【課題】スパッタリング法を用いて形成するＭｇＯ膜において（００１）配向の均一性を向上させる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】非晶質磁性膜を主面に有した円板状の基板Ｓを収容する真空槽１１の内部で基板Ｓをそれの周方向に回転させながら真空槽１１の内部へ希ガスを供給し、真空槽１１の内部にＭｇＯからなるターゲット表面Ｔａを露出してターゲット表面Ｔａが基板Ｓの主面に対し傾斜するかたちに配置されたＭｇＯターゲットＴを希ガスでスパッタすることにより（００１）配向のＭｇＯ膜を非晶質磁性膜上に形成する薄膜形成方法であって、基板Ｓの主面を含む平面を投影面としてターゲット表面Ｔａをそれの法線方向に投影した領域である投影領域ＳＰが基板Ｓの主面から離間するかたちにターゲット表面Ｔａを配置し且つ、基板Ｓの主面に対する法線とターゲット表面Ｔａに対する法線とのなす角度を８°以上で１４°以下にする。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】耐久性に富み、他の素子と組み合わせることなく適切に液晶素子の位相差を補償する二軸性複屈折体を容易かつ安価に提供する。
【解決手段】基板上に無機材料を斜方蒸着することによって二軸性複屈折体を製造する製造方法であり、無機材料を斜方蒸着によって基板上に堆積させるときに、蒸着材料が基板に飛来する方向を変化させるとともに、蒸着材料が基板に飛来する方向の変化が所定の角度振幅の範囲内での振動的に変化させる。 （もっと読む）

【課題】フットプリント（占有床面積）を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を保持する基板ホルダ１８が設置された処理室１２と、該処理室に隣接して配置されたターゲット室２３と、該ターゲット室に挿入された回転軸２９を回転させる回転装置２８と、前記ターゲット室に設置され、前記回転軸が回転軸線に連結された錐形状のターゲットホルダ３０であって、錐面において複数のターゲットを保持するターゲットホルダと、イオンを前記ターゲットホルダに保持された前記ターゲットに照射するイオン源４０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】基板の斜め方向からスパッタリング粒子が供給される反応性のスパッタリング装置において、良好な成膜レートを確保できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板ホルダー６を有し基板ホルダー６が搬送可能に設けられた成膜室２と、成膜室２に連通しターゲット１０が配置されるスパッタリング室３と、を備え、スパッタリング室３から成膜室２に放出されたスパッタリング粒子と反応ガスとの反応により基板Ｗ上に反応生成膜を形成させるスパッタリング装置であって、ターゲット１０が基板ホルダー６の搬送経路に対して斜めに配置され、ターゲット１０の外周より大きな穴部を有する箱体２０がスパッタリング室３に設けられ、箱体２０の第１開口部２１を通してターゲット１０の表面が箱体２０の内面を向き、ターゲット１０が向かい合う箱体２０の面の一部にスパッタリング粒子が通過する第２開口部２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】指向性よくスパッタリング粒子が基板上に到達して成膜ができるスパッタリング装置および液晶装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持し搬送可能な基板ホルダー６を有する成膜室２と、成膜室２に連通し第１ターゲット５ａと第２ターゲット５ｂとが平行に対向して配置された一対のターゲットを有するスパッタリング粒子放出部３と、基板ホルダー６とスパッタリング粒子放出部３との間に配置された制御板３１ａ〜３１ｅを有する制御板ユニット３０と、を備え、スパッタリング粒子放出部３の一対のターゲットが基板ホルダー６の搬送経路に対して斜めに傾いた状態で配置され、一対のターゲットからプラズマによりスパッタリング粒子５Ｐを生じさせて、搬送される基板ホルダー６に向けてスパッタリング粒子５Ｐを放出させ、制御板３１ａ〜３１ｅは一対のターゲットと平行に配置され、スパッタリング粒子５Ｐを選択的に通過させる。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止し、生産性にも優れた配向多結晶基材とそれを備えた酸化物超電導導体を提供する。
