【課題】長寿命の可動接点が高歩留まりで得られる銀被覆ステンレス条を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼基材表面の少なくとも一部に厚さ０．０１〜０．１μｍのニッケル下地層が形成され、前記ニッケル下地層は４０〜９０℃の温度で３秒以上保持する活性化処理が施されており、前記活性化処理後のニッケル下地層上にニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金の少なくとも１種からなる厚さ０．０５〜０．２μｍの中間層が形成され、前記中間層上に銀または銀合金の最表層が形成された可動接点用銀被覆ステンレス条。前記銀被覆ステンレス条は前記ニッケル層に４０〜９０℃の温度で３秒以上保持する活性化処理を施す以外は常法により製造できるので生産性に優れる。しかも前記活性化処理温度は前記ニッケル層の形成を含むめっき前処理で使用される電流とステンレス鋼材の電気抵抗による発熱により付与できるので低コストである。 （もっと読む）

【課題】本発明の主要な課題は、コネクタ、端子、スイッチ及びリードフレーム等の電子部品に使用可能な銅または銅合金の、簡便かつ比較的安価に実施可能なウィスカー抑制のための表面処理方法を施したＳｎまたはＳｎ合金めっき条およびこれを用いた電子部品を提供することである。
【解決手段】 銅または銅合金条の表面に施したリフローＳｎまたはＳｎ合金めっき皮膜内の残留応力が引張り応力であり、かつその大きさが０．１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であることを特徴とする低ウィスカー性リフローＳｎまたはＳｎ合金めっき条及びこれを用いた電子部品。 （もっと読む）

【課題】プレスフィット端子や基板のスルーホールのめっきプロセスが複雑になったりせず、プレスフィット接続した後に加熱溶融工程等の後工程を追加する必要がなく、接続が安定していると同時に長期に渡り基板の絶縁性能を低下させず、良好な保持力を有するプレスフィット端子と基板の接続構造を提供する。
【解決手段】基板２のスルーホール３にプレスフィット端子１が圧入状態で挿入されてなるプレスフィット端子１と基板２の接続構造において、プレスフィット端子１の少なくとも基板挿入部分に端子めっき層４が設けられ、スルーホールの少なくともプレスフィット端子接合部分にスルーホールめっき層５が設けられ、端子めっき層４とスルーホールめっき層５の金属に相互溶解度の高い組み合わせを選択した。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルフラットケーブルにおいて、導体表面でのウイスカの発生を確実かつ大幅に抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明のフレキシブルフラットケーブルは、Ｃｕ（銅）の基材１０上にＣｕ_３Ｓｎ_１（銅−錫系）の合金層１１が形成されているとともに、当該合金層１１上にＣｕ_６Ｓｎ_５（銅−錫系）の合金層１２が形成されている導体を有する。これにより、導体表面の硬度が高くなって当該導体表面の応力変形が軽減され、導体表面でのウイスカの発生が確実かつ大幅に抑制される。 （もっと読む）

【解決手段】錫又は錫合金皮膜にＭｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓｂ及びＢｉから選ばれる１種又は２種以上の金属を連続又は不連続に、かつ上記錫又は錫合金皮膜表面の一部が露出するように被着させる表面処理により、基体上の他部材が圧接固定される面や被はんだ接合部などに形成された錫又は錫合金皮膜のウィスカの発生を抑制する。
【効果】Ｓｎ又はＳｎ合金皮膜上に所定の金属を連続又は不連続に、かつ上記錫又は錫合金皮膜表面の一部が露出するように被着させることにより、接圧ウィスカの発生を抑制することができ、また、金属被着後、熱処理、リフロー処理を実施しなくとも、皮膜のはんだ濡れ性を損なうことなく、ウィスカの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 摩擦係数が低く（低挿入力）、高温長時間保持後も接触抵抗が低く維持できる嵌合型端子用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ合金板条からなる母材の表面に、Ｃｕ_６Ｓｎ_５相を主体とするＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と、Ｓｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。前記Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の材料表面露出面積率が３〜７５％、平均の厚さが０．１〜３．０μｍ、かつＣｕ含有量が２０〜７０ａｔ％、Ｓｎ被覆層の平均の厚さが０．２〜５．０μｍである。この導電材料は、母材表面を、少なくとも一方向の算術平均粗さＲａが０．１５μｍ以上かつ全ての方向の算術平均粗さＲａが４．０μｍ以下の表面粗さに粗面化し、該母材表面に、平均の厚さが０．１〜１．５μｍのＣｕめっき層及び平均の厚さが０．３〜８．０μｍのＳｎめっき層をこの順に形成した後、リフロー処理を行うことにより製造する。 （もっと読む）

