえるようにする。
【解決手段】レーザ発生装置から出射したレーザ光を加工位置まで導入するのに光ファイバガイドを用い、分岐後のレーザ光を光ファイバガイドで加工位置まで導入するようにした。光ファイバガイドは、フレキシブルに変形可能なので、レーザ光を加工位置まで容易に導入することができる。また、レーザ光の分岐光学系をレーザ発生装置の直後に設けてあるので、レーザ発生装置を交換する場合に、光ファイバガイドのレーザ光入射部とレーザ発生装置との光軸を調整すると共に分岐光学系を同時に調整するだけでよくなり、レーザ発生装置交換に伴う光学系の調整が容易になる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜のパルスレーザ光を照射してアニールする際に、適正なパルスエネルギー密度を高くすることなく該パルスエネルギー密度のマージンを大きくすることを可能にする。
【解決手段】パルスレーザ光を出力するレーザ光源と、パルスレーザ光を整形して処理対象の半導体膜に導く光学系と、パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置するステージとを有し、前記半導体膜に照射される前記パルスレーザ光が、パルスエネルギー密度で最大高さの１０％から最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３５ｎ秒以下、最大高さから最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が８０ｎ秒以上であるものとすることで、結晶化などに適したパルスエネルギー密度を格別に大きくすることなく、そのマージン量を大きくして、良質なアニール処理をスループットを低下させることなく行う。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳミラーに損傷を与えずにＭＥＭＳミラーを基板から分離する方法を提供する。
【解決手段】ミラーデバイス体が支持部４ｂに支持された基板２０の支持部４ｂにレーザー光７４を集光して照射し、支持部４ｂに改質部７５を形成する改質部形成工程と、支持部４ｂに力を加えて支持部４ｂを切断しミラーデバイス体２と基板２０とを分離する分離工程と、を有し、支持部４ｂの断面形状は台形に形成され、改質部形成工程では台形の平行な２辺のうち長い方の辺の側からレーザー光７４を照射する。 （もっと読む）

【課題】 金属めっき膜で被覆された環状導体およびＶ字状の分割溝が精度良く形成された多数個取り配線基板およびその製造方法、ならびに配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、複数の配線基板領域１１を有するセラミック基体１と、セラミック基体１の上面の複数の配線基板領域１１の境界線に形成されたＶ字状の分割溝３と、分割溝３に接するそれぞれの配線基板領域１１の周縁部１１１に形成された、金属めっき膜２１で被覆された環状導体２２とを備え、分割溝３の内面がセラミック基体１から金属めっき膜２１にかけてガラス層３１で覆われていることを特徴とする多数個取り配線基板である。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置されるステージと、を備えるレーザー加工装置が、被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して透明な透明部材を、ステージに載置された被加工物の被加工面に隣り合わせて配置可能な透明部材配置手段をさらに備え、ステージに被加工物を載置し、かつ、透明部材を被加工面に隣り合わせて配置した状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるようにステージを移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】 スクライブ幅の狭幅化とスクライブピッチの狭ピッチ化を可能にしたレーザパターニング装置および方法を提供する。集積型薄膜太陽電池の電極等のパターニングに用いる。
【解決手段】 それぞれレーザビームを照射するレーザ加工用光学系４を複数搭載した光学ヘッド５と、この光学ヘッド５を基板１に対して直交２軸方向に相対移動させる光学ヘッド相対移動機構６とを備える。各レーザ加工用光学系４にオートフォーカス機構７を設ける。このオートフォーカス機構７の合焦機能を、基板１の加工開始位置でオンとし、加工終了位置でオフとするフォーカス機能制御手段３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】すべての製品についての溶接欠陥を早期に検出すること。
【解決手段】ワークが箔状のアルミニウム合金からなり、溶接部位から散乱される光波のうち反射光を集光する反射光集光部と、赤外光を集光する赤外光集光部と、各集光部で集光された光波から所定波長の反射光と赤外光とを抽出し電気信号に変換して溶接状態判別処理部に送る各センサ部と、上記各信号を溶接部位が固化されるまでの時間監視する溶接状態判別処理部１１とからなる。該溶接状態判別処理部は反射光と赤外光について時間ごとの検出強度を監視する制御・演算手段と、出力手段と、記憶手段とを備え、先ず反射光につき所定の時間２ｍｓ経過後の検出強度のピーク値が予め定められた閾値２０以上である場合において、赤外光の検出強度のピーク値が予め定められた閾値０．６以上であるときは「顕らかな欠陥」と判別し、上記閾値Ｂ未満であるときは「隠れた欠陥」と判別する。 （もっと読む）

