本発明は、カルボン酸のビニルエステルを用いてのモノカルボキシ官能化ジアルキルホスフィン酸、そのエステルおよび塩を製造する方法に関し、この方法は、ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）をオレフィン（ＩＶ）と触媒Ａの存在下で反応させて、アルキル亜ホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）にすること、ｂ）こうして得られたアルキル亜ホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）を式（Ｖ）のカルボン酸のビニルエステルと触媒Ｂの存在下で反応させて、一官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）にすること、ｃ）こうして得られた一官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）を触媒Ｃの存在下で反応させて、一官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩＩ）にすること、およびｄ）こうして得られた一官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩＩ）を酸化剤と、または触媒Ｄの存在下で反応させて、モノカルボキシ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）にすることを特徴とし、式中、Ｒ^１、Ｒ_２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は、同じかまたは異なり、互いに独立に、特にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アルキルアリールであり、ＸおよびＹは、同じかまたは異なり、互いに独立にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋおよび／またはプロトン化窒素塩基であり、触媒ＡおよびＤは、遷移金属および／または遷移金属化合物および／または触媒系であり、前記触媒系は、遷移金属および／または遷移金属化合物および少なくとも１種のリガンドから構成され、触媒Ｂは、ペルオキシド形成化合物および／またはペルオキソ化合物および／またはアゾ化合物であり、触媒Ｃは、酸または塩基である。
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【課題】パーキンソン病の慢性進行性を阻止もしくはドパミン神経細胞をその病因から保護することにより神経機能障害の進行を抑制し、L-ドーパ服用時期までの期間を延長すると共に機能改善効果を有する新規な化合物を提供すること。
【解決手段】本発明のキノロン化合物は、一般式（１）


［式中、Ｒ_１は、水素等を示す。Ｒ_２は、水素等を示す。Ｒ₃は、置換基を有していてもよいフェニル基等を示す。Ｒ_４は、ハロゲン等を示す。Ｒ_５は水素等を示す。Ｒ_６は、水素等を示す。Ｒ_７は、水素等を示す。］で表される。 （もっと読む）

【課題】アゾ系クロム錯体を得るための反応系に供される反応媒体の残留分が存在する場合であっても、その残留分に起因する弊害が生じることのない荷電制御剤を容易に得ることのできる荷電制御剤の製造方法、および優れた帯電立ち上がり特性を有し、高い印字速度により画像を形成する場合においても飛散やカブリが発生することなく、かつ高い画質の画像を温度や湿度などの使用環境の変化に影響を受けることなく、長期間にわたって安定に得ることのできるトナーを提供すること。
【解決手段】 荷電制御剤の製造方法は、水系媒体中において、アゾ化合物と、錯化剤としてサリチル酸系クロム錯体とを反応させることによって特定のアゾ系クロム錯体を合成する錯体合成工程を有することを特徴とする。本発明のトナーは、上記の製造方法によって得られる荷電制御剤を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性又は熱可塑性樹脂の難燃剤として有用である、含リン化合物を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）に示す構造を有する含リン化合物：


（Ｉ）［式中、Ａｒは、炭素原子１〜６個を有するアルキル基、ニトロ基、ハロゲン原子およびフェニル基からなる群より選ばれた基に置換された又は未置換の、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、アントラノン基、アントラキノニル基、ビフェニリル基、ジフェニルエーテル基、ジフェニルチオエーテル基、ジフェニルスルホニル基、ジ(フェニル)Ｃ_１−６アルキル基およびジ(ナフチル)Ｃ_１−６アルキル基からなる群より選ばれる一つの基の２価基を示し；ｍとｎは、それぞれ独立して１〜５の整数を示す。］ （もっと読む）

