【課題】貴金属のナノ粒子からなる多次元構造体、その微構造化技術及び電気化学素子等の部材を提供する。
【解決手段】１次粒子より構成されるナノメートルサイズの多次元的な構造を有する微構造化貴金属体であって、直径１から１５ｎｍの大きさの粒子形状を有すること、上記の多次元的な構造が、５から２００ｎｍメートルの大きさの線径を有する細線形状、もしくは５から２００ｎｍの表面粗さを有する凹凸構造又は突起状構造、もしくは５から２００ｎｍの大きさの径を有する球状の構造を有すること、これらの構造が、テンプレートを必要としない自立状態で形成されていること、で特徴付けられる微構造化貴金属ナノ構造体と、その製造方法、及び電気化学素子、電極材料、触媒材料並びに窒素酸化物浄化反応器等の部材。
【効果】自立した状態のナノメートルサイズの多次元的な構造体へ変化させた微構造化貴金属ナノ構造体とその部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程後のめっき膜の欠陥数の低減された、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微細パターンに形成された凹部と微細パターンと比較して幅広に形成された凹部とを含む基板上に、シード膜を形成する工程と、促進剤と抑制剤とを含むめっき液を用いて、凹部を埋設する電解めっき工程とを含む製造方法において、電解めっき工程が、第一の電流密度で微細パターンに形成された凹部を埋設する第一の電解めっき工程と、電解めっき工程と異なる極性の電流を第二の電流密度で通電する第一の逆バイアス工程と、第一の電流密度より大きい第三の電流密度で第二の電解めっきを行う工程と、第四の電流密度で通電する第二の逆バイアス工程と、第一の電流密度より大きい第五の電流密度で第三の電解めっきを行う工程とを含み、第二の逆バイアス工程における積算電流量の絶対値が第一の逆バイアス工程における積算電流量の絶対値よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程後のめっき膜の欠陥数の低減された、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが形成された凹部と微細パターンと比較して幅広に形成された凹部とを含む基板上において、シード膜を形成する工程と、シード膜をカソードとして、促進剤と抑制剤とを含むめっき液を用いて、凹部を埋設する電解めっき工程とを含む半導体装置の製造方法において、電解めっき工程が、第一の電流密度で微細パターンに形成された凹部を電解めっきにより埋設する第一の電解めっき工程と、第一の電解めっき工程で用いた電流と異なる極性の電流を第二の電流密度で通電する第一の逆バイアス工程と、第一の電流密度よりも大きい第三の電流密度で電解めっきを行う第二の電解めっき工程と、第四の電流密度で通電する第二の逆バイアス工程と、第一の電流密度よりも大きい第五の電流密度で電解めっきを行う第三の電解めっき工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】めっき皮膜の内部応力を所定値に保ちながらめっきを行えるようにする。
【解決手段】準備槽２０の３組の陰極及び陽極にそれぞれ１Ａ／ｄｍ²、５Ａ／ｄｍ²、１０Ａ／ｄｍ²の電流密度で電流を同時に供給してニッケル電鋳を行う。１００秒経過後、ひずみゲージ２４で測定されたひずみ量に基いてめっき皮膜の内部応力をひずみ測定器２３で算出し、算出結果をコンピュータ２５へ出力する。コンピュータ２５はテーブルを用いてめっき皮膜の内部応力がゼロとなる電流密度を決定し、決定された電流密度に対応する信号を整流器１５に出力する。本槽１０ではめっき皮膜の内部応力がゼロとなる電流密度として電流を陰極及び陽極に供給してニッケル電鋳を開始する。 （もっと読む）

