【課題】めっき液を安定させ、めっき層の組成のバラツキを抑制し、容易かつ確実にＳｎ−Ａｇ合金層を形成する。
【解決手段】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の上に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる拡散防止層を形成した後、この拡散防止層の上にＣｕ又はＣｕ合金からなる中間めっき層を形成し、この中間めっき層の上に、粒径が５〜１００ｎｍのＡｇ粒子を０．１〜５ｇ／ｌ含有したＳｎめっき浴を用いた電気めっきにてＳｕ−Ａｇめっきを施した後、リフロー処理する。 （もっと読む）

【課題】カドミウムを含有する銅合金を再利用して銅合金製配管器材を設けることができ、この銅合金製配管器材からのカドミウムの溶出を抑制できるバルブ・管継手等の銅合金製配管器材のカドミウム溶出防止方法及びその銅合金製配管器材を提供する。
【解決手段】カドミウムが固溶した銅合金製配管器材の少なくとも接液部を、カドミウムよりも貴な金属を含有する金属塩水溶液内に浸漬させ、この配管器材の接液部表層のカドミウムを貴な金属と置換させてカドミウムの溶出を抑制したバルブ・管継手等の銅合金製配管器材のカドミウム溶出防止方法である。 （もっと読む）

【課題】導電性を有する基材粒子表面に均一なメッキ層を形成するメッキ装置を提供するものであり、メッキ液の攪拌による基材粒子の飛散を防止してメッキ効率に優れたメッキ装置にする。
【解決手段】メッキ液Ｌと基材粒子２０ａを貯留可能なメッキ室１１ｄを有するメッキ槽１１ａと、メッキ室１１ｄにメッキ液Ｌが貯留された状態でメッキ液Ｌに浸漬される陽極１３ａおよび陰極１３ｂと、陽極１３ａと陰極１３ｂとの間に電位差を与える電源１４と、陰極表面に沿ってメッキ液Ｌと基材粒子２０ａを流動させる流動発生手段１２ｅと、極性の異なる磁極面１５ａを複数並べて向きが交互になる複数の磁界１５ｂを形成する磁気回路１５とを備え、流動する基材粒子２０ａが前記複数の磁界中を通過するように磁気回路が配置されたメッキ装置１０とする。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での長時間の使用や硫黄成分の銀めっき層中への拡散による接触抵抗の上昇と表面の変色が有利に防止され得る銀めっき物とその有利な製造方法とを提供する。
【解決手段】金属素材１２の表面に、錫−ニッケルめっき層１６を０．１〜０．５μｍの厚さで形成した後、錫−ニッケルめっき層１６に対して、銀めっき層１８を０．１〜０．２μｍの厚さで積層形成し、その後、２６０〜４００℃の温度で１０〜３０分間の加熱処理を行って、錫−ニッケルめっき層１６と銀めっき層１８とを合金化して、目的とする銀めっき物１０を得るようにした。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）硫黄化合物、（Ｂ）エーテル結合を４個以上含有するポリアルキレングリコール化合物、（Ｃ）アゾ化合物、（Ｄ）硫酸銅五水和物、（Ｅ）硫酸、及び（Ｆ）塩化物イオンを含有することを特徴とする電気銅めっき浴。
【効果】本発明の電気銅めっき浴を用いれば、めっき時にボイドやシームが発生しにくく、小径のスルーホールに対しても電気銅めっき方法によって銅を充填することができる。また、従来法と比べて、工程数が減らせるため、コストダウンにも繋がり、逆電流を用いることがなく、直流電流でスルーホールへの銅の充填が可能となるため、工程の簡略化にも繋がる。更に、従来のペースト剤等の充填に比べ、めっきによって銅皮膜を充填した場合は、放熱性が優れる。 （もっと読む）