【課題】中和処理や高沸点溶媒の除去等を必要としないホスファゼニウム塩の製造方法。
【解決手段】五ハロゲン化リンとグアニジン誘導体を反応させ、下記一般式（３）で示されるホスファゼニウム塩を製造する際に、不活性ガス雰囲気下、生成物を溶解しない溶媒を用い、不均一状態で反応を行い、反応終了後に生成物を濾過する。
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【課題】(1R,5R,6S)-p-ニトロベンジル-2-(ジフェニルホスホリルオキシ)-6-[(R)-1-ヒドロキシエチル]-1-メチル-カルバペネム-3-カルボキシラート(MAP)のII型結晶の調製方法の提供。
【解決手段】I型結晶の(1R,5R,6S)-p-ニトロベンジル-2-(ジフェニルホスホリルオキシ)-6-[(R)-1-ヒドロキシエチル]-1-メチル-カルバペネム-3-カルボキシラート(MAP)を、ジクロロメタン、クロロホルムまたはアセトンに溶解させた後、この溶液に、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、ノルマルヘキサン、ノルマルヘプタンまたはシクロヘキサンを滴下して結晶化させる。
【効果】結晶型を得るために別途の冷却過程を行うことなく、簡単な方法で大量生産が可能な、高純度且つ高い歩留まりのMAPのII型結晶が得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高純度のホスファゼニウム塩を製造するための製造法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下、芳香族溶媒中で下記一般式（１）ＰＸ5（１）（式中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表す。）で表される五ハロゲン化リンと下記一般式（２）


（式中、Ｒ_１，Ｒ_２は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のフェニル基又はアルキルフェニル基を表し、Ｒ_１とＲ_２又はＲ_２同士が互いに結合して環構造を形成していても良い。）で表されるグアニジン誘導体を反応させて得られる反応混合物から芳香族溶媒を除去し、得られる残渣をハロゲン化炭化水素溶媒と水により抽出する。 （もっと読む）

本発明は、特に有機エレクトロルミネセント素子における発光分子としての、一般式Ｉ又はIIの遷移金属錯体、本発明の化合物を含む層並びに電子デバイス、及び本発明の化合物の製造方法に関する。
【化１】


【化２】
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【課題】光学活性α−アシルオキシホスホン酸エステル誘導体の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】光学活性オキサゾリン誘導体、銅塩、及び塩基の存在下、下記式（ＩＩ）


（但し、Ｒ^２は、炭素数１〜１０のアルキル基などの基である。Ｒ^３は、炭素数１〜３のアルキル基などの基である。）で示されるα−ヒドロキシリン酸エステル誘導体とカルボン酸ハライド化合物を反応させ、反応液から光学活性α−アシルオキシホスホン酸エステル誘導体を分離する方法。 （もっと読む）

この発明は、アリル化合物を用いる、モノアリル官能性ジアルキルホスフィン酸、同エステルおよび同塩の製造方法であって；ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）をオレフィン（ＩＶ）と、触媒Ａの存在下でアルキル亜ホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）に変換させ、ｂ）生成したアルキル亜ホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）を、式（Ｖ）のアリル化合物と、触媒Ｂおよび塩基の存在下で、モノアリル官能性ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）に変換させる方法に関し、ここに、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９は、同一または互いに異なって、また互いに独立して、とりわけＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アルキルアリールであり、ＸはＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、および／またはプロトン化窒素塩基を表し、触媒ＡおよびＢは、遷移金属および／または遷移金属化合物および／または、遷移金属および／または遷移金属化合物および少なくとも１つの配位子から構成される触媒系である。
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式（１）：［式中、Ｒ_１は、Ｃ_１−Ｃ_８−アルキル、非置換のシクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニルもしくはアダマンチル、又は１〜３個のＣ_１−Ｃ_４−アルキルもしくはＣ_１−Ｃ_４−アルコキシによって置換されているシクロペンチルもしくはシクロヘキシル、又は非置換であるか、１〜３個のＣ_１−Ｃ_４−アルキル、Ｃ_１−Ｃ_４−アルコキシ、Ｃ_１−Ｃ_４−フルオロアルキル又はＣ_１−Ｃ_４−フルオロアルコキシ、Ｆ及びＣｌによって置換されているベンジル、フェニル、ナフチル及びアントリルであり、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立して、Ｃ−結合炭化水素基又はヘテロ炭化水素基であり、Ｒ_４は、Ｃ_１−Ｃ_４−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、メチルフェニル、メチルベンジル又はベンジルである］の配位子を調製する方法であって、（ａ）式（Ａ）：（式中、Ｒ_４は上記定義のとおりである）の化合物を、アミン側鎖のオルト位で立体選択的にメタル化し、式Ｒ_１−ＰＸ２（ここで、Ｒ_１は上記定義のとおりであり、Ｘは、Ｃｌ又はＢｒである）のジハライドと反応させ、立体選択的加水分解により、ＳＰＯ基を含む化合物を得て、式Ｈ−ＰＲ_２Ｒ_３（ここで、Ｒ_２及びＲ_３は、上記定義のとおりである）の第二級ホスフィンとの反応により、式（１）の化合物を得ること、を含む方法。本方法によって得られた新規な配位子及びそれらの金属錯体。
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本発明は、少なくとも１つのＣｌ原子で置換されたフェニルピリジン配位子から選択される主配位子を有する新規なＩｒ錯体を含む発光材料に関する。このような発光材料は、Ｃｌ原子を有さないフェニルピリジン配位子を有する別のＩｒ錯体、さらにはＢｒ原子またはＦ原子などのＣｌ以外のハロゲン原子を有するフェニルピリジン配位子を有するＩｒ錯体よりも大幅に向上したフォトルミネッセンス量子収率を有することが分かり、その結果、特に発光デバイスの効率が改善されることが分かった。本発明はさらに、このような発光材料の使用、およびこのような発光材料を含む有機発光デバイスに関する。
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本発明は、式（１）に示す化合物を含む電子デバイス、特に有機エレクトロルミネセント素子及び対応する化合物及び有機エレクトロルミネセント素子におけるその用途に関する。
【化１】
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式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶおよびＶＩＩＩを有するγ−アミノ−α，β−不飽和カルボン酸誘導体を調製するための、パラジウム触媒によるエナンチオ選択的な方法が提供される。