【課題】従来のように直流による陰極電解（銅めっき）とパルス電解を組み合わせるのではなく、パルス電解単独により従来の粗化電解銅箔並みの樹脂との接着性を有し、しかも低コストである粗化圧延銅板を製造する方法を提供する。
【解決手段】光沢剤を含む電解液中にて非対称の正負のパルスで圧延銅板をパルス電解する工程を有し、上記正パルスの電流密度Ｉａと上記負パルスの電流密度Ｉｃが（１）式；｜Ｉａ｜＞｜Ｉｃ｜を満たし、上記正パルスの通電時間Ｔａと上記負パルスの通電時間Ｔｃが（２）式；Ｔａ＜Ｔｃを満たし、上記正パルスの単位面積当たりの積算電流値Ｑａと上記負パルスの単位面積当たりの積算電流値Ｑｃが（３）式；１＜｜Ｑｃ／Ｑａ｜≦４を満たす（ただし、（１），（３）式中の｜｜は、絶対値を表している）ことを特徴とする粗化圧延銅板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気めっき法による磁性膜を製造する際に、磁性膜の成長が早く、かつ、異常析出の形成を防止する磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被めっき体１の基板１１上に磁性膜１３をめっき法で形成する磁気記録装置の製造方法において、前記磁気記録装置の製造方法は、磁性膜１３を析出させる析出工程と、磁性膜１３に発生する異常析出１４を除去する溶解工程とを有する。生産性の高いＤＣめっき法を用いて磁性膜１３を析出、成長させて、このときに、生ずることがある異常析出１４を除去する。これによって、高生産性と磁性膜の安定した特性の両方を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】表面にクラックを有するＣｒめっき皮膜が形成された摺動面の、幅方向の端へ流体潤滑剤が抜けていく摺動部材において、良好な低摩擦の摺動特性が得られるようにする。
【解決手段】Ｃｒめっき皮膜のクラックは、平均クラック幅を０．１μｍ以上５．０μｍ以下とし、クラック密度を６００本／ｃｍ以上１３００本／ｃｍ以下とし、且つ摺動面３の幅方向の両端部と、該幅方向の中間部とでは、上記平均クラック幅及びクラック密度が互いに異なり、上記中間部では上記端部よりも平均クラック幅及びクラック密度を共に大きくする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｒめっき皮膜が形成された長円形状の内周面を備え、該内周面をシール部材が周方向に摺動する摺動部材に関し、Ｃｒめっき皮膜を結晶配向性及び摩擦係数の速度依存性の観点から改良して、低摩擦化を図るとともに、異常摩耗を防止する摺動部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒめっき皮膜における（２２２）配向結晶の存在率を他の配向の結晶の存在率よりも高くするとともに、シール部材２の摺動速度が漸次上昇する領域ＡではＣｒめっき皮膜の摩擦係数の速度依存性が負勾配の特性を示し、シール部材２の摺動速度が漸次低下する領域ＢではＣｒめっき皮膜の摩擦係数の速度依存性が正勾配の特性を示すようにする。 （もっと読む）

【課題】ロータリーピストンエンジンの燃焼室を構成するローターハウジングにおいて、Ｃｒめっき皮膜が形成された長円形状の内周面をシール部材が流体潤滑剤の存在下、長軸側内周面では短軸側内周面よりも小さな荷重で接触して且つ短軸側内周面よりも速い速度で周方向に摺動する摺動部材に関し、内周面の全周にわたって低摩擦化を図る。
【解決手段】ローターハウジング１の内周面３のＣｒめっき皮膜にクラックを形成し、長軸側内周面３ａでは短軸側内周面３ｂよりも、クラック幅が大きく且つクラック数が多くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】薄物銅箔の固有の厚みを略維持しながら、少なくともその一方の表面を結晶粒界に沿った微細な凹凸を有する粗化形状を効率よく形成せしめ、工業用プラスチックフィルムまたは熱硬化性樹脂との密着性を得るに十分な表面処理方法を提供する。
【解決手段】微細結晶粒からなる結晶構造を有する銅箔の少なくとも一方の面に、交流による電解処理を施し該銅箔の表面を微細に粗化処理する方法であって、電解液として硫酸単浴または硫酸と重金属化合物が溶解された浴を用いる銅箔の表面処理である。 （もっと読む）

【課題】ＬＩＧＡ製法においてＮｉ金属を電解メッキして析出積層を微細テンプレ−ト開口部に充填し高精度の電鋳金型を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＬＩＧＡ製法においてＮｉ金属を電解メッキして析出積層を微細テンプレ−ト開口部に充填する電鋳工程で、Ｎｉ金属を電解メッキして析出積層させる還元電解のマイナス電解と逆となる溶解電解のプラス電解とを交互にパルス状に印加すると共に、溶解電解の強さが還元電解の強さの２倍以上であり且つ溶解電解の印加時間が還元電解の印加時間の１／１０以下にする。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性を向上させながら、パルスめっきによるピンホールの発生を抑制することができる磁性膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】貴金属及び卑金属を含有する下地層２にパルスめっきを施して、下地層２上に、磁性材料からなるめっき層３を析出させる。貴金属としては、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕから選択された少なくとも一つを採用することができる。また、卑金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏから選択された少なくとも一つを採用することができる。 （もっと読む）

