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Fターム[4K029CA15]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被覆処理方法 (12,489) | 粒子、ビームの基板斜方照射 (174)

Fターム[4K029CA15]に分類される特許

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【課題】カソードおよびアノード間の異常放電の発生率を十分に低下させる。
【解決手段】熱電子を放出するカソード22と、カソード22から熱電子が放出されている状態においてカソード22との間に印加されているグリッド電圧の電圧値に応じた量の電子を放出するグリッド23と、カソード22との間にアノード電圧が印加されて電子を加速させるアノード24と、加速された電子を集束して電子ビームEBを生成する集束部25とを備えた電子ビーム蒸着装置用の電子ビーム照射装置6であって、アノード24は、カソード22に対向配置されたフランジ部(鍔状部)24aと、熱電子を集束部25に向けて案内する筒状部24bとが一体形成されて構成されると共に、フランジ部24aにおけるカソード22側の一面24sの算術平均粗さRaが2.0μm以上7.3μm以下の範囲内となるようにショットブラスト加工されている。 (もっと読む)


【課題】カソードおよびアノード間の異常放電の発生率を十分に低下させる。
【解決手段】熱電子を放出するカソード22と、カソード22から熱電子が放出されている状態においてカソード22との間に印加されているグリッド電圧の電圧値に応じた量の電子を放出するグリッド23と、カソード22との間にアノード電圧が印加されて電子を加速させるアノード24と、加速された電子を集束して電子ビームEBを生成する集束部25とを備えた電子ビーム蒸着装置用の電子ビーム照射装置6であって、カソード22は、アノード24側の一面22sの十点平均粗さRzが0.10μm以上0.28μm以下の範囲内となるように研磨されている。 (もっと読む)


【課題】材料の利用効率が高く、生産性に優れたプロセスで、蒸着膜を連続的に形成する。
【解決手段】真空槽内で基板4を走行させ、基板4上に蒸着原料の蒸着膜を連続形成する真空蒸着装置であって、基板の幅方向の任意の装置断面において、蒸発源4の蒸発面の中心から基板を結ぶ直線と、直線が基板4と交わる点の基板の蒸着面のたてた法線とでなす角度を入射角と定義するとき、基板4を曲線に沿って走行させる第1の曲線走行部64と、基板4を直線に沿って走行させる第1の直線走行部65とで構成され、入射角を法線から傾斜させた第1の成膜領域60と、基板4を曲線に沿って走行させる第2の曲線走行部66と、基板4を直線に沿って走行させる第2の直線走行部67とで構成され、入射角を前記法線から傾斜させた第2の成膜領域61とを有し、第1の成膜領域の蒸着面および第2の成膜領域の蒸着面が、蒸発面の中心を通る法線の両側に対向して配置されている。 (もっと読む)


【課題】高スループット・大面積・低コストの微細パターンの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基体1上に加工対象層2を形成し、前記加工対象層2上に透明誘電体からなるレジスト層を形成するとともに、前記レジスト層をナノインプリント法によってパターニングすることにより、前記レジスト層の上面に凹部53を有するパターン化レジスト層3を作るパターン化レジスト層形成工程と、少なくとも前記パターン化レジスト層3の上面3aに金属層からなるハードマスク層4を形成した後、前記凹部53の底部53aに残されたレジスト残渣55をエッチングして除去してから、前記パターン化レジスト層3をマスクにして前記加工対象層2をエッチングするエッチング工程と、を具備することを特徴とする微細パターンの製造方法を提供することによって、上記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】低温で成膜でき、膜形成材料と繊維材料の反応を抑制することができる繊維強化複合材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に繊維材料が固定された基板33を成膜チャンバー30に配置し、一方、不活性ガス雰囲気で、膜形成材料の蒸発源15の加熱により膜形成材料粒子を生成し、次に、膜形成材料粒子を移送し、超音速フリージェットJの気流に乗せて真空チャンバー(30)中に噴出して、繊維材料が固定された基板33上に物理蒸着させて、膜形成材料からなる膜中に繊維材料が内包された繊維強化複合材料膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】液晶を用いた画像表示装置において、光学的異方性を避けるためと、高速応答のために、液晶を基板に対して垂直若しくはそれに近い配向にする必要がある。液晶には強い光、波長の短い光があたることが多いので、従来のポリイミドの配向膜では劣化が生じ寿命が短くなる。配向膜を無機化したいが、SiO斜方蒸着を液晶配向膜とした場合、液晶として特性の優れる誘電率異方性が正のものを使うと水平配向になってしまう。金属アルコラートを用いて垂直配向にする技術はあるが工程が複雑になっている。
【解決手段】液晶を挟む2枚の基板の内、少なくとも一方の基板側の液晶配向膜を金属にすることにより、基板の間に封入する液晶は、誘電率異方性(Δε)が正のものを用いていながら、基板に対して垂直若しくはほぼ垂直に配向させることができる。 (もっと読む)


