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Fターム[4H006AB82]の内容

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【課題】 長期間の保存安定性に優れ、しかも良質なルテニウム膜を得ることができる化学的気相材料及びその化学的気相材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法の提供。
【解決手段】 下記式(1)
RuLY (1)
ここで、Lは下記式(2)
【化1】


で表される基であり、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、炭素数1〜10の炭化水素基又は炭素数1〜10のアルコキシ基であり、そしてYは1,5−シクロオクタジエン、1,3−シクロオクタジエン、1,4−シクロヘキサジエン、1,3−シクロヘキサジエン、シクロペンタジエニル、1,3−ブタジエンまたは2,3−ジメチル−1,3−ブタジエンである化合物からなる化学気相成長材料。 (もっと読む)


【化1】


遷移金属触媒を用いて、官能基で置換されたオレフィンの、重合の方法が提供される。この方法は、触媒構造に組み込まれた1以上の安定化基によるものであり、重合工程における、それぞれの連続的な反応の間、遷移金属錯体に対するそれぞれのオレフィンモノマーの立体配置を「固定」する。本発明は、実質的に、重合中に触媒の活性部位におけるオレフィン転移の可能性を減少させる。1つの特定の実施形態では、官能基は極性、電子供与性基であり、安定化基はルイス酸置換基であり;このような系で調製され得るポリマーの例は、ポリ(酢酸ビニル)、ポリ(ビニルアルコール)、およびポリ(ビニルエーテル)を含む。重合方法において有用な新規の錯体および触媒系もまた、提供される。 (もっと読む)


本発明は、核受容体ベースの誘導性遺伝子発現システムに使用される非ステロイド・リガンドと外因性遺伝子発現を調節する方法に関係しており、DNA結合ドメイン、リガンド結合ドメイン、トランスアクティベーション・ドメイン、及びリガンドを含むエクジソン受容体複合体が、外因性遺伝子及び応答配列を含むDNAコンストラクトと連携して機能するもので、外因性遺伝子は応答配列のコントロール下にあり、リガンドの存在下でDNA結合ドメインが応答配列と結合する事により遺伝子の活性化または抑制が行なわれる。 (もっと読む)


有機金属錯体、その製造方法、ならびにデバイスおよびサブアセンブリにおけるその使用を提供する。
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式(I)のジアミンは、式中、Aが水素、又は飽和もしくは不飽和C1-C20アルキル基、又はアリール基であり、Bが置換もしくは非置換C1-C20アルキル、シクロアルキル、アルカリル、アルカリル、又はアリール基、又はアルキルアミノ基であり、かつX、X2、Y、Y2、又はZの少なくとも1つがC1-C10アルキル、シクロアルキル、アルカリル、アラルキル、又はアルコキシ置換基である。該キラルジアミンは、移動水素化反応の使用に適した触媒を製造するのに使用することができる。
【化1】
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下記式(1)


(式中、R、R、R及びRは同一又は異なっていてもよく、下記式(2)


(式(2)中、Qは置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいシクロアルキレン基、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい二価の複素環基を表わし、Rは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基を表わし、Rは金属原子と配位又は結合可能な置換基を表すか、又はRとRとが一緒になって環を形成していてもよい)で示される基を表し、Q及びQは同一又は異なっていてもよく、置換基を有していてもよいアルキレン基又は単結合を表し、Xは二価のスペーサーを表す)で示されることを特徴とする配位子。
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【課題】有毒ガスを使用することなく、また煩雑な操作を施すことなく、安全、かつ簡便にカーボンナノチューブ表面上にチオアルキルチオールを導入したカーボンナノチューブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブと下記一般式(1)で表される環状ジスルフィドを、溶液中に存在させて、紫外光を照射することによりカーボンナノチューブの表面に前記チオアルキルチオール基が結合した化合物を得る。
【化1】


(式中、nは1〜8の整数を示す。) (もっと読む)


【目的】多層二分子膜の層間において、金属錯体を自己組織化させることにより、有機−無機複合組織が構築されているが、金属はその組織化構造の根幹を成す結合形成の中心的な役割を担っており、その種類や性質を自由に選んで活用することは、困難であった。
【構成】配位子骨格に多重水素結合部位を導入して、その自己組織化能を利用することにより、種類に囚われず様々な遷移金属イオンを取り込んで形成する有機-無機複合膜組織の構築を実現した。 (もっと読む)


