【解決手段】フッ化水素酸を主成分とし、塩酸を添加したガラスのケミカルエッチング剤を使用した後のフッ素系廃液を原料として、以下(a)〜(e)の順に処理する。
(a) アルミニウムをアルカリ土類塩と反応させ、フルオロアルミン酸アルカリ土類塩としてアルミニウムを分離する。(b) アルミニウムを分離した廃液に含まれるフッ化水素酸を酸化ケイ素化合物と反応させ、ケイフッ化水素酸に変換する。(c) ケイフッ化水素酸に変換した廃液にナトリウム塩を添加し、ケイフッ化ナトリウムを合成する。(d) ケイフッ化ナトリウムを合成後分離した液にカリウム塩を添加し、ホウフッ化カリウムを合成する。(e) ホウフッ化カリウムを合成後、分離した液を蒸留して塩酸を製造する。
【効果】工業用薬品として有価物であるケイフッ化ナトリウム、ホウフッ化カリウム、塩酸を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、太陽電池用、半導体用高純度化シリコンの製造における原料シリコンの前処理に係わるものであり、原料シリコンに含まれる不純物を前もって効率的に除去することにより、後段の精製工程における高純度シリコンの生産性の向上と製品品質の安定化を図るものである。
【解決手段】 原料の金属シリコンを１ｍｍ以下に粉砕した後、酸性水溶液又は塩基性水溶液に分散させてスラリー状とし、浸出温度を１００℃以上、１ｔｏｍ以上の加圧下において浸出処理を行うことにより不純物を除去する。さらに効率的に不純物を除去するには、加圧下での浸出処理を行う前に、粉砕した原料シリコンを１０００〜１４００℃で焼成処理を行うことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】波長９μｍ前後の赤外線に対しても透過率が確保でき、広範囲な波長領域で使用可能な赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料、及び、この赤外線透過部材用シリコン材料からなる赤外線透過部材を提供する。
【解決手段】赤外線を透過するレンズやプリズム等の赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料であって、多結晶シリコンからなり、この多結晶シリコンの抵抗率が１Ωｃｍ以上、かつ、酸素濃度が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ未満とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な処理工程の下で、効率的に且つ経済的で然も安全性の高い状態で廃棄シリコンの再生利用を図る事が可能なシリコン再生利用システムを提供する。
【解決手段】シリコンインゴット加工装置１７と、固液分離装置１８と、加熱焼成処理装置１９と加熱溶融手段２０と一方向凝固手段２１とから構成されているシリコン再生利用システム１０であって、当該加熱焼成処理装置１９は、不活性ガス或は酸素ガスの存在下、若しくは真空状態下で、加熱温度を室温から３００℃の範囲、３００℃から８５０℃の範囲、及び８５０℃から１２００℃の範囲の温度条件でシリコン固形分を焼成するシリコン再生利用システム１０。 （もっと読む）

金属イオンを含む化学エッチング液を使用して多孔質シリコンを製造する方法が、記載される。 （もっと読む）

【課題】高純度のマグネシウムシリサイドを高効率に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマグネシウムシリサイドの製造方法は、Ｓｉを主成分とする処理対象物を準備する工程（Ｓ１０）と、上記処理対象物が加熱された状態で、上記処理対象物にＭｇ蒸気を接触させる工程（Ｓ２０）とを備える。Ｍｇ蒸気を接触させる工程（Ｓ１０）を行なう際の、処理対象物の加熱温度が５００℃以上１５００℃以下であることが好ましい。Ｍｇ蒸気を接触させる工程において、Ａｒ、Ｈｅからなる群から選択される少なくとも１種以上のガスを含む雰囲気中に処理対象物を載置することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】９９．９９％以上の高純度のシリカまたはシリコンを工業的にかつ安価に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の高純度シリカの製造方法は、珪砂または水晶の細粒子を１ミクロン以下に粉砕する粉砕工程と、粉砕したものを水を加えてスラリー状にするスラリー工程と、磁石分離器を用いて、鉄・アルミ・カリウム等の不純物を取り除いて、二酸化硅素を取り出し回収する磁力分離回収工程と、回収した二酸化硅素から加熱により水分を蒸発させ、若しくは、遠心分離により水分を除去し、二酸化硅素を乾燥させる乾燥工程とを備え、９９．９９％以上の高純度シリカを得る。磁石分離器に電磁回転型磁力分離器を用い、長時間運転を可能とし製造コストを安価にする。更に、カーボンアーク炉内で還元する工程を加え、高純度シリコンを得る。 （もっと読む）