【解決手段】金属基材１１上に、イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により面内に３回対称に配向するように成膜された岩塩構造の第一層１３と、この第一層１３上に３回対称に配向するように成膜された配向調整層１２と、この配向調整層１２上にＩＢＡＤ法により面内に４回対称に配向するように成膜された蛍石構造あるいはそれに準じた希土類Ｃ型あるいはパイロクロア構造の第二層１４とを具備する中間層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の供給時に発生する飛沫を抑え、さらに液面の波紋の影響を低減し、蒸着材料のロスを少なくする蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空室１２内に、送りロール１３と巻取りロール１４を設けてベースフイルム１５を走行させ、中途の冷却キャン１６で定速回転させる。冷却キャン１６の幅方向の長さはルツボ１と略同じ円筒状で、内部の冷却水でベースフイルム１５の温度上昇による変形等を抑制する。ルツボ１を蒸着材料蒸発部分と、これに直角に設けた蒸着材料溶融部分で構成し、蒸着材料溶融部分で蒸着材料供給時に生じる波紋の影響を防ぎ安定な蒸着を行う。冷却キャン１６を軟磁性部分１６Ａと非磁性部分１６Ｂで構成し、１つの電子銃２１から照射される蒸発，溶解用電子ビーム２１Ａ，２１Ｂと、これを局部偏向することにより、蒸着材料を溶解，蒸発し、電子ビーム相互干渉による異常放電を抑え、ルツボ１を小さくし蒸着材料のロスを少なくする。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に、真空槽内の圧力や電極への投入電力を変化させる必要がなく、基板上の有機薄膜などへのダメージを最小限に抑えつつ効率的な成膜を可能とする。
【解決手段】ソフト成膜時、シャッター５をターゲット８に対向して配設し、かつ基板搬送機構４により基板３をシャッター５の脇部分に搬送させ、この状態でシャッター５の脇から僅かに漏れるターゲット粒子を基板３に衝突させることによりソフト成膜を行う。ソフト成膜後、基板搬送機構４により基板３をシャッター５の背後に搬送させ、かつシャッター５を移動させて高レート成膜を行う。この状態ではターゲット電極２に対向する放電空間が基板３の下方に広がり、高エネルギー状態のターゲット粒子や反跳イオンおよびγ電子が大量に基板３に衝突することになる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料供給時に生じる飛沫を抑え、投入時の液面の波紋が蒸着に与える影響を低減し、また蒸着材料のロスを少なくする。
【解決手段】真空状態となった真空室１２内に、送りロール１３と巻取りロール１４を設けてベースフイルム１５を走行させる。各ロール１３，１４は、ベースフイルム１５の幅と略同じ円筒状、冷却キャン１６の幅方向の長さはルツボ３１と略同じ円筒状で、内部に冷却水が流れ、ベースフイルム１５の温度上昇による変形等を抑制する。また真空室１２内には、冷却キャン１６と略同じ幅で設けられたルツボ３１には、蒸着材料（固体状態）２０ａを溶解用電子銃２１Ｂで溶融させて供給する。このルツボ３１は、蒸着材料蒸発部分３１Ａと、これに直角に設けられた蒸着材料溶融部分３１Ｂからなる。この蒸着材料溶融部分３１Ｂにより、蒸着材料（固体状態）２０ａを供給する際に生じる波紋の影響を防止して、安定した蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】可視光領域にて高い偏光度、ｐ偏光透過率、ｓ偏光反射率を示し、光学特性の角度依存性や波長依存性が低いワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる複数の凸条１２が、凸条１２間に形成される平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６の全面およびこれに隣接する平坦部１３の一部を被覆し、かつ凸条１２の第２の側面１８を被覆しないまたは第２の側面１８の一部を被覆する金属層２０とを有するワイヤグリッド型偏光子１０；凸条１２の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向に対して第１の側面１６の側に２５〜４０゜の角度をなす方向から金属または金属化合物を、蒸着量が４０〜６０ｎｍとなる条件で蒸着して金属層２０を形成する製造方法。 （もっと読む）

【課題】所望形状の均質な微小構造体を形成することのできる微小構造物の製造方法等を提供する。
【解決手段】表面に複数の凸部５を有する基材１を、凸部５の先端部によって形成される基材１表面の凸部の向き４が蒸着粒子３の入射方向に対して対向する方向より偏向して基材１を設置して蒸着材料を成長させる。これにより、凸部５の先端部から蒸着材料の構造体を成長させて個々の構造体がギャップによって隔てられ物理的に独立した微小構造物２の集合体を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜不良を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２内において被処理基板Ｗを戴置すると共に、所定の搬送方向に搬送するホルダー３と、搬送される被処理基板Ｗに対向して真空容器２内に設けられるハース４Ａ，４Ｂと、ハースにプラズマビームを照射するプラズマガン６，７と、ハースに対向するとともに、被処理基板Ｗを挟んでハースと反対側に設けられる歪曲手段１５Ａと、を備え、歪曲手段１５Ａは、電極と、該電極に接続され電圧を印加する電源装置と、を有し、電極には、ハースから飛来する膜材料が有する電荷と逆の電荷を生じる電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】対向ターゲット式スパッタ法による化合物薄膜の作成において、薄膜の組成比を制御することのできる装置を提供する。
