【課題】金属凸部を有するポリマー材料の製造方法を提供する
【解決手段】ポリマー基板上に１個又は２個以上の金属凸部を有するポリマー材料の製造方法であって、下記工程（１）〜（５）：
（１）ポリマー基板上の紫外線硬化型組成物により形成されたアクリル樹脂層表面をプラズマ処理する工程、
（２）プラズマ処理を行った該アクリル樹脂層表面に、無電解めっき法により金属皮膜を形成する工程、
（３）リソグラフィ処理により、１個又は２個以上の開口部を金属皮膜上に有するめっき用レジスト皮膜を形成する工程、
（４）電解めっき処理により、めっき用レジスト皮膜の開口部の金属皮膜上に金属を析出させる工程、及び
（５）めっき用レジスト皮膜を除去する工程
を含むポリマー材料の製造方法 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の面側にめっき処理をおこなう際に、めっき液の汚染を防ぎ、他方の面側に不均一なめっき層が析出するのを防ぎながら、一方の面側に低いコストで安定しためっき層を形成する。
【解決手段】半導体基板に上の一方の面に電極を形成し、他方の面に電極を形成し、他方の面の電極上に硬化型樹脂を塗布し、硬化型樹脂上にフィルムを貼り付けて硬化型樹脂を硬化させる。そのあと一方の面の電極上にめっき処理行い、めっき処理後、フィルムを硬化型樹脂とともに剥離する。 （もっと読む）

【課題】ウィスカー発生が抑制された、Ｃｕ−Ｚｎ合金のＣｕ／Ｎｉ二層下地リフローＳｎめっき条を提供すること。
【解決手段】平均濃度で１５〜４０質量％のＺｎを含有する銅合金を母材として、表面から母材にかけてＳｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｎｉ相の各層でめっき皮膜が構成されるＳｎめっき条において、該Ｓｎ相の表層のＺｎ濃度を０．１〜５．０質量％に調整する。母材は、更にＳｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ａｌ及びＴｉから選ばれた任意成分を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。又、母材は１５〜４０質量％のＺｎ、８〜２０質量％のＮｉ、０〜０．５質量％のＭｎを含有し残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金でもよく、更に上記任意成分を合計で０．００５〜１０質量％含有することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶性ポリマー（ＬＣＰ）を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適したフレキシブルプリント基板の作製方法を提供すること。
【解決手段】液晶性ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルムに脱脂処理をしたのち、導電体金属を蒸発源として金属薄膜の膜厚が１μｍ以下となるようにＬＣＰフィルム上に蒸着させた後、電気メッキを１μｍ以上３０μｍ以下形成して、ポリマーフィルムと金属膜との密着性を高めたフレキシブルプリント基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】 フラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を付与し、また界面活性剤を用いて基板表面から脱離したパーティクルの分散性を高めることで、優れたパーティクルの除去性を実現し、これにより、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にするフラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 界面活性剤（Ａ）を含有してなる電子材料用洗浄剤であって、有効成分濃度０．０１〜１５重量％における２５℃でのｐＨ及び酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１） （もっと読む）

【課題】 黒クロムめっき膜からの六価クロムの溶出濃度を０．０５ｐｐｍ以下とし、かつ、有毒ガスの発生を防止し、黒クロムめっき膜の耐食性を維持することができるクロムめっき膜の処理方法を提供する。
【解決手段】 六価クロムが残留するクロムめっき膜に対する処理工程を、還元剤を１〜１００ｇ／Ｌの範囲で含有し、液温が２０〜４０℃の範囲である第１処理浴にクロムめっき膜を浸漬する１段目の還元処理工程と、還元剤を１〜２０ｇ／Ｌの範囲で含有し、液温が８０℃以上である第２処理浴に、１段目の還元処理工程が完了したクロムめっき膜を浸漬する２段目の還元処理工程とからなる２段の還元処理工程とする。 （もっと読む）

【課題】装置内のコンタクト領域の汚染を抑制することを目的として、方法、装置、および、装置のさまざまな構成要素、例えば、ベースプレート、端縁シール、およびコンタクトリングアセンブリを提供する。
【解決手段】汚染が発生し得る状況として、電気メッキプロセス後に装置から半導体ウェハを取り出す時が挙げられる。特定の実施形態によると、疎水性コーティング、例えばポリアミドイミド（ＰＡＩ）コーティング、および、時にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）コーティング７１２が設けられるベースプレートを用いる。また、コンタクトリングアセンブリのコンタクト端部は、端縁シールのシール端縁からの距離を大きくして配置されるとしてよい。特定の実施形態によると、コンタクトリングアセンブリの一部および／または端縁シールにも同様に、疎水性コーティングを設ける。 （もっと読む）

