【課題】ＳｉＣ種結晶の結晶成長面上にＳｉＣ多結晶が析出し難くすることを容易にできるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供することを、目的とする。
【解決手段】準備工程では、ＳｉＣ溶液１６の原料を収容する坩堝１４と、ＳｉＣ種結晶３６が取り付けられる下端面３４を有するシードシャフト３０とを備えるＳｉＣ単結晶の製造装置１０を準備する。取付工程では、シードシャフト３０の軸方向から見て、シードシャフト３０がＳｉＣ種結晶３６の周縁よりも内側に位置するように、ＳｉＣ種結晶３６を下端面３４に取り付ける。生成工程では、坩堝１４を加熱して、ＳｉＣ溶液１６を生成する。浸漬工程では、シードシャフト３０の下端をＳｉＣ溶液１６に浸漬して、ＳｉＣ種結晶３６をＳｉＣ溶液１６に浸漬する。育成工程では、ＳｉＣ種結晶３６の結晶成長面３８上にＳｉＣ単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】 透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】 組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンインゴット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコンシード層を用いて、結晶シリコンインゴットが方向性凝固法によって形成される。結晶シリコンシード層は、複数の第１の単結晶シリコンシードと、複数の第２の単結晶シリコンシードとから形成されている。第１の単結晶シリコンシードの各々は（１００）と異なる第１の結晶方向を有する。第２の単結晶シリコンシードの各々は第１の結晶方向と異なる第２の結晶方向を有する。第１の単結晶シリコンシードの各々は第２の単結晶シリコンシードのうちの１つ以上に隣接し、他の第１の単結晶シリコンシードから分離されている。 （もっと読む）

【課題】結晶化度が高く、形状、質量のばらつきが小さい結晶半導体粒子を合理的に製造し、安価に供給できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体粒子の表面に、該半導体粒子と同種の半導体からなる微粉末を付着させ、加熱用容器内に配置して、半導体の融点未満の温度で予備的に加熱して、前記微粉
末を酸化もしくは窒化するとともに、半導体粒子表面に酸化物あるいは窒化物を主成分とする被膜を形成する。この半導体粒子を、該半導体の融点以上の温度に加熱して溶融し、球状の溶融体を形成し、これを冷却し、凝固させて結晶半導体粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一な超電導体を製造する超電導体製造用種結晶および種結晶を用いた超電導体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】ＲＥ¹Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_y系超電導体の製造に用いる種結晶（１０）であって、ＭｇＯの結晶体（１１）と、このＭｇＯの結晶体（１１）上に形成したＲＥ²Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_y系超電導体の薄膜（１２）を有し、ＲＥ¹は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた少なくとも１以上の元素をさし、ＲＥ²は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのうち前記ＲＥ¹として選ばれた元素と比較して超電導体の融点温度について同じ又はより高い元素の群から選ばれた少なくとも１以上の元素をさす。 （もっと読む）

【課題】底部における酸素濃度が局所的に高くなる部分を少なくして、多結晶シリコンの生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。
【解決手段】断面矩形状をなす坩堝２０と、この坩堝２０の上方に配設された上部ヒータ４３と、坩堝２０の下方に配設された下部ヒータ３３と、を有し、坩堝２０内に貯留されたシリコン融液３を、その底面２１から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴット製造装置１０であって、坩堝２０の底面２１側において坩堝２０の側壁部２２の少なくとも一部を加熱する補助ヒータ５０を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 単結晶の育成速度の優れた坩堝および単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】 坩堝１０は、単結晶育成装置に配置されるものである。坩堝１０は、収容体１１と、中空体１２とを含む。収容体１１は、開口を有し、原材料を収容する。中空体１２は、収容体１１の内に収容され、収容体１１の開口側に向かって径が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの逆方向漏れ電流を低減することができ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの歩留まりを向上して、製造コストを低減することができるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】融液から直接作製されるシリコンリボン、球状シリコンであって、シリコンリボン、球状シリコンの窒素濃度が５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。このことにより、ブロック１１に、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。 （もっと読む）

