【課題】本発明は、酸化物超電導層の下地として、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができる技術の提供を目的とする。また、本発明は、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができるため、基材表面の平坦性を損なうことなく、拡散防止機能を備えるバッファー層を形成することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材Ａは、クロムを含む金属基材２０と、前記クロムを含む金属基材２０内表面側に形成された厚さ５〜１０００ｎｍの酸化クロム層２５と、イオンビームアシスト成膜法により成膜された中間層２３とをこの順に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を有する基板表面の膜厚分布の改善を図ることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、被成膜面上の一方向である第１の方向に沿って形成された凹凸構造を有する基板Ｗを成膜対象とし、ステージ３と、成膜源４と、検出部１０と、成膜源制御部１６とを具備する。成膜源４は、成膜材料Ｔから成膜粒子を生成させ、ステージ３に支持された基板Ｗに第２の方向から成膜粒子を照射する。検出部１０は、ステージ３の回転角度を検出する。成膜源制御部１６は、検出部１０の検出結果に基づいて、第１の方向と、第２の方向を被成膜面に投影した第３の方向とが平行となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度となり、第１の方向と第３の方向とが垂直となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度より小さい第２の成膜速度となるように成膜源４を制御する。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜において、あらゆる膜特性を同時に満足させる手法を提供すること。
【解決手段】スパッタ現象を利用して基板上に導電性薄膜を形成する方法であって、薄膜形成中に、スパッタ電力、スパッタガス、および反応性ガスを含む成膜パラメータの少なくとも１つを２つの値に変動させ、その時間分割比を制御することを特徴とする導電性薄膜の形成方法である。また、p型またはn型の導電型を有する半導体上に導電性薄膜を形成する方法において、半導体上への成膜開始時点に、強度にプラズマ照射を行うことを特徴とする導電性薄膜の形成方法も採用できる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法により、基板面上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づける製膜装置を提供する。
【解決手段】製膜装置１は、基板２００上に形成される膜を構成する膜材料を供給する膜材料源１４と、膜材料源及び基板を設置するための空間１１ａを規定すると共に、空間を真空に維持することが可能な真空槽１１と、空間において、基板の少なくとも一部が膜材料源の少なくとも一部と対面するように基板を保持する保持手段１２１と、基板が一の方向に沿って移動するように保持手段を移動する移動手段１２３と、基板及び膜材料源間に配置され、一の方向と交わる方向である他の方向に沿って延在する開口部１２２ａを有するスリット板１２２とを備える。開口部の端部は、スリット板の面内においてずらし、他の方向から開口部を通過する膜材料の他の方向の角度分布の広がりを抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は高アスペクトのビアや凸凹形状のレンズのような３次元形状の基板に対して、小型装置にて面内の高い膜厚均一性かつ高スループットが達成できるスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器と、前記真空容器内に配置されたターゲットと、前記真空容器内にガスを導入しながら排気するガス調整手段と、前記ターゲットに対向して配置され、かつ、基板を載置する回転可能な基板保持台によって構成され、スパッタガスまたは、スパッタガスと反応性ガスを導入することにより、前記ターゲットにてターゲット材料または、ターゲット材料の反応生成物を基板上に堆積することができるスパッタリング方法において、前記ターゲットを前記基板に対してずらして配置し、かつ、イオンを前記基板に対して、垂直および斜め方向から入射する複数のイオン発生機構を配置する。 （もっと読む）

【課題】良好なＸ線コントラスト、生体適合性、および耐腐食性を付与する十分な厚みの
放射線不透過性コーティングを有する医療装置を提供すること。
【解決手段】医療装置であって、層間剥離することなくこの医療装置の使用に固有の大き
な歪みに耐えることができる多孔性の放射線不透過性コーティングを備えている。ステン
トなどの医療装置の熱機械特性に悪影響を及ぼさないように、蒸着により医療装置にＴａ
コーティングを施す。このようなコーティングは、高い放射率を有するのが好ましい。こ
のようなコーティングは、概ね単斜晶系の被覆剤または低エネルギー被覆剤によって施さ
れる。 （もっと読む）

【課題】装置構成の大型化、複雑化を回避しつつ、三次元曲面形状の成膜領域に均一な膜質で蒸着膜を形成することができるワークの位置決め装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る位置決め装置１３は、回転対称な三次元曲面形状の成膜領域を有するワークを成膜するために用いられ、ワークＷを支持する支持体３０と、支持体３０を回転及び傾動させる回転機構及び傾動機構と、これら回転機構及び傾動機構を制御する制御部１６とを有する。上記回転機構は、ワークＷの回転対称軸ａｘ１の回り（θ方向）に支持体３０を回転させ、上記傾動機構は、蒸着粒子ｐ１の入射方向（Ｚ軸方向）と直交する軸ａｘ２の軸回り（ψ方向）に支持体３０を傾動させる。制御部１６は、ワークＷに対する蒸着粒子ｐ１の入射位置を調整するために、上記回転機構及び上記傾動機構を制御する。 （もっと読む）

【課題】厚い部分と薄い部分を有する活物質膜を用い、それにリチウムを附与した際の組成不均一に起因する劣化を防止することが出来るリチウム二次電池用負極の製造装置を提供すること。
【解決手段】排気ポンプで減圧されている真空槽内に配置され基板を搬送する搬送系と、基板近接に配置され前記基板に材料蒸気を付与するための開口面を有する半密閉構造の材料付与源と、前記付与源を加熱する加熱源と、前記付与源の開口面近傍に配置され材料蒸気に指向性を付与するスリット構造とを有し、前記スリット構造は、成膜領域における前記基板の搬送に伴って、前記基板に向かう前記材料蒸気の入射方向が前記基板法線を挟んで逆転する構造であることを特徴とする電気化学素子の成膜装置。 （もっと読む）

