【課題】半導体工程のフォトレジストのコンタクトホールパターンの大きさを効率よく減少することによって、微細なフォトレジストパターンを形成することのできる水溶性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（式１）のように表示される水溶性重合体および第１水溶性溶媒を含み、コンタクトホールパターンが形成されているフォトレジスト膜上に塗布および熱処理することによって、前記コンタクトホールの大きさを減少させる水溶性樹脂組成物。
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【課題】耐熱性、熱伝導性、絶縁性、成形時の流動性、成形時の機器磨耗性に優れ、得られる成形品が割れにくく、安価な樹脂組成物を提供する。
【解決手段】結晶性熱可塑性樹脂（Ａ）と、非晶性α−オレフィン系共重合体（Ｂ）と、熱伝導率が１０〜１００Ｗ／ｍ・Ｋである充填剤（Ｃ）とを含有する樹脂組成物であって、非晶性α−オレフィン系共重合体（Ｂ）は、エチレン、プロピレンおよび炭素原子数４〜２０のα−オレフィンからなる群から選ばれる少なくとも２種のオレフィンに由来する単量体単位を含有し、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１〜４である非晶性α−オレフィン系共重合体であり、結晶性熱可塑性樹脂（Ａ）の含有量が０．３〜４０容量％、非晶性α−オレフィン系共重合体（Ｂ）の含有量が１５〜８０容量％、充填剤（Ｃ）の含有量が２０〜７０容量％である樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高効率、且つ簡便な工程によって重合体溶液に含まれる金属成分を効果的に除去し、含有金属成分が充分に低減された重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】金属触媒残渣を含む粗重合体より該金属触媒残渣を除去して得られる重合体の製造方法であって、上記粗重合体が溶媒に溶解している粗重合体溶液と、上記溶媒と液液分離が可能なジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン、および／またはＮ−メチル−２−ピロリドンからなる非プロトン性極性溶媒とを液液接触させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】材料の表面に塗布する抗菌剤用組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）：


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２はフルオロアルキル基を、Ｒ^３Ｒ^５は水素原子等を、Ｒ⁶は単結合、２価の有機基を表す。）で表される含フッ素重合性化合物を含む抗菌剤用組成物。 （もっと読む）

【課題】化学増幅ネガ型レジスト組成物の構成成分として用いた場合、レジストパターン形成後に得られるパターンのラインエッジラフネスが小さく、かつ、分子量が低くても十分な実用感度を与える高分子化合物、この高分子化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物、及びこのレジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】Ｎ，Ｎ’−ビス（アルコキシメチル）テトラヒドロピリミジノン骨格又はＮ，Ｎ’−ビス（ヒドロキシメチル）テトラヒドロピリミジノン骨格を側鎖に有する不飽和カルボン酸エステルエステル系重合体及び芳香族ビニル系重合体より選ばれる高分子化合物。
【効果】上記高分子化合物を化学増幅ネガ型レジスト組成物に配合することで、微細パターンが要求されるネガ型レジストパターンの形成において、ラインエッジラフネスが改善され、高解像度で微細なパターンを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高屈折性、高アッベ数、高耐熱性、高光線透過率、低吸水性を有する樹脂材料を提供すること。
【解決手段】脂肪族多環構造を有する繰り返し単位を含むポリマーであって、前記脂肪族多環構造の環骨格を構成する２以上の原子が前記ポリマーの主鎖を構成しており、かつ、前記繰り返し単位がスルホニル基を環骨格の構成基として含む脂肪族環を有していることを特徴とするポリマー。 （もっと読む）

【解決手段】下記化合物（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を含む多成分系触媒の存在下、特定の環状オレフィン官能性シロキサン、又はこのシロキサンと特定の環状オレフィン化合物とを付加重合して、環状オレフィン官能性シロキサンに由来する構造単位の割合が付加重合体中１０〜１００モル％であり、数平均分子量（Ｍｎ）が１００，０００〜２，０００，０００である高気体透過性環状オレフィン付加重合体を得る高気体透過性環状オレフィン付加重合体の製造方法。
〔化合物（Ａ）〕
０価のパラジウム化合物。
〔化合物（Ｂ）〕
イオン性ホウ素化合物。
〔化合物（Ｃ）〕
炭素数３〜６のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基から選ばれる置換基を有するホスフィン化合物。
【効果】本発明によれば、気体透過性に優れ、高い熱安定性、膜強度、優れた有機溶媒への溶解性を有する重合体を容易に製造できる。 （もっと読む）

【課題】 感度及びラフネス特性に優れた半導体用レジスト組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体用レジスト組成物は、下記一般式（Ｉ）により表される化合物を含有している。
【化１】
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【解決手段】下記一般式（１）で示される重合性単量体。


（上記式（１）中、Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状の１価炭化水素基を示し、Ｒ²は重合性官能基を有する基を示す。）
【効果】本発明の重合性単量体によれば、架橋ユニットをポリマー鎖に容易に組み込むことができる。この架橋ユニットが組み込まれたポリマーを用いたレジスト組成物は高感度であり、このレジスト組成物を用いてパターンを形成した際には、ラインエッジラフネスの小さいパターンが得られる。 （もっと読む）