【課題】インデント加工して錫リフロー材などの他の種類の錫めっき材上で複数回摺動させても摩擦係数が極めて低い複合めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】錫めっき液に炭素粒子および芳香族カルボニル化合物を添加した複合めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する際に、複合めっき液中の炭素粒子の濃度を８０ｇ／Ｌ以上、好ましくは８０〜１５０ｇ／Ｌにする。 （もっと読む）

本発明は、担体材料と金または金合金から成るスリップコンタクト面とから形成されたスリップリングボディと、制御信号、制御電流およびジェネレータ電流を伝送するための（とりわけ風力設備または工業用ロボットにおける）スリップリング伝送器にスリップリングボディを使用する方法とに関する。前記スリップコンタクト面は、サポートベースによって安定化される。このような構成により、寿命が長くなり、品質の改善と関連して電圧降下が小さくなり、金が著しく削減される。
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【課題】銀めっき液に酸化処理を行った炭素粒子と銀マトリックス配向調整剤とを添加した複合めっき液を使用して、銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜が素材上に形成された複合めっき材を製造する方法において、めっきの際の電流密度を高くしても複合めっき材の耐摩耗性の低下を防止することができる、複合めっき材の製造方法を提供する。
【解決手段】複合めっき液中の遊離シアンに対する銀のモル比を０．７以上、好ましくは０．７〜１．３に調整するとともに、銀マトリックス配向調整剤として、セレンイオンを含む銀マトリックス配向調整剤、好ましくはセレノシアン酸カリウムを使用して、複合めっき液中の銀マトリックス配向調整剤の濃度を５〜２０ｍｇ／Ｌに調整する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金のリフローＳｎめっき条について、コネクタに加工後の挿入力を低減するための新たなめっき技術を提供する。
【解決手段】２〜１２質量％のＺｎ、０．１〜１．０質量％のＳｎを含有し、Ｓｎの質量％濃度（［％Ｓｎ］）とＺｎの質量％濃度（［％Ｚｎ］）との関係が、
０．５≦［％Ｓｎ］＋０．１６［％Ｚｎ］≦２．０
の範囲に調整され、残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅合金を母材とし、表面から母材にかけてＳｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｃｕ相の各層でめっき皮膜が構成されるすずめっき条において、Ｓｎ相表面のＺｎ濃度を０．５〜３．０質量％に調整する。好ましくはＳｎ相の厚みが０．１〜０．８μｍ、Ｓｎ−Ｃｕ合金相の厚みが０．５〜１．５μｍ、Ｃｕ相の厚みが０〜０．４μｍであり、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｌ及びＡｇの群から選ばれた少なくとも一種を含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】適切な下地層を形成したＣｕコアボール及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕを主成分とする芯ボール１とその表面にＳｎ系皮膜３を有するＣｕコアボールであって、前記芯ボールとＳｎ系皮膜の間に６質量％超１５質量％以下のＰを含有するＮｉ−Ｐ非晶質合金下地層２を有することを特徴とするＣｕコアボール、及びその製造方法である。これにより、１５０℃５００時間の耐熱試験でのシェア強度低下率の小さい信頼性の高いＣｕコアボールとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 外部端子の外観不良を解消し、量産性に優れた電子部品、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基体１００は、外面に露出する内部電極を有している。活電端子２０は、下地電極膜２１と、メッキ膜２２とを有し、基体の外面であって、内部電極が露出する部分に付着されている。下地電極膜２１は、内部電極の露出部に付着されており、メッキ膜２２は、下地電極膜２１の表面に付着されている。非活電端子３０は、下地電極膜３１と、メッキ膜３２とを有し、基体１００の外面に付着されている。下地電極膜３１は、基体１００の外面に付着されており、メッキ膜３２は、下地電極膜３１の表面に付着されている。下地電極膜３１は、下地電極膜２１より厚い。 （もっと読む）

【課題】金属堆積物に対する腐食及びはんだ付け性の問題を解決することを試みる方法があるが、腐食を抑制し、はんだ付け性を改善するための改善された方法が依然として必要とされている。
【解決手段】方法及び物品が開示される。方法は、基体上にニッケルデュプレックス層を堆積させ、基体の腐食を抑制し、且つはんだ付け性を改善するためにことを対象とする。該基体は金または金合金仕上げを有する。 （もっと読む）

