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Fターム[4H048VA56]の内容

Fターム[4H048VA56]に分類される特許

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【課題】結晶内に金属が連続的に近接配置されたワイヤ構造を有する錯体結晶を提供する。
【解決手段】本発明に係る錯体結晶は、錯体クラスターから構成され、その錯体クラスタは、ジベンゾイルメタンベース化合物を配位子とする平面型錯体とビス(ペンタフルオロベンゾイル)メタンベース化合物を配位子とする平面型錯体とを有し、それぞれの錯体平面を対向させるように交互に配置され、各錯体の中心金属間距離は4Å以下である。錯体中心の金属は同一であっても異なってもよい。 (もっと読む)


【課題】高純度のジメチルジチオカルバミン酸第一銅を効率良く製造する方法を提供すること。
【解決手段】ジメチルジチオカルバミン酸ソ−ダ水溶液を、その濃度が50%以上にまで濃縮しておき、液温が少なくとも90℃以上、好ましくは90℃以上において、亜酸化銅を添加、温度上昇、粘度増加、さらには転相に至らしめる。 (もっと読む)


【課題】多核構造が比較的形成し易く、かつ発光性または触媒活性等の機能を有する多核錯体を提供する。
【解決手段】式(I)で表される配位子1個に対して2個以上の金属原子および/または金属イオンをもつ多核錯体。


(式中、Q1およびQ2は置換基を有していてもよい2価の複素環基を表し、2つのQ1が、直接または間接に結合することによりさらに環を形成してもよく、2つのQ2が、直接または間接に結合することによりさらに環を形成してもよい。R1およびR2は直接結合または置換されてもよい2価の炭化水素基を表し、Xは窒素原子またはリン原子を表し、R3は窒素原子、酸素原子、リン原子および硫黄原子から選ばれる原子を含む1価の有機基、水素原子、または置換されてもよい炭化水素基を表し、2つのR3が、直接または間接に結合することによりさらに環を形成してもよい。) (もっと読む)


【課題】有機エレクトロニクス材料、特に有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用な新規発光性金属錯体を提供すること。
【解決手段】下記式(1)で表される単核1価銅錯体を使用する。
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本発明は化合物の光学異性体又はエナンチオマーの分離のために用いる新規のキラルセレクタとする化合物の用途に関し、ここで、キラルセレクタは、少なくとも1つの以下に示す化合物及び少なくとも1つの金属イオン、例えば、Cu2+、Ni2+、Zn2+、Cd2+又はCo2+を含んでいる。
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【課題】純度及び表面積の高い多孔性金属錯体を効率良く得ることが可能な多孔性金属錯体の製造方法を提供する。
【解決手段】中心金属と、この中心金属に配位し、カルボキシレート基を有する有機配位子とを備える金属錯体の三次元的多孔性骨格構造を含む多孔性金属錯体の製造方法であって、中心金属の塩、又は中心金属の酸化物とエステル化反応するカルボン酸ハライド又はカルボン酸アルコキシドを、有機配位子のモノマーとして反応させる。 (もっと読む)


【課題】安定性に優れ、レドックス反応触媒等に有用な金属錯体を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される金属錯体。


(式中、R〜Rは、水素原子又は置換基を表し、RとR、RとR、RとR及び/又はRとRは、互いに結合して環を形成してもよい。Y及びYは、=N−、−S−、−O−等を表す。Pは、YとYの隣接位の2つの炭素原子と一体となって複素環を形成するために必要な原子群であり、Pは、YとYの隣接位の2つの炭素原子と一体となって複素環を形成するために必要な原子群であり、PとPが互いにさらに結合して環を形成してもよく、特に、フェナントロリン骨格が好ましい。) (もっと読む)


【課題】スタッキング間隔の極めて狭いカラムナー相を示すディスコティック液晶材料を提供する。
【解決手段】液晶相としてディスコティックカラムナー相を示し、カラムナー相中における分子のスタッキング間隔がグラファイト層間距離である3.345オングストロームより狭いことを特徴とするディスコティック液晶性化合物。 (もっと読む)


