【課題】表面に多数の突起を有する突起版胴を容易かつ簡易に製造する。
【解決手段】突起版胴の製造方法は、表面に銅層２を有するブランク版胴３５Ａを準備する工程と、ブランク版胴３５Ａの表面の銅層２全域に感光材３を塗布する工程と、感光材３を露光しかつ現像して突起３５ａに対応する部分にレジスト４を形成する工程とを備えている。ブランク版胴３５Ａの表面の銅層２に対して第１のエッチングを施して銅層２に突起３５ａを形成し、その後突起３５ａ上からレジスト４を除去する。突起３５ａに対して再度第２のエッチングを施して、突起３５ａの先端部３５ｂの垂直断面形状を湾曲させる。その後銅層全域にクロムメッキを施してクロムメッキ層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第１添加剤、第２添加剤、および第３添加剤を含み、前記第１添加剤は、化学式１に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


（式中、Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｍは、平均重合度であり６〜１４の実数である。） （もっと読む）

【課題】被処理物ｂ１に対して部分メッキを、被覆の必要なく連続的に行うこと。
【解決手段】
頭部ｂ１０と下部ｂ０１の間に括れ部ｂ０３を有し、下部ｂ０１側に重心位置を有する被処理物ｂ１対して、頭部ｂ１０を除いた範囲に電気メッキを施す。一対のレール３は、頭部ｂ１０よりも狭く、且つ括れ部ｂ０３よりも広い間隔の隙間を持ち、電極２０が配されている。メッキ槽５は、レール３の下側に位置し、極板２５がメッキ液中に配置されている。被処理物ｂ１の括れ部ｂ０３をレール３の間の隙間に位置させて、ロッド１８をレール3の上から隙間を通って被処理物ｂ１の重心よりも下の位置に当接させる。ロッド１８をレール３に沿って移動させて、レール３よりも下に位置する被処理物ｂ１にメッキを施す。 （もっと読む）

【課題】高い導電率及び強度を有し、応力緩和特性及び曲げ加工性に優れ、Ｓｎめっきの耐熱剥離性にも優れた電気・電子部品用銅合金を提供する。
【解決手段】Ｆｅ：０．０１〜０．２質量％、Ｐ：０．０２〜０．１５質量％、Ｍｇ：０．０５〜０．２質量％、Ｓｎ：０．００１〜０．２質量％、及びＺｎ：０．０５〜１．０質量％を含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、Ｓ：０．００５質量％以下であり、Ｆｅ，Ｍｇ及びＰ含有量が下記式（１）、（２）を満たす。２．５≦（［Ｆｅ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］≦８．０・・・・（１）［Ｍｇ］／［Ｆｅ］≧０．８５・・・・（２）［Ｆｅ］、［Ｍｇ］、［Ｐ］は、それぞれＦｅ，Ｍｇ，Ｐ含有量を表す。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼薄板表面に形成するＡｕめっき層の厚みが薄くても耐食性に優れ、生産性も高い端子又はコネクタ用めっき材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼薄板からなる基材の表面に、原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ（Ra）が３．０ｎｍ以下であるＡｕめっき層を形成してなる端子又はコネクタ用めっき材である。 （もっと読む）

【課題】優れた強度、靱性及び硬度を有し、かつ、密着性及び光輝性に優れためっきが施されたアルミニウム合金鋳物を提供する。また、そのようなアルミニウム合金鋳物の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき層を有するアルミニウム合金鋳物であって、該アルミニウム合金が、Ｍｇ：１．５〜５．５重量％、Ｚｎ：１．６〜５．０重量％、Ｓｉ：０．４重量％以下、Ｆｅ：０．４重量％以下、Ｃｕ：０．４重量％以下、Ｔｉ：０．２重量％以下、Ｂ：０．１重量％以下及びＢｅ：０．１重量％以下を含有し、残部がＡｌ及び不可避不純物からなり、電解研磨された前記鋳物の表面に、ジンケート処理層を有し、さらに、その上に前記無電解ニッケルめっき層を有することを特徴とする、めっきが施されたアルミニウム合金鋳物とする。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度下でも半導体ウエハにめっき焼けやめっき形状の凹凸を呈することなく、めっき面内均一性が得られ生産性を向上できるカップ型めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽の下部からめっき液を噴出する液流入部と、めっき槽内に設置されるアノード２と、めっき槽の上部で半導体ウエハ４と電気的に接続されるカソード３とを備えた、半導体ウエハ４の表面にバンプ電極を形成するカップ型めっき装置であって、前記アノード２を十分な電極面積を有するプロペラ形状とし、回転可能にめっき槽底部のシャフト７に連結したカップ型めっき装置。 （もっと読む）