【解決手段】下記一般式（１）で示されることを特徴とする重合性モノマー。


（式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基である。Ｒ²は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ³は、酸不安定基である。ｍは、１〜４の整数である。）
【効果】本発明の重合性モノマーを（共）重合して得られる高分子化合物をベース樹脂とするポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、本発明によれば、特に超ＬＳＩ製造用又はフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料等として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】少なくともβ−ピネンを含むカチオン重合性単量体のカチオン（共）重合を制御し、分子量、特に数平均分子量が大きいβ−ピネン系重合体を有利に製造することが出来る方法を提供すること。
【解決手段】少なくともβ−ピネンを含むカチオン重合性単量体をカチオン重合又はカチオン共重合せしめることによってβ−ピネン系重合体を製造する方法において、前記カチオン重合又はカチオン共重合を、所定の化学式で表わされる化合物、電子供与体、及びカチオン重合開始剤としてのプロトン性化合物の存在下において進行させる。 （もっと読む）

【課題】 露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さい、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作製における微細パターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及びフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】 少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位ａを含む、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。
【化１】
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【課題】より一層優れた光反射性を得ることができ、しかも液晶表示装置の構成部材として使用した場合に、より一層の精彩性を得ることができる反射フィルムを提案する。
【解決手段】シクロオレフィン系樹脂を主たる構成成分とするシクロオレフィン系樹脂組成物を含有する反射フィルムであって、該反射フィルムの黄色度（ＹＩ値）が１．４未満であり、波長６１５ｎｍ、５４５ｎｍ及び４４０ｎｍの光に対する光反射率がいずれも９７％以上であることを特徴とする反射フィルムを提案する。 （もっと読む）

【課題】優れた性質を示す非極性−極性オレフィン共重合体および該共重合体を温和な重合条件でかつ高い効率で得ることのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】非極性−極性オレフィン共重合体の製造方法は、一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物（Ａ）と、有機金属化合物、有機アルミニウムオキシ化合物、および遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物（Ｂ）とからなるオレフィン重合用触媒の存在下に、非極性オレフィンと極性オレフィンを共重合させる。
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【課題】現像性が改善され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好なパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する樹脂（Ｂ）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。


（式中、Ｘは、置換基を有していてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｙは、電子求引性基を表す。Ｒｆは、構成炭素上の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を表す。ｎは、０以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスの低減、温度変化に対しての線幅変動低減、また高解像性の化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】芳香環を側鎖に有する特定の繰り返し単位と、窒素原子を側鎖に有する特定の繰り返し単位を含む高分子化合物（ＰＢ）、及び、スルホン酸のスルホニウム塩を側鎖に有する特定の繰り返し単位と、酸分解性保護基で保護された酸性側鎖を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物（ＰＡ）を含有する化学増幅ポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】通常のドライプロセスに加え、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した、ＤＯＦ、パターン倒れ、及び疎密依存性が改良された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のラクトン構造を有する繰り返し単位と、特定のスルホンアミド構造を有する繰り返し単位とを含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）高分子化合物又は高分子化合物の混合物による膜がアルカリ性現像液に不溶性であり、酸の作用により可溶性に変化する高分子化合物又は高分子化合物の混合物、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）酸の作用を抑制するための塩基性化合物、
（Ｄ）溶剤
を含有し、
上記（Ｃ）成分は、塩基性活性点として２級又は３級アミン構造を持つ側鎖を有する繰り返し単位を持つ高分子化合物であると共に、上記（Ａ）成分である高分子化合物の一部又は全部である電子線用又はＥＵＶ用化学増幅ポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、超微細パターンを要求されるレジストパターンの形成において、上記化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いることで、塩基の存在を均一にでき、ラインエッジラフネスの改善、更には温度依存性の抑制ができ、高解像度が期待できる化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供できる。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）水性アルカリ性現像液に可溶性であり、酸触媒による反応で水性アルカリ性現像液に不溶性となるベースポリマー、及び／又は、水性アルカリ性現像液に可溶性であり、酸触媒により架橋剤と反応して水性アルカリ性現像液に不溶性になるベースポリマーと架橋剤の組み合わせ、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、上記ベースポリマーの少なくとも一部として、一般式（１）で示される高分子化合物を用いる。


【効果】酸の拡散をより均一かつ低拡散にすることができ、ラインエッジラフネスの改善、パターンの基板依存性の小さい化学増幅ネガ型レジスト組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸不安定性基を有しポジ型レジストとして機能する樹脂、酸発生剤および溶剤などからなるレジスト組成物において、解像度に優れ、焦点深度余裕（ＤＯＦ）が広く、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が小さく、さらには感度が高いことから優れたパターン形状を形成できるたレジスト組成物を調製するための光酸発生剤およびそれを調製するための重合性単量体を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる含フッ素不飽和カルボン酸オニウム塩。
【化】


（式中、Ｒ^１は、重合性二重結合含有基、Ｒ^２は、フッ素原子または含フッ素アルキル基、Ｗ^１は、二価の有機基、Ｑ^＋は、スルホニウムカチオン、またはヨードニウムカチオンを示す。） （もっと読む）