【課題】芳香族性化合物のオルト位又は隣接位への置換基導入を可能にする銅アート錯体を提供する。
【解決手段】下記の式I:
【化1】


(式中、R1は、置換又は未置換の、アルキル、アルケニル、ジアルキルアミノ、アリール、アリールアルキル、トリアルキルシリルアルキル、5〜7員複素環、或いは5〜7員環状二級アミン基を表し、R2は、置換又は未置換の、ジアルキルアミノ又は前記環状二級アミン基を表し、R3は、シアノ、置換又は未置換の、アルキル、アルケニル、ジアルキルアミ基、又は前記環状二級アミン基を表す)によって表される銅アート錯体、並びにこの錯体を用いて芳香族性化合物に位置選択的に置換基を導入するための方法。 (もっと読む)


【課題】優れた分光吸収特性および耐候性、特に耐光性に優れた、ディスプレイ用前面フィルターの提供。
【解決手段】下記一般式(1)で表される色素、下記一般式(2)で表される化合物およびバインダーを含有することを特徴とするディスプレイ用前面フィルター。
【化1】


一般式(2)
M(X1m(X2l・(W1s (もっと読む)


【課題】純度及び表面積の高い多孔性金属錯体を効率良く得ることが可能な多孔性金属錯体の製造方法を提供する。
【解決手段】中心金属と、この中心金属に配位し、カルボキシレート基を有する有機配位子とを備える金属錯体の三次元的多孔性骨格構造を含む多孔性金属錯体の製造方法であって、中心金属の塩と有機配位子となる化合物とを同じ溶媒に溶解させた溶液を、同じ反応容器内で反応させる。 (もっと読む)


【課題】耐光性、耐熱性及び耐湿性等の耐久性、900〜1000nmの波長域の近赤外線光の高いカット効率を有するフタロシアニン化合物の提供。
【解決手段】例えば、4,5−オクタキス(フェニルチオ)−3,6−{テトラキス(2,6−ジメチルフェノキシ)−テトラキス(n−ヘキシルアミノ)}銅フタロシアニン、4,5−オクタキス(フェニルチオ)−3,6−{テトラキス(2,6−ジメチルフェノキシ)−テトラキス(2−エチルヘキシルアミノ)}銅フタロシアニン、4,5−オクタキス(4−クロロフェニルチオ)−3,6−{テトラキス(2,6−ジメチルフェノキシ)−テトラキス(n−ヘキシルアミノ)}銅フタロシアニン等の銅フタロシアニン化合物。 (もっと読む)


【課題】カドミウム、銅、鉛、錫、水銀等の有害な特定重金属を選択的に認識・捕捉することができる分子インプリントポリマーを低コストで製造するためのモノマーとなる、新規なビニル基を有する遷移金属配位化合物及びその製造方法、並びに該遷移金属配位化合物を使用した遷移金属分子インプリントポリマーの製造方法を提供する。
【解決手段】下記の式(1)で表されるビニル基を有する遷移金属配位化合物。
MX (1)
(式中、Mは遷移金属、Lはビニルピリジン配位子、Xはハロゲン原子を表す。)
この化合物は、ビニルピリジンと式MX(2)で表される遷移金属ハロゲン化物を反応させて得ることができる。また、この化合物を複数のビニル基を有する架橋剤の存在下に重合させて、得られた重合体から遷移金属を除去することにより遷移金属インプリントポリマーを製造することができる。 (もっと読む)


【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子用材料又は発光材料として有用な金属錯体を提供する。
【解決手段】下式(1)の単核1価銅錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料又は発光材料。


(式中、XはNまたはCR6であり、R1〜R7は水素、ハロゲン、C1〜C40のアルキル基など、R1〜R7は互いに結合して環を形成してもよく、L1およびL2はそれぞれ独立に、窒素、燐、酸素、硫黄から選ばれる元素を含む配位子またはハロゲンであり、L1とL2が互いに結合して2座配位子を形成してもよい。) (もっと読む)


