本発明は、α，β−エチレン性不飽和カルボン酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩の製造方法であって、ａ）アルケンと二酸化炭素とカルボキシル化触媒をアルケン／二酸化炭素／カルボキシル化触媒付加物に変換する工程と、ｂ）該付加物を助剤塩基で分解してカルボキシル化触媒を放出し、α，β−エチレン性不飽和カルボン酸の助剤塩基塩を与える工程と、ｃ）該α，β−エチレン性不飽和カルボン酸の助剤塩基塩を、アルカリ金属塩基またはアルカリ土類金属塩基と反応させて助剤塩基を放出し、α，β−エチレン性不飽和カルボン酸のアルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩を与える工程とからなる製造方法に関する。例えば吸水性樹脂の製造には、α，β−エチレン性不飽和カルボン酸の塩、特にアクリル酸ナトリウムが多量に必要である。 （もっと読む）

本発明は、キラル性リガンドを含むエチレンの選択的オリゴマー製造用クロム錯体化合物、これを用いてエチレンから１‐ヘキセンまたは１‐オクテンを選択的に製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体等の電子材料の合成原料として利用が可能な２，３−ジハロビフェニレン誘導体の前駆化合物であるテトラハロビフェニル誘導体の製造方法を提供する。
【解決手段】テトラハロベンゼンと２−ハロアリール金属試薬をパラジウム及び／又はニッケル触媒存在下で反応するテトラハロビフェニル誘導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光学活性ケトンを効率的に製造する手段を提供する。
【解決手段】(R¹)(R²)＞C=C(R³)-C^*(R⁴)-CO-R⁵（R¹はアリール基；R²は水素原子又はアルキル基；R³はアルキル基；R⁴及びR⁵はアリール基又はアルキル基；*は不斉炭素を示す）で表されるケトン化合物の製造方法であって、(R¹)(R²)CH-C(R³)=C(R⁴)-CO-R⁵ で表されるエノン化合物を下記式（R⁶はアルキル基、Arはアリール基を示す）で表される化合物を配位子として含む金属錯体の存在下でオレフィンの不斉転位を行う工程を含む方法。
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【課題】 目的とするオレフィンを高収率で得ることができる、オレフィンの製造法の提供。
【解決手段】 ６０ｋＰａ（絶対圧）以上の圧力にて、下記成分（ｉ）又は（ii）の存在下、β水素原子を有するカルボン酸又はその誘導体の脱カルボニル反応を行う、オレフィンの製造法。
（ｉ）鉄元素を含む触媒とヨウ化物の混合物
（ii）鉄元素ならびにヨウ素元素を含む化合物 （もっと読む）

【課題】青色発光に適した新規有機化合物及びそれを含有する有機発光素子を提供する。
【解決手段】下式（１）で示される有機化合物。


［式中、Ｒ_１乃至Ｒ_１８は水素原子、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアミノ基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基からそれぞれ独立に選ばれる置換基を表す。］ （もっと読む）

式Ｉのシクロプロピルアミド誘導体、及び／又はその製薬学的に許容される塩の製造方法、及びそれに関連する中間体が提示されている。式Ｉの少なくとも１つのシクロプロピルアミド誘導体、又はその製薬学的に許容される塩は、少なくとも１つのヒスタミンＨ３受容体が関連する状態を処置するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】分子内にホスフィン酸基とパラジウムを併せ持つ新規な化合物とその合成法の開発、およびこれを用いて新たな有機化合物を合成する方法の提供。
【解決手段】分子内にホスフィン酸基とパラジウムを併せ持つ、新規な化合物（Ｉ）等を合成し、これにホスフィン類を添加したものを触媒として用いて、アセチレン類化合物に置換基を付加ないし導入し、効率よく、置換アルケン化合物ないし置換アセチレン類化合物を合成する方法。


