本発明は、化学的な方法及び／又は電気メッキ法により金属塩溶液から金属を蒸着することによって、基材に対して金属層を塗布する方法に関し、且つかかる方法における重大な要因は、カーボンナノチューブが基材の表面に存在することである。更に本発明は、カーボンナノチューブを、基材に対する金属層の塗布に使用する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたビアホールに、良好な埋設特性でメッキ法により導電材料を埋設して電子部品を製造する。
【解決手段】基板に形成された複数の貫通穴を塞ぐように設置される導電層を複数の領域に分割し、当該複数の領域の導電層に流れる電流を個別に制御して前記貫通穴に電解メッキ法により導電材料を埋設するメッキ工程と、前記導電材料に接続される導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】基体上に形成された錫めっき皮膜であって、該錫めっき皮膜が２層以上の多層で構成され、上記多層のうちの１層が、上記基体に接して設けられた厚さ０．１〜２０μｍのバリア層であり、かつ他の１層が、基体から離間する側の表面部に設けられた厚さ０．１〜２０μｍの表面層であり、上記バリア層と基体との界面に形成される金属間化合物の均一性の変動係数ＣＶ値が４０％以下である錫めっき皮膜。
【効果】本発明の錫めっき皮膜は、錫−鉛合金めっきの代替として有用であり、錫皮膜において問題となるウィスカの発生を効果的に抑制したものである。そして、本発明の錫めっき皮膜は、一般的な錫めっき皮膜の作製工程とほとんど差がない簡便な、効率的な錫電気めっきで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ウィスカの発生及びはんだ付け性の劣化を確実に防止するとともに量産性を向上させることの可能な電気接続用端子及びその加熱処理方法並びに加熱処理装置を提供する。
【解決手段】一端側のめっき層のみを、電磁波加熱によりリフローすることにより形成したので、ウィスカの発生を防止することができ、ウィスカによる各端子１０間の短絡を確実に防止することができる。また、各端子１０の他端側のめっき層の厚さ寸法にばらつきが発生しないので、他端側のはんだ付け性を劣化させることがなく、接触不良を確実に防止することができる。さらに、めっき層の加熱範囲を広くすることができるので、例えばレーザビームのように加熱範囲を移動させる必要がないことから、めっき層のリフローに要する時間を短縮することができ、電気接続端子の量産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】銅箔のドラム表面から転写するスジに影響されるＳ面ではなく、表面の凹凸を減少させた、平滑なＭ面を有する表面処理電解銅箔を提供することを目的とする。
【解決手段】電解銅箔のドラムに接した面と反対側の面であるＭ面に表面処理を施し、該Ｍ面のＲｚ：１．０μｍ以下、Ｒａ：０．２μｍ以下とした表面処理電解銅箔である。
本発明銅箔は、銅濃度が５０〜８０ｇ／ｌ、硫酸濃度が３０〜７０ｇ／ｌ、液温が３５〜４５℃、塩素濃度が０．０１〜３０ｐｐｍ、有機硫黄系化合物・低分子量膠・高分子多糖類の添加濃度が合計で０．１〜１００ｐｐｍ、ＴＯＣが４００ｐｐｍ以下である硫酸銅浴を用い、電流密度が２０〜５０Ａ／ｄｍ^２の条件で電解銅めっきを行って銅箔を製造し、該銅箔のＭ面に表面処理を施し、該Ｍ面のＲｚ：１．０μｍ以下、Ｒａ：０．２μｍ以下とした表面処理電解銅箔の製造方法で製造する。 （もっと読む）

【課題】可視光領域において高い反射率を有する銀膜を提供する。
【解決手段】本願発明の発明者らは、精力的な研究を重ねてきた結果、銀めっき層の最表面の結晶粒径を０．５［μｍ］以上３０［μｍ］以下の範囲内にすることにより、可視光領域において９０〜９９［％］程度の高い反射率を有する銀膜を形成することができることを知見した。 （もっと読む）

