マグネシウムおよびマグネシウム合金基材をジンケート処理するための改良された組成物および方法。約８から約１１のｐＨを有し、かつ亜鉛イオン、錯形成剤、フッ化物イオン、および還元剤を含む、水性ジンケート処理組成物。マグネシウムまたはマグネシウム合金基材をジンケート処理するための非電解方法であって、非電解水性ジンケート処理組成物を、基材上に亜鉛酸塩を析出させるに充分な時間浸漬する工程、を含む、方法。マグネシウムまたはマグネシウム合金基材をジンケート処理するための非電解方法であって、亜鉛イオン、錯形成剤、フッ化物イオンを含み、そして約８から約１１の範囲のｐＨを有する水性非電解組成物を調製する工程；該組成物に、該マグネシウムまたはマグネシウム合金基材上への亜鉛酸塩の析出を向上させるに充分な量の還元剤を添加する工程；および該基材を該組成物中に、該亜鉛酸塩を該基材上に析出させるに充分な時間浸漬する工程；を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】基材となる樹脂粒子との密着性の高い金属層を形成することができる導電性微粒子の製造方法を提供する。また、該導電性微粒子の製造方法を用いて製造される導電性微粒子を提供する。
【解決手段】樹脂粒子と酸化物微粒子との混合物を０．５〜１００ＭＰａの範囲内で加圧することにより、前記樹脂粒子の表面に前記酸化物微粒子を圧着する工程１と、
前記樹脂粒子の表面から酸化物微粒子を除去し、表面に複数の凹部を有する樹脂粒子を得る工程２と、前記表面に複数の凹部を有する樹脂粒子の表面に金属層を形成する工程３とを有し、前記凹部は、開口の平均直径が０．０１〜１．０μｍであり、かつ、前記樹脂粒子表面における前記凹部の面積占有率が２０〜８０％である導電性微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子機器部品の高機能化、小型化および高速化に伴う信号遅延、誤作動や部品寿命の低下などに対する熱対策問題として、熱輻射を付加させた微細な金属粒子の簡単な析出により発熱部品の温度上昇を抑制し、さらに放熱材自体の小型化要求に十分応えること。
【解決手段】放熱性部材の構成を、亜鉛および／またはアルミニウムを含む表面を有する被処理基材表面上に、ニッケルおよび／またはコバルトを主体とし、さらに銅および／または銀を含む下層と、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、ベリリウムおよび亜鉛から選ばれる少なくとも１種の酸化物を含む上層とからなる複層皮膜を有し、波長４〜１４μｍの赤外線輻射率が少なくとも０．９０であるものとする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、表面に均一に金属メッキを施した微小ポリエチレン粒子を製造することを目的とする。
【解決手段】
平均粒子径が１μｍ〜１００μｍのポリエチレン粒子を用意する第１の工程と、前記粒子を大気圧近傍の圧力下でプラズマに接触させる第２の工程と、前記第２の工程で処理されたポリエチレン粒子（以下、被処理粒子という）を溶媒中に分散させ無電解メッキ処理を行う第３の工程と、を含んでなる、機能性粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体１では、基板２上にシリカ層３および有機層４を介し、めっき層５が形成されている。シリカ層３はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板２との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層３が形成される。有機層４は、シリカ層３の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層３と強固に結合する。また、有機層４の上面には、シリカ層３の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層５と有機層４とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層３および有機層４を介して基板２上に形成されるめっき層５の基板２に対する密着性を向上できる。 （もっと読む）