【課題】固体状態で発光性を示す多核錯体化合物を用いて塗布プロセスにより作成でき、十分な発光性能を有する発光素子に使用できる発光膜の提供。
【解決手段】固体状態で発光性を有する多核錯体化合物と高分子とを含む膜であって、該多核錯体化合物の少なくとも一部が粒子として該膜中に存在している発光性膜。多核錯体化合物は、燐光発光性で、有機溶媒に溶解することにより、溶解後に発光強度が減少する化合物であり、例えば下式で表される化合物である。


(式中、Lはアセトニトリル、トリフェニルホスフィン等である。) (もっと読む)


【課題】溶解性等に優れ、血管疾患などの病巣選択的なリポソーム造影剤に適した化合物を提供する。
【解決手段】下記式:


[式中、R1、R2、及びR3はそれぞれ独立に8〜30個の炭素原子からなる置換基を有していてもよいアルキル基又は8〜30個の炭素原子からなる置換基を有していてもよいアルケニル基を示し;X1、X2、X3、及びX4はそれぞれ独立に−O−又は−N(Z1)−(Z1は水素原子又は炭素原子1〜3個からなる低級アルキル基を示す)を示し;Lは2価の連結基を示す]で表される化合物又はその塩。 (もっと読む)


【課題】不斉銅錯体結晶の工業的に有利な製造方法を提供すること。
【解決手段】式(1)


(式中、Rはアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、Rは置換されていてもよいアルキル基または置換されていてもよいフェニル基を表し、RおよびRはそれぞれ同一または相異なって、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、トリアルキルシリル基またはシアノ基を表す。また、*は該炭素原子が光学活性点であることを表す。)
で示される光学活性なサリチリデンアミノアルコール化合物と銅化合物を反応させた後、アルコール溶媒の存在下で晶析処理を行うことを特徴とする不斉銅錯体結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】粒径がサブミクロンオーダー以下の微粒の8−オキシキノリン銅を得ることができる8−オキシキノリン銅の製造方法を提供する。
【解決手段】極性溶媒(ただし、水を除く。)中、水酸化ナトリウム非存在下で、8−ヒドロキシキノリンおよび銅化合物を混合後、マイクロ波を照射して8−オキシキノリン銅を得る。好ましくは、極性溶媒が非プロトン溶媒または脂肪族アルコールであり、銅化合物が無水硫酸銅である。反応により生成した8−オキシキノリン銅の結晶を、ロ別し、ロ液が中性となるまで洗浄を行った後、乾燥する。 (もっと読む)


【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】ホスホアミジネートリガンドを含有する有機金属化合物が提供される。かかる化合物は蒸着前駆体としての使用に特に好適である。かかる化合物を用いた、ALDおよびCVDなどによる薄膜を堆積させる方法も提供される。 (もっと読む)


【課題】前立腺癌およびNAALADase阻害に関連する他の疾患の治療および管理などの診断的および治療的性質を有する化合物を提供すること。
【解決手段】前立腺癌およびNAALADase阻害に関連する他の疾患の治療および管理などの診断的および治療的性質を有する式(Ia)の化合物(式中、Rは、C〜C12置換もしくは非置換アリール、C〜C12置換もしくは非置換ヘテロアリール、C〜C置換もしくは非置換アルキルまたは−NR’R’であり、Qは、C(O)、O、NR’、S、S(O)、C(O)(CH2)pであり、Yは、C(O)、O、NR’、S、S(O)、C(O)(CH2)pであり、Zは、HまたはC〜Cアルキルであり、R’は、H、C(O)、S(O)、C(O)、C〜C12置換もしくは非置換アリール、C〜C12置換もしくは非置換ヘテロアリールまたはC〜C置換もしくは非置換アルキルであり、置換されている場合のアリール、ヘテロアリール、およびアルキルは、ハロゲン、C〜C12ヘテロアリール、−NR’R’、またはCOOZで置換されている。)。炭素またはヘテロ原子結合を介してXアミノ酸側鎖にとりつけられた種々の補欠分子族によって放射線標識を構造中に導入することができる。
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