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Fターム[4G075AA30]の内容

物理的、化学的プロセス及び装置 (50,066) | 目的 (9,708) | 物質の製造、処理 (7,349) | 固体の製造、処理 (1,720) | 固体の表面処理 (426)

Fターム[4G075AA30]に分類される特許

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【課題】プラズマ発生ノズルの耐久性を向上させることが可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置PUは、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置20と、マイクロ波を伝搬する導波管10と、導波管10のワークWとの対向面に設けられたプラズマ発生部30とを具備し、該プラズマ発生部30には、マイクロ波を受信しそのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生ノズル31が複数個配列して取り付けられている。プラズマ発生ノズル31は、シール部材35で保持され導波管10の内部に一端が突出する中心導電体32と、該中心導電体32の周囲に離間して配置されたノズル本体33とを含んでおり、シール部材35を冷却すべくガスをシール部材35内部に形成されたシール部材側流路354を経由させて中心導電体32とノズル本体33との間に供給するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】水素貯蔵金属又は合金の初期活性化を十分に効率的に、かつ再現性良く行うことができる水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法及び水素吸収量を増加させることができる水素化方法を提供する。
【解決手段】水素貯蔵金属16の初期活性化方法は、水素貯蔵金属16に希ガスのプラズマを照射し、水素貯蔵金属16の表面を活性化することにより行われる。その際、プラズマの密度が1016/m〜1018/mに設定される。また、プラズマ照射時における電子温度が3eV〜10eVであることが好ましい。水素貯蔵金属16の初期活性化方法を実施した後、水素貯蔵金属16に水素プラズマを照射して水素注入を行う。そのとき、水素プラズマの照射は、水素貯蔵金属の温度が100〜300℃の条件下で行われることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映した制御を可能にする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル31の先端に、防蝕のために石英ガラスパイプから成る保護管36を取付け、その保護管36の外周面に熱電対38を取付け、その起電圧をセンサ入力部98でアナログ/デジタル変換して全体制御部90へ入力し、処理ガスの流量制御弁923をフィードバック制御する。したがって、プラズマの点灯状態を反映した制御が可能になり、安定したプルームPを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、生理活性物質を表面に有する水単分散性磁性ナノ粒子、並びに上記の磁性ナノ粒子の汎用性が高くかつ簡便な製造方法を提供すること。
【解決手段】水に分散している平均粒子粒径1〜50nmの磁性ナノ粒子であって、表面にアミノ酸が固定化されていることを特徴とする磁性ナノ粒子。 (もっと読む)


【課題】本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、有機分子を樹脂等基板に注入する方法において、最大径3μm以下の微小注入領域に有機分子を均一かつ再現性良く注入することが出来る技術を提供することを課題としている。
【解決手段】 本願発明は、上記の課題を解決するために、有機分子を含む有機分子注入源に対して集光された光を照射することで、光の進行方向あるいは進行反対方向に設置された基板の表面に有機分子注入源に含まれる有機分子を注入する方法において、基板が高分解能移動ステージに接続されており、有機分子の注入時に、高分解能移動ステージにより基板と有機分子注入源の間の距離を制御することで、最大径3μm以下の微小領域内に有機分子を注入することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】任意形状を持つダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素(c−BN)の合成方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザーを多方向からグラファイトおよび六方晶窒化ホウ素(h−BN)に照射し、瞬間かつ局所的に高温高圧環境を作り出し、グラファイトおよびh−BN上の集光点の位置を移動させることにより、合成点5が移動し、ミリオーダーの任意形状ダイヤモンドおよびc−BNが合成される。またレーザー照射によりダイヤモンドおよびc−BNを合成し、ダイヤモンドおよびc−BNのコーティングが可能となる。 (もっと読む)