【課題】視界性が良好でありかつ美観を損なうことのないフィルムアンテナ基材であって、次工程、検査工程、耐久性試験下などにおいてもアンテナエレメントが基材から容易に剥離せず、密着性の良いフィルムアンテナ基材を提供する。
【解決手段】透明樹脂層を含む透明基材上に金属配線層からなるアンテナエレメントが積層されているフィルムアンテナ基材において、上記金属配線層の断面形状は、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、当該金属配線層は、少なくとも上面の一部又は上記台形状の一部が透明樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記透明樹脂層に埋設されてなるフィルムアンテナ基材。金属配線層の断面形状の台形部分の高さが０．１〜１０μｍ、断面形状の台形部分の側辺の角度が３０〜８０°の範囲内であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】数μｍ程度の凹凸を有するフレキシブルプリント基板の表面に厚み１０μｍ程度のめっき層を設けた場合に、得られるめっき層表面が平滑かどうかを判断しうる評価用冶具及びその製造方法の提供。
【解決手段】めっき平滑性を評価するための評価用冶具であって、前記評価用冶具１は、表面に凹凸形状部３ａ、３ｂを備える基板材料２からなり、前記基板材料２の表面に備わる凹凸形状部３ａ、３ｂが、高さが１〜３μｍ、径が２〜２０μｍの凸形状部３ａ、あるいは深さが１〜３μｍ、径が２〜２０μｍの凹形状部３ｂであることを特徴とする評価用冶具。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板におけるビア構造をメタライズするための方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路デバイス基板は、前面、背面、ビア構造を備え、ビア構造は、基板の前面に開口部、基板の前面を内向きに伸びる側壁部、および底部を備え、前記方法は以下からなる：
半導体集積回路デバイス基板に、（ａ）銅イオン源、および（ｂ）レベラー化合物からなる電解銅沈積組成物を接触させて、前記レベラー化合物はジピリジル化合物およびアルキル化剤の反応生成物からなり；
電流を電解銅沈積組成物に供給し銅金属をビア構造の底部および側壁部に沈積し、これによって銅充填ビア構造を得る。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のビアへ、次工程で電解めっきを行なうために必要な通電のための導電層を欠陥なく形成することができる技術を提供する。
【解決手段】最初にスパッタにてウェハ４００の表面、及び孔４１０の、スパッタが付着するエリア４１１ａにスパッタ膜を形成し、その後、パラジウムを吸着させた後、無電解銅めっきにより、スパッタ膜４１１ａ上、及びスパッタ膜が付着していないエリア４１１ｂに無電解銅皮膜４１２を形成することにより、基板表面及びビア内壁全体に通電を行なうための導電層を形成する。その後、電解めっきにより金属４１４を充填する。 （もっと読む）

【課題】毒性がなくかつ公害発生の心配も皆無な表面強化被覆層として鉄−リン合金メッキ層を具備するとともに耐刷力に優れた新規なグラビア製版ロール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】版母材と、該版母材の表面に設けられかつ表面に多数のグラビアセルが形成された銅メッキ層と、該銅メッキ層の表面を被覆する鉄−リン合金メッキ層とを含むようにした。前記銅メッキ層の厚さが５０〜２００μｍ、前記グラビアセルの深度が１〜１５０μｍ、及び前記鉄―リン合金メッキ層の厚さが０．１〜１５μｍである。 （もっと読む）

本発明は、媒体において様々な導電性基板に亜鉛ニッケル合金を電着することに関し、改良された析出物分布及び操作可能な電流密度範囲を提供することを目的とする。これは、亜鉛イオン；ニッケル金属イオン；アルカリ溶液中でニッケル金属イオンを保持することができる１つ以上の尿素系ポリマーと非重合性錯化剤との適切な組み合わせを含む浴、及び電解プロセスによって達成することができるため、導電性基板に亜鉛ニッケル合金を電着させるために浴が使用される。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ式を採用し、バンプ等の突起状電極に適しためっき膜を、装置全体のコンパクト化を図りつつ、自動的に形成できるようにする。
【解決手段】複数のめっき槽４１４ａ，４１４ｂ，４１４ｃを備え、基板の表面に異なるめっき槽で順次めっきを行うめっき装置において、基板と該基板が入れられためっき槽のアノードとの間で単一のめっき電源４１６から通電してめっきを行う。 （もっと読む）