【課題】 疲労特性に優れる銅合金Ａｕめっき条。
【解決手段】 Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金、りん青銅、丹銅、黄銅、チタン銅等の銅合金条の表面に、電気めっきによりＡｕめっき皮膜が形成され、該銅合金条及びＡｕめっき皮膜中の平均水素濃度が５質量ｐｐｍ以下である銅合金Ａｕめっき条であり、Ｎｉ下地めっき相が存在しても良く、好ましくはＡｕ相厚み０．０２〜２．０μｍ、Ｎｉ相厚み０．１〜１０μｍであり、Ａｕめっきは、更にＮｉ、Ｃｏ、Ａｇ、及びＩｎの群から選ばれた１種以上を合計で０．１〜１０．０質量％含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】高温に曝される状況下であっても、下地めっき層に含まれる成分（たとえばニッケル）が、表面めっき層に拡散するのを効果的に抑制し、表面めっき層と導電性接続材との接続安定性および信頼性を向上させ、またリペア性を向上させる
【解決手段】絶縁部材３０に形成された配線層３１，３２の所定部分に、下地めっき層３５，３６および表面めっき層３７，３８が積層形成された配線付き絶縁部材３において、下地めっき層３５，３６における表面めっき層３７，３８と接する表層部の全体３５Ｂ，３６Ｂを、ニッケルと、コバルトおよび鉄のうちの少なくとも一方とを含んだ固溶体を有するものとした。 （もっと読む）

【課題】 挿抜性及び耐熱性に優れる銅合金すずめっき条。
【解決手段】
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金、りん青銅、黄銅、丹銅、チタン銅等の銅合金条の表面に、下地めっき、Ｓｎめっきの順で電気めっきを施し、その後、リフロー処理を施しためっき条であり、表面から銅合金条母材にかけて、Ｓｎ相を溶解除去し、Ｃｕ−Ｓｎ合金相を表面に現出させたときに、このＣｕ−Ｓｎ合金相の平均粗さＲａが０．０５〜０．３μｍである挿抜性及び耐熱性に優れる銅合金すずめっき条であり、めっき相の厚みはそれぞれ、（１）Ｓｎ相の平均厚みが０．０２〜２．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金相の厚みが０．１〜２．０μｍ、Ｃｕ相の厚みが０〜２．０μｍでもよく、（２）Ｓｎ相の平均厚みが０．０２〜２．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金相の厚みが０．１〜２．０μｍ、Ｎｉ相の厚みが０．１〜２．０μｍでもよい。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理後の錫めっき皮膜の変色、ヨリを防止し、はんだぬれ性を有する錫皮膜を提供する。
【解決手段】 特定の化合物を含む水溶液を、錫めっき皮膜のリフロー処理を施す前に錫皮膜と接触させることを特徴とする、錫皮膜表面処理方法およびそれに用いる表面処理液。 （もっと読む）

【課題】 半田付けしたときの強度を保持し、かつ、半田付けするときの融点を低温化できる金属ボールを提供する。
【解決手段】 金属ボール１０は、コアボール１と、反応抑制層２と、めっき層３とを備える。コアボール１は、直径が５０μｍ〜１０００μｍの範囲である銅（Ｃｕ）からなる。反応抑制層２は、ニッケル（Ｎｉ）からなり、０．１〜５μｍの範囲の膜厚を有する。めっき層３は、錫ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ合金）からなり、０．１μｍ〜１００μｍの範囲の膜厚を有する。そして、めっき層３は、錫（Ｓｎ）が最内周から最外周へ向かって減少し、ビスマス（Ｂｉ）が最内周から最外周へ向かって増加するように電気めっきにより作製される。 （もっと読む）

【課題】 金属メッキの表面の凹凸形状を大きくすることができる電気接点材料製造方法及び電気接点材料を提供する。
【解決手段】 母材２に電機メッキを施す際、電気メッキの初期段階において過電流を流し、その後は通常値の電流を流して母材２に銀メッキを形成する。この処理として、まず過電流を流す漕である第１メッキ漕３ａに、メッキに必要な量の母材２を巻き取って導入する。母材２が第１メッキ漕３ａにセットされると、メッキ液４に浸された母材２と電極との間に過電流を流し、メッキ液４に浸されている母材２に銀メッキを形成する。続いて、第１メッキ漕３ａで銀メッキが形成された部分が第２メッキ漕３ｂにセットされ、その母材と電極との間に通常値の電流が流され、先程の銀メッキに銀成分を積み重ねることで必要な厚みを有した銀メッキを形成する。 （もっと読む）

【課題】 金属体に含まれるグラファイトの定着性を向上することができる電気接点材料製造方法及び電気接点材料を提供する。
【解決手段】 電気接点材料１０の母材の表面に、電気メッキによって銀メッキ８を形成する。電気メッキによって銀メッキ８を形成する際、メッキ液中にグラファイト９の粉末を混入することで、銀メッキ８にはグラファイト９が分散されている。グラファイト９にはそれ自体に潤滑作用があるため、銀メッキ８にグラファイト９が含有された材料を電気接点材料１０として用いた場合には、グリースやオイル等の潤滑剤を塗布しなくて済むことから、この電気接点材料１０はグリースレス摺動接点として使用される。銀メッキ形成後、電気接点材料１０に高温化処理を施すことで銀メッキ８の表面８ａを溶融し、表面８ａ上のグラファイト９を銀メッキ８に定着させる。 （もっと読む）