【課題】マスクを用いたレーザ加工法によるスルーホールは、スルーホール形成領域の絶縁層の溶解、気化、分解の効率が低く、スルーホールの加工精度は±25μm程度が限度である。
【解決手段】AlN基板１１の上部にレーザ光吸収金属層１２及びスルーホールTH1、TH2に対応する領域が除去されたレーザ光反射金属層１３−１、１３−２、１３−３を設け、AlN基板１１の下部にレーザ光吸収金属層１２’−１、１２’−２を設ける。レーザ光L1、L2はレーザ光反射金属層によって反射されるが、スルーホールに対応する領域のレーザ光吸収金属層によりAlN基板に集中かつ効率よく吸収され、AlN基板と共に、レーザ光吸収金属層も溶解、気化、分解する。これにより、径が下面に向う程小さくなるテーパ状スルーホールが形成される。同時に、スルーホール内のAlN基板の表面からNが脱離してAl露出層１１ａが内壁に形成される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを基体とし、該基体の表裏面に容易に銅又は銅を主成分とする銅合金をメッキし、該メッキ表面に熱加工時の耐熱性に優れる防錆処理層を設けた複合金属箔を提供することにある。
【解決手段】アルミニウム箔の少なくとも一方の表面に亜鉛層、銅層、インジウム防錆層がこの順で設けられている複合金属箔である。また、アルミニウム箔の少なくとも一方の表面に亜鉛層、銅層、インジウム防錆層、シランカップリング剤保護層がこの順で設けられている複合金属箔である （もっと読む）

【課題】プリント基板用基材の表面に圧延銅箔を貼り合わせたＣＣＬ（copper clad laminate）である銅張積層板のはんだ耐熱性を向上させたプリント基板用圧延銅箔、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】プリント基板用圧延銅箔１は、銅箔２における基材貼り合わせ面側に、粗化銅めっき層４、ニッケル−コバルト合金めっき層５、亜鉛めっき層６、クロメート処理層７、及びシランカップリング層８を順次積層して形成されている。ニッケル−コバルト合金めっき層５のニッケルとコバルトとのめっき量の合計は、２０μｇ／ｃｍ^２以上４５μｇ／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】表面実装部品をはんだ付けにより実装する際のはんだボイドの発生およびそれによるショート不良の発生を防止することが可能なセラミック多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】焼結金属からなる外部電極４を備えたセラミック多層基板において、外部電極４の表面の所定の領域にめっき金属層１１を形成し、外部電極４の表面の一部にはめっき金属層を形成しないようにして、外部電極のめっき金属層が形成されていない領域から水蒸気などのガスが効率よく排出されるようにする。
外部電極の一部を、表面にめっき金属層が付着しない無機絶縁材料からなる多孔質層により被覆し、外部電極の表面の、多孔質層が配設されていない領域にのみめっき金属層を形成するようにして、多孔質層が形成された領域から水蒸気などのガスが効率よく排出されるようにする。
外部電極を、セラミック粒子を含む焼結金属からなるポーラスな電極とする。 （もっと読む）

【課題】優れた絶縁信頼性と電磁波シールド特性とを併せ持つ、カバーレイフィルムを提供すること。
【解決手段】硬化樹脂層と、第１の面と第２の面とを有する導電層と、絶縁フィルム層と、接着剤層と、を含むカバーレイフィルムであって、 前記導電層の第１の面に前記硬化樹脂層が積層され、前記導電層の第２の面に前記絶縁フィルム層が積層され、
前記接着剤層が、前記硬化樹脂層の前記導電層が積層された面とは反対側の面に積層されているか、又は、前記絶縁フィルム層の前記導電層が積層された面とは反対側の面に積層されている、カバーレイフィルム。 （もっと読む）

【課題】 基板の接続面に垂直及び水平方向の衝撃が加えられても、十分に優れた落下強度を実現することが可能な端子構造及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】 金、銀及び銅から選ばれる少なくとも一種の金属を含む導体層４０、導体層の上にニッケル及びリンを含む第一の層５２、第一の層の上に第一の層よりもリンに対するニッケルの原子比が小さく、かつＮｉ_３Ｐを含む第二の層５４、第二の層の上にＮｉ−Ｐ−Ｓｎ系の第一の金属間化合物を含む第三の層５６、並びに第三の層の上にＮｉ−Ｃｕ−Ｓｎ系の第二の金属間化合物を含む第四の層５８、が積層された端子１２と、端子の第四の層の上にはんだ層７５と、を備える端子構造１４であって、第三の層の第二の層側の表面粗さをＲａ１とし、第三の層の第四の層側の表面粗さをＲａ２とするときに、Ｒａ２がＲａ１よりも大きい端子構造１４、及び当該端子構造を備える電子デバイス３００。 （もっと読む）