【課題】Ａｕめっき浴中に浸漬した保液部材に被めっき部材の凸部を接触させてその凸部頂面部に選択的に電解めっきを施す方法において、凸部頂面部領域に、より集中してめっき層を形成できるようにする。
【解決手段】電解めっきを、従来よりも高い電流値のパルス電流、すなわち、最大電流密度２０〜２６０Ａ／ｄｍ^２、平均電流密度５〜２６Ａ／ｄｍ^２のパルス電流を用いて行うことにより、凸部頂面部２に電流を集中させることができ、凸部頂面部２にＡｕめっき層が優先的に形成される。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を用いることなく、歩留まりの低下を防止して、基板に形成されたスルーホールをメッキ金属で充填するスルーホールフィリング方法を提供する。
【解決手段】スルーホールフィリング方法が、第１の主面１ａを陰極とし、対向する第１の対向電極を陽極として、低電流密度の電流を通電し、第２の主面１ｂを陰極とし、対向する第２の対向電極を陽極として、高電流密度の電流を通電し、給電用金属膜３上にメッキ金属を析出させ、スルーホール２の第２の主面１ｂ側の開口を塞ぐ工程と、第２の主面１ｂを陽極とし、対向する第２の対向電極を陰極として、電流を通電し、第２の主面１ｂ上のメッキ金属を溶出させ、第１の主面１ａを陰極とし、対向する第１の対向電極を陽極として、電流を通電し、スルーホール２の開口内の第１の主面１ａの側に形成された凹部をメッキ金属４で充填する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】めっき層のサイドエッチングによって設計値よりも配線のトップ幅が狭くなってしまうことを防止でき、めっき層の厚さ方向に異なる位置のエッチング速度を制御して、従前では困難とされていたサブトラクティブ法による微細回路形成を可能にできる銅張積層板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１の導電性を有する表面に、一層または複数層の銅めっき層１６、１７、１８が形成され、かつ当該一層または複数層の銅めっき層は、少なくとも上記基材に接触している底部１８が銅よりもエッチングレートの大きい金属を含有している銅張積層板とした。好ましくは、上記エッチングレートの大きい金属を含有している銅合金部を、上記銅めっき層の表面から上記底部の方向に向けて上記エッチングレートの大きい金属を漸次または段階的に多く含有させて構成した。 （もっと読む）

【課題】シリンダブロックのシリンダ内へ電極が挿入または退出する場合であっても、流路を形成する電極周りのシール性を確保できること。
【解決手段】シリンダブロックのシリンダにおけるシリンダ内周面のクランクケース面側端部をシール治具１３によりシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極１２の作用で、シリンダ内周面をめっき前処理またはめっき処理するシリンダブロックめっき処理装置であって、電極１２と、この電極を支持する電極支持部２０と、これらの電極及び電極支持部と共に処理液のための流路を形成する流路構成ブロック６６とが一体化されて、電極をシリンダ内へ挿入または退出するよう電極用シリンダ１７によって移動可能に構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】シリンダ内周面の一端側付近に障害物が存在している複雑な形状のシリンダブロックであっても、シール治具のシール精度を確保して、シリンダ内周面を確実にシールできること。
【解決手段】シリンダブロック１におけるシリンダ２のシリンダ内周面３のクランクケース面５側端部をシール治具１３がシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面をめっき前処理またはめっき処理するシリンダブロックめっき処理装置であって、シール治具１３が電極１２の先端に設置され、このシール治具のシール部材３３を作動させるエアジョイント１５がシール治具１３と分離して配置され、電極１２及びシール治具が、シリンダ内周面３のヘッド面４側端部からシリンダ２内へ挿入され、エアジョイント１５がシリンダブロック１のクランクケース面５側から挿入されて、シール治具１３と結合可能に構成されたものである。 （もっと読む）

本発明は、金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法であって、ホウ素ドープダイヤモンド前面に金属ナノ粒子を沈着させる前にホウ素ドープダイヤモンド前面を酸処理することで強酸化剤を生成する工程を含む、方法に関する。酸洗浄により得られた金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドは、酸素終端化された前面を有する。金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドは、酸素センサーとして電極中に用いられ得、この電極は、ホウ素ドープダイヤモンド柱を製造し；この柱の前面のみが露出するように柱を絶縁し；柱の前面を研磨し；柱の前面を酸処理し；柱の前面に金属ナノ粒子を沈着させることで作製され得る。 （もっと読む）