【課題】銅箔と低融点半田である錫−ビスマス半田との半田濡れ性が改善され、錫−ビスマス半田により太陽電池セルと銅箔とをフラックスを使用せずに半田付けでき、しかも銅箔表面が酸化変色しない表面処理銅箔を提供することを課題とする。
【解決手段】銅箔表面に付着量が０．０１０〜０．０３０ｍｇ／ｄｍ^２のＩｎ層を形成してなる表面処理銅箔である。
また、前記Ｉｎ層の上に半田層が設けられている表面処理銅箔である。 （もっと読む）

【課題】塗膜の形成によらずに耐熱性の良い絶縁皮膜を形成したステンレス鋼材であって、工業的に比較的低コストにて製造可能なものを提供する。
【解決手段】質量％で、Ｃ：０.０００１〜０.１５％、Ｓｉ：０.００１〜１.２％、Ｍｎ：０.００１〜２.０％、Ｐ：０.００１〜０.０５％、Ｓ：０.０００５〜０.０３％、Ｎｉ：０〜２.０％，Ｃｕ：０〜１.０％、Ｃｒ：１１.０〜３２.０％、Ｍｏ：０〜３.０％、Ａｌ：０〜０.１％未満、Ｎｂ：０〜１.０％、Ｔｉ：０〜１.０％、Ｎ：０〜０.０２５％、Ｂ：０〜０.０１％，Ｖ：０〜０.５％、Ｗ：０〜０.３％、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、ＲＥＭ（希土類元素）の合計：０〜０.１％、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなるステンレス鋼を基材として、その基材表面上に、Ｎｉ層を介して、厚さ１.０μｍ以上好ましくは５０.０μｍ以下のＮｉＯとＮｉＦｅ₂Ｏ₄の混合層が形成されているステンレス鋼材。 （もっと読む）

【課題】 プレス加工時の粉発生を抑制し、低接触抵抗及び高はんだ濡れ性を有し、長時間加熱後もこれら特性を保持するＳｎ又はＳｎ合金めっき材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属基材１１、金属基材１１上に形成されたＳｎ又はＳｎ合金めっき１３、及び、Ｓｎ又はＳｎ合金めっき１３上に形成された表面処理層１４を備え、前記Ｓｎ及びＳｎ合金めっき１３のめっき厚が０．２μｍ以上であり、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光装置）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記表面処理層表面の元素分析を行ったとき、リン（Ｐ）の２Ｓ軌道の結合エネルギー（Ｐ２Ｓ）のピークが１８６〜１９２ｅＶにあり、Ｐを０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％未満含有し、カーボン（Ｃ）の１Ｓ軌道の結合エネルギー（Ｃ１Ｓ）のピークが２８４〜２９０ｅＶにあり、Ｃを３５ａｔ％以上８０ａｔ％未満含有するＳｎ又はＳｎ合金めっき材１０。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも２層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 被めっき面が略鉛直面となる縦型懸垂めっき法により金属被覆樹脂基板を製造するに際して、めっき電圧の上昇を伴わずにめっき厚分布をほぼ均一化できるめっき装置の提供。
【解決手段】 被めっき面としての下地金属層を表面に備える樹脂基板を、前記被めっき面が略鉛直面となるように配置し、かつ前記被めっき面に対向する側に設置される電極と前記被めっき面との間に遮蔽板を配置する金属被覆樹脂基板のめっき装置において、前記遮蔽板として、当該板状部材の上辺及び下辺が先端側から後端側へ向けて、前記樹脂基板の上辺及び下辺に対して一定の傾斜角度でテーパー状に縮幅する形状を有する板状部材を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】節状や樹枝状のめっき金属結晶が金属帯の表面に生じ難く、しかも、めっき層と金属帯を高い密着性のもとで電気めっき処理することのできる電気めっき装置を提供すること。
【解決手段】電解槽２と、電解槽２内で金属帯Ｓを通板させる送り機構３と、電解槽２内で金属帯Ｓの通板方向（Ｘ３方向）もしくはこれと逆の方向（Ｘ４方向）にめっき液を流す流通機構５と、金属帯Ｓを挟む位置に配設された一対の電極１Ａ，１Ｂと、から構成された電気めっき装置１０であって、一対の電極１Ａ，１Ｂはともに、対応する位置でかつ通板方向に凸部１ｂと凹部１ａを交互に備え、双方の電極の凸部１ｂ、１ｂ間で電極間距離が短くなり、双方の凹部１ａ，１ａ間で電極間距離が長くなっており、金属帯Ｓが入ってくる入側の端部において、通板方向長さの最も長い凹部１ａ’、１ａ’が配されている。 （もっと読む）