試薬溶液から固体膜を基材上に堆積するための装置は、試薬溶液内における均一反応を阻害するのに十分低い温度に保った試薬溶液の貯槽を備える。冷却した溶液は、シャワーヘッドにより、一度に、基材上に分注される。シャワーヘッドの１つが試薬溶液を微細ミストとして送達するようにネブライザーを含むのに対して、他のシャワーヘッドは試薬を流れるストリームとして送達する。基材の下に配置されたヒータは、試薬溶液からの所望の固体相の堆積が開始され得る温度に基材を昇温して保つ。各試薬溶液は、少なくとも１種の金属およびＳもしくはＳｅのいずれかまたは両方を含有する。試薬溶液の少なくとも１つは、Ｃｕを含有する。該装置およびそれに関連する使用方法は、Ｃｕ含有化合物半導体の膜を形成するために特に適する。
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【課題】原料溶液の性質を改善をすることなく、光照射感度を向上し、現像によるパターン形状の乱れを改善し得る、前駆体溶液を用いた金属酸化物薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも有機金属化合物及び第１有機溶剤を含有する前駆体溶液を基板に塗布し、基板上に塗膜を形成する工程と、塗膜を形成した基板を加熱して、塗膜に含まれる第１有機溶剤を除去する工程と、塗膜を形成した基板に対して所望のパターンに従って光照射を行い、塗膜にパターンに従った可溶部及び不溶部を形成する露光工程と、光照射した基板を再加熱して、光照射により形成する不溶部の不溶化を促進させる工程と第２有機溶剤を用いて可溶部を溶解し、不溶部を残存させる現像工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】現像によるパターン形状の乱れを改善し得る、前駆体溶液を用いた金属酸化物薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも金属カルボン酸塩を含む有機金属化合物及び第１有機溶剤を含有する前駆体溶液を基板に塗布し、基板上に塗膜を形成する工程と、塗膜を形成した基板に対して所望のパターンに従って光照射を行い、塗膜にパターンに従った可溶部及び不溶部を形成する露光工程と、第２有機溶剤を用いて可溶部を溶解し、不溶部を残存させる現像工程と、現像の直後に、基板を第１有機溶剤及び第２有機溶剤よりも極性の高い第３有機溶剤に浸漬し、基板表層に残留している第２有機溶剤を洗い流して現像を即座に停止させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】一次実装後に導電層が露出しにくく、高い接続信頼性を実現することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子の表面に、導電層、密着層、及び、錫又は錫と他の金属との合金からなる低融点金属層が順次積層されている導電性微粒子であって、前記密着層は、置換めっきによって形成されたものである導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム合金をエッチングし、またすずめっきをする際の密着性を良好にする。
【解決手段】エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム（ＥＤＴＡ−２Ｎａ）と水からなるクロム酸フリー水溶液によるエッチング処理を行った後、不働態化処理、Ｚｎの置換めっきを行い、引続いてすずめっきを行なう。不働態化処理と亜鉛置換めっきの中間にピロリン酸ナトリウム、四ホウ酸ナトリウム及びフッ化ナトリウムを含有する水溶液による活性化抑制処理を行なうことができる。 （もっと読む）

本発明は、金属化された基体を調製するためのプロセスであって：この基体上に、少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得る基を必要に応じて保有するポリマー型の化合物をグラフト化する工程と；少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得るこのポリマー型の化合物を少なくとも１つの金属イオンと接触して配置する工程と、ポリマー型のこの化合物を、このキレート化された金属イオン（単数または複数）を還元するための条件に供する工程と、金属化された基体が得られるまでこのキレート化／還元工程を繰り返す工程とからなる工程を包含するプロセスに関する。本発明はまた、このプロセスにより得られる基体、およびその使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも以下の工程：（Ａ）相応する金属の、少なくとも３個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも１種の金属酸化物の少なくとも１種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも１種の溶媒中で製造する工程、（Ｂ）工程（Ａ）からの溶液を基材に施与する工程及び（Ｃ）前記少なくとも１種の前駆体化合物を、少なくとも１種の半導体金属酸化物に変えるために、工程（Ｂ）からの基材を、２０〜２００℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程（Ａ）において電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも１種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも１種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（式中、ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）を、酸化亜鉛及び／又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
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【課題】成膜工程における半導体ウェハの反り量を低減し、搬送ミスやウェハ割れを低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造法は、互いに対向する一方表面１ａおよび他方表面１ｂを有する基板１を準備する工程と、基板１の一方表面１ａおよび他方表面１ｂにめっき法により導電層であるＮｉめっき膜７およびＡｕめっき膜８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性を有する基板を容易に製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】金属線１４を有する基板１０の製造方法であって、基板層１２に金属層１４ａを積層する工程と、金属層１４ａの表面の少なくとも一部を樹脂層１６で被覆する工程と、樹脂層１６により被覆されていない金属層１４ａの部分をエッチングにより除去することで、基板層１２上に金属線１４を形成する工程と、を含む、基板１０の製造方法とすること。 （もっと読む）

