【課題】炭素電極の原料として低品質な仮焼石油コークスを使用することができ、かつ、熱膨張係数が低く、高品質な炭素陽極を得ることができる炭素陽極の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム精錬用の炭素陽極の製造方法であって、溶剤を用いて石炭を改質して、改質炭である無灰炭を製造する無灰炭製造工程と、前記無灰炭を炭素化処理して無灰炭コークスとする炭素化工程と、前記無灰炭コークスと、生石油コークスを仮焼して得られた仮焼石油コークスと、を混合して炭素材料とする炭素材料製造工程と、前記炭素材料を加熱処理して炭素陽極とする炭素陽極製造工程と、を含み、前記炭素材料製造工程において、前記炭素材料の粒度配合として、粒径が０．２５ｍｍ以上の粒部を、前記無灰炭コークスと前記仮焼石油コークスとで構成し、粉径が０．２５ｍｍ未満の粉部を、２．０質量％以上の硫黄を含有する前記仮焼石油コークスで構成するように混合する。 （もっと読む）

【課題】炭素からなる骨格を持つ極めて薄い薄膜状粒子を提供する。
【解決手段】黒鉛を酸化して得られ、厚さが０．４〜１０ｎｍ、平面方向の大きさが２０ｎｍ以上であり、比誘電率が１５以上の液体に分散可能であることを特徴とする炭素からなる骨格を持つ薄膜状粒子の合成方法であって、黒鉛を酸化して酸化黒鉛を生成する酸化工程、および該酸化工程の後に反応液中の酸化黒鉛由来以外の小さなイオンを除去する精製工程を含み、該精製工程は、遠心分離工程と再分散工程を繰り返すことを特徴とする、薄膜状粒子の合成方法。 （もっと読む）

【課題】高い導電性と高耐熱性を有する二層カーボンナノチューブを主として含むカーボンナノチューブ含有組成物およびこのカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】以下の特徴を有するカーボンナノチューブ含有組成物およびその製造方法。
（１）透過型電子顕微鏡で観測した時に１００本中５０本以上が二層カーボンナノチューブ；
（２）外径の平均が１．０〜３．０ｎｍの範囲；
（３）空気中で１０℃／分で昇温したときの熱重量分析で、高温側の燃焼ピークが７００〜８５０℃にあり、かつ低温側の重量減量分（ＴＧ（Ｌ））と高温側の重量減量分（ＴＧ（Ｈ））が、ＴＧ（Ｈ）／（ＴＧ（Ｌ）＋ＴＧ（Ｈ））＝０．７５以上；
（４）カーボンナノチューブ含有組成物の体積抵抗値が１．０Ｘ１０^−２Ω・ｃｍ以下、１．０Ｘ１０^−４Ω・ｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料を提供する。
【解決手段】低く均一な複屈折性、均一で高い屈折率、歪みの関数としての低い誘起複屈折性又は屈折率変動、低く均一な光吸収、低く均一な光散乱、高い光（レーザ）損傷閾値、高い熱伝導率、高度な平行度及び平坦度を有しながら高度の表面研磨を示す加工性、機械的強度、磨耗抵抗性、化学的不活性等の特性の少なくとも１つを示すＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料であって、前記ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法は実質上結晶欠陥のない基板を提供するステップと、原料ガスを提供するステップと、原料ガスを解離して、分子状窒素として計算して３００ｐｐｂ〜５ｐｐｍの窒素を含む合成雰囲気を作るステップと、実質上結晶欠陥のない前記表面上にホモエピタキシャルダイヤモンドを成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は、陽イオン交換特性を有する酸素化されたバイオ炭物質を生産するための方法であって、バイオ炭源が不完全燃焼プロセスにおいて酸素含有陽イオン交換基を均質に獲得する様式で、1つまたは複数の酸素化化合物と反応させられる方法を対象とする。本発明は、酸素化されたバイオ炭組成物、および酸素化されたバイオ炭物質を含有する土壌配合物も対象とする。
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【課題】引張強度が高いＣＮＴ繊維、及び糸切れが生じにくいＣＮＴ繊維の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のＣＮＴを含み、前記ＣＮＴの表面に微粒子を担持していることを特徴とするＣＮＴ繊維。基板上に複数形成されているＣＮＴの一部を引き出すとともに、引き出されたＣＮＴの表面に前記微粒子を担持させることを特徴とするＣＮＴ繊維の製造方法。基板上に複数形成されているＣＮＴの表面に前記微粒子を担持させる工程と、前記微粒を担持するＣＮＴの一部を引き出す工程と、を有することを特徴とするＣＮＴ繊維の製造方法。 （もっと読む）