【課題】非貫通孔を金属で充填するのに好適な新規な電解めっき方法の提供。
【解決手段】界面活性剤、光沢剤、平滑化剤などの添加剤を含むめっき液を用いた電解めっき方法において、被めっき部材の表面および非貫通孔内における添加剤の吸着および離脱を制御するパルスめっき工程と、これに引続いて非貫通孔内を充填する直流めっき工程とからなる、非貫通孔を金属で充填する電解めっき方法。 （もっと読む）

工業プロセスでのコーティングとしてのナノ結晶金属もしくはアモルファス金属またはそれらの合金の使用方法が提供される。三つの特定の前記方法が詳説されている。好適な一実施形態は、多数の部品をナノ結晶金属もしくはアモルファス金属またはそれらの合金で大量電着する方法、およびそれによって製造される部品を提供する。別の好適な実施形態は、連続電着処理におけるナノ結晶コーティングまたはアモルファスコーティングの被覆方法、およびそれによって製造される製品を提供する。本発明の別の好適な実施形態は、部品の再加工および復元もしくはそのいずれかの方法、およびそれによって製造される部品を提供する。
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【課題】磁気特性を向上させることが可能な電気めっき層の磁気特性制御方法を提供する。
【解決手段】電解析出層の中に含まれることとなる全ての元素を溶液中に含有するめっき浴を用意し、そのめっき浴に、約０．０５ｇ／ｌ以上０．３ｇ／ｌ以下の濃度でアリールスルフィネートを加え、電気めっき処理を行う。これにより、アリールスルフィネートを含まないめっき浴から電解析出された層の磁気特性とは異なる磁気特性を有する電解析出層を得る。この電解析出層は、磁気ヘッドに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 ２つの工程を含む電解銅めっき方法を提案する。方法は、非常に狭い場所のめっきに特に適する。
【解決手段】 第１工程は、硫黄含有有機化合物、好ましくは、１つ又は複数のアルカンスルホン酸エステル基及び／又はアルカンスルホン酸を含む抗抑制剤を含む前処理溶液を含む。第２工程は、アルカンスルホン酸に基づく電解銅めっき溶液を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｃｒめっき摺動部材の摩擦係数を下げる。
【解決手段】摺動部材のＣｒめっき層の、Ｘ線回折分析により特定される（２２２）面が表面側を向いた（２２２）配向結晶１の存在率を６０％以上８０％以下とし、該Ｃｒめっき層表面に形成されるＣｒ酸化皮膜３の厚さを薄くする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された配線用の溝等の微細窪みに銅又は銅合金等の金属を隙間（空洞）なく均一にめっきすることができる基板のめっき方法及び装置を提供すること。
【解決手段】基板上の微細窪みに金属を充填する基板のめっき方法である。めっき促進剤を添加しためっき液中で第一のめっき処理（第一のめっき槽３にて）を行った後、被めっき表面に付着しためっき促進剤を除去又は低減させる除去剤を被めっき表面に接触させるめっき促進剤除去処理（めっき促進剤除去部４にて）を行ない、さらに第二のめっき処理（第二のめっき槽５にて）を定電位で行う。 （もっと読む）

【課題】基板のキャビティ、ブラインドホール、微小ブラインドホール及びスルーホールを電気分解により金属で充填する方法を提供する。
【解決手段】工作物のキャビティ、スルーホール、ブラインドホール又は微小ブラインドホールを金属で電気めっきして充填する方法を開示する。該方法によれば、キャビティ、スルーホール、ブラインドホール又は微小ブラインドホールを含む工作物を金属析出電解液に接触させ、そして工作物に電流が流れるように工作物と少なくとも一つの陰極間に電圧を掛ける。本発明の方法の特徴は、電解液がレドックス系を含むことにある。 （もっと読む）

２．８８９５±０．００２５Åの格子定数を有する結晶質クロム堆積物、および該結晶質クロム堆積物を含む物品。結晶質クロム堆積物を含む物品は、該結晶質クロム堆積物が｛１１１｝の優先方位を有する。基材上に結晶質クロム堆積物を電析させるための方法は、３価クロムおよび２価硫黄源を含み、そして実質的に６価クロムを含まない電気めっき浴を提供する工程；基材を該電気めっき浴に浸漬する工程；および該基材上に結晶質クロム堆積物を析出させるために電流を付与する工程を包含し、該クロム堆積物は、析出したときに結晶質である。
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