【課題】熱間プレス時にスケールやZnOの生成が十分に抑制されて耐酸化性に優れるとともに、めっき層中の元素に起因する液体金属脆性割れが起こることのない耐液体金属脆性に優れた熱間プレス用鋼板およびそれを用いた熱間プレス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面に、融点が800℃以上であり、片面当たりの付着量が10〜90g/m²のめっき層を有することを特徴とする熱間プレス用鋼板。 （もっと読む）

【課題】良好な引張り強さ、導電率、繰り返し曲げ性及び溶接性をバランス良く兼ね備えた電池接続タブ材に好適な銅合金条。
【解決手段】２〜１２質量％のＺｎを含有し、かつ０．１〜１．５質量％のＳｎを含有し、残部が銅及び不可避的不純物から成る銅合金条であって、板厚方向及び圧延平行方向の結晶粒のアスペクト比が０．１以上であり、リフロー後のＳｎ層の厚みが０．１０〜１．６０μｍであり、かつＣｕ−Ｓｎ化合物の厚みが０．１０〜１．９０μｍであるリフローＳｎめっきが施されている、充電用電池タブ用のＳｎめっき銅合金条。この銅合金条は好ましくは、Ｎｉ／Ｃｕ下地めっき又はＣｕ下地めっきが施されており、導電率が３１〜７０％ＩＡＣＳであり、１８０°密着曲げ及び曲げ戻し試験での繰り返し曲げ回数が２．５回以上であり、引張り強さが３００〜６１０ＭＰａである。 （もっと読む）

【課題】電解めっき工程において、めっき膜の膜厚均一性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、を有する半導体ウエハーの、前記第１の領域及び前記第２の領域に第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層の上にレジスト層を形成する工程と、前記第２の領域の前記第１の導電層の第１の部分の上の第１レジスト層を残し、前記第２の領域の前記第１の導電層の第２の部分の上の第２レジスト層を除去するパターニング工程と、電極と、前記電極の電気的接続部に連続し、前記電極に電流を供給する配線と、を有する治具を、前記電気的接続部が前記第１レジスト層と接するように配置する工程と、前記電極に前記電流を供給して、電解めっきにより前記第１の導電層の上に第２の導電層を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高硬度かつ低抵抗のめっき膜、前記めっき膜を電気接点とする電子部品、前記めっき膜を成膜可能なめっき液、および、前記めっき膜の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜１０は、Ａｕ_{（１００−ｘ−ｙ）}−Ｍ_ｘ−Ｃ_ｙからなる。ただし、ＭはＡｕ以外の金属元素であり、１≦ｘ≦２２、かつ、３≦ｙ≦３０、かつ、４≦（ｘ＋ｙ）≦４０である。めっき液５０は、Ａｕイオンと、Ｎｉイオンと、くえん酸（Ｃｉｔ）イオンと、ＣＮイオンと、を含む。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムに形成した密着性が良好でかつ配線パターンの精細化に対応できるフレキシブル基板とその製造方法並びにフレキシブル回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム基板１の少なくとも片面に、接着剤を介さずに乾式メッキ法による直接形成した下地金属層２を具備し、その下地金属層上に所望の厚さの銅被膜層６を有するフレキシブル基板であって、前記下地金属層は、第１層が厚さ２〜１５ｎｍの絶縁性のＳｉ酸化物層またはＴｉ酸化物層３、第２層が厚さ１〜５ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、もしくはニッケル−クロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）から選ばれる１種の金属層４、さらに第３層が厚さ５０〜３００ｎｍの銅金属層５からなる。フレキシブル基板の銅被覆層をエッチング処理してフレキシブル回路基板とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に対する密着性に優れる金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】所定のエポキシ当量の少なくとも１種のエポキシ樹脂と、トリアジン環を有する少なくとも１種のフェノール樹脂とを含むプライマー層形成用組成物を基板上に塗布して、基板上にプライマー層を形成するプライマー層形成工程と、プライマー層上に、所定の官能基を有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物を塗布した後、プライマー層上の被めっき層形成用組成物に対してエネルギーを付与して、プライマー層上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板等の回路にかかる力を緩和する能力を有する導電性微粒子、及び、基板間の距離を一定に維持する方法を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材微粒子の表面が１層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層の全ての層の熱膨張率がそれぞれ１×１０^−５〜３×１０^−５（１／Ｋ）であり、かつ、各金属層と前記基材微粒子との熱膨張率の比（基材微粒子の熱膨張率／金属層の熱膨張率）がそれぞれ０．１〜１０である導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】電気化学堆積ツール用プラットフォーム上を流れる堆積用液のより大きな流れから堆積用液のより小さな流れを迂回させるシステムを提供する。
【解決手段】より小さな流れは迂回して別のプラットフォーム１５４上にあってもよい投与装置２６２へ向かう。一実施例において投与装置は加圧されたフローラインを含む。 （もっと読む）