（式中のR_１―R_５は、同じでも異なってもよい水素又は炭化水素置換基である；ｎは1-20である） （もっと読む）

【課題】複数の異なるアルコールを用いて非対称エステルを製造することができ、更に、その反応が、室温条件下、回収再使用可能な触媒でもってエステル化を進行することができる反応系を提供する。
【解決手段】液相で、高分子担持金クラスター触媒の存在下で、（ａ）Ｒ−ＣＨ_２ＯＨ又はＲ−ＣＨＯ及び（ｂ）Ｒ’−ＯＨ（式中、Ｒ及びＲ’は、互いに異なり、アルキル基又はポリアルキレンオキシド基を表す。）で表される２種の化合物を、酸素雰囲気かつ室温で混合することにより、Ｒ−ＣＯＯ−Ｒ’（式中、Ｒは、Ｒ’は、上記と同様を表す。）で表される非対称エステル化合物を製造する方法である。 （もっと読む）

１−オクテンを製造するためのブタジエンの短鎖重合にとって好適なホスフィンに基づく触媒組成物は、パラジウムと、２個の潜在的に官能化されたフェニル環およびオルト位の１個上にアルコキシ官能基を有し、これはこのオルト位と隣接するメタ位との間の５または６員環の一部であるが、この５または６員環が、第２のアリール基の一部ではない、第３のフェニル基を特徴とするあるクラスの新規ホスフィンリガンドの１つとを含む。このクラスのホスフィンリガンドを含む触媒は、他の多くのホスフィンリガンド触媒よりも、高い触媒活性および選択性を示すことができ、低い温度で使用することができ、よって費用を軽減することができる。パラジウムの沈降も軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】新規な光学活性β−ケトニトリル化合物及びその製造方法の提供。
【解決手段】シアノ化触媒存在下に、α、β−不飽和化合物とシアニドドナーとを反応させて、一般式（１）の新規な光学活性β−ケトニトリル化合物を製造する。


（Ｒ₁、Ｒ₂は分岐を有していてもよい鎖状アルキル基、置換基を有していてもよい環状アルキル基、分岐を有していてもよい鎖状アルケニル基、置換基を有していてもよい環状アルケニル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい複素環を示す。）シアノ化触媒は、例えばＲｕ［（Ｓ）−ｐｈｅｎｙｌｇｌｙｃｉｎｅ］_２［（Ｓ）−ｂｉｎａｐ］と金属化合物の塩とを反応させて得られる。 （もっと読む）

【課題】平面性が向上した縮環芳香族高分子を提供する。
【解決手段】本発明のある態様の縮環芳香族高分子は、下記反応式に従うモノマーの自己二量化によって得られる縮重合構造を有する。
【化１】
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ノルマル（Ｎ）アルデヒド及びイソ（Ｉ）アルデヒドを、或るＮ：Ｉ比で製造するヒドロホルミル化プロセスの制御方法であって、このプロセスが、オレフィン性不飽和化合物、例えばプロピレンを、合成ガス並びに遷移金属、例えばロジウム並びにオルガノポリホスファイト及びオルガノモノホスファイト配位子を含む触媒と接触させることを含み、前記接触を、合成ガス分圧を含むヒドロホルミル化条件で実施し、前記方法が、第一反応ゾーン内で合成ガス分圧を上昇させてＮ：Ｉ比を減少させるか又は第一反応ゾーン内で合成ガス分圧を低下させてＮ：Ｉ比を増加させることを含む方法。 （もっと読む）

ノルマル（Ｎ）およびイソ（Ｉ）アルデヒドをＮ：Ｉ比で製造するための直列の複数（例えば２つ）の反応ゾーンのヒドロホルミル化プロセスを制御する方法であり、方法は、オレフィン性不飽和化合物を、合成ガス、ならびに、（Ａ）遷移金属（例えばロジウム）、（Ｂ）オルガノビスホスファイトリガンドおよび（Ｃ）オルガノモノホスファイトリガンドを含む触媒と接触させることを含み、該接触を、第１および後続の１つまたは複数の反応ゾーン内で、各ゾーン内の遷移金属濃度を含むヒドロホルミル化条件で行い、該方法が、第１の反応ゾーン内の遷移金属濃度を低減させてＮ：Ｉ比を低減させること、または第１の反応ゾーン内の遷移金属濃度を増大させてＮ：Ｉ比を増大させること、を含む、方法。 （もっと読む）