【課題】帯状のフィルムを一定方向に搬送する際に、めっき槽や洗浄槽の液中ローラとフィルムとのスリップを抑制し、フィルム表面に傷が発生することを抑制する装置の提供。
【解決手段】めっき槽や洗浄槽に液中ローラ６２Ａが設けられる。液中ローラ６２Ａは、固定支持された軸体１５２と、軸体１５２が挿通される円筒体１５４と、円筒体１５４の両端部を塞ぐ側面体１５６とを備えている。側面体１５６は、軸受１５８を介して軸体１５２に支持されており、円筒体１５４には感光ウエブが巻き掛けられている。円筒体１５４の両端部には複数の開孔１６０が設けられ、円筒体１５４の感光ウエブと接触する周面には、スパイラル状の溝１６２が形成されている。この液中ローラ６２Ａを備えためっき槽や洗浄槽からなる被膜付きフィルムの製造装置。 （もっと読む）

【課題】銅箔とポリイミドとの密着性が向上し、耐酸性を維持させながらエッチングし易い、プリント配線板、ＣＯＦ及びＦＰＣ用の表面処理銅箔を提供することを目的とする。
【解決手段】銅層の少なくとも一方の面上に燐含有ニッケル−モリブデンからなる表面処理層又は燐−ニッケル−モリブデンを少なくとも含有する表面処理層を形成した表面処理銅箔である。
また、銅層の少なくとも一方の面上に形成された燐含有ニッケル層又はニッケル合金層上に、モリブデン又はモリブデン合金層を形成した表面処理銅箔である。 （もっと読む）

【課題】めっきシード層の抵抗が比較的高い場合であっても均一な膜厚にめっきを施すことができ、製品の形成精度を向上させ、製品の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板１０上にめっきを形成する方法において、抵抗体からなる基板１０上に、該基板１０への導通部１６ａを有する絶縁層６０を形成し、該絶縁層６０上に、前記導通部１６ａを介して前記基板１０と電気的に導通するめっきシード層１２を形成し、該めっきシード層１２を給電層として該めっきシード層１２上にめっき膜１３を形成することを特徴とするめっき方法。 （もっと読む）

【課題】コア基板１に形成した貫通孔４内に電解めっきで金属めっき柱５を形成し、その際に、その金属めっき柱５と一体の薄い金属めっきにより上下のランドパターン６と配線パターン７を形成することで、その配線パターン７を高密度に形成する。
【解決手段】貫通孔４を有するコア基板１を、平滑剤を含む電解めっき浴中に浸漬させ、コア基板１の第１の面２への電解めっきの電流密度を、第２の面３への電解めっきの電流密度よりも大きくすることで、コア基板１の貫通孔４の第１の面２側の開口部を電解めっきの層で閉塞する第１の工程と、次に、第１の面２と第２の面３への電解めっきの電流密度を入れ替えて電解めっきすることで、貫通孔４を金属めっき柱５で充填する第２の工程により印刷配線板を製造する。 （もっと読む）

【課題】銅シード層を設けた半導体ウェハーの、トレンチ・ビアの入り口付近に過剰に付着した銅シード層を溶解し、その後電気銅めっき、無電解銅めっきによるネッキングを防止し、トレンチ・ビア内部の完全な埋め込みが可能となる前処理剤を提供することを目的とする。
【解決手段】アンモニウムイオン濃度が０．１ｇ／Ｌ以上で、ｐＨが１１以上であることを特徴とするシード層を有する半導体ウェハーの前処理剤。該前処理剤は、金属イオンを含有しないことが好ましく、更に界面活性剤を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ハロゲン化銀粒子を含む層を有する原版（電磁波遮蔽材料用原版）を用いて、高い導電性と、光透過性を有し、電子ディスプレイ機器の画像表示面からの電磁波をシールドするのに好適な透光性の電磁波遮蔽材料を得ることにある。
【解決手段】支持体上に、少なくともハロゲン化銀粒子と、架橋性バインダー樹脂、及び前記架橋性バインダー樹脂に架橋していない水溶性化合物、を含有する層を有する電磁波遮蔽材料用原版に、パターン露光、現像処理、物理現像及び／又はメッキ処理、を順次行うことを特徴とする電磁波遮蔽材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非導電性基板表面、特にポリイミド表面に直接金属層を形成する方法を改良することに関する。
【解決手段】本発明に係る方法は、過酸化物を含む酸性のエッチング液を用いて基板表面をエッチングする工程と、前記被エッチング基板表面を、過マンガン酸塩を含む酸性の処理溶液に接触させる工程と、前記処理された基板表面を、過酸化物を含む酸性の活性化溶液にて活性化する工程と、前記活性化された基板表面を、少なくとも一種のチオフェン誘導体及び少なくとも一種のスルホン酸誘導体を含む酸性の触媒溶液に接触させる工程と、酸性の電気めっき槽にて上記処理された基板表面に金属層を形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】錫−銅合金、錫−銀合金および錫−銅−銀合金から選ばれた錫合金電気めっき皮膜に見られるウイスカ発生を、リフロー処理を利用せずに抑制する。
【解決手段】使用する電気めっき浴にボイド形成剤を含有させることによりめっき皮膜に微小なボイドを導入して、皮膜を軟質化する。錫−銅合金めっき皮膜の場合、ボイドを含有しないめっき皮膜のビッカース硬度を１００％として、ビッカース硬度が８０〜９５％になるようにボイドを導入する。 （もっと読む）