【課題】はんだ濡れ性及び導電性が確保され、Ｓｎめっき層に対して外力が作用する場合であってもウィスカの発生を抑制することができる電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品１は、金属材料で形成された本体部１１と、本体部１１の表面に被覆された下地めっき層１２に対してＳｎ又はＳｎ合金が被覆されることで形成されるＳｎめっき層１３と、を備えている。本体部の表面１１において、複数の凹凸部１４が繰り返し形成され、複数の凹凸部１４は、本体部の表面１１の面方向における凹凸部１４の最大寸法の平均値がＳｎめっき層１３の平均厚み寸法よりも大きくなるように形成される。また、複数の凹凸部１４は、凹凸部１４の深さ寸法の平均値が前記Ｓｎめっき層１３の平均厚み寸法よりも大きくなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】すずめっきの耐熱剥離性を改善したＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金すずめっき条を提供する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金を母材とするすずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＳ濃度及びＣ濃度をそれぞれ０．０５質量％以下に調整する。母材は、更にＳｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｌ及びＡｇの群から選ばれた少なくとも一種を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に光架橋性樹脂層を形成し、パターンの露光工程、現像工程を経て、めっきレジスト層を形成した後にめっき工程を行う金属パターンの作製方法において、膜厚が薄く、均一な光架橋性樹脂層を用いて、微細なめっきレジスト層を形成する方法を提供する。
【解決手段】めっき法による金属パターンの作製方法において、（ａ）基板２上に光架橋性樹脂層３を形成する工程、（ｂ）光架橋性樹脂層３を薄膜化する工程、（ｃ）パターンの露光工程、（ｄ）現像工程、（ｅ）めっき工程をこの順に含む金属パターンの作製方法。 （もっと読む）

【課題】安定的に貫通孔内にめっきを行うことができる電解めっき装置およびめっき方法を提供すること。
【解決手段】電解めっき装置は、陽極２１と、導電層１２に接続される陰極（図示略）と、基材１の絶縁層１１の他面を、電解めっき液Ｌを挟んで陽極２１と対向させ、貫通孔１１１から露出する導電層１２の一部に電解めっき液Ｌを接触させながら、陽極２１上および電解めっき液Ｌ上で基材１を搬送する搬送部２０とを備える。搬送部２０は、少なくとも基材１の導電層１２の周縁部の一部が上方側に反るように、前記基材１を保持しながら基材１を搬送するように構成されている （もっと読む）

【課題】電気めっき法によらずに、均一組織で薄膜のＳｎ−Ａｇ合金層を容易かつ確実に形成する。
【解決手段】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の上に、Ｓｎ又はＳｎ合金からなるＳｎめっき層を形成するＳｎめっき層形成工程と、Ｓｎめっき層の上に、保護剤が化学修飾したＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇナノ粒子を含む水とアルコールと有機バインダー又は有機溶剤との混合液を塗布することにより、Ａｇナノ粒子を分散させたＡｇナノ粒子膜を形成するＡｇナノ粒子膜形成工程と、次いで、リフロー処理することにより、Ｓｎめっき層の表面に、Ｓｎめっき層のＳｎ又はＳｎ合金とＡｇナノ粒子膜のＡｇ又はＡｇ合金とを合金化してなるＡｇ−Ｓｎ合金層を形成するＡｇ−Ｓｎ合金層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のＡｇ−Ｂｉ合金皮膜層を経済的に、しかも生産性よく、目標とする厚みに形成した電子部品材を提供する。
【解決手段】電子部品材１０は、素材１１の表面に、Ｂｉ１４の含有量が０．０１〜３ａｔ％であるＡｇ−Ｂｉ合金めっき層１２が設けられているので、安定した品質のＡｇ−Ｂｉ合金皮膜層を経済的に、しかも生産性よく、目標とする厚みに形成している。また、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき層１２の平均厚みは、０．２〜１０μｍである。 （もっと読む）

【課題】シード膜の溶解を抑制し、電解めっき後のめっき膜の未析や欠陥の発生を低減する方法を提供する。
【解決手段】実施形態の電子部品の製造方法は、シード膜形成工程Ｓ１１０とめっき工程Ｓ１１４とを備えたことを特徴とする。かかるシード膜形成工程Ｓ１１０では、基体上にシード膜を形成する。そして、かかるめっき工程Ｓ１１４では、窒素ガスでバブリングされているめっき液が供給されためっき槽中の前記めっき液に前記シード膜を浸漬させ、前記シード膜をカソードとして電解めっきを行なう。 （もっと読む）

【課題】銅張積層板を配線基板として機器内に組み込む際のハンドリング性に優れ、コネクタに接続される銅張積層板を提供する。
【解決手段】銅箔の片面に樹脂が積層され、樹脂と反対側の銅箔の表面の少なくとも一部にＮｉ下地めっき層が形成され、Ｎｉ下地めっき層上であってコネクタ２０を接続する部分にＡｕめっき層１２が形成され、Ａｕめっき層を外側として１８０度密着曲げを行った場合に、銅箔の導通が遮断されるまでの曲げ回数が３回以上である銅張積層板である。 （もっと読む）

