説明

Fターム[4K024BB10]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | 被メッキ物の用途 (2,912) | 電気電子部品 (1,847) | 接点 (297)

Fターム[4K024BB10]に分類される特許

281 - 297 / 297


【課題】鉛フリーの錫メッキを施したフラットケーブル等の電気導体部品において、外部応力を受ける部分でのウイスカの発生が防止された電気導体部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気接続部分に厚さ0.2μm〜1.0μm未満の錫メッキ2を施している。錫メッキ2は、熱処理により錫メッキ2の錫と電気導体1との合金層4の比率が50%以上となるようにする。また、錫メッキ2にビスマスを1.0%以上添加して、半田濡れ性を向上させ、下地金属として厚さ0.1μm〜2.0μmのニッケルメッキ5を施して電気導体1の酸化劣化を防ぎ、さらに、錫メッキ2に封孔処理剤を塗布して、電気接続に対する信頼性を高める。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性(低融点)を両立させるとともに、薄くかつ均一な厚みを有するSn合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にSn−Ag−Cu三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともSn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】Cu又はCu合金からなる母材表面に表面多層めっき層を形成した材料について、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】 Cu又はCu合金からなる母材表面に、Ni層、Cu−Sn合金層及びSn層からなる表面めっき層がこの順に形成され、かつ前記Ni層の厚さが0.1〜1.0μm、前記Cu−Sn合金層の厚さが0.1〜1.0μm、そのCu濃度が35〜75at%、前記Sn層の厚さが2.0μm以下で、かつ0.001〜0.1質量%のカーボンを含有する。Sn層の厚さが0.5μm以下の場合、多極の嵌合型端子用として用いたときに挿入力が低く、Sn層の厚さが0.5μmを越える場合、リフローソルダリング等の加熱処理を受けた後でもはんだ濡れ性が確保されJBのような非嵌合型接続部品用として適する。 (もっと読む)


【課題】携帯電話やコードレス電話の充電部のコネクタ接続端子において、耐腐食性を向上させ、金属腐食による電気接続部における通電不良の発生をなくし、コネクタ接続端子の信頼性を高める。
【解決手段】銅系基材11の表面にニッケル層12を形成し、このニッケル層を下地としてさらにロジウム層13を順次形成する。このことにより、充電時の腐食作用にも耐えられる耐腐食性の極めて優れたコネクタ接続端子が得られ、また、めっき工数の低減による製造工程の簡略化に伴い低コスト化を実現でき、特に携帯電話の電池パック、充電パットや狭ピッチコネクタのコネクタ接続端子として有効に使用できる。 (もっと読む)


【課題】 接触抵抗の経時変化が小さく、耐摩耗性に優れ且つ摩擦係数が低い錫めっき材を提供する。
【解決手段】 錫層中に0.1〜1.0重量%炭素粒子が分散した複合材からなる厚さ0.5〜10.0μm、好ましくは1.0〜5.0μmの皮膜を素材の最外層に形成することにより、同一の錫めっき材との間の動摩擦係数を0.20以下、リフローSnめっき材との間の動摩擦係数を0.20以下にするとともに、接触抵抗を1mΩ以下にする。 (もっと読む)


【課題】100万回以上の繰り返し打鍵試験をクリアできる電気接点部材の提
供。
【解決手段】基板2表面に、ニッケルメッキ層3を形成し、ニッケルメッキ層
3上にフラッシュメッキによって0.5μm厚以下の銅メッキ層4を形成し、銅
メッキ層4上には銀メッキ層5を形成したステンレス鋼からなる金属板を加工し
て形成する。 (もっと読む)


【課題】 摩擦係数が低く(低挿入力)、高温長時間保持後も接触抵抗が低く維持できる嵌合型端子用導電材料を得る。
【解決手段】 Cu合金板条からなる母材の表面に、CuSn相を主体とするCu−Sn合金被覆層と、Sn被覆層がこの順に形成された導電材料。前記Cu−Sn合金被覆層の材料表面露出面積率が3〜75%、平均の厚さが0.1〜3.0μm、かつCu含有量が20〜70at%、Sn被覆層の平均の厚さが0.2〜5.0μmである。この導電材料は、母材表面を、少なくとも一方向の算術平均粗さRaが0.15μm以上かつ全ての方向の算術平均粗さRaが4.0μm以下の表面粗さに粗面化し、該母材表面に、平均の厚さが0.1〜1.5μmのCuめっき層及び平均の厚さが0.3〜8.0μmのSnめっき層をこの順に形成した後、リフロー処理を行うことにより製造する。 (もっと読む)


基板表面の改良された金属コーティングまたは金属析出物を提供する方法、このような金属析出物を提供するために使用されるめっき溶液の改良及び金属コーティング済み基板の物品。金属コーティングのはんだ付け性は、金属コーティング中に微量のリンを取り入れて、それに続く加熱の最中の表面酸化物形成を低減し、従って金属コーティングの長期はんだ付け性を向上することによって向上する。リンは好都合に、金属コーティングを基板表面に提供するために使用される溶液中にリンの源を取り入れることによって金属コーティング中に提供され、次に、金属コーティングが溶液から基板表面に提供される。 (もっと読む)


【課題】100万回以上の繰り返し打鍵試験をクリアできるプッシュスイッチ
の提供。
【解決手段】プッシュスイッチの電気接点部材としてステンレス鋼からなる薄
板状の基板2表面に、ニッケルメッキ層3を形成し、ニッケルメッキ層3上にフ
ラッシュメッキによって0.5μm厚以下の銅メッキ層4を形成し、銅メッキ層
4上には銀メッキ層5を形成した金属板を加工した電気接点部材を使用する。 (もっと読む)