【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品６に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品６が配設される基板５上に接着剤４を介して接合される接合面３を備えた放熱装置１において、接合面３は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が０．５〜１．０μｍのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第１添加剤、第２添加剤、および第３添加剤を含み、前記第１添加剤は、化学式１に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


（式中、Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｍは、平均重合度であり６〜１４の実数である。） （もっと読む）

【課題】めっき膜厚の制御を精度よく行う。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられた複数の凹部をめっき処理により導電性材料で埋め込むめっき工程を含む半導体装置の製造方法において、めっき工程は、複数の凹部のうち所定幅以下の微細な凹部が導電性材料で埋め込まれる際に、所定の第１の基準電流密度を半導体基板全面における各複数の凹部の側壁の面積を含む第１の表面積Ｓ_１と各複数の凹部の側壁の面積を含まない第２の表面積Ｓ_２との表面積比Ｓｒ＝Ｓ_１／Ｓ_２に基づき補正した第１の電流密度でめっき処理を行う工程（Ｓ１０４）を含む。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大きな径を有するとともに、大きな比表面積を有することにより、大きな分子に対しても適用可能な高活性の触媒として使用できる白金系のメソポーラス金属膜を与える。
【解決手段】ブロックコポリマー界面活性剤及び白金を含む金属塩の希薄な水溶液を電気分解することにより、電極上に上記メソポーラス金属膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】高い導電率及び強度を有し、応力緩和特性及び曲げ加工性に優れ、Ｓｎめっきの耐熱剥離性にも優れた電気・電子部品用銅合金を提供する。
【解決手段】Ｆｅ：０．０１〜０．２質量％、Ｐ：０．０２〜０．１５質量％、Ｍｇ：０．０５〜０．２質量％、Ｓｎ：０．００１〜０．２質量％、及びＺｎ：０．０５〜１．０質量％を含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、Ｓ：０．００５質量％以下であり、Ｆｅ，Ｍｇ及びＰ含有量が下記式（１）、（２）を満たす。２．５≦（［Ｆｅ］＋［Ｍｇ］）／［Ｐ］≦８．０・・・・（１）［Ｍｇ］／［Ｆｅ］≧０．８５・・・・（２）［Ｆｅ］、［Ｍｇ］、［Ｐ］は、それぞれＦｅ，Ｍｇ，Ｐ含有量を表す。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼薄板表面に形成するＡｕめっき層の厚みが薄くても耐食性に優れ、生産性も高い端子又はコネクタ用めっき材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼薄板からなる基材の表面に、原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ（Ra）が３．０ｎｍ以下であるＡｕめっき層を形成してなる端子又はコネクタ用めっき材である。 （もっと読む）