【課題】たとえ銅シード層に比べて誘電率の低いＲｕ等からなる補助金属層に覆われたビアホールや、Ｒｕ等からなる補助金属層が一部に露出したビアホールであっても、ビアホールの内部に、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面にビアホールが形成された基板を前処理液に浸漬させて前処理を行い、基板とアノードとの間に電圧を印加することなく、基板をめっき液に浸漬させてビアホール内の前処理液をめっき液に置換し、基板とアノードとの間に印加される電圧を、ビアホール内にめっき金属を埋込むのに適した電流が基板とアノードとの間を安定して流れるのに必要な電圧または該電圧より高い電圧に制御して第１段電気めっきを行い、基板とアノードとの間を流れる電流を、ビアホール内にめっき金属を埋込むのに適した電流に制御して第２段電気めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】基板電極との電極接合に適するバンプ硬度とバンプ形状とを備えた金バンプ形成用の非シアン系電解金めっき浴、及び該金めっき浴を用いた金バンプ形成方法を提供する。
【解決手段】亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、伝導塩と、結晶安定化剤と、結晶調整剤と、緩衝剤と、光沢化剤とを含有し、亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムの含有量は、金濃度として１〜２０ｇ／Ｌであり、伝導塩は亜硫酸ナトリウムであって、その含有量が５〜１５０ｇ／Ｌであり、光沢化剤の含有量は、０．５〜１００ｍｍｏｌ／Ｌである、ことを特徴とする金バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。前記光沢化剤は、スルホキシド及び／又はスルホンから選択される１種又は２種以上の化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】経時や昇温により硫化され表面がダメージを受けることのないメッキ構造を提供する。さらには、硫化により変色しにくく、接触抵抗が小さい電気部品用被覆材を得る電気部品用被覆方法を提供する。
【解決手段】メッキ用基体１０２の表面に銀メッキ層１０４を形成し、さらに該銀メッキ層の表面にＳｎ−Ｃｏ合金のメッキ層１０６を形成してなる銀メッキ構造体を熱処理して得られるメッキ構造である。また、基材の面上に形成された銀層の表面に、粒子堆積工程により点析されてなるＳｎ−Ｃｏ合金の点析粒子が前記表面と垂直方向に重なることなく上面視で隙間があるように配置され、前記点析粒子の平均径が２０〜８０ｎｍであり、該銀層の表面の錫合金の点析粒子の単位面積当たり重量が２×１０^−６〜８×１０^−６ｇ／ｃｍ^２である粒子堆積物を、非酸化雰囲気で加熱して前記点析粒子を溶融させて被膜化することを特徴とする被覆方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラビア印刷機用ドクターブレード、その製造方法及びグラビア印刷機に関する。
【解決手段】本発明によると、金属材質からなるボディと、上記ボディ上に積層され、セラミック粒子を含む摩耗抑制層と、上記摩耗抑制層のチッピングを抑制するように上記摩耗抑制層上に積層され、上記摩耗抑制層より硬度が低い材質からなるチッピング防止層と、を含むグラビア印刷機用ドクターブレードが提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金の代わりに使用でき、軽量化が図れると共に、原材料費の低減も図れる電子部品材を提供する。
【解決手段】引張強度を９０〜７００ＭＰａかつビッカース硬度Ｈｖを３０〜２３０にしたＡｌ合金の基材１０の表面に、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｓｎ、Ｓｎ合金、Ｐｄ、Ｐｄ合金、Ａｕ、又はＡｕ合金のいずれか１種又は２種以上で構成される第１のめっき層１３を形成した。Ａｌ合金の基材１０は、例えば、Ｓｉ：１３．０質量％以下、Ｆｅ：１．５質量％以下、Ｃｕ：６．８質量％以下、Ｍｎ：１．５質量％以下、Ｍｇ：５．６質量％以下、Ｃｒ：０．５質量％以下、Ｚｎ：８．４質量％以下、及びＴｉ：０．２質量％以下を含有し、その他不可避的不純物を含む。 （もっと読む）