【課題】コネクタとの嵌合など大きな外部応力がかかる環境下においても、コネクタの端子およびフレキシブルフラットケーブルの導体に形成されるめっき層やはんだから、ウィスカが発生するおそれの少ない、あるいは発生してもその長さが５０μｍ未満であり、かつ優れた耐屈曲特性を備えたフレキシブルフラットケーブルを提供する。
【解決手段】Ｓｎ系めっき層を被覆した端子１２を備えたコネクタ１１に嵌合され、端子１２と接する導体１６が内部に配設されたフレキシブルフラットケーブル１３において、導体１６の素線の周囲にＳｎ−Ｂｉ系めっき層が形成されていると共に、素線とＳｎ−Ｂｉ系めっき層との間に合計厚さが１μｍ以下の金属間化合物層が形成され、Ｓｎ−Ｂｉ系めっき層のＢｉ濃度が１０ｍａｓｓ％以上であるものである。 （もっと読む）

【課題】ウィスカの発生を抑制できるフレキシブルフラットケーブル、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブルの製造方法、及びフレキシブルプリント基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るフレキシブルフラットケーブル１は、銅又は銅合金からなる導電性基材１００と、導電性基材１００の表面に設けられる導電層１０２とを有する導体１０と、導体１０の上方に設けられる第１絶縁層２０と、導体１０の下方に設けられる第２絶縁層２２とを備え、導電層１０２は、導電性基材１００上に形成された銅−スズ金属間化合物層６１と、この銅−スズ金属間化合物層６１上に形成され、スズとビスマスとからなるスズ−ビスマス固溶体と、スズと、不可避的不純物とを少なくとも含む残存スズ層６２とからなる。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか１種以上を含み、白金の付着量が１０５０μｇ／ｄｍ²以下、パラジウムの付着量が６００μｇ／ｄｍ²以下、金の付着量が１０００μｇ／ｄｍ²以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、１．６ｃＳｔ以上の動粘度を有する塩化第二鉄系エッチング液、又は、０．８ｃＳｔ以上の動粘度を有する塩化第二銅系エッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路基板の高密度化を阻害せずにクロストークを十分に抑制することができるクロストーク抑制回路基板を提供する。
【解決手段】本発明のクロストーク抑制回路基板２は、樹脂製の絶縁基板４と、絶縁基板４の一方の面に位置付けられたグランド層８と、絶縁基板４のグランド層８とは反対側の面に位置付けられた配線回路１２とを備え、この配線回路１２は、所定のパターンにて形成された信号線１６と、信号線１６の外表面を覆う磁性体からなる被覆材１４と、信号線１６及び被覆材１４を埋設する樹脂製の保護絶縁層１８とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線間隔を狭くすることができ、微細化に適した回路基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板であって、上記配線層が、第一配線部と、上記第一配線部の側面にめっき法により形成された第二配線部とを有し、上記第一配線部および上記第二配線部の頂面の位置が一致していることを特徴とする回路基板を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】多層基板を構成する樹脂フィルムに導電材料を適切に充填して、多層基板の層間接続部に熱分解ガスや気泡が残存することを抑制する。
【解決手段】導電材料２として、金属粉末および室温で固化すると共に加熱によって溶融する室温固体溶剤を含む第１導電ペースト２１、並びに、金属粉末および室温固体溶剤よりも低い温度で熱分解または揮発する溶剤を含む第２導電ペースト２２を用意する。次に、ビアホール１０１、１０２内に第２導電ペースト２２を刷り込んで充填した後、ビアホール１０１、１０２内に加熱されて室温固体溶剤が溶融した第１導電ペースト２１を刷り込んで充填する。そして、ビアホール１０１、１０２内に充填された第１導電ペースト２１を室温まで冷却して固化させる。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ粒子を用いた印刷方法によって、緻密な薄膜を効率的に生産する方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】粉体とナノ粒子を含むペースト又は分散液を基板の上に塗布して第１の組成層を形成し、仮焼成処理を行う。次に、粉体とナノ粒子を含むペースト又は分散液を第１の組成層の上に塗布して第２の組成層を形成し、仮焼成処理を行う。最後に、加熱処理及び加圧処理を同時に行い、基板の上に薄膜の組成層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング性が良好な表示装置用配線膜を提供する。
【解決手段】希土類金属元素、Ｚｎ、Ｍｇ、およびＣａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を５原子％以上５０原子％以下の範囲で含むＭｏ合金と、純ＣｕまたはＣｕ合金との積層構造を有する表示装置用配線膜である。 （もっと読む）