【課題】ロールフィルムのレーザ切断時に発生する副産物を連続的に吸引して除去する切断副産物除去装置を提供する。
【解決手段】レーザーカッター５０のレーザーヘッド１２５から照射されるレーザービームが通過可能なギャップが設けられ、レーザーヘッド１２５と対向するようにロールフィルムの幅方向に配置されてロールフィルムの位置を固定可能な吸着部材と、吸着部材のギャップ方向に選択的に接近または離隔可能に設けられて副産物を吸入可能な吸入部材１４０と、吸入部材１４０を往復移動させることができる往復移動部材１５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内に、基板の厚さ方向における深さが異なる複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からｙ方向に沿って、第１出力にてレーザ光６４を順次照射し、基板裏面１１ｂからの深さが第１深さＤ１となる部位にレーザ光６４を順次集光させ、基板１１内に第１改質領域Ｌ１を形成し、第１改質領域Ｌ１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からｙ方向に沿って、第３出力（＜第１出力）のレーザ光６４を順次照射し、基板裏面１１ｂからの深さが第１深さＤ１よりも浅い第３深さＤ３となる部位にレーザ光６４を順次集光させ、基板１１内に第１改質領域Ｌ１に沿う第３改質領域Ｌ３を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子部品端子とフィルム上の導体をレーザ溶接するに当たり、レーザ光が被溶接部金属材料とフィルム表面から反射して有効利用されないという問題、製造ロットの違いによるレーザ溶接条件の再設定の問題、およびレーザ溶接後の溶接部分の形状認識が容易でないという問題を解決することを目的とした。
【解決手段】導体を狭持する一対のフィルムの一方のフィルムに開口部を設け、該開口部に電子部品を搭載し、露出した導体と電子部品の金属端子とを当接し、該当接部位にレーザ光を照射して導体と金属端子とを接続するレーザ溶接方法であって、前記当接部位を下部に有する他方のフィルム上に、該当接部位を含むように着色領域を設け、レーザ光を着色領域側から当接部位に照射することを特徴とするレーザ溶接方法としたものである。 （もっと読む）

【課題】ロールフィルムの切断精度を向上させたレーザ切断装置を提供する。
【解決手段】フレーム１１０に固定されたレーザービーム供給源１２２と、レーザービーム供給源と分離されて移動可能にフレームに設けられ、レーザービーム供給源から供給されるレーザービームを受光可能な受光部１２７、及びロールフィルムＦにレーザービームを照射可能なレーザーノズル１２９を備えるヘッドモジュール１２５と、レーザービーム供給源とヘッドモジュールの受光部との間に配置されるようにフレームに設けられたビーム視準部材１８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池パネルのエッジデリーションの加工時間の増大を抑制しつつ、加工品質を向上させる。
【解決手段】光スポットを、矢印３１１ａ，矢印３１１ｂ，・・・，矢印３１１ｋの順に、薄膜太陽電池パネル１０２に対して光学部が進む主走査方向に走査した後、１つ隣の行に移動し、主走査方向と逆方向に走査した後、１つ隣の行に移動する処理を繰り返す。そして、光スポットを矢印３１１ｋの方向に走査した後、矢印３１１ｌの方向に走査し、次の加工ブロックも同様にして光スポットを走査する。この走査を、薄膜太陽電池パネル１０２の辺３０１ａに沿った直線状の領域の薄膜の剥離が完了するまで繰り返す。本発明は、例えば、エッジデリーションを行うレーザ加工装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】走行するロールフィルムを幅方向に切断可能なロールフィルム切断システムのロールフィルム吸着装置において、幅が狭い偏光フィルムロールの場合、偏光フィルムロールが置かれずに大気に露出した吸着プレートの吸着孔には真空圧が付与されないようにする。
【解決手段】吸着孔は、切断するロールフィルムの最小幅に該当する領域に形成された共通吸着孔４３６及び共通吸着孔に隣接して位置した少なくとも一つの拡張吸着孔４３８を含み、真空ラインは、前記共通吸着孔に連通する共通真空ライン及び前記拡張吸着孔に連通する拡張真空ラインを含み、真空分割部材は、前記共通真空ラインを同時にオン／オフさせることができる共通バルブ及び前記拡張真空ラインを個別的にオン／オフさせることができる少なくとも一つの拡張バルブを備える。 （もっと読む）