【課題】高温下の環境に置かれてもキャリア箔と極薄銅箔とを容易に剥がすことができるキャリア付き極薄銅箔を提供する。並びに、前記キャリア付き極薄銅箔を使用したファインパターン用途の銅張積層板、プリント配線板を提供する。
【解決手段】キャリア箔、剥離層、極薄銅箔からなり、前記剥離層と極薄銅箔間に、Ｐの酸化物又は／及び水酸化物、又は／及びＰを含有する合金が介在するキャリア付き極薄銅箔である。
前記Ｐの付着量は、０．００１ｍｇ／ｄｍ^２〜１ｍｇ／ｄｍ^２である。
また、係るキャリア付き極薄銅箔を用いて銅張積層板、プリント配線基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】０．０５ミクロンから１ｍｍの微小なスルーホールやビアホールを有するプリント基板の配線形成時のめっきなど、微小な凹部空間を有する材料のめっきにおいて、凹部空間内表面に金属をめっきする方法の提供。
【解決手段】凹部空間を有するべきプリント基板などの被めっき対象物２をめっき液中に浸漬させ、任意の強さの磁場１を印加し、ローレンツ力によりＭＨＤ流れ４と拡散層慮域３におけるマイクロＭＨＤ流れ５を生じさせてめっきを行う凹部空間内表面に金属をめっきする方法。 （もっと読む）

【課題】 メッキラインで使用するメッキ治具内の電子回路基板のメッキ厚をほぼ均一にし、メッキ不良品の製造を防止する。
【解決手段】 メッキすべき電子回路基板をメッキ治具２３に取り付けて保持し、前記メッキ治具２３をメッキラインのメッキ治具搬送装置２１へ取り付けた後、このメッキラインにて前記メッキ治具２３内の電子回路基板の抵抗値を測定し、この測定された測定値が予め設定された抵抗設定値以下のときはメッキ処理を行い、一方、前記測定値が前記抵抗設定値より大きいときは前記メッキ治具２３をメッキラインから除外することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面欠点の少ない高品位なめっき被膜が製膜可能なウェブの連続電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】導電性が付与されたウェブの端部のみを圧接するように、ウェブを挟んで対向した少なくとも２つの回転体を有し、その回転体の内少なくとも１つが給電電極であり、これらの回転体がウェブ搬送速度と略同速で回転する構成を有する。 （もっと読む）

【課題】 ２つの工程を含む電解銅めっき方法を提案する。方法は、非常に狭い場所のめっきに特に適する。
【解決手段】 第１工程は、硫黄含有有機化合物、好ましくは、１つ又は複数のアルカンスルホン酸エステル基及び／又はアルカンスルホン酸を含む抗抑制剤を含む前処理溶液を含む。第２工程は、アルカンスルホン酸に基づく電解銅めっき溶液を含む。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性錫塩と、無機酸及び有機酸並びにその水溶性塩から選ばれる１種又は２種以上と、水溶性タングステン塩、水溶性モリブデン塩及び水溶性マンガン塩から選ばれる１種又は２種以上とを含有する錫電気めっき浴。
【効果】チップ部品、水晶発振子、バンプ、コネクタ、リードフレーム、フープ材、半導体パッケージ、プリント基板等の電子機器を構成する部品などに、錫−鉛合金めっき材料の代替としてウィスカ抑制効果の高い錫めっき皮膜を形成できる。 （もっと読む）