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モノアミノ官能化ジアルキルホスフィン酸類、そのエステル類および塩類の製造方法、ならびにこれらの使用。
本発明は以下：
ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）を、触媒Ａの存在下でオレフィン類（ＩＶ）と反応させてアルキル亜ホスホン酸、その塩もしくはエステル（ＩＩ）とすること、
ｂ）そのようにして得られたアルキル亜ホスホン酸、その塩もしくはエステル（ＩＩ）を、触媒Ｂの存在下で式（Ｖ）のアリルアミン（Ｖ）と反応させて、モノアミノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）とすることを特徴とし、式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９は同一であるかまたは異なっており、そして互いに独立してＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキル−アリールを表し、そしてＸはＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキル−アリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋおよび／またはプロトン化窒素塩基であり、そしてＹは鉱酸、カルボン酸、ルイス酸または有機酸であり、ｎは０〜４の整数または分数を表し、そして触媒Ａは遷移金属および／または遷移金属化合物、および／または遷移金属および／または遷移金属化合物および少なくとも１つの配位子からなる触媒系であり、そして触媒Ｂは、ペルオキシド形成化合物および／またはペルオキソ化合物および／またはアゾ化合物である、
モノアミノ官能化ジアルキルホスフィン酸類、−エステル類、−塩類の製造方法に関する。