ノルマル（Ｎ）およびイソ（Ｉ）アルデヒドをＮ：Ｉ比で製造するための直列の複数（例えば２つ）の反応ゾーンのヒドロホルミル化プロセスの制御であり、方法は、オレフィン性不飽和化合物（例えばプロピレン）を、一酸化炭素、水素、ならびに、（Ａ）遷移金属（例えばロジウム）、（Ｂ）オルガノビスホスファイトおよび（Ｃ）オルガノモノホスファイトリガンドを含む触媒と接触させることを含み、該接触を、第１および後続の反応ゾーン内で、各ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を含むヒドロホルミル化条件で行い、第１の反応ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を低減させてＮ：Ｉ比を低減させること、または、第１の反応ゾーン内のオレフィン性不飽和化合物分圧を増大させてＮ：Ｉ比を増大させることによって制御を実施する。 （もっと読む）

【課題】新規なトリホスファン化合物の遷移金属錯体を触媒として用い、種々のケトン類を不斉還元して高効率的、高選択的に光学活性アルコール類を製造する。
【解決手段】一般式（１）


（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はアルキル基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基などを表す。）で表されるトリホスファン化合物。 （もっと読む）

【課題】塩基量が少なくても高収率・高選択的に基質アルコールを二量化してアルコールを得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のアルコールの製造方法は、銅化合物及び基質アルコールに対して０．５〜４０ｍｏｌ％のＮａＯＨの存在下、第１級アルコール及び第２級アルコールから選択される基質アルコールを二量化するアルコールの製造方法である。 （もっと読む）

一般式（Ｉ）の新規な二座配位子が、エチレン性不飽和化合物のカルボニル化方法とともに記載される。基Ｘ^１が、１８℃の希釈水溶液中で４〜１４のｐＫｂを有する、少なくとも１個の窒素原子を含む最大で３０個の原子を有する一価のヒドロカルビル基として定義されてもよく、ここで、前記少なくとも１個の窒素原子が、１〜３個の炭素原子だけＱ^２原子から離れている。基Ｘ^２が、Ｘ^１、Ｘ^３またはＸ^４として定義されるかあるいは少なくとも１個の第一級、第二級または芳香環炭素原子を有する最大で３０個の原子を有する一価の基を表し、ここで、各前記一価の基が、それぞれ前記少なくとも１個の第一級、第二級または芳香環炭素原子を介して、それぞれの原子Ｑ^２に結合される。Ｑ^１およびＱ^２がそれぞれ、独立して、リン、ヒ素またはアンチモンを表す。
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Ｎ^２−ホスフィニルアミジン化合物、Ｎ^２−ホスフィニルアミジナート、Ｎ^２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、Ｎ^２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体が記載される。Ｎ^２−ホスフィニルアミジン化合物、Ｎ^２を−ホスフィニルアミジナート、Ｎ^２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、およびＮ^２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体を製造する方法も開示される。Ｎ^２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体およびＮ^２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体を使用する触媒系もまた、オレフィンのオリゴマー化および／または重合のための、Ｎ^２−ホスフィニルアミジン化合物、Ｎ^２−ホスフィニルアミジナート、Ｎ^２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、およびＮ^２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体の使用と共に開示される。
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本発明は、エチレンの三量化による１−ヘキセンの合成用触媒及びその使用に関し、前記触媒は、Ｐ及びＮを含有する化合物ａと、電子供与体ｂと、クロム化合物ｃと、担体ｄと、促進剤ｅとから成り、ａと、ｂと、ｃと、ｄと、ｅとのモル比は、０．５〜１００：０．５〜１００：１：０．５〜１０：５０〜５０００である。不活性溶剤中においてエチレンの三量化による１−ヘキセンの合成を促進するために使用され、エチレンを三量化するための通常設備において、請求項１に記載の触媒の各成分の比率に比例する有効量で、エチレンの圧力下で触媒のその場調整を行うと共に、エチレンを絶えず導入し、エチレンを触媒に十分に接触させることで、エチレンの三量化反応が起こる。反応条件は、温度が３０〜１５０℃であって、圧力が０．５〜１０．０ＭＰａであって、反応時間が０．１〜４時間である。該触媒は、エチレンの三量化による１−ヘキセンの生成に用いられ、触媒の活性が高く、１−ヘキセンの選択性が高く、副生成物であるポリエチレンが釜に付着しない。 （もっと読む）