【課題】 湿潤雰囲気で長期間使用した後でも低接触抵抗を示すステンレス鋼製接点材料を提供する。
【解決手段】 Cu:1.0質量%以上,Cr:9質量%以上を含み、Cuリッチ相2が0.2体積%以上の割合でマトリックスに分散したステンレス鋼1を基材とし、膜厚:0.05〜0.7μmのNiめっき層3が基材表面に形成された接点材料である。Cuリッチ相に代え、Cu/(Si+Mn)の質量比が0.5以上のCu濃化層を極表層に形成しても、低接触抵抗を維持する接点材料となる。 (もっと読む)


【課題】 機械的圧縮応力が付与される部分において短絡の発生および接触抵抗の増大を有効に防止し、はんだ付けされる部分においてはんだ合金の濡れ性に優れたコネクタ端子を提供すること。
【解決手段】 母材上に純ニッケル層、ニッケル−スズ金属間化合物層、ニッケル−スズ金属間化合物および純スズからなる混在層および酸化スズ層を順次、有するメッキ層構造を、機械的圧縮応力が付与される部分に有してなるコネクタ端子であって、混在層におけるニッケル−スズ金属間化合物の一部が酸化スズ層と接触しているコネクタ端子。 (もっと読む)


【課題】分散剤などの添加物を使用することなく且つ炭素粒子の表面をコーティングすることなく、銀めっき液中に炭素粒子を良好に分散させて、炭素粒子の含有量および表面の炭素粒子の量が多く、耐摩耗性に優れた複合めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素粒子を水中に懸濁させた後に酸化剤を添加して炭素粒子の湿式酸化処理を行い、この湿式酸化処理を行った炭素粒子をシアン系銀めっき液に添加して電気めっきを行うことにより、銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する。 (もっと読む)


【課題】組立時にコネクタ端子の表面に傷などが生じても耐腐食性の低下を防ぐ。
【解決手段】組立工程においては端子部2並びに保持部4のところで圧入治具50とコネクタ端子1とが接触しているために当該接触部位にて封孔処理剤の被膜やめっき等に傷が付きやすい。また端子部2の切断面では銅素材が露出してしまうために切断面を含めた上記傷の部分で腐食が発生しやすなる。そこで、組立工程の後に第2の封孔処理工程を行い、傷によってめっきが露出している部位や銅素材が露出している切断面に封孔処理剤を塗布して封孔処理を施す。すなわち、めっきや銅素材が露出した部位を封孔処理剤の被膜で覆うことによって耐腐食性の低下を防ぐことができる。 (もっと読む)


本発明は、電気的接続のための部材上にSnリッチ堆積層を有する電子部品であって、Snリッチ堆積層が、堆積表面に対して平行な方向におけるサイズよりも堆積表面に対して垂直な方向におけるサイズの方が小さい粒子からなる微細粒Snリッチ堆積層である電子部品に関する。本発明はまた、電気的接続のための部材上にSnリッチ堆積層を形成するために電子部品をメッキするプロセスであって、開始添加物及び光輝性添加物が含まれているスズメッキ溶液の組成を調整するステップと、前記スズメッキ溶液中を通して前記電子部品を動かして、電気的接続のための前記部材上に前記Snリッチ堆積層を形成するステップと、を含むプロセスに関する。従来の技術と比較すると、本発明は、低コストで且つ信頼できる特性をもってウィスカ成長を有効に抑制することができる。
(もっと読む)


金属支持体(2)を有し、その上にコンタクト層(3)が勾配層の形で設けられている電気コンタクト、特に差込接続の電気コンタクトが提案されている。この勾配層(3)は、少なくとも2種の元素から形成されていて、その一方は銀であり、かつ第2の元素のためのマトリックスを形成するかもしくは第2の元素と合金されているか、又はその一方はニッケルであり、かつその他方はリンであるか、又はその一方はインジウムであり、かつその他方はスズである。
(もっと読む)


【課題】接点と半田付け端子を有する電子部品の表面処理方法において、電子部品を回路基板に半田付け実装する時に、接点方向への半田吸い上がりを防止すると共に、耐腐食性能の向上と低コスト化を図る。
【解決手段】金属板の一端に接点部を、他端に回路基板に半田付け実装される端子部を有する電子部品の表面処理方法において、金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と(S1)、下地めっき処理された金属板の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように貴金属めっき層を形成する工程と(S2)、均一に熱処理を施すことにより、めっき皮膜厚み差を利用して選択的に薄い貴金属めっき層の表層に下地ニッケル拡散により、半田バリアとなる酸化膜を成膜する工程と(S3)を備えた。 (もっと読む)


【課題】 微細化、狭ピッチ化が進んでいるコンタクトプローブとして使用可能なニッケルバンプを、湿式めっきプロセスを用いて形成する方法を提供すること。
【解決手段】 微小開口部を有するフォトレジストで被めっき基板を被覆し、次いで当該被めっき基板を、添加剤として次の式(I)、
【化1】


(式中、Rは水素原子または水酸基を示し、Rは水素原子またはビニル基を示す)
で表されるピリジニウムプロピルスルホネートまたはその誘導体を含有するニッケルめっき浴により電気めっきし、前記微小開口部部分にニッケルめっき皮膜を析出させることを特徴とするマイクロバンプの形成方法。 (もっと読む)


281 - 297 / 297