【課題】電磁波（フォトン）と表面プラズモンおよび表面マグノンとの間でのエネルギ交換を効率よく、かつ高い頻度で行うことができ、表面プラズモン共振や表面マグノン共振によって吸収、蓄積されるフォトンのエネルギを多くすることができるナノドットを有する構造体を提供する。
【解決手段】支持体１０と、支持体１０の上に形成された、複数の導電性セラミクスの単結晶２２が集合してなる導電性セラミクス層２０とを有し、導電性セラミクス層２０の表面には、導電性セラミクスの単結晶２２の一部からなり、高さ方向に直交する断面の面積が底部から頂部に向かってしだいに減少する形状を有するナノドット２４が複数形成された、ナノドットを有する構造体１。 （もっと読む）

【課題】短時間で、配線母体の内部に、種々のトポロジーの貫通配線や連結配線を埋め込むことが可能な配線構造物を提供する。
【解決手段】配線母体１１と、配線母体１１の内部に設けられた複数の穴部の内部にそれぞれ配置された、配線子連続体（Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1n）からなる複数の貫通配線部とを備える。複数の配線子連続体のそれぞれをなす複数の配線子Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1nのそれぞれは、コア部と、コア部を被覆し、コア部より融点の低い導電体からなるシェル部Ｑ_i,shell，Ｑ_i+1,shellを有する。複数の配線子は、それぞれのシェル部を互いに溶融することにより金属学的に接合される。 （もっと読む）

【課題】高精度で密着性の高い回路パターン時を有する回路基板を提供する。
【解決手段】窒化物セラミックスからなる基材（セラミックス基板）１１上に第１の金属を析出させ金属富化層１２を形成する工程と、金属富化層１２上に第２の金属を含む金属ナノ粒子１３を供給する工程と、金属ナノ粒子１３を焼成する工程とを含む回路基板の製造方法であって、金属ナノ粒子１３をバルク化する第１の焼成工程と、バルク化された金属ナノ粒子を合金化し合金層１４を形成する第２の焼成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】銅張積層板を配線基板として機器内に組み込む際のハンドリング性に優れ、コネクタに接続される銅張積層板を提供する。
【解決手段】銅箔の片面に樹脂が積層され、樹脂と反対側の銅箔の表面の少なくとも一部にＮｉ下地めっき層が形成され、Ｎｉ下地めっき層上であってコネクタ２０を接続する部分にＡｕめっき層１２が形成され、Ａｕめっき層を外側として１８０度密着曲げを行った場合に、銅箔の導通が遮断されるまでの曲げ回数が３回以上である銅張積層板である。 （もっと読む）

【課題】マークの認識が容易になるようにでき、マークを形成しても基板本体への悪影響を防止することが容易であるマーク付き回路基板を提供する。
【解決手段】基板本体１２の主面１２ａに積層された少なくとも２層の第１及び第２の金属層３６，３２を含む導体パターン３０は、外部から認識できるマーク部２０を有する。マーク部２０は、基板本体１２とは反対側の第１の金属層３６の表面３６ａから基板本体１２側の第２の金属層３２まで開孔２２が形成され、開孔２２は第１の金属層３６を貫通し、開孔２２の底面２２ａが第２の金属層３２により形成される。開孔２２の底面２２ａを形成する部分の第２の金属層３２の反射率と、開孔２２に隣接する部分の第１の金属層３６の表面３６ａの反射率とが異なる。 （もっと読む）

【課題】信頼できる接合性と持続性のある反射性を有する発光デバイスを提供する。
【解決手段】発光デバイス２００は、複数の発光チップ２８と、発光チップ２８を支持する基板２０と、発光チップ２８からの光の放射および反射を容易にする、基板２０を覆う第１のパターン化導電層２３と、第１のパターン化導電層２３上の第２のパターン化導電層２４であって、発光チップ２８が層上に位置する第２のパターン化導電層２４と、を含む。 （もっと読む）