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Fターム[4K024BA09]の内容

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Fターム[4K024BA09]に分類される特許

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【課題】高強度、高導電率及び優れた耐応力緩和特性を有する電気電子部品用銅合金材、及びこの銅合金材にSnめっきを形成した場合に、めっきの耐熱剥離性が優れためっき付き電気電子部品用銅合金材を提供する。
【解決手段】本願第1発明の電気電子部品用銅合金材は、Cr、Ti、Si、Ni、Fe及びAlを適量含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる。また、本願第2発明の電気電子部品用銅合金材は、Cr、Ti及びSiを適量含有し、O及びHの含有量を規制し、残部がCu及び不可避的不純物からなる。その上で、本願第2発明の電気電子部品用銅合金材は、平均結晶粒径を規定値以下とした金属組織を有し、化合物の粒径及び個数密度を規定値以下とする。これにより、高強度、高導電率及び優れた耐応力緩和特性を有する電気電子部品用銅合金材が得られる。 (もっと読む)


【課題】銅又は銅合金条表面のリフローSnめっき層にCu−Sn合金層を部分的に露出させることで、Sn粉の発生を抑制することができるSnめっき材を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金条2の表面にリフロー処理を施したSnめっき層6を有するSnめっき材10であって、最表面に露出したCu−Sn合金層4aの面積率が0.5〜4%であり、最表面から見て、前記Cu−Sn合金層の個数が0.033mm当たり100〜900個である。 (もっと読む)


【課題】温度の変化に対して、電気抵抗の変化が小さい内蔵抵抗体を提供する。
【解決手段】金属箔上に、該金属箔より電気抵抗率の高い膜を有する電気抵抗膜付金属箔であって、該電気抵抗膜は、CrSiO又はNiCrSiOからなる酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Cr膜との多層構造を有する。金属箔の上に設ける電気抵抗体を多層構造とし、抵抗が比較的高い状態でも温度特性が良い。 (もっと読む)


【課題】ファインパターンの回路形成性、高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さRaが0.2μm以下、又はRzが1.5μm以下である母材銅箔の少なくとも片面表面に、付着量が0.05〜1.0mg/dmのNiまたNi−Pの一次処理層が設けられ、該一次処理層の上に付着量が0.01〜0.10mg/dmのZnまたはZn−Vの二次処理層が設けられ、該二次処理層の上に接触角θ(親水性)が15°から35°を有するクロメート処理層が形成され、該クロメート処理層の上に付着量0.002〜0.02mg/dmのシランカップリング処理層が施されている表面処理銅箔である。また、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを積層する銅張積層板の製造方法は、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを式1に示すLMP値が10660以下の条件で加熱積層し、前記表面処理銅箔の最表面シランカップリング処理層の官能基を、熱硬化性樹脂の官能基と反応させる銅張り積層板の製造方法である。
式1:LMP=(T+273)*(20+Logt)
ここで、20は銅の材料定数、Tは温度(℃)、tは時間(hr)、Logは常用対数である。 (もっと読む)


【課題】 板厚1mm以上の金属条にめっき加工を施す際に、先めっき方式の一般的なめっきライン(連続送り方式)で採用されているロール給電を用いると金属条に対して給電用金属ロールが片当たりを起こし、めっき材表面に擦れ痕、キズ、通電不良によるスパークなどの発生、または給電自体の破損などの問題があり、先めっきによる厚板端子は実施
されていなかった。
【解決手段】 板ばねエッジ型給電を用いて材料への接触をエッジにし、接触面積を減らすことで、ロールマークを含む傷による外観不良が発生することなくめっきする。 (もっと読む)


【課題】摩擦係数が低く、耐食性、はんだ濡れ性および接触信頼性に優れたSnめっき材およびそのSnめっき材を低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】0.2g/L以上のSn酸化物を含むSnめっき浴を使用して電気めっきにより、銅や銅合金などからなる素材上にSnめっき層を形成し、Snめっき層の表面を乾燥させた後、Snめっき層の表面を加熱してSnを溶融させた後に冷却することにより、Snめっき層から最表面の純Sn層とその下層の化合物層(素材が銅または銅合金からなる場合にはCu−Sn化合物層)を形成するとともに、最表面に複数の微小凹部を形成し、次いで、Snめっき層の表面に潤滑油を塗布する。 (もっと読む)


