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Fターム[4K024BC10]の内容

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Fターム[4K024BC10]に分類される特許

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【目的】平版印刷版支持体として好適な粗面化構造が得られるとともに、印刷版において重要な耐刷性、耐過酷インキ汚れ性をも付与し得る印刷版用支持体を得るために好適な平版印刷版用アルミニウム合金板を提供する。
【解決手段】粗面化したのち電解処理され、該電解処理面にクロムめっきが施されてなるロールにより圧延され粗面化仕上げされたアルミニウム合金板であって、粗面化仕上げ面は粗面にさらに微細な凹凸が形成された表面形態をそなえ、粗面化仕上げ面の表面粗度は、算術平均粗さRaが0.3〜1.0μm、圧延方向と直角な方向における凹凸の平均長さRsmが100μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】遠心成形に適した物理的強度を満たし、しかも誘導加熱の効率を一層向上できる成形金型、及びその加熱方法を提供する。
【解決手段】成形金型1は、その外周面3にマイクロクラッククロムメッキを施した円筒体である。マイクロクラッククロムメッキのメッキ層は、その表面から下地までの厚さが2μm以上であれば良く、硬度がビッカース硬さHv600以上であることが好ましい。メッキ層の割れの密度は400[c/cm]以上であることが好ましい。外周面3に転がり接触するスピンドルローラ15は、成形金型1を水平姿勢で支持し、電動機の出力を成形金型1に回転力として伝達する。電磁誘導コイル17は、外周面3に10mm以下の間隔を空けて対向している。 (もっと読む)


【課題】穿孔性を向上させるために、めっき厚を薄くしても、ドリルねじの耐食性が低下せず、かつ締結体全体の耐食性も確保できるドリルねじを提供する。
【解決手段】銅の質量百分率をX、錫の質量百分率をYとしたとき、1.5≦Y/X≦2.5、かつ2mass%≦X+Y≦15mass%、残部が亜鉛および不可避的不純物である亜鉛合金めっきを被覆したことを特徴とする亜鉛合金めっきドリルねじ。好ましくは、2.0≦Y/X≦2.5、かつ10mass%≦X+Y≦15mass%である。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、はんだめっき皮膜の密着性の低下やめっき未着を解決し、均一なはんだめっき層が形成された電子部品用複合ボールの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、Cuの球体からなるコアボールを用意する工程と、前記コアボールの表面を還元性水溶液で洗浄する第1洗浄処理工程と、前記コアボールを包囲するようにNi下地めっき層を形成する第1めっき処理工程と、前記下地めっき層の表面を還元性水溶液で洗浄する第2洗浄処理工程と、前記下地めっき層を包囲するようにはんだめっき層を形成する第2めっき処理工程と、前記はんだめっき層の表面を洗浄する第3洗浄処理工程を経る電子部品用複合ボールの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】水道用器具における通水路の内周面から水への溶出量の低減を鉛及びニッケルの両者について実現可能な方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、めっき工程S10と、第1処理工程S11と、第2処理工程S12と、第3処理工程S13と、第4処理工程S14とを備えている。第1処理工程S11では、硝酸と塩酸との混酸水溶液を第1処理液として用意し、めっき工程S10後の第1ワークW1を第1処理液に浸漬して第2ワークW2を得る。第2処理工程S12では、BTA水溶液を第2処理液として用意し、第2処理液に第2ワークW2を浸漬して第3ワークW3を得る。第3処理工程S13では、水酸化ナトリウム水溶液を第3処理液として用意し、第3処理液に第3ワークW3を浸漬して第4ワークW4を得る。第4処理工程S14では、リン酸水溶液を第4処理液として用意し、第4処理液に第4ワークW4を浸漬する。 (もっと読む)


【課題】有害物質の溶出を抑えつつ、摺動性とシール性とを両立させながら耐摩耗性を向上させ、耐塩素性や耐脱亜鉛腐食性を向上させたボールバルブ用ボールとそのめっき処置方法並びにボールバルブを提供する。
【解決手段】このボールバルブ用ボールは、銅又は銅合金製のボール弁体の素地2の被覆面3に、0.5μm<膜厚≦3μmとしたSnNi合金めっき層4を設けられている。ボールバルブ用ボールのめっき処理方法は、ボール弁体を治具に取付け、このボール弁体をSnNi合金めっき処理液を収容した容器内に浸漬させ、次いで、当該ボール弁体とめっき処理液に通電してボール弁体の素地の被覆面にSnNi合金めっき処理を施すようにする。ボールバルブは、流入口と流出口を有するボデー内にSnNi合金めっき処理を施したボール弁体をボールシートを介して内蔵し、このボール弁体をステムを介して回動自在に設けたものである。 (もっと読む)