【解決手段】対向ターゲット式スパッタ装置の相対する２個のターゲット５，６に組成の異なる化合物ターゲット用い、かつ基板ホルダー４をターゲットに対して垂直から平行まで左または右に様々な角度をつけることによって組成比を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板上に有機発光層等の薄膜を成膜する際に、この基板上の異物に対する薄膜の回り込みを改善することにより、電極間のリーク等の異物に起因する不具合を防止することができ、異物に起因する暗点欠陥等の欠陥が生じる虞の無い薄膜を成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、基板Ｗを水平に保持した状態で搬送し収納する真空容器２と、この真空容器２内に基板Ｗの成膜領域Ｗ１の下方かつ基板Ｗの搬送方向と直交する方向に配設され蒸着材料Ｍを収納するルツボ３、４とを備え、これらのルツボ３、４は、基板Ｗ上の成膜領域Ｗ１より外側の位置に、それぞれ配設されている。 （もっと読む）

【課題】Ｖ溝といった斜めの壁を有する溝において、高品位に成膜可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード１０２と、回転可能なステージ１０１と、回転可能な遮蔽板１０５とを備える。遮蔽板１０５は、スリット状の開口部１０８を有し、該開口部１０８を介してスパッタ粒子が通過可能であり、開口部１０８は、遮蔽板１０５の回転方向の幅より該回転方向に垂直な方向の幅が広い。また、基板支持面に配置された基板１０４には少なくとも１つのＶ溝が形成されており、該Ｖ溝の長手方向は、遮蔽板１０５の回転方向に垂直な方向に一致するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】装置設計や部材配置の煩雑さを回避することができ、量産性に優れたスパッタリング装置及び膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収容可能に設けられ、前記基板Ｗを成膜する成膜室２と、対向配置されスパッタ粒子５Ｐを発生可能な一対のターゲットを有し、前記一対のターゲットから生じる前記スパッタ粒子を前記基板側へ向けて放出するスパッタ粒子放出部３と、前記基板Ｗと前記スパッタ粒子放出部３との間に設けられ、前記スパッタ粒子を選択的に通過させるスリット開口Ｓを有するスリット部材と、前記基板Ｗが前記スリット開口Ｓ上を通過するように前記成膜室内の前記基板Ｗを所定方向に搬送する搬送機構と、前記スリット開口Ｓ上において、前記基板Ｗを移動させる基板移動モードと前記基板Ｗの移動を停止させる基板停止モードとを交互に繰り返すように前記搬送装置に前記基板Ｗを搬送させる制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲットから放出されたスパッタ粒子を、基板に対して斜めに選択入射するようなターゲットならびに基板を配置することで斜め成膜を可能とし、高い一軸磁気異方性を有する磁性膜を均一に、且つコンパクトに成膜できるようなスパッタ装置を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット支持面を有するカソードであって、該スパッタリングターゲット支持面が回転する回転軸を備えたカソードと、基板支持面を有するステージであって、該基板支持面が回転する回転軸を備えたステージとからなるスパッタリング装置であり、スパッタリングターゲット支持面と基板支持面とが互いに対面しており、それぞれの回転軸を中心として独立して回転可能に構成した。さらに、遮蔽板がスパッタリングターゲット支持面と基板支持面との間に配置されており、カソード及びステージと独立して回転可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置が形成される基板の基板面における膜厚の面内分布のばらつきを抑
制する。
【解決手段】電気光学装置の製造装置（１）は、蒸着源（１４）と、基板（１００）を保
持する基板保持手段（１２１）、開口（１２２ａ）が開けられたスリット（１２２）及び
基板をスリットに対して一の方向に沿って移動可能な第１駆動手段（１２３）を有する基
板ユニット（１２）と、蒸着源及び基板ユニットを設置するための空間（１１ａ）を規定
すると共に、空間を真空に維持可能な真空槽（１１）と、基板ユニットを一の方向に交わ
る他の方向に沿って移動可能な第２駆動手段（１３）と、基板上に蒸発物質を蒸着する際
に、基板をスリットに対して、一の方向に沿って相対的に移動させるように第１駆動手段
を制御する第１制御と、基板ユニットを他の方向に沿って移動させるように第２駆動手段
を制御する第２制御とを実施する制御手段（１５）とを備える。 （もっと読む）