【課題】 プレス加工時の粉発生を抑制し、低接触抵抗及び高はんだ濡れ性を有し、長時間加熱後もこれら特性を保持するSn又はSn合金めっき材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属基材11、金属基材11上に形成されたSn又はSn合金めっき13、及び、Sn又はSn合金めっき13上に形成された表面処理層14を備え、前記Sn及びSn合金めっき13のめっき厚が0.2μm以上であり、XPS(X線光電子分光装置)のSurvey測定で前記表面処理層表面の元素分析を行ったとき、リン(P)の2S軌道の結合エネルギー(P2S)のピークが186〜192eVにあり、Pを0.5at%以上5.0at%未満含有し、カーボン(C)の1S軌道の結合エネルギー(C1S)のピークが284〜290eVにあり、Cを35at%以上80at%未満含有するSn又はSn合金めっき材10。 (もっと読む)


【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも2層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】良好な引張り強さ、導電率、繰り返し曲げ性及び溶接性をバランス良く兼ね備えた電池接続タブ材に好適な銅合金条。
【解決手段】2〜12質量%のZnを含有し、かつ0.1〜1.5質量%のSnを含有し、残部が銅及び不可避的不純物から成る銅合金条であって、板厚方向及び圧延平行方向の結晶粒のアスペクト比が0.1以上であり、リフロー後のSn層の厚みが0.10〜1.60μmであり、かつCu−Sn化合物の厚みが0.10〜1.90μmであるリフローSnめっきが施されている、充電用電池タブ用のSnめっき銅合金条。この銅合金条は好ましくは、Ni/Cu下地めっき又はCu下地めっきが施されており、導電率が31〜70%IACSであり、180°密着曲げ及び曲げ戻し試験での繰り返し曲げ回数が2.5回以上であり、引張り強さが300〜610MPaである。 (もっと読む)


【課題】高硬度かつ低抵抗のめっき膜、前記めっき膜を電気接点とする電子部品、前記めっき膜を成膜可能なめっき液、および、前記めっき膜の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜10は、Au(100−x−y)−M−Cからなる。ただし、MはAu以外の金属元素であり、1≦x≦22、かつ、3≦y≦30、かつ、4≦(x+y)≦40である。めっき液50は、Auイオンと、Niイオンと、くえん酸(Cit)イオンと、CNイオンと、を含む。 (もっと読む)


【課題】プラズマディスプレイパネル(PDP)の前面パネルに使用される電磁波シールド導電性フィルムに適し、その後に行われる黒色化処理に適合する表面処理層を有する電解銅箔及びその製造方法の提供。
【解決手段】銅箔S面の亜鉛付着量が30〜110μg/dm、銅箔M面のクロム付着量が25〜50μg/dmであり、且つ銅箔S面のクロム付着量(Cr(s))と銅箔M面のクロム付着量(Cr(m))の比Cr(s)/Cr(m)が0.5〜1.8である処理面を備えていることを特徴とする電磁波シールド用電解銅箔。亜鉛を主成分とするバリヤー層メッキ浴2及びクロムを主成分とする防錆層メッキ浴3を用い、銅箔S面側に電気メッキによる亜鉛層と電気メッキ又は浸漬クロメートによるクロム層、及び銅箔M面側に電気メッキによる亜鉛層と電気メッキ又は浸漬クロメートによるクロム層を形成することを特徴とする電磁波シールド用電解銅箔の製造方法。 (もっと読む)


【課題】表面に多数の突起を有する突起版胴を容易かつ簡易に製造する。
【解決手段】突起版胴の製造方法は、表面に銅層2を有するブランク版胴35Aを準備する工程と、ブランク版胴35Aの表面の銅層2全域に感光材3を塗布する工程と、感光材3を露光しかつ現像して突起35aに対応する部分にレジスト4を形成する工程とを備えている。ブランク版胴35Aの表面の銅層2に対して第1のエッチングを施して銅層2に突起35aを形成し、その後突起35a上からレジスト4を除去する。突起35aに対して再度第2のエッチングを施して、突起35aの先端部35bの垂直断面形状を湾曲させる。その後銅層全域にクロムメッキを施してクロムメッキ層5を形成する。 (もっと読む)


【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が1層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層の全ての層の熱膨張率がそれぞれ1×10−5〜3×10−5(1/K)であり、かつ、各金属層と前記基材微粒子との熱膨張率の比(基材微粒子の熱膨張率/金属層の熱膨張率)がそれぞれ0.1〜10である導電性微粒子。 (もっと読む)