【課題】研削加工によるだれの発生及び耐久性の低下を抑制することができる微小構造体、ドナー基板、及び微小構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微小構造体10は、第1の硬度を有する第1の導電膜からなるNi膜パターン2A〜2Eと、第1の硬度よりも低い第2の硬度を有する第2の導電膜からなるAu薄膜パターン6aとを交互に積層してなるとともに、第2の硬度よりも低くない第3の導電膜からなるNi薄膜パターン4aをAu薄膜パターン6aの外側に配置してなる。 (もっと読む)


【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うに際し、アノードとして含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が3A/dm以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を10〜1500μmとし、電解時の陽極電流密度が3A/dm未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を5〜1500μmとしたアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 (もっと読む)


【課題】端子の基材と該基材上に形成された錫(すず)ビスマスから成る表面層との間に、ビスマスの偏析を抑制する偏析抑制層を形成することによって、ウィスカの発生及び成長を効果的に抑制することができ、短絡が発生することがなく、環境規制に適合することができ、地球環境に対する負荷が小さく、コストが低く、耐久性が高くなるようにする。
【解決手段】ケーブル又は基板と電気的に接続されるコネクタであって、ハウジングと、該ハウジングに装填(てん)された端子51とを有し、該端子51は、金属から成る基材52と、該基材52上に形成されたビスマスの偏析を抑制する偏析抑制層と、該偏析抑制層上に形成された錫ビスマス合金から成る表面層とを備える。 (もっと読む)


【課題】凹凸表面を有する構造部材の製造を容易にするとともに、その表面が摩耗した場合でも凹凸表面を維持することのできる構造部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の構造部材10の製造方法は、金属基材11の表面11aに、断面形状が略三角形の溝12を連続して多数個形成する工程Aと、溝12上に、メッキにより、溝12の断面形状に沿って一様な厚みをなし、かつ、材質の異なる第一の金属膜14と第二の金属膜15を交互に積層してメッキ多層膜13を形成する工程Bと、を有することを特徴とする。また、本発明の構造部材10は、金属基材11の表面11aに形成された断面形状が略三角形の連続する溝12上に、溝12の断面形状に沿って一様な厚みをなし、かつ、材質の異なる第一の金属膜14と第二の金属膜15を交互に積層されてなるメッキ多層膜13が設けられたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電解メッキ工程において、安定した給電が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、有効チップ領域である第1の領域20と、第1の領域20の周縁を囲む第2の領域30と、を有した半導体ウエハー1を用意する工程と、第2の領域30に樹脂突起40を形成する工程と、第1の領域20及び第2の領域30に第1の導電層50を形成する工程であって、第1の導電層50は樹脂突起40の上に位置する第1の部分51を有するように、第1の導電層50を形成する工程と、第1の導電層50の上にレジスト層60を形成する工程と、少なくとも第1の導電層50の第1の部分51の上に位置するレジスト層60を除去する工程と、第1の導電層50の第1の部分51に給電して、電解メッキにより第1の導電層50の上に第2の導電層90を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】めっき中の素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、pHが5以上8以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が0.3mol/L以下であり、キレート剤のモル濃度/スズイオンのモル濃度が2.5以下である。 (もっと読む)