【課題】遮蔽機構の退避のためのスペースを小さくしてコンパクトなスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板ホルダー表面の基板１８が載置される基板載置面を遮蔽可能な遮蔽部材を備える。前記基板載置面は第１領域と第２領域とを含む。前記遮蔽部材は、少なくとも前記第１領域を遮蔽可能な第１遮蔽部材１４と、少なくとも前記第２領域を遮蔽可能な第２遮蔽部材１５と、前記第１遮蔽部材１４及び前記第２遮蔽部材１５を回転させる回転機構３０と、を備える。前記第１遮蔽部材１４及び前記第２遮蔽部材１５は、前記回転機構３０による回転によって、前記第１遮蔽部材１４が少なくとも前記第１領域を遮蔽し、かつ、前記第２遮蔽部材１５が少なくとも前記第２領域を遮蔽する遮蔽位置と、前記第１遮蔽部材１４及び前記第２遮蔽部材１５が前記基板載置面の上方の領域から退避して互いに重なり合う退避位置と、の間で移動可能である。 （もっと読む）

【課題】波長ムラが生じにくく低屈折率の薄膜、及び、薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜１１は、基板１２上に形成されている。薄膜１１は、蒸着材料からなる蒸着膜により形成されている。また、薄膜１１は、基板１２に形成された複数のナノ構造体１３の集合層から構成されている。ナノ構造体１３は、基板１２の略垂直方向に柱状に延びるように形成されている。また、ナノ構造体１３の集合層は、薄膜１１全体として、蒸着材料と空気とが一定割合で混合しており、この割合（薄膜の膜充填密度）により、薄膜１１全体の屈折率が決定される。 （もっと読む）

【課題】プロセス処理変更のタイミングに同期させて電源制御の変更コマンドを送信することで、シリアル通信の遅れによる誤差をなくし、高精度且つ再現性のよいスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、所定時間サイクルでカソード部に電力供給を行う電源の状態の読み出しを行う電源状態読み出し信号と、所定のタイミングで前記カソード部への電力供給を停止する電力印加停止信号とを電源に対してシリアル通信によって送信する機能を有する電源制御部を備えて構成されており、電源制御部は、電源状態読出しの信号の送信を停止する読出し停止信号を送信して電源の状態の読み出し処理を停止させた後に電力印加停止信号を送信する。 （もっと読む）

【課題】面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板２１をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダ２２と、基板２１の周囲に配設され、基板２１の処理面に磁場を形成する基板側磁石３０と、基板２１の斜め上方に配置され、放電用の電力が印加されるカソード４１と、基板２１の回転位置を検出する位置検出部２３と、該位置検出部２３が検出した回転位置に応じて、前記放電用の電力を制御するコントローラ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】より短時間で低コストな状態で、所望とする組成のＮｂドープ酸化チタン膜が形成できるようにする。
【解決手段】透明なガラスから構成された基板１０１を用意し、次に、金属Ｔｉからなる第１ターゲットを用いた酸素ガスによる反応性スパッタと、五酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）からなる第２ターゲットを用いたスパッタとを同時おこなうことで、基板１０１の上にニオブがドープされた酸化チタンからなる透明導電膜１０２を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物に形成される膜の膜質の低下が抑えられたスパッタリング装置を得ること。
【解決手段】複数の第１小型マグネトロンカソード３１ａおよび第２小型マグネトロンカソード３１ｂの中央磁石３２ａ，３２ｂ付近に生じる非エロージョン領域は、分断されて個々で存在するので、連続した一体の中央磁石で構成されたマグネトロンカソードと比較して狭くできる。個々の非エロージョン領域が狭いことで、非エロージョン領域に形成された厚膜に発生する応力を緩和でき、膜応力等による剥がれが減少することで、パーティクルの発生を抑えることができる。したがって、基板に形成される膜に取り込まれるパーティクルを減少でき、膜質の低下が抑えられるスパッタリング装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシストスパッタ法により４回対称ＭｇＯ膜と３回対称ＭｇＯ膜を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、４回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体及び３回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】焼入れ鋼等の高硬度鋼の切削加工で、すぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する複相混合層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、ｃＢＮ相とＴｉＮ相との複相混合層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、該硬質被覆層中のｃＢＮ相の体積割合は４０〜８０％であり、残りは、非晶質ＴｉＮ相と結晶質ＴｉＮ相の混相からなり、混相に占める上記非晶質ＴｉＮ相の面積割合は３０〜８０％であって、非晶質ＴｉＮ相は、ｃＢＮ粒子の表面を被覆している。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの周囲に飛行するスパッタリング粒子が捕獲されるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板２を保持する基板ホルダー８を備えた成膜室３と、成膜室３に接続し筐体１４に第１ターゲット１２と第２ターゲット１３とが対向して配置されるスパッタリング粒子放出部４と、を備え、第１ターゲット１２及び第２ターゲット１３の側面とスパッタリング粒子３１を放出する放出面１２ａの外周部１２ｃ及び放出面１３ａの外周部を覆う防着カバー２５を備える。 （もっと読む）

【課題】耐久性に富み、他の素子と組み合わせることなく適切に液晶素子の位相差を補償する二軸性複屈折体を容易かつ安価に提供する。
【解決手段】基板上に無機材料を斜方蒸着することによって二軸性複屈折体を製造する製造方法であり、無機材料を斜方蒸着によって基板上に堆積させるときに、蒸着材料が基板に飛来する方向を変化させるとともに、蒸着材料が基板に飛来する方向の変化が所定の角度振幅の範囲内での振動的に変化させる。 （もっと読む）