【課題】（００１）、（１１１）方位を向く結晶が多く存在し、かつ、底部における酸素濃度が高い部分が少なく、生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液を底面から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、ルツボ２０の底面にはシリカ多層コーティング層２７が配設されており、前記ルツボ２０内における凝固過程を、前記ルツボ２０の底面を基準として、０ｍｍから高さＸ（１０ｍｍ≦Ｘ＜３０ｍｍ）までの第１領域Ａ１と、高さＸから高さＹ（３０ｍｍ≦Ｙ＜１００ｍｍ）までの第２領域Ａ２と、高さＹ以上の第３領域Ａ３と、に区分けし、前記第１領域Ａ１における凝固速度Ｖ１が、１０ｍｍ／ｈ≦Ｖ１≦２０ｍｍ／ｈの範囲内に設定され、前記第２領域Ａ２における凝固速度Ｖ２が、１ｍｍ／ｈ≦Ｖ２≦５ｍｍ／ｈの範囲内に設定される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に適用することにより、高い光電変換効率を得られる多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】硝酸、酢酸および弗酸からなる混酸液に浸漬し、転位を顕在化させたとき、ウェーハ表面において観察される亜粒界の占有率が１０％以下であることを特徴とする多結晶シリコンウェーハ。前記亜粒界の占有率を６％以下にすると、さらに光電変換効率を高めることができるので望ましい。 （もっと読む）

【課題】熱処理を適正に行うことができ、ライフタイムが向上した高品質な多結晶シリコンウエハを製出することが可能な多結晶シリコンブロック材の製造方法、多結晶シリコンウエハの製造方法及び多結晶シリコンブロック材を提供する。
【解決手段】太陽電池用基板の素材として使用される多結晶シリコンブロック材の製造方法であって、シリコン融液を凝固させて多結晶シリコンインゴットを製出する鋳造工程Ｓ１と、得られた多結晶シリコンインゴットを切断して、多角形柱状をなし、この多角形面の対角線長さが１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下とされ、その高さが１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下とされたブロック素体を切り出す切断工程Ｓ２と、このブロック素体に、温度；５００℃以上６００℃以下、保持時間；１５分以上６０分以下、冷却速度；１０℃／ｍｉｎ以上６０℃／ｍｉｎ以下、の熱処理を行う熱処理工程Ｓ３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ホウ素（Ｂ）またはホウ素含有化合物の少なくとも一種を＜１９ｐｐｍｗの濃度で含み、さらに、リン（Ｐ）またはリン含有化合物を＜３．７ｐｐｍｗの濃度で含む再利用可能な窒化ケイ素含有ルツボ、および、シリコン結晶化のためのかかるルツボの使用に関する。 （もっと読む）

【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）

【課題】波長９μｍ前後の赤外線に対しても透過率が確保でき、広範囲な波長領域で使用可能な赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料、及び、この赤外線透過部材用シリコン材料からなる赤外線透過部材を提供する。
【解決手段】赤外線を透過するレンズやプリズム等の赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料であって、多結晶シリコンからなり、この多結晶シリコンの抵抗率が１Ωｃｍ以上、かつ、酸素濃度が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ未満とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】坩堝内に装入された塊状のシリコン原料を効率良く溶解することができ、多結晶シリコンインゴットの生産効率を大幅に向上させることが可能な多結晶シリコンインゴットの製造装置及び多結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝２０内に装入されたシリコン原料を溶解してシリコン融液を生成し、このシリコン融液を凝固させて多結晶シリコンのインゴットを製出する多結晶シリコンインゴットの製造装置１０であって、有底筒状をなす坩堝２０と、坩堝２０の上方側に配置された上部加熱部１４と、坩堝２０の下方側に配置された下部加熱部３０と、を備え、下部加熱部３０は、坩堝２０が載置される台座３１と、誘導加熱コイル３２と、を有し、誘導加熱コイル３２によって台座３１に電流を発生させ、台座３１を自己発熱させる構成とされていることを特徴とする。 （もっと読む）