各種実施形態では、異なる密度の不純物が遠心力を用いて分離及び集積されるシリコンの精製方法が提供され、溶融シリコンの制御結晶化は、固体／液体界面での不純物の集積によって、さらなる精製をもたらす。
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本発明は、水素化ポリゲルマシランを純粋な化合物または化合物の混合物として製造するための方法であって、ハロゲン化ポリゲルマシランが水素化される方法に関する。本発明はまた、水素化ポリゲルマシラン、該水素化ポリゲルマシランから製造されるゲルマニウム層、およびかかる層を製造するための方法にも関する。 （もっと読む）

本発明は、ヘキサクロロジシランの生成方法に関するものである。ヘキサクロロジシランは、実験式ＳｉＣｌｘ（ｘ＝０．２〜０．８）の塩素化ポリシランの、塩素ガスを用いる酸化的分裂によって得られる。その結果として、ヘキサクロロジシランは高収率で選択的に得られる。 （もっと読む）

【課題】基板と素子分離層との剥離やクラックが発生し難く、凹状の溝を有する基板上に平坦な素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液の作製方法等を提供する。
【解決手段】半導体装置のシャロートレンチアイソレーション構造の素子分離層の形成に用いられる素子分離材料用塗布液の作製方法は、混合液作製工程と絶縁膜形成前駆体作製工程と塗布液作製工程とを備えている。混合液作製工程では、炭素数２〜６個のアルコキシル基を有するアルコキシシラン化合物と第１の溶媒との混合液を作製する。絶縁膜形成前駆体作製工程では、この混合液に加水分解触媒及び水を添加し、加水分解、縮合して絶縁膜形成前駆体を作製する。水の添加量は、アルコキシシラン化合物中の全アルコキシル基１モルに対して０．３〜０．８倍モルの範囲とする。塗布液作製工程では、作製された絶縁膜形成前駆体に第２の溶媒を加え、素子分離材料用塗布液を作製する。 （もっと読む）

本発明は、化学式がSiClx、ここでｘ＝0,01〜0,8であって、特にはクロロポリシランを600℃未満の温度で熱分解して生成することのできる塩素化ポリシランに関する。 （もっと読む）

【課題】基板と素子分離層との剥離やクラックが発生し難く、凹状の溝を有する基板上に平坦な素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液の作製方法等を提供する。
【解決手段】素子分離材料用塗布液の作製方法では、Ｓｉ（ＯＲ^１）_４（Ｒ^１は炭素数２〜６個の有機基）で表される第１のアルコキシシラン化合物と、Ｒ^２_ｎＳｉ（ＯＲ^３）_４−ｎ（Ｒ^２はメチル基、エチル基、プロピル基、ビニル基、または、フェニル基、Ｒ^３は炭素数２〜６個の有機基、ｎは１〜３の整数）で表される第２のアルコキシシラン化合物と、第１の溶媒との混合液を作製する。第１のアルコキシシラン化合物と第２のアルコキシシラン化合物とは、全アルコキシシラン化合物に対する第２のアルコキシシラン化合物のモル比が０．０９〜０．９となるように混合する。この混合液を加水分解、縮合して絶縁膜形成前駆体を作製し、これに第２の溶媒を加え、塗布液を作製する。 （もっと読む）