【課題】液組成が中性〜酸性であっても十分に機能する封孔処理剤およびその封孔処理剤を用いた金めっき部材の封孔処理方法を提供する。
【解決手段】インヒビターがベンゾトリアゾールおよび２−カルボキシメチルチオベンゾチアゾールからなり、酸性または中性の溶液であることを特徴とする封孔処理剤。ｐＨが３．０以上であり、ベンゾトリアゾールおよび２−カルボキシメチルチオベンゾチアゾールの含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。上記の封孔処理剤を用いて基材を陽極電解処理する。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂との密着性を維持し、且つエポキシ樹脂成分の滲み出しのない、めっき表面形態をなしたニッケルめっきと金めっきを施したリードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレームの少なくとも半導体素子を搭載するパッド部上に、塩化物浴による結晶核となる山型状突起群が形成されるようにニッケルめっき１１を施した後、その上に延展性の良いニッケルめっき層１２を施して半球状の凹凸表面を形成し、更にその上にパラジウムめっき層と金めっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属部材に拡散防止や耐久性向上のためにＮｉもしくはＮｉ合金下地めっきを行い、その上にＡｇめっきを行った電気接点部に関し、耐摩耗性などの耐久性、耐熱密着性、製造コストなどの優れた接点部を製造する方法を提供する。
【解決手段】金属部材１上にＮｉストライクめっきを行った後、電解めっきによってＮｉ下地めっき層３を形成し、さらに、その上にシアン銀、シアン銅を含むめっき液を用いて電解めっきを行いＡｇ−Ｃｕ含有合金めっき層５を形成しためっき部材１０。 （もっと読む）

【課題】表裏両面が均一な形状で特にリチウムイオン二次電池のケイ素系活物質の特性を充分に発揮させて該二次電池の高容量と充放電の長寿命を同時に達成できる負極集電体用圧延銅箔または圧延銅合金箔を提供し、該圧延箔を用いた負極電極を提供することを課題とする。
【解決手段】銅或いは銅合金からなる未処理圧延箔の表裏両面に、パルス陰極電解粗化処理又は直流陰極電解粗化処理で銅又は銅合金からなる一次粗化処理層が設けられ、該一次粗化処理層表面に平滑メッキ処理により銅又は銅合金からなる二次粗化処理層が設けられているリチウムイオン二次電池の負極集電体用圧延箔、その製造方法である。
前記負極用圧延箔を集電体とし、該集電体の両面にケイ素系活物質を積層してなるリチウムイオン二次電池負極電極、その製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる下地基材に対するバリア性を高め、Ｃｕの拡散をより確実に防止して耐熱性を向上させ、高温環境下でも安定した接触抵抗を維持する。
【解決手段】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の上に、Ｎｉ−Ｗ合金層、Ｃｕ層又はＣｕ−Ｓｎ合金層からなる中間層、Ｓｎ又はＳｎ合金からなる表面層がこの順で形成され、Ｎｉ−Ｗ合金層の厚さが０．１〜１．０μｍ、Ｎｉ−Ｗ合金層中のＷ含有量が１０〜３５ａｔ％であり、かつ中間層の厚さが０．２〜１．０μｍ、表面層の厚さが０．５〜２．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系基材の表面に下地Ｎｉめっき層を有する最表面にＳｎめっきが施された、高温での暴露時に優れた接触抵抗性を有する導電性部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の表面に、Ｎｉ系下地層３を介して、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４、Ｓｎ系表面層５がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層はさらに、Ｎｉ系下地層の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層６と、Ｃｕ_３Ｓｎ層の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層７とからなり、これらＣｕ_３Ｓｎ層及びＣｕ_６Ｓｎ_５層を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層のＳｎ系表面層と接する面に凹凸を有しており、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層の凹部に対する凸部の厚さの比率が１．２〜５であり、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層の後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて測定した大傾角粒界比率が８０％以上であり、Ｎｉ系下地層中に０．１〜２．０重量％のＺｎを含有する。 （もっと読む）

【課題】低粗度でありながら絶縁性樹脂基材と強固な引きはがし強さが得られ、吸湿処理後、活性処理液浸漬後に引きはがし強さの劣化率が小さく、活性処理液浸漬後にしみ込み量が少なく、エッチング性に優れた処理銅箔を提供すること。
【解決手段】絶縁性樹脂基材に接着される処理銅箔１面に粗化処理層、クロメート層及びシランカップリング剤層が順次設けられており、当該処理銅箔１面の十点平均粗さRzが1.0μm〜2.7μmであり、かつ、当該処理銅箔１面177μm²の表面積を可視光限界波長408nmのバイオレットレーザーを使用して測定した前記粗化処理層を形成する粗化粒子２（局部山頂）の平均間隔S５が0.210μm以下（但し0は含まない）であることを特徴とする銅張積層板用処理銅箔。 （もっと読む）