【課題】 斜め蒸着により基板4上に柱状体14を形成する方法において、蒸発源3と成膜面との距離が大きければ、蒸発粒子とチャンバー1内残留ガス分子との衝突頻度が増大して入射粒子の入射方位に分布を生じるために、柱状体14が太るために柱状体間の隙間が減少する。
【解決手段】 蒸発源3と成膜面との間の、蒸発源3から放射状に引き出した線上に整流板11を配置する。整流板11を配置することで、柱状体14が太るために柱状体間の隙間が減少することを抑制できる。また、整流板11へ付着する堆積物の量を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】蒸着機をいじることなく、斜方蒸着配向膜を均一な膜厚にできる液晶表示素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極基板と透明電極基板とが液晶を介して互いに対向配置された液晶表示素子であって、 前記画素電極基板と前記透明電極基板とのそれぞれの前記液晶に接する面側に、基板面に対して斜め方向から蒸着形成された第1斜方蒸着配向膜と、基板面に対して垂直方向から蒸着形成された垂直蒸着膜と、前記垂直蒸着膜を介して、前記第1斜方蒸着配向膜形成時と基板の上下を180度回転し基板面の法線に対して前記斜め方向から対称な斜め方向から蒸着形成された第2斜方蒸着配向膜とが順に積層形成され、基板全面で蒸着膜の総厚が一定である液晶表示素子とする。 (もっと読む)


【課題】サブミクロンオーダーの金属膜を透明基板上に確実に形成することができるメタルワイヤーパタンの製造方法、バックライトシステム及びそれらを用いた液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】モールド20aにナノインプリント法により凹凸部11を形成する凹凸部形成工程と、モールド20aの凹凸部11上に真空成膜法またはめっき法により金属膜13を堆積させる金属膜形成工程と、凹凸部11上に堆積した金属膜13のうち、凸部15上に堆積した金属膜13を透明基板30に転写してメタルワイヤー層32を形成する転写工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


エネルギー粒子ビーム(42)で基板(44)を処理するための方法及び装置である。基板(44)上の特徴(66)は、エネルギー粒子ビーム(42)に対して配向され、基板(44)はエネルギー粒子ビーム(42)を通して走査される。ビーム(42)の長寸法(49)に対して特徴(66)を再配向するために、基板(44)は、エネルギー粒子ビーム(42)への露光から遮蔽される間に、対称な方位軸(45)の周りで周期的に割り出される。
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【課題】例えばより抵抗が低く透過率の高いITO薄膜のような透明導電膜を、樹脂フィルムの軟化点以下の温度で比較的低コストに均一かつ高速度で成膜する。
【解決手段】真空容器1内の上部に、成膜ローラ10に巻回された樹脂フィルムFがその被成膜面Sを下向きにして配設するとともに、真空容器1内の下部には、蒸着材料を電子ビームガン4によって蒸発させる蒸発源5と、この蒸発源5において蒸発させられた蒸着材料の材料蒸気Aに向けてプラズマBを照射するプラズマ放出源7とを、被成膜面Sに対向するように配置し、このうちプラズマ放出源7を、成膜ローラ10の軸線Oを含んで鉛直方向に延びる仮想平面Rから間隔をあけて配設する。 (もっと読む)


【課題】バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体基板が載置されたディスク3が、イオンビーム1と垂直なX−Y面と、ディスク3の回転面32内においてY軸に直交する直線とのなす角が第1の角度β1となる状態で配置される。当該状態で、ディスク3をディスク回転軸53周りに回転させてイオンビーム1を照射することにより、第1導電型の不純物が半導体基板2に注入される。次いで、ディスク3が、X−Y面と、ディスク3の回転面32内においてY軸に直交する直線とのなす角が第2の角度β2となる状態で配置される。当該状態で、ディスク3をディスク回転軸53周りに回転させてイオンビーム1を照射することにより、第2導電型の不純物が半導体基板2に注入される。 (もっと読む)


【課題】基板上に光学特性に応じた膜層を形成する際に、グラデーション層を安定してバラツキなく同時に複数の基板に成膜することの可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ内でターゲットを動作ガスでスパッタリングして基板上に光学特性の異なる少なくとも第1第2の物質から成る複数のターゲットを動作ガスでスパッタリングして誘電体膜層層と金属膜層を積層状に形成する減光フィルタの成膜方法であって、上記誘電体膜層は、誘電性物質若しくは金属物質からなるターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子で膜形成した後、形成された膜にプラズマを照射して生成された化合物で膜形成する。また上記金属膜層は、金属物質からなるターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子で膜形成され、または形成された膜にプラズマを照射して生成された化合物で膜形成する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによる成膜において、基板2の直径dと同等又はこれより小さい直径Dのターゲット3を用いて、膜厚分布の小さな成膜を可能とする。
【解決手段】回転可能にセットされた基板2と、ターゲット3とを備えたスパッタリング装置において、前記基板2の法線に対する前記ターゲット3の中心軸線Aのなす角度をθ、前記ターゲット3の中心軸線Aと前記基板2の表面を含む平面との交点Pと基板2の回転軸線Bとの距離をF、前記交点Pと前記ターゲット3の中心との距離をLとした時に、前記ターゲット3を、以下の条件を満たすと共に、前記ターゲット3の中心から前記前記基板2の表面を含む平面への垂線が前記基板2の外側となる位置に設けたスパッタリング装置とする。
d≧D
15°≦θ≦45°
50mm≦F≦400mm
50mm≦L≦800mm (もっと読む)


