【課題】
本発明は多成分単一体のスパッタリングターゲット及びその製造方法、これを利用した多成分合金系ナノ構造薄膜製造方法に関するものである。
【解決手段】
本発明による多成分単一体のスパッタリングターゲットは、窒素と反応して窒化物形成が可能な窒化物形成金元素及び前記窒化物形成金元素に対する高溶度がないか低く、窒素と反応しないか反応性が低い非窒化物形成金元素の非晶質または部分結晶化された非晶質形成合金系を含むもので、前記窒化物形成金元素はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Siから選択された少なくとも一つの元素を含み、前記非窒化物形成金元素はMg、Ca、Sc、Ni、Cu、Y、Ag、In、Sn、La、Au、Pbから選択された少なくとも一つの元素を含んで構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】接合時の変形に追従して被膜の断裂や密着性の悪化などが生じず、耐電位差腐食性に優れた金属被膜がコーティングされたセルフピアスリベットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄またはその合金を母材とし、その表面に柱状結晶組織の金属被膜を有する。またその製造方法は、鉄またはその合金によって形成された母材の表面に、雰囲気圧力０．１〜３．０Ｐａ、平均成膜速度０．０１〜１０μｍ／分で、金属蒸着被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

本発明は、ガス雰囲気中におけるカソードスパッタリングにより、且つ、少なくとも１つの金属ターゲット（１６）を使用することにより、摩擦的に有効な摺動層（６）を有する基材の表面（５）を被覆することによって滑り軸受要素（１）を製造する方法であって、円筒形空洞（３）を有する基材が使用され、且つ、ターゲット（１６）は、空洞（３）内に少なくとも部分的に配置され、且つ、更には、ターゲット（１６）をスパッタリングするための放電は、第３電極（２６）によって支持又は維持される方法に関する。
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【課題】本発明は、ＶＮの特性とＴｉＡｌＳｉＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＶＮからなるＡ層と、Ｔｉ_1-x-yＡｌ_xＳｉ_yＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７、式中ｙは０．０１≦ｙ≦０．２５）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｏＮの特性とＴｉＡｌＳｉＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＭｏＮ_z（ただし式中ｚは０．０１≦ｚ≦０．２）で表されるＭｏとＮとの固溶体、Ｍｏ₂Ｎ、ＭｏＮまたはこれらの混合体からなるＡ層と、Ｔｉ_1-x-yＡｌ_xＳｉ_yＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７、式中ｙは０．０１≦ｙ≦０．２５）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムに金属蒸着膜と蒸着重合膜とが積層形成された積層シートを低コストに且つ優れた作業性をもって有利に製造し得る技術を提供する。
【解決手段】排気パイプ２４と真空ポンプ２６によって真空状態とされる真空槽２２内に、巻出し及び巻取りローラ２８，３０と第一、第二、及び第三のローラ３２，３４，３６とを設置すると共に、第一のローラの周面上で、樹脂フィルムの一方の面上に、第一の金属薄膜を形成せしめる第一の金属蒸着手段と、第二のローラの周面上で、第一の金属薄膜上に、樹脂薄膜を形成せしめる蒸着重合手段と、第三のローラの周面上で、樹脂フィルムの他方の面上に、第二の金属薄膜を形成せしめる第二の金属蒸着手段とを更に設置して、製造装置２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】発電要素を構成する構成層が剥離したり、構成層にクラックが生じたりすることを抑制できる非水電解質電池用発電要素及びその製造方法、それを用いた非水電解質電池を提供する。
【解決手段】非水電解質電池用発電要素10は、基材Sの上に、正極層1と負極層2、及びこれら両層の間に介在される固体電解質層3を有する。そして、基材Sの両面にそれぞれ、基材S側から正極層1、固体電解質層3及び負極層2が順に積層され一体化された構造である。これら各層は気相法により形成され、基材Sは正極層1の集電体としての機能を有する材料（例えばステンレス）で構成されている。 （もっと読む）