【課題】表面の温度分布を均一にすることができる発熱体配線を有するセラミック基板を提供すること。
【解決手段】セラミック基板１０は、基板面方向に沿って延びる配線収容部６１が形成されたセラミック焼結体１８と、金属焼結体からなり配線収容部６１に埋設された発熱体配線６０とを備える。配線収容部６１は、底部６２及び側壁６３を有し、配線収容部６１の幅方向に沿って切断したときの断面形状が逆台形状である。底部６２と側壁６３との境界部６４は、角のない湾曲した表面形状を有している。 （もっと読む）

【課題】治具等の設置が困難な場所を溶接する場合であっても、容易な方法でスパッタの発生を抑制すると共に、接合面積を確保することを目的とする。
【解決手段】レーザ光の導波路となる中空ツール２に、先端ほど径が細くなる環状ノズル３を設け、狭く深い部分を溶接する際に、環状ノズル３を溶接部分に挿入し、中空ツール２を通って環状ノズル３から溶接部分にレーザ光１を照射することにより、レーザ光１が直接照射される溶接部分が溶融接合すると共に、環状ノズル３がレーザ光１の照射を受けて加熱されることにより環状ノズル３と接触する溶接部分が熱拡散接合することにより、治具等の設置が困難な場所を溶接する場合であっても、容易な方法でスパッタの発生を抑制すると共に、接合面積を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の生産性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 互いに離間する複数の電極端子３を基材に形成する工程と、上記基材に複数の半導体素子２を配置する工程と、複数の電極端子３のうち隣接する２つの電極端子３ａ，３ｂに挟まれた隙間７２１に配置された部位を有し、且つ、複数の半導体素子３を覆う樹脂層７４を上記基材に形成する工程と、レーザ７７を照射し隙間７２１を通る第１の溝７４１を樹脂層７４に形成することにより、樹脂層７４を、複数の半導体素子２のいずれかを各々が覆う複数の樹脂部１に分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】樹脂製品のレーザ溶着部の外観品質を向上させるレーザ溶着構造を提供する。
【解決手段】樹脂製品を構成する、透光性の第１樹脂部材30とレーザ光を吸収して溶融する第２樹脂部材20がレーザ光により溶着されたレーザ溶着構造において、第１樹脂部材30側当接部32の少なくとも表層部又は第２樹脂部材20側当接部26の表層部の少なくともいずれか一方にレーザ光は透過し可視光を吸収する可視光遮断層34Ａを形成した。レーザ光は第１樹脂部材30及び可視光遮断層34を透過し第２樹脂部材20側当接部26で吸収され、当接部26・32間が溶着される。この時、第１樹脂部材30・第２樹脂部材20間に隙間42があるとレーザ溶着部に白濁44が残るが、レーザ溶着部のレーザ光照射側（可視光入射側）には可視光遮断層34Ａが延在し該溶着部を覆うので、第１樹脂部材30を介してレーザ溶着部（の白濁44）は透けて見えず、樹脂製品の外観不良は改善される。 （もっと読む）

【課題】被加工物への安定したレーザ加工を容易に行うことができる偏光方位角調整装置を得ること。
【解決手段】入射してくるレーザ光２のＰ波偏光成分Ｐ１を透過させるとともに、レーザ光２のＳ波偏光成分Ｓ１を反射する偏光子１４と、偏光子１４で反射されたレーザ光のＳ波偏光成分Ｓ１を反射して光路の下流側へ導く反射ミラー１５，１５と、を有するとともにＰ波偏光成分Ｐ１を吸収し且つＳ波偏光成分Ｓ１を光路の下流側へ出射する光学ユニットを備え、光学ユニットは、光学ユニットへのレーザ光の入射光軸と光学ユニットからのレーザ光の出射光軸とが同軸であり且つ光学ユニットを入射光軸を中心として回転させた場合に入射光軸および出射光軸の光軸方向が維持されるように、偏光子１４と反射ミラー１５，１５とが配置されている。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るレーザ加工方法は、パルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせて、加工対象物にパルスレーザ光を照射することにより、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する第１工程と、パルスレーザ光のパワーを第１工程より大きく又は小さくなるように調節し、かつパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせて、加工対象物にパルスレーザ光を照射することにより、加工対象物の他の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子吸収による他の改質領域を形成する第２工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】反射膜が形成されたサファイアウェーハを適切に分割加工できる分割方法を提供すること。
【解決手段】サファイアウェーハ１の裏面側から分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザをサファイアウェーハ１の内部に集光して照射し、内部に改質層３０を形成した後、サファイアウェーハ１の裏面側に反射膜３１を形成し、その後、改質層３０に外力を加えることによってサファイアウェーハ１を分割予定ラインに沿って分割する。 （もっと読む）