【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品6に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品6が配設される基板5上に接着剤4を介して接合される接合面3を備えた放熱装置1において、接合面3は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が0.5〜1.0μmのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い導電率及び強度を有し、応力緩和特性及び曲げ加工性に優れ、Snめっきの耐熱剥離性にも優れた電気・電子部品用銅合金を提供する。
【解決手段】Fe:0.01〜0.2質量%、P:0.02〜0.15質量%、Mg:0.05〜0.2質量%、Sn:0.001〜0.2質量%、及びZn:0.05〜1.0質量%を含み、残部がCu及び不可避的不純物からなり、S:0.005質量%以下であり、Fe,Mg及びP含有量が下記式(1)、(2)を満たす。2.5≦([Fe]+[Mg])/[P]≦8.0・・・・(1)[Mg]/[Fe]≧0.85・・・・(2)[Fe]、[Mg]、[P]は、それぞれFe,Mg,P含有量を表す。 (もっと読む)


【課題】従来よりも大きな径を有するとともに、大きな比表面積を有することにより、大きな分子に対しても適用可能な高活性の触媒として使用できる白金系のメソポーラス金属膜を与える。
【解決手段】ブロックコポリマー界面活性剤及び白金を含む金属塩の希薄な水溶液を電気分解することにより、電極上に上記メソポーラス金属膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】銅箔の表面防錆効果を維持することができると共に高融点半田との半田濡れ性はもとより低融点半田(錫−ビスマス半田)との半田濡れ性にも優れる表面処理銅箔を提供することを目的とする。
【解決手段】銅箔表面に付着量が0.013〜0.25mg/dmのZn層を形成してなる表面処理銅箔である。
また、前記Zn層と銅箔表面とで真鍮化処理し、銅箔表面に真鍮層が設けられた表面処理銅箔である。
また、銅箔表面にZn層が設けられ、その上に0.010〜0.030mg/dmの付着量のIn層が設けられている表面処理銅箔である。 (もっと読む)


【課題】充放電サイクルを繰り返しても容量保持率の低下が起こらず高寿命で、負極集電体が変形しないリチウムイオン二次電池を作成可能なリチウムイオン二次電池負極用電解銅箔を供給することを目的とする。
【解決手段】本発明のリチウムイオン二次電池の負極集電体を構成する電解銅箔であって、該電解銅箔は200〜400℃で加熱処理後の0.2%耐力が250N/mm2以上、伸びが2.5%以上であり、該電解銅箔の活物質層を設ける表面は防錆処理が施され、或いは粗化処理され防錆処理が施されている。また本発明は前記電解銅箔を集電体とするリチウムイオン二次電池用電極、該電極を負極としたリチウムイオン二次電池である。 (もっと読む)


【課題】鉛フリーはんだに対する高いはんだ付け性(濡れ性)を実現し、しかも特にその厳しい曲げ加工部におけるウィスカの発生を抑制ないし防止することができるめっき被膜部材の提供及びめっき被膜部材の曲げ部の形成方法並びにウィスカの防止方法の提供を目的とする。
【手段】表面のインジウムからなる第2めっき層とその下層の第1めっき層とを導電性基材上に他層を介してもしくは介さずに有する多層めっき材料をリフロー処理しかつ平面部と平面部との間に配置された曲げ加工部で曲げ加工してなるめっき被膜部材であって、リフロー処理前の前記多層めっき材料について、前記第1めっき層の厚さ(t)と第2めっき層の厚さ(t)とを特定の範囲とし、特定のInの拡散層を形成して、曲げ加工部のウィスカ発生を防止するめっき被膜部材。 (もっと読む)


【課題】CuSn層を凹凸状に形成する際の粗化状態における粒子径のばらつきを抑え、安定性・再現性が良く、製造工程が簡易かつ安全で、安価なリチウムイオン二次電池用負極の製造方法及びリチウムイオン二次電池用負極を提供する。
【解決手段】本発明に係るリチウムイオン二次電池用負極の製造方法は、銅箔を脱脂、酸洗浄し、銅箔上にニッケルめっき層を形成し、順次Cuめっき層、Snめっき層を形成した後、熱処理を施してCuSn層を形成してリチウムイオン二次電池用負極を製造する方法であり、その熱処理は、前記CuSn層の表面側に純Sn層を残した状態で施し、純Sn層をアルカリ電解液中でアノード溶解することで除去して、粗化形状の粒子径を1μm以上3μm以下としたCuSn層を露出させることを特徴とする製造方法である。 (もっと読む)


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