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本発明は、アクロレインによるモノヒドロキシ官能化ジアルキルホスフィン酸、そのエステルおよび塩の製造方法に関し、この方法は、ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）を、オレフィン（ＩＶ）と、触媒Ａの存在下で反応させて、アルキルホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）とし、ｂ）そのようにして生じたアルキルホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）を触媒Ｂの存在下で式（Ｖ）の化合物と反応させて、モノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）とし、ｃ）そのようにして生じたモノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）を、触媒Ｃの存在下で反応させて、モノヒドロキシ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）とすることを特徴とし、式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７は、同一かまたは異なり、互いに独立に、とりわけＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アルキルアリールを意味し、Ｘは、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋおよび／またはプロトン化窒素塩基を表し、触媒ＡおよびＣは、遷移金属および／または遷移金属化合物および／または触媒系であり、この触媒系は、遷移金属および／または遷移金属化合物と、少なくとも一つの配位子とから構成され、触媒Ｂは、ペルオキシド形成性化合物および／またはペルオキソ化合物および／またはアゾ化合物および／またはアルカリ金属および／またはアルカリ土類金属、その水素化物および／またはそのアルコラートである。
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本発明は、以下：
ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）を、触媒Ａの存在下でオレフィン類（ＩＶ）と反応させてアルキル亜ホスホン酸、その塩もしくはエステル（ＩＩ）とすること、ｂ）そのようにして得られたアルキル亜ホスホン酸、その塩もしくはエステル（ＩＩ）を、触媒Ｂの存在下で式（Ｖ）のアクリロニトリルと反応させて、モノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）とすること、およびｃ）そのようにして得られたモノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）を、還元剤と、または触媒Ｃの存在下で水素と反応させて、モノアミノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）とすることを特徴とし、式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７は同一であるかまたは異なっており、そして互いに独立してＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキルであり、そしてＸはＣ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキル−アリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｈおよび／またはプロトン化窒素塩基であり、そしてＹは鉱酸、カルボン酸、ルイス酸または有機酸であり、ｎは０〜４の整数または分数を表し、そして触媒ＡおよびＣは遷移金属、遷移金属化合物、および／または遷移金属および／または遷移金属化合物および少なくとも１つの配位子からなる触媒系であり、そして触媒Ｂは、ペルオキシド形成化合物、ペルオキソ化合物、アゾ化合物、アルカリ金属水素化物、アルカリ土類金属水素化物、アルカリ金属アルコキシドおよび／またはアルカリ土類金属アルコキシドである、モノアミノ官能化ジアルキルホスフィン酸類、−エステル類、−塩類の製造方法に関する。

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本発明は、モノカルボキシ官能化ジアルキルホスフィン酸、−エステル及び−塩の製造方法であって、
ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）を、触媒Ａの存在下にオレフィン（ＩＶ）と反応させて、アルキル亜ホスホン酸、それの塩またはエステル（ＩＩ）とし、
ｂ）こうして生じたアルキル亜ホスホン酸、それの塩またはエステル（ＩＩ）を、触媒Ｂの存在下に式（Ｖ）及び／または（ＶＩ’）の化合物と反応させて単官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）及び／または（ＶＩ’）とし、及び
ｃ）こうして得られた単官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）及び／または（ＶＩ’）を触媒Ｃの存在下に反応させて、次式
【化１】


のモノカルボキシ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）とし、この際、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７は、同一かまたは異なり、互いに独立して、中でも、Ｈ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキルアリールを意味し、そしてＸ及びＹは、同一かまたは異なり、そして互いに独立してＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ及び／またはプロトン化された窒素塩基を表し、そして触媒Ａ及びＣは、遷移金属、及び／または遷移金属化合物、及び／または遷移金属及び／または遷移金属化合物と少なくとも一つの配位子から構成される触媒系であり、そして触媒Ｂは、過酸化物形成化合物、及び／またはパーオキソ化合物、及び／またはアゾ化合物、及び／またはアルカリ−及び／またはアルカリ土類金属、−水素化物及び／または−アルコレートである、前記方法に関する。
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この発明は、モノビニル官能性ジアルキルホスフィン酸、同エステルおよび同塩の製造方法であって；ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）をオレフィン（ＩＶ）を用いて、触媒Ａの存在下でアルキル亜ホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）に変換させ、ｂ）生成したアルキル亜ホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）を、式（Ｖ）のアセチル化合物を用いて、触媒Ｂの存在下で、モノビニル官能性ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）に変換させる方法に関し、ここに、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は、同一または互いに異なって、また互いに独立して、とりわけＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アルキルアリールであり、ＸはＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、および／またはプロトン化窒素塩基を表し、触媒ＡおよびＢは、遷移金属および／または遷移金属化合物および／または、遷移金属および／または遷移金属化合物および少なくとも１つの配位子から構成される触媒系である。
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塩基及び遷移金属触媒の存在下で、アミノ基を有する化合物とアリ−ル化化合物とをＮ−アリ−ルアミン化合物を形成するのに有効な反応条件下で反応させる工程を含み；ここで、該遷移金属触媒は、第８〜１０族金属と（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−ジシクロヘキシルホスフィノ］フェロセニル］エチルジ−ｔ−ブチルホスフィンを含む少なくとも１個のキレ−ト配位子との錯体を含む、Ｎ−アリ−ルアミン化合物の製造方法。 （もっと読む）