【課題】導電性を有する酸化物膜を基材表面上に成膜することにより耐酸化性、耐欠損性、耐摩耗性の全てに優れ、また、物理蒸着法により成膜可能であり、さらに美しい外観色を呈することにより商品価値の高い表面被覆切削工具の製造方法を提供する。
【解決手段】基材上にコーティング層を備える表面被覆切削工具の製造方法であって、前記コーティング層は、前記基材側から内層および外層をこの順で備え、該内層は、周期律表４ａ族に属する金属、５ａ族に属する金属、６ａ族に属する金属、ＡｌおよびＳｉからなる群より選択される１種以上の元素と、炭素、窒素および酸素からなる群より選択される１種以上の元素との化合物から構成され、前記外層は、導電性を有する酸化物膜から構成される表面被覆切削工具の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る硬質皮膜は、組成が（Ｔｉ_aＣｒ_bＡｌ_cＬ_d）（Ｂ_xＣ_yＮ_z）からなり、前記ＬはＳｉ及びＹのうちの少なくとも１種であり、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘ、ｙ、ｚが原子比であるときに、０．１≦ａ＜０．３、０．３＜ｂ＜０．６、０．２≦ｃ＜０．３５、０．０１≦ｄ＜０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、ｘ≦０．１、ｙ≦０．１、０．８≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】Ａｕを含む表面層をＴｉ基材上に強固かつ均一に形成させることができ、燃料電池用セパレータに要求される耐食性、導電性及び耐久性も確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】Ｔｉ基材２の表面に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも１種類以上の金属からなる第１成分とＡｕとを含む表面層６が形成され、表面層における第１成分の含有量が、第１成分の比重（g/cm³）×０．００１〜第１成分の比重（g/cm³）×０．０１（μｇ／ｍｍ^２）であり、かつＡｕの含有量が０．０７０（μｇ／ｍｍ^２）以上であり、表面層のどの深さにおいても、金属状態の第１成分の含有量が２５質量％以下である燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）

【課題】 過酷条件下においても優れた耐食性を発揮するＲ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の表面に、水素含有量が５０ｐｐｍ以上のＡｌまたはその合金からなる被膜を蒸着形成した後、蒸着形成されたＡｌまたはその合金からなる被膜に対してピーニング処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着源の加熱初期時に蒸着源からの輻射熱によりシャッターが加熱され、シャッター表面に吸着した水分等を不純ガスとして放出するのを抑制して、高純度の金属膜形成ができる真空蒸着装置を得る。
【解決手段】真空槽と、真空槽の内部に設けられた蒸着源と、蒸着源を加熱する加熱手段と、蒸着源に対向配置され、基板を保持する基板ホルダーと、蒸着源と基板との間を開閉するシャッターを備え、このシャッター表面のうち、少なくとも基板側の表面をＡｕ又はＰｔの層で覆う。 （もっと読む）

【課題】蒸着ソース及び有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】熱源と、熱源上に配置されて熱源から発生した熱を伝達する熱伝逹プレートと、蒸着材料を配置するように熱伝逹プレート上に配置された平坦化層と、を備え、熱源は、熱伝逹プレートの領域の中央領域より中央領域を取り囲む熱伝逹プレートのエッジ領域にさらに多くの熱を供給するように形成された蒸着ソース及び有機発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】密着性の向上および厚膜化が可能であり、耐摩耗性に優れる硬質膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】中間層３と表面層４とからなる硬質膜１の成膜方法であって、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、中間層３および表面層４は、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、炭素供給源として黒鉛ターゲットと炭化水素系ガスとを併用し、アルゴンガスの導入量１００に対する炭化水素系ガスの導入量の割合が１〜５、装置内真空度が０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧が７０〜１５０Ｖの条件下で、炭素供給源から生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させてＤＬＣを主体とする表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