【課題】速やかに成膜でき、しかも不純物が少なく、フッ素系薄膜を基材表面に安定に形成可能なフッ素系薄膜製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも1以上の加水分解性基を有するフッ素含有シラン系界面活性剤と、該界面活性剤と相互作用し得る触媒と、該界面活性剤、触媒、及び該界面活性剤と触媒との反応物を溶解しうるフッ素系溶媒との混合物を、水分の存在下に加水分解反応をさせて触媒溶液を調製する工程と、該界面活性剤と該溶媒との混合物に該触媒溶液を添加・攪拌しフッ素系薄膜形成溶液を調整する工程と、該形成溶液中に基材を浸漬する工程と浸漬した基材を乾燥し基材表面にフッ素系薄膜を形成する工程とを備えたフッ素系薄膜基材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】化学反応、生化学反応、生物反応などに用いる基板において、コロナ処理、プラズマ処理などの表面処理の効果を持続させる方法を提供するものである。
【解決手段】紫外線処理、コロナ処理又はプラズマ処理により親水処理を施した基板の表面状態保持方法であって、7℃以下の環境下で保持することを特徴とする基板の表面状態保持方法とする。また、前記基板を密封された空間で保持することにより外部からの汚染物質などから汚染されずに保持することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】コストがかからず、低いガス圧下でもムラ無く安定して、効率よくプラズマを発生し、メンテナンスも容易なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生空間34に対面した電極40と、電極40を複数枚平行に保持した電極支持部材42と、電極支持部材42に保持され互いに隣接する電極40間に対応して電極40の背面側に各々固定された複数の磁石48を有する。電極支持部材42により、電極40と磁石48を一体的に保持して成る電極ユニット32を備える。電極ユニット32を複数収容したチャンバ16と、チャンバ16内で電極支持部材42を着脱自在にガイドするガイドローラ38を備える。チャンバ16内の電極40が対面したプラズマ発生空間34内に位置しプラズマ処理が施されるワーク12を保持するチャック機構部64を備える。電極40は、冷却流体が通過可能に中空に形成されている。 (もっと読む)


【課題】ウェル状反応部及び/又はウェル状試薬収容部を有する容器において、基板にダメージを与えずにウェル内部に生産効率よく確実かつ均一に表面処理をできる容器の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に、ウェル状反応部及び/又はウェル状試薬収容部を備えてなり、少なくとも該ウェル状反応部及び/又はウェル状試薬収容部内部に表面処理の施されている容器の製造方法であって、該基板の上部に棒形状の上部電極を基板の下部に下部電極を備え、該電極間に電圧を印加することによりコロナ放電を発生させ、該ウェル状反応部及び/又はウェル状試薬収容部内部をコロナ放電処理する工程を有することを特徴とする容器の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】大気圧プラズマにて被処理物を間欠的に処理する場合にもガスの使用量を必要最小限に抑制しながら安定して処理を行えるようにする。
【解決手段】所定の空間にガスを供給し、前記所定の空間に高周波電圧を印加して大気圧近傍でプラズマを発生させ、プラズマにて被処理物を処理する大気圧プラズマ処理方法において、処理開始認識手段5からの信号にて処理開始を決定し、ガスの流量を増加させるとともにプラズマを点火して被処理物2をプラズマ処理し、処理終了認識手段6からの信号にて被処理物2に対する処理終了を決定し、ガスの流量を減少させるとともにプラズマ11を消灯しかつ微量のガスを流し続けて前記所定の空間内の雰囲気を保持するようにした。 (もっと読む)


【課題】電気力線の集中を緩和して放電の集中を抑制することができる処理ガス吐出装置などを提供する。
【解決手段】処理ガス吐出装置20は、上部外周面に形成された供給穴23及び下部外周面に形成された吐出穴24を有する管状の外部誘電体22と、外部誘電体22の外周面に設けられ、接地された外部電極と、外部誘電体22の管内にこれと一定間隔を隔てて同軸に設けられる管状の内部誘電体35と、内部誘電体35の管内に設けられる内部電極37と、内部電極37と外部電極との間に高周波電圧を印加する高周波電源39と、外部誘電体22の軸線方向における外部電極の両端部に外部誘電体22と同軸に配置されて該外部電極にそれぞれ接続するとともに、外部誘電体22を間隔を隔てて囲むラッパ状の導電部材29と、供給穴23から外部誘電体22と内部誘電体35との間に処理ガスを供給するガス供給機構50とを備える。 (もっと読む)


【課題】大気圧プラズマにて被処理物を間欠的に処理する場合に、ガスの使用量を必要最小限に抑制しながら安定して処理を行えるようにする。
【解決手段】所定の空間にガスを供給し、前記所定の空間に高周波電圧を印加して大気圧近傍でプラズマを発生させ、プラズマ11にて被処理物2を処理する大気圧プラズマ処理において、処理開始認識手段5からの信号にて処理開始を決定し、ガスの流量を増加させて被処理物2に対してプラズマ処理し、処理終了認識手段6からの信号にて被処理物2に対する処理終了を決定し、ガスの流量を減少させ、かつ減少させたガスの流量においてもプラズマ11を点灯維持するようにした。 (もっと読む)