本発明は、基材本体とそれに適用された多層被覆とを有する切削工具であって、一方が他方の上に配置された多層被覆のうちの少なくとも2層が、同じ金属又は異なる金属の金属酸化物を含有し、又はその金属酸化物からなるものである切削工具に関する。従来技術以上に改良された切削工具を提供するために、本発明によれば、一方が他方の上に配置された少なくとも2つの層を、i)反応性マグネトロンスパッタリングRMS、ii)アーク気相成長(arc-PVD)、iii)イオンプレーティング、iv)電子線気相成長、及びv)レーザーアブレーション、から選ばれる異なるPVD法により、一方を他方の上にして製造し、i)〜v)のそれぞれの方法の変形法が異なるPVD法を構成するものでないものとすることが提案される。 (もっと読む)


【課題】回転部の位置確認が不要な連続式成膜装置を提供する。
【解決手段】連続式成膜装置1は、成膜室2と、真空室3と、ゲートバルブ4とを備えている。また、連続式成膜装置1は、基板ホルダ11を有する回転部51と、固定部52とを有し、回転部51が固定部52に対して相対回転することにより基板ホルダ11を自公転させる自公転機構5と、回転部51と係合して回転部51を回転駆動する回転駆動手段7と、成膜室2と真空室3との間で自公転機構5を搬送する搬送手段6とを備えている。自公転機構5は、搬送手段6により搬送される際には、回転部51と固定部52とが相対回転不能である搬送形態となり、回転部51が回転駆動手段7により回転させられる際には、回転部51と固定部52とが相対回転可能である自公転形態となる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによる成膜において、基板2の直径dと同等又はこれより小さい直径Dのターゲット3を用いて、膜厚分布の小さな成膜を可能とする。
【解決手段】回転可能にセットされた基板2と、ターゲット3とを備えたスパッタリング装置において、前記基板2の法線に対する前記ターゲット3の中心軸線Aのなす角度をθ、前記ターゲット3の中心軸線Aと前記基板2の表面を含む平面との交点Pと基板2の回転軸線Bとの距離をF、前記交点Pと前記ターゲット3の中心との距離をLとした時に、前記ターゲット3を、以下の条件を満たすと共に、前記基板2の表面を含む平面への前記ターゲット3の投影面が前記基板2の外側となる位置に設けたスパッタリング装置とする。
d≧D
15°≦θ≦45°
50mm≦F≦400mm
50mm≦L≦800mm (もっと読む)


【課題】優れた親水性を有し、強度も高く、製造も容易で、防曇膜等の防曇材(防曇処理済材)に適正な親水性材を提供する。
【解決手段】防曇層14等となる親水性材は、無機酸化物層からなる親水性層を有し、この親水性層が、基材の法線に対して10〜70°の角度αを有する柱からなる柱状構造、すなわち基材の法線に対して所定の角度で傾斜する柱からなり、前記親水性層の厚さが、100〜3000nmである柱状構造。 (もっと読む)


【課題】ブランクス間及びブランクス面内における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良い位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。
【解決手段】透明基板6上に、少なくともパターンを形成するための薄膜を有する、フォトマスクブランクのDCマグネトロンスパッタリング法による製造方法において、基板6の平面からなる被成膜面を上方に向けて水平面上で回転させ、被成膜面に対して傾斜して対向した単一のターゲット5をスパッタリングすることによって薄膜を成膜し、かつ、成膜の開始から成膜の終了までの間で前記透明基板を整数回回転させて成膜を行うフォトマスクブランクの製造方法。 (もっと読む)


【課題】大面積の基板を用いた場合でも、蒸着距離を大きくすることなく、配向の均一性を確保可能な膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被蒸着基板上に膜を形成する方法であって、蒸着源からの蒸着種が該被蒸着基板の膜を形成する面に向かう方向が、該被蒸着基板の法線方向に対して傾斜するように被蒸着基板を保持する工程と、該被蒸着基板の膜を形成する面に面内の位置によって異なるエネルギーを与える工程と、該蒸着源から蒸発させた蒸着種を該被蒸着基板上に付着させ膜を形成する工程とを有する膜の形成方法。 (もっと読む)


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