硬質コーティング（２）および切削工具上で使用可能な窒化チタンアルミニウムを含む硬質コーティング（２）を作製する方法が開示される。コーティング（２）は約０重量パーセントと約１５重量パーセントの間の六方晶相およびｘが約０．５３〜約０．５８モルの範囲内である（Ａｌ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｎの組成を有する少なくとも１つの窒化チタンアルミニウム層（６）を含む。
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【課題】密着性および耐摩耗性の両面に優れ、かつ、表面平滑性の高いＤＬＣ膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】基材２の表面に形成された中間層３と表面層４とからなり、表面層４の最表面に有する高さ０．１μｍ以上の突起が測定長さ２０ｍｍの計測で１ｍｍ当り１．５個未満である硬質膜１の成膜方法であって、該成膜方法は、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、両工程において、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、上記装置内の真空度：０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧：７０〜２５０Ｖである条件下で、ターゲットから生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させて表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】摺動部材の摺動面に成膜する場合などにおいても十分な耐摩耗性を有するＤＬＣ膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】基材２の表面に形成された中間層３と表面層４とからなる硬質膜１の成膜方法であって、該成膜方法は、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、中間層形成工程および表面層形成工程において、中間層３および表面層４は、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、上記装置内の真空度が０．２〜０．９Ｐａであり、基材２に印加するバイアス電圧が７０〜４００Ｖである条件下で、炭素供給源となるターゲットから生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させてＤＬＣを主体とする表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

本発明は、コーティング及び基材を含み、該基材上にＰＶＤ堆積法を用いてコーティングが堆積された被覆物体の製造方法に関する。コーティングは、周期律表の第ＩＶｂ族、第Ｖｂ族、第ＶＩｂ族、ならびに、Ａｌ、Ｙ及びＳｉから選ばれる１種以上の元素の窒化物、炭化物、酸化物、ホウ素化物又はそれらの混合物を含む。堆積方法は、活性ターゲットを維持しながら、基材バイアス電圧を変化させる少なくとも１つのシーケンスを含み、ここで、基材バイアス電圧を変化させるシーケンスはサブシーケンスＳ_i；−第一の基材バイアス電圧Ｂ_iにて１０秒間〜６０分間の堆積時間Ｔ_iの間堆積させ、その後、１０秒間〜４０分間の傾斜時間Ｒ_iの間堆積させながら、基材バイアス電圧を徐々に第二の基材バイアス電圧Ｂ_i+1（│Ｂ_i−Ｂ_i+1│≧１０Ｖ）に変化させることを含み、ここで、サブシーケンスＳ_iをｉ＝ｎとなるまで繰り返し、ここで、ｉ＝０，１，２，．．．ｎであり、ｎ≧２であり、各新規のサブシーケンスは前のサブシーケンスが終わるときに使用されていたのと同一の基材バイアス電圧で堆積を開始する。
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【課題】スパッタリング法を用いて形成するＭｇＯ膜において（００１）配向の均一性を向上させる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】非晶質磁性膜を主面に有した円板状の基板Ｓを収容する真空槽１１の内部で基板Ｓをそれの周方向に回転させながら真空槽１１の内部へ希ガスを供給し、真空槽１１の内部にＭｇＯからなるターゲット表面Ｔａを露出してターゲット表面Ｔａが基板Ｓの主面に対し傾斜するかたちに配置されたＭｇＯターゲットＴを希ガスでスパッタすることにより（００１）配向のＭｇＯ膜を非晶質磁性膜上に形成する薄膜形成方法であって、基板Ｓの主面を含む平面を投影面としてターゲット表面Ｔａをそれの法線方向に投影した領域である投影領域ＳＰが基板Ｓの主面から離間するかたちにターゲット表面Ｔａを配置し且つ、基板Ｓの主面に対する法線とターゲット表面Ｔａに対する法線とのなす角度を８°以上で１４°以下にする。 （もっと読む）