黒鉛含有成形体は、黒鉛粒子を少なくとも１種の固体添加剤と混合して、少なくとも１種の無機添加剤を含有する混合物にするか、無機添加剤と有機添加剤との混合物を含有する混合物にするか、又は１０質量％を超える有機添加剤を含有する混合物にし、こうして得られた混合物を引き続き圧縮する方法により得られ、その際に、使用される少なくとも１種の添加剤が、ISO 13320により測定される１〜５００μｍの平均粒径（ｄ₅₀）を有する。
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【課題】産業上の有用性が高い軽元素磁性材料は、分子や粒子の配置方向（配方）を制御する方法が明確でなく産業上の応用有意性をまだ発揮できていない。当該材料の配列制御方法を確立し、電極の製造に適用することにより、産業上の有用性を発揮させる。
【解決手段】炭素や窒素、シリコン、ホウ素、酸素、アルミニウム、リン、イオウなどの軽い元素からなる磁性材料、たとえば磁性グラフェンや磁性グラファイトに外部磁界を印加することにより分子および粒子の配置方向を制御することにより、極めて効率よくイオンや電子を出し入れできる電極を製造する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを高精度でパターニングすることができ、これにより、グラフェンを用いた電子デバイス要素及び電子デバイスの精細加工が可能であり、製造コストを格段に低減することが可能なグラフェン構造体及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を精度よくパターニングし、そのレジスト膜の開口内に親水化膜を形成した後、ＧＯが親水性を有することを利用して、親水化膜の部分にのみ、ＧＯを選択的に化学的に結合させて固定化し、更にそのＧＯを還元して親水化膜の部分にのみグラフェンが選択的に固定化されたグラフェン構造体を得る。このように、グラフェン構造体は、基板上にグラフェンが設けられてなり、且つ、基板における親水処理の部位とグラフェン、及び／又は、基板における疎水処理の部位以外の部位とグラフェンとの間に、親水処理による結合が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】導電性が安定して維持し、かつ基材の補強材として優れたＣＮＴネットワーク構成体を提供すること。
【解決手段】本ＣＮＴネットワーク構造体は、グラファイト層が単層または多層の同軸管状になった物質であるＣＮＴを複数含み、これら各ＣＮＴは最表面側のグラファイト層同士が連続的に接合した箇所を有し、これら接合箇所によりＣＮＴのネットワークを構成している。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の諸性質を、それぞれの用途における要求特性などに応じて、成膜後に改質し用途適正を向上させてなるＤＬＣ被覆部材とそれの有利な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、膜厚３μｍ超の厚膜ＤＬＣを被覆してなる部材において、この部材表面における厚膜ＤＬＣを、水素が１３〜３０原子％で残部が炭素からなり、かつ共析金属微粒子を含む微粒子堆積層とし、この層の残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の熱処理ＤＬＣの膜にて形成する。 （もっと読む）

【解決課題】親水性に優れた親水性多孔質炭素材を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】多孔質炭素材をオゾンガスおよび水蒸気に接触させることにより、表面のカルボキシル基量が１００〜３０，０００μｍｏｌ／ｍ^２である親水性多孔質炭素材を得ることを特徴とする親水性多孔質炭素材の製造方法であり、好適には上記オゾンガスの濃度が５，０００〜３５，０００ｐｐｍであり、上記水蒸気の濃度が５，０００〜１２０，０００ｐｐｍである親水性多孔質炭素材の製造方法である。 （もっと読む）

複合材料は、熱可塑性マトリックス材料と、該熱可塑性マトリックス材料の少なくとも一部に分散されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）浸出繊維材料と、を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜グラファイト層が用いられた導電性細線において、安定性が高く、かつ電気的特性に優れ、しかもバンドギャップを狭くする。
【解決手段】基板１表面に形成される導電性細線２、３であって、複数の薄膜グラファイト層４、５が積層されて構成され、これら複数の薄膜グラファイト層４、５のうち、少なくとも隣り合う２層４Ａ、４Ｂの一方または両方の側縁４ａ、４ｂどうしが細線２、３の長手方向にわたって結合している。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いて処理した場合に、処理後の不純物の放出が抑制された炭素材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素材料を、１Ｐａ以上１００００Ｐａ以下の減圧下におけるＨ_２ガス雰囲気中において、５００℃以上１２００℃以下で、アニール処理を行う。アニール処理時間は１分以上２０時間以下である。これにより、塩素等のハロゲンの放出される濃度を５ｐｐｂ以下にすることが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、カーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレン、またはそれらの混合物の形態をした炭素と金属粒子を含むコーティング組成物を基板に適用する方法に関する。本発明は、更に、本発明に係る方法によって製造される被覆基板に関し、および電気機械要素としての被覆基板の使用に関する。
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【課題】作製したグラフェン薄膜の電気抵抗が増大せず、高い伝導率が確保されるとともに、３００℃以下程度の低温プロセスでも作製可能な、グラフェン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化グラフェン粉末を液体中に分散させた分散液を基板２０に塗布し、液体を除去して、酸化グラフェン薄膜１０を基板２０上に形成し、この酸化グラフェン薄膜１０の上に金属２１を接触させて、金属２１を加熱溶融することによって、酸化グラフェン薄膜２１を還元し、グラフェン薄膜を得る。ここで、酸化グラフェンは、酸化グラファイトを単層に剥離することによって得られることが好ましい。また、金属２１がＧａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉの金属元素、及びこれらの金属元素の合金であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】取扱性が良好であり、酸点が多く酸触媒としての機能やプロトン導電性に優れた固体酸及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化グラフェン及び／又は厚さ１０ｎｍ以下の酸化グラファイトをスルホン化することによって得られる固体酸。酸化グラフェン及び／又は酸化グラファイトの面方向の円相当径は１μｍ以上であることが好ましい。また、スルホ基は０．５〜１０．０ｍｍｏｌ／ｇのスルホン酸密度で導入されていることが好ましい。そして、この固体酸を、固体酸触媒やプロトン伝導膜に用いる。 （もっと読む）

本発明は、基板（８２）上の半導体性の修飾されたグラフェン層（８３）を含む修飾された構造（８０１）を製造する方法に関し、
− 少なくとも１つの基板（８１）を含む初期構造体（８００）の供給、
− 前記基板上のグラフェン層（８２）の形成、
− 原子状水素（８５）の照射による初期構造体（８００）の水素化のステップを含み、
前記グラフェンの水前記素化ステップは、１００から４０００Ｌａｎｇｍｕｉｒｓの間の照射量で行われ、修飾されたグラフェン層を形成することに特徴づけられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、物の接合方法に関する。
【解決手段】本発明の物の接合方法は、少なくとも二つの物及び少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体を、二つの前記物の間に配置する第二ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体の対向する二つの端部に、電圧を印加する第三ステップと、を含む。 （もっと読む）