【課題】３価クロムめっき浴を用いてバレルめっき法によってクロムめっき皮膜を形成する際に、良好な外観を有し、且つ耐食性にも優れたクロムめっき皮膜を形成できる新規なめっき方法を提供する。
【解決手段】バレルめっき法によって半光沢ニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきを順次行った後、３価クロム化合物を含む３価クロムめっき浴を用いてバレルめっき法によってクロムめっきを行うことを特徴とするクロムめっき方法。 （もっと読む）

【課題】 めっき中のセラミック素体の腐食を低減することができるＮｉめっき液を提供すること。
【解決手段】 好適な実施形態のＮｉめっき液は、セラミック電子部品の端子電極を形成するためのＮｉめっき液であって、ｐＨが５．５以上であり、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ及びＭｇからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム合金に施すメッキ前処理の工程数を少なくすることが可能なメッキ前処理方法を提供する。
【解決手段】 変質層の除去とアルミニウム合金成分の除去の処理液として、濃度が５０ｇ/ｌ(リットル)以上１００ｇ／ｌ以下の酸性フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ・ＨＦ）と、濃度が１０ｇ/ｌ以上３００ｇ／ｌ以下の塩化第２鉄（ＦｅＣｌ_３）との混合液を用いることで、１工程で前記変質層の除去とアルミニウム合金の除去を行う。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム合金に施すメッキ前処理の工程数を少なくすることが可能なメッキ前処理方法を提供する。
【解決手段】 変質層の除去とアルミニウム合金成分の除去の処理液として、濃度が１０vol％以上２０vol％以下のリン酸と、濃度が３vol％以上１２vol％以下の硝酸と混酸を用いる。 （もっと読む）

【課題】基材表面に、耐プラズマエロージョン性に優れたサーメット皮膜を形成する方法と、この方法によって得られるサーメット皮膜被覆部材とを提案すること。
【解決手段】導電性基材の表面に形成した非導電性セラミック溶射皮膜を、電気ニッケルめっき液中に浸漬して、電気ニッケルめっき処理を行うことによって、前記セラミック溶射皮膜の気孔中にめっき析出ニッケルを充填することにより、めっき析出ニッケルを充填したサーメット皮膜を形成し、次いで、高エネルギー照射処理を施して、皮膜表面を再溶融して緻密表面層を生成させる方法と、このようにして得られる皮膜被覆部材。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの外部電極を、部品本体の所定の面上に直接めっきを施すことによって形成したとき、外部電極となるめっき膜の部品本体に対する固着力が低いことがある。
【解決手段】外部電極１６として、各内部電極５の露出端を起点として析出しためっき析出物を部品本体２の少なくとも端面１２上に成長させてなるもので、Ｐ含有率が９重量％以上のＮｉ−Ｐめっき膜からなる第１のめっき層１８をまず形成する。次いで、第１のめっき層１８上に、Ｐを実質的に含まないＮｉめっき膜からなる第２のめっき層１９を形成する。好ましくは、第１のめっき層１８は無電解めっきにより形成され、第２のめっき層１９は電解めっきにより形成される。 （もっと読む）

【課題】めっきによるのセラミック電子部品の素体の腐食を抑制し、安定しためっきが可能な電気スズめっき液及び当該電気スズめっき液を用いたセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオン及びキレート剤を含み、ｐＨが６以上９以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度の値が２．４より大きく、４．５以下である。 （もっと読む）

【課題】貴金属の使用量を低減させることができるカーボンナノチューブ複合めっき体、およびカーボンナノチューブの固定度が高いセンサーを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブを取り込んだ５μｍ以上の厚みのある下層ニッケルめっき皮膜に上層めっきとして金、プラチナ等、貴金属のめっきを０〜５μｍ施す。 （もっと読む）