【課題】熱交換器に使用した際にも、高温の水が接触する部分にスケールが付着せず、使用の過程で熱交換性能が低下しない銅合金部材、および、それを使用した熱交換器を提供する。
【解決手段】銅合金部材１は、冷媒により水を加熱する熱交換器に使用され、銅または銅合金からなる基材２と、基材２の少なくとも水と接触する側の表面に形成されためっき層３とを備え、めっき層３が、Ｐを０．０１０〜１３．０質量％含有し、残部がＮｉと不可避的不純物からなり、めっき層３の厚さが０．１〜１０μmであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】前駆体溶液に各々の組成部分が均一に混合される薄膜製造システムを提供する。
【解決手段】薄膜製造システム１０は、前駆体溶液２００を製造する前駆体溶液製造装置１１及び前記前駆体溶液を基板の表面に導入して薄膜を形成する薄膜堆積装置１２を備え、前記前駆体溶液製造装置１１は、吸収塔１１２と、該吸収塔に連通される液体貯蓄缶１１１及び気化装置１１０を備え、前記液体貯蓄缶は、膜めっき溶液を貯蓄し且つ前記吸収塔に前記膜めっき溶液を提供し、前記気化装置は、添加剤溶液を気化させ且つ前記吸収塔に気化された添加剤溶液を提供し、前記吸収塔は、前記膜めっき溶液に前記気化された添加剤溶液を吸収させて前駆体溶液を形成する。 （もっと読む）

溶媒に溶解した硫酸を用いて、金属めっき用の熱可塑性基材を同時にコンディショニングおよびエッチングするための改善された方法を記載する。 （もっと読む）

【課題】めっきが剥離し難く、かつめっきムラが少ない金属めっき繊維構造物を提供する。
【解決手段】本発明の金属めっき繊維構造物は、繊維表面に金属がめっきされてなる繊維構造物であって、前記繊維構造物が異形断面繊維を６質量％以上含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金の局所的な溶解を防ぐこと。
【解決手段】半導体基板の表面に形成されたアルミニウムを主成分とする電極の表面を、硝酸濃度が９ｍｏｌ／リットル以上２０ｍｏｌ／リットル以下の硝酸溶液に浸漬することでデスマット処理を行う（ステップＳ３）。ついで、電極の表面に第１ジンケート処理を行い亜鉛置換膜を形成し（ステップＳ４）、この亜鉛置換膜を、硝酸濃度が９ｍｏｌ／リットル以上２０ｍｏｌ／リットル以下の硝酸溶液に浸漬することで剥離する（ステップＳ５）。ついで、電極の表面に第２ジンケート処理を行い電極の表面に亜鉛置換膜を形成し（ステップＳ６）、この亜鉛置換膜の表面に無電解めっき処理によってめっき皮膜を形成する（ステップＳ７）。 （もっと読む）

本発明は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光し、及び金属含有組成物を後処理することによって金属含有フィルムを形成する方法に係る。該方法は、また、感光性の金属含有組成物を、マスク又は型を通して化学線源にて露光し、組成物の非露光部分を現像することを含む。本発明の他の具体例は、前記の方法によって形成された金属含有フィルム、三次元の物体又は物品である。本発明は、直接パターン化された金属含有フィルム及び微小デバイスの製造に有用である。 （もっと読む）