太陽電池を製造するためにウェハをコーティングするための方法において、ニッケル、銅又は銀などの金属が金属を含有するコーティング溶液内で連続的な工程によってウェハに沈着する。ウェハがコーティング溶液に挿入され、ウェハの第一の領域が既にコーティング溶液内で延びるが第二の領域が未だにコーティング溶液内で延びていない時点で、過電流が、さらなる過電流又は電流フローなしに、ウェハの残りのエリアの、ウェハがコーティング溶液に完全に挿入されて続いて起こるさらなる自動的なコーティングのための、コーティング溶液内に達するウェハの第一の領域における金属のガルバニック沈着を始めるために、第二の領域に印加される。
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【課題】 高耐熱性及び好適なへたり性を備えたプリント基板端子用の銅合金すずめっき材。
【解決手段】Ni、Cu、Snの順で電気めっきを施した後リフローめっきされた銅又は銅合金条であり、Ni相0.1〜0.8μm、Cu−Sn合金相0.1〜1.5μm、Sn相0.1〜1.5μmであり;Cu−Sn合金相はNiを0.05〜3.0wt%を含み、Sn相との界面において面積が3μm2未満の微細な結晶粒と3μm2以上の粗大な結晶粒が混在し、3μm2未満の各結晶粒の総面積をSX、3μm2以上の各結晶粒の総面積をSYとしたとき、20≦SX/(SX+SY)×100≦60が成り立つプリント基板端子用に好適なへたり性をもつ銅合金すずめっき材であり、2〜22重量%のZnを含有してもよく、更に必要に応じてNi、Cr、Co、Sn、Fe、Ag及びMnの群から選ばれた1種以上を合計で2.0重量%以下含有してもよい。 (もっと読む)


【課題】基材にAg又はAg合金から形成したオーバレイ層を被着した摺動部材において、優れたなじみ性を得ることができる摺動部材を提供する。
【解決手段】基材2にAg又はAg合金から形成したオーバレイ層3を被着する。オーバレイ層のX線回折の強度が、1%≦(200)/{(200)+(111)+(220)+(311)+(222)}≦20%、且つ、1%≦(200)/(111)≦30%を満たすように形成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、めっき表面に生じる凹凸をなくし平滑な表面を有する電子部品用複合ボールの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、球体からなるコアボールを用意し、次いで前記コアボールを包囲するようにはんだめっき層を形成して複合体とし、次いで前記はんだめっき層の表面を平滑化加工する電子部品用複合ボールの製造方法であり、前記平滑化加工は、前記はんだめっき層の表面にメディアを接触させて行なうことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】表面の欠陥が、幅25μm以下の配線を有するフレキシブル配線板に使用された場合でも問題が生じないように制御された二層めっき基板と、この二層めっき基板を簡便且つ効果的に製造する二層めっき基板の製造方法の提供。
【解決手段】絶縁性フィルム表面に導電性薄膜層を介して膜厚10μm以下の銅めっき皮膜を有する二層めっき基板であって、前記銅めっき皮膜は、絶縁性フィルム表面側から第一層銅めっき膜、中間層の第二層銅めっき膜、最外層の第三層銅めっき膜の順に積層する三層構造を有し、且つ前記銅めっき皮膜の表面上に存在する直径5μm以上(又は基部面積が19.6μm以上)の凸状欠陥の数と凹状欠陥の数との和が前記銅めっき皮膜の表面50mm角当たり24個(又は0.96個/cm)以下であることを特徴とする二層めっき基板。 (もっと読む)


【課題】
特に、P含有量が大きいNi−P無電解めっき膜の上に形成される無電解めっきによる貴金属めっき膜の析出性及び密着性に優れた電気接点の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】
無電解めっき法にてNi−P無電解めっき膜をめっき形成し、次に、めっき浴中に陰極および陽極を設けて電流を流すことにより、前記Ni−P無電解めっき膜の陽極側に向く表面に、バイポーラ現象を利用してNi−PからなりNi含有量がNi−P無電解めっき膜よりも大きいバイポーラめっき膜をめっき形成する。バイポーラめっき膜はNi含有量が大きいため、貴金属めっき膜を無電解めっきするときの表面活性が高く貴金属めっき膜の析出性と密着性に優れた電気接点を製造することができる。 (もっと読む)


【解決課題】 集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】 添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のCu金属を付着させるのに通常用いられる浴からCuを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたCuを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、AlCu構造または電気めっき以外の方法で付着されたCuを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 (もっと読む)


【課題】レトルト後および経時後においても塗膜密着性に優れたスズめっき鋼板を提供する。
【解決手段】本発明によれば、少なくとも缶内面となる側のスズ付着量が1.2g/m以上で、リフロー処理後に重クロム酸ナトリム水溶液中で陰極電解して形成される化成処理皮膜をスズめっき表面に有し、前記化成処理皮膜の付着量がクロム換算で3mg/m以上8mg/m以下であり、さらにスズめっき表面の全Sn原子に対する2価のSnの比率が35%以上75%未満で、4価のSnの比率が50%未満であり、0価のSnの比率が30%未満である、スズめっき鋼板およびその製造方法が提供される。 (もっと読む)


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