外側表面及び内側の孔表面を有する処理された多孔質粒子であって、処理された多孔質粒子の外側表面の少なくとも一部分は疎水基を有し、内側の孔表面は親水性である。処理された多孔質粒子は、例えば乾燥剤として有用であり得る。吸収性物品（例えばおむつ及び生理用ナプキン）、並びに処理された多孔質粒子を含む吸収性物品の吸収性部品もまた開示される。
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本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
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本発明は、ゲルの亜臨界乾燥によるゾル−ゲルプロセスによる製造プロセスの最後に熱酸化により除去される一時的な孔充填剤または固体骨格支持体（例えば炭素または有機物）を用いて製造された多孔質ＳｉＯ_２キセロゲルに関する。
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【課題】成膜時にスプラッシュの発生を抑えてガスバリア性に優れた蒸着膜の形成が可能な蒸着材として、また、初期効率を高く維持できるリチウムイオン二次電池用負極活物質として好適なＳｉＯ_xを提供する。
【解決手段】昇温脱離ガス分析において、２００〜８００℃の温度範囲で検出されるＨ₂Ｏガス発生量が６８０ｐｐｍ以下であることを特徴とするＳｉＯ_x。Ｈ₂Ｏガス発生量は４２０ｐｐｍ以下であることが望ましい。また、Ｘ線回折により得られたグラフにおいて、２θ＝２８°付近に発生するＳｉピーク点におけるピーク強度Ｐ１と、ピーク点前後の平均勾配から想定したピーク点におけるベース強度Ｐ２が、（Ｐ１−Ｐ２）／Ｐ２≦０．２を満足することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】印刷紙用のインク吸収性フィラー、塗料の展着性改善剤、各種材料表面の親水性コーティング材、高強度バインダー、触媒用バインダー、電子材料用研磨材等に有用なコロイダルシリカを提供すること。
【解決手段】カリウムイオンの存在下で活性珪酸を原料として製造されるコロイダルシリカであって、カリウムイオンを含有し且つ透過型電子顕微鏡観察による長径／短径比が１．２〜１０である非球状の異形シリカ粒子群を含有するコロイダルシリカである。これは、珪酸アルカリ水溶液とカチオン交換樹脂とを接触させて、活性珪酸水溶液を調製した後、この活性珪酸水溶液にカリウムイオンのイオンの供給源となる化合物およびアルカリ剤を添加し、アルカリ性とした後、加熱してシリカ粒子を形成させ、続いてビルドアップの手法でシリカ粒子を成長させる工程を有することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】坩堝内に装入された塊状のシリコン原料を効率良く溶解することができ、多結晶シリコンインゴットの生産効率を大幅に向上させることが可能な多結晶シリコンインゴットの製造装置及び多結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝２０内に装入されたシリコン原料を溶解してシリコン融液を生成し、このシリコン融液を凝固させて多結晶シリコンのインゴットを製出する多結晶シリコンインゴットの製造装置１０であって、有底筒状をなす坩堝２０と、坩堝２０の上方側に配置された上部加熱部１４と、坩堝２０の下方側に配置された下部加熱部３０と、を備え、下部加熱部３０は、坩堝２０が載置される台座３１と、誘導加熱コイル３２と、を有し、誘導加熱コイル３２によって台座３１に電流を発生させ、台座３１を自己発熱させる構成とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原材料から製品まで一貫して製造することができ、かつエネルギーの必要量が少なく、ＣＯ_２の発生量も少ない太陽電池用シリコンの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】不純物を含んだシリコンの酸化物からなる原料から太陽電池用シリコンを製造する太陽電池用シリコンの製造方法であって、前記原料を溶融塩中で電気化学的に還元し酸素を分離する溶融塩電解還元工程と、前記溶融塩電解還元工程によって得られた生成物を溶融塩中で電解精製して電気化学的に塩化物を生成し、不純物の一部を分離しつつシリコンを塩化物として回収する溶融塩電解精製工程と、前記溶融塩電解精製工程によって回収した塩化物中に同伴する不純物を蒸留してシリコンの塩化物と分離する蒸留精製工程と、前記蒸留精製工程によって精製したシリコンの塩化物を化学還元しシリコンを得る還元工程と、を具備する。 （もっと読む）