本発明は、次式(I)R−R−N(R)−R−R(式中、Rは、置換又は非置換フェニル基であり、Rは炭素原子数0〜4の炭化水素鎖であり、Rは炭素原子数1〜3の炭化水素鎖であり、Rは炭素原子数1〜5の炭化水素鎖であり、RはOH又はHである)で定義されるクロマトグラフィーリガンドに関する。本発明は、粒子又はメンブランのような多孔性担体にカップリングした記載のリガンドを含む分離マトリックスも含む。本発明によるリガンド及びマトリックスは、生体分子又は有機化合物、例えばタンパク質、ポリペプチド、DNAなどの精製に有用である。本発明による有利な使用は抗体の精製である。 (もっと読む)


エレクトロルミネッセンス化合物は、有機ジイリジウムアカチルアセトナート錯体(an organic diiridium acatylacetonate complex )である。
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【課題】色純度、外部量子効率、発光効率に優れたイリジウム錯体とそれを用いた有機EL素子を提供する。
【解決手段】一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも一層が、下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体を少なくとも一種含有する層であることを特徴とする発光素子。
【化1】


(式中、R1は置換基を表し、環Aは置換基を有していても良い含窒素複素環を表す。Zは二価基を表し、Lは一価のアニオン性配位子を表す。nは1〜3の整数を表し、nは0〜2の整数を表す。ただし、nとnとの和は3である。) (もっと読む)


【課題】 フェニルアゾメチンデンデリマーの有する金属錯体との高い錯形成能に着目した、新しい金属酸化物クラスターとその製造方法を提供する。
【解決手段】 次式(I)
【化1】


(式中のR1は有機分子基を示し、R2は1以上の置換基を有していてもよいフェニル基を示し、Mはチタン(IV)化合物と2座配位子とからなる5座のTi錯体を示し、mはデンドリマーの世代数を表す1以上の整数を示し、nは前記R1に対するデンドロン部位の結合数を示す。)で表されることを特徴とするフェニルアゾメチンデンドリマー金属錯体とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、デンドリティック(樹状)なポリフェニレン構造を有し、配位子として有効で、かつ種々の反応において、有用な触媒作用を有する新規化合物を見出すことを目的とする。
【解決手段】次の一般式(1)
【化1】


(式中、Bは窒素原子又はリン原子を示し、Rは、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、又は2’,3’,4’,5’−テトラフェニルビフェニル基(以下、TPBPという。)を示し、mは1又は2の整数を示し、mが1のときはRは、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、又はTPBPを示し、mが2のときはRは、2価の炭素数1〜30の炭化水素残基を示す。)
で表される2’,3’,4’,5’−テトラフェニルビフェニル化合物又はその塩。 (もっと読む)


本発明は、アルカリ金属イオン(Na、K)に効果的に結合し、そして界面を超えてそれらを輸送するカリックス[4]アレーン、それらの製造およびそれらの使用に関する。 (もっと読む)


【課題】 パーティクル汚染を防止しながら、良好な成膜効率で薄膜を形成することができ、特に特にALD法を含むCVD法等の気化工程を有する薄膜製造方法に好適な薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(I)で表される金属化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
【化1】
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新たなルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムもしくは白金のジベンゾチオフェン配位子との錯体はエレクトロルミネセンス化合物である。
なし (もっと読む)


一般式:X−G−Clの新規の化合物が記載され、そしてそれらの生成のための方法が記載される。これらは、金属−キレーター錯体に結合するアフィニティータグを有する多価キレーター化合物を構成し、これらの化合物は、多数のプローブまたは官能性のユニットによって標的分子を選択的に、改変し得そして/または固定化し得る。本発明の1つの局面において、Gは、足場構造であり、Xは、プローブFまたは官能性のユニットFに対するカップリング基であり、CLは、少なくとも1つの金属配位中心を有するキレーター基であり、mは、整数でありかつ少なくとも1であり、そしてnは、整数でありかつ少なくとも2である。 (もっと読む)


半導体デバイスの製造時に銅薄膜を形成するための銅(I)アミジナート前駆体、および化学蒸着法または原子層堆積法を使用して、銅(I)アミジナート前駆体を基板上に堆積する方法を開示する。
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【課題】製造が容易で、生分解性の高い両親媒性のキレート剤を得る。
【解決手段】一般式(I)で表わされる新規のキレート剤を用いる。


(式中、RはC1〜24のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基を、nは1〜6の整数、M、M及びMは水素イオンまたは金属イオンを示す。但し、Rを構成する炭素原子数とnとの和は4以上である。また、M、M及びMはそのうち2つまたは3つが一緒になって2価または3価の金属イオンを表すこともできる。) (もっと読む)


金属錯体の存在下において標的分子を基質に暴露する段階を含み、標的分子が非改変標的分子であり、金属錯体が、標的分子と基質との間に安定な結合相互作用を提供するように選択される、標的分子を基質に固定化する方法。 (もっと読む)


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