【課題】プラスチックまたは金属表面の清掃または汚染除去を、処理後の面を再汚染することなく簡単、確実且つ安全に行うための方法および装置を提供すること。
【解決手段】レーザ21が出す紫外線レーザビーム22を機械・光学的手段30、31、32、41、51および70によって処理すべき物体20の表面に向けて走査し、レーザビーム22の衝撃でこの物体20に剥離を起して、この物体を構成する材料自体の表面除去を行う。ステンレス鋼に対しては、この作業を還元ガス、特に不活性弗化ガス雰囲気で行うと有利である。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ処理装置の反応室内でおきる異常放電は、発生した個所を損傷したり、部材を溶融させてパーティクルを発生させる可能性がある。この異常放電を防止するために処理室内での水分量を低減することが考えられるが、従来では、経験的に得られた加熱時間を制御して加熱処理するしかなく、異常放電を防止する際の安定性や再現性に問題がある。
【解決手段】 プラズマ処理装置の真空処理室10に隣接して予備処理室10Aを設け、予備処理室10Aにおいて、水分の量を計測しながら基板Wがプラズマ加工されないパワーで基板Wをプラズマに晒す。水分の量が所定レベルよりも低下した後に基板Wを真空処理室10に搬送してプラズマ処理を行うので、真空処理室10内における異常放電を防止する。 (もっと読む)


【課題】気相法を用いて材料表面にナノ粒子を担持させることができ、しかも、粒子の成長をナノスケールで制御することが可能な微粒子担持材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】反応管内に被処理材を設置し、前記反応管内を排気する排気工程と、前記反応管内に有機金属化合物の蒸気及び還元剤の蒸気を導入し、前記被処理材の表面に前記有機金属化合物に含まれる金属元素を含む微粒子を担持させる還元工程とを備えた微粒子担持材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】アンテナ内に均一な高周波を形成し、処理容器に均一なプラズマを生成できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置121は、環状アンテナ73に囲まれた封止板55の中央部にガス供給管123が設けられたものである。このガス供給管は、その下部が漏斗状に拡径されており、下端部には多数のノズル125…が設けられている。このように、このプラズマ処理装置121にあっては、マイクロ波を処理容器53に供給するアンテナ73が円環状であるため、その中央開口部にガス供給管123を設けることができる。従って、反応性ガス等をウエハWに対して均一に供給することができ、従ってガス供給の不均一による処理のむらを防止することができる。 (もっと読む)


気体を活性化し且つ解離する方法及び装置は、室108内に配置されたプラズマ132により活性化した気体134を発生させるステップを含む。活性化した気体が気体の供給口により導入された下流気体の解離を促進することを可能にし、解離した下流気体152が室の内面と実質的に反応しないようにするため、下流気体の供給口176は、室の出口172に対して配置されている。
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【課題】冷却風路が形成された光照射器を具え、被処理対象物に対する光照射量を大きくして処理効率の向上を図ることができ、しかも、冷却風の風量を大幅に増加させることなしに十分な冷却機能を得ることのできる光照射装置およびこの光照射装置において好適に用いられる光源ランプを提供すること。
【解決手段】断面が円形状の棒状の光源ランプがその管軸が反射面を有する樋状の反射ミラーの第1焦点の位置と一致する状態で配設されてなる光照射器を具えてなり、光源ランプの点灯時において、光源ランプおよび反射ミラーが冷却風により冷却される光照射装置であって、光照射方向に対して光源ランプの後方側に、反射ミラーによって囲まれた空間と連通する冷却風路が形成されており、光源ランプにおける冷却風路の開口と対向する外表面領域には、当該光源ランプから放射される光を反射する反射膜が形成されている。 (もっと読む)


【課題】処理対象物であるセパレートシートや物を載せるパレット等の平面体に電磁波(紫外線)を照射して殺菌等を行うようにした電磁波照射装置において、処理対象物に照射される電磁波の照射強度や照射量を正確に測定できるようにする。
【解決手段】処理対象物2に電磁波を照射する電磁波発生源31と、この電磁波発生源31から発せられる電磁波の強度を検出する電磁波検出センサ32と、を備え、ここで電磁波検出センサ32は、処理対象物2が通過しない位置(電磁波発生源31を挟んで処理対象物2と反対側となる位置)で、かつ電磁波発生源31からの距離が処理対象物2と電磁波発生源31との間の距離と略等しい位置に設置される構成とする。この構成では、処理対象物2が受けている電磁波と略等しい強さの電磁波を電磁波検出センサ32で検出することになるので、限りなく実態に近い電磁波の照射強度や照射量の測定が可能となる。 (もっと読む)


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